JP6586344B2 - フォトマスクの製造方法、フォトマスク、および、表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置や有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置に代表される表示装置の製造に有用なフォトマスク及びその製造方法、並びに、フォトマスクを用いた表示装置の製造方法に関する。

従来、透明基板上に形成された遮光膜及び半透光膜がそれぞれパターニングされてなる転写用パターンを備えた、多階調のフォトマスクが知られている。例えば、特許文献１には、４階調のフォトマスクとその製造方法が記載されている。また、特許文献２には、レジストパターンの減膜を利用することで、描画及び現像の回数を削減する、多階調フォトマスクの製造方法が記載されている。以下に、各特許文献に記載のフォトマスクの製造方法について順に説明する。

図７は特許文献１に記載された４階調フォトマスクの製造方法を示す工程図である。
この製造方法では、最終的に図７（Ｉ）に示すように、透光部１４０、遮光部１３０、第１半透光部１５０Ａ及び第２半透光部１５０Ｂを含む転写用パターンを備える４階調フォトマスク１００が得られる。以下、各工程について説明する。

まず、図７（Ａ）に示すように、透光性基板１６０上に、互いのエッチングに対して耐性を有する材料からなる第１半透光膜１７０Ａと遮光膜１８０とが順次成膜されたフォトマスクブランク２００を準備する。
次に、図７（Ｂ）に示すように、フォトマスクブランク２００の遮光膜１８０上に、透光部１４０及び第２半透光部１５０Ｂを開口領域とした第１レジストパターン２１０を形成する。

次に、図７（Ｃ）に示すように、第１レジストパターン２１０をマスクとして遮光膜１８０をエッチングする。
次に、図７（Ｄ）に示すように、第１レジストパターン２１０を除去（剥離）する。

次に、図７（Ｅ）に示すように、遮光膜１８０をマスクとして第１半透光膜１７０Ａをエッチングする。
次に、図７（Ｆ）に示すように、透光性基板１６０及び遮光膜１８０上に第２半透光膜１７０Ｂを成膜する。

次に、図７（Ｇ）に示すように、第２半透光膜１７０Ｂ上に、透光部１４０及び第１半透光部１５０Ａを開口領域とした第２レジストパターン２５０を形成する。
次に、図７（Ｈ）に示すように、第２レジストパターン２５０をマスクとして第２半透光膜１７０Ｂ及び遮光膜１８０をエッチングした後、図７（Ｉ）に示すように、第２レジストパターン２５０を除去する。
以上の製造工程により、上述した４階調フォトマスク１００が得られる。

図８は特許文献２に記載された多階調フォトマスクの製造方法を示す工程図である。
この製造方法では、最終的に図８（Ｆ）に示すように、透光部３２０、遮光部３１０及び半透光部３１５を含む転写用パターンを備える多階調フォトマスク３００が得られる。以下、各工程について説明する。

まず、図８（Ａ）に示すように、透明基板３０１上に半透光膜３０２及び遮光膜３０３がこの順に形成され、最上層にレジスト膜３０４が形成されたフォトマスクブランク４００を準備する。半透光膜３０２は、モリブデン（Ｍｏ）やタンタル（Ｔａ）等の金属材料とシリコン（Ｓｉ）とを含む材料からなり、フッ素（Ｆ）系のエッチング液でエッチング可能である。遮光膜３０３は、クロム用エッチング液を用いてエッチング可能な材料で構成されている。

次に、図８（Ｂ）に示すように、フォトマスクブランク４００に対してレーザー描画及び現像を施すことにより、遮光部３１０の形成領域及び半透光部３１５の形成領域を覆う第１レジストパターン３０４ｐを形成する。第１レジストパターン３０４ｐは、半透光部３１５の形成領域におけるレジスト膜３０４の厚さが、遮光部３１０の形成領域におけるレジスト膜３０４の厚さよりも薄くなるよう形成されている。

次に、図８（Ｃ）に示すように、第１レジストパターン３０４ｐをマスクとして遮光膜３０３をエッチングすることにより遮光膜パターン３０３ｐを形成する。その後更に、第１レジストパターン３０４ｐをマスクとして半透光膜３０２をエッチングすることにより半透光膜パターン３０２ｐを形成し、これによって透明基板３０１を部分的に露出させる。遮光膜３０３のエッチングは、先述のクロム用エッチング液を用いて行う。また、半透光膜３０２のエッチングは、フッ素（Ｆ）系のエッチング液（又はエッチングガス）を用いて行う。

次に、図８（Ｄ）に示すように、第１レジストパターン３０４ｐを減膜することにより、半透光部３１５の形成領域において遮光膜３０３を露出させる。このとき、レジスト膜３０４の厚い遮光部３１０の形成領域にはレジスト膜３０４が残る。これにより、遮光部３１０の形成領域を覆う第２レジストパターン３０４ｐ’が形成される。

次に、図８（Ｅ）に示すように、第２レジストパターン３０４ｐ’をマスクとして遮光膜３０３を更にエッチングして半透光膜３０２を露出させる。遮光膜３０３のエッチングは、上記同様にクロム用エッチング液を用いて行う。

次に、図８（Ｆ）に示すように、第２レジストパターン３０４ｐ’を除去する。以上の製造工程により、上述した多階調フォトマスク３００が得られる。

特開２００７−２４９１９８号公報 特開２０１２−８５４５号公報

表示装置の製造工程においては、最終的に得ようとするデバイスの設計に基づいた転写用パターンを備えるフォトマスクが多く利用される。デバイスとして、スマートフォンやタブレット端末などに搭載されている液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置には、画面が明るく、省電力性能に優れ、動作速度が速いというだけでなく、高解像度、広視野角などの高い画質が要求される。このため、上述の用途に使用されるフォトマスクの転写用パターンに対して、益々の微細化、高密度化の要求が生じる動向にある。

ところで、表示装置等の電子デバイスは、パターンが形成された複数の薄膜（レイヤ：Ｌａｙｅｒ）の積層によって立体的に形成される。したがって、これら複数のレイヤのそれぞれにおける座標精度の向上、及び互いの座標の整合が肝要になる。すなわち、個々のレイヤのパターン座標精度が、すべて所定レベルを充足していなければ、完成したデバイスにおいて誤動作などの不都合を招くおそれがある。そして、各レイヤにおけるパターンの構造は益々微細化、高密度化する傾向にある。したがって、各レイヤに求められる座標ずれの許容範囲は益々厳しくなる方向にある。

例えば、液晶表示装置に適用されるカラーフィルタにおいては、より明るい表示画面を実現するために、ブラックマトリックス（ＢＭ）や、メインフォトスペーサ及びサブフォトスペーサのようなフォトスペーサ（ＰＳ）の配置面積をより狭くする方向にある。また、ブラックマトリックス上にフォトスペーサを重ねて配置すれば、それらを別々に配置する場合に比べて、明るさや消費電力の点で、より有利なカラーフィルタを製造することができる。そこで、フォトマスクが備える転写用パターンにおいては、ＣＤ（Critical Dimension：以下、「パターン幅」の意味で用いる）精度、及び、位置精度の向上が必要になる。

上述したブラックマトリックスとフォトスペーサを被転写体（表示パネル基板など）に形成する方法として、それぞれに適合する転写用パターンを備えた２枚のフォトマスクを順次露光装置に取り付けて露光することにより、各々のフォトマスクの転写用パターンを被転写体に転写する方法がある。ただし、このように２枚のフォトマスクの転写用パターンを被転写体に重ね合わせて転写する方法では、アライメントずれが生じやすい。そこで、このアライメントずれを解消するために、それぞれの転写用パターンを１枚のフォトマスク上に形成し、１回の露光工程で被転写体上に転写する方法が考えられる。この方法を採用した場合は、重ね合わせ位置精度（いわゆるOverlay精度）が高くなるだけでなく、コスト的にも有利になる。

ただし、その場合は、ブラックマトリックス形成用のパターンと、フォトスペーサ形成用のパターンとを併せ持つ転写用パターンを１枚のフォトマスクに形成する必要がある。このため、露光に使用するフォトマスクの転写用パターンは、より複雑なものとなる。また、上述した１回の露光工程では、フォトマスク形成用のパターンとして、メイン及びサブのフォトスペーサに対応してそれぞれ異なった光透過率を有するパターンを含む、多階調の転写用パターンを備えるフォトマスクを使用することが望まれる。具体的には、転写用パターンとして、透光部と遮光部のほかに、第１半透光部と第２半透光部を備えた、４階調のフォトマスクを使用することが考えられる。

上述した特許文献１には、このような４階調のフォトマスクの製造方法が記載されている。ただし、この製造方法にも、解決すべき課題があることに本発明者らは着目した。以下、説明する。

まず、上記図７（Ｇ）〜（Ｈ）に示す工程では、第２レジストパターン２５０をマスクとして第２半透光膜１７０Ｂ及び遮光膜１８０という２つの膜をエッチングしている。具体的には、透光部１４０に対応する領域（以下、「第１領域」という。）では、透光性基板１６０上に形成された第２半透光膜１７０Ｂをエッチングにより除去して透光性基板１６０を露出させている。また、第１半透光部１５０Ａに対応する領域（以下、「第２領域」という。）では、透光性基板１６０上において、第１半透光膜１７０Ａ上の第２半透光膜１７０Ｂと遮光膜１８０とを順次エッチングにより除去して、第１半透光膜１７０Ａを露出させている。この場合、第１領域及び第２領域では、エッチングが同時に併行して進行することになる。

ただし、第１領域と第２領域では、実際にエッチングが終了するまでの所要時間は異なる。その理由は、第１領域では、第２半透光膜１７０Ｂの膜厚に応じたエッチング時間が経過すれば、必要なエッチングは完了して透光性基板１６０が露出するのに対し、第２領域では、この後更に遮光膜１８０をエッチングするための時間が必要になるからである。結局、第２領域のエッチングが完了した時点では、第１領域でサイドエッチングが進んだ状態になるため、パターン幅（ＣＤ）が変わってしまう。特に、等方性エッチングの性質をもつウェットエッチングにおいては、この挙動が顕著である。更に、一般には、遮光膜のエッチング所要時間の方が半透光膜のそれよりも長くなる。

したがって、例えば、第２領域で第１半透光部１５０Ａを形成するためのエッチングを行っている途中で、第１領域を透光部１４０とするためのジャストエッチング時間が完了し、それ以降は、第２領域のエッチングが終了するまで、透光部１４０の端部（ここでは右端）を画定する第２半透光膜１７０Ｂのサイドエッチングが進行する。その結果、透光部１４０の寸法が設計値と異なってしまう。また、エッチング時間が長くなるに伴い、フォトマスク面内全体で生じるＣＤばらつきが大きくなるため、最終的に得られるパターンのＣＤ精度が、要求されるレベルを満たさないおそれがある。

一方、特許文献２に記載の方法では、１回の描画及び現像によって多階調フォトマスクを形成できる点で有利である。ただし、３階調の転写用パターンを形成するために、互いにエッチング選択性のある半透光膜３０２と遮光膜３０３を用いる必要がある。このため、膜材料の選択に制限が生じる上、異質の材料を成膜したりエッチングしたりするための装置の負荷も大きくなる。また、図８（Ｅ）に示す工程で遮光膜３０３をエッチングにより除去する場合は、その前の工程でエッチングを完了した遮光膜３０３の側面や半透光膜３０２の側面が透光部３２０の周縁に露出した状態になるため、各々の側面でサイドエッチングが進行する。このため、転写用パターンのＣＤ精度を維持することが困難となる。

以上のことから、高精度品を製造するための微細な転写用パターンを備えるフォトマスクの製造方法としては、いまだ改良の余地があり、この知見に基づいて本発明者らは鋭意検討し、本発明に至った。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その主たる目的は、よりＣＤ精度の高い転写用パターンを備えるフォトマスクを実現することにある。

（第１の態様）
本発明の第１の態様は、透明基板上に、半透光膜及び遮光膜がそれぞれパターニングされて得られた、透光部、遮光部、第１半透光部及び第２半透光部を含み、前記第１半透光部と前記第２半透光部の光透過率が互いに異なる転写用パターンを備えるフォトマスクの製造方法において、
前記透明基板上に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクを用意する準備工程と、
前記遮光膜をパターニングして遮光部を形成する遮光膜パターニング工程と、
前記パターニングされた遮光膜上に半透光膜を形成する半透光膜形成工程と、
前記半透光膜をパターニングすることにより、前記透明基板上に半透光膜によって形成された第１半透光部と、前記透明基板上に前記第１半透光部における半透光膜よりも膜厚の小さい半透光膜によって形成された第２半透光部と、前記透明基板が露出する透光部とを形成する半透光膜パターニング工程と、を有し、
前記半透光膜形成工程では、前記遮光膜と同じエッチング剤によってエッチングされる材料で前記半透光膜を形成し、
前記半透光膜パターニング工程では、実質的に前記半透光膜のみをエッチングする
ことを特徴とする、フォトマスクの製造方法である。
（第２の態様）
本発明の第２の態様は、透明基板上に、半透光膜及び遮光膜がそれぞれパターニングされて得られた、透光部、遮光部、第１半透光部及び第２半透光部を含み、前記第１半透光部と前記第２半透光部の光透過率が互いに異なる転写用パターンを備えるフォトマスクの製造方法において、
前記透明基板上に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクを用意する準備工程と、
前記遮光膜をパターニングする遮光膜パターニング工程と、
前記パターニングされた遮光膜上に半透光膜を形成する半透光膜形成工程と、
前記半透光膜上にレジスト膜を形成した後、前記レジスト膜を描画及び現像することにより、レジストが除去された開口部、レジストが残存する第１残膜部、及び前記第１残膜部よりもレジストが薄く残存する第２残膜部を有する第１レジストパターンであって、前記開口部が前記透光部の領域に対応し、前記第１残膜部が前記遮光部及び第１半透光部の領域に対応し、前記第２残膜部が前記第２半透光部に対応する第１レジストパターンを形成する第１レジストパターン形成工程と、
前記第１レジストパターンをマスクとして、前記開口部に露出する前記半透光膜をエッチングする第１エッチング工程と、
前記第１レジストパターンの膜厚を減少させることにより、前記第２残膜部に対応する領域で前記半透光膜が新たに露出する第２レジストパターンを形成する第２レジストパターン形成工程と、
前記新たに露出した部分の前記半透光膜をエッチングして、前記半透光膜の膜厚を減少させる第２エッチング工程と、
を有することを特徴とする、フォトマスクの製造方法である。
（第３の態様）
本発明の第３の態様は、前記遮光膜と前記半透光膜は、同一の金属を含有することを特徴とする、上記第１又は第２の態様に記載のフォトマスクの製造方法である。
（第４の態様）
本発明の第４の態様は、前記第１エッチング工程のエッチングレートをＲ１、前記第２エッチング工程のエッチングレートをＲ２とするとき、Ｒ１＞Ｒ２の条件を満たすことを特徴とする、上記第２又は第３の態様に記載のフォトマスクの製造方法である。
（第５の態様）
本発明の第５の態様は、前記第１レジストパターン形成工程では、前記第２半透光部となる領域の寸法に対し、アライメントマージンを基にしたサイジングを施した描画データを用いて、前記レジスト膜を描画することを特徴とする、上記第２〜第４の態様のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法である。
（第６の態様）
本発明の第６の態様は、前記転写用パターンにおいて、前記第２半透光部と前記遮光部とが隣接することを特徴とする、上記第１〜第５の態様のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法である。
（第７の態様）
本発明の第７の態様は、前記転写用パターンにおいて、前記第２半透光部は、前記遮光部に隣接して囲まれることを特徴とする、上記第１〜第６の態様のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法である。
（第８の態様）
本発明の第８の態様は、透明基板上に、半透光膜及び遮光膜がそれぞれパターニングされて得られた、少なくとも４階調の転写用パターンを備えるフォトマスクであって、
前記転写用パターンは、
前記透明基板が露出してなる透光部と、
前記透明基板上に前記半透光膜によって形成された第１半透光部と、
前記透明基板上に、前記半透光膜と同じ成分の半透光膜であって、かつ、前記第１半透光部より膜厚が小さい半透光膜によって形成された第２半透光部と、
前記透明基板上に遮光膜と半透光膜がこの順に積層されてなる遮光部とを有し、
前記遮光膜と前記半透光膜は、同じエッチング剤によってエッチングされる材料からなる、
ことを特徴とする、フォトマスクである。
（第９の態様）
本発明の第９の態様は、前記遮光部は、前記第２半透光部と隣接する部分を有するとともに、前記第２半透光部と隣接するエッジ部分に、前記第１半透光部より膜厚が薄い半透光膜が積層されていることを特徴とする、上記第８の態様に記載のフォトマスクである。
（第１０の態様）
本発明の第１０の態様は、前記転写用パターンは、前記第１半透光部と前記第２半透光部とが隣接部を有していないことを特徴とする、上記第８又は第９の態様に記載のフォトマスクである。
（第１１の態様）
本発明の第１１の態様は、前記転写用パターンにおいて、前記第２半透光部は、前記遮光部に隣接して囲まれていることを特徴とする、上記第８〜第１０の態様のいずれかに記載のフォトマスクである。
（第１２の態様）
本発明の第１２の態様は、前記転写用パターンにおいて、前記第２半透光部は、前記遮光部に隣接して囲まれるとともに、前記第２半透光部に対して、対向する位置にある前記遮光部の幅をそれぞれＷ１（μｍ）、Ｗ２（μｍ）とするときに、前記Ｗ１と前記Ｗ２の差異が０．１（μｍ）以下であることを特徴とする、上記第８〜第１１の態様のいずれかに記載のフォトマスクである。
（第１３の態様）
本発明の第１３の態様は、前記遮光部は、前記透光部と隣接する部分を有するとともに、前記透光部と隣接するエッジ部分で前記遮光膜の膜厚が一部減少していることを特徴とする、上記第８〜第１２の態様のいずれかに記載のフォトマスクである。
（第１４の態様）
本発明の第１４の態様は、表示装置の製造方法において、露光装置を用いて、上記第１〜第７の態様のいずれかに記載の製造方法によるフォトマスク、又は、上記第８〜第１３の態様のいずれかに記載のフォトマスクに露光光を照射し、前記フォトマスクが備える転写用パターンを被転写体上に転写する工程を含む、
ことを特徴とする、表示装置の製造方法である。
（第１５の態様）
本発明の第１５の態様は、前記露光装置を用いて前記フォトマスクに露光光を照射する場合に、ｉ線、ｈ線、およびｇ線を含む波長域の露光光を適用することを特徴とする、上記第１４の態様に記載の表示装置の製造方法である。

本発明によれば、よりＣＤ精度の高い転写用パターンを備えるフォトマスクを実現することができる。また、このフォトマスクを利用することで、高品質の表示装置を製造することができる。

本発明の第１実施形態に係るフォトマスクの構成を示すもので、（Ａ）は側断面図、（Ｂ）は平面図である。 （Ａ）〜（Ｆ）は本発明の第１実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す工程図（その１）である。 （Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第１実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す工程図（その２）である。 本発明の第２実施形態に係るフォトマスクの構成を示すもので、（Ａ）は側断面図、（Ｂ）は平面図である。 （Ａ）〜（Ｆ）は本発明の第２実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す工程図（その１）である。 （Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第２実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す工程図（その２）である。 （Ａ）〜（Ｉ）は特許文献１に記載された４階調フォトマスクの製造方法を示す工程図である。 （Ａ）〜（Ｆ）特許文献２に記載された多階調フォトマスクの製造方法を示す工程図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。

＜１．第１実施形態に係るフォトマスクの構成＞
図１は本発明の第１実施形態に係るフォトマスクの構成を示すもので、（Ａ）は側断面図、（Ｂ）は平面図である。なお、図１の（Ｂ）では便宜上、（Ａ）の側断面図との対応関係が理解しやすいように、（Ａ）と同様のハッチング処理を施している。
図示したフォトマスク１０は、透光部１１と、遮光部１２と、第１半透光部１３と、第２半透光部１４とを含む４階調の転写用パターンを備えるものである。透光部１１は、透明基板１５を部分的に露出させた状態で形成されている。遮光部１２は、透明基板１５上に遮光膜１６と後述の半透光膜１７が形成されてなる。また、第１半透光部１３は透明基板１５上に第１半透光膜１７ａが形成されてなり、第２半透光部１４は透明基板上１５上に第２半透光膜１７ｂが形成されてなる。第１半透光膜１７ａと第２半透光膜１７ｂとは、互いに同じ成分の半透光膜となっている。本明細書では、第１半透光膜１７ａと第２半透光膜１７ｂを特に区別しない場合は、単に「半透光膜１７」と記載する。遮光膜１６と半透光膜１７は、同じエッチング剤（エッチング液）によってエッチングされる材料で構成されている。

第１半透光部１３を構成する第１半透光膜１７ａの膜厚と、第２半透光部１４を構成する第２半透光膜１７ｂの膜厚とは、互いに異なっている。具体的には、第１半透光膜１７ａの膜厚は、第２半透光膜１７ｂの膜厚よりも大きくなっている。このため、フォトマスク１０に照射される露光光の代表波長に対する光透過率（以下、単に「光透過率」ともいう。）も、第１半透光部１３と第２半透光部１４で異なっている。

また、遮光部１２においては、透明基板１５上に遮光膜１６と半透光膜１７とがこの順に積層されている。第１半透光部１３は、これに隣接する遮光部１２によって囲まれている。第２半透光部１４も、これに隣接する遮光部１２によって囲まれている。また、第１半透光部１３と第２半透光部１４との間には遮光部１２が介在し、この遮光部１２によって第２半透光部１４が囲まれている。このため、図示したフォトマスク１０の転写用パターンは、第１半透光部１３と第２半透光部１４の隣接部を有しない構成となっている。また、第１半透光部１３に隣接してこれを囲む遮光部１２では、遮光膜１６上に半透光膜１７ａのみが存在している。これに対して、第２半透光部１４に隣接してこれを囲む遮光部１２では、遮光膜１６上に第１半透光膜１７ａ及び第２半透光膜１７ｂの両方が存在している。このうち、第２半透光膜１７ｂは、遮光膜１６のパターン幅方向で第２半透光部１４側（内側）のエッジ部分Ｅ１に位置している。

＜２．第１実施形態に係るフォトマスクの製造方法＞
次に、本発明の第１実施形態に係るフォトマスクの製造方法について、図２及び図３を用いて説明する。本実施形態に係るフォトマスクの製造方法（製造工程）は、準備工程と、遮光膜パターニング工程と、第１レジスト除去工程と、半透光膜形成工程と、半透光膜パターニング工程と、第２レジスト除去工程と、を含む。このうち、遮光膜パターニング工程は、レジストパターニング工程と、遮光膜エッチング工程と、を含む。また、半透光膜パターニング工程は、レジスト膜形成工程と、第１レジストパターン形成工程と、第１エッチング工程と、第２レジストパターン形成工程と、第２エッチング工程と、を含む。以下、各工程について順に説明する。

［準備工程］
まず、準備工程では、図２（Ａ）に示すように、透明基板１５上に遮光膜１６が形成されるとともに、遮光膜１６の表面にレジスト膜１８が形成されたレジスト付のフォトマスクブランク２０を用意する。遮光膜１６の成膜方法としては、スパッタ法等の公知の手段を用いることができる。遮光膜１６の膜厚は、１０００〜１５００Å程度とすることができる。レジスト膜１８の形成は、塗布法を用いることができ、スピンコータ、スリットコータなど公知のコータを使用することが可能である。レジスト膜１８の膜厚は、３０００〜１００００Å程度とすることができる。

また、透明基板１５としては、石英ガラス等の透明材料を平坦かつ平滑に研磨したものを用いることができる。表示装置製造用のフォトマスクに使用する透明基板としては、主表面が一辺３００〜１５００ｍｍの四角形であって、厚みが５〜１３ｍｍのものを用いることが好ましい。

遮光膜１６の材料は、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｔａ（タンタル）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）などを含有する膜材料とすることができ、これらの単体又は化合物（酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化窒化炭化物など）から適切なものを選択することもできる。また、図示はしないが、遮光膜１６の表面側（透明基板１５と反対側）またはその裏面側の表層には、反射防止層やエッチング速度調整層などの機能層を設けることができる。遮光膜１６の表面側に反射防止層を設けた場合は、レジスト膜１８の描画に用いる光の反射を抑えることで描画精度を高めることができる。また、遮光膜１６の表面側に、エッチング減速層として機能するエッチング速度調整層を設けた場合は、このエッチング速度調整層によりエッチング速度を減速させることで、所定の膜厚を維持する機能をもたせることができる。

上記反射防止層は、例えば遮光膜１６に含有される金属（例えばＣｒ）の酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、炭化窒化物の少なくともいずれか一種を含む層として設けることができる。また、反射防止層及び／又はエッチング減速層は、遮光膜１６の深さ方向において、表層部分の組成が内側部分と異なって形成されたものとすることができる。その場合は、遮光膜１６の表層部分と内側部分との間に明確な境界があってもよいし、遮光膜１６の深さ方向に連続的又は段階的に組成が変化していくものであってもよい。また、遮光膜１６の露光光に対する光学濃度（ＯＤ：optical density）は、好ましくは３．０以上、より好ましくは４．０以上とするのがよい。

ちなみに、本実施形態においては、透明基板１５上に積層する遮光膜１６に関して、Ｃｒを主成分とし、その表面側に、ＣｒＯからなる反射防止層を形成した遮光膜１６を採用するものとする。また、レジスト膜１８に適用するレジストは、フォトレジストとする。このフォトレジストは、ポジ型のフォトレジストでもよいし、ネガ型のフォトレジストでもよい。本実施形態では、レジスト膜１８がポジ型のフォトレジストによって形成されたものとして説明する。この点は、後述するレジスト膜形成工程で用いるレジストについても同様とする。

［遮光膜パターニング工程］
次に、遮光膜１６をパターニングする遮光膜パターニング工程を行う。遮光膜パターニング工程では、レジストパターン形成工程と、遮光膜エッチング工程と、を順に行う。

（レジストパターン形成工程）
レジストパターン形成工程では、図２（Ｂ）に示すように、上記のレジスト膜１８を描画及び現像することにより、透明基板１５の遮光膜１６上にレジストパターン１８ｐを形成する。このレジストパターン１８ｐは、上記のフォトマスクブランク２０のレジスト膜１８に対して、図示しない描画装置を用いて所望のパターンを描画し、その後、現像することにより得られる。描画装置としては、例えば、電子ビームを用いるもの、あるいはレーザーを用いるものがあるが、いずれを用いてもよい。本実施形態ではレーザー描画を適用する。この点は、後述する第１レジストパターン形成工程においても同様とする。

レジストパターン１８ｐは、最終的に得ようとするフォトマスク１０の転写用パターンにおいて、遮光部１２を形成するためのものである。そのため、描画装置は、最終的なフォトマスク１０において（図１を参照）、遮光部１２と、その他の領域とを画定するための描画データを用いてレジスト膜１８を描画する。その後、レジスト膜１８を現像することにより、レジスト膜１８の露光部が除去されてレジストパターン１８ｐが得られる。このとき、レジスト膜１８が除去された部分では、遮光膜１６が露出した状態となる。

（遮光膜エッチング工程）
遮光膜エッチング工程では、図２（Ｃ）に示すように、上記のレジストパターン１８ｐをマスクとして遮光膜１６をエッチングすることにより、透明基板１５上に遮光膜１６のパターンを形成する。以降の説明では、パターニングされた遮光膜１６を遮光膜パターン１６ｐという。この遮光膜パターン１６ｐは、最終的に得ようとするフォトマスク１０の転写用パターンにおいて、遮光部１２の領域を画定するものとなる。本実施形態では、遮光膜１６のエッチングにウェットエッチングを適用する。また、エッチング剤（エッチング液）として、硝酸第二セリウムアンモニウムを用いる。

なお、本実施形態においては、エッチングの対象は、遮光膜１６のみ（単一膜）である。このエッチングの所要時間は、遮光膜１６の組成と膜厚に依存する。よって、エッチングの所要時間は、実験的にあるいはシミュレーション等によって予め求めておくことができる。

[第１レジスト除去工程]
第１レジスト除去工程では、図２（Ｄ）に示すように、上記のレジストパターン１８ｐを除去（剥離）する。これにより、透明基板１５の主表面に遮光膜パターン１６ｐのみが形成された状態となる。また、透明基板１５の主表面において、遮光膜パターン１６ｐで覆われない部分は、透明基板１５が露出した状態となる。

[半透光膜形成工程]
半透光膜形成工程では、図２（Ｅ）に示すように、主表面に遮光膜パターン１６ｐが形成された透明基板１５上に、所定の成膜方法によって半透光膜１７を形成する。半透光膜１７の成膜方法としては、上述した遮光膜１６と同様にスパッタ法などを用いることができる。これにより、透明基板１５の露出部分と遮光膜パターン１６ｐの上に、半透光膜１７が積層された状態となる。

半透光膜１７の材料は、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｔａ（タンタル）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｓｉ（シリコン）などを含有する膜材料とすることができ、これらの化合物（酸化物、窒化物、炭化物など）から適切なものを選択することもできる。Ｓｉ含有膜としては、Ｓｉの化合物（ＳｉＯＮなど）、又は遷移金属シリサイド（ＭｏＳｉなど）や、その化合物を用いることができる。遷移金属シリサイドの化合物としては、酸化物、窒化物、酸化窒化物、酸化窒化炭化物などが挙げられ、好ましくは、ＭｏＳｉの酸化物、窒化物、酸化窒化物、酸化窒化炭化物などが例示される。半透光膜１７をＣｒ含有膜とする場合は、Ｃｒの化合物（酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、炭化窒化物、酸化窒化炭化物）を好適に使用することができる。

本実施形態では、遮光膜１６及び半透光膜１７の両方に、Ｃｒを含有する膜を用いる。このように２つの膜が同一の金属を含む場合は、成膜工程などを効率的に行うことができるうえに、遮光膜１６と半透光膜１７の材料を選択する際に、双方の材料が互いにエッチング選択性を有する（互いのエッチング剤に対して耐性をもつ）必要がない。すなわち、遮光膜１６及び半透光膜１７の材料として、同一のエッチング剤によってエッチングされる材料、あるいは同一成分を含むエッチング剤によってエッチングされる材料を用いることができる点で、素材の制約を緩和できる利点がある。このような共通のエッチング特性をもつ膜によって、４階調のフォトマスクを形成することができる。もちろん、互いにエッチング選択性のある素材を用いても構わない。たとえば、エッチング選択性のある素材とは、一方の膜（Ａ膜）のエッチング剤に対して、他方の膜（Ｂ膜）の示すエッチングレートが、Ａ膜のエッチングレートの１／１００以下である場合とすることができる。なお、本明細書において、「エッチングレート」とは、エッチングによって単位時間あたりに溶出する膜の厚さをいう。

一方、半透光膜１７の光学特性としては、例えば露光光の透過率が１０〜８０％のものを使用することができる。より好ましくは、露光光の透過率が１０〜６０％、更に好ましくは、１０〜４０％のものを使用することができる。
半透光膜１７の厚みは、目的とする光透過率によって適宜決定し、例えば、２０〜４００Å程度とすることができる。ただし、本発明において、半透光膜１７の膜厚は、第１半透光部１３となる領域の露光光の透過率をもとに決定される。また、この半透光膜１７は、後段する第２エッチング工程で半透光膜１７の膜厚を減少（減膜）させることで、第１半透光部１３よりも光透過率の高い第２半透光部１４を形成するため、この減膜量も勘案して半透光膜１７の膜厚を決定することが好ましい。
また、半透光膜１７は、露光光に対する位相シフト量φ（度）が、３≦φ≦９０の低位相シフト膜とすることが好ましい。より好ましくは、３≦φ≦６０である。
また、半透光膜１７は、露光光に対する位相シフト量φ（度）が、９０＜φ≦２７０となる、いわゆる位相シフト膜とすることもできる。なお、本実施形態では、半透光膜１７が低位相シフト膜であるものとして説明する。

ちなみに、露光光とは、本実施形態のフォトマスク１０を用いて露光する際に使用する露光装置の照射光であって、ｉ線、ｈ線、ｇ線のいずれかを含むものが挙げられる。このうち複数の波長、好ましくはｉ線、ｈ線、ｇ線のすべてを含む波長域の光源を用いることで、より大きな照射量を得ることができる。その場合は、波長域に含まれる代表波長（例えばｉ線）を基準とし、これに対する光透過率及び位相シフト量を、上記範囲内として、フォトマスク１０の設計をすることができる。上記３波長について、すべて上記範囲内であればより好ましい。

［半透光膜パターニング工程］
次に、半透光膜１７をパターニングする半透光膜パターニング工程を行う。半透光膜パターニング工程では、レジスト膜形成工程と、第１レジストパターン形成工程と、第１エッチング工程と、第２レジストパターン形成工程と、第２エッチング工程と、を順に行う。また、半透光膜パターニング工程では、実質的に半透光膜１７のみをエッチングする。

（レジスト膜形成工程）
レジスト膜形成工程では、図２（Ｆ）に示すように、半透光膜１７が形成された透明基板１５上に、半透光膜１７を覆う状態でレジスト膜１９を形成する。レジスト膜１９の形成方法やこれに用いるレジストの種類については、上述したレジスト膜１８の場合と同様とする。

（第１レジストパターン形成工程）
第１レジストパターン形成工程では、図３（Ａ）に示すように、上記のレジスト膜１９を描画及び現像することにより、レジストパターン１９ｐを形成する。ここでの描画及び現像によって得られるレジストパターン１９ｐは、第１レジストパターンに相当するものである。レジストパターン１９ｐは、領域によって、レジスト残膜の厚みが異なる段差形状をもつ。すなわち、レジストパターン１９ｐは、レジスト残膜が実質的にゼロである開口部２１と、レジストが残存する第１残膜部２２と、この第１残膜部２２よりもレジストが薄く残存する第２残膜部２３と、を有する。

開口部２１は、上記のレジスト膜１９を描画及び現像することにより、レジストが除去されて開口した部分である。開口部２１は、透光部１１に対応する領域となる。第１残膜部２２は、最も残膜厚みの大きい部分であって、遮光部１２及び第１半透光部１３に対応する領域となる。第２残膜部２３は、上記第１残膜部より膜厚が小さい部分であり、第２半透光部１４に対応する領域となる。このようなレジストパターン１９ｐは、例えば以下のような方法によって形成することが可能である。

すなわち、レジスト膜１９に対して、描画装置を用いて、描画すべき領域ごとに照射エネルギーが異なる描画方法（ここでは、便宜的に「階調描画法」とよぶ）を使用する。例えば、レーザー描画装置を用いて描画する場合は、所望のパターンの領域に応じて、異なるドーズ量（照射量）を適用してレーザーを照射し、レジストを感光させる。具体的には、開口部２１には、レジスト膜１９を完全に感光させるドーズ量を適用し、第２残膜部２３には、レジスト膜１９を完全に感光させる場合よりも少ないドーズ量を適用する。

レジスト膜１９をレーザービームの走査によって描画する方法では、予め描画データを分離することにより、１回の描画工程のなかでレーザービームの走査を複数回に分けて行うとともに、領域ごとに異なる走査回数を適用することによって、領域ごとの照射量を調整する。これにより、階調描画法を実施することができる。例えば、レーザービームの照射を２回に分けて行う場合に、レジスト膜１９を十分（完全）に感光させるドーズ量を１００％とするときは、５０％程度のドーズ量で２回の走査を行う。これにより、２回の走査のうち１回しか走査されなかった部分（第２残膜部２３に対応する部分）は、５０％程度のドーズ量の照射を受けた部分となり、２回走査された部分（開口部２１に対応する部分）は、１００％のドーズ量の照射を受けた部分となり、１回も走査されなかった部分は、レーザーの照射を受けない部分（第１残膜部２２に対応する部分）となる。なお、ここでは５０％ずつのドーズ量でレーザービームの照射を２回に分けて行うとしているが、これに限らず、複数回のレーザービームの照射による合計のドーズ量が１００％となる条件で行えばよい。具体的には、例えば、各回のレーザービームの照射を３０％のドーズ量と７０％のドーズ量で順に行ってもよいし、それ以外のドーズ量の組み合わせで行ってもよい。

また、これ以外にも、１回の走査中に、領域によってドーズ量の変更を行うことによって、階調描画法を実施してもよい。いずれの場合も、レーザーの照射を受けたレジストの部分は、そのときのレーザーの照射エネルギーに応じて感光し、感光の度合いに応じて現像時に溶出する。そのため、現像後には、領域によってレジスト残膜の厚みが異なるレジストパターン（いわば、段差をもつレジストパターン）が形成される。
以上の方法により、１回の描画・現像工程によって、後述の第１エッチング工程及び第２エッチング工程といった２回のパターニングに適用可能なレジストパターン１９ｐを形成することが可能となる。

なお、複数回の走査によって階調描画法を実施する場合、描画装置にフォトマスク基板を載置した状態のままとすれば、載置ごとに生じるアライメントずれをゼロとすることができる。本明細書では、描画装置にフォトマスク基板（本形態例では透明基板１５）を載置したままで行う描画を「１回の描画」とする。このため、例えば、描画装置にフォトマスク基板を載置して、ある描画データにしたがって描画を行った後、そのフォトマスク基板を描画装置から取り外すことなく、別の描画データにしたがって再び描画を行った場合でも「１回の描画」とする。

上述したように階調描画法によってレジスト膜１９の描画を行うことにより、半透光膜１７に対するパターニング複数回分の描画を、１回の描画で行うことができる。このため、多階調フォトマスクの製造工程で生じやすい描画のアライメントずれを解消できるという利点がある。

ただし、本工程でレジスト膜１９を描画する場合と、図２（Ｂ）に示す工程でレジスト膜１８を描画する場合との間には、アライメントずれを生じる可能性がある。一般に、フォトマスク基板を描画装置に載置する場合は、アライメントマーク等を用いてフォトマスク基板の位置合わせを行う。ただし、複数回の描画においては、フォトマスク基板の載置精度等により、アライメントずれを完全にゼロとすることは困難である。

そこで、本実施形態では、レジスト膜１９の描画に適用する描画データに関して、描画（レーザー照射）の対象とする第２残膜部２３の寸法を次のように補正している。すなわち、遮光膜１６によって規定される第２半透光部１４の寸法に対して、アライメントマージンαを考慮（基に）したサイジングを描画データに施すことにより、描画すべき第２残膜部２３の寸法Ｌ１を第２半透光部１４となる領域の寸法Ｌ２よりも大きく設定している。アライメントマージンαは、上記のアライメントずれとして生じる可能性がある最大のずれ量をδとすると、第２半透光部１４となる領域の寸法Ｌ２に対して、少なくとも上記ずれ量δを加えた寸法にするとよい。このようなサイジングを描画データに施してレジスト膜１９を描画することにより、レジスト膜１８の描画とレジスト膜１９の描画との間で生じる、アライメントずれに起因するパターン精度の劣化を防止することができる。アライメントマージンαとしては、例えば、第２半透光部１４の１つ（片側）のエッジに対して、α＝０．２５〜０．７５μｍのサイジングを施すことができる。又は、アライメントに優れた描画装置においては、このアライメントマージンαを０．２〜０．５μｍとすることができる。

（第１エッチング工程）
第１エッチング工程では、図３（Ｂ）に示すように、レジストパターン１９ｐをマスクとして半透光膜１７をエッチングする。これにより、上記の開口部２１で露出している半透光膜１７がエッチングによって除去される。その結果、開口部２１で透明基板１５が露出した状態となる。

本実施形態では、半透光膜１７が遮光膜１６と同様にＣｒ含有膜になっているため、上記の遮光膜１６のエッチングに適用したエッチング剤（エッチング液）と同成分のものを用いて、半透光膜１７をウェットエッチングすることができる。この工程でも、エッチング対象は半透光膜１７のみ（単一膜）となる。このため、エッチングの所要時間は、半透光膜１７の組成と膜厚に依存する。よって、エッチングの所要時間は、実験的にあるいはシミュレーション等によって予め求めておくことができる。

また、本実施形態では、上述のように半透光膜１７をエッチングすることにより、透明基板１５が部分的に露出し、この露出部分が透光部１１となる。また、この透光部１１を囲む半透光膜１７の部分が第１半透光部１３となる。このため、最終的に得られるフォトマスク１０の転写用パターンは、透光部１１と第１半透光部１３とが隣接する部分をもつことになる。ただし、半透光膜１７の膜厚は上述のとおり十分に薄く、ウェットエッチングに起因するサイドエッチングの量は非常に小さい。このため、実質的にパターニング精度への影響はほとんどない。また、このような僅かなサイドエッチングまでも問題とするような高いＣＤ精度を得たい場合には、上記レジスト膜１９の描画に適用する描画データにおいて、描画すべき開口部２１の寸法を補正すればよい。すなわち、最終的に得ようとする透光部１１の寸法Ｌ３に対して、サイドエッチングを考慮としたエッチングマージンβ（図３（Ａ）を参照）を見込み、このエッチングマージンβの分だけ開口部２１の寸法Ｌ４が小さくなるように、描画データにサイジングを施す。これにより、半透光膜１７のエッチングによって透光部１１を形成する際に、半透光膜１７にサイドエッチングが生じても、透光部１１を所望の寸法に精度良く合わせることができる。

このように本工程においては、半透光膜１７のエッチング除去により、透光部１１が形成される。ただし、本工程では半透光膜１７を完全に除去せず、この段階で一部の膜厚分を残留させることもできる。その場合は、後述の第２エッチング工程で半透光膜１７をエッチングする際に、上記残留させた膜を、同様のエッチング液によって更にエッチングし、最終的に完全に除去すればよい。

（第２レジストパターン形成工程）
第２レジストパターン形成工程では、図３（Ｃ）に示すように、上記のレジストパターン１９ｐの膜厚を最表面から所定量だけ減少させる処理（以下、「レジスト減膜処理」ともいう。）を行うことにより、レジストパターン１９ｐ’を形成する。レジストパターン１９ｐ’は、第２レジストパターンに相当するものである。レジスト減膜処理は、第１残膜部２２ではレジストが半透光膜１７を覆ったまま残存し、第２残膜部２３ではレジストが完全に除去される条件で行う。このような条件でレジスト減膜処理を行うことにより、第２残膜部２３ではレジストが除去されて開口し、この開口部分に半透光膜１７（すなわち、第２半透光部１４の形成領域）が新たに露出した状態のレジストパターン１９ｐ’が得られる。また、上述のように第２残膜部２３において、アライメントマージンαを見込んで描画データにサイジングを施した場合は、そのアライメントマージンαを見込んだ遮光膜パターン１６ｐのエッジ部分にも半透光膜１７の一部が新たに露出した状態となる。

レジスト減膜処理は、例えば、レジストパターン１９ｐに対して、アッシングなどを施すことにより行う。具体的には、例えばプラズマアッシング、あるいはオゾンアッシング（オゾンガス、又はオゾン水によるアッシング）などを適用することができる。またこれ以外にも、例えば現像液によってレジストパターン１９ｐを減膜してもよい。

（第２エッチング工程）
第２エッチング工程では、図３（Ｄ）に示すように、上記のレジスト減膜処理によって新たに露出した半透光膜１７をエッチングして、半透光膜１７の膜厚を減少させる処理（以下、「半透光膜減膜処理」ともいう。）を行う。半透光膜減膜処理では、レジストパターン１９ｐ’をマスクとして、上記と同様のエッチング剤（エッチング液）を作用させることにより、半透光膜１７の膜厚を減少させる。そして、第２半透光部１４に求められる露光光の透過率としての所望値を示す減膜量となったところで、エッチングを停止する。
なお、上述した開口部２１に露出する半透光膜１７の部分をエッチングする際に用いるエッチング剤と、本工程で半透光膜１７の部分をエッチングするのに用いるエッチング剤とは、同一のものを使用することができるが、異なるものを使用してもかまわない。

本実施形態では、半透光膜１７がＣｒ系の膜で構成されているため、Ｃｒ用のエッチング剤を用いたエッチング液を使用可能である。ただし、エッチング液の組成は、上記第１エッチング工程と第２エッチング工程で、必ずしも同一でなくてもよい。例えば、第１エッチング工程で半透光膜１７をエッチングするときのエッチングレートをＲ１とし、第２エッチング工程で半透光膜１７をエッチングするときのエッチングレートをＲ２とすると、Ｒ１＞Ｒ２の条件で半透光膜１７をエッチングすることが望ましい。これにより、半透光膜減膜処理における半透光膜１７のエッチングが相対的に遅く進行することになる。このため、半透光膜減膜処理による半透光膜１７の減膜量を目標値に対して正確に合わせることが容易になる。

上述のように２つの工程で異なるエッチングレートを実現するためには、例えば、次のような手段を用いることができる。すなわち、２つの工程で同一成分のエッチング液を用いる場合は、一方の工程で用いるエッチング液の濃度を、他方の工程で用いるエッチング液の濃度と異なるものとする。具体的には、エッチングレートを大きくする工程では、相対的に高い濃度のエッチング液を用い、エッチングレートを小さくする工程では、相対的に低い濃度のエッチング液を用いる。また、これ以外にも、各工程に用いるエッチング液の温度を異なるものとしてもよい。あるいは、各工程に用いるエッチング液の成分を一部または全部異なるものとしてもよい。さらに、エッチングレートを異ならせる手段としては、半透光膜１７の組成を、半透光膜１７の上表面側と下表面側とで異なるものとして、半透光膜１７を成膜する方法を適用してもよい。
より好ましくは、半透光膜１７の組成を均一とし、上記第１エッチング工程で用いるエッチング剤と第２エッチング工程で用いるエッチング剤の、材料又は組成比を互いに異ならせることにより、好ましくは、Ｒ２×１００＞Ｒ１＞Ｒ２×１０、更に好ましくは、Ｒ２×８０＞Ｒ１＞Ｒ２×１５となる条件で、半透光膜１７のエッチングを行うとよい。

本工程により、レジスト減膜処理前に第２残膜部２３であった部分では、透明基板１５を直接覆っている半透光膜１７だけでなく、第２半透光部１４に隣接する遮光膜１６のエッジ部分Ｅ１を覆っている半透光膜１７も一緒に減膜される。また、本工程では、半透光膜１７の減膜処理を行ったときに、減膜される部分と減膜されない部分が存在する。このうち、減膜されない半透光膜１７の部分は第１半透光膜１７ａとなり、減膜される半透光膜１７の部分は第２半透光膜１７ｂとなる。これにより、第２残膜部２３であった部分には、第２半透光膜１７ｂによって第２半透光部１４が形成される。また、第２半透光部１４に隣接する遮光膜１６上には、膜厚が異なる第１半透光膜１７ａと第２半透光膜１７ｂとが並存した状態となる。

［第２レジスト除去工程］
第２レジスト除去工程では、図３（Ｅ）に示すように、レジストパターン１９ｐ’を除去（剥離）する。これにより、第１残膜部２２であった部分には、上記半透光膜減膜処理で減膜されなかった第１半透光膜１７ａが新たに露出した状態となる。また、第１残膜部２２であった部分には、透明基板１５を直接覆う第１半透光膜１７ａによって第１半透光部１３が形成される。

以上の工程により、透光部１１、遮光部１２、第１半透光部１３及び第２半透光部１４を含む４階調の転写用パターンを備えたフォトマスク１０（図１を参照）が完成する。

このフォトマスク１０がもつ転写用パターンは、以下の構成を備えるものとなる。
すなわち、転写用パターンは、透明基板１５を露出してなる透光部１１と、透明基板１５上に第１半透光膜１７ａによって形成された第１半透光部１３と、透明基板１５上に、第１半透光部１３と同じ成分の半透光膜であって、かつ、第１半透光部１３より膜厚が小さい第２半透光膜１７ｂによって形成された第２半透光部１４と、透明基板１５に遮光膜１６と半透光膜１７がこの順に積層されてなる遮光部１２とを有し、かつ、遮光膜１６と半透光膜１７は、同じエッチング剤によってエッチングされる材料によって構成される。

なお、上述した構成のなかで、「透明基板１５上に第１半透光膜１７ａによって形成された第１半透光部１３」とは、透明基板１５上に第１半透光膜１７ａが形成され、かつ、遮光膜１６が形成されていない第１半透光部１３を意味する。同様に、「透明基板１５上に、第１半透光部１３と同じ成分の半透光膜であって、かつ、第１半透光部１３より膜厚が小さい第２半透光膜１７ｂによって形成された第２半透光部１４」とは、透明基板１５に、第１半透光部１３と同じ成分の半透光膜であって、かつ、第１半透光部１３より膜厚が小さい第２半透光膜１７ｂが形成され、なおかつ、遮光膜１６が形成されていない第２半透光部１４を意味する。

第１半透光部１３と第２半透光部１４とは、第１半透光膜１７ａと第２半透光膜１７ｂとの膜厚差に応じて、露光光の代表波長に対する光透過率が異なる。具体的には、第１半透光部１３は、第２半透光部１４よりも露光光の代表波長に対する光透過率が低くなっている。第１半透光部１３と第２半透光部１４の光透過率の差は、例えば、３〜１５％とすることができる。また、露光光の代表波長に対する第１半透光部１３の光透過率は、例えば、１５〜６０％とすることができ、第２半透光部１４の光透過率は、１８〜７５％とすることができる。

また、ここでは好ましい形態として、遮光部１２と第２半透光部１４とが隣接する部分を有している。また、第１半透光部１３と第２半透光部１４とは、両者の間に介在する遮光膜１６によって分離されている。そして、この遮光膜１６上に積層された半透光膜１７は、第１半透光部１３側に位置する第１半透光膜１７ａと第２半透光部１４側に位置する第２半透光膜１７ｂの両方を含んでいる。また、第２半透光部１４に隣接する遮光部１２を形成している遮光膜１６のエッジ部分Ｅ１には、第１半透光膜１７ａよりも膜厚が小さい第２半透光膜１７ｂが積層されており、当該遮光膜１６に隣接する第２半透光部１４にも、上記エッジ部分Ｅ１と同じ膜厚で第２半透光膜１７ｂが積層されている。また、遮光膜１６のエッジ部分Ｅ１に積層されている第２半透光膜１７ｂの寸法Ｌ５（図３（Ｄ）を参照）は、上述した描画データのサイジングに適用したアライメントマージンα（図３（Ａ）を参照）に対応する寸法となる。

また、他の好ましい形態として、第１半透光部１３と第２半透光部１４とは互いに隣接する部分を有していない。具体的には、第１半透光部１３と第２半透光部１４との間には遮光部１２（遮光膜１６）が介在し、この遮光部１２によって第１半透光部１３と第２半透光部１４とが分離されている。このような構成であれば、第１半透光部１３と遮光部１２との境界や、第２半透光部１４と遮光部１２との境界が、遮光部１２によって画定される。また、この遮光部１２は、単一の膜からなる遮光膜１６によって形成されている。このため、第２半透光部１４が遮光部１２に隣接し、この遮光部１２によって第２半透光部１４が囲まれている形態の転写用パターンに本実施形態の製造方法を適用すれば、より高くＣＤ精度を維持できるという利点が得られる。その理由は、次のとおりである。

まず、上記図３（Ａ）に示す第１レジストパターン形成工程において、第２残膜部２３を形成するための描画時の照射エネルギーは、通常の描画時に適用する照射エネルギーよりも相対的に小さくなる。このため、第１残膜部２２と第２残膜部２３との間のドーズ量の差が小さく、第２残膜部２３のレジストパターン断面の垂直性が低くなりやすい（断面の倒れが顕著になりやすい）。したがって、ＣＤを決定するためのレジストの減膜を厳密に行う必要がある。これに対して、本実施形態では、第２半透光部１４に対して、第１半透光部１３が隣接せず、遮光部１２が隣接して配置されている。このようなパターンであれば、遮光膜パターニング工程で遮光膜１６をパターニングする際に、第２半透光部１４と遮光部１２の境界が既に画定されているため、ＣＤ精度が劣化するリスクを低減することができる。このため、より高くＣＤ精度を維持できることになる。
更に、上記第１レジストパターン形成工程では、遮光膜１６をパターニングして得られる遮光膜パターン１６ｐのパターン幅内にアライメントマージンαを設定している。このため、レジスト膜１８の描画とレジスト膜１９の描画との間で生じる可能性のあるアライメントずれをアライメントマージンαによって吸収することができる。したがって、遮光部１２の領域を遮光膜１６によって正確に画定したうえで、第２半透光部１４の領域を正確に画定することができる。

また、例えば上記図１に示すように、第２半透光部１４が遮光部１２に隣接し、この遮光部１２によって第２半透光部１４が囲まれているパターンは、特にＣＤ精度を高く維持することができるため、より好ましいものとなる。

更に、本実施形態に係るフォトマスク１０の転写用パターンでは、透光部１１が第１半透光部１３に隣接し、この第１半透光部１３によって透光部１１が囲まれている。

ここで、上記図１に示す転写用パターンにおいて、第２半透光部１４に隣接する遮光部１２のうち、第２半透光部１４の両側でこれに隣接する遮光部１２の２つのパターン部分、すなわち第２半透光部１４を間に挟んで線対称な位置であって、第２半透光部１４を介して互いに対向する位置にある２つのパターン部分のパターン幅（ＣＤ）をそれぞれＷ１（μｍ）、Ｗ２（μｍ）とする。そうした場合、Ｗ１及びＷ２は、描画データの段階で同一寸法に形成（設定）している。ただし、描画データの段階では同一寸法に形成したパターンであっても、複数回の描画や、複数回のエッチングにより形成されるパターンであれば、設計どおりに同一寸法として形成することは容易でない。すなわち、複数回の描画を行う場合には、相対的なアライメントずれが生じ、このアライメントずれを完全に防止することはできない。また、複数回のエッチングを行う場合には、エッチングによってパターニングが行われた後に、更に、エッチング作用のある液との接触を受けた膜の端面が、サイドエッチングによって後退する。したがって、最終的なパターンＣＤ寸法を非対称に変動させる要素があり得ることから、上記のＷ１及びＷ２を設計どおりに同一寸法として形成することは容易ではない。

ただし、本実施形態では、上述した製造工程の説明からも明らかなとおり、遮光部１２の領域は、遮光膜１６のパターニングによって画定する。更に、半透光膜１７のパターニングにおいては、半透光膜１７のみがエッチング対象となる。このため、確定した遮光部１２のＣＤに影響が無い。したがって、設計上、上記のＷ１とＷ２が等しいパターンであるとき、被転写体上においても、Ｗ１とＷ２が実質的に等しく、たとえそれらの間に誤差（差異）が生じるとしても、｜Ｗ１−Ｗ２｜≦０．１μｍとなる。これは、例えばフォトマスク主表面の面積（表示装置製造用のフォトマスク主表面は、一辺が３００ｍｍ以上の四角形が主である）におけるパターニング面内ばらつきが生じた場合と考えられる。

＜３．第２実施形態に係るフォトマスクの構成＞
図４は本発明の第２実施形態に係るフォトマスクの構成を示すもので、（Ａ）は側断面図、（Ｂ）は平面図である。なお、図４の（Ｂ）では便宜上、（Ａ）の側断面図との対応関係が理解しやすいように、（Ａ）と同様のハッチング処理を施している。また、本実施形態では、上記第１実施形態と同様の部分に同じ符号を付し、重複する説明はできるだけ省略する。
図示したフォトマスク１０は、透光部１１と、遮光部１２と、第１半透光部１３と、第２半透光部１４とを含む４階調の転写用パターンを備えるものである。この転写用パターンは、上記第１実施形態の場合と比較して、以下の点が異なる。すなわち、第２実施形態のフォトマスク１０が備える転写用パターンでは、透光部１１に遮光部１２が隣接し、この遮光部１２によって透光部１１が囲まれている。また、透光部１１と第２半透光部１４とは、それぞれ異なる遮光部１２のパターンによって囲まれている。

＜４．第２実施形態に係るフォトマスクの製造方法＞
次に、本発明の第２実施形態に係るフォトマスクの製造方法について、図５及び図６を用いて説明する。本実施形態に係るフォトマスクの製造方法（製造工程）は、上記第１実施形態と同様に、準備工程と、遮光膜パターニング工程（レジストパターニング工程、遮光膜エッチング工程）と、第１レジスト除去工程と、半透光膜形成工程と、半透光膜パターニング工程（レジスト膜形成工程、第１レジストパターン形成工程、第１エッチング工程、第２レジストパターン形成工程、第２エッチング工程）と、第２レジスト除去工程と、を含む。以下、各工程について順に説明する。

［準備工程］
まず、準備工程では、図５（Ａ）に示すように、透明基板１５上に遮光膜１６が形成されるとともに、遮光膜１６の表面にレジスト膜１８が形成されたレジスト付のフォトマスクブランク２０を用意する。

［遮光膜パターニング工程］
次に、遮光膜１６をパターニングする遮光膜パターニング工程を行う。遮光膜パターニング工程では、レジストパターン形成工程と、遮光膜エッチング工程と、を順に行う。

（レジストパターン形成工程）
レジストパターン形成工程では、図５（Ｂ）に示すように、上記のレジスト膜１８を描画及び現像することにより、透明基板１５の遮光膜１６上にレジストパターン１８ｐを形成する。

（遮光膜エッチング工程）
遮光膜エッチング工程では、図５（Ｃ）に示すように、上記のレジストパターン１８ｐをマスクとして遮光膜１６をエッチングすることにより、透明基板１５上に遮光膜パターン１６ｐを形成する。

[第１レジスト除去工程]
第１レジスト除去工程では、図５（Ｄ）に示すように、上記のレジストパターン１８ｐを除去（剥離）する。

[半透光膜形成工程]
半透光膜形成工程では、図５（Ｅ）に示すように、主表面に遮光膜パターン１６ｐが形成された透明基板１５上に、所定の成膜方法によって半透光膜１７を形成する。

［半透光膜パターニング工程］
次に、半透光膜１７をパターニングする半透光膜パターニング工程を行う。半透光膜パターニング工程では、レジスト膜形成工程と、第１レジストパターン形成工程と、第１エッチング工程と、第２レジストパターン形成工程と、第２エッチング工程と、を順に行う。また、半透光膜パターニング工程では、実質的に半透光膜１７のみをエッチングする。

（レジスト膜形成工程）
レジスト膜形成工程では、図５（Ｆ）に示すように、半透光膜１７が形成された透明基板１５上に、半透光膜１７を覆う状態でレジスト膜１９を形成する。

ここまでの工程では、透光部１１に隣接する遮光部１２に対応する領域に遮光膜パターン１６ｐを残すように遮光膜１６をパターニングする以外は、上記第１実施形態と同様である。

（第１レジストパターン形成工程）
第１レジストパターン形成工程では、図６（Ａ）に示すように、上記のレジスト膜１９を描画及び現像することにより、レジストパターン１９ｐを形成する。レジスト膜１９は描画装置を用いて描画するが、この描画には上記第１実施形態で述べた階調描画法を適用する。これにより、図示のような段差形状をもつレジストパターン（第１レジストパターン）１９ｐが得られる。

ここで、本工程でレジスト膜１９を描画する場合と、図５（Ｂ）に示す工程でレジスト膜１８を描画する場合との間には、アライメントずれを生じる可能性がある。そこで、このアライメントずれを生じる可能性を排除するため、レジスト膜１９の描画に適用する描画データにサイジングを施す。具体的には、上記第１実施形態と同様に、遮光膜１６によって規定される第２半透光部１４の寸法に対して、アライメントマージンαを加味したサイジングを描画データに施すことにより、描画すべき第２残膜部２３の寸法Ｌ１を第２半透光部１４となる領域の寸法Ｌ２よりも大きく設定している。

また、本実施形態では、最終的に得ようとする転写用パターンにおいて、透光部１１と第１半透光部１３とが隣接する部分を有しないため、上記第１実施形態で述べたエッチングマージンβ（図３（Ａ）を参照）を加味する必要はない。ただし、透光部１１には遮光部１２が隣接している。そこで本実施形態では、遮光膜１６によって規定される透光部１１の寸法に対しても、アライメントマージンαを加味したサイジングを描画データに施すことにより、描画すべき開口部２１の寸法Ｌ６を透光部１１となる領域の寸法Ｌ７よりも大きく設定している。

（第１エッチング工程）
第１エッチング工程では、図６（Ｂ）に示すように、レジストパターン１９ｐをマスクとして半透光膜１７をエッチングする。これにより、上記の開口部２１で露出している半透光膜１７がエッチングによって除去される。その結果、開口部２１で透明基板１５が露出した状態となる。

本実施形態では、半透光膜１７が遮光膜１６と同様にＣｒ含有膜になっているため、上記の遮光膜１６のエッチングに適用したエッチング剤（エッチング液）と同成分のものを用いて、半透光膜１７をウェットエッチングすることができる。この工程でも、エッチング対象は半透光膜１７のみ（単一膜）となる。このため、エッチングの所要時間は、半透光膜１７の組成と膜厚に依存する。よって、エッチングの所要時間は、実験的にあるいはシミュレーション等によって予め求めておくことができる。

また、本実施形態では、上述したように開口部２１の寸法Ｌ６にアライメントマージンαを加味している。このため、開口部２１では、透明基板１５上に直接積層された半透光膜１７だけなく、遮光膜１６上に積層された半透光膜１７の一部もエッチングによって除去される。したがって、エッチング後は、遮光膜１６のエッジ部分Ｅ２が開口部２１に直接露出した状態となる。このエッジ部分Ｅ２の領域は、描画データのサイジングに適用したアライメントマージンαの寸法に基づいて形成される。

また、本実施形態では、遮光膜１６と半透光膜１７がいずれもＣｒを含有する膜になっている。このため、遮光膜１６のエッジ部分Ｅ２で遮光膜材料がエッチング液に接触することにより、その表面部分が僅かにエッチングされることがある。そうした場合、エッジ部分Ｅ２で遮光膜１６の表面が僅かに損傷したり、その膜厚が僅かに減少したりすることがあるが、遮光膜１６としての遮光性能には影響を与えない。また、遮光膜１６の表面がエッチングの影響を受ける場合にも、その膜厚の減少量は、エッジ部分Ｅ２以外の遮光膜１６の膜厚に対して、１／５以下である。より好ましくは１／１０００〜１／１０、更に好ましくは、１／１００〜１／１０とすることができる。

したがって、遮光膜１６が半透光膜１７のエッチング液による影響を受ける場合においても、遮光膜１６がエッチング除去されるのではなく、その膜厚の一部が減少するだけである。つまり、エッチング除去の対象となるのは半透光膜１７のみである。本発明では、このようなエッチングを含めて、実質的に単一膜のエッチングとする。このため、特許文献１に採用されているような、２つの膜を連続してエッチング除去する工程は、本発明のフォトマスクの製造方法に適用する必要がない。

ここで、対象膜をエッチングによって除去するのに要する時間を「エッチング所要時間」と定義し、遮光膜１６のエッチング所要時間をＴ１、半透光膜１７（図６（Ｄ）において減膜する前のもの）のエッチング所要時間をＴ２とすると、Ｔ１＞Ｔ２、好ましくは、Ｔ２／Ｔ１＝１／４〜１／２０であることが好ましい。このような場合は、上記のエッジ部分Ｅ２で遮光膜１６の表面が一部エッチングされても、遮光膜１６の遮光性を、より完全な状態に維持することができる。また、遮光膜１６の遮光性の維持という観点からすると、フォトマスクブランク２０における遮光膜１６の膜厚を、半透光膜１７の膜厚の５倍〜５０倍とすることが好ましい。また、遮光部１２のうち、上記のエッジ部分Ｅ２の遮光性については、遮光膜１６の光学濃度（ＯＤ）が、エッジ部分Ｅ２においても２．０以上であり、より好ましくは３．０以上、更に好ましくは４．０以上であるのがよい。

（第２レジストパターン形成工程）
第２レジストパターン形成工程では、図６（Ｃ）に示すように、上記のレジストパターン１９ｐの膜厚を最表面から所定量だけ減少させる処理（レジスト減膜処理）を行うことにより、第２レジストパターンとなるレジストパターン１９ｐ’を形成する。これにより、第２残膜部２３ではレジストが除去されて開口し、この開口部分に半透光膜１７（すなわち、第２半透光部１４の形成領域）が新たに露出した状態となる。

（第２エッチング工程）
第２エッチング工程では、図６（Ｄ）に示すように、上記のレジスト減膜処理によって新たに露出した半透光膜１７をエッチングして、半透光膜１７の膜厚を減少させる処理（半透光膜減膜処理）を行う。半透光膜減膜処理では、レジストパターン１９ｐ’をマスクとして、上記第１実施形態と同様のエッチング剤（エッチング液）を作用させることにより、半透光膜１７の膜厚を減少させる。そして、第２半透光部１４に求められる光透過率としての所望値を示す減膜量となったところで、エッチングを停止する。その際、遮光膜１６のエッジ部分Ｅ１を覆っている半透光膜１７も一緒に減膜される。これにより、半透光膜１７は、本工程で減膜されない第１半透光膜１７ａと、本工程で減膜される第２半透光膜１７ｂとに分かれる。また、第２残膜部２３であった部分には、第２半透光膜１７ｂによって第２半透光部１４が形成される。

また、本工程においては、エッジ部分Ｅ２に露出している遮光膜１６においても、エッチング液と接触することとなる。また、本実施形態では、遮光膜１６と半透光膜１７がいずれもＣｒを含有する膜であるため、同じエッチング液によってエッチングの作用を受けやすい。ただし、本工程は、半透光膜１７をエッチングによって除去するのではなく、半透光膜１７の膜厚を減少させる工程であって、エッチング時間はわずかである。このため、上記図６（Ｂ）の第１エッチング工程で受けるエッチングの影響と合わせても、遮光性能への影響は無い。

［第２レジスト除去工程］
第２レジスト除去工程では、図６（Ｅ）に示すように、レジストパターン１９ｐ’を除去（剥離）する。これにより、第１残膜部２２であった部分には、上記半透光膜減膜処理で減膜されなかった第１半透光膜１７ａが新たに露出した状態となる。また、第１残膜部２２であった部分には、透明基板１５を直接覆う第１半透光膜１７ａによって第１半透光部１３が形成される。

以上の工程により、透光部１１、遮光部１２、第１半透光部１３及び第２半透光部１４を含む４階調の転写用パターンを備えたフォトマスク１０（図４を参照）が完成する。

このフォトマスク１０がもつ転写用パターンは、上記第１実施形態と同様に、以下の構成を備えるものとなる。
すなわち、転写用パターンは、透明基板１５を露出してなる透光部１１と、透明基板１５上に第１半透光膜１７ａによって形成された第１半透光部１３と、透明基板１５上に、第１半透光部１３と同じ成分の半透光膜であって、かつ、第１半透光部１３より膜厚が小さい第２半透光膜１７ｂによって形成された第２半透光部１４と、透明基板１５に遮光膜１６と半透光膜１７がこの順に積層されてなる遮光部１２とを有し、かつ、遮光膜１６と半透光膜１７は、同じエッチング剤によってエッチングされる材料によって構成される。

また、本実施形態においても、「透明基板１５上に第１半透光膜１７ａによって形成された第１半透光部１３」とは、透明基板１５上に第１半透光膜１７ａが形成され、かつ、遮光膜１６が形成されていない第１半透光部１３を意味する。同様に、「透明基板１５上に、第１半透光部１３と同じ成分の半透光膜であって、かつ、第１半透光部１３より膜厚が小さい第２半透光膜１７ｂによって形成された第２半透光部１４」とは、透明基板１５に、第１半透光部１３と同じ成分の半透光膜であって、かつ、第１半透光部１３より膜厚が小さい第２半透光膜１７ｂが形成され、なおかつ、遮光膜１６が形成されていない第２半透光部１４を意味する。

ただし、本実施形態においては、透光部１１と第２半透光部１４がそれぞれ遮光部１２と隣接し、かつ、遮光部１２によって囲まれている点で、上記第１実施形態とは異なる。また、本実施形態のフォトマスク１０がもつ転写用パターンにおいては、第１半透光部１３と第２半透光部１４とが互いに隣接する隣接部を有していないことが好ましい。この場合は、転写用パターン上に存在する透光部１１、遮光部１２、および半透光部（１３，１４）の各々の領域が、すべて遮光膜パターニング工程によって確定される。したがって、遮光膜１６のパターニングと半透光膜１７のパターニングとの重ね合わせ（Overlay）精度が極めて高いという利点がある。

また、遮光部１２と第２半透光部１４とが隣接する部分において、遮光膜１６のエッジ部分Ｅ１には、第１半透光膜１７ａよりも膜厚が小さい第２半透光膜１７ｂが積層されており、当該遮光膜１６に隣接する第２半透光部１４にも、上記エッジ部分Ｅ１と同じ膜厚で第２半透光膜１７ｂが積層されている。また、遮光膜１６のエッジ部分Ｅ１に積層されている第２半透光膜１７ｂの寸法Ｌ５（図６（Ｄ）を参照）は、上述した描画データのサイジングに適用したアライメントマージンα（図６（Ａ）を参照）に対応する寸法となる。

一方、透光部１１に隣接する遮光部１２のエッジ部分Ｅ２においては、遮光膜１６上に積層した半透光膜１７が除去され、遮光膜１６が露出している。透光部１１と隣接する遮光部１２のエッジ部分Ｅ２では、その遮光部１２を形成する遮光膜１６の膜厚が一部減少している。この点は、上記第１実施形態と異なる。エッジ部分Ｅ２の遮光膜１６の表面は、膜厚の一部分がエッチングにより失われていてもよい。その場合であっても、エッジ部分Ｅ２を含む遮光膜１６の光学濃度（ＯＤ）は、２．０以上に維持されている。

また、本実施形態においても、第２半透光部１４に隣接する遮光部１２のパターン構成上、第２半透光部１４を間に挟んで線対称な位置であって、第２半透光部１４を介して互いに対向する位置にある２つのパターン部分のパターン幅（ＣＤ）、すなわちＷ１及びＷ２は、描画データの段階で同一寸法に形成（設定）している。そして、上記の製造工程の説明からも明らかなとおり、遮光部１２の領域は遮光膜パターニング工程によって画定している。また、半透光膜パターニング工程においては、半透光膜１７のみをエッチングの対象としている。このため、遮光膜パターニング工程で画定した遮光部１２のパターン幅Ｗ１及びＷ２は、半透光膜パターニング工程の影響を受けない。したがって、被転写体上においても、Ｗ１とＷ２が実質的に等しく、たとえそれらの間に誤差（差異）が生じるとしても、｜Ｗ１−Ｗ２｜≦０．１μｍとなる。この点は、透光部１１に隣接する遮光部１２のパターン幅Ｗ３，Ｗ４についても同様である。

＜５．第１実施形態と第２実施形態に共通する事項＞
続いて、上述した第１実施形態と第２実施形態に共通な事項について述べる。
本発明に係る４階調のフォトマスク１０において、第１半透光部１３は、第２半透光部１４よりも露光光の代表波長に対する光透過率が低く、その差は、例えば、３〜１５％とすることができる。例えば、第１半透光部１３の光透過率は、１５〜６０％、第２半透光部１４の光透過率は、１８〜７５％とすることができる。

また、本発明に係るフォトマスクの製造方法においては、すべてのエッチング工程において、実質的に単一の膜を対象にエッチング除去を実施する。このため、エッチング除去の対象となる膜のジャストエッチング時間に基づいてエッチング終点を決定することができる。すなわち、本発明に係るフォトマスクの製造方法によれば、従来の技術にみられた、エッチング終了後も膜の断面がエッチング液に曝されて、サイドエッチングによるＣＤ精度の劣化を生じる不都合が解消される。このため、本発明は、高精度品のフォトマスクを実現するうえできわめて有利である。

また、本発明に係るフォトマスクの利点として、第１半透光部１３を形成する第１半透光膜１７ａと第２半透光部１４を形成する第２半透光膜１７ｂは、もともと同じ成分の半透光膜１７であるため、同じ成膜工程において成膜されたものとすることができる。すなわち、１回の半透光膜１７の成膜によって、光透過率の異なる２つの半透光部（１３，１４）を形成することができる。その場合、成膜工程で膜厚方向に組成傾斜が生じる場合には、第１半透光部１３と第２半透光部１４において、組成比が完全に一致しないこともあるが、本発明に係るフォトマスクは、そのような場合を排除するものではない。

換言すると、本発明では、露光光透過率の異なる２種類の半透光部を形成するに際して、組成の異なる２種類の半透光膜を成膜する必要がない。また、本発明では、それぞれの半透光部に所望の光透過率を得るために、半透光膜を積層（複数回にわたって成膜）する必要がない。このため、所望の電子デバイスを製造するためのフォトマスクの設計において、第１半透光部１３及び第２半透光部１４の光透過率を自由に設定することができる。また、目標とする光透過率に適合するように第１半透光部１３及び第２半透光部１４を正確に形成することができる。

また、本発明に係るフォトマスクの製造方法によれば、膜のサイドエッチングによる寸法精度の劣化を抑止し、極めて精緻なパターン寸法をもって転写用パターンを形成することができる。その理由は、エッチング工程におけるエッチング時間に関して、それぞれの膜のジャストエッチング時間を基に、最適なエッチング終点を適用できるからである。更に、半透光膜１７のエッチング時間は短いため、面内のＣＤばらつきを抑えることができる。

また、本発明のフォトマスク１０が備える転写用パターンは、第１半透光部１３と第２半透光部１４とが互いに直接隣接せず、両者の間に遮光部１２が介在している。更に、透光部１１と第２半透光部１４とが互いに直接隣接していない。このような転写用パターンをもつフォトマスク１０を、本発明のフォトマスクの製造方法によって製造する場合は、遮光膜パターニング工程でパターニングされた遮光膜１６（遮光膜パターン１６ｐ）により、透光部１１、遮光部１２、第１半透光部１３及び第２半透光部１４の各領域が画定する。このため、複数回の描画による相対的なアライメントずれの影響を受けないものとすることができる点で好ましい。

また、本発明に係るフォトマスク１０は、透光部１１、遮光部１２、第１半透光部１３及び第２半透光部１４をもつ、４階調のフォトマスクである。もちろん、本発明の効果を妨げない限りにおいて、更に異なる階調や、位相シフタなどを備えたフォトマスクであってもよい。また、本発明の効果を妨げない範囲で、遮光膜１６、第１半透光膜１７ａ、第２半透光膜１７ｂ以外の膜、例えば、光学膜（反射防止膜や位相シフト膜など）や機能膜（エッチングマスク膜、エッチングストッパ膜など）を有していてもよい。

本発明に係るフォトマスク１０の用途には特に制限はないものの、本発明は、例えば液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置等の表示装置の製造用のフォトマスクにおいて、パターン高集積化、精細化を図るうえで有利に適用することができる。また本発明は、転写用パターンのデザインにも特に制限はない。すなわち、本発明は、上記図１及び図４に例示するホールパターンのほかにも、例えばドットパターン、ライン・アンド・スペース・パターンなどにも適用可能である。

また、本発明のフォトマスクはＣＤ精度が極めて良好であることから、本発明は、例えば、転写用パターンに含まれる最小パターンの線幅（ＣＤ）が、３μｍ以下のフォトマスクの製造に適用して有利であり、更には、最小パターンの線幅が２．５μｍ未満、より先端品としては、２μｍ未満のものにも適用可能である。なお、最小パターンの線幅は通常０．５μｍ以上である。

＜６．表示装置の製造方法＞
次に、本発明に係る表示装置の製造方法について説明する。
まず、本発明に係るフォトマスクの用途には上述したとおり制限はない。また、本発明に係るフォトマスクは、特に、複数のレイヤを積層して構成される表示装置用基板において、１枚のマスクで複数のレイヤのパターニングを可能とする、多階調のフォトマスクに有利に適用することができる。
その場合、本発明の表示装置の製造方法は、次の２つの工程を含むものとなる。すなわち、上述した本発明のフォトマスクの製造方法によって得られるフォトマスク、または本発明のフォトマスクを用意する工程と、用意したフォトマスクに露光装置を用いて露光光を照射することにより、そのフォトマスクが備える転写用パターンを被転写体上に転写する工程と、を含み、更にその他の必要な種々の工程を経ることにより、表示装置を製造することができる。

本発明のフォトマスクは、少なくとも透光部１１、遮光部１２、第１半透光部１３及び第２半透光部１４を含む４階調、またはそれ以上の多階調のフォトマスクであるため、例えばこれ１枚の使用によって２つのレイヤのパターニングが可能である。このため、例えば、本発明のフォトマスクを液晶表示装置の製造方法に適用すれば、ブラックマトリクス形成用のパターンと、メイン及びサブフォトスペーサ用のパターンを、１枚のフォトマスクの使用によって形成することができる。したがって、本発明のフォトマスクを利用することは、表示装置の生産効率を高めたりコストを低減したりする点でメリットが大きい。

また、本発明のフォトマスクは、液晶表示装置（ＬＣＤ）用、或いは平面型表示装置（ＦＰＤ）用等として知られる露光装置を用いて露光することができる。その場合の露光装置としては、例えば、ｉ線、ｈ線、およびｇ線を含む露光光を用い、開口数（ＮＡ）が０．０８〜０．１５、コヒーレントファクタ（σ）が０．７〜０．９程度の等倍光学系をもつ、等倍露光のプロジェクション露光装置を用いることができる。露光には通常照明（ゼロ次光がフォトマスクに垂直に入射する照明）が使用できるが、輪帯照明などいわゆる変形照明を適用しても良い。もちろん、これ以外にも、例えば、プロキシミティ露光用のフォトマスクとして用いることもできる。

また、多階調のフォトマスクの使用は、表示装置などのデバイスの製造に必要なフォトマスクの枚数を低減し、これによって表示装置などのデバイスを低コストで製造できることが利点であるが、本発明では、このような利点に加えて、次のような利点もある。
本発明では、４階調の転写用パターンを形成するための描画回数が２回のみであり、描画装置の占有時間が小さく、短納期で生産できるという、コストメリットが加わる。すなわち、本発明のフォトマスクは、２回の描画と現像工程のみによって形成された被ウェットエッチング断面により、各領域が確定されている。この条件下で、アライメントずれのない理想的なフォトマスクを製造できる点は、産業上大きな意義がある。

なお、本発明におけるフォトマスクは、４階調の転写用パターンを備えるものに限らず、４階調よりも多い多階調の転写用パターンを備えるものも含む。例えば、更に他の半透光膜を用いたもの、或いは、露光時に解像不可能な微細パターンを用いることによって、中間調としたものなどにおいても、本発明の効果を全部又は一部奏する限りにおいて、本発明から排除されない。

１０…フォトマスク
１１…透光部
１２…遮光部
１３…第１半透光部
１４…第２半透光部
１５…透明基板
１６…遮光膜
１７…半透光膜
１８…レジスト膜
１９…レジスト膜
２０…フォトマスクブランク

Claims (21)

1. 透明基板上に、半透光膜及び遮光膜がそれぞれパターニングされて得られた、透光部、遮光部、第１半透光部及び第２半透光部を含み、前記第１半透光部と前記第２半透光部の光透過率が互いに異なる転写用パターンを備えるフォトマスクの製造方法において、
   前記透明基板上に前記遮光膜が形成されたフォトマスクブランクを用意する準備工程と、
   前記遮光膜をパターニングして前記遮光部を形成する遮光膜パターニング工程と、
   パターニングされた前記遮光膜を含む前記透明基板上に前記半透光膜を形成する半透光膜形成工程と、
   前記半透光膜をパターニングすることにより、
   前記透明基板上に前記半透光膜が形成されてなる、前記第１半透光部と、
   前記透明基板上に、前記半透光膜が減膜されてなる、前記第１半透光部における前記半透光膜よりも膜厚の小さい半透光膜が形成された、前記第２半透光部と、
   前記透明基板が露出する前記透光部と
   を形成する半透光膜パターニング工程と、を有し、
   前記半透光膜形成工程では、前記遮光膜と同じエッチング剤によってエッチングされる材料で前記半透光膜を形成し、
   前記半透光膜パターニング工程では、実質的に前記半透光膜のみをエッチングする
   ことを特徴とする、フォトマスクの製造方法。
2. 透明基板上に、半透光膜及び遮光膜がそれぞれパターニングされて得られた、透光部、遮光部、第１半透光部及び第２半透光部を含み、前記第１半透光部と前記第２半透光部の光透過率が互いに異なる転写用パターンを備えるフォトマスクの製造方法において、
   前記透明基板上に前記遮光膜が形成されたフォトマスクブランクを用意する準備工程と、
   前記遮光膜をパターニングする遮光膜パターニング工程と、
   パターニングされた前記遮光膜を含む前記透明基板上に前記半透光膜を形成する半透光膜形成工程と、
   前記半透光膜上にレジスト膜を形成した後、前記レジスト膜を描画及び現像することにより、レジストが除去された開口部、レジストが残存する第１残膜部、及び前記第１残膜部よりもレジストが薄く残存する第２残膜部を有する第１レジストパターンであって、前記開口部が前記透光部の領域に対応し、前記第１残膜部が前記遮光部及び第１半透光部の領域に対応し、前記第２残膜部が前記第２半透光部に対応する第１レジストパターンを形成する第１レジストパターン形成工程と、
   前記第１レジストパターンをマスクとして、前記開口部に露出する前記半透光膜をエッチングする第１エッチング工程と、
   前記第１レジストパターンの膜厚を減少させることにより、前記第２残膜部に対応する領域で前記半透光膜が新たに露出する第２レジストパターンを形成する第２レジストパターン形成工程と、
   前記新たに露出した部分の前記半透光膜をエッチングして、前記半透光膜の膜厚を減少させる第２エッチング工程と、
   を有することを特徴とする、フォトマスクの製造方法。
3. 前記第１エッチング工程のエッチングレートをＲ１、前記第２エッチング工程のエッチングレートをＲ２とするとき、Ｒ１＞Ｒ２の条件を満たすことを特徴とする、請求項２に記載のフォトマスクの製造方法。
4. 前記半透光膜形成工程では、前記遮光膜と同じエッチング剤によってエッチングされる材料で前記半透光膜を形成することを特徴とする、請求項２又は３に記載のフォトマスクの製造方法。
5. 前記第１エッチング工程及び第２エッチング工程では、実質的に前記半透光膜のみをエッチングすることを特徴とする、請求項２〜４のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
6. 第１レジストパターン形成工程に含まれる描画工程は、１回の描画工程のみであることを特徴とする、請求項２〜５のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
7. 前記遮光膜と前記半透光膜は、同一の金属を含有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
8. 前記転写用パターンにおいて、前記第２半透光部と前記遮光部とが隣接することを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
9. 前記転写用パターンにおいて、前記第２半透光部は、前記遮光部に隣接して囲まれることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
10. 前記第１レジストパターン形成工程では、前記第２半透光部となる領域の寸法に対し、アライメントマージンを基にして、前記遮光部側に、寸法を大きくするサイジングを施した描画データを用いて、前記レジスト膜を描画することを特徴とする、請求項８又は９に記載のフォトマスクの製造方法。
11. 前記遮光膜のエッチング所要時間をＴ１、前記半透光膜のエッチング所要時間をＴ２とするとき、Ｔ２／Ｔ１が１／４〜１／２０であることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
12. 前記転写用パターンは、表示装置製造用のパターンであることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
13. 透明基板上に、半透光膜及び遮光膜がそれぞれパターニングされて得られた、少なくとも４階調の転写用パターンを備えるフォトマスクであって、
    前記転写用パターンは、
    前記透明基板が露出してなる透光部と、
    前記透明基板上に前記半透光膜によって形成された第１半透光部と、
    前記透明基板上に、前記半透光膜と同じ成分の半透光膜であって、かつ、前記第１半透光部より膜厚が小さい半透光膜によって形成された第２半透光部と、
    前記透明基板上に遮光膜と半透光膜がこの順に積層されてなる遮光部とを有し、
    前記遮光膜と前記半透光膜は、同じエッチング剤によってエッチングされる材料からなる、
    ことを特徴とする、フォトマスク。
14. 前記遮光部は、前記第２半透光部と隣接する部分を有するとともに、前記第２半透光部と隣接するエッジ部分に、前記第１半透光部より膜厚が薄い半透光膜が積層されていることを特徴とする、請求項１３に記載のフォトマスク。
15. 前記転写用パターンは、前記第１半透光部と前記第２半透光部とが隣接部を有していないことを特徴とする、請求項１３又は１４記載のフォトマスク。
16. 前記転写用パターンにおいて、前記第２半透光部は、前記遮光部に隣接して囲まれていることを特徴とする、請求項１３〜１５のいずれかに記載のフォトマスク。
17. 前記転写用パターンにおいて、前記第２半透光部は、前記遮光部に隣接して囲まれるとともに、前記第２半透光部に対して、対向する位置にある前記遮光部の幅をそれぞれＷ１（μｍ）、Ｗ２（μｍ）とするときに、前記Ｗ１と前記Ｗ２の差異が０．１（μｍ）以下であることを特徴とする、請求項１３〜１６のいずれかに記載のフォトマスク。
18. 前記遮光部は、前記透光部と隣接する部分を有するとともに、前記透光部と隣接するエッジ部分で前記遮光膜の膜厚が一部減少していることを特徴とする、請求項１３〜１７のいずれかに記載のフォトマスク。
19. 前記転写用パターンは、表示装置製造用のパターンであることを特徴とする、請求項１３〜１８のいずれかに記載のフォトマスク。
20. 表示装置の製造方法において、露光装置を用いて、請求項１〜１２のいずれかに記載の製造方法によるフォトマスク、又は、請求項１３〜１９のいずれかに記載のフォトマスクに露光光を照射し、前記フォトマスクが備える転写用パターンを被転写体上に転写する工程を含む、
    ことを特徴とする、表示装置の製造方法。
21. 前記露光装置を用いて前記フォトマスクに露光光を照射する場合に、ｉ線、ｈ線、およびｇ線を含む波長域の露光光を適用することを特徴とする、請求項２０に記載の表示装置の製造方法。

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