JP6333626B2 - Projection particle, conductive particle, conductive material, and connection structure - Google Patents
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Description
本発明は、コア粒子と、該コア粒子の表面上に配置された無機シェルとを備える突起粒子に関する。また、本発明は、上記突起粒子を用いた導電性粒子、導電材料及び接続構造体に関する。 The present invention relates to a projecting particle comprising a core particle and an inorganic shell disposed on the surface of the core particle. The present invention also relates to conductive particles, conductive materials, and connection structures using the protruding particles.
異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。上記異方性導電材料は、フレキシブルプリント基板(FPC)、ガラス基板、ガラスエポキシ基板及び半導体チップなどの様々な接続対象部材の電極間を電気的に接続し、接続構造体を得るために用いられている。また、上記導電性粒子として、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電層とを有する導電性粒子が用いられることがある。 Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive pastes and anisotropic conductive films are widely known. In the anisotropic conductive material, conductive particles are dispersed in a binder resin. The anisotropic conductive material is used to electrically connect electrodes of various connection target members such as a flexible printed circuit (FPC), a glass substrate, a glass epoxy substrate, and a semiconductor chip to obtain a connection structure. ing. Moreover, as the conductive particles, conductive particles having base particles and a conductive layer disposed on the surface of the base particles may be used.
上記導電性粒子に用いられる上記基材粒子の一例として、下記の特許文献1には、母体粒子の全面に、化学結合により結着している突起物を有するシリカ粒子(突起粒子)が開示されている。上記突起物は、実質上球状又は球冠状である。特許文献1では、具体的には、上記シリカ粒子においては、上記母体粒子と上記突起物との双方が、式:R1 nSi(OR2)4−nで表されるアルコキシシランに由来する組成を有することが記載されている。また、特許文献1では、上記シリカ粒子と、上記シリカ粒子の表面に形成された導電性被覆層とを有する導電性粒子も開示されている。
As an example of the base material particles used for the conductive particles, the following
下記の特許文献2では、重合性有機基を有する加水分解性シリコン化合物を必須として含むシリコン化合物群を加水分解及び縮合して重合性オルガノポリシロキサン粒子(S1)を得る工程(I)と、該重合性オルガノポリシロキサン粒子(S1)を重合して有機無機複合体粒子(P1)を得る工程(II)と、該有機無機複合体粒子(P1)に重合性モノマー(M1)を添加して有機無機複合体粒子(P2)を得る工程(III)と、該有機無機複合体粒子(P2)を重合してコアシェル型有機無機複合体粒子(P3)を得る工程(IV)とを備えるコアシェル型有機無機複合体粒子の製造方法により得られる有機無機複合体粒子が開示されている。
In the following
下記の特許文献3には、上記導電性粒子の一例として、平均粒径が1〜20μmの球状芯材粒子の表面上に、無電解めっき法によりニッケル又はニッケル合金皮膜が形成されている導電性粒子が開示されている。この導電性粒子は、上記皮膜の最表面に0.05〜4μmの微小な突起を有し、かつ上記導電性粒子では、上記皮膜と上記微小な突起とは実質的に連続皮膜である。
In
また、液晶表示素子は、2枚のガラス基板間に液晶が配置されて構成されている。該液晶表示素子では、2枚のガラス基板の間隔(ギャップ)を均一かつ一定に保つために、ギャップ制御材としてスペーサが用いられている。該スペーサとして、様々な粒子が一般に用いられている。 In addition, the liquid crystal display element is configured by disposing liquid crystal between two glass substrates. In the liquid crystal display element, a spacer is used as a gap control material in order to keep the distance (gap) between two glass substrates uniform and constant. Various particles are generally used as the spacer.
上記液晶表示素子用スペーサに用いられる粒子の一例として、下記の特許文献4には、コア粒子と、該コア粒子の表面上に形成されている単層又は多層の熱可塑性樹脂皮膜とを有し、表面に突起を有する突起粒子が開示されている。上記熱可塑性樹脂皮膜は、析出重合により形成された皮膜である。 As an example of the particles used for the spacer for the liquid crystal display element, the following Patent Document 4 has a core particle and a single-layer or multilayer thermoplastic resin film formed on the surface of the core particle. A protruding particle having a protrusion on the surface is disclosed. The thermoplastic resin film is a film formed by precipitation polymerization.
特許文献1に記載の突起粒子では、突起の強度が低く、突起が容易に外れることがある。
In the protruding particles described in
特許文献2に記載の有機無機複合体粒子は、外表面に突起を有さない。
The organic-inorganic composite particles described in
特許文献3に記載の導電性粒子では、ニッケル又はニッケル合金皮膜に突起が形成されている。しかし、上記ニッケル又はニッケル合金皮膜により被覆される球状芯材粒子は、表面に突起を有さない。
In the conductive particles described in
特許文献4に記載の突起粒子でも、突起の強度が低く、突起が容易に外れることがある。また、特許文献4では、コア粒子の表面上に、熱可塑性樹脂を用いた熱可塑性樹脂膜が形成されているにすぎない。 Even with the protruding particles described in Patent Document 4, the strength of the protrusion is low, and the protrusion may be easily detached. Moreover, in patent document 4, the thermoplastic resin film using a thermoplastic resin is only formed on the surface of a core particle.
本発明の目的は、突起の強度が高く、突起が外れるのを抑えることができる突起粒子を提供すること、並びに該突起粒子を用いた導電性粒子、導電材料及び接続構造体を提供することである。 An object of the present invention is to provide a protruding particle that has a high protrusion strength and can prevent the protrusion from coming off, and to provide a conductive particle, a conductive material, and a connection structure using the protruding particle. is there.
本発明の広い局面によれば、コア粒子と、前記コア粒子の表面上に配置された無機シェルとを備え、前記無機シェルが外表面に複数の突起を有し、前記無機シェルが、シランアルコキシドにより形成されており、前記無機シェルに含まれているケイ素原子の全個数100%中、4つの−O−Si基が直接結合しておりかつ前記4つの−O−Si基における4つの酸素原子が直接結合しているケイ素原子の個数の割合は50%以上である、突起粒子が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, a core particle and an inorganic shell disposed on a surface of the core particle are provided, the inorganic shell has a plurality of protrusions on an outer surface, and the inorganic shell is a silane alkoxide. In the total number of 100% of silicon atoms contained in the inorganic shell, four —O—Si groups are directly bonded and four oxygen atoms in the four —O—Si groups Protrusion particles are provided in which the proportion of the number of silicon atoms to which is directly bonded is 50% or more.
本発明に係る突起粒子のある特定の局面では、前記無機シェルが、シランアルコキシドを用いて、ゾルゲル法により、外表面に複数の突起を有するように形成されている。 On the specific situation with the protrusion particle | grains which concern on this invention, the said inorganic shell is formed so that it may have a some protrusion on an outer surface by the sol-gel method using a silane alkoxide.
本発明に係る突起粒子のある特定の局面では、前記突起の高さが50nm以上、500nm以下である。 On the specific situation with the protrusion particle | grains which concern on this invention, the height of the said protrusion is 50 nm or more and 500 nm or less.
本発明に係る突起粒子のある特定の局面では、前記コア粒子が有機コア粒子である。 In a specific aspect of the protruding particle according to the present invention, the core particle is an organic core particle.
本発明に係る突起粒子のある特定の局面では、前記無機シェルが、第1の無機シェル部分と、前記第1の無機シェル部分よりも厚みが厚くかつ前記無機シェルの外表面に複数の突起を形成している第2の無機シェル部分とを有し、前記第1の無機シェル部分と前記第2の無機シェル部分とが連なっている。 In a specific aspect of the protruding particle according to the present invention, the inorganic shell has a first inorganic shell portion, and a plurality of protrusions on the outer surface of the inorganic shell, the thickness being thicker than the first inorganic shell portion. A second inorganic shell portion that is formed, and the first inorganic shell portion and the second inorganic shell portion are connected to each other.
本発明に係る突起粒子は、表面上に導電層が形成され、前記導電層を有する導電性粒子を得るために用いられるか、又は液晶表示素子用スペーサとして用いられることが好ましい。 The protruding particles according to the present invention are preferably used for obtaining conductive particles having a conductive layer formed on the surface thereof and having the conductive layer, or used as spacers for liquid crystal display elements.
本発明の広い局面によれば、上述した突起粒子と、前記突起粒子の表面上に配置されており、かつ外表面に複数の突起を有する導電層とを備える、導電性粒子が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, there is provided a conductive particle comprising the above-mentioned protruding particle and a conductive layer disposed on the surface of the protruding particle and having a plurality of protrusions on the outer surface.
本発明の広い局面によれば、導電性粒子と、バインダー樹脂とを含み、前記導電性粒子が、上述した突起粒子と、前記突起粒子の表面上に配置されており、かつ外表面に複数の突起を有する導電層とを備える、導電材料が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, the conductive particles include conductive particles and a binder resin, the conductive particles are disposed on the surface of the above-described protruding particles and the protruding particles, and a plurality of outer surfaces are disposed on the outer surface. A conductive material is provided comprising a conductive layer having a protrusion.
本発明の広い局面によれば、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、前記導電性粒子が、上述した突起粒子と、前記突起粒子の表面上に配置されており、かつ外表面に複数の突起を有する導電層とを備え、前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, a first connection target member having a first electrode on the surface, a second connection target member having a second electrode on the surface, the first connection target member, and the A connection portion connecting the second connection target member, and the connection portion is formed of conductive particles or formed of a conductive material including the conductive particles and a binder resin. The conductive particles include the above-described protruding particles, and a conductive layer disposed on the surface of the protruding particles and having a plurality of protrusions on the outer surface, and the first electrode and the second electrode A connection structure is provided in which an electrode is electrically connected by the conductive particles.
本発明に係る突起粒子は、コア粒子と、上記コア粒子の表面上に配置された無機シェルとを備え、上記無機シェルが外表面に複数の突起を有し、上記無機シェルが、シランアルコキシドにより形成されており、上記無機シェルに含まれているケイ素原子の全個数100%中、4つの−O−Si基が直接結合しておりかつ上記4つの−O−Si基における4つの酸素原子が直接結合しているケイ素原子の個数の割合は50%以上であるので、突起の強度を高くし、突起が外れるのを抑えることができる。 The protruding particle according to the present invention includes a core particle and an inorganic shell disposed on the surface of the core particle, the inorganic shell has a plurality of protrusions on the outer surface, and the inorganic shell is made of silane alkoxide. In the 100% total number of silicon atoms contained in the inorganic shell, four —O—Si groups are directly bonded, and four oxygen atoms in the four —O—Si groups are Since the ratio of the number of silicon atoms directly bonded is 50% or more, the strength of the protrusion can be increased and the protrusion can be suppressed.
以下、本発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
(突起粒子)
本発明に係る突起粒子は、コア粒子と、上記コア粒子の表面上に配置された無機シェルとを備える。上記無機シェルは、外表面に複数の突起を有する。上記無機シェルは、シランアルコキシドにより形成されている。上記無機シェルに含まれているケイ素原子の全個数100%中、4つの−O−Si基が直接結合しておりかつ上記4つの−O−Si基における4つの酸素原子が直接結合しているケイ素原子の個数の割合は50%以上である。
(Projection particles)
The protruding particle according to the present invention includes a core particle and an inorganic shell disposed on the surface of the core particle. The inorganic shell has a plurality of protrusions on the outer surface. The inorganic shell is made of silane alkoxide. In 100% of the total number of silicon atoms contained in the inorganic shell, four —O—Si groups are directly bonded, and four oxygen atoms in the four —O—Si groups are directly bonded. The ratio of the number of silicon atoms is 50% or more.
本発明に係る突起粒子では、上述した構成が備えられているので、突起の強度を高くし、突起が過度に外れるのを抑えることができる。上記ケイ素原子の個数の割合が50%以上であれば、ケイ素原子の個数の割合が50%未満である場合と比べて、突起がかなり外れにくくなる。 Since the protrusion particle | grains which concern on this invention are provided with the structure mentioned above, the intensity | strength of protrusion can be made high and it can suppress that protrusion protrudes excessively. If the ratio of the number of silicon atoms is 50% or more, the protrusions are considerably less likely to come off than when the ratio of the number of silicon atoms is less than 50%.
例えば、上記突起粒子を液晶表示素子用スペーサとして用いた場合に、得られる液晶表示素子において、液晶表示素子用スペーサから外れた突起(無機シェルの破片)が液晶内に含まれ難く、得られる液晶表示素子の表示品質をより一層良好にすることができる。 For example, when the protruding particles are used as a spacer for a liquid crystal display element, in the liquid crystal display element to be obtained, protrusions (inorganic shell fragments) that are separated from the spacer for the liquid crystal display element are hardly included in the liquid crystal, and the obtained liquid crystal The display quality of the display element can be further improved.
上記突起粒子の表面に導電層を形成して導電性粒子を得た場合に、導電層の突起の強度も高くなることから、得られた導電性粒子を用いて電極間を電気的に接続した場合に、電極と導電層とをより一層確実に接触させることができる。また、導電層の表面及び電極の表面に酸化膜が形成されている場合に、上記無機シェルの突起に由来して、上記酸化膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子の導電層とをより一層確実に接触させることができ、電極間の接続抵抗を低くすることができる。さらに、導電性粒子が表面に絶縁性物質を備える場合に、又は導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されて導電材料として用いられる場合に、上記無機シェルの突起に由来して、導電性粒子と電極との間の絶縁性物質又はバインダー樹脂を効果的に排除できる。このため、電極間の導通信頼性を高めることができる。 When a conductive layer is formed on the surface of the protruding particle to obtain a conductive particle, the strength of the protrusion of the conductive layer is increased, so that the electrodes are electrically connected using the obtained conductive particle. In this case, the electrode and the conductive layer can be more reliably brought into contact with each other. Further, when an oxide film is formed on the surface of the conductive layer and the surface of the electrode, the oxide film is effectively excluded due to the protrusions of the inorganic shell. For this reason, an electrode and the conductive layer of electroconductive particle can be contacted still more reliably, and the connection resistance between electrodes can be made low. Furthermore, when the conductive particles have an insulating material on the surface, or when the conductive particles are dispersed in a binder resin and used as a conductive material, the conductive particles are derived from the protrusions of the inorganic shell, An insulating material or binder resin between the electrodes can be effectively eliminated. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability between electrodes can be improved.
上記突起粒子の用途は特に限定されない。上記突起粒子は、様々な用途に好適に用いられる。上記突起粒子は、表面上に導電層が形成され、上記導電層を有する導電性粒子を得るために用いられるか、又は液晶表示素子用スペーサとして用いられることが好ましい。上記突起粒子は、表面上に導電層が形成され、上記導電層を有する導電性粒子を得るために用いられることが好ましい。上記突起粒子は、液晶表示素子用スペーサとして用いられることが好ましい。 The application of the protruding particles is not particularly limited. The protruding particles are suitably used for various applications. The protruding particles are preferably used to obtain conductive particles having a conductive layer formed on the surface and having the conductive layer, or used as spacers for liquid crystal display elements. The protruding particles are preferably used for obtaining conductive particles having a conductive layer formed on the surface and having the conductive layer. The protruding particles are preferably used as a spacer for a liquid crystal display element.
さらに、上記突起粒子は、無機充填材、トナーの添加剤、衝撃吸収剤又は振動吸収剤としても好適に用いられる。例えば、ゴム又はバネ等の代替品として、上記突起粒子を用いることができる。 Furthermore, the protruding particles are also suitably used as an inorganic filler, a toner additive, a shock absorber or a vibration absorber. For example, the protruding particles can be used as a substitute for rubber or a spring.
シランアルコキシドを用いて突起を形成するために、ゾルゲル法を用いることが好ましい。上記無機シェルは、シランアルコキシドを用いて、ゾルゲル法により、外表面に複数の突起を有するように形成されていることが好ましい。 In order to form protrusions using silane alkoxide, it is preferable to use a sol-gel method. The inorganic shell is preferably formed using a silane alkoxide so as to have a plurality of protrusions on the outer surface by a sol-gel method.
上記突起の高さは、好ましくは10nm以上、好ましくは1000nm以下、より好ましくは500nm以下である。上記突起の高さは、50nm以上、500nm以下であることがより好ましい。上記突起の高さは、50nm以上、200nm以下であることが更に好ましい。上記突起の高さが上記下限以上であると、突起があることによる効果が、突起がない場合と比べて、より一層効果的に得られる。上記突起の高さが上記上限以下であると、突起がより一層外れにくくなる。 The height of the protrusion is preferably 10 nm or more, preferably 1000 nm or less, more preferably 500 nm or less. The height of the protrusion is more preferably 50 nm or more and 500 nm or less. The height of the protrusion is more preferably 50 nm or more and 200 nm or less. When the height of the protrusion is equal to or more than the lower limit, the effect due to the presence of the protrusion can be obtained more effectively than in the case where there is no protrusion. When the height of the protrusion is not more than the above upper limit, the protrusion is more difficult to come off.
上記突起の高さは、突起粒子における複数の突起の高さの平均である。上記突起の高さは、突起がない無機シェル部分を基準としたときに、1つの突起がある無機シェル部分の隆起している高さの最大値を測定することにより求めることができる。上記突起の高さは、走査型電子顕微鏡により確認することができる。 The height of the protrusion is an average of the heights of the plurality of protrusions in the protrusion particle. The height of the protrusion can be obtained by measuring the maximum height of the raised height of the inorganic shell portion with one protrusion, based on the inorganic shell portion without the protrusion. The height of the protrusion can be confirmed with a scanning electron microscope.
上記突起の個数は、突起粒子1個の表面上において、好ましくは10個以上存在しており、より好ましくは50個以上、更に好ましくは90個以上存在している。上記突起の個数は、走査型電子顕微鏡により確認することができる。 The number of the protrusions is preferably 10 or more, more preferably 50 or more, and still more preferably 90 or more on the surface of one protrusion particle. The number of the protrusions can be confirmed with a scanning electron microscope.
上記突起の形状は特に限定されない。上記突起の形状は、球体の一部の形状、回転楕円体の一部の形状、円錐状、円柱状、角錘状及び角柱状等が挙げられる。 The shape of the protrusion is not particularly limited. Examples of the shape of the protrusion include a part of a sphere, a part of a spheroid, a cone, a cylinder, a pyramid, and a prism.
上記無機シェルが、第1の無機シェル部分と、上記第1の無機シェル部分よりも厚みが厚くかつ上記無機シェルの外表面に複数の突起を形成している第2の無機シェル部分とを有し、上記第1の無機シェル部分と上記第2の無機シェル部分とが連なっていることが好ましい。この場合には、突起が外れるのをより一層抑えることができる。 The inorganic shell has a first inorganic shell portion and a second inorganic shell portion that is thicker than the first inorganic shell portion and has a plurality of protrusions formed on the outer surface of the inorganic shell. The first inorganic shell portion and the second inorganic shell portion are preferably continuous. In this case, it is possible to further suppress the protrusion from coming off.
上記無機シェルの厚みの、上記コア粒子の半径に対する比(無機シェルの厚み/コア粒子の半径)は好ましくは0.05以上、より好ましくは0.1以上、更に好ましくは0.15以上、好ましくは0.7以下、より好ましくは0.65以下、更に好ましくは0.6以下である。上記比が上記下限以上及び上記上限以下であると、突起粒子の10%K値を十分に高くすることができ、電極間の接続抵抗を低くすることができ、絶縁信頼性を高くすることができる。 The ratio of the thickness of the inorganic shell to the radius of the core particle (the thickness of the inorganic shell / the radius of the core particle) is preferably 0.05 or more, more preferably 0.1 or more, still more preferably 0.15 or more, preferably Is 0.7 or less, more preferably 0.65 or less, and still more preferably 0.6 or less. When the ratio is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the 10% K value of the protruding particles can be sufficiently increased, the connection resistance between the electrodes can be decreased, and the insulation reliability can be increased. it can.
上記突起粒子を10%圧縮変形したときの圧縮弾性率(10%K値)は、好ましくは2000N/mm2以上、より好ましくは3000N/mm2以上、更に好ましくは4000mN/mm2以上、特に好ましくは5000N/mm2以上、最も好ましくは6000N/mm2以上、好ましくは15000N/mm2以下、より好ましくは10000N/mm2以下、更に好ましくは8500N/mm2以下である。上記10%K値が上記下限以上及び上記上限以下である突起粒子は、良好な圧縮変形特性を有する。上記10%K値は、50000N/mm2以下であってもよい。 The compression elastic modulus (10% K value) when the protruding particles are 10% compressively deformed is preferably 2000 N / mm 2 or more, more preferably 3000 N / mm 2 or more, still more preferably 4000 mN / mm 2 or more, particularly preferably. the 5000N / mm 2 or more, and most preferably 6000 N / mm 2 or more, preferably 15000 N / mm 2 or less, more preferably 10000 N / mm 2, more preferably not more than 8500N / mm 2. The protruding particles having the 10% K value of not less than the above lower limit and not more than the above upper limit have good compression deformation characteristics. The 10% K value may be 50000 N / mm 2 or less.
上記突起粒子を30%圧縮変形したときの圧縮弾性率(30%K値)は、好ましくは300N/mm2以上、より好ましくは600N/mm2以上、更に好ましくは800N/mm2以上、特に好ましくは1000N/mm2以上、好ましくは5000N/mm2以下、より好ましくは4500N/mm2以下、更に好ましくは4000N/mm2以下である。上記30%K値が上記下限以上及び上記上限以下である突起粒子は、良好な圧縮変形特性を有する。 The compression modulus upon 30% compression deformation of the projection particles (30% K value) is preferably 300N / mm 2 or more, more preferably 600N / mm 2 or more, more preferably 800 N / mm 2 or more, particularly preferably it is 1000 N / mm 2 or more, preferably 5000N / mm 2 or less, more preferably 4500N / mm 2, more preferably not more than 4000 N / mm 2. The protruding particles having the 30% K value of not less than the above lower limit and not more than the above upper limit have good compression deformation characteristics.
良好な圧縮変形特性が得られることから、上記突起粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率(10%K値)の、上記突起粒子を30%圧縮したときの圧縮弾性率(30%K値)に対する比(10%K値/30%K値)は好ましくは1以上、より好ましくは1.3以上、更に好ましくは1.8以上、特に好ましくは2.0以上、好ましくは10.0以下、より好ましくは5.0以下、更に好ましくは4.4以下である。 Since good compression deformation characteristics can be obtained, the compression elastic modulus (10% K value) when the protruding particles are compressed by 10%, and the compression elastic modulus (30% K value) when the protruding particles are compressed by 30%. ) (10% K value / 30% K value) is preferably 1 or more, more preferably 1.3 or more, still more preferably 1.8 or more, particularly preferably 2.0 or more, preferably 10.0 or less. More preferably, it is 5.0 or less, More preferably, it is 4.4 or less.
上記突起粒子における上記圧縮弾性率(10%K値及び30%K値)は、以下のようにして測定できる。 The compression elastic modulus (10% K value and 30% K value) of the protruding particles can be measured as follows.
微小圧縮試験機を用いて、円柱(直径100μm、ダイヤモンド製)の平滑圧子端面で、25℃、圧縮速度0.3mN/秒、及び最大試験荷重20mNの条件下で突起粒子を圧縮する。このときの荷重値(N)及び圧縮変位(mm)を測定する。得られた測定値から、上記圧縮弾性率を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」等が用いられる。 Using a micro-compression tester, the projecting particles are compressed under the conditions of a cylindrical indenter (diameter: 100 μm, made of diamond) and a smooth indenter at 25 ° C., a compression rate of 0.3 mN / sec, and a maximum test load of 20 mN. The load value (N) and compression displacement (mm) at this time are measured. From the measured value obtained, the compression elastic modulus can be obtained by the following formula. As the micro compression tester, for example, “Fischer Scope H-100” manufactured by Fischer is used.
K値(N/mm2)=(3/21/2)・F・S−3/2・R−1/2
F:突起粒子が10%又は30%圧縮変形したときの荷重値(N)
S:突起粒子が10%又は30%圧縮変形したときの圧縮変位(mm)
R:突起粒子の半径(mm)
K value (N / mm 2 ) = (3/2 1/2 ) · F · S −3 / 2 · R −1/2
F: Load value (N) when the protruding particles are 10% or 30% compressively deformed
S: Compression displacement (mm) when the protruding particles are 10% or 30% compressively deformed
R: Radius of projection particle (mm)
上記圧縮弾性率は、突起粒子の硬さを普遍的かつ定量的に表す。上記圧縮弾性率の使用により、突起粒子の硬さを定量的かつ一義的に表すことができる。 The compression elastic modulus universally and quantitatively represents the hardness of the protruding particles. By using the compression modulus, the hardness of the protruding particles can be expressed quantitatively and uniquely.
上記コア粒子100重量%中、上記コア粒子に含まれるケイ素原子の含有量は好ましくは10重量%以下、より好ましくは5重量%以下である。上記コア粒子は、ケイ素原子を含んでいなくてもよい。上記コア粒子はケイ素原子を含まないことが好ましい。上記コア粒子100重量%中、上記コア粒子に含まれる炭素原子の含有量は好ましくは50重量%以上、より好ましくは60重量%以上、更に好ましくは65重量%以上である。上記コア粒子におけるケイ素原子の含有量が少ないほど、また上記コア粒子における炭素原子の含有量が多いほど、突起が硬くても、コア粒子に由来して突起粒子自体の柔軟性はより一層高くなる。 In 100% by weight of the core particles, the content of silicon atoms contained in the core particles is preferably 10% by weight or less, more preferably 5% by weight or less. The core particles may not contain silicon atoms. The core particles preferably do not contain silicon atoms. In 100% by weight of the core particles, the content of carbon atoms contained in the core particles is preferably 50% by weight or more, more preferably 60% by weight or more, and still more preferably 65% by weight or more. The lower the silicon atom content in the core particle and the higher the carbon atom content in the core particle, the higher the flexibility of the protruding particle itself derived from the core particle, even if the protrusion is hard. .
上記無機シェル100重量%中、上記無機シェルに含まれるケイ素原子の含有量は好ましくは50重量%以上、より好ましくは54重量%以上、更に好ましくは56重量%以上である。上記無機シェル100重量%中、上記無機シェルに含まれる炭素原子の含有量は好ましくは30重量%以下、より好ましくは20重量%以下、更に好ましくは10重量%以下である。上記無機シェルは炭素原子を含まないことが好ましい。上記無機シェルにおけるケイ素原子の含有量が多いほど、また上記無機シェルにおける炭素原子の含有量が少ないほど、無機シェルに由来して圧縮初期の硬さがより一層良好になる。 In 100% by weight of the inorganic shell, the content of silicon atoms contained in the inorganic shell is preferably 50% by weight or more, more preferably 54% by weight or more, and further preferably 56% by weight or more. In 100% by weight of the inorganic shell, the content of carbon atoms contained in the inorganic shell is preferably 30% by weight or less, more preferably 20% by weight or less, and still more preferably 10% by weight or less. The inorganic shell preferably does not contain carbon atoms. The higher the silicon atom content in the inorganic shell and the lower the carbon atom content in the inorganic shell, the better the hardness at the initial compression due to the inorganic shell.
上記突起粒子におけるコア粒子及び無機シェル中でのケイ素原子及び炭素原子の含有量は、TEM/EDS法による線分析により測定することができる。 Content of the silicon atom and the carbon atom in the core particle and the inorganic shell in the protruding particle can be measured by a line analysis by a TEM / EDS method.
上記コア粒子としては、金属コア粒子を除く無機コア粒子、有機コア粒子及び金属コア粒子等が挙げられる。上記コア粒子は、金属コア粒子を除くコア粒子であることが好ましく、金属コア粒子を除く無機コア粒子又は有機コア粒子であることが好ましい。 Examples of the core particles include inorganic core particles excluding metal core particles, organic core particles, and metal core particles. The core particles are preferably core particles excluding metal core particles, and are preferably inorganic core particles or organic core particles excluding metal core particles.
上記コア粒子は、有機コア粒子であることが好ましい。上記有機コア粒子の使用により、突起が硬くても、コア粒子に由来して突起粒子自体の柔軟性はより一層高くなる。さらに、導電性粒子により接続された電極間の接続抵抗がより一層低くなり、かつ液晶表示素子用スペーサが用いられた液晶表示素子の表示品質がより一層良好になる。 The core particles are preferably organic core particles. By using the organic core particles, even when the protrusions are hard, the protrusion particles themselves are more flexible due to the core particles. Furthermore, the connection resistance between the electrodes connected by the conductive particles is further reduced, and the display quality of the liquid crystal display element using the liquid crystal display element spacer is further improved.
上記有機コア粒子を形成するための材料として、種々の有機物が好適に用いられる。上記有機コア粒子を形成するための材料として、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂;ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂;ポリアルキレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を1種もしくは2種以上重合させて得られる重合体等が用いられる。柔軟性がより一層高くなることから、上記有機コア粒子は、エチレン性不飽和基を有する単量体を用いて、該エチレン性不飽和基を有する単量体を重合させることにより形成されていることが好ましい。エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を1種もしくは2種以上重合させることにより、導電材料に適した任意の圧縮時の物性を有する突起粒子を設計及び合成することが容易である。 Various organic materials are suitably used as a material for forming the organic core particles. Examples of materials for forming the organic core particles include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene, and polybutadiene; acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; Polymerize one or more of alkylene terephthalate, polysulfone, polycarbonate, polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, and various polymerizable monomers having ethylenically unsaturated groups. The polymer obtained by the above is used. Since the flexibility becomes even higher, the organic core particle is formed by polymerizing the monomer having an ethylenically unsaturated group using the monomer having an ethylenically unsaturated group. It is preferable. By polymerizing one or more of various polymerizable monomers having an ethylenically unsaturated group, it is easy to design and synthesize protruding particles having any compression property suitable for conductive materials. is there.
上記有機コア粒子を、エチレン性不飽和基を有する単量体を重合させて得る場合には、上記エチレン性不飽和基を有する単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。 When the organic core particle is obtained by polymerizing a monomer having an ethylenically unsaturated group, the monomer having the ethylenically unsaturated group may be a non-crosslinkable monomer or a crosslinkable monomer. Monomer.
上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体;(メタ)アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体;メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート類;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレン(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート等の酸素原子含有(メタ)アクリレート類;(メタ)アクリロニトリル等のニトリル含有単量体;メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類;酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類;エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素;トリフルオロメチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。 Examples of the non-crosslinkable monomer include styrene monomers such as styrene and α-methylstyrene; carboxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride; (Meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl ( Alkyl (meth) acrylates such as meth) acrylate and isobornyl (meth) acrylate; oxygen such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, polyoxyethylene (meth) acrylate and glycidyl (meth) acrylate (Meth) acrylates; nitrile-containing monomers such as (meth) acrylonitrile; vinyl ethers such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, propyl vinyl ether; vinyl acids such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate, vinyl stearate Esters; Unsaturated hydrocarbons such as ethylene, propylene, isoprene and butadiene; Halogen-containing monomers such as trifluoromethyl (meth) acrylate, pentafluoroethyl (meth) acrylate, vinyl chloride, vinyl fluoride and chlorostyrene Is mentioned.
上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)テトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート類;トリアリル(イソ)シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。 Examples of the crosslinkable monomer include tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, tetramethylolmethane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, and dipenta Erythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) Polyfunctional (meth) acrylates such as acrylate, (poly) tetramethylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate; triallyl (iso) cyanure And silane-containing monomers such as triallyl trimellitate, divinylbenzene, diallyl phthalate, diallylacrylamide, diallyl ether, γ- (meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene, vinyltrimethoxysilane It is done.
上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記有機コア粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。 The organic core particles can be obtained by polymerizing the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group by a known method. Examples of this method include a method of suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator, and a method of polymerizing by swelling a monomer together with a radical polymerization initiator using non-crosslinked seed particles.
無機シェルの形成時及び突起粒子の使用時にコア粒子の変形を抑制する観点からは、上記コア粒子の分解温度は、好ましくは200℃を超え、より好ましくは250℃を超え、より一層好ましくは300℃を超える。上記コア粒子の分解温度は、400℃を超えていてもよく、500℃を超えていてもよく、600℃を超えていてもよく、800℃を超えていてもよい。 From the viewpoint of suppressing deformation of the core particles during the formation of the inorganic shell and the use of the protruding particles, the decomposition temperature of the core particles is preferably more than 200 ° C, more preferably more than 250 ° C, and even more preferably 300. Over ℃. The decomposition temperature of the core particles may exceed 400 ° C., may exceed 500 ° C., may exceed 600 ° C., and may exceed 800 ° C.
上記コア粒子のアスペクト比は、好ましくは2以下、より好ましくは1.5以下、更に好ましくは1.2以下である。上記アスペクト比は、長径/短径を示す。 The aspect ratio of the core particles is preferably 2 or less, more preferably 1.5 or less, and still more preferably 1.2 or less. The aspect ratio indicates a major axis / minor axis.
上記コア粒子の粒径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上、好ましくは500μm以下、より好ましくは100μm以下、更に好ましくは50μm以下、特に好ましくは20μm以下、最も好ましくは10μm以下である。上記コア粒子の粒径が上記下限以上及び上記上限以下であると、10%K値及び30%K値がより一層好適な値を示し、突起粒子を導電性粒子及び液晶表示素子用スペーサの用途に好適に使用可能になる。例えば、上記コア粒子の粒径が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が充分に大きくなり、かつ導電層を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電層が突起粒子の表面から剥離し難くなる。 The particle diameter of the core particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 500 μm or less, more preferably 100 μm or less, still more preferably 50 μm or less, particularly preferably 20 μm or less, and most preferably 10 μm or less. is there. When the particle diameter of the core particle is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the 10% K value and the 30% K value show even more suitable values, and the projection particles are used as conductive particles and spacers for liquid crystal display elements. Can be suitably used. For example, when the particle diameter of the core particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, when the electrodes are connected using the conductive particles, the contact area between the conductive particles and the electrode is sufficiently large, And it becomes difficult to form the agglomerated conductive particles when forming the conductive layer. Further, the interval between the electrodes connected via the conductive particles does not become too large, and the conductive layer is difficult to peel from the surface of the protruding particles.
上記コア粒子の粒径は、上記コア粒子が真球状である場合には直径を意味し、上記コア粒子が真球状以外の形状である場合には最大径を意味する。また、本発明において、粒径とは、コア粒子を走査型電子顕微鏡を用いて観察し、任意に選択した50個のコア粒子の粒径をノギスで測定した平均値を意味する。 The particle diameter of the core particle means a diameter when the core particle is a true sphere, and means a maximum diameter when the core particle is a shape other than a true sphere. Moreover, in this invention, a particle size means the average value which observed the core particle using the scanning electron microscope, and measured the particle size of 50 core particles selected arbitrarily with a caliper.
上記突起粒子は、コアシェル粒子である。上記無機シェルは、上記コア粒子の表面上に配置されている。上記無機シェルは、上記コア粒子の表面を被覆していることが好ましい。 The protruding particles are core-shell particles. The inorganic shell is disposed on the surface of the core particle. The inorganic shell preferably covers the surface of the core particle.
上記無機シェルは、上記コア粒子の表面上で、シランアルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。ゾルゲル法では、上記コア粒子の表面上にシェル状物を配置することが容易である。上記焼成を行う場合に、上記突起粒子では、焼成後に、上記コア粒子は、揮発等により除去されずに、残存している。上記突起粒子は、焼成後に、上記コア粒子を備える。なお、仮に焼成後に上記コア粒子が揮発等により除去されると、上記10%K値がかなり低くなる。 The inorganic shell is preferably formed on the surface of the core particle by making silane alkoxide into a shell-like material by a sol-gel method and then firing the shell-like material. In the sol-gel method, it is easy to dispose a shell-like material on the surface of the core particle. When the firing is performed, in the projecting particles, after the firing, the core particles remain without being removed by volatilization or the like. The protruding particles include the core particles after firing. If the core particles are removed by volatilization or the like after firing, the 10% K value becomes considerably low.
上記ゾルゲル法の具体的な方法としては、コア粒子、水やアルコール系及び非プロトン系等の溶媒、界面活性剤、及びアンモニア水溶液等の触媒を含む分散液に、シランアルコキシドを共存させて界面ゾル反応を行う方法、並びに水やアルコール系及び非プロトン系等の溶媒、及びアンモニア水溶液と共存させたシランアルコキシドによりゾルゲル反応を行った後、コア粒子にゾルゲル反応物をヘテロ凝集させる方法等が挙げられる。上記ゾルゲル法において、上記シランアルコキシドは、加水分解及び重縮合することが好ましい。 As a specific method of the sol-gel method, an interfacial sol is prepared by coexisting a silane alkoxide in a dispersion containing core particles, a solvent such as water, alcohol and aprotic, a surfactant, and a catalyst such as an aqueous ammonia solution. Examples include a method of performing a reaction and a method of heteroaggregating a sol-gel reactant on core particles after performing a sol-gel reaction with a silane alkoxide coexisting with water, an alcohol-based or aprotic solvent, and an aqueous ammonia solution. . In the sol-gel method, the silane alkoxide is preferably hydrolyzed and polycondensed.
上記ゾルゲル法では、界面活性剤を用いることが好ましい。界面活性剤の存在下で、上記シランアルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物にすることが好ましい。上記界面活性剤は特に限定されない。上記界面活性剤は、良好なシェル状物を形成するように適宜選択して用いられる。上記界面活性剤としては、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤及びノニオン性界面活性剤等が挙げられる。なかでも、良好な無機シェルを形成できることから、カチオン性界面活性剤が好ましい。 In the sol-gel method, it is preferable to use a surfactant. In the presence of a surfactant, the silane alkoxide is preferably made into a shell by a sol-gel method. The surfactant is not particularly limited. The surfactant is appropriately selected and used so as to form a good shell. Examples of the surfactant include a cationic surfactant, an anionic surfactant, and a nonionic surfactant. Among these, a cationic surfactant is preferable because a good inorganic shell can be formed.
上記カチオン性界面活性剤としては、4級アンモニウム塩及び4級ホスホニウム塩等が挙げられる。上記カチオン性界面活性剤の具体例としては、ヘキサデシルアンモニウムブロミド等が挙げられる。 Examples of the cationic surfactant include quaternary ammonium salts and quaternary phosphonium salts. Specific examples of the cationic surfactant include hexadecyl ammonium bromide.
上記コア粒子の表面上で、上記無機シェルを形成するために、上記シェル状物は焼成されることが好ましい。焼成条件により、無機シェルにおける架橋度を調整可能である。また、焼成を行うことで、焼成を行わない場合と比べて、上記突起粒子の10%K値及び30%K値がより一層好適な値を示すようになる。特に架橋度を高めることで、10%K値を十分に高くすることができる。 In order to form the inorganic shell on the surface of the core particle, the shell-like material is preferably fired. The degree of crosslinking in the inorganic shell can be adjusted by the firing conditions. In addition, by performing the firing, the 10% K value and the 30% K value of the above-mentioned protruding particles show even more suitable values as compared with the case where the firing is not performed. In particular, the 10% K value can be sufficiently increased by increasing the degree of crosslinking.
上記無機シェルは、上記コア粒子の表面上で、シランアルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を100℃以上(焼成温度)で焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記焼成温度はより好ましくは150℃以上、更に好ましくは200℃以上である。上記焼成温度が上記下限以上であると、無機シェルにおける架橋度がより一層適度になり、10%K値及び30%K値がより一層好適な値を示し、突起粒子を導電性粒子及び液晶表示素子用スペーサの用途により一層好適に使用可能になる。 The inorganic shell is preferably formed by forming a silane alkoxide into a shell-like material by a sol-gel method on the surface of the core particle and then firing the shell-like material at 100 ° C. or higher (firing temperature). . The firing temperature is more preferably 150 ° C. or higher, and further preferably 200 ° C. or higher. When the firing temperature is equal to or higher than the lower limit, the degree of crosslinking in the inorganic shell becomes more appropriate, and the 10% K value and the 30% K value show even more suitable values. It can be used more suitably depending on the use of the element spacer.
上記無機シェルは、上記コア粒子の表面上で、シランアルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を上記コア粒子の分解温度以下(焼成温度)で焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記焼成温度は、上記コア粒子の分解温度よりも5℃以上低い温度であることが好ましく、上記コア粒子の分解温度よりも10℃以上低い温度であることがより好ましい。また、上記焼成温度は、好ましくは800℃以下、より好ましくは600℃以下、更に好ましくは500℃以下である。上記焼成温度が上記上限以下であると、上記コア粒子の熱劣化及び変形を抑制でき、10%K値及び30%K値が良好な値を示す突起粒子が得られる。 The inorganic shell is formed on the surface of the core particle by making silane alkoxide into a shell-like material by a sol-gel method and then firing the shell-like material at a temperature lower than the decomposition temperature (firing temperature) of the core particle. Preferably it is. The firing temperature is preferably 5 ° C. or more lower than the decomposition temperature of the core particles, and more preferably 10 ° C. or more lower than the decomposition temperature of the core particles. Moreover, the said calcination temperature becomes like this. Preferably it is 800 degrees C or less, More preferably, it is 600 degrees C or less, More preferably, it is 500 degrees C or less. When the calcination temperature is not more than the above upper limit, thermal deterioration and deformation of the core particles can be suppressed, and protruding particles exhibiting favorable values of 10% K value and 30% K value are obtained.
良好な無機シェルを形成するために、シランアルコキシドが用いられる。上記シランアルコキシドは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Silane alkoxides are used to form a good inorganic shell. As for the said silane alkoxide, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
良好な無機シェルを形成する観点からは、上記シランアルコキシドは、下記式(1A)で表されるシランアルコキシドであることが好ましい。 From the viewpoint of forming a good inorganic shell, the silane alkoxide is preferably a silane alkoxide represented by the following formula (1A).
Si(R1)n(OR2)4−n ・・・式(1A) Si (R1) n (OR2) 4-n Formula (1A)
上記式(1A)中、R1はフェニル基、炭素数1〜30のアルキル基、重合性二重結合を有する炭素数1〜30の有機基又はエポキシ基を有する炭素数1〜30の有機基を表し、R2は炭素数1〜6のアルキル基を表し、nは0〜2の整数を表す。nが2であるとき、複数のR1は同一であってもよく、異なっていてもよい。複数のR2は同一であってもよく、異なっていてもよい。無機シェルに含まれるケイ素原子の含有量を効果的に高めるために、上記式(1A)中のnは0又は1を表すことが好ましく、0を表すことがより好ましい。無機シェルに含まれるケイ素原子の含有量が高いと、本発明の効果により一層優れる。 In the above formula (1A), R1 represents a phenyl group, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an organic group having 1 to 30 carbon atoms having a polymerizable double bond, or an organic group having 1 to 30 carbon atoms having an epoxy group. R2 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and n represents an integer of 0 to 2. When n is 2, the plurality of R1s may be the same or different. Several R2 may be the same and may differ. In order to effectively increase the content of silicon atoms contained in the inorganic shell, n in the above formula (1A) preferably represents 0 or 1, and more preferably represents 0. When the content of silicon atoms contained in the inorganic shell is high, the effect of the present invention is more excellent.
上記R1が炭素数1〜30のアルキル基である場合、R1の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、イソブチル基、n−ヘキシル基、シクロヘキシル基、n−オクチル基、及びn−デシル基等が挙げられる。このアルキル基の炭素数は好ましくは10以下、より好ましくは6以下である。なお、アルキル基には、シクロアルキル基が含まれる。 When R1 is an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, specific examples of R1 include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, isobutyl group, n-hexyl group, cyclohexyl group, n-octyl group, And n-decyl group. This alkyl group preferably has 10 or less carbon atoms, more preferably 6 or less. The alkyl group includes a cycloalkyl group.
上記重合性二重結合としては、炭素−炭素二重結合が挙げられる。上記R1が重合性二重結合を有する炭素数1〜30の有機基である場合に、R1の具体例としては、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、及び3−(メタ)アクリロキシアルキル基等が挙げられる。上記(メタ)アクリロキシアルキル基としては、(メタ)アクリロキシメチル基、(メタ)アクリロキシエチル基及び(メタ)アクリロキシプロピル基等が挙げられる。上記重合性二重結合を有する炭素数1〜30の有機基の炭素数は好ましくは2以上、好ましくは30以下、より好ましくは10以下である。上記「(メタ)アクリロキシ」は、メタクリロキシ又はアクリロキシを意味する。 Examples of the polymerizable double bond include a carbon-carbon double bond. When R1 is an organic group having 1 to 30 carbon atoms having a polymerizable double bond, specific examples of R1 include a vinyl group, an allyl group, an isopropenyl group, and a 3- (meth) acryloxyalkyl group. Etc. Examples of the (meth) acryloxyalkyl group include a (meth) acryloxymethyl group, a (meth) acryloxyethyl group, and a (meth) acryloxypropyl group. The carbon number of the organic group having 1 to 30 carbon atoms having a polymerizable double bond is preferably 2 or more, preferably 30 or less, more preferably 10 or less. The above “(meth) acryloxy” means methacryloxy or acryloxy.
上記R1がエポキシ基を有する炭素数1〜30の有機基である場合、R1の具体例としては、1,2−エポキシエチル基、1,2−エポキシプロピル基、2,3−エポキシプロピル基、3,4−エポキシブチル基、3−グリシドキシプロピル基、及び2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基等が挙げられる。上記エポキシ基を有する炭素数1〜30の有機基の炭素数は好ましくは8以下、より好ましくは6以下である。なお、上記エポキシ基を有する炭素数1〜30の有機基は、炭素原子及び水素原子に加えて、エポキシ基に由来する酸素原子を含む基である。 When R1 is an organic group having 1 to 30 carbon atoms having an epoxy group, specific examples of R1 include 1,2-epoxyethyl group, 1,2-epoxypropyl group, 2,3-epoxypropyl group, Examples include 3,4-epoxybutyl group, 3-glycidoxypropyl group, and 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group. The carbon number of the C1-C30 organic group having the epoxy group is preferably 8 or less, more preferably 6 or less. In addition, the C1-C30 organic group which has the said epoxy group is group containing the oxygen atom derived from an epoxy group in addition to a carbon atom and a hydrogen atom.
上記R2の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、及びイソブチル基等が挙げられる。無機シェルに含まれるケイ素原子の含有量を効果的に高めるために、上記R2は、メチル基又はエチル基を表すことが好ましい。 Specific examples of R2 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, and an isobutyl group. In order to effectively increase the content of silicon atoms contained in the inorganic shell, R2 preferably represents a methyl group or an ethyl group.
上記シランアルコキシドの具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、n−ヘキシルトリメトキシシラン、n−オクチルトリエトキシシラン、n−デシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、及びジイソプロピルジメトキシシラン等が挙げられる。これら以外のシランアルコキシドを用いてもよい。 Specific examples of the silane alkoxide include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, isopropyltrimethoxysilane, isobutyltrimethoxysilane, cyclohexyltrimethoxy. Examples include silane, n-hexyltrimethoxysilane, n-octyltriethoxysilane, n-decyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, and diisopropyldimethoxysilane. Silane alkoxides other than these may be used.
無機シェルに含まれるケイ素原子の含有量を効果的に高めるために、上記無機シェルの材料として、テトラメトキシシラン又はテトラエトキシシランを用いることが好ましい。上記無機シェルの材料の100重量%中、テトラメトキシシランとテトラエトキシシランとの合計の含有量は好ましくは50重量%以上である(全量でもよい)。上記無機シェル100重量%中、テトラメトキシシランに由来する骨格とテトラエトキシシランに由来する骨格との合計の含有量は好ましくは50重量%以上である(全量でもよい)。 In order to effectively increase the content of silicon atoms contained in the inorganic shell, it is preferable to use tetramethoxysilane or tetraethoxysilane as the material of the inorganic shell. In 100% by weight of the inorganic shell material, the total content of tetramethoxysilane and tetraethoxysilane is preferably 50% by weight or more (or the total amount may be sufficient). In 100% by weight of the inorganic shell, the total content of the skeleton derived from tetramethoxysilane and the skeleton derived from tetraethoxysilane is preferably 50% by weight or more (or the total amount may be sufficient).
上記シランアルコキシドは、ケイ素原子に4つの酸素原子が直接結合している構造を有するシランアルコキシドを含むことが好ましい。上記シランアルコキシドは、下記式(1Aa)で表されるシランアルコキシドを含むことが好ましい。 The silane alkoxide preferably includes a silane alkoxide having a structure in which four oxygen atoms are directly bonded to a silicon atom. The silane alkoxide preferably includes a silane alkoxide represented by the following formula (1Aa).
Si(OR2)4 ・・・式(1Aa) Si (OR2) 4 Formula (1Aa)
上記式(1Aa)中、R2は炭素数1〜6のアルキル基を表す。複数のR2は同一であってもよく、異なっていてもよい。 In said formula (1Aa), R2 represents a C1-C6 alkyl group. Several R2 may be the same and may differ.
上記無機シェルを形成するために用いるシランアルコキシド100モル%中、上記ケイ素原子に4つの酸素原子が直接結合している構造を有するシランアルコキシド、又は上記式(1Aa)で表されるシランアルコキシドの各含有量は、好ましくは20モル%以上、より好ましくは40モル%以上、更に好ましくは50モル%以上、更に一層好ましくは55モル%以上、特に好ましくは60モル%以上、100モル%以下である。上記無機シェルを形成するために用いるシランアルコキシドの全量が、上記ケイ素原子に4つの酸素原子が直接結合している構造を有するシランアルコキシド、又は上記式(1Aa)で表されるシランアルコキシドであってもよい。 Each of the silane alkoxide having a structure in which four oxygen atoms are directly bonded to the silicon atom, or the silane alkoxide represented by the formula (1Aa) in 100 mol% of the silane alkoxide used for forming the inorganic shell. The content is preferably 20 mol% or more, more preferably 40 mol% or more, still more preferably 50 mol% or more, still more preferably 55 mol% or more, particularly preferably 60 mol% or more and 100 mol% or less. . The total amount of the silane alkoxide used to form the inorganic shell is a silane alkoxide having a structure in which four oxygen atoms are directly bonded to the silicon atom, or a silane alkoxide represented by the formula (1Aa). Also good.
また、10%K値を効果的に高くし、かつ30%K値を効果的に低くする観点からは、上記無機シェルに含まれているケイ素原子の全個数100%中、4つの−O−Si基が直接結合しておりかつ上記4つの−O−Si基における4つの酸素原子が直接結合しているケイ素原子の個数の割合は、好ましくは20%以上、より好ましくは40%以上、更に好ましくは50%以上、更に一層好ましくは55%以上、特に好ましくは60%以上である。一方で、突起の強度を高くし、突起が外れるのを抑えるために、上記無機シェルに含まれているケイ素原子の全個数100%中、4つの酸素原子が直接結合しているケイ素原子の個数の割合は、50%以上である。 From the viewpoint of effectively increasing the 10% K value and effectively decreasing the 30% K value, four —O— in 100% of the total number of silicon atoms contained in the inorganic shell. The ratio of the number of silicon atoms in which the Si group is directly bonded and the four oxygen atoms in the four —O—Si groups are directly bonded is preferably 20% or more, more preferably 40% or more. Preferably it is 50% or more, More preferably, it is 55% or more, Most preferably, it is 60% or more. On the other hand, in order to increase the strength of the protrusions and suppress the protrusions from being removed, the number of silicon atoms in which four oxygen atoms are directly bonded in 100% of the total number of silicon atoms contained in the inorganic shell. The ratio is 50% or more.
なお、4つの−O−Si基が直接結合しておりかつ上記4つの−O−Si基における4つの酸素原子が直接結合しているケイ素原子は、例えば、下記式(11)で表される構造におけるケイ素原子である。具体的には、下記式(11X)で表される構造における矢印Aを付して示すケイ素原子である。 Note that a silicon atom in which four —O—Si groups are directly bonded and four oxygen atoms in the four —O—Si groups are directly bonded is represented by, for example, the following formula (11). It is a silicon atom in the structure. Specifically, it is a silicon atom indicated by an arrow A in the structure represented by the following formula (11X).
なお、上記式(11)における酸素原子は、一般に隣接するケイ素原子とシロキサン結合を形成している。 The oxygen atom in the above formula (11) generally forms a siloxane bond with the adjacent silicon atom.
4つの−O−Si基が直接結合しておりかつ上記4つの−O−Si基における4つの酸素原子が直接結合しているケイ素原子の個数の割合(Q4の個数の割合(%))を測定する方法としては、例えば、NMRスペクトル解析装置を用いて、Q4(4つの−O−Si基が直接結合しておりかつ上記4つの−O−Si基における4つの酸素原子が直接結合しているケイ素原子)のピーク面積と、Q1〜Q3(1〜3つの−O−Si基が直接結合しておりかつ1〜3つの上記−O−Si基における1〜3つの酸素原子が直接結合しているケイ素原子)のピーク面積とを比較する方法が挙げられる。この方法により、上記無機シェルに含まれているケイ素原子の全個数100%中、4つの−O−Si基が直接結合しておりかつ上記4つの−O−Si基における4つの酸素原子が直接結合しているケイ素原子の個数の割合(Q4の個数の割合)を求めることができる。なお、後述する実施例のQ4の個数の割合を求めたNMR測定結果では、4つの−O−Si基が直接結合しておりかつ上記4つの−O−Si基における4つの酸素原子が直接結合しているケイ素原子に由来するピークを評価している。 The ratio of the number of silicon atoms in which four -O-Si groups are directly bonded and the four oxygen atoms in the four -O-Si groups are directly bonded (the ratio of the number of Q4 (%)). As a measuring method, for example, using an NMR spectrum analyzer, Q4 (four -O-Si groups are directly bonded and four oxygen atoms in the four -O-Si groups are directly bonded). The peak area of silicon atoms) and Q1 to Q3 (1 to 3 —O—Si groups are directly bonded, and 1 to 3 oxygen atoms in 1 to 3 —O—Si groups are directly bonded to each other. And the peak area of silicon atoms). By this method, in the total number of 100% of silicon atoms contained in the inorganic shell, four —O—Si groups are directly bonded, and four oxygen atoms in the four —O—Si groups are directly bonded. The ratio of the number of bonded silicon atoms (the ratio of the number of Q4) can be determined. In addition, in the NMR measurement result which calculated | required the ratio of the number of Q4 of the Example mentioned later, four -O-Si groups are couple | bonded directly and the four oxygen atoms in the said four -O-Si group are couple | bonded directly. The peak derived from the silicon atom is evaluated.
上記無機シェルの厚みは、好ましくは10nm以上、より好ましくは50nm以上、特に好ましくは100nm以上、好ましくは100000nm以下、より好ましくは10000nm以下、更に好ましくは2000nm以下である。上記無機シェルの厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、10%K値及び30%K値がより一層好適な値を示し、突起粒子を導電性粒子及び液晶表示素子用スペーサの用途に好適に使用可能になる。上記無機シェルの厚みは、突起粒子1個あたりの平均厚みである。ゾルゲル法の制御によって、上記無機シェルの厚みを制御可能である。 The thickness of the inorganic shell is preferably 10 nm or more, more preferably 50 nm or more, particularly preferably 100 nm or more, preferably 100,000 nm or less, more preferably 10,000 nm or less, and still more preferably 2000 nm or less. When the thickness of the inorganic shell is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the 10% K value and the 30% K value show even more suitable values, and the protruding particles are used for conductive particles and spacers for liquid crystal display elements. It becomes possible to use suitably. The thickness of the inorganic shell is an average thickness per protruding particle. The thickness of the inorganic shell can be controlled by controlling the sol-gel method.
上記無機シェルの突起を除く部分と上記無機シェルの突起との形成方法に関しては、上記コア粒子の表面上で、シランアルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とさせながら、過剰量のアンモニア水溶液等の触媒を適宜添加していくことで、上記無機シェルの突起を除く部分と上記無機シェルの突起とを1段階工程で同時に形成させることができる。 Regarding the method of forming the portion excluding the protrusion of the inorganic shell and the protrusion of the inorganic shell, a catalyst such as an excessive amount of aqueous ammonia solution is formed on the surface of the core particle while forming a silane alkoxide into a shell-like material by a sol-gel method. As appropriate, the portion excluding the protrusion of the inorganic shell and the protrusion of the inorganic shell can be formed simultaneously in a single step.
本発明において無機シェルの厚みは、突起粒子を、走査型電子顕微鏡を用いて観察し、任意に選択した50個の突起粒子の粒径をノギスで測定した平均値と、コア粒子の粒径の平均値との差から求めることができる。上記突起粒子の粒径は、上記突起粒子が真球状である場合には直径を意味し、上記突起粒子が真球状以外の形状である場合には最大径を意味する。 In the present invention, the thickness of the inorganic shell is determined by observing the protruding particles with a scanning electron microscope and measuring the average particle size of 50 arbitrarily selected protruding particles with a caliper, and the particle size of the core particles. It can be obtained from the difference from the average value. The particle diameter of the protruding particles means the diameter when the protruding particles are spherical, and means the maximum diameter when the protruding particles have a shape other than the spherical shape.
上記コア粒子と上記無機シェルとの間で化学結合していないことが好ましい。上記コア粒子と上記無機シェルとの間で化学結合していない場合には、無機シェルが過度に割れにくくなり、更に電極と導電性粒子との接続対象部材に対する接触面積を大きくすることができ、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。 It is preferable that there is no chemical bond between the core particle and the inorganic shell. In the case where the core particles and the inorganic shell are not chemically bonded, the inorganic shell is not easily cracked, and the contact area of the electrode and the conductive particles to the connection target member can be increased. The connection resistance between the electrodes can be further reduced.
上記コア粒子と上記無機シェルとの間で化学結合していていないことが好ましいが、化学結合していてもよい。上記コア粒子と上記無機シェルとの間で化学結合させる方法としては、コア粒子の表面に、無機シェルを構成する材料の官能基と反応可能な官能基を導入した後、コア粒子の表面上で上記無機シェルを構成する材料により無機シェルを形成する方法等が挙げられる。具体的には、コア粒子の表面をカップリング剤により表面処理した後に、上記コア粒子の表面上で、シランアルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とする方法等が挙げられる。 Although it is preferable that the core particles and the inorganic shell are not chemically bonded, they may be chemically bonded. As a method of chemically bonding between the core particle and the inorganic shell, a functional group capable of reacting with a functional group of a material constituting the inorganic shell is introduced on the surface of the core particle, and then on the surface of the core particle. Examples thereof include a method of forming an inorganic shell with the material constituting the inorganic shell. Specific examples include a method in which the surface of the core particle is surface-treated with a coupling agent, and then a silane alkoxide is formed into a shell-like material by a sol-gel method on the surface of the core particle.
(導電性粒子)
上記導電性粒子は、上述した突起粒子と、該突起粒子の表面上に配置された導電層とを備える。上記導電層は、外表面に複数の突起を有することが好ましい。上記導電層の突起は、上記無機シェルの突起に由来して、容易に形成可能である。
(Conductive particles)
The conductive particles include the above-described protruding particles and a conductive layer disposed on the surface of the protruding particles. The conductive layer preferably has a plurality of protrusions on the outer surface. The protrusions of the conductive layer can be easily formed due to the protrusions of the inorganic shell.
図1に、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を断面図で示す。 In FIG. 1, the electroconductive particle which concerns on the 1st Embodiment of this invention is shown with sectional drawing.
図1に示す導電性粒子1は、突起粒子11と、突起粒子11の表面上に配置された導電層2とを有する。導電層2は、突起粒子11の表面を被覆している。導電性粒子1は、突起粒子11の表面が導電層2により被覆された被覆粒子である。導電層2は、外表面に突起2aを有する。導電性粒子1は、導電性の表面に突起を有する。
A
突起粒子11は、コア粒子12と、コア粒子12の表面上に配置された無機シェル13とを備える。無機シェル13は、コア粒子12の表面を被覆している。導電層2は、無機シェル13の表面上に配置されている。導電層2は、無機シェル13の表面を被覆している。無機シェル13は外表面に突起13aを有する。
The protruding particle 11 includes a
無機シェル13は、第1の無機シェル部分13Aと、第1の無機シェル部分13Aよりも厚みが厚く、無機シェル13の外表面に複数の突起13aを形成している第2の無機シェル部分13Bとを有する。第1の無機シェル部分13Aと第2の無機シェル部分13Bとは連なっている。複数の突起13aを除く部分が、第1の無機シェル部分13Aである。複数の突起13aは、無機シェル13の厚みが厚い第2の無機シェル部分13Bに位置している。
The
突起2aは、突起13aに由来して形成されている。すなわち、無機シェル13の外表面が突起13aにより隆起していることで、突起2aが形成されている。
The protrusion 2a is derived from the protrusion 13a. That is, the protrusion 2a is formed by the outer surface of the
導電性粒子1では、無機シェル13の外表面に突起13aを形成するために、コア粒子12と無機シェル13との間に、突起を形成するための他の部材(粒子など)は用いられていない。
In the
図2に、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を断面図で示す。 In FIG. 2, the electroconductive particle which concerns on the 2nd Embodiment of this invention is shown with sectional drawing.
図2に示す導電性粒子21は、突起粒子11と、突起粒子11の表面上に配置された導電層22と、導電層22の外表面上に配置された複数の絶縁性物質3とを有する。導電層22は、外表面に突起22aを有する。導電性粒子21は、導電性の表面に突起を有する。
The
導電層22は、内層である第1の導電層22Aと、外層である第2の導電層22Bとを有する。突起粒子11の表面上に、第1の導電層22Aが配置されている。無機シェル13の表面上に、第1の導電層22Aが配置されている。第1の導電層22Aの表面上に、第2の導電層22Bが配置されている。無機シェル13と第2の導電層22Bとの間に、第1の導電層22Aが配置されている。第1の導電層22Aは、外表面に突起22Aaを有する。第2の導電層22Bは、外表面に突起22Baを有する。
The
突起22a,22Aa,22Baは、突起13aに由来して形成されている。すなわち、無機シェル13の外表面が突起13aにより隆起していることで、突起22a,22Aa,22Baが形成されている。
The protrusions 22a, 22Aa, and 22Ba are formed from the protrusion 13a. That is, the outer surface of the
導電性粒子21は、導電層22の外表面上に配置された絶縁性物質3を有する。導電層22の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁性物質3により被覆されている。絶縁性物質3は絶縁性を有する材料により形成されており、絶縁性粒子である。このように、上記導電性粒子は、導電層の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。
The
また、導電性粒子1,21のように、上記導電性粒子は導電性の表面に突起を有することが好ましい。上記導電性粒子は、上記導電層の外表面に突起を有することが好ましい。
Further, like the
上記導電層を形成するための金属は特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、パラジウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属としては、錫ドープ酸化インジウム(ITO)及びはんだ等が挙げられる。なかでも、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができるので、錫を含む合金、ニッケル、パラジウム、銅又は金が好ましく、ニッケル又はパラジウムが好ましい。 The metal for forming the conductive layer is not particularly limited. Examples of the metal include gold, silver, palladium, copper, platinum, zinc, iron, tin, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, thallium, germanium, cadmium, silicon, and these. And the like. Examples of the metal include tin-doped indium oxide (ITO) and solder. Especially, since the connection resistance between electrodes can be made still lower, an alloy containing tin, nickel, palladium, copper or gold is preferable, and nickel or palladium is preferable.
導電性粒子1のように、上記導電層は、1つの層により形成されていてもよい。導電性粒子21のように、導電層は、複数の層により形成されていてもよい。すなわち、導電層は、2層以上の積層構造を有していてもよい。導電層が複数の層により形成されている場合には、最外層は、金層、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は錫と銀とを含む合金層であることが好ましく、金層であることがより好ましい。最外層がこれらの好ましい導電層である場合には、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、最外層が金層である場合には、耐腐食性がより一層高くなる。
Like the
上記突起粒子において導電層を形成する方法は特に限定されない。導電層を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを突起粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。なかでも、導電層の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。 The method for forming the conductive layer in the protruding particles is not particularly limited. Examples of the method for forming the conductive layer include a method by electroless plating, a method by electroplating, a method by physical vapor deposition, and a method of coating the surface of the protruding particles with a metal powder or a paste containing a metal powder and a binder. Is mentioned. Especially, since formation of a conductive layer is simple, the method by electroless plating is preferable. Examples of the method by physical vapor deposition include methods such as vacuum vapor deposition, ion plating, and ion sputtering.
上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上、好ましくは520μm以下、より好ましくは500μm以下、より一層好ましくは100μm以下、更に好ましくは50μm以下、特に好ましくは20μm以下である。導電性粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が十分に大きくなり、かつ導電層を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電層が突起粒子の表面から剥離し難くなる。また、導電性粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を導電材料の用途に好適に使用可能である。 The particle diameter of the conductive particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 520 μm or less, more preferably 500 μm or less, still more preferably 100 μm or less, still more preferably 50 μm or less, and particularly preferably 20 μm. It is as follows. When the particle diameter of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the contact area between the conductive particles and the electrode becomes sufficiently large when the electrodes are connected using the conductive particles, and the conductive layer When forming the conductive particles, it becomes difficult to form aggregated conductive particles. Further, the interval between the electrodes connected via the conductive particles does not become too large, and the conductive layer is difficult to peel from the surface of the protruding particles. Further, when the particle diameter of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conductive particles can be suitably used for the use of the conductive material.
上記導電性粒子の粒子径は、導電性粒子が真球状である場合には直径を意味し、導電性粒子が真球状以外の形状である場合には最大径を意味する。 The particle diameter of the conductive particles means the diameter when the conductive particles are true spherical, and means the maximum diameter when the conductive particles have a shape other than the true spherical shape.
上記導電層の厚み(導電層が多層である場合には導電層全体の厚み)は、好ましくは0.005μm以上、より好ましくは0.01μm以上、好ましくは10μm以下、より好ましくは1μm以下、更に好ましくは0.5μm以下、特に好ましくは0.3μm以下である。導電層の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、十分な導電性が得られ、かつ導電性粒子が硬くなりすぎずに、電極間の接続の際に導電性粒子が十分に変形する。 The thickness of the conductive layer (when the conductive layer is a multilayer, the total thickness of the conductive layer) is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 10 μm or less, more preferably 1 μm or less, Preferably it is 0.5 micrometer or less, Most preferably, it is 0.3 micrometer or less. When the thickness of the conductive layer is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, sufficient conductivity is obtained, and the conductive particles do not become too hard, and the conductive particles are sufficiently deformed when connecting the electrodes. .
上記導電層が複数の層により形成されている場合に、最外層の導電層の厚みは、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.01μm以上、好ましくは0.5μm以下、より好ましくは0.1μm以下である。上記最外層の導電層の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電層による被覆が均一になり、耐腐食性が十分に高くなり、かつ電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、上記最外層が金層である場合の金層の厚みが薄いほど、コストが低くなる。 When the conductive layer is formed of a plurality of layers, the thickness of the outermost conductive layer is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 0.5 μm or less, more preferably 0. .1 μm or less. When the thickness of the outermost conductive layer is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the coating with the outermost conductive layer becomes uniform, the corrosion resistance becomes sufficiently high, and the connection resistance between the electrodes is further increased. Lower. Further, the thinner the gold layer when the outermost layer is a gold layer, the lower the cost.
上記導電層の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。 The thickness of the conductive layer can be measured by observing the cross section of the conductive particles using, for example, a transmission electron microscope (TEM).
上記導電性粒子は、上記導電層の外表面上に配置された絶縁性物質を備えていてもよい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、2つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電層と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。導電性粒子が上記導電層の表面に突起を有する場合には、導電性粒子の導電層と電極との間の絶縁性物質をより一層容易に排除できる。上記絶縁性物質は、絶縁性樹脂層又は絶縁性粒子であることが好ましく、絶縁性粒子であることがより好ましい。上記絶縁性粒子は、絶縁性樹脂粒子であることが好ましい。 The conductive particles may include an insulating substance disposed on the outer surface of the conductive layer. In this case, when the conductive particles are used for connection between the electrodes, a short circuit between adjacent electrodes can be prevented. Specifically, when a plurality of conductive particles are in contact with each other, an insulating material is present between the plurality of electrodes, so that it is possible to prevent a short circuit between electrodes adjacent in the lateral direction instead of between the upper and lower electrodes. In addition, the insulating substance between the conductive layer of an electroconductive particle and an electrode can be easily excluded by pressurizing electroconductive particle with two electrodes in the case of the connection between electrodes. When the conductive particles have protrusions on the surface of the conductive layer, the insulating substance between the conductive layer of the conductive particles and the electrode can be more easily eliminated. The insulating substance is preferably an insulating resin layer or insulating particles, and more preferably insulating particles. The insulating particles are preferably insulating resin particles.
(導電材料)
上記導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散され、導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極の電気的な接続に好適に用いられる。上記導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。
(Conductive material)
The conductive material includes the conductive particles described above and a binder resin. The conductive particles are preferably dispersed in a binder resin and used as a conductive material. The conductive material is preferably an anisotropic conductive material. The conductive material is preferably used for electrical connection of electrodes. The conductive material is preferably a circuit connection material.
上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The binder resin is not particularly limited. As the binder resin, a known insulating resin is used. Examples of the binder resin include vinyl resins, thermoplastic resins, curable resins, thermoplastic block copolymers, and elastomers. As for the said binder resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。 Examples of the vinyl resin include vinyl acetate resin, acrylic resin, and styrene resin. Examples of the thermoplastic resin include polyolefin resins, ethylene-vinyl acetate copolymers, and polyamide resins. Examples of the curable resin include an epoxy resin, a urethane resin, a polyimide resin, and an unsaturated polyester resin. The curable resin may be a room temperature curable resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, or a moisture curable resin. The curable resin may be used in combination with a curing agent. Examples of the thermoplastic block copolymer include a styrene-butadiene-styrene block copolymer, a styrene-isoprene-styrene block copolymer, a hydrogenated product of a styrene-butadiene-styrene block copolymer, and a styrene-isoprene. -Hydrogenated product of a styrene block copolymer. Examples of the elastomer include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.
上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。 In addition to the conductive particles and the binder resin, the conductive material includes, for example, a filler, an extender, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, and a light stabilizer. Various additives such as an agent, an ultraviolet absorber, a lubricant, an antistatic agent and a flame retardant may be contained.
上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる方法は、従来公知の分散方法を用いることができ特に限定されない。上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる方法としては、例えば、上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を添加した後、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法、上記導電性粒子を水又は有機溶剤中にホモジナイザー等を用いて均一に分散させた後、上記バインダー樹脂中に添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法、並びに上記バインダー樹脂を水又は有機溶剤等で希釈した後、上記導電性粒子を添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法等が挙げられる。 The method for dispersing the conductive particles in the binder resin is not particularly limited, and a conventionally known dispersion method can be used. Examples of a method for dispersing the conductive particles in the binder resin include a method in which the conductive particles are added to the binder resin and then kneaded and dispersed with a planetary mixer or the like. The conductive particles are dispersed in water. Alternatively, after uniformly dispersing in an organic solvent using a homogenizer or the like, it is added to the binder resin, kneaded and dispersed with a planetary mixer or the like, and the binder resin is diluted with water or an organic solvent. Then, the method of adding the said electroconductive particle, kneading with a planetary mixer etc. and disperse | distributing is mentioned.
上記導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは異方性導電フィルムであることが好ましい。 The conductive material can be used as a conductive paste and a conductive film. When the conductive material according to the present invention is a conductive film, a film that does not include conductive particles may be laminated on a conductive film that includes conductive particles. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste. The conductive film is preferably an anisotropic conductive film.
上記導電材料100重量%中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは10重量%以上、より好ましくは30重量%以上、更に好ましくは50重量%以上、特に好ましくは70重量%以上、好ましくは99.99重量%以下、より好ましくは99.9重量%以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。 In 100% by weight of the conductive material, the content of the binder resin is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, particularly preferably 70% by weight or more, preferably 99.% or more. It is 99 weight% or less, More preferably, it is 99.9 weight% or less. When the content of the binder resin is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conductive particles are efficiently arranged between the electrodes, and the connection reliability of the connection target member connected by the conductive material is further increased.
上記導電材料100重量%中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、好ましくは40重量%以下、より好ましくは20重量%以下、更に好ましくは10重量%以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。 In 100% by weight of the conductive material, the content of the conductive particles is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, preferably 40% by weight or less, more preferably 20% by weight or less, More preferably, it is 10 weight% or less. When the content of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.
(接続構造体及び液晶表示素子)
上述した導電性粒子を用いて、又は上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
(Connection structure and liquid crystal display element)
A connection structure can be obtained by connecting the connection target members using the conductive particles described above or using a conductive material including the conductive particles described above and a binder resin.
上記接続構造体は、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、該接続部が上述した導電性粒子により形成されているか、又は上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されている接続構造体であることが好ましい。導電性粒子が単独で用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。すなわち、第1,第2の接続対象部材が導電性粒子により接続される。上記接続構造体を得るために用いられる上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。 The connection structure includes a first connection target member, a second connection target member, and a connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member, and the connection portion. Is preferably formed of the above-described conductive particles, or a connection structure formed of a conductive material containing the above-described conductive particles and a binder resin. When the conductive particles are used alone, the connection part itself is the conductive particles. That is, the first and second connection target members are connected by the conductive particles. The conductive material used for obtaining the connection structure is preferably an anisotropic conductive material.
上記第1の接続対象部材は、第1の電極を表面に有することが好ましい。上記第2の接続対象部材は、第2の電極を表面に有することが好ましい。上記第1の電極と上記第2の電極とが、上記導電性粒子により電気的に接続されていることが好ましい。 The first connection target member preferably has a first electrode on the surface. The second connection target member preferably has a second electrode on the surface. It is preferable that the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
図3は、図1に示す導電性粒子1を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。
FIG. 3 is a front sectional view schematically showing a connection structure using the
図3に示す接続構造体51は、第1の接続対象部材52と、第2の接続対象部材53と、第1の接続対象部材52と第2の接続対象部材53とを接続している接続部54とを備える。接続部54は、導電性粒子1とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されている。図3では、図示の便宜上、導電性粒子1は略図的に示されている。導電性粒子1にかえて、導電性粒子21などの他の導電性粒子を用いてもよい。
The
第1の接続対象部材52は表面(上面)に、複数の第1の電極52aを有する。第2の接続対象部材53は表面(下面)に、複数の第2の電極53aを有する。第1の電極52aと第2の電極53aとが、1つ又は複数の導電性粒子1により電気的に接続されている。従って、第1,第2の接続対象部材52,53が導電性粒子1により電気的に接続されている。
The first
上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例として、第1の接続対象部材と第2の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は9.8×104〜4.9×106Pa程度である。上記加熱の温度は、120〜220℃程度である。フレキシブルプリント基板の電極、樹脂フィルム上に配置された電極及びタッチパネルの電極を接続するための上記加圧の圧力は9.8×104〜1.0×106Pa程度である。 The manufacturing method of the connection structure is not particularly limited. As an example of a method of manufacturing a connection structure, a method of placing the conductive material between a first connection target member and a second connection target member to obtain a laminate, and then heating and pressurizing the laminate Etc. The pressure of the said pressurization is about 9.8 * 10 < 4 > -4.9 * 10 < 6 > Pa. The temperature of the said heating is about 120-220 degreeC. The pressure of the pressurization for connecting the electrode of the flexible printed board, the electrode arranged on the resin film, and the electrode of the touch panel is about 9.8 × 10 4 to 1.0 × 10 6 Pa.
上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記導電材料は、電子部品を接続するための導電材料であることが好ましい。上記導電ペーストはペースト状の導電材料であり、ペースト状の状態で接続対象部材上に塗工されることが好ましい。 Specific examples of the connection target member include electronic components such as semiconductor chips, capacitors, and diodes, and electronic components such as printed boards, flexible printed boards, glass epoxy boards, and glass boards. The conductive material is preferably a conductive material for connecting electronic components. The conductive paste is a paste-like conductive material, and is preferably applied on the connection target member in a paste-like state.
上記導電性粒子及び上記導電材料は、タッチパネルにも好適に用いられる。従って、上記接続対象部材は、フレキシブルプリント基板であるか、又は樹脂フィルムの表面上に電極が配置された接続対象部材であることも好ましい。上記接続対象部材は、フレキシブルプリント基板であることが好ましく、樹脂フィルムの表面上に電極が配置された接続対象部材であることが好ましい。上記フレキシブルプリント基板は、一般に電極を表面に有する。 The conductive particles and the conductive material are also suitably used for touch panels. Therefore, the connection target member is preferably a flexible printed circuit board or a connection target member in which an electrode is disposed on the surface of a resin film. The connection target member is preferably a flexible printed board, and is preferably a connection target member in which an electrode is disposed on the surface of the resin film. The flexible printed board generally has electrodes on the surface.
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。 Examples of the electrode provided on the connection target member include metal electrodes such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a silver electrode, a molybdenum electrode, and a tungsten electrode. When the connection object member is a flexible printed board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, or a tungsten electrode. In addition, when the said electrode is an aluminum electrode, the electrode formed only with aluminum may be sufficient and the electrode by which the aluminum layer was laminated | stacked on the surface of the metal oxide layer may be sufficient. Examples of the material for the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al, and Ga.
また、上記突起粒子は、液晶表示素子用スペーサとして好適に用いられる。すなわち、上記突起粒子は、液晶セルを構成する一対の基板と、該一対の基板間に封入された液晶と、上記一対の基板間に配置された液晶表示素子用スペーサとを備える液晶表示素子を得るために好適に用いられる。 The protruding particles are preferably used as a liquid crystal display element spacer. That is, the protruding particles include a liquid crystal display element including a pair of substrates constituting a liquid crystal cell, a liquid crystal sealed between the pair of substrates, and a spacer for a liquid crystal display element disposed between the pair of substrates. It is preferably used for obtaining.
図4に、本発明の一実施形態に係る突起粒子を液晶表示素子用スペーサとして用いた液晶表示素子を断面図で示す。 FIG. 4 is a cross-sectional view of a liquid crystal display element using the protruding particles according to one embodiment of the present invention as a liquid crystal display element spacer.
図4に示す液晶表示素子81は、一対の透明ガラス基板82を有する。透明ガラス基板82は、対向する面に絶縁膜(図示せず)を有する。絶縁膜の材料としては、例えば、SiO2等が挙げられる。透明ガラス基板82における絶縁膜上に透明電極83が形成されている。透明電極83の材料としては、ITO等が挙げられる。透明電極83は、例えば、フォトリソグラフィーによりパターニングして形成可能である。透明ガラス基板82の表面上の透明電極83上に、配向膜84が形成されている。配向膜84の材料としては、ポリイミド等が挙げられている。
A liquid
一対の透明ガラス基板82間には、液晶85が封入されている。一対の透明ガラス基板82間には、複数の突起粒子11が配置されている。突起粒子11は、液晶表示素子用スペーサとして用いられている。複数の突起粒子11により、一対の透明ガラス基板82の間隔が規制されている。一対の透明ガラス基板82の縁部間には、シール剤86が配置されている。シール剤86によって、液晶85の外部への流出が防がれている。
A
上記液晶表示素子において1mm2あたりの液晶表示素子用スペーサの配置密度は、好ましくは10個/mm2以上、好ましくは1000個/mm2以下である。上記配置密度が10個/mm2以上であると、セルギャップがより一層均一になる。上記配置密度が1000個/mm2以下であると、液晶表示素子のコントラストがより一層良好になる。 In the liquid crystal display element, the arrangement density of spacers for liquid crystal display elements per 1 mm 2 is preferably 10 pieces / mm 2 or more, and preferably 1000 pieces / mm 2 or less. When the arrangement density is 10 pieces / mm 2 or more, the cell gap becomes even more uniform. When the arrangement density is 1000 / mm 2 or less, the contrast of the liquid crystal display element is further improved.
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.
(実施例1)
(1)突起粒子の作製
コア粒子として、有機コア粒子である積水化学工業社製「ミクロパールELP−00375」(スチレン・アクリル共重合ポリマー、平均粒径3.75μm)を用意した。この有機コア粒子100重量部と、界面活性剤であるヘキサデシルトリメチルアンミニウムブロミド40重量部とを、アセトン1800重量部と水200重量部との混合溶媒に分散させ、セパラブルフラスコ内に入れた。25重量%アンモニア水溶液160重量部を加え、超音波をかけながら攪拌した。テトラエトキシシラン600重量部をアセトン1200重量部に溶解させた液を加え、超音波をかけながら25℃で24時間撹拌した。反応液を取り出し、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)製のメンブレンフィルターで吸引濾過し、アセトンを用いた洗浄を2回繰り返した後、50℃の真空乾燥機で24時間乾燥させ、焼成前突起粒子を得た。
Example 1
(1) Production of Protrusion Particles As core particles, Sekisui Chemical Co., Ltd. “Micropearl ELP-00375” (styrene / acrylic copolymer, average particle size of 3.75 μm), which is an organic core particle, was prepared. 100 parts by weight of the organic core particles and 40 parts by weight of hexadecyltrimethylammonium bromide as a surfactant were dispersed in a mixed solvent of 1800 parts by weight of acetone and 200 parts by weight of water, and placed in a separable flask. . 160 parts by weight of 25% by weight aqueous ammonia solution was added and stirred while applying ultrasonic waves. A solution prepared by dissolving 600 parts by weight of tetraethoxysilane in 1200 parts by weight of acetone was added, and the mixture was stirred at 25 ° C. for 24 hours while applying ultrasonic waves. The reaction solution is taken out, suction filtered through a PTFE (polytetrafluoroethylene) membrane filter, washed with acetone twice, and then dried in a vacuum dryer at 50 ° C. for 24 hours. Obtained.
得られた焼成前突起粒子を200℃で6時間焼成し、突起粒子を得た。 The obtained pre-fired protruding particles were baked at 200 ° C. for 6 hours to obtain protruding particles.
(2)導電性粒子の作製
得られた突起粒子を洗浄し、乾燥した後、無電解めっき法により、得られた突起粒子の表面に、ニッケル層を形成し、導電性粒子を作製した。なお、ニッケル層の厚さは0.1μmであった。
(2) Production of conductive particles After the obtained protruding particles were washed and dried, a nickel layer was formed on the surface of the obtained protruding particles by an electroless plating method to produce conductive particles. The nickel layer had a thickness of 0.1 μm.
(実施例2)
有機コア粒子として、積水化学工業社製「ミクロパールELP−00375」(スチレン・アクリル共重合ポリマー、平均粒径3.75μm)を用意した。この有機コア粒子100重量部と、界面活性剤であるヘキサデシルトリメチルアンミニウムブロミド40重量部とを、アセトニトリル1800重量部と水200重量部との混合溶媒に分散させ、セパラブルフラスコ内に入れた。25重量%アンモニア水溶液160重量部を加え、超音波をかけながら攪拌した。テトラエトキシシラン600重量部をアセトニトリル1200重量部に溶解させた液を加え、超音波をかけながら25℃で24時間撹拌した。反応液を取り出し、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)製のメンブレンフィルターで吸引濾過し、アセトニトリルを用いた洗浄を2回繰り返した後、50℃の真空乾燥機で24時間乾燥させ、焼成前突起粒子を得た。
(Example 2)
As the organic core particles, “Micropearl ELP-00375” (styrene / acrylic copolymer, average particle diameter of 3.75 μm) manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd. was prepared. 100 parts by weight of the organic core particles and 40 parts by weight of hexadecyltrimethylammonium bromide as a surfactant were dispersed in a mixed solvent of 1800 parts by weight of acetonitrile and 200 parts by weight of water, and placed in a separable flask. . 160 parts by weight of 25% by weight aqueous ammonia solution was added and stirred while applying ultrasonic waves. A solution prepared by dissolving 600 parts by weight of tetraethoxysilane in 1200 parts by weight of acetonitrile was added, and the mixture was stirred at 25 ° C. for 24 hours while applying ultrasonic waves. The reaction solution is taken out, suction filtered through a membrane filter made of PTFE (polytetrafluoroethylene), washed twice with acetonitrile, then dried in a vacuum dryer at 50 ° C. for 24 hours, Obtained.
得られた焼成前突起粒子を200℃で6時間焼成し、突起粒子を得た。得られた突起粒子を用いて、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。 The obtained pre-fired protruding particles were baked at 200 ° C. for 6 hours to obtain protruding particles. Using the obtained projecting particles, conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1.
(実施例3)
有機コア粒子として、積水化学工業社製「ミクロパールELP−00375」(スチレン・アクリル共重合ポリマー、平均粒径3.75μm)を用意した。この有機コア粒子100重量部と、界面活性剤であるヘキサデシルトリメチルアンミニウムブロミド40重量部とを、アセトン1800重量部と水200重量部との混合溶媒に分散させ、セパラブルフラスコ内に入れた。25重量%アンモニア水溶液320重量部を加え、超音波をかけながら攪拌した。テトラエトキシシラン600重量部をアセトン1200重量部に溶解させた液を加え、超音波をかけながら25℃で24時間撹拌した。反応液を取り出し、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)製のメンブレンフィルターで吸引濾過し、アセトンを用いた洗浄を2回繰り返した後、50℃の真空乾燥機で24時間乾燥させ、焼成前突起粒子を得た。
(Example 3)
As the organic core particles, “Micropearl ELP-00375” (styrene / acrylic copolymer, average particle diameter of 3.75 μm) manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd. was prepared. 100 parts by weight of the organic core particles and 40 parts by weight of hexadecyltrimethylammonium bromide as a surfactant were dispersed in a mixed solvent of 1800 parts by weight of acetone and 200 parts by weight of water, and placed in a separable flask. . 320 parts by weight of 25% by weight aqueous ammonia solution was added and stirred while applying ultrasonic waves. A solution prepared by dissolving 600 parts by weight of tetraethoxysilane in 1200 parts by weight of acetone was added, and the mixture was stirred at 25 ° C. for 24 hours while applying ultrasonic waves. The reaction solution is taken out, suction filtered through a PTFE (polytetrafluoroethylene) membrane filter, washed with acetone twice, and then dried in a vacuum dryer at 50 ° C. for 24 hours. Obtained.
得られた焼成前突起粒子を200℃で6時間焼成し、突起粒子を得た。得られた突起粒子を用いて、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。 The obtained pre-fired protruding particles were baked at 200 ° C. for 6 hours to obtain protruding particles. Using the obtained projecting particles, conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1.
(実施例4)
有機コア粒子として、積水化学工業社製「ミクロパールELP−00375」(スチレン・アクリル共重合ポリマー、平均粒径3.75μm)を用意した。この有機コア粒子100重量部と、界面活性剤であるヘキサデシルトリメチルアンミニウムブロミド40重量部とを、アセトニトリル1800重量部と水200重量部との混合溶媒に分散させ、セパラブルフラスコ内に入れた。25重量%アンモニア水溶液320重量部を加え、超音波をかけながら攪拌した。テトラエトキシシラン600重量部をアセトニトリル1200重量部に溶解させた液を加え、超音波をかけながら25℃で24時間撹拌した。反応液を取り出し、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)製のメンブレンフィルターで吸引濾過し、アセトニトリルを用いた洗浄を2回繰り返した後、50℃の真空乾燥機で24時間乾燥させ、焼成前突起粒子を得た。
Example 4
As the organic core particles, “Micropearl ELP-00375” (styrene / acrylic copolymer, average particle diameter of 3.75 μm) manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd. was prepared. 100 parts by weight of the organic core particles and 40 parts by weight of hexadecyltrimethylammonium bromide as a surfactant were dispersed in a mixed solvent of 1800 parts by weight of acetonitrile and 200 parts by weight of water, and placed in a separable flask. . 320 parts by weight of 25% by weight aqueous ammonia solution was added and stirred while applying ultrasonic waves. A solution prepared by dissolving 600 parts by weight of tetraethoxysilane in 1200 parts by weight of acetonitrile was added, and the mixture was stirred at 25 ° C. for 24 hours while applying ultrasonic waves. The reaction solution is taken out, suction filtered through a membrane filter made of PTFE (polytetrafluoroethylene), washed twice with acetonitrile, then dried in a vacuum dryer at 50 ° C. for 24 hours, Obtained.
得られた焼成前突起粒子を200℃で6時間焼成し、突起粒子を得た。得られた突起粒子を用いて、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。 The obtained pre-fired protruding particles were baked at 200 ° C. for 6 hours to obtain protruding particles. Using the obtained projecting particles, conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1.
(実施例5)
コア粒子として、無機コア粒子である積水化学工業社製「ミクロパールSI−0038」(シリカ粒子、平均粒径3.80μm)を用意した。有機コア粒子を無機コア粒子に変更したこと以外は実施例1と同様にして、突起粒子及び導電性粒子を得た。
(Example 5)
As the core particles, “Micropearl SI-0038” (silica particles, average particle size 3.80 μm) manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., which is an inorganic core particle, was prepared. Protruding particles and conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the organic core particles were changed to inorganic core particles.
(実施例6)
有機コア粒子として、積水化学工業社製「ミクロパールELP−00375」(スチレン・アクリル共重合ポリマー、平均粒径3.75μm)を用意した。この有機コア粒子100重量部と、界面活性剤であるヘキサデシルトリメチルアンミニウムブロミド40重量部とを、アセトニトリル1800重量部と水200重量部との混合溶媒に分散させ、セパラブルフラスコ内に入れた。25重量%アンモニア水溶液120重量部を加え、超音波をかけながら攪拌した。テトラエトキシシラン600重量部をアセトニトリル1200重量部に溶解させた液を加え、超音波をかけながら25℃で24時間撹拌した。反応液を取り出し、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)製のメンブレンフィルターで吸引濾過し、アセトニトリルを用いた洗浄を2回繰り返した後、50℃の真空乾燥機で24時間乾燥させ、焼成前突起粒子を得た。
(Example 6)
As the organic core particles, “Micropearl ELP-00375” (styrene / acrylic copolymer, average particle diameter of 3.75 μm) manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd. was prepared. 100 parts by weight of the organic core particles and 40 parts by weight of hexadecyltrimethylammonium bromide as a surfactant were dispersed in a mixed solvent of 1800 parts by weight of acetonitrile and 200 parts by weight of water, and placed in a separable flask. . 120 parts by weight of 25% by weight aqueous ammonia solution was added and stirred while applying ultrasonic waves. A solution prepared by dissolving 600 parts by weight of tetraethoxysilane in 1200 parts by weight of acetonitrile was added, and the mixture was stirred at 25 ° C. for 24 hours while applying ultrasonic waves. The reaction solution is taken out, suction filtered through a membrane filter made of PTFE (polytetrafluoroethylene), washed twice with acetonitrile, then dried in a vacuum dryer at 50 ° C. for 24 hours, Obtained.
得られた焼成前突起粒子を200℃で6時間焼成し、突起粒子を得た。得られた突起粒子を用いて、実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。 The obtained pre-fired protruding particles were baked at 200 ° C. for 6 hours to obtain protruding particles. Using the obtained projecting particles, conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1.
(比較例1)
テトラエトキシシランをメチルトリメトキシシランに変更したこと以外は実施例1と同様にして、突起粒子及び導電性粒子を得た。
(Comparative Example 1)
Protruding particles and conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that tetraethoxysilane was changed to methyltrimethoxysilane.
(比較例2)
有機コア粒子である積水化学工業社製「ミクロパールELP−00375」(スチレン・アクリル共重合ポリマー、平均粒径3.75μm)を、無機コア粒子である積水化学工業社製「ミクロパールSI−0038」(シリカ粒子、平均粒径3.80μm)に変更し、更にテトラエトキシシランをメチルトリメトキシシランに変更したこと以外は実施例1と同様にして、突起粒子及び導電性粒子を得た。
(Comparative Example 2)
“Micropearl ELP-00375” (styrene / acrylic copolymer, average particle size 3.75 μm) manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., which is an organic core particle, is prepared by “Micropearl SI-0038, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., which is an inorganic core particle. (Silica particles, average particle size 3.80 μm) and projecting particles and conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that tetraethoxysilane was changed to methyltrimethoxysilane.
(比較例3)
200℃で6時間焼成しなかったこと以外は実施例1と同様にして、突起粒子及び導電性粒子を得た。
(Comparative Example 3)
Protruding particles and conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that firing was not performed at 200 ° C. for 6 hours.
(評価)
(1)突起粒子の突起の高さ、突起粒子の突起の個数、突起粒子の組成分析および構造解析、突起粒子の粒径、コア粒子の粒径及びシェルの厚み
得られた突起粒子を、走査型電子顕微鏡(日立ハイテクノロジー社製「S−3500N」)にて3000倍の粒子画像を撮影し、得られた画像中の粒子50個の粒径をノギスで測定し、個数平均を求めて突起粒子の粒径を求めた。また、得られた画像を用いて、突起の高さおよび突起の個数を評価した。
(Evaluation)
(1) Projection height of projection particle, number of projections of projection particle, composition analysis and structure analysis of projection particle, particle size of projection particle, particle size of core particle and shell thickness The obtained projection particle is scanned. Take a 3000 times particle image with a scanning electron microscope ("S-3500N" manufactured by Hitachi High-Technology Corporation), measure the particle size of 50 particles in the obtained image with calipers, find the number average, and project The particle size of the particles was determined. Further, the height of the protrusion and the number of protrusions were evaluated using the obtained image.
また、得られた突起粒子を、FIBにより切片を作製し、原子分解能分析電子顕微鏡(JEM−ARM200F)にて、EDS元素像測定した。 Moreover, the obtained protrusion particle | grains produced the section | slice by FIB, and measured the EDS elemental image with the atomic resolution analysis electron microscope (JEM-ARM200F).
突起粒子を作製する際に使用したコア粒子についても、上記と同様の方法により粒径を測定した。突起粒子の粒径とコア粒子の粒径との差から、シェルの厚みを求めた。 The particle diameter of the core particles used for producing the protruding particles was also measured by the same method as described above. The thickness of the shell was determined from the difference between the particle size of the protruding particles and the particle size of the core particles.
(2)4つの−O−Si基が直接結合しておりかつ上記4つの−O−Si基における4つの酸素原子が直接結合しているケイ素原子の個数の割合(Q4の個数の割合(%))
得られた突起粒子における無機シェルにおいて、NMRスペクトル解析装置(JEOL社製「ECX400」)を用い、固体29Si NMRスペクトル解析(測定周波数:79.4254MHz、パルス幅:3.7、試料ホルダー:4mm、試料回転数:10kHz、積算回数:3600、測定温度、25℃、待ち時間:最大ピークが検出された時間の5倍)によって得られたQ4(4つの酸素原子が直接結合しているケイ素原子)のピーク面積とQ1〜Q3(1〜3つの酸素原子が直接結合しているケイ素原子)のピーク面積とを比較することにより、上記無機シェルに含まれているケイ素原子の全個数100%中、4つの−O−Si基が直接結合しておりかつ上記4つの−O−Si基における4つの酸素原子が直接結合しているケイ素原子の個数の割合(Q4の個数の割合)を求めた。
(2) The ratio of the number of silicon atoms in which the four —O—Si groups are directly bonded and the four oxygen atoms in the four —O—Si groups are directly bonded (the ratio of the number of Q4 (% ))
In the inorganic shell in the obtained protruding particles, using a NMR spectrum analyzer (“ECX400” manufactured by JEOL), solid 29 Si NMR spectrum analysis (measurement frequency: 79.4254 MHz, pulse width: 3.7, sample holder: 4 mm) , Sample rotation speed: 10 kHz, integration number: 3600, measurement temperature, 25 ° C., waiting time: 5 times the time when the maximum peak was detected) Q4 (silicon atom in which four oxygen atoms are directly bonded) ) And the peak area of Q1 to Q3 (silicon atoms in which 1 to 3 oxygen atoms are directly bonded), the total number of silicon atoms contained in the inorganic shell is 100%. Silicon in which four —O—Si groups are directly bonded and four oxygen atoms in the four —O—Si groups are directly bonded To determine the ratio of the number of children (ratio of the number of Q4).
(3)突起粒子の上記圧縮弾性率(10%K値及び30%K値)
得られた突起粒子の上記圧縮弾性率(10%K値及び30%K値)を、上述した方法により、微小圧縮試験機(フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」)を用いて測定した。
(3) The compression elastic modulus of the protruding particles (10% K value and 30% K value)
The above-mentioned compression elastic modulus (10% K value and 30% K value) of the obtained projection particles was measured by the above-described method using a micro compression tester (“Fischer Scope H-100” manufactured by Fischer).
(4)突起の外れやすさ
得られた突起粒子1.0gを自動乳鉢(日陶社製「AMM−140D」)の乳鉢部に入れ、乳棒部10rpm、乳鉢部6rpmで1分間撹拌した。撹拌後に、突起が外れている割合を走査型電子顕微鏡で評価した。突起の外れやすさを下記の基準で判定した。
(4) Ease of detachment of protrusions 1.0 g of the obtained protrusion particles were put into a mortar part of an automatic mortar (“AMM-140D” manufactured by Nikko Corporation) and stirred at a pestle part of 10 rpm and a mortar part of 6 rpm for 1 minute. After stirring, the rate at which the protrusions were removed was evaluated with a scanning electron microscope. The ease of detachment of the protrusion was determined according to the following criteria.
[突起の外れやすさの判定基準]
○○:突起粒子100個当たり、少なくとも1個の突起が外れている突起粒子の割合が5個未満
○:突起粒子100個当たり、少なくとも1個の突起が外れている突起粒子の割合が5個以上、10個未満
△:突起粒子100個当たり、少なくとも1個の突起が外れている突起粒子の割合が10個以上、20個未満
×:突起粒子100個当たり、少なくとも1個の突起が外れている突起粒子の割合が20個以上
[Criteria for ease of protrusion removal]
◯: Less than 5 percentage of protruding particles with at least one projection per 100 protruding grains ○: 5 percentage of protruding particles with at least one projection removed per 100 protruding particles Or more, less than 10 △: the ratio of protruding particles from which at least one protrusion is detached per 100 protruding particles is 10 or more and less than 20 ×: at least one protrusion is removed per 100 protruding particles The ratio of protruding particles is 20 or more
(5)接続抵抗
接続構造体の作製:
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製「エピコート1009」)10重量部と、アクリルゴム(重量平均分子量約80万)40重量部と、メチルエチルケトン200重量部と、マイクロカプセル型硬化剤(旭化成ケミカルズ社製「HX3941HP」)50重量部と、シランカップリング剤(東レダウコーニングシリコーン社製「SH6040」)2重量部とを混合し、得られた導電性粒子(加熱前の有機無機ハイブリッド粒子を使用)を含有量が3重量%となるように添加し、分散させ、樹脂組成物を得た。
(5) Connection resistance Fabrication of connection structure:
10 parts by weight of bisphenol A type epoxy resin (“Epicoat 1009” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), 40 parts by weight of acrylic rubber (weight average molecular weight of about 800,000), 200 parts by weight of methyl ethyl ketone, and a microcapsule type curing agent (Asahi Kasei Chemicals) "HX3941HP" manufactured by 50 parts by weight and 2 parts by weight of silane coupling agent ("SH6040" manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) were mixed, and the resulting conductive particles (using organic-inorganic hybrid particles before heating) Was added and dispersed so that the content was 3% by weight to obtain a resin composition.
得られた樹脂組成物を、片面が離型処理された厚さ50μmのPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムに塗布し、70℃の熱風で5分間乾燥し、異方性導電フィルムを作製した。得られた異方性導電フィルムの厚さは12μmであった。 The obtained resin composition was applied to a 50 μm-thick PET (polyethylene terephthalate) film whose one surface was released from the mold, and dried with hot air at 70 ° C. for 5 minutes to produce an anisotropic conductive film. The thickness of the obtained anisotropic conductive film was 12 μm.
得られた異方性導電フィルムを5mm×5mmの大きさに切断した。切断された異方性導電フィルムを、一方に抵抗測定用の引き回し線を有するITO(高さ0.1μm、L/S=20μm/20μm)が設けられたPET基板(幅3cm、長さ3cm)のITO電極側のほぼ中央に貼り付けた。次いで、同じ金電極が設けられた2層フレキシブルプリント基板(幅2cm、長さ1cm)を、電極同士が重なるように位置合わせをしてから貼り合わせた。このPET基板と2層フレキシブルプリント基板との積層体を、10N、180℃、及び20秒間の圧着条件で熱圧着し、加熱前の有機無機ハイブリッド粒子を用いた接続構造体Xを得た。なお、ポリイミドフィルムに銅電極が形成され、銅電極表面がAuめっきされている、2層フレキシブルプリント基板を用いた。
The obtained anisotropic conductive film was cut into a size of 5 mm × 5 mm. PET substrate (
得られた接続構造体Xの対向する電極間の接続抵抗を4端子法により測定した。接続抵抗を下記の基準で判定した。 The connection resistance between the opposing electrodes of the obtained connection structure X was measured by a four-terminal method. Connection resistance was determined according to the following criteria.
[接続抵抗の評価基準]
○○:接続抵抗が3.0Ω以下
○:接続抵抗が3.0Ωを超え、4.0Ω以下
△:接続抵抗が4.0Ωを超え、5.0Ω以下
×:接続抵抗が5.0Ωを超える
[Evaluation criteria for connection resistance]
◯: Connection resistance is 3.0Ω or less ○: Connection resistance exceeds 3.0Ω, 4.0Ω or less △: Connection resistance exceeds 4.0Ω, 5.0Ω or less ×: Connection resistance exceeds 5.0Ω
(6)光散乱性
得られた突起粒子10重量部と、市販品のポリエチレン樹脂ペレット10000重量部とを混合し、押出機にて、成形温度100℃、スクリュー回転速度15〜30rpm、バレル滞留時間5〜20分の条件下で混練し、突起粒子を含有する樹脂フィルムを得た。
(6) Light scattering property 10 parts by weight of the obtained protruding particles and 10000 parts by weight of a commercially available polyethylene resin pellet are mixed, and in an extruder, a molding temperature of 100 ° C., a screw rotation speed of 15 to 30 rpm, and a barrel residence time. The mixture was kneaded for 5 to 20 minutes to obtain a resin film containing protruding particles.
次いで、蛍光灯下の机にMSゴシックの書体で大きさが8ポイントの1から9の数字を印刷した紙を置いた。上記で得られたPEフィルムを通して30cmの距離から観察して、数字が判別できなくなるフィルムと紙の間の距離を測定し、光散乱性を以下の基準で判定した。
Then, a paper printed with
[光散乱性の判定基準]
○:数字が見えなくなる距離が5cm未満であり、光散乱性が良好
△:数字が見えなくなる距離が5cm以上、10cm未満であり、光散乱性がやや良好
×:数字が見えなくなる距離が10cmを超え、光散乱性が不良
[Criteria for light scattering properties]
○: The distance at which the numbers cannot be seen is less than 5 cm, and the light scattering property is good. Δ: The distance at which the numbers cannot be seen is 5 cm or more and less than 10 cm, and the light scattering property is slightly good. Exceeding light scattering
結果を下記の表1に示す。 The results are shown in Table 1 below.
(7)液晶表示素子用スペーサとしての使用例
STN型液晶表示素子の作製:
イソプロピルアルコール70重量部と水30重量部とを含む分散媒に、得られるスペーサ分散液100重量%中で実施例1〜6及び比較例1〜3の液晶表示素子用スペーサ(突起粒子)を固形分濃度が2重量%となるように添加し、撹拌し、液晶表示素子用スペーサ分散液を得た。
(7) Example of use as spacer for liquid crystal display element Production of STN type liquid crystal display element:
In a dispersion medium containing 70 parts by weight of isopropyl alcohol and 30 parts by weight of water, the spacers (projection particles) for liquid crystal display elements of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3 were solidified in 100% by weight of the obtained spacer dispersion. It added so that a partial concentration might be 2 weight%, it stirred, and the spacer dispersion liquid for liquid crystal display elements was obtained.
一対の透明ガラス板(縦50mm、横50mm、厚さ0.4mm)の一面に、CVD法によりSiO2膜を蒸着した後、SiO2膜の表面全体にスパッタリングによりITO膜を形成した。得られたITO膜付きガラス基板に、スピンコート法によりポリイミド配向膜組成物(日産化学社製「SE3510」)を塗工し、280℃で90分間焼成することによりポリイミド配向膜を形成した。配向膜にラビング処理を施した後、一方の基板の配向膜側に、液晶表示素子用スペーサを1mm2当たり100〜200個となるように湿式散布した。他方の基板の周辺にシール剤を形成した後、この基板とスペーサを散布した基板とをラビング方向が90°になるように対向配置させ、両者を貼り合わせた。その後、160℃で90分間処理してシール剤を硬化させて、空セル(液晶の入ってない画面)を得た。得られた空セルに、カイラル剤入りのSTN型液晶(DIC社製)を注入し、次に注入口を封止剤で塞いだ後、120℃で30分間熱処理してSTN型液晶表示素子を得た。 An SiO 2 film was deposited on one surface of a pair of transparent glass plates (length 50 mm, width 50 mm, thickness 0.4 mm) by a CVD method, and then an ITO film was formed on the entire surface of the SiO 2 film by sputtering. A polyimide alignment film composition (“SE3510” manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) was applied to the obtained glass substrate with an ITO film by a spin coating method and baked at 280 ° C. for 90 minutes to form a polyimide alignment film. After the rubbing treatment was performed on the alignment film, liquid crystal display element spacers were wet-sprayed on the alignment film side of one substrate so that the number of spacers for a liquid crystal display element was 100 to 200 per 1 mm 2 . After forming a sealant around the other substrate, this substrate and the substrate on which the spacers were spread were placed opposite to each other so that the rubbing direction was 90 °, and both were bonded together. Then, it processed at 160 degreeC for 90 minute (s), the sealing agent was hardened, and the empty cell (screen which does not contain liquid crystal) was obtained. An STN type liquid crystal containing a chiral agent (made by DIC) was injected into the obtained empty cell, and then the injection port was closed with a sealant, followed by heat treatment at 120 ° C. for 30 minutes to produce an STN type liquid crystal display element. Obtained.
得られた液晶表示素子では、実施例1〜6の液晶表示素子用スペーサにより基板間の間隔が良好に規制されていた。また、実施例1〜6の液晶表示素子用スペーサを用いた液晶表示素子は、良好な表示品質を示した。また、実施例1〜4,6の液晶表示素子用スペーサを用いた場合には実施例5の液晶表示素子用スペーサを用いた場合よりも表示品質がより一層優れていた。 In the obtained liquid crystal display element, the space | interval between board | substrates was favorably controlled by the spacer for liquid crystal display elements of Examples 1-6. Moreover, the liquid crystal display element using the spacer for liquid crystal display elements of Examples 1-6 showed favorable display quality. In addition, when the liquid crystal display element spacers of Examples 1 to 4 and 6 were used, the display quality was much better than when the liquid crystal display element spacer of Example 5 was used.
1…導電性粒子
2…導電層
2a…突起
3…絶縁性物質
11…突起粒子
12…コア粒子
13…無機シェル
13a…突起
13A…第1の無機シェル部分
13B…第2の無機シェル部分
21…導電性粒子
22…導電層
22a…突起
22A…第1の導電層
22Aa…突起
22B…第2の導電層
22Ba…突起
51…接続構造体
52…第1の接続対象部材
52a…第1の電極
53…第2の接続対象部材
53a…第2の電極
54…接続部
81…液晶表示素子
82…透明ガラス基板
83…透明電極
84…配向膜
85…液晶
86…シール剤
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記無機シェルが外表面に複数の突起を有し、
前記無機シェルが、シランアルコキシドにより形成されており、前記無機シェルに含まれているケイ素原子の全個数100%中、4つの−O−Si基が直接結合しておりかつ前記4つの−O−Si基における4つの酸素原子が直接結合しているケイ素原子の個数の割合は50%以上であり、
前記無機シェルが、第1の無機シェル部分と、前記第1の無機シェル部分よりも厚みが厚くかつ前記無機シェルの外表面に複数の突起を形成している第2の無機シェル部分とを有する、突起粒子。 Comprising core particles and an inorganic shell disposed on the surface of the core particles;
The inorganic shell has a plurality of protrusions on the outer surface;
The inorganic shell is formed of a silane alkoxide, and 4 —O—Si groups are directly bonded and the four —O— in 100% of the total number of silicon atoms contained in the inorganic shell. ratio of the number of silicon atoms four oxygen atoms in the Si group is directly bonded is Ri der least 50%,
The inorganic shell has a first inorganic shell portion and a second inorganic shell portion that is thicker than the first inorganic shell portion and has a plurality of protrusions formed on the outer surface of the inorganic shell. you, the projection particles.
前記突起粒子の表面上に配置されており、かつ外表面に複数の突起を有する導電層とを備える、導電性粒子。 The protruding particles according to any one of claims 1 to 6,
A conductive particle comprising: a conductive layer disposed on a surface of the protruding particle and having a plurality of protrusions on an outer surface.
前記導電性粒子が、請求項1〜6のいずれか1項に記載の突起粒子と、前記突起粒子の表面上に配置されており、かつ外表面に複数の突起を有する導電層とを備える、導電材料。 Containing conductive particles and a binder resin,
The conductive particles include the protruding particles according to any one of claims 1 to 6 and a conductive layer disposed on a surface of the protruding particles and having a plurality of protrusions on an outer surface. Conductive material.
第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、
前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部が、導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、
前記導電性粒子が、請求項1〜6のいずれか1項に記載の突起粒子と、前記突起粒子の表面上に配置されており、かつ外表面に複数の突起を有する導電層とを備え、
前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。 A first connection object member having a first electrode on its surface;
A second connection target member having a second electrode on its surface;
A connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member;
The connecting portion is formed of conductive particles or formed of a conductive material containing the conductive particles and a binder resin;
The conductive particle comprises the protruding particle according to any one of claims 1 to 6, and a conductive layer disposed on a surface of the protruding particle and having a plurality of protrusions on an outer surface,
A connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
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