JP5587935B2 - Snめっき材 - Google Patents
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Description
本発明に係るSnめっき材の基材としては、銅又は銅合金基材を使用することができる。例えば、銅としては純度99.9質量%以上のタフピッチ銅や無酸素銅などが挙げられ、銅合金としては黄銅、りん青銅、ベリリウム銅、洋白、丹銅、チタン銅及びコルソン合金などが挙げられ、端子やコネクタ等の各種電子部品の要求特性に従い、適宜選択でき、何等制限されない。
基材上にはリフローSnめっき層が形成される。リフローSnめっき層は、基材の表面に直接形成することができ、又は下地めっきを介して形成することができる。下地めっきとしては、リフロー処理時にCuがSnめっき層中に拡散してCu−Sn合金を形成することが可能であれば特に制限はないが、典型的にはCuが挙げられ、これをめっきしてもよく、又はNi、Cuの順にめっきしてCu/Ni二層下地めっきとしてもよい。
本発明に係るSnめっき材においては、リフローSnめっき層の厚み方向と平行な断面を観察したときに粒径が10〜100nmのCu−Sn合金粒子がSn層中に50〜1000個/μm2の個数密度で存在することが特徴の一つである。推定効果としては、Sn層中に分散した微細なCu−Sn合金粒子が本来的に柔らかいリフローSnめっき層を強化し、耐摩耗性を向上させ、Sn粉発生を抑制する。また、微細なCu−Sn合金粒子がSn層の最表面近傍に多数存在することで、パッドで僅かにSnめっきが削り取られた際に表面に露出するCu−Sn合金粒子が多数存在し、それ以上のSn粉の発生を抑制する。Cu−Sn合金粒子は後述するCu−Sn合金層と同様の組成を有しており、粒径が10〜100nmのCu−Sn合金粒子の個数密度を50〜1000個/μm2に設定したのは、個数密度が少なすぎると粉落ちの抑制効果が十分に得られない一方で、多すぎると半田濡れ性に悪影響を与えるためである。粒径が10〜100nmのCu−Sn合金粒子の個数密度は、粉落ち防止効果と半田濡れ性のバランスを考慮すると、400〜800個/μm2が好ましく、500〜800個/μm2がより好ましい。
Cu−Sn合金層は、通常はCu6Sn5及び/又はCu3Sn4の組成を有しているが、上記した下地めっきの成分や、基材を銅合金としたときの合金元素を含んでもよい。Cu−Sn合金層はSn層よりも硬いことから、Snめっき材の最表面に部分的に露出することにより、リフローSnめっき層で発生した擦り傷の伝搬を阻止するので(ピン留め効果)、Sn粉の発生を抑制する効果が得られる。最表面に露出したCu−Sn合金層の面積率は、低すぎるとCu−Sn合金層によるピン留め効果が生じない一方で、高すぎると表面のSn量が少なくなって半田濡れ性、耐食性、電気接続性等が劣化すると共に、表面が鮫肌状となって外観も劣るようになることから、0.5〜4%とするのが好ましく、1〜4%とするのがより好ましい。
なお、最表面にはCu−Sn合金層以外に前述したCu−Sn合金粒子も観察される場合があるが、両者を判別することは困難であることから、ここでは、両者を区別することなく、最表面に露出しているCu−Sn合金粒子もCu−Sn合金層として扱う。
なお、ここでいうリフローSnめっき層の厚みは、Sn層とCu−Sn合金層の合計の厚みとして、電解式膜厚計を用いて測定した値をいう。
本発明に係るSnめっき材は端子、コネクタ、リレー、及びスイッチ等の各種電子部品の材料として好適に使用できる。
タフピッチ銅を原料とし、表1〜表5に示す元素を添加したインゴットを鋳造し、900℃以上で厚さ10mmまで熱間圧延を行い、表面の酸化スケールを面削した後、冷間圧延と熱処理とを繰り返し、最後に最終冷間圧延で厚み0.2mmの板(基材)に仕上げた。最終冷間圧延での圧延加工度を10〜50%とした。
(1)最表面から観察したCu−Sn合金層の面積率
Snめっき材の表面の走査電子顕微鏡(SEM)像の反射電子像を取得した。最表面に露出したCu−Sn合金層は、Snに比べて暗い画像となるため、この像を2値化した後反転して白い画像に変換し、Cu−Sn合金層の面積を求めることで面積率を算出した。
2値化は、SEM装置の輝度レンジ255中120に設定して行った。
(2)最表面から観察したCu−Sn合金層の個数密度
上記した反射電子像を2値化して得られる白い画像の個数をSEMに搭載されている粒子解析ソフトで数えて得た。なお、この個数は、2000倍の倍率の面積(0.0066mm2)につき5視野の総数をカウントし、0.033mm2当たりに換算した。
(3)断面から観察したCu−Sn合金粒子の個数密度
Snめっき表面よりFIBにてエッチング加工した断面を、SEMにて20000倍で5視野観察し、Sn層中に観察される粒径10〜100nmのCu−Sn合金粒子の総数をカウントして、1μm2当たりに換算した。ここで、粒子の粒径とは、一つの粒子を取り囲む最小円の直径とした。
なお、Cu−Sn合金粒子は、CuとSnのみを含有することをAES(Auger Electron Spectroscopy:オージェ電子分光法)により確認した。
(4)Sn粉発生
Snめっき材を摩擦試験装置(スガ試験機株式会社製、スガ磨耗試験機)上に置き、試料表面にフェルトを載せ、フェルトの上に30gのウェイトを荷重した状態で、フェルトを試料表面で1cmの振幅で往復運動(走査距離10mm、走査速度13mm/s、往復回数15回)させた。往復運動後にフェルトの上にSn粉の付着が認められない場合、もう一度同じ往復運動を実施して試料側のフェルト表面を観察し、Snの付着度合を目視評価した。評価基準は以下の通りである。評価が△であれば、Sn粉の発生が少なく実用上問題ないが、○や◎であればより好ましい。
◎:2回目の往復運動後、フェルトにSn粉の付着が見られない。
○:1回目の往復運動後にフェルトにSn粉の付着が見られず、2回目の往復運動後にフェルトにSn粉の付着が薄く認められる。
△:1回目の往復運動後にフェルトにSn粉の付着が薄く認められる。
×:1回目の往復運動後にフェルトにSn粉の付着が濃く認められる。
(5)はんだ濡れ性
JIS C60068−2−54:2009に従い、各試料のはんだ濡れ性を評価した。ここで、はんだ濡れ性の評価方法は、図2に示すように、溶融はんだに試料を浸漬して引き上げる際に、浸漬開始から表面張力による浮力が「0」となるまでの時間(t2)を測定した。この時間が2秒以下であれば、実用上問題ない。
得られた結果を表1に示す。
また、比較例1−3では、Snめっき層を溶融させた後、直ちに液温60℃の水槽に通すことによって試料を冷却したために、冷却速度が速すぎたことから、断面Cu−Sn合金粒子が十分に析出しなかった。そのため、Sn粉の発生が多くなった。
表2〜表5に記載される添加元素を添加した各種銅合金を母材とし、表に記載される条件以外は例1と同様の条件で試料を作製して評価した結果を表2〜5に示す。
11 基材
12 Cu−Sn合金層
13 Sn層
13a 最表面に露出したCu−Sn合金層
14 Cu−Sn合金粒子
15 リフローSnめっき層
16 Ni下地めっき層
17 Cu下地めっき層
Claims (5)
- 銅又は銅合金製の基材上に直接又は下地めっきを介してリフローSnめっき層を有するSnめっき材であって、リフローSnめっき層は上側のSn層と下側のCu−Sn合金層で構成され、Sn層を断面観察したときに粒径が10〜100nmのCu−Sn合金粒子が50〜1000個/μm2の個数密度で存在するSnめっき材。
- リフローSnめっき層の最表面に露出したCu−Sn合金層の面積率が0.5〜4%であり、最表面から見てCu−Sn合金層の個数が0.033mm2当たり100〜900個である請求項1に記載のSnめっき材。
- Sn層を断面観察したときに粒径が10〜100nmのCu−Sn合金粒子が400〜800個/μm2の個数密度で存在する請求項1又は2に記載のSnめっき材。
- 銅又は銅合金製の基材の表面がCu下地めっき層、又は、Ni及びCuをこの順に積層したCu/Ni二層下地めっき層で被覆されており、その上にリフローSnめっき層を有する請求項1〜3の何れか一項に記載のSnめっき材。
- 請求項1〜4の何れか一項に記載のSnめっき材を備えた電子部品。
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