JP6839973B2 - 表示パネル - Google Patents

Description

本発明の一態様は、表示パネル、表示装置、入出力装置または情報処理装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

画素および端子を有する表示パネルであって、画素は第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の第１の開口部に配設される第１の接続部と、第１の接続部と電気的に接続される画素回路と、画素回路と電気的に接続される第２の接続部と、第１の接続部と電気的に接続される第１の表示素子と、第２の接続部と電気的に接続される第２の表示素子と、を備える表示パネルが知られている（特許文献１）。なお、第１の絶縁膜は、第１の表示素子および第２の表示素子の間に挟まれる領域を備え、第１の表示素子は入射する光を反射する機能および第２の開口部を備える反射膜と、反射する光の強さを制御する機能と、を備える。また、第２の表示素子は、第２の開口部と重なる領域を備え、第２の開口部と重なる領域は、第２の開口部に向けて光を射出する機能を備える。また、端子は、画素回路と電気的に接続され、端子は、接点として機能することができる面を備える。

米国特許出願公開第２０１６／０２９９３８７号明細書

本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

（１）本発明の一態様は、画素を有する表示パネルである。

画素は入射光に含まれる一部の色の光を吸収し、他の色の光を反射する機能を備え、画素は第１の表示素子、第２の表示素子および着色膜を備える。

第１の表示素子は第２の表示素子および着色膜の間に挟まれる領域を備え、第１の表示素子は反射された光の透過を制御する機能を備える。

第２の表示素子は射出光を射出する機能を備え、第２の表示素子は第１の表示素子を用いた表示を視認できる範囲の一部において、第２の表示素子を用いた表示を視認できるように配設される。

着色膜は入射光に含まれる一部の色の光を吸収し、他の色の光を透過する機能を備える。

（２）また、本発明の一態様は、上記の画素が微小共振器構造を備える表示パネルである。

微小共振器構造は着色膜を透過する光に含まれる一部の色の光を吸収し、他の色の光を反射する特性を備える。

これにより、入射光に含まれる一部の色の光を吸収し、他の色の光を反射することができる。または、他の色の光を第１の表示素子を用いて制御することができる。または、他の色の光を用いて表示をすることができる。または、その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（３）また、本発明の一態様は、上記の第２の表示素子が微小共振器構造を備える表示パネルである。

微小共振器構造は着色膜を透過する光に含まれる射出光と同じ色の光を吸収する特性を備える。

これにより、第２の表示素子からの射出光を用いて表示をすることができる。または、入射光に含まれる射出光と同じ色の光を吸収し、他の色の光を反射することができる。または、他の色の光を第１の表示素子を用いて制御することができる。または、他の色の光を用いて表示をすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（４）また、本発明の一態様は、第１の画素と、第２の画素と、を有する上記の表示パネルである。

上記の画素はイエロー色の着色膜を備え、画素は緑色の光を反射する特性および赤色の射出光を射出する機能を備える。

第１の画素はシアン色の着色膜を備え、第１の画素は青色の光を反射する特性および緑色の射出光を射出する機能を備える。

第２の画素はマゼンタ色の着色膜を備え、第２の画素は赤色の光を反射する特性および青色の射出光を射出する機能を備える。

（５）また、本発明の一態様は、第１の画素と、第２の画素と、を有する上記の表示パネルである。

上記の画素はマゼンタ色の着色膜を備え、画素は青色の光を反射する特性および赤色の射出光を射出する機能を備える。

第１の画素はイエロー色の着色膜を備え、第１の画素は赤色の光を反射する特性および緑色の射出光を射出する機能を備える。

第２の画素はシアン色の着色膜を備え、第２の画素は緑色の光を反射する特性および青色の射出光を射出する機能を備える。

これにより、赤色、緑色および青色の反射光を用いてカラー画像を表示することができる。または、赤色、緑色および青色の射出光を用いてカラー画像を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（６）また、本発明の一態様は、上記の画素が機能層を備える表示パネルである。

機能層は第１の表示素子と重なる領域を備え、機能層は第２の表示素子と重なる領域を備え、機能層は画素回路および透光性領域を含む。

画素回路は第１の表示素子および第２の表示素子と電気的に接続され、画素回路は導電膜を備える。

導電膜は透光性領域に可視光を透過する領域を備える。

第２の表示素子は機能層に向けて光を射出する機能を備える。

これにより、画素回路を表示素子に重ねて配置することができる。または、画素の開口率を高めることができる。または、画素のレイアウトの自由度を高めることができる。または、表示素子が表示する表示の明るさを保ちながら、発光素子に流す電流の密度を下げることができる。または、発光素子の信頼性を高めることができる。例えば、有機ＥＬ素子を発光素子に用いることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（７）また、本発明の一態様は、上記の画素が、第１の導電膜と、第２の導電膜と、絶縁膜と、を有する表示パネルである。

絶縁膜は第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜は開口部を備える。

第１の導電膜は第１の表示素子と電気的に接続される。

第２の導電膜は第１の導電膜と重なる領域を備え、第２の導電膜は開口部において第１の導電膜と電気的に接続され、第２の導電膜は画素回路と電気的に接続される。

（８）また、本発明の一態様は、表示領域を有する上記の表示パネルである。

表示領域は、一群の複数の画素、他の一群の複数の画素、走査線および信号線を備える。

一群の複数の画素は画素を含み、一群の複数の画素は行方向に配設される。

他の一群の複数の画素は画素を含み、他の一群の複数の画素は、行方向と交差する列方向に配設される。

走査線は一群の複数の画素と電気的に接続され、信号線は、他の一群の複数の画素と電気的に接続される。

これにより、例えば同一の工程を用いて形成することができる画素回路を用いて、第１の表示素子と、第１の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする第２の表示素子と、を駆動することができる。または、絶縁膜を用いて、第１の表示素子および第２の表示素子の間または第１の表示素子および画素回路の間における不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

（９）また、本発明の一態様は、上記の表示パネルと、制御部と、を有する表示装置である。

制御部は画像情報および制御情報を供給される機能を備え、制御部は画像情報に基づいて第１の情報または第２の情報を生成する機能を備える。また、制御部は第１の情報および第２の情報を供給する機能を備える。

表示パネルは第１の情報および第２の情報を供給される機能を備える。

第１の表示素子は第１の情報に基づいて表示する機能を備え、第２の表示素子は第２の情報に基づいて表示する機能を備える。

これにより、第１の表示素子を用いて画像情報を表示することができる。または、第２の表示素子を用いて画像情報を表示することができる。または、第１の表示素子を用いて表示される画像情報と重なるように、第２の表示素子を用いて画像情報を表示することができる。または、第１の表示素子を用いて表示される画像情報を第２の表示素子を用いて補うことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

（１０）また、本発明の一態様は、入力部と、表示部と、を有する入出力装置である。

表示部は上記の表示パネルを備える。

入力部は検知領域を備え、入力部は検知領域に近接するものを検知する機能を備える。

検知領域は、画素と重なる領域を備える。

（１１）また、本発明の一態様は、上記の検知領域が、制御線、検知信号線および検知素子を備える入出力装置である。

検知素子は、制御線および検知信号線と電気的に接続される。

制御線は、制御信号を供給する機能を備え、検知信号線は、検知信号を供給される機能を備える。

検知素子は制御信号および画素と重なる領域に近接するものとの距離に基づいて変化する検知信号を供給する機能を備える。検知素子は、第１の電極と、第２の電極と、を備える。

第１の電極は画素と重なる領域に透光性を有する領域を備え、第１の電極は制御線と電気的に接続される。

第２の電極は画素と重なる領域に透光性を有する領域を備え、第２の電極は検知信号線と電気的に接続され、第２の電極は、画素と重なる領域に近接するものによって一部が遮られる電界を、第１の電極との間に形成するように配置される。

これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するものを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付けることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。

（１２）また、本発明の一態様は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記の表示パネルと、を含む、情報処理装置である。

これにより、さまざまな入力装置を用いて供給する情報に基づいて、画像情報または制御情報を演算装置に生成させることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。

本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。

本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。

本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。

本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。

本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。

本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する模式図および断面図。 実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する上面図および断面図。 実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する上面図および断面図。 実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。 実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。 実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する上面図。 実施の形態に係る表示パネルの画素回路を説明する回路図。 実施の形態に係る表示パネルの画素と副画素を説明する上面図。 実施の形態に係る表示パネルを用いた表示装置の構成を説明するブロック図。 実施の形態に係る表示パネルの構成を説明するブロック図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する上面図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する断面図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する断面図。 実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図および投影図。 実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図。 実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図。 実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。 実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。 実施の形態に係る表示パネルの画素の構成を説明する上面図および断面図。

本発明の一態様の表示パネルは、画素を有し、画素は入射光に含まれる一部の色の光を吸収し、他の色の光を反射する機能を備え、画素は第１の表示素子、第２の表示素子および着色膜を備える。第１の表示素子は、反射された光の透過を制御する機能を備える。また、第２の表示素子は射出光を射出する機能を備え、第２の表示素子は第１の表示素子を用いた表示を視認できる範囲の一部において、当該第２の表示素子を用いた表示を視認できるように配設される。また、着色膜は入射光に含まれる一部の色の光を吸収し、他の色の光を透過する機能を備える。

これにより、入射光に含まれる一部の色の光を吸収し、他の色の光を反射することができる。または、他の色の光を第１の表示素子を用いて制御することができる。または、他の色の光を用いて表示をすることができる。または、その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について、図１を参照しながら説明する。

図１は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図１（Ａ）は本発明の一態様の表示パネルの画素の分解立体図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の切断線Ｙ１−Ｙ２における断面図である。

図２は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図２（Ａ）は本発明の一態様の表示パネルの画素の上面図であり、図１（Ｂ）は図２（Ａ）の切断線Ｙ３−Ｙ４における断面図である。

図３は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図３（Ａ）は表示パネルの上面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する上面図である。図３（Ｃ）は図３（Ａ）に示す表示パネルの断面の構成を説明する模式図である。

図４および図５は表示パネルの構成を説明する断面図である。図４（Ａ）は図３（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、図６の切断線Ｘ５−Ｘ６、切断線Ｘ７−Ｘ８における断面図であり、図４（Ｂ）および図４（Ｃ）はいずれも図４（Ａ）の一部を説明する図である。

図５（Ａ）は図６の切断線Ｘ９−Ｘ１０、図３（Ａ）の切断線Ｘ１１−Ｘ１２における断面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の一部を説明する図である。

図６は図３（Ａ）に示す表示パネルの画素の一部を説明する上面図である。

図７は本発明の一態様の表示パネルが備える画素回路の構成を説明する回路図である。

なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。

＜表示パネルの構成例１．＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）を有する（図３（Ａ）または図９（Ａ）参照）。

《画素の構成例１．》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、入射光に含まれる一部の色の光Ｌ１を吸収し、他の色の光を反射する機能を備える（図１（Ａ）参照）。例えば、光Ｌ１、光Ｌ２および光Ｌ３を含む入射光から、光Ｌ１を吸収し、光Ｌ２および光Ｌ３を反射する。

画素７０２（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）および着色膜ＣＦ１を備える。

第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）および着色膜ＣＦ１の間に挟まれる領域を備え、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は反射された光の透過を制御する機能を備える。例えば、液晶素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を反射型の液晶素子に用いることができる。

第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、射出光を射出する機能を備える。例えば、有機ＥＬ素子を５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できるように配設される。

着色膜ＣＦ１は、入射光に含まれる一部の色の光を吸収し、他の色の光を透過する機能を備える。例えば、光Ｌ２および光Ｌ３を含む入射光から、光Ｌ３を吸収し、光Ｌ２を透過する（図１（Ｂ）の中央参照）。また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光Ｌ１を透過する（図１（Ｂ）の右側参照）。

《画素の構成例２．》
また、画素７０２（ｉ，ｊ）は、微小共振器構造を備える（図１（Ｂ）参照）。例えば、半透過・半反射膜、反射膜および透光性を有する膜を微小共振器構造に用いることができる。具体的には、所定の厚さの透光性を有する膜を半透過・半反射膜および反射膜の間に挟む積層構造を微小共振器構造に用いることができる。なお、半透過・半反射膜は、可視光の一部を透過する機能および他の一部を反射する機能を備える。具体的には、光が透過する程度に薄い金属膜を半透過・半反射膜に用いることができる。

微小共振器構造は、着色膜ＣＦ１を透過する光に含まれる一部の色の光を吸収し、他の色の光を反射する特性を備える。例えば、光Ｌ１および光Ｌ２を含む着色膜ＣＦ１を透過する光から、光Ｌ１を吸収し（図１（Ｂ）の左側参照）、光Ｌ２を反射する（図１（Ｂ）の中央参照）。

微小共振器構造に進入してから反射膜に反射される光Ｌ１の位相は、半透過・半反射膜に反射される光Ｌ１の位相より遅れる（図１（Ｂ）の左側参照）。例えば、反射膜に反射された光Ｌ１の位相は、半透過・半反射膜に反射される光Ｌ１の位相より１８０°遅れる。これにより、半透過・半反射膜に反射される光Ｌ１を打ち消すことができる。

また、光Ｌ１を吸収する微小共振器構造は、光Ｌ１の波長とは異なる波長の光Ｌ２を反射する。具体的には、打ち消すような位相の遅れが生じない光を反射する。

これにより、入射光に含まれる一部の色の光を吸収し、他の色の光を反射することができる。または、他の色の光を第１の表示素子を用いて制御することができる。または、他の色の光を用いて表示をすることができる。または、その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

《第２の表示素子の構成例１．》
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、微小共振器構造を備える。例えば、発光性の材料を含む層５５３を透光性を有する膜に用い、電極５５１（ｉ，ｊ）を半透過・半反射膜に用い、電極５５２を反射膜に用いることができる。

なお、半透過・半反射性の導電膜５５１Ａと、透光性を備える導電膜５５１Ｂ（ｉ，ｊ）とを、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる（図１（Ｂ）参照）。また、透光性を備える導電膜５５１Ｂ（ｉ，ｊ）は、半透過・半反射性の導電膜５５１Ａおよび発光性の材料を含む層５５３の間に挟まれる領域を備える。この場合において、発光性の材料を含む層５５３および透光性を備える導電膜５５１Ｂ（ｉ，ｊ）の積層膜を透光性を有する膜とみなすことができる。

微小共振器構造を備える第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は光Ｌ１を射出する（図１（Ｂ）の右側参照）。具体的には、微小共振器構造は、透光性を有する膜の光学距離ｄに基づいて所定の波長の光Ｌ１を増幅し、他の波長の光を減衰する。

微小共振器構造は、着色膜ＣＦ１を透過する光に含まれる射出光と同じ色の光を吸収する特性を備える。例えば、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が光Ｌ１を射出する場合、微小共振器構造は、光Ｌ１および光Ｌ２を含む着色膜ＣＦ１を透過する光から、光Ｌ１を吸収する（図１（Ｂ）の左側参照）、また、光Ｌ２を反射する（図１（Ｂ）の中央参照）。

これにより、第２の表示素子からの射出光を用いて表示をすることができる。または、入射光に含まれる射出光と同じ色の光を吸収し、他の色の光を反射することができる。または、他の色の光を第１の表示素子を用いて制御することができる。または、他の色の光を用いて表示をすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

＜表示パネルの構成例２．＞
表示パネル７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）と、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）と、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）と、を有する（図２（Ａ）参照）。

画素７０２（ｉ，ｊ）はイエロー色の着色膜ＣＦ１（Ｙ）を備え、画素７０２（ｉ，ｊ）は緑色の光を反射する特性および赤色の射出光を射出する機能を備える（図２（Ｂ）参照）。例えば、赤色、緑色および青色の光を含む白色の光から着色膜を用いて青色の光を吸収し、微小共振器構造を用いて赤色の光を吸収し、緑色の光を反射する。これにより、緑色の反射光を得ることができる。または、微小共振器構造が設けられた第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が赤色の光だけでなく青色の光も射出してしまう場合、当該青色の光をイエロー色の着色膜ＣＦ１（Ｙ）を用いて吸収することができる。または、赤色の色純度を高め、表示を鮮やかにすることができる。

または、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）はシアン色の着色膜ＣＦ１（Ｃ）を備え、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は青色の光を反射する特性および緑色の射出光を射出する機能を備える。例えば、赤色、緑色および青色の光を含む白色の光から着色膜を用いて赤色の光を吸収し、微小共振器構造を用いて緑色の光を吸収し、青色の光を反射する。これにより、青色の反射光を得ることができる。

または、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）はマゼンタ色の着色膜ＣＦ１（Ｍ）を備え、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は赤色の光を反射する特性および青色の射出光を射出する機能を備える。例えば、赤色、緑色および青色の光を含む白色の光から着色膜を用いて緑色の光を吸収し、微小共振器構造を用いて青色の光を吸収し、赤色の光を反射する。これにより、赤色の反射光を得ることができる。

＜表示パネルの構成例３．＞
表示パネル７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）と、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）と、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）と、を有する（図２１（Ａ）参照）。

画素７０２（ｉ，ｊ）はマゼンタ色の着色膜ＣＦ１（Ｍ）を備え、画素７０２（ｉ，ｊ）は青色の光を反射する特性および赤色の射出光を射出する機能を備える（図２１（Ｂ）参照）。例えば、赤色、緑色および青色の光を含む白色の光から着色膜を用いて緑色の光を吸収し、微小共振器構造を用いて赤色の光を吸収し、青色の光を反射する。これにより、青色の反射光を得ることができる。または、微小共振器構造が設けられた第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する、正面に射出する赤色の光の波長より短い波長の緑色の光を、着色膜ＣＦ１（Ｍ）を用いて吸収することができる。または、赤色の色純度を高め、表示を鮮やかにすることができる。

または、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）はイエロー色の着色膜ＣＦ１（Ｙ）を備え、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は赤色の光を反射する特性および緑色の射出光を射出する機能を備える。例えば、赤色、緑色および青色の光を含む白色の光から着色膜を用いて青色の光を吸収し、微小共振器構造を用いて緑色の光を吸収し、赤色の光を反射する。これにより、赤色の反射光を得ることができる。または、微小共振器構造が設けられた第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）が射出する、正面に射出する緑色の光の波長より短い波長の赤色の光を、着色膜ＣＦ１（Ｙ）を用いて吸収することができる。または、緑色の色純度を高め、表示を鮮やかにすることができる。

または、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）はシアン色の着色膜ＣＦ１（Ｃ）を備え、画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は緑色の光を反射する特性および青色の射出光を射出する機能を備える。例えば、赤色、緑色および青色の光を含む白色の光から着色膜を用いて赤色の光を吸収し、微小共振器構造を用いて青色の光を吸収し、緑色の光を反射する。これにより、緑色の反射光を得ることができる。

これにより、赤色、緑色および青色の反射光を用いてカラー画像を表示することができる。または、赤色、緑色および青色の射出光を用いてカラー画像を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

《透光性を有する膜の構成例》
例えば、白色の光を発するように積層された積層材料を発光性の材料を含む層５５３に用いることができる。また、共通の発光性の材料を含む層５５３を、表示素子５５０（ｉ，ｊ）、表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）および表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）に用いることができる（図２（Ｂ）参照）。

具体的には、赤色の光Ｒ増幅されるように光学距離ｄ０が調整された透光性を有する膜を用いることができる（図２（Ｂ）の左側参照）。例えば、透光性を備える導電膜５５１Ｂ（ｉ，ｊ）の厚さを用いて、光学距離ｄ０を調整することができる。これにより、副画素７０２（ｉ，ｊ）の第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いてシアン色の表示をし、副画素７０２（ｉ，ｊ）の第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて赤色の表示をすることができる。

具体的には、緑色の光Ｇが増幅されるように光学距離ｄ１が調整された透光性を有する膜を用いることができる（図２（Ｂ）の中央参照）。例えば、透光性を備える導電膜５５１Ｂ（ｉ，ｊ＋１）の厚さを用いて、光学距離ｄ１を調整することができる。これにより、副画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ＋１）を用いてマゼンタ色の表示をし、副画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）を用いて緑色の表示をすることができる。

具体的には、青色の光Ｂが増幅されるように光学距離ｄ２が調整された透光性を有する膜を用いることができる（図２（Ｂ）の右側参照）。例えば、透光性を備える導電膜５５１Ｂ（ｉ，ｊ＋２）の厚さを用いて、光学距離ｄ２を調整することができる。これにより、副画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ＋２）を用いてイエロー色の表示をし、副画素７０２（ｉ，ｊ＋２）の第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）を用いて青色の表示をすることができる。

《画素の構成例３．》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、機能層５２０を備える（図３（Ｃ）参照）。

《機能層の構成例１．》
機能層５２０は第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備え、機能層５２０は第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。また、機能層５２０は画素回路５３０（ｉ，ｊ）および透光性領域５２０Ｔを含む。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続され、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は導電膜を備える。当該導電膜は、透光性領域５２０Ｔに可視光を透過する領域を備える。例えば、可視光を透過する導電膜を導電膜５１２Ａ、導電膜５１２Ｂおよび導電膜５０４に用いることができる（図４（Ａ）および図４（Ｂ）参照）。

第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、機能層５２０に向けて光を射出する機能を備える。

これにより、画素回路を表示素子に重ねて配置することができる。または、画素の開口率を高めることができる。または、画素のレイアウトの自由度を高めることができる。または、表示素子が表示する表示の明るさを保ちながら、発光素子に流す電流の密度を下げることができる。または、発光素子の信頼性を高めることができる。例えば、有機ＥＬ素子を発光素子に用いることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

《透光性領域５２０Ｔの構成例》
透光性領域５２０Ｔは、赤色、緑色または青色のいずれかの色の光に対し６０％以上、好ましくは６５％以上、より好ましくは７０％以上の透過率を備える。

《画素の構成例４．》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、機能層５２０の一部と、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と、を有する（図３（Ｃ）参照）。

《機能層の構成例４．》
機能層５２０は、第１の導電膜、第２の導電膜、絶縁膜５０１Ｃおよび画素回路５３０（ｉ，ｊ）を含む（図４（Ａ）参照）。なお、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、例えばトランジスタＭを含む。

機能層５２０は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える（図３（Ｃ）参照）。当該領域は厚さＤ１２を備え、厚さＤ１２は３０μｍ未満、好ましくは１０μｍ未満、さらに好ましくは５μｍ未満である。

これにより、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に近づけて配置することができる。または、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いる表示と第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いる表示との間に生じる視差を少なくすることができる。または、例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ，ｊ＋１）の表示に由来する、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の表示の乱れを少なくすることができる。または、例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）に隣接する画素７０２（ｉ，ｊ＋１）を用いて表示する色が、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて表示する色に、意図せず混ざる現象を起こりにくくすることができる。または、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光の減衰を抑制することができる。または、表示パネルの重量を軽くすることができる。または、表示パネルの厚さを薄くすることができる。または、表示パネルを曲げやすくすることができる。

また、機能層５２０は、絶縁膜５２１、絶縁膜５２８、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６または絶縁膜５０６等を含む（図４（Ａ）および図４（Ｂ）参照）。

《画素回路の構成例１．》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動する機能を備える（図７参照）。

これにより、例えば同一の工程を用いて形成することができる画素回路を用いて、第１の表示素子と、第１の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする第２の表示素子と、を駆動することができる。具体的には、反射型の表示素子を第１の表示素子に用いて、消費電力を低減することができる。または、外光が明るい環境下において高いコントラストで画像を良好に表示することができる。または、光を射出する第２の表示素子を用いて、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、絶縁膜を用いて、第１の表示素子および第２の表示素子の間または第１の表示素子および画素回路の間における不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、単数または複数のトランジスタをスイッチに用いることができる。または、並列に接続された複数のトランジスタ、直列に接続された複数のトランジスタ、直列と並列が組み合わされて接続された複数のトランジスタを、一のスイッチに用いることができる。

例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭおよび導電膜ＡＮＯと電気的に接続される（図７参照）。なお、導電膜５１２Ａは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図５（Ａ）および図７参照）。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１および容量素子Ｃ１１を含む（図７参照）。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ２１を含む。

例えば、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ１に用いることができる。

容量素子Ｃ１１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭと電気的に接続される第２の電極と、を有する。

例えば、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。

トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続されるゲート電極と、導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。

なお、半導体膜をゲート電極との間に挟むように設けられた導電膜を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。例えば、トランジスタＭのゲート電極と同じ電位を供給することができる配線と電気的に接続される導電膜を当該導電膜に用いることができる。

容量素子Ｃ２１は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を有する。

なお、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の電極７５１（ｉ，ｊ）を、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続する。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の電極７５２を、配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続する。これにより、第１の表示素子７５０を駆動することができる。

また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の電極５５１（ｉ，ｊ）をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の電極５５２を導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を駆動することができる。

《画素回路の構成例２．》
半導体膜５０８は、２．５ｅＶ以上のバンドギャップを備え、画素回路５３０（ｉ，ｊ）の導電膜は、可視光を透過する領域に導電性酸化物を含む。なお、例えば、可視光を透過する導電性酸化物を、導電膜５１２Ａ、導電膜５１２Ｂおよび導電膜５０４に用いることができる（図４（Ａ）参照）。可視光を透過する半導体膜５０８の導電膜５１２Ａが接する領域および可視光を透過する半導体膜５０８の導電膜５１２Ｂが接する領域は、いずれも可視光を透過する。

これにより、表示パネルの使用者および表示素子の間に画素回路を、表示素子に重ねて配置することができる。または、画素の開口率を高めることができる。または、画素のレイアウトの自由度を高めることができる。または、表示素子が表示する表示の明るさを保ちながら、発光素子に流す電流の密度を下げることができる。または、発光素子の信頼性を高めることができる。例えば、有機ＥＬ素子を発光素子に用いることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

《絶縁膜５０１Ｃ》
絶縁膜５０１Ｃは、第１の導電膜および第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５０１Ｃは開口部５９１Ａを備える（図５（Ａ）参照）。また、絶縁膜５０１Ｃは開口部５９１Ｂおよび開口部５９１Ｃを備える（図４（Ａ）および図５（Ａ）参照）。

《第１の導電膜》
第１の導電膜は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。具体的には、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、電極７５１（ｉ，ｊ）を、第１の導電膜に用いることができる。

《第２の導電膜》
第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。第２の導電膜は、開口部５９１Ａにおいて第１の導電膜と電気的に接続される（図５（Ａ）参照）。例えば、導電膜５１２Ｂを第２の導電膜に用いることができる。

ところで、絶縁膜５０１Ｃに設けられた開口部５９１Ａにおいて第２の導電膜と電気的に接続される第１の導電膜を、貫通電極ということができる。

第２の導電膜は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。例えば、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ１に用いるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂを、第２の導電膜に用いることができる。

《第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の構成例２．》
第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図７参照）。第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、機能層５２０に向けて光を射出する機能を備える（図４（Ａ）参照）。第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、例えば、絶縁膜５０１Ｃに向けて光を射出する機能を備える。

第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部において当該第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できるように配設される。例えば、外光を反射する強度を制御して画像情報を表示する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に外光が入射し反射する方向を、破線の矢印を用いて図中に示す（図５（Ａ）参照）。また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示を視認できる範囲の一部に第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が光を射出する方向を、実線の矢印を用いて図中に示す（図４（Ａ）参照）。

これにより、第１の表示素子を用いた表示を視認することができる領域の一部において、第２の表示素子を用いた表示を視認することができる。または、表示パネルの姿勢等を変えることなく使用者は表示を視認することができる。または、第１の表示素子が反射する光が表現する物体色と、第２の表示素子が射出する光が表現する光源色とを掛け合わせることができる。または、物体色および光源色を用いて絵画的な表示をすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

例えば、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、電極５５１（ｉ，ｊ）と、電極５５２と、発光性の材料を含む層５５３と、を備える（図４（Ａ）参照）。

電極５５２は、電極５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

発光性の材料を含む層５５３は、電極５５１（ｉ，ｊ）および電極５５２の間に挟まれる領域を備える。

電極５５１（ｉ，ｊ）は、接続部５２２において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、電極５５２は、導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続される（図７参照）。

《絶縁膜５２１、絶縁膜５２８、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６、絶縁膜５０６等》
絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える（図４（Ａ）参照）。

例えば、積層膜を絶縁膜５２１に用いることができる。

絶縁膜５２８は、絶縁膜５２１および基板５７０の間に挟まれる領域を備え、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える（図４（Ａ）参照）。電極５５１（ｉ，ｊ）の周縁に沿って形成される絶縁膜５２８は、電極５５１（ｉ，ｊ）および電極５５２の短絡を防止する。

絶縁膜５１８は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および絶縁膜５２１の間に挟まれる領域を備える。

例えば、積層膜を絶縁膜５１８に用いることができる。

絶縁膜５１６は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および絶縁膜５１８の間に挟まれる領域を備える（図４（Ｂ）参照）。

絶縁膜５０６は、絶縁膜５０１Ｃおよび絶縁膜５１６の間に挟まれる領域を備える。

＜表示パネルの構成例４．＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００は、表示領域２３１を有する（図９参照）。

《表示領域２３１》
表示領域２３１は、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、信号線Ｓ１（ｉ）と、を有する（図９参照）。また、走査線Ｇ２（ｉ）と、配線ＣＳＣＯＭと、導電膜ＡＮＯと、信号線Ｓ２（ｊ）と、を有する。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。

一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設される。

他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。

走査線Ｇ１（ｉ）および走査線Ｇ２（ｉ）は、行方向に配設される一群の複数の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。

信号線Ｓ１（ｊ）および信号線Ｓ２（ｊ）は、列方向に配設される他の一群の複数の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。

＜表示パネルの構成例５．＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、複数の画素を備える。当該複数の画素は、色相が互いに異なる色を表示する機能を備える。または、当該複数の画素を用いて、各々その画素では表示できない色相の色を、加法混色により表示することができる。

《画素の構成例５．》
なお、色相が異なる色を表示することができる複数の画素を混色に用いる場合において、それぞれの画素を副画素と言い換えることができる。また、複数の副画素を一組にして、画素と言い換えることができる。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）を副画素と言い換えることができ、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）と言い換えることができる（図８参照）。

具体的には、青色を表示する副画素、緑色を表示する副画素および赤色を表示する副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。

また、例えば、シアンを表示する副画素、マゼンタを表示する副画素およびイエローを表示する副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。

また、例えば、白色を表示する副画素等を上記の一組に加えて、画素に用いることができる。

また、例えば、シアン色を表示する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と赤色を表示する第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える副画素、マゼンタ色を表示する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ＋１）と緑色を表示する第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ＋１）を備える副画素およびイエロー色を表示する第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ＋２）と青色を表示する第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）を備える副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。これにより、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）乃至第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ＋２）を用いる表示を、明るくすることができる。または、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）乃至第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ＋２）を用いる表示を、鮮やかにすることができる。

＜表示パネルの構成例６．＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを備えることができる（図３（Ａ）および図９参照）。

《駆動回路ＧＤ》
駆動回路ＧＤは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。

一例を挙げれば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。

例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された状態で静止画像を表示することができる。

また、表示パネルは、複数の駆動回路を有することができる。例えば、表示パネル７００Ｂは、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢを有する（図１０参照）。

また、例えば、複数の駆動回路を備える場合、駆動回路ＧＤＡが選択信号を供給する頻度と、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する頻度とを、異ならせることができる。具体的には、静止画像を表示する一の領域に選択信号を供給する頻度より高い頻度で、動画像を表示する他の領域に選択信号を供給することができる。これにより、一の領域にフリッカーが抑制された状態で静止画像を表示し、他の領域に滑らかに動画像を表示することができる。

《駆動回路ＳＤ》
駆動回路ＳＤは、駆動回路ＳＤ１と、駆動回路ＳＤ２と、を有する。駆動回路ＳＤ１は、情報Ｖ１１に基づいて画像信号を供給する機能を有し、駆動回路ＳＤ２は、情報Ｖ１２に基づいて画像信号を供給する機能を有する（図９参照）。

駆動回路ＳＤ１または駆動回路ＳＤ２は、画像信号を生成する機能と、当該画像信号を一の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。これにより、例えば、液晶表示素子を駆動することができる。

例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。

例えば、駆動回路ＳＤ１および駆動回路ＳＤ２が集積された集積回路を、駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。

例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子に実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装することができる。

＜表示パネルの構成例７．＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００は、絶縁膜５７３、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、機能層７２０、基板５７０、基板７７０、接合層５０５、封止材７０５、構造体ＫＢ１、機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ等を備える（図４（Ａ）または図５（Ａ）参照）。

《絶縁膜５７３》
絶縁膜５７３は、機能層５２０との間に第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える（図４（Ａ）参照）。

例えば、単数の膜または複数の膜を積層した積層膜を絶縁膜５７３に用いることができる。具体的には、絶縁膜５７３Ａおよび絶縁膜５７３Ｂを積層した膜を絶縁膜５７３に用いることができる。これにより、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）への不純物の拡散を抑制することができる。

《端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ》
端子５１９Ｂは、例えば、導電膜５１１Ｂを備える。端子５１９Ｂは、例えば、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続することができる。

端子５１９Ｃは、例えば、導電膜５１１Ｃを備える。導電膜５１１Ｃは、例えば、配線ＶＣＯＭ１と電気的に接続される。

なお、導電材料ＣＰは、端子５１９Ｃと電極７５２の間に挟まれ、端子５１９Ｃと電極７５２を電気的に接続する機能を備える。例えば、導電性の粒子を導電材料ＣＰに用いることができる。

《機能層７２０》
機能層７２０は、基板７７０および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える（図４（Ａ）参照）。

機能層７２０は、遮光膜ＢＭ、着色膜ＣＦ１または絶縁膜７７１を備える。

遮光膜ＢＭは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える（図４（Ａ）または図５（Ａ）参照）。

着色膜ＣＦ１は、基板７７０および第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。

《基板５７０、基板７７０》
基板７７０は、基板５７０と重なる領域を備える。基板７７０は、基板５７０との間に機能層５２０を挟む領域を備える。

基板７７０は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。例えば、複屈折が抑制された材料を当該領域に用いることができる。

《接合層５０５、封止材７０５、構造体ＫＢ１》
接合層５０５は、機能層５２０および基板５７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板５７０を貼り合せる機能を備える。

封止材７０５は、機能層５２０および基板７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基板７７０を貼り合わせる機能を備える。

構造体ＫＢ１は、機能層５２０および基板７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。

《機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ等》
機能膜７７０Ｐは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

機能膜７７０Ｄは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜７７０Ｄは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）との間に基板７７０を挟むように配設される。これにより、例えば、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が反射する光を拡散することができる。

＜構成要素の例＞
表示パネル７００は、基板５７０、基板７７０、構造体ＫＢ１、封止材７０５または接合層５０５を有する。

また、表示パネル７００は、機能層５２０、絶縁膜５２１、絶縁膜５２８、絶縁膜５１６または絶縁膜５０６を有する。

また、表示パネル７００は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭまたは導電膜ＡＮＯを有する。

また、表示パネル７００は、第１の導電膜または第２の導電膜を有する。

また、表示パネル７００は、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃを有する。

また、表示パネル７００は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）またはスイッチＳＷ１を有する。

また、表示パネル７００は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）、電極７５１（ｉ，ｊ）、液晶材料を含む層７５３または電極７５２を有する。

また、表示パネル７００は、配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２、着色膜ＣＦ１、遮光膜ＢＭ、絶縁膜７７１、機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄを有する。

また、表示パネル７００は、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）、電極５５１（ｉ，ｊ）、電極５５２または発光性の材料を含む層５５３を有する。

また、表示パネル７００は、絶縁膜５０１Ｃを有する。

また、表示パネル７００は、絶縁膜５７３を有する。

また、表示パネル７００は、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。

《基板５７０》
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板５７０に用いることができる。例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。

例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板５７０に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板５７０に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板５７０に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基板５７０に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板５７０に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、基板５７０に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を、基板５７０に用いることができる。

例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板５７０に用いることができる。これにより、半導体素子を基板５７０に形成することができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルム、プラスチック等の有機材料を基板５７０に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板５７０に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板５７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板５７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板５７０に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板５７０に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基板５７０に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板５７０に用いることができる。

具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基板５７０に用いることができる。または、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を用いることができる。

また、紙、木材またはセルロースナノファイバーなどを基板５７０に用いることができる。

例えば、可撓性を有する基板を基板５７０に用いることができる。

なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板５７０に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。

《基板７７０》
例えば、基板５７０に用いることができる材料を基板７７０に用いることができる。例えば、基板５７０に用いることができる材料から選択された透光性を備える材料を、基板７７０に用いることができる。または、片側の表面に、例えば１μｍ以下の反射防止膜が形成された材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、誘電体を３層以上、好ましくは５層以上、より好ましくは１５層以上積層した積層膜を基板７７０に用いることができる。これにより、反射率を０．５％以下好ましくは０．０８％以下に抑制することができる。または、基板５７０に用いることができる材料から選択された複屈折が抑制された材料を、基板７７０に用いることができる。

例えば、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基板７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。

例えば、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等の樹脂フィルムを、基板７７０に好適に用いることができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。

また、例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、厚さを薄くするために研磨した基板を用いることができる。これにより、機能膜７７０Ｄを第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に近づけて配置することができる。その結果、画像のボケを低減し、画像を鮮明に表示することができる。

《構造体ＫＢ１》
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体ＫＢ１に用いることができる。これにより、所定の間隔を、構造体ＫＢ１等を挟む構成の間に設けることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

《封止材７０５》
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５に用いることができる。

例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５に用いることができる。

例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５に用いることができる。

《接合層５０５》
例えば、封止材７０５に用いることができる材料を接合層５０５に用いることができる。

《絶縁膜５２１》
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１に用いることができる。

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１に用いることができる。

例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１に用いることができる。

なお、窒化シリコン膜は緻密な膜であり、不純物の拡散を抑制する機能に優れる。これにより、特に窒化シリコン膜を絶縁膜５２１等に好適に用いることができる。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。これにより、絶縁膜５２１は、例えば、絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。

なお、ポリイミドは熱的安定性、絶縁性、靱性、低誘電率、低熱膨張率、耐薬品性などの特性において他の有機材料に比べて優れた特性を備える。これにより、特にポリイミドを絶縁膜５２１等に好適に用いることができる。

《絶縁膜５２８》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。

《絶縁膜５１８》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５１８に用いることができる。

例えば、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の拡散を抑制する機能を備える材料を絶縁膜５１８に用いることができる。具体的には、窒化物絶縁膜を絶縁膜５１８に用いることができる。例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等を絶縁膜５１８に用いることができる。これにより、トランジスタの半導体膜への不純物の拡散を抑制することができる。例えば、トランジスタの半導体膜に用いる酸化物半導体膜からトランジスタの外部への酸素の拡散を抑制することができる。または、トランジスタの外部から酸化物半導体膜への水素または水等の拡散を抑制することができる。

例えば、水素または窒素を供給する機能を有する材料を絶縁膜５１８に用いることができる。これにより、絶縁膜５１８に接する膜に水素または窒素を供給することができる。例えば、酸化物半導体膜に接するように絶縁膜５１８を形成し、当該酸化物半導体膜に水素または窒素を供給することができる。または、当該酸化物半導体膜に導電性を付与することができる。または、当該酸化物半導体膜を第２のゲート電極に用いることができる。

《絶縁膜５１６》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５１６に用いることができる。具体的には、作製方法が異なる膜を積層した積層膜を絶縁膜５１６に用いることができる。

例えば、厚さが５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の酸化シリコンまたは酸化窒化シリコン等を含む第１の膜と、厚さが３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコン等を含む第２の膜とを積層した積層膜を、絶縁膜５１６に用いることができる。

具体的には、ＥＳＲ測定により観測することができるシリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が３×１０^１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以下である膜を第１の膜に用いると好ましい。これにより、例えば、トランジスタの半導体膜に用いる酸化物半導体膜を、絶縁膜の形成にともなう損傷から、保護することができる。または、シリコンの欠陥に捉えられる酸素を低減することができる。または、酸素の透過または移動を容易にすることができる。

また、例えば、ＥＳＲ測定により観測することができるシリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が１．５×１０^１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３未満、さらには１×１０^１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以下である材料を第２の膜に用いると好ましい。

《絶縁膜５０６》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０６に用いることができる。具体的には、酸素の透過を抑制する機能を備える第１の膜と、酸素を供給する機能を備える第２の膜とを積層した積層膜を、絶縁膜５０６に用いることができる。これにより、例えば、トランジスタの半導体膜に用いる酸化物半導体膜に酸素を拡散することができる。

具体的には、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜または酸化ネオジム膜を含む膜を絶縁膜５０６に用いることができる。

例えば、酸素雰囲気下において形成された膜を第２の膜に用いることができる。または、成膜後に酸素を導入した膜を第２の膜に用いることができる。具体的には、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオン注入法、プラズマ処理等を用いて成膜後に酸素を導入することができる。

《絶縁膜５７３》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５７３に用いることができる。具体的には、絶縁膜５７３Ａおよび絶縁膜５７３Ｂを積層した積層膜を絶縁膜５７３に用いることができる。

例えば、酸化物または窒化物を絶縁膜５７３に用いることができる。具体的には、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、窒化シリコンまたは窒化アルミニウム等を絶縁膜５７３に用いることができる。

具体的には、１×１０^−２ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）未満、好ましくは、５×１０^−３ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、好ましくは１×１０^−４ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、好ましくは１×１０^−５ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、好ましくは１×１０^−６ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下の水蒸気透過率を備える膜を、絶縁膜５７３に用いる。

例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる膜を絶縁膜５７３Ａに用いることができる。また、原子層堆積法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法；ＡＬＤ法）を用いて形成することができる膜を絶縁膜５７３Ｂに用いることができる。これにより、例えば、スパッタリング法を用いて形成される絶縁膜に生じる密度が低い領域を、原子層堆積法を用いて形成される緻密な絶縁膜で覆うことができる。または、スパッタリング法を用いて形成される絶縁膜に生じる不純物が拡散しやすい領域を、原子層堆積法を用いて形成される不純物の拡散しにくい膜で覆うことができる。または、外部から第２の表示素子への不純物の拡散を抑制することができる。

具体的には、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の厚さの酸化アルミニウムを含む膜を、絶縁膜５７３Ａに用いることができる。また、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚さの酸化アルミニウムを含む膜を、絶縁膜５７３Ａに用いることができる。

《絶縁膜５０１Ｃ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または第２の表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。

例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。

《配線、端子、導電膜》
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、導電膜ＡＮＯ、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃ等に用いることができる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。

具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。

例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。

具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。

なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続することができる。

《第１の導電膜、第２の導電膜》
例えば、配線等に用いることができる材料を第１の導電膜または第２の導電膜に用いることができる。

また、電極７５１（ｉ，ｊ）または配線等を第１の導電膜に用いることができる。

また、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂまたは配線等を第２の導電膜に用いることができる。

《第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。例えば、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウエッティング方式などを用いる表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。

また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｐｉｎｗｈｅｅｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。

第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１電極と、第２電極と、液晶材料を含む層と、を有する。液晶材料を含む層は、第１電極および第２電極の間の電圧を用いて配向を制御することができる液晶材料を含む。例えば、液晶材料を含む層の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦方向と交差する方向（横方向または斜め方向ともいう）の電界を、液晶材料の配向を制御する電界に用いることができる。

また、例えば、ゲスト・ホスト液晶モードを用いて駆動することができる液晶素子を第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、偏光板を用いることなく反射型の表示パネルを提供することができる。または、表示パネルの表示を明るくすることができる。

《液晶材料を含む層７５３》
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層に用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。

例えば、ネガ型の液晶材料を、液晶材料を含む層に用いることができる。

例えば、１．０×１０^１３Ω・ｃｍ以上、好ましくは１．０×１０^１４Ω・ｃｍ以上、さらに好ましくは１．０×１０^１５Ω・ｃｍ以上の固有抵抗率を備える液晶材料を、液晶材料を含む層７５３に用いる。これにより、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の透過率の変動を抑制することができる。または、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）のチラツキを抑制することができる。または、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の書き換える頻度を低減することができる。

また、例えば、二色性色素を液晶材料を含む層７５３に用いることができる。なお、二色性色素を含む液晶材料をゲスト・ホスト液晶という。

具体的には、分子の長軸方向に大きな吸光度を備え、長軸方向と直交する短軸方向に小さな吸光度を備える材料を、二色性色素に用いることができる。好ましくは、１０以上の二色性比を備える材料を二色性色素に用いることができ、より好ましくは、２０以上の二色性比を備える材料を二色性色素に用いることができる。

例えば、アゾ系色素、アントラキノン系色素、ジオキサジン系色素等を、二色性色素に用いることができる。

また、ホモジニアス配向した二色性色素を含む二層の液晶層を、配向方向が互いに直交するように重ねた構造を、液晶材料を含む層に用いることができる。これにより、全方位について光を吸収しやすくすることができる。または、コントラストを高めることができる。

また、相転移型ゲスト・ホスト液晶や、ゲスト・ホスト液晶を含む液滴を高分子に分散した構造を、液晶材料を含む層７５３に用いることができる。

《電極７５１（ｉ，ｊ）、電極７５２》
例えば、配線等に用いることができる材料を、電極７５１（ｉ，ｊ）または電極７５２に用いることができる。例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、透光性を備える材料を、電極７５１（ｉ，ｊ）または電極７５２に用いることができる。

例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤー等を電極７５２に用いることができる。

具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を電極７５２に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を電極７５２に用いることができる。また、銀を含む金属ナノワイヤーを電極７５２に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、電極７５２に用いることができる。

《配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２》
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理された材料または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。

例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。これにより、配向膜ＡＦ１を形成する際に必要とされる温度を低くすることができる。その結果、配向膜ＡＦ１を形成する際に他の構成に与える損傷を軽減することができる。

《着色膜ＣＦ１》
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１を例えばカラーフィルターに用いることができる。

例えば、青色の光を透過する材料、緑色の光を透過する材料または赤色の光を透過する材料を、着色膜ＣＦ１に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１を透過する光のスペクトルの幅を狭くすることができ、表示を鮮やかにすることができる。

また、例えば、青色の光を吸収する材料、緑色の光を吸収する材料または赤色の光を吸収する材料を、着色膜ＣＦ１に用いることができる。具体的には、イエローの光を透過する材料、マゼンタの光を透過する材料またはシアンの光を透過する材料を、着色膜ＣＦ１に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１に吸収される光のスペクトルの幅を狭くすることができ、表示を明るくすることができる。

《遮光膜ＢＭ》
例えば、光の透過を抑制する材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。

具体的には、顔料または染料を含む樹脂を遮光膜ＢＭに用いることができる。例えば、カーボンブラックを分散した樹脂を遮光膜に用いることができる。

または、無機化合物、無機酸化物、複数の無機酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光膜ＢＭに用いることができる。具体的には、黒色クロム膜、酸化第２銅を含む膜、塩化銅または塩化テルルを含む膜を遮光膜ＢＭに用いることができる。

《絶縁膜７７１》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜７７１に用いることができる。具体的には、単数の膜または複数の膜を積層した積層膜を絶縁膜７７１に用いることができる。

例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。これにより、絶縁膜７７１は、例えば、絶縁膜７７１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。

例えば、透光性を有する材料を絶縁膜７７１に用いることができる。具体的には、窒化シリコンを絶縁膜７７１に用いることができる。これにより、例えば、液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を抑制することができる。または、不純物の拡散に伴う液晶材料を含む層７５３の固有抵抗率の低下を抑制することができる。または、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を書き換える頻度を低減することができる。

《機能膜７７０Ｐ、機能膜７７０Ｄ》
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐまたは機能膜７７０Ｄに用いることができる。

具体的には、２色性色素を含む膜を機能膜７７０Ｄに用いることができる。または、基材の表面と交差する方向に沿った軸を備える柱状構造を有する材料を、機能膜７７０Ｄに用いることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易くすることができる。

具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。また、光拡散フィルムを機能膜７７０Ｄに用いることができる。

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、反射防止膜（アンチ・リフレクション膜）、非光沢処理膜（アンチ・グレア膜）、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。

《第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光を射出する機能を備える表示素子を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードまたはＱＤＬＥＤ（Ｑｕａｂｔｕｍｎ Ｄｏｔ ＬＥＤ）等を、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、発光性の有機化合物を発光性の材料を含む層５５３に用いることができる。

例えば、量子ドットを発光性の材料を含む層５５３に用いることができる。これにより、半値幅が狭く、鮮やかな色の光を発することができる。

例えば、青色の光を発するように積層された積層材料、緑色の光を発するように積層された積層材料または赤色の光を発するように積層された積層材料等を、発光性の材料を含む層５５３に用いることができる。

例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光性の材料を含む層５５３に用いることができる。

また、例えば、白色の光を発するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層５５３に用いることができる。具体的には、青色の光を発する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、緑色および赤色の光を発する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を発する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層５５３に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について透光性を有する材料を、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、微小共振器構造を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。その結果、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。

例えば、配線等に用いることができる材料を電極５５２に用いることができる。具体的には、可視光について反射性を有する材料を、電極５５２に用いることができる。

《駆動回路ＧＤ》
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタまたはトランジスタＭと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。

例えば、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、導電膜５２４を有するトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる（図４（Ｂ）参照）。

なお、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。

例えば、トランジスタＭに用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、金属膜を導電膜５１２Ｃ、導電膜５１２Ｄおよび導電膜５０４Ｅに用いることができる（図５（Ｃ）参照）。これにより、配線としての機能を兼ねる導電膜の電気抵抗を低減することができる。または、領域５０８Ｃに向かって進行する外光を遮光することができる。または、外光に起因するトランジスタの電気特性の異常を防ぐことができる。または、トランジスタの信頼性を向上することができる。

《トランジスタ》
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。

例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを駆動回路のトランジスタまたは画素回路のトランジスタに用いることができる。

ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型の製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる。

例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。

なお、半導体にポリシリコンを用いるトランジスタの作製に要する温度は、半導体に単結晶シリコンを用いるトランジスタに比べて低い。

また、ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの電界効果移動度は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて高い。これにより、画素の開口率を向上することができる。また、極めて高い精細度で設けられた画素と、ゲート駆動回路およびソース駆動回路を同一の基板上に形成することができる。その結果、電子機器を構成する部品数を低減することができる。

ポリシリコンを半導体に用いるトランジスタの信頼性は、アモルファスシリコンを半導体に用いるトランジスタに比べて優れる。

また、化合物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ガリウムヒ素を含む半導体を半導体膜に用いることができる。

また、有機半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。

例えば、酸化物半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。

一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。

これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。

例えば、トランジスタをスイッチＳＷ１に用いることができる（図５（Ｂ）参照）。トランジスタは、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備える。

半導体膜５０８は、導電膜５１２Ａと電気的に接続される領域５０８Ａと、導電膜５１２Ｂと電気的に接続される領域５０８Ｂと、を備える（図４（Ｂ）参照）。

半導体膜５０８は、領域５０８Ａおよび領域５０８Ｂの間に導電膜５０４と重なる領域５０８Ｃを備える。

領域５０８Ａは可視光を透過する機能を備え、領域５０８Ｂは、可視光を透過する機能を備える。

導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。

絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。

導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。

また、導電膜５２４を有するトランジスタを、駆動回路または画素回路のトランジスタに用いることができる（図４（Ｂ）参照）。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。

なお、絶縁膜５１６は、導電膜５２４および半導体膜５０８の間に挟まれる領域を備える。また、例えば、導電膜５０４と同じ電位を供給する配線に導電膜５２４を電気的に接続することができる。

例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した積層膜を絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。

例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜５０８と接する領域を備える。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図９および図１０を参照しながら説明する。

図９（Ａ）は本発明の一態様の表示装置の表示装置の構成を説明するブロック図である。図９（Ｂ）は、図９（Ａ）に示す画素の構成を説明するブロック図である。

図１０（Ａ）は図９（Ａ）に示す表示パネルの構成とは異なる構成を説明するブロック図である。図１０（Ｂ−１）乃至図１０（Ｂ−３）は本発明の一態様の表示装置の外観を説明する図である。

＜表示装置の構成例＞
本実施の形態で説明する表示装置は、制御部２３８と、表示パネル７００と、を有する（図９（Ａ）参照）。

《制御部２３８》
制御部２３８は、画像情報Ｖ１および制御情報ＳＳを供給される機能を備える。

制御部２３８は、画像情報Ｖ１に基づいて第１の情報Ｖ１１および第２の情報Ｖ１２を生成する機能を備える。制御部２３８は、第１の情報Ｖ１１および第２の情報Ｖ１２を供給する機能を備える。

例えば、制御部２３８は、伸張回路２３４および画像処理回路２３５Ｍを備える。

《表示パネル７００》
表示パネル７００は、第１の情報Ｖ１１および第２の情報Ｖ１２を供給される機能を備える。また、表示パネル７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）を備える。

画素７０２（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える（図９（Ｂ）参照）。

第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の情報Ｖ１１に基づいて表示する機能を備え、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は反射型の表示素子である。

第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第２の情報Ｖ１２に基づいて表示する機能を備え、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は発光素子である。

例えば、実施の形態１で説明する表示パネルを表示パネル７００に用いることができる。または、表示パネル７００Ｂを用いることができる。例えば、テレビジョン受像システム（図１０（Ｂ−１）参照）、映像モニター（図１０（Ｂ−２）参照）またはノートブックコンピュータ（図１０（Ｂ−３）参照）などを提供することができる。

これにより、第１の表示素子を用いて、反射光の強度を制御して、画像情報を表示することができる。または、第１の表示素子は外光を表示に利用することができる。または、外光の映り込みを認識しにくくすることができる。または、第２の表示素子を用いて画像情報を表示することができる。または、第１の表示素子を用いて表示される画像情報と重なるように、第２の表示素子を用いて画像情報を表示することができる。または、第１の表示素子を用いて表示される画像情報を第２の表示素子を用いて補うことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

ところで、ハイブリッド表示とは、１つのパネルにおいて、反射光と、自発光とを併用して、色調または光強度を互いに補完して、文字または画像を表示する方法である。または、ハイブリッド表示とは、同一画素または同一副画素において複数の表示素子から、それぞれの光を用いて、文字及び／または画像を表示する方法である。ただし、ハイブリッド表示を行っているハイブリッドディスプレイを局所的にみると、複数の表示素子のいずれか一方を用いて表示される画素または副画素と、複数の表示素子の双方を用いて表示される画素または副画素と、を有する場合がある。

なお、本明細書等において、上記構成のいずれか１つまたは複数の表現を満たすものを、ハイブリッド表示という。

また、ハイブリッドディスプレイは、同一画素または同一副画素に複数の表示素子を有する。なお、複数の表示素子としては、例えば、光を反射する反射型素子と、光を射出する自発光素子とが挙げられる。なお、反射型素子と、自発光素子とは、それぞれ独立に制御することができる。ハイブリッドディスプレイは、表示部において、反射光、及び自発光のいずれか一方または双方を用いて、文字及び／または画像を表示する機能を有する。

《伸張回路２３４》
伸張回路２３４は、圧縮された状態で供給される画像情報Ｖ１を伸張する機能を備える。伸張回路２３４は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機能を備える。

《画像処理回路２３５Ｍ》
画像処理回路２３５Ｍは、例えば、領域２３５Ｍ（１）および領域２３５Ｍ（２）を備える。

領域２３５Ｍ（１）または領域２３５Ｍ（２）は、例えば、画像情報Ｖ１に含まれる情報を記憶する機能を備える。

また、画像処理回路２３５Ｍは、例えば、所定の特性曲線に基づいて画像情報Ｖ１を補正して情報Ｖ１１を生成する機能と、情報Ｖ１１を供給する機能と、を備える。具体的には、第１の表示素子が良好な画像を表示するように、情報Ｖ１１を生成する機能を備える。

画像処理回路２３５Ｍは、例えば、所定の特性曲線に基づいて画像情報Ｖ１を補正して情報Ｖ１２を生成する機能と、情報Ｖ１２を供給する機能と、を備える。具体的には、第２の表示素子が良好な画像を表示するように、情報Ｖ１２を生成する機能を備える。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図１１を参照しながら説明する。

図１１は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。

＜入出力装置の構成例＞
本実施の形態で説明する入出力装置は、入力部２４０と、表示部２３０と、を有する（図１１参照）。例えば、実施の形態１に記載の表示パネル７００を表示部２３０に用いることができる。

入力部２４０は検知領域２４１を備える。入力部２４０は検知領域２４１に近接するものを検知する機能を備える。

検知領域２４１は、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

《入力部２４０》
入力部２４０は検知領域２４１を備える。入力部２４０は発振回路ＯＳＣおよび検知回路ＤＣを備えることができる（図１１参照）。

《検知領域２４１》
検知領域２４１は、例えば、単数または複数の検知素子を備えることができる。

検知領域２４１は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する（図１１参照）。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。

一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、図１１に矢印Ｒ２で示す方向は、図１１に矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。

また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される。

《検知素子》
検知素子は近接するポインタを検知する機能を備える。例えば、指やスタイラスペン等をポインタに用いることができる。例えば、金属片またはコイル等を、スタイラスペンに用いることができる。

具体的には、静電容量方式の近接センサ、電磁誘導方式の近接センサ、光学方式の近接センサ、抵抗膜方式の近接センサなどを、検知素子に用いることができる。

また、複数の方式の検知素子を併用することもできる。例えば、指を検知する検知素子と、スタイラスペンを検知する検知素子とを、併用することができる。これにより、ポインタの種類を判別することができる。または、判別したポインタの種類に基づいて、異なる命令を検知情報に関連付けることができる。具体的には、ポインタに指を用いたと判別した場合は、検知情報をジェスチャーと関連付けることができる。または、ポインターにスタイラスペンを用いたと判別した場合は、検知情報を描画処理と関連付けることができる。

具体的には、静電容量方式または光学方式の近接センサを用いて、指を検知することができる。または、電磁誘導方式または光学方式の近接センサを用いて、スタイラスペンを検知することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力パネルの構成について、図１２乃至図１５を参照しながら説明する。

図１２は本発明の一態様の入出力パネルの構成を説明する図である。図１２（Ａ）は入出力パネルの上面図である。図１２（Ｂ）は入出力パネルの入力部の一部を説明する模式図であり、図１２（Ｃ）は図１２（Ｂ）の一部を説明する模式図である。

図１３は本発明の一態様の入出力パネルに用いることができる検知素子の構成を説明する図である。図１３（Ａ）は検知素子の一部を説明する上面図であり、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）の切断線Ｚ１−Ｚ２における断面図である。

図１４および図１５は本発明の一態様の入出力パネルの構成を説明する図である。図１４（Ａ）は図１２（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、切断線Ｘ３−Ｘ４、図１３（Ａ）の切断線Ｘ５−Ｘ６、切断線Ｘ７−Ｘ８における断面図であり、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）の一部の構成を説明する断面図である。

図１５は図１３（Ａ）の切断線Ｘ９−Ｘ１０、図１２（Ａ）の切断線Ｘ１１−Ｘ１２、切断線Ｘ１１−Ｘ１２における断面図である。

＜入出力パネルの構成例１．＞
本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰ２は、機能層７２０の構成が異なる点、検知領域２４１を備える点およびトップゲート型のトランジスタを有する点が、例えば、実施の形態Ａにおいて説明する表示パネル７００とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。

《機能層７２０》
機能層７２０は、基板７７０および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える（図１４（Ａ）参照）。機能層７２０は、絶縁膜７７１と、着色膜ＣＦ１と、制御線ＣＬ（ｇ）と、検知信号線ＭＬ（ｈ）と、検知素子７７５（ｇ，ｈ）と、を備える（図１３（Ｂ）、図１４（Ａ）および図１５参照）。

なお、制御線ＣＬ（ｇ）および電極７５２の間、または、検知信号線ＭＬ（ｈ）および電極７５２の間に、０．２μｍ以上１６μｍ以下、好ましくは１μｍ以上８μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以上４μｍ以下の間隔を備える（図１３（Ｂ）参照）。これにより、制御信号または検知信号が第１の表示素子の表示状態に与える影響を抑制することができる。または、入出力パネルを薄くすることができる。

《検知領域２４１》
検知領域２４１は、制御線ＣＬ（ｇ）、検知信号線ＭＬ（ｈ）および検知素子７７５（ｇ，ｈ）を備える（図１１参照）。

検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、制御線ＣＬ（ｇ）および検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される。

なお、制御線ＣＬ（ｇ）は制御信号を供給する機能を備え、検知信号線ＭＬ（ｈ）は、検知信号を供給される機能を備える。

《検知素子７７５（ｇ，ｈ）の構成例１．》
検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、制御信号および画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に近接するものとの距離に基づいて変化する検知信号を供給する機能を備える。

検知素子７７５（ｇ，ｈ）は、電極Ｃ（ｇ）と、電極Ｍ（ｈ）と、を備える（図１２（Ｂ）参照）。

電極Ｃ（ｇ）は画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に透光性を有する領域を備え、電極Ｃ（ｇ）は制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続される。

電極Ｍ（ｈ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に透光性を有する領域を備え、電極Ｍ（ｈ）は検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続される。また、電極Ｍ（ｈ）は画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に近接するものによって一部が遮られる電界を、電極Ｃ（ｇ）との間に形成するように配置される。

これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示パネルの表示を遮ることなく、表示部と重なる領域に近接するものを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付けることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。

《電極Ｃ（ｇ）、電極Ｍ（ｈ）》
例えば、透光性を備える導電膜を、電極Ｃ（ｇ）および電極Ｍ（ｈ）に用いることができる。または、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える導電膜を、電極Ｃ（ｇ）および電極Ｍ（ｈ）に用いることができる。

透明導電膜より導電率が高い金属膜を、電極Ｃ（ｇ）および電極Ｍ（ｈ）に用いることができる。これにより、検知素子の感度を高めることができる。または、検知領域２４１の面積を大きくすることができる。

表示パネルの使用者の側に暗色の膜が配置されるように、暗色の膜および金属膜を積層した導電膜を、電極Ｃ（ｇ）および電極Ｍ（ｈ）に用いることができる。例えば、酸化第２銅を含む膜、塩化銅または塩化テルルを含む膜などを暗色の膜に用いることができる。これにより、電極Ｃ１（ｇ）、電極Ｃ２（ｈ）、制御線ＣＬ（ｇ）または検知信号線ＭＬ（ｈ）による外光の反射を弱めることができる。その結果、表示素子の表示を際立たせ、良好な表示をすることができる。

《制御線ＣＬ（ｇ）、検知信号線ＭＬ（ｈ）》
制御線ＣＬ（ｇ）は、行方向に配設される一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と電気的に接続される（図１１（Ｂ）または図１２（Ｂ）参照）。

例えば、電極Ｃ（ｇ）と同一の工程で形成することができる導電膜を、制御線ＣＬ（ｇ）に用いることができる。具体的には、暗色膜ＣＬ（ｇ）Ｂと導電膜ＣＬ（ｇ）Ａを積層した積層膜を、制御線ＣＬ（ｇ）に用いることができる。

検知信号線ＭＬ（ｈ）は、列方向に配設される他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と電気的に接続される。

例えば、電極Ｍ（ｈ）と同一の工程で形成することができる導電膜を、制御線ＭＬ（ｈ）に用いることができる。具体的には、暗色膜ＭＬ（ｈ）Ｂと導電膜ＭＬ（ｈ）Ａを積層した積層膜を、検知信号線ＭＬ（ｈ）に用いることができる。

検知信号線ＭＬ（ｈ）は、導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）を含む（図１３（Ａ）または図１３（Ｂ）参照）。導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）は、制御線ＣＬ（ｇ）と重なる領域を備える。

なお、絶縁膜７２１Ａは制御線ＣＬ（ｇ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の間に挟まれる領域を備える。これにより、制御線ＣＬ（ｇ）および導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）の短絡を防止することができる（図１３（Ｂ）参照）。また、絶縁膜７２１Ｂは導電膜ＢＲ（ｇ，ｈ）を保護する機能を備える。

《発振回路ＯＳＣ》
発振回路ＯＳＣは、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続され、制御信号を供給する機能を備える。例えば、矩形波、のこぎり波また三角波等を制御信号に用いることができる。

《検知回路ＤＣ》
検知回路ＤＣは、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続され、検知信号線ＭＬ（ｈ）の電位の変化に基づいて検知信号を供給する機能を備える。なお、検知信号は、例えば、位置情報Ｐ１を含む。

《表示部２３０》
例えば、実施の形態Ａにおいて説明する表示パネルを表示部２３０に用いることができる。または、実施の形態Ｂにおいて説明する表示装置を表示部２３０に用いることができる。

ところで、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光の一部が、液晶材料を含む層７５３を透過した後に、制御線ＣＬ（ｇ）または電極７５２等により、反射される場合がある。例えば、電極７５２および電極７５１（ｉ，ｊ）の間で反射が繰り返される場合がある。または、基板７７０および電極７５１（ｉ，ｊ）の間で反射が繰り返される場合がある。これにより、第２の表示素子が射出する光は、間接照明のように画像情報を表示することができる。または、第２の表示素子は、やわらかく表示をすることができる。

《導電膜５１１Ｄ》
また、本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰ２は、導電膜５１１Ｄを有する（図１５参照）。

導電膜５１１Ｄは、例えば、制御線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続することができる。具体的には、導電膜５１１Ｄおよび制御線ＣＬ（ｇ）の間に挟まれる導電材料を用いて電気的に接続することができる。

導電膜５１１Ｄは、例えば、検知信号線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続することができる。具体的には、導電膜５１１Ｄおよび検知信号線ＭＬ（ｈ）の間に挟まれる導電材料を用いて電気的に接続することができる。なお、例えば、配線等に用いることができる材料を導電膜５１１Ｄに用いることができる。

《端子５１９Ｄ》
また、本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰ２は、端子５１９Ｄを有する。端子５１９Ｄは、導電膜５１１Ｄと電気的に接続する。

例えば、配線等に用いることができる材料を端子５１９Ｄに用いることができる。具体的には、端子５１９Ｂまたは端子５１９Ｃと同じ構成を端子５１９Ｄに用いることができる（図１５参照）。

なお、例えば、導電材料ＡＣＦ２を用いて、端子５１９Ｄとフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２を電気的に接続することができる。これにより、例えば、端子５１９Ｄを用いて制御信号を制御線ＣＬ（ｇ）に供給することができる。または、端子５１９Ｄを用いて検知信号を、検知信号線ＭＬ（ｈ）から供給することができる。

《絶縁膜５０１Ｄ》
例えば、絶縁膜５０６に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｄに用いることができる。

《スイッチＳＷ１、トランジスタＭ、トランジスタＭＤ》
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。

例えば、トランジスタをスイッチＳＷ１に用いることができる（図１４（Ｂ）参照）。トランジスタは、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備える。

半導体膜５０８は、導電膜５１２Ａと電気的に接続される領域５０８Ａと、導電膜５１２Ｂと電気的に接続される領域５０８Ｂと、を備える（図１４（Ｂ）参照）。

半導体膜５０８は、領域５０８Ａおよび領域５０８Ｂの間に導電膜５０４と重なる領域５０８Ｃを備える。

領域５０８Ａは可視光を透過する機能を備え、領域５０８Ｂは、可視光を透過する機能を備える。

導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。

絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。

導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。

また、導電膜５２４を有するトランジスタを、駆動回路または画素回路のトランジスタに用いることができる（図１４（Ｂ）参照）。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。

なお、絶縁膜５０１Ｄは、導電膜５２４および半導体膜５０８の間に挟まれる領域を備える。また、例えば、導電膜５０４と同じ電位を供給する配線に導電膜５２４を電気的に接続することができる。

また、第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂは、第３の領域５０８Ｃに比べて抵抗率が低く、ソース領域の機能またはドレイン領域の機能を備える。

例えば、酸化物半導体膜に希ガスを含むガスを用いるプラズマ処理を施して、第１の領域５０８Ａおよび第２の領域５０８Ｂを半導体膜５０８に形成することができる。

また、例えば、導電膜５０４をマスクに用いることができる。これにより、第３の領域５０８Ｃの一部の形状を、導電膜５０４の端部の形状に自己整合させることができる。

なお、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。

例えば、トランジスタＭに用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、金属膜を導電膜５１２Ｃ、導電膜５１２Ｄおよび導電膜５０４Ｅに用いることができる（図１４（Ｃ）参照）。これにより、配線としての機能を兼ねる導電膜の電気抵抗を低減することができる。または、領域５０８Ｃに向かって進行する外光を遮光することができる。または、外光に起因するトランジスタの電気特性の異常を防ぐことができる。または、トランジスタの信頼性を向上することができる。

＜入出力パネルの構成例２＞
入出力パネルは、遮光膜ＢＭを備えることができる。例えば、表示パネルの使用者の側に配置される暗色の膜に替えて、遮光膜ＢＭを用いることができる（図１２（Ｂ）参照）。

《遮光膜ＢＭ》
遮光膜ＢＭは、基板７７０および電極Ｃ（ｇ）の間に挟まれる領域、基板７７０および電極Ｍ（ｈ）の間に挟まれる領域、基板７７０および制御線ＣＬ（ｇ）の間に挟まれる領域、基板７７０および検知信号線ＭＬ（ｈ）の間に挟まれる領域を備える。また、遮光膜ＢＭは第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。これにより、表示パネルの表示を遮ることなく、検知素子７７５（ｇ，ｈ）が反射する外光の強度を弱めることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１６乃至図１８を参照しながら説明する。

図１６（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明するブロック図である。図１６（Ｂ）および図１６（Ｃ）は、情報処理装置２００の外観の一例を説明する投影図である。

図１７は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図１７（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムの主の処理を説明するフローチャートであり、図１７（Ｂ）は、割り込み処理を説明するフローチャートである。

図１８は、本発明の一態様のプログラムの割り込み処理を説明するフローチャートである。

＜情報処理装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する情報処理装置２００は、入出力装置２２０と、演算装置２１０と、を有する（図１６（Ａ）参照）。入出力装置は、演算装置２１０と電気的に接続される。また、情報処理装置２００は筐体を備えることができる（図１６（Ｂ）または図１６（Ｃ）参照）。

入出力装置２２０は表示部２３０および入力部２４０を備える（図１６（Ａ）参照）。入出力装置２２０は検知部２５０を備える。また、入出力装置２２０は通信部２９０を備えることができる。

入出力装置２２０は画像情報Ｖ１または制御情報ＳＳを供給される機能を備え、位置情報Ｐ１または検知情報Ｓ１を供給する機能を備える。

演算装置２１０は位置情報Ｐ１または検知情報Ｓ１を供給させる機能を備える。演算装置２１０は画像情報Ｖ１を供給する機能を備える。演算装置２１０は、例えば、位置情報Ｐ１または検知情報Ｓ１に基づいて動作する機能を備える。

なお、筐体は入出力装置２２０または演算装置２１０を収納する機能を備える。または、筐体は表示部２３０または演算装置２１０を支持する機能を備える。

表示部２３０は画像情報Ｖ１に基づいて画像を表示する機能を備える。表示部２３０は制御情報ＳＳに基づいて画像を表示する機能を備える。

入力部２４０は、位置情報Ｐ１を供給する機能を備える。

検知部２５０は検知情報Ｓ１を供給する機能を備える。検知部２５０は、例えば、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。

これにより、情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の筐体が受ける光の強さを把握して動作することができる。または、情報処理装置の使用者は、表示方法を選択することができる。具体的には、第１の表示素子を用いる表示方法を選択し、例えば、電力の消費を抑制することができる。または、第２の表示素子を用いる方法を選択し、例えば、暗い場所で表示をすることができる。または、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いる方法を選択し、例えば、使用者の好みに応じた快適に感じる表示をすることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

以下に、情報処理装置を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。例えばタッチセンサが表示パネルに重ねられたタッチパネルは、表示部であるとともに入力部でもある。

《構成例》
本発明の一態様の情報処理装置２００は、筐体または演算装置２１０を有する。

演算装置２１０は、演算部２１１、記憶部２１２、伝送路２１４、入出力インターフェース２１５を備える。

また、本発明の一態様の情報処理装置は、入出力装置２２０を有する。

入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０、検知部２５０および通信部２９０を備える。

《情報処理装置》
本発明の一態様の情報処理装置は、演算装置２１０または入出力装置２２０を備える。

《演算装置２１０》
演算装置２１０は、演算部２１１および記憶部２１２を備える。また、伝送路２１４および入出力インターフェース２１５を備える。

《演算部２１１》
演算部２１１は、例えばプログラムを実行する機能を備える。

《記憶部２１２》
記憶部２１２は、例えば演算部２１１が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。

具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を用いることができる。

《入出力インターフェース２１５、伝送路２１４》
入出力インターフェース２１５は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路２１４と電気的に接続することができる。また、入出力装置２２０と電気的に接続することができる。

伝送路２１４は配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。また、演算部２１１、記憶部２１２または入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。

《入出力装置２２０》
入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０、検知部２５０または通信部２９０を備える。例えば、実施の形態３において説明する入出力装置を用いることができる。これにより、消費電力を低減することができる。

《表示部２３０》
表示部２３０は、制御部２３８と、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、表示パネル７００と、を有する（図９参照）。例えば、実施の形態２で説明する表示装置を表示部２３０に用いることができる。

《入力部２４０》
さまざまなヒューマンインターフェイス等を入力部２４０に用いることができる（図１６参照）。

例えば、キーボード、マウス、タッチセンサ、マイクまたはカメラ等を入力部２４０に用いることができる。なお、表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを用いることができる。表示部２３０と表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出力装置を、タッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。

例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。

例えば、演算装置２１０は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析し、解析結果が所定の条件を満たすとき、特定のジェスチャーが供給されたとすることができる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。

一例を挙げれば、使用者は、画像情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッチパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる。

《検知部２５０》
検知部２５０は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備える。具体的には、照度情報、姿勢情報、圧力情報、位置情報等を供給できる。

例えば、光検出器、姿勢検出器、加速度センサ、方位センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）信号受信回路、圧力センサ、温度センサ、湿度センサまたはカメラ等を、検知部２５０に用いることができる。

《通信部２９０》
通信部２９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。

《プログラム》
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する（図１７（Ａ）参照）。

［第１のステップ］
第１のステップにおいて、設定を初期化する（図１７（Ａ）（Ｓ１）参照）。

例えば、起動時に表示する所定の画像情報と、当該画像情報を表示する所定のモードと、当該画像情報を表示する所定の表示方法を特定する情報と、を記憶部２１２から取得する。具体的には、一の静止画像情報または他の動画像情報を所定の画像情報に用いることができる。また、第１のモードまたは第２のモードを所定のモードに用いることができる。また、第１の表示方法、第２の表示方法または第３の表示方法を所定の表示方法に用いることができる。

［第２のステップ］
第２のステップにおいて、割り込み処理を許可する（図１７（Ａ）（Ｓ２）参照）。なお、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことができる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果を主の処理に反映することができる。

なお、カウンタの値が初期値であるとき、演算装置に割り込み処理をさせ、割り込み処理から復帰する際に、カウンタを初期値以外の値としてもよい。これにより、プログラムを起動した後に常に割り込み処理をさせることができる。

［第３のステップ］
第３のステップにおいて、第１のステップまたは割り込み処理において選択された、所定のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する（図１７（Ａ）（Ｓ３）参照）。なお、所定のモードは情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を表示する方法を特定する。また、例えば、画像情報Ｖ１、情報Ｖ１１または情報Ｖ１２を表示する情報に用いることができる。

例えば、画像情報Ｖ１を表示する一の方法を、第１のモードに関連付けることができる。または、画像情報Ｖ１を表示する他の方法を第２のモードに関連付けることができる。これにより、選択されたモードに基づいて表示方法を選択することができる。

例えば、画像情報Ｖ１を表示する異なる３つの方法を、第１の表示方法乃至第３の表示方法に関連付けることができる。これにより、選択された表示方法に基づいて表示をすることができる。

《第１のモード》
具体的には、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第１のモードに関連付けることができる。

例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で選択信号を供給すると、動画像の動きを滑らかに表示することができる。

例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で画像を更新すると、使用者の操作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置２００に表示することができる。

《第２のモード》
具体的には、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第２のモードに関連付けることができる。

３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で選択信号を供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、消費電力を低減することができる。

例えば、情報処理装置２００を時計に用いる場合、１秒に一回の頻度または１分に一回の頻度等で表示を更新することができる。

ところで、例えば、発光素子を第２の表示素子に用いる場合、発光素子をパルス状に発光させて、画像情報を表示することができる。具体的には、パルス状に有機ＥＬ素子を発光させて、その残光を表示に用いることができる。有機ＥＬ素子は優れた周波数特性を備えるため、発光素子を駆動する時間を短縮し、消費電力を低減することができる場合がある。または、発熱が抑制されるため、発光素子の劣化を軽減することができる場合がある。

《第１の表示方法》
具体的には、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を表示に用いる方法を、第１の表示方法に用いることができる。これにより、例えば、消費電力を低減することができる。または、明るい環境下において、高いコントラストで画像情報を良好に表示することができる。

《第２の表示方法》
具体的には、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いる方法を、第２の表示方法に用いることができる。これにより、例えば、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、良好な色再現性で写真等を表示することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。

なお、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて画像情報Ｖ１を表示する場合、照度情報に基づいて画像情報Ｖ１を表示する明るさを決定することができる。例えば、照度が５千ルクス以上１０万ルクス未満の場合、照度が５千ルクス未満の場合より明るくなるように、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて画像情報Ｖ１を表示する。

《第３の表示方法》
具体的には、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いる方法を、第３の表示方法に用いることができる。これにより、消費電力を低減することができる。または、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、良好な色再現性で写真等を表示することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。または、使用者が快適に感じる表示をすることができる。

ところで、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いて、表示の明るさを調節する機能を、調光機能ということができる。例えば、反射型の表示素子の明るさを、光を射出する機能を備える表示素子を用いて補うことができる。

また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を表示に用いて、表示の色味を調節する機能を、調色機能ということができる。例えば、反射型の表示素子の色合いを、光を射出する機能を備える表示素子を用いて変えることができる。具体的には、反射型の液晶素子が表示する黄味を帯びた色合いを、青色の有機ＥＬ素子を用いて白色に近づけることができる。これにより、例えば、文字情報を普通紙に印刷された文字のように表示することができる。または、目にやさしい表示をすることができる。

また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）とを表示に用いると、物体が反射する色と物体が発光する色とが掛け合わされる。これにより、絵画的な表示をすることができる。

なお、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いて表示する画像情報Ｖ１に重ねて表示する、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて表示する画像情報Ｖ１の明るさを、照度情報および使用者の好みに応じて決定することができる。これにより、使用者が快適に感じる表示をすることができる。

［第４のステップ］
第４のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第５のステップに進み、終了命令が供給されなかった場合は第３のステップに進むように選択する（図１７（Ａ）（Ｓ４）参照）。

例えば、割り込み処理において供給された終了命令を判断に用いてもよい。

［第５のステップ］
第５のステップにおいて、終了する（図１７（Ａ）（Ｓ５）参照）。

《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図１７（Ｂ）参照）。

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、例えば、検知部２５０を用いて、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する（図１７（Ｂ）（Ｓ６）参照）。なお、環境の照度に代えて環境光の色温度や色度を検出してもよい。

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する。例えば、照度が所定の値以上の場合に、第１の表示方法に決定し、照度が所定の値未満の場合、第２の表示方法に決定する。または、照度が所定の範囲の場合、第３の表示方法に決定してもよい（図１７（Ｂ）（Ｓ７）参照）。

具体的には、照度が１０万ルクス以上の場合、第１の表示方法に決定し、照度が５千ルクス未満の場合、第２の表示方法に決定し、照度が１０万ルクス未満５千ルクス以上の場合、第３の表示方法に決定してもよい。

なお、第６のステップにおいて環境光の色温度や環境光の色度を検出した場合は、第３の表示方法において第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いて、表示の色味を調節してもよい。

また、例えば、第１の表示方法を用いる場合は、第１のステータスの制御情報ＳＳを供給し、第２の表示方法を用いる場合は、第２のステータスの制御情報ＳＳを供給し、第３の表示方法を用いる場合は、第３のステータスの制御情報ＳＳを供給する。

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１７（Ｂ）（Ｓ８）参照）。

＜情報処理装置の構成例２．＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図１８を参照しながら説明する。

図１８（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図１８（Ａ）は、図１７（Ｂ）に示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチャートである。

なお、情報処理装置の構成例３は、供給された所定のイベントに基づいて、モードを変更するステップを割り込み処理に有する点が、図１７（Ｂ）を参照しながら説明する割り込み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。

《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図１８（Ａ）参照）。

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第７のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第８のステップに進む（図１８（Ａ）（Ｕ６）参照）。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いることができる。具体的には、５秒以下、１秒以下または０．５秒以下好ましくは０．１秒以下であって０秒より長い期間を所定の期間とすることができる。

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、モードを変更する（図１８（Ａ）（Ｕ７）参照）。具体的には、第１のモードを選択していた場合は、第２のモードを選択し、第２のモードを選択していた場合は、第１のモードを選択する。

例えば、表示部２３０の一部の領域について、表示モードを変更することができる。具体的には、駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＢ、駆動回路ＧＤＣおよび駆動回路ＧＤＤを備える表示部２３０の駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域について、表示モードを変更することができる（図１８（Ｂ）参照）。

例えば、所定のイベントが、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の入力部２４０に供給された場合に、当該領域の表示モードを変更することができる。具体的には、駆動回路ＧＤＢが供給する選択信号の頻度を変更することができる。これにより、例えば、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の表示を、駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＣおよび駆動回路ＧＤＤを動作することなく更新することができる。または、駆動回路が消費する電力を抑制することができる。

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１８（Ａ）（Ｕ８）参照）。なお、主の処理を実行している期間に割り込み処理を繰り返し実行してもよい。

《所定のイベント》
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッグ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。

また、例えば、ポインタが指し示すスライドバーの位置、スワイプの速度、ドラッグの速度等を用いて、所定のイベントに関連付けられた命令の引数を与えることができる。

例えば、検知部２５０が検知した情報をあらかじめ設定された閾値と比較して、比較結果をイベントに用いることができる。

具体的には、筐体に押し込むことができるように配設されたボタン等に接する感圧検知器等を検知部２５０に用いることができる。

《所定のイベントに関連付ける命令》
例えば、終了命令を、特定のイベントに関連付けることができる。

例えば、表示されている一の画像情報から他の画像情報に表示を切り替える「ページめくり命令」を、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「ページめくり命令」を実行する際に用いるページをめくる速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。

例えば、一の画像情報の表示されている一部分の表示位置を移動して、一部分に連続する他の部分を表示する「スクロール命令」などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「スクロール命令」を実行する際に用いる表示を移動する速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。

例えば、表示方法を設定する命令または画像情報を生成する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、生成する画像の明るさを決定する引数を所定のイベントに関連付けることができる。また、生成する画像の明るさを決定する引数を、検知部２５０が検知する環境の明るさに基づいて決定してもよい。

例えば、プッシュ型のサービスを用いて配信される情報を、通信部２９０を用いて取得する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。

なお、情報を取得する資格の有無を、検知部２５０が検知する位置情報を用いて判断してもよい。具体的には、特定の教室、学校、会議室、企業、建物等の内部または領域にいる場合に、情報を取得する資格を有すると判断してもよい。これにより、例えば、学校または大学等の教室で配信される教材を受信して、情報処理装置２００を教科書等に用いることができる（図１６（Ｃ）参照）。または、企業等の会議室で配信される資料を受信して、会議資料に用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１９および図２０を参照しながら説明する。

図１９および図２０は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図１９（Ａ）は情報処理装置のブロック図であり、図１９（Ｂ）乃至図１９（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図２０（Ａ）乃至図２０（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。

＜情報処理装置＞
本実施の形態で説明する情報処理装置５２００Ｂは、演算装置５２１０と、入出力装置５２２０とを、有する（図１９（Ａ）参照）。

演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を備える。

入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を備える。

入力部５２４０は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部５２４０は、情報処理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。

具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、音声入力装置、視線入力装置などを、入力部５２４０に用いることができる。

表示部５２３０は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、実施の形態１において説明する表示パネルを表示部５２３０に用いることができる。

検知部５２５０は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。

具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部５２５０に用いることができる。

通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。

《情報処理装置の構成例１．》
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図１９（Ｂ）参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。

《情報処理装置の構成例２．》
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（図１９（Ｃ）参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０インチ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。

《情報処理装置の構成例３．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図１９（Ｄ）参照）。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。

《情報処理装置の構成例４．》
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図１９（Ｅ）参照）。または、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面および上面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面および上面に画像情報を表示することができる。

《情報処理装置の構成例５．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２０（Ａ）参照）。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。

《情報処理装置の構成例６．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２０（Ｂ）参照）。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。

《情報処理装置の構成例７．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２０（Ｃ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。

《情報処理装置の構成例８．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２０（Ｄ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。

《情報処理装置の構成例９．》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２０（Ｅ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をパーソナルコンピュータに表示することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。

ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。

ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。

ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。

なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。

なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

Ｃ（ｇ） 電極
Ｍ（ｈ） 電極
ＣＬ（ｇ） 制御線
ＭＬ（ｈ） 信号線
ＤＣ 検知回路
ＯＳＣ 発振回路
Ｐ１ 位置情報
ＢＭ 遮光膜
ＳＤ 駆動回路
ＧＤ 駆動回路
ＧＤＡ 駆動回路
ＧＤＢ 駆動回路
ＧＤＣ 駆動回路
ＧＤＤ 駆動回路
ＣＰ 導電材料
ＡＮＯ 導電膜
ＢＲ（ｇ，ｈ） 導電膜
ＳＳ 制御情報
ＣＳＣＯＭ 配線
ＡＣＦ１ 導電材料
ＡＣＦ２ 導電材料
ＡＦ１ 配向膜
ＡＦ２ 配向膜
Ｃ１１ 容量素子
Ｃ２１ 容量素子
ＣＦ１ 着色膜
Ｇ１（ｉ） 走査線
Ｇ２（ｉ） 走査線
ＫＢ１ 構造体
Ｓ１ 検知情報
Ｓ１（ｊ） 信号線
Ｓ２（ｊ） 信号線
ＳＤ１ 駆動回路
ＳＤ２ 駆動回路
ＳＷ１ スイッチ
ＳＷ２ スイッチ
Ｖ１ 画像情報
Ｖ１１ 情報
Ｖ１２ 情報
ＶＣＯＭ１ 配線
ＶＣＯＭ２ 導電膜
ＦＰＣ１ フレキシブルプリント基板
ＦＰＣ２ フレキシブルプリント基板
２００ 情報処理装置
２１０ 演算装置
２１１ 演算部
２１２ 記憶部
２１４ 伝送路
２１５ 入出力インターフェース
２２０ 入出力装置
２３０ 表示部
２３１ 表示領域
２３４ 伸張回路
２３５Ｍ 画像処理回路
２３５Ｍ（１） 領域
２３５Ｍ（２） 領域
２３８ 制御部
２４０ 入力部
２４１ 検知領域
２５０ 検知部
２９０ 通信部
５０１Ｃ 絶縁膜
５０１Ｄ 絶縁膜
５０４ 導電膜
５０４Ｅ 導電膜
５０５ 接合層
５０６ 絶縁膜
５０８ 半導体膜
５０８Ａ 領域
５０８Ｂ 領域
５０８Ｃ 領域
５１１Ｂ 導電膜
５１１Ｃ 導電膜
５１１Ｄ 導電膜
５１２Ａ 導電膜
５１２Ｂ 導電膜
５１２Ｃ 導電膜
５１２Ｄ 導電膜
５１６ 絶縁膜
５１８ 絶縁膜
５１９Ｂ 端子
５１９Ｃ 端子
５１９Ｄ 端子
５２０ 機能層
５２０Ｔ 透光性領域
５２１ 絶縁膜
５２２ 接続部
５２４ 導電膜
５２８ 絶縁膜
５３０（ｉ，ｊ） 画素回路
５５０（ｉ，ｊ） 表示素子
５５１（ｉ，ｊ） 電極
５５１Ａ 半透過・半反射性の導電膜
５５１Ｂ（ｉ，ｊ） 透光性を備える導電膜
５５２ 電極
５５３ 発光性の材料を含む層
５７０ 基板
５７３ 絶縁膜
５７３Ａ 絶縁膜
５７３Ｂ 絶縁膜
５９１Ａ 開口部
５９１Ｂ 開口部
５９１Ｃ 開口部
７００ 表示パネル
７００Ｂ 表示パネル
７００ＴＰ２ 入出力パネル
７０２（ｉ，ｊ） 画素
７０３（ｉ，ｋ） 画素
７０５ 封止材
７２０ 機能層
７２１Ａ 絶縁膜
７２１Ｂ 絶縁膜
７５０（ｉ，ｊ） 表示素子
７５２ 電極
７５３ 液晶材料を含む層
７７０ 基板
７７０Ｄ 機能膜
７７０Ｐ 機能膜
７７１ 絶縁膜
７７５（ｇ，ｈ） 検知素子
５２００Ｂ 情報処理装置
５２１０ 演算装置
５２２０ 入出力装置
５２３０ 表示部
５２４０ 入力部
５２５０ 検知部
５２９０ 通信部

Claims (2)

1. 画素を有し、
   前記画素は、入射光に含まれる一部の色の光を吸収し、他の色の光を反射する機能を備え、
   前記画素は、第１の表示素子、第２の表示素子および着色膜を備え、
   前記第１の表示素子は、前記第２の表示素子および前記着色膜の間に挟まれる領域を備え、
   前記第１の表示素子は、反射された光の透過を制御する機能を備え、
   前記第２の表示素子は、射出光を射出する機能を備え、
   前記第２の表示素子は、前記第１の表示素子を用いた表示を視認できる範囲の一部において、前記第２の表示素子を用いた表示を視認できるように配設され、
   前記着色膜は、前記入射光に含まれる一部の色の光を吸収し、他の色の光を透過する機能を備える、表示パネルであって、
   前記画素は、微小共振器構造を備え、
   前記微小共振器構造は、前記着色膜を透過する光に含まれる一部の色の光を吸収し、他の色の光を反射する特性を備える、表示パネル。
2. 画素を有し、
   前記画素は、入射光に含まれる一部の色の光を吸収し、他の色の光を反射する機能を備え、
   前記画素は、第１の表示素子、第２の表示素子および着色膜を備え、
   前記第１の表示素子は、前記第２の表示素子および前記着色膜の間に挟まれる領域を備え、
   前記第１の表示素子は、反射された光の透過を制御する機能を備え、
   前記第２の表示素子は、射出光を射出する機能を備え、
   前記第２の表示素子は、前記第１の表示素子を用いた表示を視認できる範囲の一部において、前記第２の表示素子を用いた表示を視認できるように配設され、
   前記着色膜は、前記入射光に含まれる一部の色の光を吸収し、他の色の光を透過する機能を備える、表示パネルであって、
   前記第２の表示素子は、微小共振器構造を備え、
   前記微小共振器構造は、前記着色膜を透過する光に含まれる前記射出光と同じ色の光を吸収する特性を備える、表示パネル。

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