JP5587935B2 - Snめっき材 - Google Patents

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Description

本発明は、コネクタ、端子、リレ−、スイッチ等の導電性ばね材として好適であり、銅又は銅合金表面にリフロー処理を施したSnめっき層を有するSnめっき材に関する。
自動車用及び民生用の端子、コネクタ、電気電子機器の各種端子、コネクタ、リレー又はスイッチ等には、Snの優れた半田濡れ性、耐食性、電気接続性を生かし、銅又は銅合金の表面にSnめっきが施されている(特許文献1)。また、Snめっき後にSnの融点以上に加熱して溶融するリフロー処理が施され、密着性や外観等を向上させている。
上記したSnめっき層を有する銅材料(以下、「Snめっき材」と称する)をプレス加工してコネクタ等を製造する際、銅材料をパッドで押えるが、銅材料表面にパッドが接触することで銅材料表面のSnめっき層からSn粉が発生し、プレス機に混入するという問題が生じていた。
この問題に対し、本発明者は銅又は銅合金条表面のSnめっき層をリフロー処理した後に最表面にCu−Sn合金層を部分的に露出させると、露出したCu−Sn合金層が最表面のSn層を保持し(ピン止めし)、Sn粉の発生を抑制することを見出し、未公開の特願2011−080394において、最表面に露出したCu−Sn合金層の面積率を0.5〜4%とし、最表面から見て前記Cu−Sn合金層の個数を0.033mm2当たり100〜900個としたSnめっき材を提案した。
特開2006−283149号公報
本発明者が提案した上記Snめっき材はSn粉の発生を抑制する上で有効であるものの、未だ改善の余地が残されている。そこで、本発明はSnめっき材において摩擦によるSn粉の発生を抑制するための更なる改良を提供すること目的とする。
銅又は銅合金表面のSnめっき層をリフロー処理すると、基材(銅又は銅合金)中のCuが表面のSnめっき層に拡散し、Snめっき層と基材との間にCu−Sn合金層が形成する。特願2011−080394では最表面にSn層よりも硬いCu−Sn合金層を所定の面積率で露出させることにより、プレス加工時にパッドで最表面を保持する際に生じる擦り傷が伸張するのを抑制し、Sn粉の発生を防止することを狙っている。
しかしながら、表層の大部分を占めるSnめっき層自体は依然として柔らかいため、上記手段では、Cu−Sn合金層が露出していないSn層部分での擦り傷は十分に抑制することができない。そのため、Sn粉の発生は避けられない。一方で、Cu−Sn合金層の露出面積を過度に高くしてしまうと、表面のSnめっき層が少なくなって半田濡れ性が低下するという問題が生じる。
そこで、本発明者は半田濡れ性を保持しながらSn粉の発生を効果的に抑制可能な手法について鋭意検討したところ、リフロー処理によって基材から成長したCu−Sn合金層を適度に最表面に露出させることに加えて、リフロー処理後のSn層中に微細なCu−Sn合金粒子を分散させることが有効であることを見出した。
本発明は斯かる知見を基礎として完成したものであり、一側面において、銅又は銅合金製の基材上に直接又は下地めっきを介してリフローSnめっき層を有するSnめっき材であって、リフローSnめっき層は上側のSn層と下側のCu−Sn合金層で構成され、Sn層を断面観察したときに粒径が10〜100nmのCu−Sn合金粒子が50〜1000個/μm2の個数密度で存在するSnめっき材である。
本発明に係るSnめっき材は別の一実施形態において、リフローSnめっき層と基材の間にCu−Sn合金層を有し、最表面に露出したCu−Sn合金層の面積率が0.5〜4%であり、最表面から見てCu−Sn合金層の個数が0.033mm2当たり100〜900個である。
本発明に係るSnめっき材は別の一実施形態において、Sn層を断面観察したときに粒径が10〜100nmのCu−Sn合金粒子が400〜800個/μm2の個数密度で存在する。
本発明に係るSnめっき材は別の一実施形態において、銅又は銅合金製の基材の表面がCu下地めっき層、又は、Ni及びCuをこの順に積層したCu/Ni二層下地めっき層で被覆されており、その上にリフローSnめっき層を有する。
本発明は別の一側面において、本発明に係るSnめっき材を備えた電子部品である。
本発明に係るSnめっき材では摩擦によって発生するSn粉の量が抑制されるため、例えば、Snめっき材をプレス加工する場合、プレス金型に送り込む手前で材料を保持するパッド部分において、パッドによって削り取られるSnめっきが少なくなることでパッド表面に付着するSn粉が少なくなり、プレス加工時にプレス機内にSn粉が混入するというトラブルを防止可能である。また、本発明に係るSnめっき材ははんだ濡れ性にも優れている。
本発明の一実施形態に係るSnめっき材のめっき構成を表す模式図である。 半田濡れ性を評価するときのt2を説明するための図である。 本発明に係るSnめっき材(実施例1−1)について、リフローSnめっき層の厚み方向と平行な断面をSEM観察(倍率20,000)したときの写真例である。 図3の白枠部の拡大写真である。
以下、本発明に係るSnめっき材の実施形態について説明する。
(1)基材の組成
本発明に係るSnめっき材の基材としては、銅又は銅合金基材を使用することができる。例えば、銅としては純度99.9質量%以上のタフピッチ銅や無酸素銅などが挙げられ、銅合金としては黄銅、りん青銅、ベリリウム銅、洋白、丹銅、チタン銅及びコルソン合金などが挙げられ、端子やコネクタ等の各種電子部品の要求特性に従い、適宜選択でき、何等制限されない。
(2)リフローSnめっき層
基材上にはリフローSnめっき層が形成される。リフローSnめっき層は、基材の表面に直接形成することができ、又は下地めっきを介して形成することができる。下地めっきとしては、リフロー処理時にCuがSnめっき層中に拡散してCu−Sn合金を形成することが可能であれば特に制限はないが、典型的にはCuが挙げられ、これをめっきしてもよく、又はNi、Cuの順にめっきしてCu/Ni二層下地めっきとしてもよい。
リフローSnめっき層は、例えば、脱脂及び酸洗をした基材上に、必要に応じて下地めっき層を形成した後、Snめっき層を形成し、次いでリフロー処理を施しSnめっき層を加熱溶融させる工程を経ることにより製造することができる。Snめっき層の形成は電気Snめっきや無電解Snめっきのような湿式めっき、或いはCVDやPVDのような乾式めっきにより行うことができるが、生産性、コストの観点から電気めっきが好ましい。大量生産を行う上では、リールトゥリールの連続めっきラインで上記一連の工程を実施するのが好ましい。
Snめっき層に対してリフロー処理を施すと、Snめっき層が溶融して、上側のSn層と下側のCu−Sn合金層で構成されるリフローSnめっき層に変化する。リフロー処理によって、基材及び/又は下地めっき中のCuが表面のリフローSnめっき層に拡散し、リフローSnめっき層中にCu−Sn合金層が形成され、最表面にはSn層が残存する。また、Sn層中に微細なCu−Sn合金の粒子が析出する。図1には、本発明の一実施形態に係るSnめっき材のめっき構成を模式的に表している。
(3)リフローSnめっき層中のCu−Sn合金粒子
本発明に係るSnめっき材においては、リフローSnめっき層の厚み方向と平行な断面を観察したときに粒径が10〜100nmのCu−Sn合金粒子がSn層中に50〜1000個/μm2の個数密度で存在することが特徴の一つである。推定効果としては、Sn層中に分散した微細なCu−Sn合金粒子が本来的に柔らかいリフローSnめっき層を強化し、耐摩耗性を向上させ、Sn粉発生を抑制する。また、微細なCu−Sn合金粒子がSn層の最表面近傍に多数存在することで、パッドで僅かにSnめっきが削り取られた際に表面に露出するCu−Sn合金粒子が多数存在し、それ以上のSn粉の発生を抑制する。Cu−Sn合金粒子は後述するCu−Sn合金層と同様の組成を有しており、粒径が10〜100nmのCu−Sn合金粒子の個数密度を50〜1000個/μm2に設定したのは、個数密度が少なすぎると粉落ちの抑制効果が十分に得られない一方で、多すぎると半田濡れ性に悪影響を与えるためである。粒径が10〜100nmのCu−Sn合金粒子の個数密度は、粉落ち防止効果と半田濡れ性のバランスを考慮すると、400〜800個/μm2が好ましく、500〜800個/μm2がより好ましい。
本発明において、Cu−Sn合金粒子の個数密度は、FIB(収束イオンビーム、Focused Ion Beam)をSnめっき表面より照射してエッチング加工し、加工された断面をSEMにて、倍率20000倍で2視野以上を観察し、この領域で観察されるSn層中の10〜100nmの粒径のCu−Sn合金粒子数を数える事で測定する。各Cu−Sn合金粒子の粒径は当該粒子を取り囲む最小円の直径として定義する。
Sn層中の粒径が10〜100nmのCu−Sn合金粒子の個数密度は、リフロー処理後の冷却速度が大きな影響を与える。一般には、冷却速度が速いと、Sn層中に析出するCu−Sn粒子の個数が少なくなる傾向にあり、冷却速度が遅いと、Sn層中に析出するCu−Sn粒子の個数が多くなる。材料がリフロー炉から出てきた直後に水冷された場合には冷却速度が速すぎるので、空冷、あるいはリフロー炉から出てきて数秒間空冷した後に水冷することが好ましい。この際、空冷領域において冷却風を送り込むファンの周波数を変化させることで冷却速度を調整することができる。
(4)Cu−Sn合金層
Cu−Sn合金層は、通常はCu6Sn5及び/又はCu3Sn4の組成を有しているが、上記した下地めっきの成分や、基材を銅合金としたときの合金元素を含んでもよい。Cu−Sn合金層はSn層よりも硬いことから、Snめっき材の最表面に部分的に露出することにより、リフローSnめっき層で発生した擦り傷の伝搬を阻止するので(ピン留め効果)、Sn粉の発生を抑制する効果が得られる。最表面に露出したCu−Sn合金層の面積率は、低すぎるとCu−Sn合金層によるピン留め効果が生じない一方で、高すぎると表面のSn量が少なくなって半田濡れ性、耐食性、電気接続性等が劣化すると共に、表面が鮫肌状となって外観も劣るようになることから、0.5〜4%とするのが好ましく、1〜4%とするのがより好ましい。
Cu−Sn合金層の面積率は以下の手順で測定することができる。まず、Snめっき材の表面の走査電子顕微鏡(SEM)像の反射電子像を取得する。最表面に露出したCu−Sn合金層は、Snに比べて暗い画像となるため、この像を2値化した後反転して白い画像に変換し、Cu−Sn合金層の面積を求めることで算出できる。(2値化は、例えばSEM装置の輝度レンジ255中120に設定する。)
最表面に露出したCu−Sn合金層の面積率を単に規定するだけでは、例えば粗大なCu−Sn合金層がわずかな個数露出する場合も含まれるが、この場合には、上記ピン止め効果が生じ難く、同じ面積率であっても最表面に多数のCu−Sn合金層が分散している方がよい。そこで、最表面に露出したCu−Sn合金層の個数を制御することが望ましい。具体的には、最表面から見て、露出したCu−Sn合金層の個数が0.033mm2当たり100〜900個であることが好ましく、200〜900個であることがより好ましい。上記個数が0.033mm2当たり100個未満であると上記ピン留め効果が生じ難く、900個を超えると表面のSn量が少なくなって半田濡れ性、耐食性、電気接続性等が劣化すると共に、表面が鮫肌状となって外観も劣る場合がある。
なお、最表面にはCu−Sn合金層以外に前述したCu−Sn合金粒子も観察される場合があるが、両者を判別することは困難であることから、ここでは、両者を区別することなく、最表面に露出しているCu−Sn合金粒子もCu−Sn合金層として扱う。
露出したCu−Sn合金層の個数は、上記した反射電子像を2値化して得られる白い画像の中で、検出可能な最小面積0.2μm2以上の大きさで露出した部分の個数をコンピュータソフトウェアで数えて得ることができる。
最表面に露出したCu−Sn合金層の面積率及び個数は主に、リフロー温度、リフロー時間、及びSnめっき厚の調整によって制御することができる。これらを調整することで、基材側から表面へのCu−Sn合金層の成長度合を制御し、最表面に到達する(露出する)Cu−Sn合金層の面積率及び個数を制御することができる。リフロー時の炉内温度が高いほど、材料が良く加熱されてCu−Sn合金層が成長しやすい。また、加熱用のファン周波数を高くすると、材料表面に吹き付ける熱風の作用により、Cu−Sn合金層の核生成が促進され、表面のCu−Sn合金層の粒径が小さくなりやすい。リフロー処理前のSnめっき層の厚みは例示的には0.1〜5.0μmとすることができ、リフロー処理後のリフローSnめっき層の厚みは例示的には0.1〜4.5μmとすることができる。
なお、ここでいうリフローSnめっき層の厚みは、Sn層とCu−Sn合金層の合計の厚みとして、電解式膜厚計を用いて測定した値をいう。
(5)用途
本発明に係るSnめっき材は端子、コネクタ、リレー、及びスイッチ等の各種電子部品の材料として好適に使用できる。
以下に本発明の実施例を示すが、以下の実施例に本発明が限定されることを意図するものではない。
(例1)
タフピッチ銅を原料とし、表1〜表5に示す元素を添加したインゴットを鋳造し、900℃以上で厚さ10mmまで熱間圧延を行い、表面の酸化スケールを面削した後、冷間圧延と熱処理とを繰り返し、最後に最終冷間圧延で厚み0.2mmの板(基材)に仕上げた。最終冷間圧延での圧延加工度を10〜50%とした。
次に、この基材の表面を脱脂及び酸洗の後、電気めっき法によりNiめっき層、Cuめっき層の順に下地めっき層を形成し、場合によってはNiめっきを省略、あるいはNiとCu両方の下地めっきを省略し、次に電気めっき法によりSnめっき層を形成した。下地Niめっきを施す場合は硫酸浴(液温約50℃、電流密度5A/dm2)で電気めっきし、下地Niめっきの厚みを0.3μmとした。下地Cuめっきを施す場合は硫酸浴(液温約50℃、電流密度30A/dm2)で電気めっきし、下地Cuめっきの厚みを0.5μmとした。Snめっきは、フェノールスルホン酸浴(液温約35℃、電流密度12A/dm2)で電気めっきし、電着時間を調整することでSnめっき層の厚みを0.1〜5.0μmとした。各めっき層の厚みは電解式膜厚計で測定した。
次に、雰囲気をCO濃度1.0vol.%とした加熱炉中に、各試料を7秒間装入しファンから熱風を送りながらSnめっき層を溶融させた後、ファンから冷風を送ることにより冷却し、表面にリフロー処理を施したSnめっき材を得た。なお、表1〜5に示すように、リフロー条件及び冷却条件を変えた。リフローSnめっき層の厚みを表中に示す。リフローSnめっき層の厚みは、株式会社電測製のCT−1型電解式膜厚計を用い、サンプル上の任意の5点について測定した平均値を測定値とした。
加熱リフロー条件は、加熱炉の温度とファンの周波数により調整した。加熱炉の温度及びファン周波数が高いほど、試料が良く加熱されてCu−Sn合金層が成長した。加熱用のファン周波数を高くすると、材料表面に吹き付ける風の作用により、Cu−Sn合金層の核生成が促進され、Cu−Sn合金層の粒径が小さくなり、Snめっき最表面に露出する個々のCu−Sn合金層の大きさが小さくなった。
また、冷却条件として、冷風を送るファンの周波数を変えた。冷却用のファン周波数を高くすると冷却速度が速くなり、リフローSnめっき層中に析出するCu−Sn粒子の個数が少なくなった。冷却用のファン周波数を低くすると冷却速度が遅くなり、リフローSnめっき層中に析出するCu−Sn粒子の個数が多くなった。なお、空冷を5秒間実施した後に、液温60℃の冷却湯洗槽を通して冷却した。
このようにして得られた各Snめっき材について、諸特性の評価を行った。
(1)最表面から観察したCu−Sn合金層の面積率
Snめっき材の表面の走査電子顕微鏡(SEM)像の反射電子像を取得した。最表面に露出したCu−Sn合金層は、Snに比べて暗い画像となるため、この像を2値化した後反転して白い画像に変換し、Cu−Sn合金層の面積を求めることで面積率を算出した。
2値化は、SEM装置の輝度レンジ255中120に設定して行った。
(2)最表面から観察したCu−Sn合金層の個数密度
上記した反射電子像を2値化して得られる白い画像の個数をSEMに搭載されている粒子解析ソフトで数えて得た。なお、この個数は、2000倍の倍率の面積(0.0066mm2)につき5視野の総数をカウントし、0.033mm2当たりに換算した。
(3)断面から観察したCu−Sn合金粒子の個数密度
Snめっき表面よりFIBにてエッチング加工した断面を、SEMにて20000倍で5視野観察し、Sn層中に観察される粒径10〜100nmのCu−Sn合金粒子の総数をカウントして、1μm2当たりに換算した。ここで、粒子の粒径とは、一つの粒子を取り囲む最小円の直径とした。
なお、Cu−Sn合金粒子は、CuとSnのみを含有することをAES(Auger Electron Spectroscopy:オージェ電子分光法)により確認した。
(4)Sn粉発生
Snめっき材を摩擦試験装置(スガ試験機株式会社製、スガ磨耗試験機)上に置き、試料表面にフェルトを載せ、フェルトの上に30gのウェイトを荷重した状態で、フェルトを試料表面で1cmの振幅で往復運動(走査距離10mm、走査速度13mm/s、往復回数15回)させた。往復運動後にフェルトの上にSn粉の付着が認められない場合、もう一度同じ往復運動を実施して試料側のフェルト表面を観察し、Snの付着度合を目視評価した。評価基準は以下の通りである。評価が△であれば、Sn粉の発生が少なく実用上問題ないが、○や◎であればより好ましい。
◎:2回目の往復運動後、フェルトにSn粉の付着が見られない。
○:1回目の往復運動後にフェルトにSn粉の付着が見られず、2回目の往復運動後にフェルトにSn粉の付着が薄く認められる。
△:1回目の往復運動後にフェルトにSn粉の付着が薄く認められる。
×:1回目の往復運動後にフェルトにSn粉の付着が濃く認められる。
(5)はんだ濡れ性
JIS C60068−2−54:2009に従い、各試料のはんだ濡れ性を評価した。ここで、はんだ濡れ性の評価方法は、図2に示すように、溶融はんだに試料を浸漬して引き上げる際に、浸漬開始から表面張力による浮力が「0」となるまでの時間(t2)を測定した。この時間が2秒以下であれば、実用上問題ない。
得られた結果を表1に示す。
表1より、基材として何れの銅合金を使用した場合であっても、断面Cu−Sn合金粒子の個数密度が本発明の範囲内にあるときに、Sn粉の発生を抑制する効果及び良好なはんだ濡れ性の両立が上手く達成できたことが分かる。一方、冷却時のファン周波数が高く、冷却速度が速すぎた場合には、断面Cu−Sn合金粒子の個数密度が増加せず、Sn粉の発生を抑制できなかった。また、冷却時のファン周波数が低く、冷却速度が遅すぎた場合には、断面Cu−Sn合金粒子の個数密度が過剰となり、はんだ濡れ性が悪化した。
また、比較例1−3では、Snめっき層を溶融させた後、直ちに液温60℃の水槽に通すことによって試料を冷却したために、冷却速度が速すぎたことから、断面Cu−Sn合金粒子が十分に析出しなかった。そのため、Sn粉の発生が多くなった。
(例2)
表2〜表5に記載される添加元素を添加した各種銅合金を母材とし、表に記載される条件以外は例1と同様の条件で試料を作製して評価した結果を表2〜5に示す。
表2〜5より、基材として何れの銅合金あるいは銅を使用した場合であっても、断面Cu−Sn合金粒子の個数密度が本発明の範囲内にあるときに、Sn粉の発生を抑制する効果及び良好なはんだ濡れ性の両立が上手く達成できたことが分かる。一方、冷却時のファン周波数が高く、冷却速度が速すぎた場合には、断面Cu−Sn合金粒子の個数密度が増加せず、Sn粉の発生を抑制できなかった。また、冷却時のファン周波数が低く、冷却速度が遅すぎた場合には、断面Cu−Sn合金粒子の個数密度が過剰となり、はんだ濡れ性が悪化した。
10 Snめっき材
11 基材
12 Cu−Sn合金層
13 Sn層
13a 最表面に露出したCu−Sn合金層
14 Cu−Sn合金粒子
15 リフローSnめっき層
16 Ni下地めっき層
17 Cu下地めっき層

Claims (5)

  1. 銅又は銅合金製の基材上に直接又は下地めっきを介してリフローSnめっき層を有するSnめっき材であって、リフローSnめっき層は上側のSn層と下側のCu−Sn合金層で構成され、Sn層を断面観察したときに粒径が10〜100nmのCu−Sn合金粒子が50〜1000個/μm2の個数密度で存在するSnめっき材。
  2. リフローSnめっき層の最表面に露出したCu−Sn合金層の面積率が0.5〜4%であり、最表面から見てCu−Sn合金層の個数が0.033mm2当たり100〜900個である請求項1に記載のSnめっき材。
  3. Sn層を断面観察したときに粒径が10〜100nmのCu−Sn合金粒子が400〜800個/μm2の個数密度で存在する請求項1又は2に記載のSnめっき材。
  4. 銅又は銅合金製の基材の表面がCu下地めっき層、又は、Ni及びCuをこの順に積層したCu/Ni二層下地めっき層で被覆されており、その上にリフローSnめっき層を有する請求項1〜3の何れか一項に記載のSnめっき材。
  5. 請求項1〜4の何れか一項に記載のSnめっき材を備えた電子部品。
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