JP6667326B2 - ダイボンダおよびボンディング方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 238000004092 self-diagnosis Methods 0.000 claims description 46
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 38
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 19
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 11
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/03—Manufacturing methods
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
前記ボンディング部は、前記ダイを吸着するコレットを備えたボンディングヘッドと、前記ボンディングヘッドを移動する駆動軸を備えた駆動部と、前記駆動軸の動きを直接的或いは間接的に撮像可能な第1撮像手段とを備え、
前記制御部は、前記第1撮像手段により得られた結果を用いて第1再現性波形、第1振動波形及び第1追従性波形の少なくとも一者を算出するものであることを特徴とするダイボンダとする。
前記ピックアップ部は、前記ダイを吸着するコレットを備えたピックアップヘッドと、前記ピックアップヘッドを移動する駆動軸を備えた駆動部と、前記駆動軸の動きを直接的或いは間接的に撮像可能な撮像手段とを備え、
前記制御部は、前記撮像手段により得られた結果を用いて再現性波形、振動波形及び追従性波形の少なくとも一者を算出するものであることを特徴とするダイボンダとする。
前記自己診断は、
ボンディングヘッド或いはピックアップヘッドを移動する駆動軸の動きを直接的或いは間接的に撮像する工程と、
撮像により得られた結果を用いて再現性波形、振動波形及び追従性波形の少なくとも一者を算出する工程と、
再現性波形、振動波形及び追従性波形の少なくとも一者を用いて、ダイボンダのプレメンテナンスの時期を判定する工程と、
を有することを特徴とするボンディング方法とする。
Claims (10)
- ダイ供給部と、基板供給部と、前記ダイ供給部から供給されたダイを前記基板供給部から供給された基板又は前記基板に既にボンディングされたダイ上にボンディングするボンディング部と、前記ダイ供給部と前記基板供給部と前記ボンディング部とを制御する制御部と、を有するダイボンダにおいて、
前記ボンディング部は、前記ダイを吸着するコレットを備えたボンディングヘッドと、
前記ボンディングヘッドを移動する駆動軸を備えた駆動部と、前記駆動軸の動きを直接的或いは間接的に撮像可能な第1撮像手段とを備え、
前記制御部は、
前記第1撮像手段により得られた結果を用いて第1再現性波形、第1振動波形及び第1追従性波形の少なくとも一者を算出し、
前記第1再現性波形、前記第1振動波形及び前記第1追従性波形の少なくとも一者を用いて自己診断判定を行い、
前記第1再現性波形のばらつきの範囲が事前に登録された前記駆動部の分解能の精度の範囲の場合に正常と判定し、
前記第1振動波形の周波数、減衰時間或いは振幅が、事前に登録された周波数、減衰時間或いは振幅と一致した場合に正常と判定し、
前記第1追従性波形のばらつきの範囲が事前に登録された前記駆動部の分解能或いは加工性精度の範囲内の場合に正常と判定するよう構成されることを特徴とするダイボンダ。 - 請求項1に記載のダイボンダにおいて、
算出された前記第1再現性波形、前記第1振動波形及び前記第1追従性波形の少なくとも一者は、プレメンテナンスの時期を判定するために用いられるものであることを特徴とするダイボンダ。 - 請求項1に記載のダイボンダにおいて、
前記第1撮像手段は、前記ボンディングヘッドに備えられたコレットに設けられた認識点を撮像するものであることを特徴とするダイボンダ。 - 請求項1に記載のダイボンダにおいて、
前記ダイボンダは、さらに、前記ダイ供給部と前記ボンディング部との間にピックアップ部とアライメント部とを有し、
前記ピックアップ部は、前記ダイを吸着するコレットを備えたピックアップヘッドと、
前記ピックアップヘッドを移動する駆動軸を備えた駆動部と、前記駆動軸の動きを直接的或いは間接的に撮像可能な第2撮像手段とを備え、
前記制御部は、前記第2撮像手段により得られた結果を用いて第2再現性波形、第2振動波形及び第2追従性波形の少なくとも一者を算出するものであることを特徴とするダイボンダ。 - 請求項4に記載のダイボンダにおいて、
算出された前記第2再現性波形、前記第2振動波形及び前記第2追従性波形の少なくとも一者は、プレメンテナンスの時期を判定するために用いられるものであることを特徴とするダイボンダ。 - 請求項4に記載のダイボンダにおいて、
前記第2撮像手段は、前記ピックアップヘッドに備えられたコレットに設けられた認識点を撮像するものであることを特徴とするダイボンダ。 - 請求項4に記載のダイボンダにおいて、
前記第1撮像手段と前記第2撮像手段とは同じものであることを特徴とするダイボンダ。 - 請求項3に記載のダイボンダにおいて、
前記制御部は、
前記認識点を往復運動後、停止した状態で停止位置の再現性を前記第1撮像手段による認識で確認された結果を用いて前記第1再現性波形を算出し、
前記認識点の往復運動停止後、指令終了から所定の時間ずつタイミングを遅らせて停止位置の振動を前記第1撮像手段による認識で確認された結果を用いて前記第1振動波形を算出し、
前記認識点を所定のストロークだけ変化させ、停止後に停止位置を前記第1撮像手段による認識で確認された結果を用いて前記第1追従性波形を算出するよう構成されることを特徴とするダイボンダ。 - ダイ供給部と、アライメント部と、前記ダイ供給部のダイをピックアップし前記アライメント部へ搬送するピックアップ部と、基板供給部と、前記基板供給部から供給された基板又は前記基板に既にボンディングされたダイ上に前記ダイをボンディングするボンディング部と、前記ダイ供給部と前記アライメント部と前記ピックアップ部と前記基板供給部と前記ボンディング部とを制御する制御部と、を有するダイボンダにおいて、
前記ピックアップ部は、前記ダイを吸着するコレットを備えたピックアップヘッドと、前記ピックアップヘッドを移動する駆動軸を備えた駆動部と、前記駆動軸の動きを直接的或いは間接的に撮像可能な撮像手段とを備え、
前記制御部は、
前記撮像手段により得られた結果を用いて再現性波形、振動波形及び追従性波形の少なくとも一者を算出し、
前記再現性波形、前記振動波形及び前記追従性波形の少なくとも一者に基づいて自己診断判定を行い、
前記再現性波形のばらつきの範囲が事前に登録された前記駆動部の分解能の精度の範囲の場合に正常と判定し、
前記振動波形の周波数、減衰時間或いは振幅が、事前に登録された周波数、減衰時間或いは振幅と一致した場合に正常と判定し、
前記追従性波形のばらつきの範囲が事前に登録された前記駆動部の分解能或いは加工性精度の範囲内の場合に正常と判定するよう構成されることを特徴とするダイボンダ。 - ダイボンディング工程と、ダイボンディング工程が終了した後の待機中或いはダイボンディング工程の最中であってダイを含むウェハの交換時にダイボンダの自己診断を行う工程とを有するダイボンディング方法において、
前記自己診断は、
ボンディングヘッド或いはピックアップヘッドを移動する駆動軸の動きを直接的或いは間接的に撮像する工程と、
撮像により得られた結果を用いて再現性波形、振動波形及び追従性波形の少なくとも一者を算出する工程と、
再現性波形、振動波形及び追従性波形の少なくとも一者を用いて、ダイボンダのプレメンテナンスの時期を判定する工程と、
を有し、
前記撮像する工程は、前記ボンディングヘッド或いは前記ピックアップヘッドに備えられたコレットに設けられた認識点を撮像する工程であり、
前記再現性波形は、前記認識点を往復運動後、停止した状態で停止位置の再現性を前記撮像する工程による認識で確認された結果を用いて算出され、
前記振動波形は、前記認識点の往復運動停止後、指令終了から所定の時間ずつタイミングを遅らせて停止位置の振動を前記撮像する工程による認識で確認された結果を用いて算出され、
前記追従性波形は、前記認識点を所定のストロークだけ変化させ、停止後に停止位置を前記撮像する工程による認識で確認された結果を用いて算出されることを特徴とするボンディング方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016053169A JP6667326B2 (ja) | 2016-03-17 | 2016-03-17 | ダイボンダおよびボンディング方法 |
TW105135965A TWI598968B (zh) | 2016-03-17 | 2016-11-04 | Die bonder and bonding methods |
KR1020160153596A KR101923274B1 (ko) | 2016-03-17 | 2016-11-17 | 다이 본더 및 본딩 방법 |
CN201611028983.5A CN107204302B (zh) | 2016-03-17 | 2016-11-18 | 芯片贴装机以及芯片贴装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016053169A JP6667326B2 (ja) | 2016-03-17 | 2016-03-17 | ダイボンダおよびボンディング方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017168693A JP2017168693A (ja) | 2017-09-21 |
JP2017168693A5 JP2017168693A5 (ja) | 2019-04-18 |
JP6667326B2 true JP6667326B2 (ja) | 2020-03-18 |
Family
ID=59904684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016053169A Active JP6667326B2 (ja) | 2016-03-17 | 2016-03-17 | ダイボンダおよびボンディング方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6667326B2 (ja) |
KR (1) | KR101923274B1 (ja) |
CN (1) | CN107204302B (ja) |
TW (1) | TWI598968B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7018341B2 (ja) * | 2018-03-26 | 2022-02-10 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
US11069555B2 (en) | 2018-09-03 | 2021-07-20 | Assembleon B.V. | Die attach systems, and methods of attaching a die to a substrate |
JP7291586B2 (ja) * | 2019-09-19 | 2023-06-15 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
KR102377825B1 (ko) * | 2020-03-06 | 2022-03-23 | 세메스 주식회사 | 다이 이송 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치 |
KR102377826B1 (ko) * | 2020-03-06 | 2022-03-23 | 세메스 주식회사 | 다이 이송 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치 |
KR102654727B1 (ko) * | 2021-07-21 | 2024-04-03 | 세메스 주식회사 | 다이 본딩 방법 및 다이 본딩 장치 |
WO2024018937A1 (ja) * | 2022-07-21 | 2024-01-25 | ボンドテック株式会社 | 接合方法および接合装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2635889B2 (ja) * | 1992-06-24 | 1997-07-30 | 株式会社東芝 | ダイボンディング装置 |
JP2006156550A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Tsukuba Seiko Co Ltd | ダイボンディング装置 |
JP5150155B2 (ja) * | 2007-02-23 | 2013-02-20 | 株式会社東芝 | リニアアクチュエータおよびリニアアクチュエータを利用した装置 |
JPWO2009119193A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2011-07-21 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 電子部品の実装装置及び実装方法 |
JP2012069733A (ja) | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | ダイボンダの治工具管理方法、および、ダイボンダ |
JP5666246B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2015-02-12 | 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ | ダイボンダ装置およびダイボンダ方法 |
JP5713787B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2015-05-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 電子部品の実装装置 |
KR101850738B1 (ko) * | 2011-05-19 | 2018-04-24 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 실시간 동작 데이터의 ui화면을 구성하는 다이본더 |
JP5771466B2 (ja) * | 2011-07-12 | 2015-09-02 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンダ及びダイボンダの接合材供給方法 |
JP5989313B2 (ja) | 2011-09-15 | 2016-09-07 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンダ及びボンディング方法 |
JP2014011287A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Ohashi Seisakusho:Kk | 半導体チップの送り装置 |
JP2015056596A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ | ダイボンダ及びダイボンダの構成方法 |
JP6324778B2 (ja) * | 2014-03-18 | 2018-05-16 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンダの実装位置補正方法並びにダイボンダ及びボンディング方法 |
JP2015195261A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンダ及び半導体製造方法 |
-
2016
- 2016-03-17 JP JP2016053169A patent/JP6667326B2/ja active Active
- 2016-11-04 TW TW105135965A patent/TWI598968B/zh active
- 2016-11-17 KR KR1020160153596A patent/KR101923274B1/ko active IP Right Grant
- 2016-11-18 CN CN201611028983.5A patent/CN107204302B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107204302A (zh) | 2017-09-26 |
TWI598968B (zh) | 2017-09-11 |
KR20170108786A (ko) | 2017-09-27 |
CN107204302B (zh) | 2020-06-30 |
JP2017168693A (ja) | 2017-09-21 |
KR101923274B1 (ko) | 2018-11-28 |
TW201810457A (zh) | 2018-03-16 |
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A621 | Written request for application examination |
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R250 | Receipt of annual fees |
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