JP5185895B2 - Photoelectric conversion submount substrate and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、光と電気の信号を相互に変換する光電変換サブマウント基板及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a photoelectric conversion submount substrate that mutually converts light and electric signals, and a method for manufacturing the same.

近年、通信インフラの急速な広帯域化、コンピュータ等の情報処理能力の飛躍的な増大などに伴って、非常に高速な情報伝送路を有する情報処理回路へのニーズが高まっている。このような背景のもと、電気信号の伝送速度限界を突破する一つの手段として、光信号による伝送が考えられており、電気回路に光回路を混載することが種々検討されている。そして、光信号を電気信号に、またはその逆に変換するユニットとして光電変換サブマウント基板が知られている。   In recent years, the need for an information processing circuit having a very high-speed information transmission path is increasing with the rapid widening of communication infrastructure and the dramatic increase in information processing capability of computers and the like. Under such circumstances, transmission by an optical signal is considered as one means for breaking the transmission speed limit of an electric signal, and various studies have been made on mounting an optical circuit in an electric circuit. A photoelectric conversion submount substrate is known as a unit that converts an optical signal into an electrical signal or vice versa.

図13は、従来の光電変換サブマウント基板の一例であり、(a)は平面図、(b)は(a)の横側面図(白抜矢印方向から見た図)である。この光電変換サブマウント基板は、基板1と、基板表面の凹設面20に形成されたコア層21、及びコア層21を被覆して封止すると共に上端面が基板表面よりも突出して形成されたクラッド層22からなる光導波路2と、光導波路2と光結合する光素子4と、光素子4と光導波路2との間に充填されたアンダーフィル5と、基板表面に端部が接着され、外部導波路23とフィルム24を有する外部導波路フィルム3とを備えている。   FIGS. 13A and 13B show an example of a conventional photoelectric conversion submount substrate. FIG. 13A is a plan view, and FIG. 13B is a horizontal side view of FIG. The photoelectric conversion submount substrate is formed by covering and sealing the substrate 1, the core layer 21 formed on the concave surface 20 of the substrate surface, and the core layer 21, and the upper end surface protruding from the substrate surface. The optical waveguide 2 composed of the clad layer 22, the optical element 4 optically coupled to the optical waveguide 2, the underfill 5 filled between the optical element 4 and the optical waveguide 2, and the end thereof are bonded to the substrate surface. And an external waveguide film 3 having an external waveguide 23 and a film 24.

図12は、光電変換サブマウント基板の要部の拡大図であり、(a)は(b)のロ−ロ断面図、(b)は斜視図である。なお、図12(b)においてはアンダーフィル5を省略して図示している。なお、図12及び13において、6はメタルパターンにより形成される回路層、7は45°ミラーとして形成される光反射層である。図12に示すように、クラッド層22は上端面が基板表面よりも高くなっており、クラッド層22と基板1とにより段差Xが形成されている。段差Xは、1〜15μm程度の高さを有する。   12A and 12B are enlarged views of a main part of the photoelectric conversion submount substrate. FIG. 12A is a cross-sectional view of (b) and FIG. 12 (b) is a perspective view. In FIG. 12B, the underfill 5 is omitted. In FIGS. 12 and 13, 6 is a circuit layer formed of a metal pattern, and 7 is a light reflecting layer formed as a 45 ° mirror. As shown in FIG. 12, the upper end surface of the cladding layer 22 is higher than the substrate surface, and a step X is formed between the cladding layer 22 and the substrate 1. The step X has a height of about 1 to 15 μm.

このような光電変換サブマウント基板にあっては、光と電気とを効率よく変換できると共に、光素子4がアンダーフィル5によって基板1に固定され、丈夫で光電変換性能のよいものとすることができる。   In such a photoelectric conversion submount substrate, light and electricity can be efficiently converted, and the optical element 4 is fixed to the substrate 1 by the underfill 5 so that it is strong and has good photoelectric conversion performance. it can.

しかしながら、上記のような光電変換サブマウント基板では、光素子4と基板1との間に充填されたアンダーフィル5が、毛細管現象によりクラッド層22の段差Xをつたって外部導波路フィルム3の方に流れ出してフィルム接着面に達することにより、外部導波路フィルム3の接続強度不良が発生するという問題があった。   However, in the photoelectric conversion submount substrate as described above, the underfill 5 filled between the optical element 4 and the substrate 1 crosses the step X of the cladding layer 22 by the capillary phenomenon, and the external waveguide film 3 When the liquid flows out to reach the film adhesion surface, there is a problem that a connection strength failure of the external waveguide film 3 occurs.

図12(b)において、アンダーフィル5は、クラッド層22の段差Xに図示の太矢印で示す方向に流れ出す。また、図13(a)において、アンダーフィル5の流れ出しを矢印が指す斜線部分(UF流出)で示している。   In FIG. 12B, the underfill 5 flows out in the direction indicated by the thick arrow shown in the step X of the cladding layer 22. Further, in FIG. 13A, the flow of the underfill 5 is indicated by a hatched portion (UF outflow) indicated by an arrow.

上記のような光電変換サブマウント基板の製造にあたっては、ウェハに光導波路2などの各層を形成し光素子4を実装した後、アンダーフィル5を充填し、次いで、素子を保護しながらウェハを個片化して基板1を取り出し、個片化された基板1に外部導波路フィルム3を接着する。したがって、流出によってフィルムを接着しようとする面に到達したアンダーフィル5が接着剤の接着性を低下させるので、外部導波路フィルム3が基板1に接着されるのを阻害することになるのである。なお、フィルム接着後ではなくウェハレベルで先にアンダーフィル5を充填しておくのは、その方がハンドリング性が良く、個片化時(ダイシング等での切断時)には素子保護の役目も果たすからである。   In manufacturing the photoelectric conversion submount substrate as described above, after forming each layer such as the optical waveguide 2 on the wafer and mounting the optical element 4, the underfill 5 is filled, and then the wafer is separated while protecting the element. The substrate 1 is taken out and separated, and the external waveguide film 3 is bonded to the separated substrate 1. Therefore, the underfill 5 that has reached the surface to which the film is to be bonded due to the outflow reduces the adhesiveness of the adhesive, and thus prevents the external waveguide film 3 from being bonded to the substrate 1. In addition, filling the underfill 5 first at the wafer level, not after film bonding, has better handling properties, and also serves to protect the element when separated into pieces (when cutting by dicing or the like). Because it fulfills.

このように、アンダーフィル5が流れ出して、外部導波路フィルム3の接着面に到達すると接続不良が発生し、この接続強度の不良は、外部導波路フィルム3の剥離を招き、光導通性の不良や、部品の故障に繋がるものであり、光電変換サブマウント基板の信頼性を損ねるという問題があった。   As described above, when the underfill 5 flows out and reaches the adhesion surface of the external waveguide film 3, a connection failure occurs. This poor connection strength causes the external waveguide film 3 to peel off, resulting in poor photoconductivity. In addition, there is a problem in that the reliability of the photoelectric conversion submount substrate is deteriorated because it leads to component failure.

光電気素子におけるアンダーフィル5の流れ出し防止構造としては、特許文献1のものが開示されている。この文献では、光半導体素子の搭載面に凹部を設け、この凹部にアンダーフィルを充填することにより、アンダーフィルが流れ出すのを防いでいる。しかし、この文献の構造では、光半導体素子を搭載する部分に凹部を形成しなければならないのに加えて、この凹部に光半導体素子を半分埋め込むようにして実装しなければならず、製造が煩雑になるものであった。また、凹部から溢れ出したアンダーフィルについては、毛細管現象による流れ出しを抑制することができず、図12及び13の光電変換サブマウント基板のような構造においては、アンダーフィル5の流出を十分に防止できるものではなかった。   Patent Document 1 discloses a structure for preventing the underfill 5 from flowing out in the photoelectric element. In this document, a recess is provided on the mounting surface of the optical semiconductor element, and the underfill is prevented from flowing out by filling the recess with the underfill. However, in the structure of this document, in addition to the formation of the recess in the part where the optical semiconductor element is mounted, the optical semiconductor element must be embedded in the recess so as to be mounted, and the manufacturing is complicated. It was to become. In addition, the underfill overflowing from the concave portion cannot be prevented from flowing out due to capillary action, and in the structure such as the photoelectric conversion submount substrate of FIGS. It wasn't possible.

特開2007−3906号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2007-3906

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、光素子4と基板1との間に充填されたアンダーフィル5が、毛細管現象によりクラッド層22の段差Xをつたって外部導波路フィルム3の方に流れ出したとしても、このアンダーフィル5がフィルム接着面に達することを防止し、基板1に対する外部導波路フィルム3の接続強度の不良を抑制することにより、外部導波路フィルム3が剥離せず、信頼性の高い光電変換サブマウント基板及びその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points. The underfill 5 filled between the optical element 4 and the substrate 1 connects the step X of the clad layer 22 by the capillary phenomenon, and the external waveguide film 3. Even if it flows out toward the substrate, the underfill 5 is prevented from reaching the film adhesion surface, and the external waveguide film 3 is peeled off by suppressing the poor connection strength of the external waveguide film 3 to the substrate 1. It is an object of the present invention to provide a highly reliable photoelectric conversion submount substrate and a method for manufacturing the same.

請求項1の発明は、基板1と、基板表面の凹設面20に形成されたコア層21、及びコア層21を被覆して封止すると共に上端面が基板表面よりも突出して形成されたクラッド層22からなる光導波路2と、光導波路2と光結合する光素子4と、光素子4と光導波路2との間に充填されたアンダーフィル5と、基板表面に端部が接着された外部導波路フィルム3とを備え、光素子4と外部導波路フィルム3の端部との間の基板表面に、光素子4と光導波路2の間から流れ出したアンダーフィル5が外部導波路フィルム3の基板表面との接着面に到達するのを防ぐ流出防止部10が形成されていることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。   According to the first aspect of the present invention, the substrate 1, the core layer 21 formed on the concave surface 20 of the substrate surface, and the core layer 21 are covered and sealed, and the upper end surface protrudes from the substrate surface. The optical waveguide 2 composed of the clad layer 22, the optical element 4 optically coupled to the optical waveguide 2, the underfill 5 filled between the optical element 4 and the optical waveguide 2, and an end bonded to the substrate surface The underfill 5 that flows out from between the optical element 4 and the optical waveguide 2 is provided on the substrate surface between the optical element 4 and the end of the external waveguide film 3. The photoelectric conversion submount substrate is characterized in that an outflow prevention portion 10 is formed to prevent reaching the adhesion surface with the substrate surface.

請求項2の発明は、上記構成の光電変換サブマウント基板において、流出防止部10は、コア層21と同じ材料からなり、基板表面に壁状に形成されたものであることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。   According to a second aspect of the present invention, in the photoelectric conversion submount substrate having the above-described configuration, the outflow prevention portion 10 is made of the same material as the core layer 21 and is formed in a wall shape on the substrate surface. It is a conversion submount substrate.

請求項3の発明は、上記構成の光電変換サブマウント基板において、流出防止部10は、クラッド層22と同じ材料からなり、基板表面に壁状に形成されたものであることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。   According to a third aspect of the present invention, there is provided a photoelectric conversion submount substrate having the above-described structure, wherein the outflow prevention portion 10 is made of the same material as that of the cladding layer 22 and is formed in a wall shape on the substrate surface. It is a conversion submount substrate.

請求項4の発明は、上記構成の光電変換サブマウント基板において、流出防止部10は、基板表面に形成された溝12であることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。   According to a fourth aspect of the present invention, in the photoelectric conversion submount substrate having the above-described configuration, the outflow prevention portion 10 is a groove 12 formed on the substrate surface.

請求項5の発明は、上記構成の光電変換サブマウント基板において、溝12に凹部13が設けられていることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。   The invention according to claim 5 is the photoelectric conversion submount substrate having the above structure, wherein the recess 12 is provided in the groove 12.

請求項6の発明は、上記構成の光電変換サブマウント基板において、溝12は光導波路2から遠くなるにしたがってその深さが徐々に深くなることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。   According to a sixth aspect of the present invention, in the photoelectric conversion submount substrate having the above configuration, the depth of the groove 12 gradually increases as the distance from the optical waveguide 2 increases.

請求項7の発明は、上記構成の光電変換サブマウント基板において、基板1は表面に絶縁膜14が形成されたものであり、流出防止部10は基板表面に絶縁膜14が設けられずに形成された溝12であることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。   According to a seventh aspect of the present invention, in the photoelectric conversion submount substrate having the above-described configuration, the substrate 1 has an insulating film 14 formed on the surface thereof, and the outflow prevention portion 10 is formed without the insulating film 14 provided on the substrate surface. This is a photoelectric conversion submount substrate characterized in that the groove 12 is formed.

請求項8の発明は、上記構成の光電変換サブマウント基板において、流出防止部10は、基板表面に形成された金属薄膜15であることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。   The invention according to claim 8 is the photoelectric conversion submount substrate, wherein the outflow prevention portion 10 is a metal thin film 15 formed on a surface of the substrate.

請求項9の発明は、上記構成の光電変換サブマウント基板において、基板表面に回路層6を備え、上記金属薄膜15は回路層6と同じ材料からなるものであることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。   The invention according to claim 9 is the photoelectric conversion submount substrate having the above-described configuration, wherein the circuit layer 6 is provided on the substrate surface, and the metal thin film 15 is made of the same material as the circuit layer 6. Mount substrate.

請求項10の発明は、上記構成の光電変換サブマウント基板において、流出防止部10は、光素子4の周囲を囲んで形成されていることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。   The invention according to claim 10 is the photoelectric conversion submount substrate having the above-described configuration, wherein the outflow prevention portion 10 is formed so as to surround the periphery of the optical element 4.

請求項11の発明は、上記構成の光電変換サブマウント基板において、流出防止部10は、光導波路2から基板1の端部に亘って形成されていることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。   The invention according to claim 11 is the photoelectric conversion submount substrate, wherein the outflow prevention portion 10 is formed from the optical waveguide 2 to the end portion of the substrate 1 in the photoelectric conversion submount substrate having the above configuration. is there.

請求項12の発明は、下記の(a)(c)(d)(f)(g)及び(h)を含む工程、(a)(b)(c)(d)(f)(g)及び(h)を含む工程、又は(a)(c)(d)(e)(f)(g)及び(h)を含む工程によって上記構成の光電変換サブマウント基板を製造する方法であって、(a)(b)(c)(d)及び(e)から選ばれるいずれかの工程で、光素子4と外部導波路フィルム3の端部との間の基板表面に、光素子4と光導波路2の間から流れ出したアンダーフィル5が外部導波路フィルム3の基板表面との接着面に到達するのを防ぐ流出防止部10を形成することを特徴とする光電変換サブマウント基板の製造方法である。   The invention of claim 12 includes the following steps (a), (c), (d), (f), (g) and (h): (a) (b) (c) (d) (f) (g) And (h), or (a), (c), (d), (e), (f), (g), and a method of manufacturing the photoelectric conversion submount substrate having the above-described structure. (A), (b), (c), (d), and (e), on the substrate surface between the optical element 4 and the end of the external waveguide film 3, A method for manufacturing a photoelectric conversion submount substrate, comprising forming an outflow prevention portion 10 for preventing underfill 5 flowing out from between optical waveguides 2 from reaching an adhesive surface with the substrate surface of external waveguide film 3. It is.

(a)基板表面に凹設面20を形成する工程
(b)前記基板表面に絶縁膜14を形成する工程
(c)前記凹設面20の表面にコア層21を形成する工程
(d)コア層21を被覆して封止すると共に上端面が前記基板表面よりも突出したクラッド層22を形成する工程
(e)前記基板表面に金属薄膜15からなる回路層6を形成する工程
(f)コア層21及びクラッド層22で構成される光導波路2と光結合するように基板1に光素子4を取り付ける工程
(g)光素子4と光導波路2との間にアンダーフィル5を充填する工程
(h)外部導波路フィルム3の端部を基板表面に接着して外部導波路フィルム3を基板1に取り付ける工程
(A) Step of forming concave surface 20 on the surface of the substrate (b) Step of forming insulating film 14 on the surface of the substrate (c) Step of forming core layer 21 on the surface of concave surface 20 (d) Core (C) forming a circuit layer 6 made of a metal thin film 15 on the substrate surface; and (f) forming a clad layer 22 having an upper end protruding from the substrate surface. A step of attaching the optical element 4 to the substrate 1 so as to be optically coupled to the optical waveguide 2 composed of the layer 21 and the clad layer 22; and (g) a step of filling an underfill 5 between the optical element 4 and the optical waveguide 2. h) A step of attaching the external waveguide film 3 to the substrate 1 by bonding the end of the external waveguide film 3 to the surface of the substrate.

請求項1の発明によれば、光素子と外部導波路フィルムの端部との間の基板表面に形成された流出防止部が、アンダーフィルが流れ出して外部導波路フィルムの基板表面との接着面に到達するのを防ぐことにより、光素子と基板との間に充填されたアンダーフィルが、毛細管現象によりクラッド層の段差をつたって外部導波路フィルムの方に流れ出したとしても、アンダーフィルがフィルム接着面に達することがないので、外部導波路フィルムの接続強度の不良を防止することができ、フィルムが剥離することなく信頼性の高い光電変換サブマウント基板を得ることができるものである。   According to invention of Claim 1, the outflow prevention part formed in the board | substrate surface between an optical element and the edge part of an external waveguide film is an adhesive surface with the board | substrate surface of an external waveguide film when an underfill flows out. Even if the underfill filled between the optical element and the substrate flows through the step of the clad layer and flows toward the external waveguide film due to the capillary phenomenon, the underfill does not reach the film. Since it does not reach the bonding surface, it is possible to prevent a poor connection strength of the external waveguide film, and to obtain a highly reliable photoelectric conversion submount substrate without peeling off the film.

請求項2の発明によれば、コア層と同じ材料によって流出防止部を形成することにより、コア層の形成と同時に流出防止部を形成することができるので、流出防止部を形成する工程を増やすことなく簡単に流出防止部を形成することができ、光電変換サブマウント基板を容易に得ることができるものである。また、流出防止部はコア層と同じ材料からなることにより、流出防止部の壁の高さを容易に制御することができるので、必要十分な材料量で無駄なくアンダーフィルの流出を確実に防止することができると共に、光電変換サブマウント基板が、重量が重くなったり嵩高くなったりすることを防ぐことができるものである。   According to the invention of claim 2, since the outflow prevention part can be formed simultaneously with the formation of the core layer by forming the outflow prevention part with the same material as the core layer, the number of steps for forming the outflow prevention part is increased. Thus, the outflow prevention portion can be formed easily without any problem, and the photoelectric conversion submount substrate can be easily obtained. In addition, because the outflow prevention part is made of the same material as the core layer, the height of the wall of the outflow prevention part can be easily controlled, so it is possible to prevent underfill outflow without waste with the necessary and sufficient amount of material. In addition, the photoelectric conversion submount substrate can be prevented from becoming heavy or bulky.

請求項3の発明によれば、クラッド層と同じ材料によって流出防止部を形成することにより、クラッド層の形成と同時に流出防止部を形成することができるので、流出防止部を形成する工程を増やすことなく簡単に流出防止部を形成することができ、光電変換サブマウント基板を容易に得ることができるものである。また、流出防止部はクラッド層と同じ材料からなることにより、流出防止部の壁の高さを容易に制御することができるので、必要十分な材料量で無駄なくアンダーフィルの流出を確実に防止することができると共に、光電変換サブマウント基板が、重量が重くなったり嵩高くなったりすることを防ぐことができるものである。さらに、流出防止部がクラッド層と同じ材料からなることによって光結合損失に影響することがなく流出防止部を形成することができるものである。   According to the invention of claim 3, since the outflow prevention portion can be formed simultaneously with the formation of the cladding layer by forming the outflow prevention portion with the same material as the cladding layer, the number of steps for forming the outflow prevention portion is increased. Thus, the outflow prevention portion can be formed easily without any problem, and the photoelectric conversion submount substrate can be easily obtained. In addition, the outflow prevention part is made of the same material as the cladding layer, so the height of the wall of the outflow prevention part can be easily controlled, so it is possible to prevent underfill outflow without waste with the necessary and sufficient amount of material. In addition, the photoelectric conversion submount substrate can be prevented from becoming heavy or bulky. Furthermore, since the outflow prevention portion is made of the same material as the cladding layer, the outflow prevention portion can be formed without affecting the optical coupling loss.

請求項4の発明によれば、溝によって流出防止部を形成することにより、この溝に体積分のアンダーフィルを蓄えて流れ出しを防止することができるので、アンダーフィルの流出量が多くなっても、アンダーフィルが外部導波路フィルムに到達することを確実に防ぐことができるものである。   According to the invention of claim 4, by forming the outflow prevention portion by the groove, it is possible to store a volume of underfill in the groove and prevent the outflow, so even if the amount of outflow of the underfill increases. The underfill can surely be prevented from reaching the external waveguide film.

請求項5の発明によれば、溝に凹部が設けられていることにより、溝の体積が増加するので、蓄えるアンダーフィルの量を増やすことができ、アンダーフィルの流出量が多くなっても、アンダーフィルが外部導波路フィルムに到達することをさらに確実に防ぐことができるものである。また、凹部を基板を貫通するスルーホールにした場合には、アンダーフィルを基板の裏面に排出することができ、アンダーフィルの流出量がさらに多くなっても確実にアンダーフィルが外部導波路フィルムに到達することを防止することができるものである。また、この凹部はサンドブラスト加工などの簡単な方法で形成することができ、アンダーフィルの流出を防止する光電変換サブマウント基板を容易に得ることができるものである。   According to the invention of claim 5, since the groove volume is increased by providing the recess in the groove, the amount of the underfill to be stored can be increased, and even if the amount of underfill outflow increases, It is possible to more reliably prevent the underfill from reaching the external waveguide film. In addition, when the concave portion is a through hole penetrating the substrate, the underfill can be discharged to the back surface of the substrate, and even if the amount of outflow of the underfill further increases, the underfill is surely applied to the external waveguide film. It can be prevented from reaching. Moreover, this recessed part can be formed by simple methods, such as a sandblasting process, and can obtain the photoelectric conversion submount board | substrate which prevents the outflow of an underfill easily.

請求項6の発明によれば、光導波路から遠くなるにしたがって溝の深さが徐々に深くなることにより、溝の体積を増加させると共にこの溝の深みに沿ってアンダーフィルを流して蓄えることができるので、アンダーフィルを効率よく排出してフィルムに到達すること防ぐことができるものである。また、溝の深みはグレーマスクを用いたサンドブラスト加工などの簡単な方法で形成することができ、アンダーフィルの流出を防止する光電変換サブマウント基板を容易に得ることができるものである。   According to the sixth aspect of the invention, the depth of the groove gradually increases as the distance from the optical waveguide increases, so that the volume of the groove can be increased and the underfill can be flowed and stored along the depth of the groove. Therefore, the underfill can be efficiently discharged and prevented from reaching the film. Further, the depth of the groove can be formed by a simple method such as sandblasting using a gray mask, and a photoelectric conversion submount substrate that prevents outflow of underfill can be easily obtained.

請求項7の発明によれば、基板表面に絶縁膜が形成されていることにより回路間の絶縁性が確保されるので、導通信頼性のある光電変換サブマウント基板を得ることができるものである。また、流出防止部は絶縁膜が設けられずに形成された溝として形成されていることにより、絶縁膜を形成する際に絶縁膜を形成しない部分を設けて流出防止部を形成することができるので、流出防止部を形成する工程を増やすことなく簡単に流出防止部を形成することができ、光電変換サブマウント基板を容易に得ることができるものである。また、絶縁膜はクラッドとしての役割も果たすことができるので、光損失の生じない光電変換サブマウント基板を簡単に得ることができるものである。   According to the invention of claim 7, since the insulation between the circuits is ensured by forming the insulating film on the substrate surface, a photoelectric conversion submount substrate having conduction reliability can be obtained. . In addition, since the outflow prevention portion is formed as a groove formed without an insulating film, the outflow prevention portion can be formed by providing a portion where the insulating film is not formed when forming the insulating film. Therefore, the outflow prevention part can be easily formed without increasing the number of steps for forming the outflow prevention part, and the photoelectric conversion submount substrate can be easily obtained. In addition, since the insulating film can also serve as a cladding, a photoelectric conversion submount substrate that does not cause light loss can be easily obtained.

請求項8の発明によれば、流出防止部が金属薄膜で形成されていることにより、この薄膜の厚みを極めて薄くすることができるので、基板表面に不要な凹凸を形成することなく流出防止部を形成することができるものである。また、金属薄膜は濡れ性が悪いTi(チタン)系の薄膜などで形成することができるので、アンダーフィルが金属薄膜をつたって流れることを防止し、流出防止効果を向上することができるものである。   According to invention of Claim 8, since the outflow prevention part is formed with the metal thin film, since the thickness of this thin film can be made very thin, an outflow prevention part is formed without forming an unnecessary unevenness | corrugation in the substrate surface. Can be formed. In addition, since the metal thin film can be formed of a Ti (titanium) thin film having poor wettability, it is possible to prevent the underfill from flowing through the metal thin film and to improve the outflow prevention effect. is there.

請求項9の発明によれば、回路層と流出防止部の金属薄膜とが同じ材料からなることにより、回路層の形成と同時に流出防止部を形成することができるので、流出防止部を形成する工程を増やすことなく簡単に流出防止部を形成することができ、光電変換サブマウント基板を容易に得ることができるものである。   According to the ninth aspect of the present invention, since the circuit layer and the metal thin film of the outflow prevention portion are made of the same material, the outflow prevention portion can be formed simultaneously with the formation of the circuit layer. The outflow prevention part can be easily formed without increasing the number of steps, and a photoelectric conversion submount substrate can be easily obtained.

請求項10の発明によれば、流出防止部が光素子の周囲を囲んで形成されていることにより、アンダーフィルの流出量が多くなった場合においても、アンダーフィルを流出防止部に取り囲んで溜めることができるので、流出防止部を迂回するなどしてアンダーフィルが外部導波路フィルムに到達することを防止して、フィルムの剥離をさらに防止することができるものである。   According to the invention of claim 10, since the outflow prevention portion is formed so as to surround the periphery of the optical element, the underfill is surrounded and stored in the outflow prevention portion even when the amount of outfill outflow increases. Therefore, it is possible to prevent the underfill from reaching the external waveguide film by bypassing the outflow prevention portion or the like, thereby further preventing the film from peeling.

請求項11の発明によれば、流出防止部が光導波路から基板の端部に亘って形成されていることにより、アンダーフィルの流出量が多くなった場合においても、アンダーフィルを流出防止部に沿って基板の表面より外に排出することができるので、流出防止部を迂回するなどしてアンダーフィルが外部導波路フィルムに到達することを防止して、フィルムの剥離をさらに防止することができるものである。   According to the eleventh aspect of the present invention, even when the outflow amount of the underfill increases because the outflow prevention portion is formed from the optical waveguide to the end portion of the substrate, the underfill is used as the outflow prevention portion. Since it can be discharged outside the surface of the substrate along the line, it is possible to prevent the underfill from reaching the external waveguide film by bypassing the outflow prevention part, thereby further preventing the film from peeling. Is.

請求項12の発明によれば、流出防止部を他の工程と同時に形成することができるので、流出防止部を形成する工程を増やすことなく簡単に流出防止部を形成することができ、光電変換サブマウント基板を容易に得ることができるものである。   According to the invention of claim 12, since the outflow prevention portion can be formed simultaneously with other steps, the outflow prevention portion can be easily formed without increasing the number of steps for forming the outflow prevention portion, and the photoelectric conversion A submount substrate can be easily obtained.

本発明の光電変換サブマウント基板の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the photoelectric conversion submount board | substrate of this invention. (a)は同上の他の一例を示す平面図であり、(b)は要部の概略断面図である。(A) is a top view which shows another example same as the above, (b) is a schematic sectional drawing of the principal part. 同上の他の一例を示す平面図である。It is a top view which shows another example same as the above. 同上の他の一例を示す平面図である。It is a top view which shows another example same as the above. 同上の他の一例を示す平面図である。It is a top view which shows another example same as the above. 同上の他の一例を示す平面図である。It is a top view which shows another example same as the above. 同上の他の一例を示す図であり、(a)は(b)のイ−イ断面図、(b)は平面図、である。It is a figure which shows another example same as the above, (a) is a II sectional drawing of (b), (b) is a top view. 同上の他の一例を示す平面図である。It is a top view which shows another example same as the above. 同上の他の一例を示す平面図である。It is a top view which shows another example same as the above. 同上の他の一例を示す平面図である。It is a top view which shows another example same as the above. 光電変換サブマウント基板の製造工程の一例を示す図であり、(a)〜(l)は断面図である。It is a figure which shows an example of the manufacturing process of a photoelectric conversion submount board | substrate, (a)-(l) is sectional drawing. 光電変換サブマウント基板の要部の拡大図であり、(a)は(b)のロ−ロ断面図、(b)は斜視図である。It is an enlarged view of the principal part of a photoelectric conversion submount substrate, (a) is a roll sectional view of (b), and (b) is a perspective view. 従来の光電変換サブマウント基板の一例を示す図であり、(a)は平面図、(b)は横側面図である。It is a figure which shows an example of the conventional photoelectric conversion submount board | substrate, (a) is a top view, (b) is a side view.

以下、本発明を実施するための形態について説明する。   Hereinafter, modes for carrying out the present invention will be described.

図1は、本発明の光電変換サブマウント基板の一例を示す平面図である。また、図12は、光電変換サブマウント基板の要部の拡大図である。なお、図1では、光素子4は破線で示している。   FIG. 1 is a plan view showing an example of the photoelectric conversion submount substrate of the present invention. FIG. 12 is an enlarged view of a main part of the photoelectric conversion submount substrate. In FIG. 1, the optical element 4 is indicated by a broken line.

光電変換サブマウント基板は、基板1と、コア層21及びコア層21を被覆して封止するクラッド層22からなる光導波路2と、この光導波路2と光結合する光素子4と、光素子4と光導波路2との間に充填されたアンダーフィル5と、基板表面に端部が接着された外部導波路フィルム3とを備えている。   The photoelectric conversion submount substrate includes a substrate 1, an optical waveguide 2 including a core layer 21 and a cladding layer 22 that covers and seals the core layer 21, an optical element 4 that is optically coupled to the optical waveguide 2, and an optical element. 4 and an optical waveguide 2, and an external waveguide film 3 having an end bonded to the substrate surface.

基板1は、光導波路2を表面に形成したり、光素子4を実装したりするためのものであり、例えばシリコン(Si)基板として形成することができる。この基板1の表面には、光導波路2を設けるための溝部が直線状に凹設されて形成され、その溝部の底面が凹設面20として設けられている。   The substrate 1 is for forming the optical waveguide 2 on the surface or mounting the optical element 4, and can be formed, for example, as a silicon (Si) substrate. On the surface of the substrate 1, a groove portion for providing the optical waveguide 2 is formed in a linearly recessed manner, and the bottom surface of the groove portion is provided as a recessed surface 20.

光導波路2は、光信号を伝送するためのものであり、コア層21及びクラッド層22により構成される。コア層21及びクラッド層22の材料としては、例えば、屈折率の高い樹脂組成物をコア層21の材料に、屈折率の低い樹脂組成物をクラッド層22の材料にすることができる。具体的には、コア層21及びクラッド層22の材料として、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フッ素化樹脂、ポリイミドなどを挙げることができる。例えばエポキシ樹脂を用いる場合には、コア層21の材料として高屈折率のビスフェノール型エポキシ化合物の配合割合を高めたものを用い、クラッド層22の材料として低屈折率の脂環式エポキシ化合物の配合割合を高めたものを用いるなどして、光導波路2を構成することができる。   The optical waveguide 2 is for transmitting an optical signal, and includes a core layer 21 and a clad layer 22. As materials for the core layer 21 and the cladding layer 22, for example, a resin composition having a high refractive index can be used as the material for the core layer 21, and a resin composition having a low refractive index can be used as the material for the cladding layer 22. Specifically, examples of the material for the core layer 21 and the clad layer 22 include epoxy resin, acrylic resin, fluorinated resin, and polyimide. For example, in the case of using an epoxy resin, a material having a higher blending ratio of the high refractive index bisphenol type epoxy compound is used as the material of the core layer 21, and a blend of the low refractive index alicyclic epoxy compound is used as the material of the cladding layer 22. The optical waveguide 2 can be configured by using a material with a higher ratio.

コア層21は、凹設面20の表面に外部導波路23に向かって直線状に形成されている。クラッド層22は、基板1の凹設面20に形成されたコア層21を周囲を取り囲んで封止してあり、その上端面は基板表面よりも突出して形成されている。したがって、図示するように、クラッド層22と基板表面とで段差Xが生じている。   The core layer 21 is linearly formed on the surface of the recessed surface 20 toward the external waveguide 23. The cladding layer 22 surrounds and seals the core layer 21 formed on the concave surface 20 of the substrate 1, and its upper end surface is formed so as to protrude from the substrate surface. Therefore, as shown in the figure, a step X is generated between the cladding layer 22 and the substrate surface.

コア層21の光素子4と光結合する側の端部は光を反射させるために傾斜面21aとして形成され、この傾斜面21aの部分では凹設面20も同じ傾斜角度で傾斜している。そして、この傾斜面21aと傾斜面21aに対向する凹設面20との間には、光を効率よく反射させるために光反射層7が設けられている。光反射層7は、例えば、金属の薄膜により形成された45°ミラーで構成される。   The end of the core layer 21 on the side optically coupled to the optical element 4 is formed as an inclined surface 21a for reflecting light, and the recessed surface 20 is also inclined at the same inclination angle in this inclined surface 21a. A light reflecting layer 7 is provided between the inclined surface 21a and the recessed surface 20 facing the inclined surface 21a in order to reflect light efficiently. The light reflecting layer 7 is composed of, for example, a 45 ° mirror formed of a metal thin film.

基板1のコア層21が延出された端部の表面には、外部導波路フィルム3が接着されている。外部導波路フィルム3は、フィルム24の表面に、コア層21と光学的に結合され、外部と光信号のやり取りをする外部導波路23が設けられたものであり、その端部が接着剤により基板1の表面に接着されている。すなわち、フィルム24は、基板1のクラッド層22の上端面の上方に接着剤を介して配置され、段差Xはフィルム24の端部の端縁を横切ってフィルム24と基板1との間に入り込んで延出している。図示のものでは、段差Xとフィルム24の端縁とは略垂直に交差している。なお、基板1とフィルム24との隙間には段差Xよりも高い厚みで接着剤層が形成され、フィルム24は略平坦になるように基板1に接着されている。   The external waveguide film 3 is bonded to the surface of the end portion of the substrate 1 where the core layer 21 is extended. The external waveguide film 3 is provided with an external waveguide 23 that is optically coupled to the core layer 21 and exchanges optical signals with the outside on the surface of the film 24, and an end portion thereof is formed by an adhesive. Bonded to the surface of the substrate 1. That is, the film 24 is disposed above the upper end surface of the cladding layer 22 of the substrate 1 via an adhesive, and the step X enters between the film 24 and the substrate 1 across the end edge of the film 24. It extends in. In the illustrated example, the step X and the edge of the film 24 intersect substantially perpendicularly. Note that an adhesive layer having a thickness higher than the step X is formed in the gap between the substrate 1 and the film 24, and the film 24 is bonded to the substrate 1 so as to be substantially flat.

光素子4は、光信号と電気信号とを相互に変換する素子である。この光素子4は、コア層21の傾斜面21aの上方に光導波路2と光結合するように基板1に実装されている。そして、図1の形態では、光素子4は、基板1の表面に設けられた金属の薄膜などにより構成される回路層6と、回路層6の表面に突出して形成された端子6aにより電気的に接続されている。   The optical element 4 is an element that mutually converts an optical signal and an electrical signal. The optical element 4 is mounted on the substrate 1 so as to be optically coupled to the optical waveguide 2 above the inclined surface 21 a of the core layer 21. In the form of FIG. 1, the optical element 4 is electrically connected by a circuit layer 6 formed of a metal thin film provided on the surface of the substrate 1 and a terminal 6a formed protruding from the surface of the circuit layer 6. It is connected to the.

すなわち、端子6aと別の端子6aとの間に光導波路2が配置され、光素子4は光導波路2を跨ぐようにして複数の端子6aに接触して取り付けられている。光素子4と光導波路2との間には、端子6aの高さ分の隙間が、段差Xの高さや回路層6の厚みよりも大きくなって形成されており、段差Xは光素子4の下方からこの隙間を抜け出して基板1の端部に向かって延出している。光素子4と光導波路2との間には、この隙間を埋めるようにアンダーフィル5が充填されている。   That is, the optical waveguide 2 is disposed between the terminal 6 a and another terminal 6 a, and the optical element 4 is attached in contact with the plurality of terminals 6 a so as to straddle the optical waveguide 2. A gap corresponding to the height of the terminal 6 a is formed between the optical element 4 and the optical waveguide 2 so as to be larger than the height of the step X and the thickness of the circuit layer 6. The gap extends from below and extends toward the end of the substrate 1. An underfill 5 is filled between the optical element 4 and the optical waveguide 2 so as to fill this gap.

アンダーフィル5は、光素子4を基板1に接着して実装するためのものである。アンダーフィル5としては、例えば、樹脂溶液などが用いられ、樹脂溶液中の溶媒が蒸発して乾燥したりすることにより樹脂が固化し、光素子4が基板1に固定される。   The underfill 5 is for bonding the optical element 4 to the substrate 1 for mounting. As the underfill 5, for example, a resin solution is used, and the resin is solidified by evaporating and drying the solvent in the resin solution, and the optical element 4 is fixed to the substrate 1.

アンダーフィル5の材料としては、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーンゴム、シリコーンゲルなどを用いることができる。   As a material of the underfill 5, for example, a thermosetting epoxy resin, an acrylic resin, a silicone rubber, a silicone gel, or the like can be used.

上記のような光電変換サブマウント基板にあっては、溶液状態のアンダーフィル5を充填した際に、アンダーフィル5がクラッド層22と基板表面とにより形成された段差Xの毛細管現象によって、この段差Xを伝って流れ出すことがある。図12(b)の太矢印は、アンダーフィル5の流れる方向を示している。アンダーフィル5が流れ出して外部導波路フィルム3と基板1との接着面に達すると、外部導波路フィルム3の接着強度を弱めてしまうことになり、フィルム24が剥離するといった問題が生じる。そこで、本発明では、光素子4と外部導波路フィルム3の端部との間の基板表面に、アンダーフィル5が流れ出して外部導波路フィルム3の基板表面との接着面に到達するのを防ぐ流出防止部10が形成されている。   In the photoelectric conversion submount substrate as described above, when the underfill 5 in the solution state is filled, this step is caused by the capillary phenomenon of the step X formed by the clad layer 22 and the substrate surface. May flow along X. A thick arrow in FIG. 12B indicates the direction in which the underfill 5 flows. When the underfill 5 flows out and reaches the adhesion surface between the external waveguide film 3 and the substrate 1, the adhesion strength of the external waveguide film 3 is weakened, and a problem that the film 24 peels occurs. Therefore, in the present invention, the underfill 5 is prevented from flowing out onto the substrate surface between the optical element 4 and the end portion of the external waveguide film 3 to reach the adhesive surface with the substrate surface of the external waveguide film 3. An outflow prevention unit 10 is formed.

図1の形態では、流出防止部10は、クラッド層22の露出側面(段差Xを形成する面)に連設して形成されている。そして、流出防止部10は、クラッド層22の両側の露出側面にそれぞれ設けられ、一対のものとして形成されている。この流出防止部10は、例えば、光導波路2の延伸方向と垂直な方向に長辺が配置された矩形状の壁状体11や溝12や金属薄膜15などで形成されるものであり、段差Xに隙間なく密着して設けられている。そして、流出防止部10が基板表面に形成されることによりアンダーフィル5が流出した際に、アンダーフィル5の流れを阻止して、アンダーフィル5を外部導波路フィルム3の方へ流さないようになる。このように、光素子4と外部導波路フィルム3の端部との間の基板表面に形成された流出防止部10が、アンダーフィル5が流れ出して外部導波路フィルム3の基板表面との接着面に到達するのを防ぐことができるので、光素子4と基板1との間に充填されたアンダーフィル5が、毛細管現象によりクラッド層22の段差Xをつたって外部導波路フィルム3の方に流れ出したとしても、アンダーフィル5がフィルム接着面に達することがない。したがって、外部導波路フィルム3の接続強度の不良を防止することができ、フィルム24が剥離することなく信頼性の高い光電変換サブマウント基板を得ることができるものである。なお、流出防止部10は矩形状に限らず、台形状などの角形状やL型状、円の中心位置を光素子4の側にした円弧状などであってもよい。   In the form of FIG. 1, the outflow prevention portion 10 is formed continuously with the exposed side surface (surface on which the step X is formed) of the cladding layer 22. The outflow prevention portions 10 are provided on the exposed side surfaces on both sides of the cladding layer 22 and are formed as a pair. The outflow prevention unit 10 is formed of, for example, a rectangular wall 11 having a long side arranged in a direction perpendicular to the extending direction of the optical waveguide 2, a groove 12, a metal thin film 15, and the like. It is provided in close contact with X without a gap. And when the underfill 5 flows out by forming the outflow prevention portion 10 on the substrate surface, the flow of the underfill 5 is blocked so that the underfill 5 does not flow toward the external waveguide film 3. Become. In this way, the outflow prevention portion 10 formed on the substrate surface between the optical element 4 and the end portion of the external waveguide film 3 is bonded to the substrate surface of the external waveguide film 3 when the underfill 5 flows out. The underfill 5 filled between the optical element 4 and the substrate 1 flows out toward the external waveguide film 3 through the step X of the cladding layer 22 by capillary action. Even so, the underfill 5 does not reach the film adhesion surface. Therefore, the connection strength defect of the external waveguide film 3 can be prevented, and a highly reliable photoelectric conversion submount substrate can be obtained without the film 24 peeling off. The outflow prevention unit 10 is not limited to a rectangular shape, and may be a square shape such as a trapezoidal shape, an L shape, or an arc shape with the center position of the circle facing the optical element 4.

図2(a)は、光電変換サブマウント基板の他の一例を示す平面図である。この形態では、流出防止部10が、クラッド層22の露出側面に隙間なく密着して連結し、基板表面に突出した壁状体11で形成されている。壁状体11としては適宜の材料を用いて形成することができるが、この形態にあっては、壁状体11の材料としてコア層21の材料を用いている。すなわち、流出防止部10がコア層21と同じ材料からなり、基板表面に積層されて壁状に形成されている構造である。それにより、コア層21の形成と同時に流出防止部10を形成することができるので、流出防止部10を形成する工程を増やすことなく簡単に流出防止部10を形成することができるものである。   FIG. 2A is a plan view showing another example of the photoelectric conversion submount substrate. In this embodiment, the outflow prevention part 10 is formed of a wall-like body 11 that is in close contact with the exposed side surface of the clad layer 22 without gaps and protrudes from the substrate surface. Although the wall-like body 11 can be formed using an appropriate material, in this embodiment, the material of the core layer 21 is used as the material of the wall-like body 11. That is, the outflow prevention part 10 is made of the same material as the core layer 21 and is laminated on the substrate surface to be formed in a wall shape. Thereby, since the outflow prevention part 10 can be formed simultaneously with the formation of the core layer 21, the outflow prevention part 10 can be easily formed without increasing the number of steps for forming the outflow prevention part 10.

また、流出防止部10がコア層21と同じ材料からなることにより、流出防止部10の壁の高さ(層の厚み)を容易に制御することができる。この壁の高さは1〜10μmで形成することが好ましい。壁の高さが1μm未満であるとアンダーフィル5の流出を防止することができなくなるおそれがある。一方、壁の高さは10μmあれば十分な防止効果があり、その高さを超えると受光素子を実装したサブマント基板側では、光結合効率が低下するおそれがある。すなわち、図2(b)の要部(光反射層7を含む部分)の概略断面図で示すように、流出防止部10の高さが高くなりすぎた場合、すなわちコア層21が高く形成されすぎた場合には、コア層21を伝搬する光(図中の矢印)が光反射層7に当たらずに、その頭上を通過して光の「ロス」が多く発生するおそれがあり、そのため、光結合効率が低下するおそれがあるのである。このように、必要十分な材料量で無駄なく壁状体を形成してアンダーフィル5の流出を確実に防止することができると共に、光電変換サブマウント基板が、重量が重くなったり嵩高くなったりすることを防ぐことができるものである。   Moreover, since the outflow prevention part 10 consists of the same material as the core layer 21, the height (layer thickness) of the wall of the outflow prevention part 10 can be controlled easily. The wall height is preferably 1 to 10 μm. If the height of the wall is less than 1 μm, the underfill 5 may not be prevented from flowing out. On the other hand, if the height of the wall is 10 μm, there is a sufficient prevention effect, and if it exceeds that height, the optical coupling efficiency may be lowered on the sub-mount substrate side on which the light receiving element is mounted. That is, as shown in the schematic cross-sectional view of the main portion (portion including the light reflection layer 7) in FIG. 2B, when the outflow prevention portion 10 is too high, that is, the core layer 21 is formed high. If too much, light (arrow in the figure) propagating through the core layer 21 does not hit the light reflecting layer 7, but may pass through the head and generate a lot of light "loss". The optical coupling efficiency may be reduced. As described above, a wall-like body can be formed with a necessary and sufficient amount of material without waste, and the outflow of the underfill 5 can be surely prevented, and the photoelectric conversion submount substrate becomes heavy or bulky. It is possible to prevent that.

図3は、光電変換サブマウント基板の他の一例を示す平面図である。この形態では、壁状体11の材料として、クラッド層22の材料を用いている。すなわち、流出防止部10がクラッド層22と同じ材料からなり、基板表面に積層されてクラッド層22と一体化して連結した壁状に形成されている構造である。それにより、クラッド層22の形成と同時に流出防止部10を形成することができるので、流出防止部10を形成する工程を増やすことなく簡単に流出防止部10を形成することができるものである。   FIG. 3 is a plan view showing another example of the photoelectric conversion submount substrate. In this embodiment, the material of the cladding layer 22 is used as the material of the wall-like body 11. That is, the outflow prevention portion 10 is made of the same material as that of the cladding layer 22 and is formed in a wall shape that is laminated on the substrate surface and integrated and connected to the cladding layer 22. Thereby, since the outflow prevention part 10 can be formed simultaneously with the formation of the cladding layer 22, the outflow prevention part 10 can be easily formed without increasing the number of steps for forming the outflow prevention part 10.

また、流出防止部10がクラッド層22と同じ材料からなることにより、流出防止部10の壁の高さ(層の厚み)を容易に制御することができる。この壁の高さは1〜20μmで形成することが好ましい。壁の高さが1μm未満であるとアンダーフィル5の流出を防止することができなくなるおそれがある。一方、壁の高さは高いほど流れ防止効果は見込めるが、20μmあれば十分であり、その高さを超えても嵩高くなったりするおそれがある。このように、必要十分な材料量で無駄なく壁状体を形成してアンダーフィル5の流出を確実に防止することができると共に、光電変換サブマウント基板が、重量が重くなったり嵩高くなったりすることを防ぐことができるものである。さらに、流出防止部10をクラッド層22と同じ材料から形成した場合には、クラッド層22と流出防止部10とを一体化して形成すること(すなわち、クラッド層22を延長して流出防止部10を形成すること)ができ、基板1に強固に固定された壁状体11を形成することができるものであり、このクラッド層22は厚くなっても光結合損失に影響することがないので、壁の高さを高くして流出防止効果の高い流出防止部10を形成することができるものである。すなわち、図2(b)で示したようにコア層21が高くなると光結合損失が発生するおそれがあるが、クラッド層22は光が伝播しないので層が高くなっても光結合損失に影響しない。したがって、コア層21で形成する場合よりも流出防止部10の厚みを厚くすることが可能である。なお、実際上、クラッド層22の高さは、素子の高さ、つまり端子6の高さで制約され、実際の端子高さは20μm程度である。   Further, since the outflow prevention part 10 is made of the same material as that of the cladding layer 22, the wall height (layer thickness) of the outflow prevention part 10 can be easily controlled. It is preferable to form the wall with a height of 1 to 20 μm. If the height of the wall is less than 1 μm, the underfill 5 may not be prevented from flowing out. On the other hand, as the height of the wall is higher, the effect of preventing the flow can be expected, but 20 μm is sufficient, and there is a possibility that the wall becomes bulky even if the height is exceeded. As described above, a wall-like body can be formed with a necessary and sufficient amount of material without waste, and the outflow of the underfill 5 can be surely prevented, and the photoelectric conversion submount substrate becomes heavy or bulky. It is possible to prevent that. Furthermore, when the outflow prevention part 10 is formed from the same material as the cladding layer 22, the cladding layer 22 and the outflow prevention part 10 are formed integrally (that is, the outflow prevention part 10 is extended by extending the cladding layer 22). And the wall 11 can be formed firmly fixed to the substrate 1, and even if the clad layer 22 is thick, it does not affect the optical coupling loss. It is possible to form the outflow prevention part 10 having a high wall prevention effect by increasing the height of the wall. That is, as shown in FIG. 2B, there is a possibility that optical coupling loss may occur when the core layer 21 becomes high, but the light does not propagate through the cladding layer 22, so even if the layer becomes high, the optical coupling loss is not affected. . Therefore, it is possible to make the outflow prevention part 10 thicker than when the core layer 21 is used. In practice, the height of the cladding layer 22 is limited by the height of the element, that is, the height of the terminal 6, and the actual terminal height is about 20 μm.

図4は、光電変換サブマウント基板の他の一例を示す平面図である。この形態では、流出防止部10は、端部がクラッド層22の露出側面に連設すると共に光導波路2の延伸方向と垂直な方向に延伸した、基板表面に凹設されて設けられた直線状の溝12で形成されている。そして、溝12は、クラッド層22の両側の露出側面にそれぞれ設けられている。この形態によれば、溝12によって流出防止部10を形成することにより、この溝12に溝12の体積分のアンダーフィル5を蓄えて流れ出しを防止することができるので、アンダーフィル5の流出量が多くなっても、アンダーフィル5が外部導波路フィルム3に到達することを確実に防ぐことができるものである。   FIG. 4 is a plan view showing another example of the photoelectric conversion submount substrate. In this embodiment, the outflow prevention unit 10 has a linear shape with its end portion connected to the exposed side surface of the cladding layer 22 and extending in a direction perpendicular to the extending direction of the optical waveguide 2 and recessed in the substrate surface. The groove 12 is formed. The grooves 12 are provided on the exposed side surfaces on both sides of the cladding layer 22, respectively. According to this embodiment, by forming the outflow prevention portion 10 with the groove 12, the underfill 5 corresponding to the volume of the groove 12 can be stored in the groove 12 to prevent the outflow. Even if the number increases, it is possible to reliably prevent the underfill 5 from reaching the external waveguide film 3.

溝12の深さとしては、0.5〜50μmにすることが好ましく、40μm程度にすることがより好ましい。0.5μm以上の深さの溝12であれば十分にアンダーフィル5の流出防止効果が得られるものである。溝12の深さが0.5μm未満になるとアンダーフィル5の流出防止効果が十分に得られなくなるおそれがある。一方、溝12の深さが50μmを超えると加工コストが増大し不経済になるおそれがある。また、溝12の深さを光導波路2の深さ(基板表面から凹設面20までの深さ)にすることも好ましい。それにより、溝12と光導波路2とを同時に簡単に形成することができる。   The depth of the groove 12 is preferably 0.5 to 50 μm, and more preferably about 40 μm. If the groove 12 has a depth of 0.5 μm or more, the underfill 5 can be sufficiently prevented from flowing out. If the depth of the groove 12 is less than 0.5 μm, the outflow prevention effect of the underfill 5 may not be sufficiently obtained. On the other hand, if the depth of the groove 12 exceeds 50 μm, the processing cost increases, which may be uneconomical. It is also preferable to set the depth of the groove 12 to the depth of the optical waveguide 2 (depth from the substrate surface to the recessed surface 20). Thereby, the groove 12 and the optical waveguide 2 can be easily formed simultaneously.

すなわち、溝12は、シリコン基板などの基板1に光導波路2を形成するための溝部(導波路溝)と同時に形成することができる。したがって、流出防止部10を形成する工程を増やすことなく簡単に流出防止部10を形成することができるものである。なお、図示の形態では、溝12は直線状のものを示したが、溝12は曲線状や円弧状であってもよい。また、溝12を複数本設けてもよい。   That is, the groove 12 can be formed simultaneously with a groove portion (waveguide groove) for forming the optical waveguide 2 in the substrate 1 such as a silicon substrate. Therefore, the outflow prevention unit 10 can be easily formed without increasing the number of steps for forming the outflow prevention unit 10. In the illustrated embodiment, the groove 12 is linear, but the groove 12 may be curved or arcuate. A plurality of grooves 12 may be provided.

図5は、光電変換サブマウント基板の他の一例を示す平面図である。この形態では、図4の形態に加えて、溝12の底面に溝12よりもさらに深く凹設された凹部13が設けられている。図示のものでは、凹部13は、溝12の略半分の長さの位置に丸状に設けられている。この形態にあっては、溝12に凹部13が設けられていることにより、溝12の体積が増加するので、蓄えるアンダーフィル5の量を増やすことができ、アンダーフィル5の流出量が多くなっても、アンダーフィル5が外部導波路フィルム3に到達することをさらに確実に防ぐことができるものである。   FIG. 5 is a plan view showing another example of the photoelectric conversion submount substrate. In this form, in addition to the form of FIG. 4, a recess 13 is provided on the bottom surface of the groove 12 so as to be deeper than the groove 12. In the illustrated example, the recess 13 is provided in a round shape at a position approximately half the length of the groove 12. In this embodiment, since the volume of the groove 12 is increased by providing the recess 13 in the groove 12, the amount of the underfill 5 to be stored can be increased, and the outflow amount of the underfill 5 is increased. However, it is possible to more reliably prevent the underfill 5 from reaching the external waveguide film 3.

ここで、凹部13を基板1を貫通するスルーホールにして形成することもできる。その場合、アンダーフィル5を基板1の裏面に排出することができ、アンダーフィル5の流出量がさらに多くなっても確実にアンダーフィル5が外部導波路フィルム3に到達することを防止することができるものである。そして、この凹部13はサンドブラスト加工などの簡単な方法で形成することができるものであり、簡単に流出防止効果の高い流出防止部10を形成することができるものである。なお、図示の形態では、凹部13は丸状のものを示したが、凹部13は角状などであってもよい。凹部13の形成位置は図示のものに限られず、溝12のクラッド層22と連設する側とは反対の端部に凹部13を設けてもよい。また、凹部13を複数個設けてもよい。   Here, the recess 13 can be formed as a through hole penetrating the substrate 1. In that case, the underfill 5 can be discharged to the back surface of the substrate 1, and even if the outflow amount of the underfill 5 further increases, the underfill 5 can be reliably prevented from reaching the external waveguide film 3. It can be done. And this recessed part 13 can be formed by simple methods, such as a sandblasting process, and can form the outflow prevention part 10 with a high outflow prevention effect easily. In the illustrated embodiment, the recess 13 is round, but the recess 13 may be square. The position where the recess 13 is formed is not limited to that shown in the figure, and the recess 13 may be provided at the end opposite to the side of the groove 12 that is connected to the cladding layer 22. A plurality of recesses 13 may be provided.

図6は、光電変換サブマウント基板の他の一例を示す平面図である。この形態では、図4の形態において、溝12が光導波路2から遠くなるにしたがってその深さが徐々に深くなっている。すなわち、溝12は光導波路2側の一端から他端に向かって徐々に深くなったテーパ状に形成されている。なお、図示のものでは、溝12の深さを色の濃淡で示しており、色が濃くなるほど溝12の深さが深くなる。溝12は、溝12の底部が直線状に傾斜して徐々に深くなるものであってもよいし、溝12の底部が曲線状に傾斜して徐々に深くなるものであってもよい。溝12の深さとしては、浅いところ、すなわちクラッド層22と連設する端部の深さが0.5μm以上であることが好ましく、深いところ、すなわちクラッド層22と連設する端部とは反対側の端部の深さが100μm以下であることが好ましい。溝12の浅いところの深さが0.5μm未満ではアンダーフィル5の流出を十分に防止できなくなるおそれがある。一方、溝12の深いところの深さが100μmを超えると加工コストが増大し不経済になるおそれがある。ただし、アンダーフィル5の流出防止の観点からは、溝12の深いところの深さは、深ければ深いほどよい。例えば、最も深い位置で溝12が基板1を貫通してもよい。   FIG. 6 is a plan view showing another example of the photoelectric conversion submount substrate. In this form, in the form of FIG. 4, the depth of the groove 12 gradually increases as the distance from the optical waveguide 2 increases. That is, the groove 12 is formed in a tapered shape that gradually becomes deeper from one end on the optical waveguide 2 side toward the other end. In the illustrated example, the depth of the groove 12 is indicated by shades of color. The deeper the color, the deeper the groove 12. The groove 12 may be such that the bottom of the groove 12 is linearly inclined and gradually becomes deep, or the bottom of the groove 12 is curved and gradually deepened. The depth of the groove 12 is preferably shallow, that is, the depth of the end connected to the cladding layer 22 is 0.5 μm or more, and the deep portion, that is, the end connected to the cladding layer 22 is The depth of the opposite end is preferably 100 μm or less. If the depth of the shallow portion of the groove 12 is less than 0.5 μm, the underfill 5 may not be sufficiently prevented from flowing out. On the other hand, if the depth of the deep groove 12 exceeds 100 μm, the processing cost may increase, which may be uneconomical. However, from the viewpoint of preventing the underfill 5 from flowing out, the deeper the depth of the groove 12, the better. For example, the groove 12 may penetrate the substrate 1 at the deepest position.

この形態にあっては、溝12の深さが徐々に深くなることにより、溝12の体積を増加させると共にこの溝12の深みに沿ってアンダーフィル5を流して蓄えることができるので、アンダーフィル5を効率よく排出してフィルム24に到達すること防ぐことができるものである。そして、溝12の深みの調整はグレーマスクを用いたサンドブラスト加工などの簡単な方法で形成することができるものであり、簡単に流出防止効果の高い流出防止部10を形成することができるものである。   In this configuration, the depth of the groove 12 gradually increases, so that the volume of the groove 12 can be increased and the underfill 5 can be flowed and stored along the depth of the groove 12. 5 can be efficiently discharged and prevented from reaching the film 24. The depth of the groove 12 can be adjusted by a simple method such as sandblasting using a gray mask, and the outflow prevention portion 10 having a high outflow prevention effect can be easily formed. is there.

図7は、光電変換サブマウント基板の他の一例を示す図であり、(a)は(b)のイ−イ断面図、(b)は平面図を示している。この形態では、基板1の表面には絶縁膜14が形成されており、流出防止部10は基板表面に絶縁膜14が設けられずに形成された溝12として形成されている。溝12の形状は図4の形態と同様のものにすることができる。この形態にあっては、基板表面に絶縁膜14が形成されていることにより回路間の絶縁性が確保されるので、導通信頼性のある光電変換サブマウント基板を得ることができる。この流出防止部10は絶縁膜14を形成する際に絶縁膜14を形成しない部分を設けて形成してもよいし、絶縁膜14を基板表面の全面に形成した後で、流出防止部10を形成する部分のみが開口されたレジストを用いて絶縁膜14を除去することにより形成してもよい。絶縁膜14を形成しない部分を設けて流出防止部10を形成した場合は、流出防止部10を形成する工程を増やすことなく簡単に流出防止部10を形成することができるものである。一方、絶縁膜14を除去して流出防止部10を形成する場合、流出防止部10を形成する部分が開口されたレジストを基板表面に設け、ドライエッチングを施して開口部分の絶縁膜14を除去し、基板表面のレジストを除去する方法により行うことができる。そして、絶縁膜14はクラッドとしての役割も果たすことができる。すなわち、図7(a)に示すように、コア層21と基板表面の凹設面20との間には絶縁膜14が配され、この絶縁膜14はコア層21に対して屈折率が低いため絶縁膜14をクラッドとして機能させることができるので、コア層21を絶縁膜14とクラッド層22とにより構成されるクラッド材料で簡単に包囲することができ、光損失の生じない光電変換サブマウント基板を簡単に得ることができるものである。絶縁膜14を形成する材料としては、例えば、ケイ素酸化膜(Si酸化膜)を用いることができる。溝12の深さは、絶縁膜14の厚みと等しくなるものであり、例えば、0.5〜50μmにすることができる。   7A and 7B are diagrams showing another example of the photoelectric conversion submount substrate, in which FIG. 7A is a cross-sectional view taken along the line (b), and FIG. 7B is a plan view. In this embodiment, an insulating film 14 is formed on the surface of the substrate 1, and the outflow prevention unit 10 is formed as a groove 12 formed without the insulating film 14 on the substrate surface. The shape of the groove 12 can be the same as that shown in FIG. In this embodiment, since the insulating film 14 is formed on the surface of the substrate, the insulation between the circuits is ensured, so that a photoelectric conversion submount substrate having conduction reliability can be obtained. The outflow prevention unit 10 may be formed by providing a portion where the insulating film 14 is not formed when the insulating film 14 is formed, or after the insulating film 14 is formed on the entire surface of the substrate, the outflow prevention unit 10 may be formed. Alternatively, the insulating film 14 may be removed by using a resist in which only a portion to be formed is opened. When the outflow prevention unit 10 is formed by providing a portion where the insulating film 14 is not formed, the outflow prevention unit 10 can be easily formed without increasing the number of steps for forming the outflow prevention unit 10. On the other hand, when the outflow prevention part 10 is formed by removing the insulating film 14, a resist having an opening for forming the outflow prevention part 10 is provided on the substrate surface, and dry etching is performed to remove the insulating film 14 in the opening part. And it can carry out by the method of removing the resist of the substrate surface. The insulating film 14 can also serve as a cladding. That is, as shown in FIG. 7A, the insulating film 14 is disposed between the core layer 21 and the concave surface 20 of the substrate surface, and the insulating film 14 has a lower refractive index than the core layer 21. Therefore, since the insulating film 14 can function as a clad, the core layer 21 can be easily surrounded by a clad material constituted by the insulating film 14 and the clad layer 22, and a photoelectric conversion submount that does not cause optical loss. A substrate can be easily obtained. As a material for forming the insulating film 14, for example, a silicon oxide film (Si oxide film) can be used. The depth of the groove 12 is equal to the thickness of the insulating film 14, and can be, for example, 0.5 to 50 μm.

図8は、光電変換サブマウント基板の他の一例を示す平面図である。この形態では、流出防止部10は基板表面に金属薄膜15として積層されて形成されている。この金属薄膜15は、クラッド層22の露出側面に密着して連結し、光導波路2の延伸方向と垂直な方向に長辺が配置された矩形状の薄膜層として形成されている。この形態にあっては、流出防止部10が金属薄膜15で形成されていることにより、この薄膜の厚みを極めて薄くすることができるので、基板表面に不要な凹凸を形成することなく流出防止部10を形成することができるものである。金属薄膜15の厚みは好ましくは1μm以下にすることができる。それにより、不要な凹凸をさらになくすことができる。金属薄膜15の厚みの下限は実質的に0.05μmである。金属薄膜15は濡れ性が悪いTi(チタン)系の薄膜などで形成することができるので、アンダーフィル5が金属薄膜15の表面をつたって流れることがない。すなわち、金属薄膜15の濡れ性の悪さを利用してアンダーフィル5の流出を防止するので、壁を形成して物理的に阻止する場合に比べて、層の厚さを壁のように高くする必要がなく、薄い層で流出防止部10を形成することができるものである。そして、濡れ性を利用してアンダーフィル5の流出を防止するので、流出防止効果を向上することができるものである。   FIG. 8 is a plan view showing another example of the photoelectric conversion submount substrate. In this embodiment, the outflow prevention part 10 is formed by being laminated as a metal thin film 15 on the substrate surface. The metal thin film 15 is formed as a rectangular thin film layer having a long side arranged in a direction perpendicular to the extending direction of the optical waveguide 2 in close contact with the exposed side surface of the cladding layer 22. In this embodiment, since the outflow prevention portion 10 is formed of the metal thin film 15, the thickness of the thin film can be extremely reduced, so that the outflow prevention portion can be formed without forming unnecessary irregularities on the substrate surface. 10 can be formed. The thickness of the metal thin film 15 can be preferably 1 μm or less. Thereby, unnecessary unevenness can be further eliminated. The lower limit of the thickness of the metal thin film 15 is substantially 0.05 μm. Since the metal thin film 15 can be formed of a Ti (titanium) thin film having poor wettability, the underfill 5 does not flow across the surface of the metal thin film 15. That is, since the underfill 5 is prevented from flowing out by utilizing the poor wettability of the metal thin film 15, the thickness of the layer is increased like a wall as compared with the case where the wall is formed and physically blocked. There is no need, and the outflow prevention part 10 can be formed with a thin layer. And since the outflow of the underfill 5 is prevented using wettability, the outflow prevention effect can be improved.

図8の形態にあっては、基板表面に形成された回路層6と流出防止部10を形成する金属薄膜15とが同じ材料からなるものであることが好ましい。それにより、回路層6の形成と同時に流出防止部10を形成することができるので、流出防止部10を形成する工程を増やすことなく簡単に流出防止部10を形成することができるものである。   In the form of FIG. 8, it is preferable that the circuit layer 6 formed on the substrate surface and the metal thin film 15 forming the outflow prevention portion 10 are made of the same material. Thereby, since the outflow prevention part 10 can be formed simultaneously with the formation of the circuit layer 6, the outflow prevention part 10 can be easily formed without increasing the number of steps for forming the outflow prevention part 10.

図9は、光電変換サブマウント基板の他の一例を示す平面図である。この形態では、流出防止部10は、光素子4の周囲を囲んで基板表面に形成されている。この流出防止部10は、上述した、壁状体11であってよく、溝12であってもよく、金属薄膜15であってもよい。この形態によれば、流出防止部10が光素子4の周囲を囲んで形成されていることにより、アンダーフィル5の流出量が多くなったり濡れ性の高い材料で流出防止部10を形成したりした場合においても、アンダーフィル5を流出防止部10に取り囲んで溜めることができるので、流出防止部10を迂回するなどしてアンダーフィル5が外部導波路フィルム3に到達することを防止して、フィルム24の剥離をさらに防止することができるものである。なお、図示のものでは光素子4の周囲を四角形状に囲んでいる例を示しているが、円状に周囲を囲むようにしてもよい。ところで、金属薄膜15で流出防止部10を形成する場合、特に回路層6と同一の金属薄膜15で流出防止部10を形成する場合には、回路が短絡しないように回路層6が通過する部分には流出防止部10を設けずに、分断した流出防止部10で光素子4の周囲を囲むようにするとよい。   FIG. 9 is a plan view showing another example of the photoelectric conversion submount substrate. In this embodiment, the outflow prevention unit 10 is formed on the surface of the substrate so as to surround the optical element 4. The outflow prevention unit 10 may be the wall-like body 11 described above, the groove 12, or the metal thin film 15. According to this embodiment, since the outflow prevention unit 10 is formed so as to surround the optical element 4, the outflow amount of the underfill 5 is increased, or the outflow prevention unit 10 is formed of a highly wettable material. Even in this case, since the underfill 5 can be surrounded and stored in the outflow prevention unit 10, the underfill 5 is prevented from reaching the external waveguide film 3 by bypassing the outflow prevention unit 10, etc. The peeling of the film 24 can be further prevented. In the example shown in the figure, the periphery of the optical element 4 is enclosed in a square shape, but the periphery may be enclosed in a circle. By the way, when the outflow prevention part 10 is formed with the metal thin film 15, especially when the outflow prevention part 10 is formed with the same metal thin film 15 as the circuit layer 6, the part through which the circuit layer 6 passes so as not to short-circuit the circuit. In this case, the outflow prevention unit 10 is not provided, and the separated outflow prevention unit 10 is preferably surrounded by the optical element 4.

図10は、光電変換サブマウント基板の他の一例を示す平面図である。この形態では、流出防止部10は、光導波路2から基板1の端部に亘って形成されている。すなわち、流出防止部10は、一端がクラッド層22の露出側面に連設すると共に、他端が光導波路2の延伸方向と垂直な方向に基板1の端部の先端にまで延伸して形成されている。この流出防止部10は、上述した、壁状体11であってよく、溝12であってもよく、金属薄膜15であってもよい。この形態によれば、アンダーフィル5の流出量が多くなったり濡れ性の高い材料で流出防止部10を形成したりした場合においても、アンダーフィル5を流出防止部10に沿って基板の表面より外に排出することができるので、流出防止部10を迂回するなどしてアンダーフィル5が外部導波路フィルム3に到達することを防止して、フィルム24の剥離をさらに防止することができるものである。   FIG. 10 is a plan view showing another example of the photoelectric conversion submount substrate. In this embodiment, the outflow prevention unit 10 is formed from the optical waveguide 2 to the end of the substrate 1. That is, the outflow prevention unit 10 is formed such that one end is connected to the exposed side surface of the cladding layer 22 and the other end extends to the tip of the end of the substrate 1 in a direction perpendicular to the extending direction of the optical waveguide 2. ing. The outflow prevention unit 10 may be the wall-like body 11 described above, the groove 12, or the metal thin film 15. According to this embodiment, even when the outflow amount of the underfill 5 increases or the outflow prevention portion 10 is formed of a material having high wettability, the underfill 5 is moved along the outflow prevention portion 10 from the surface of the substrate. Since it can be discharged to the outside, it is possible to prevent the underfill 5 from reaching the external waveguide film 3 by bypassing the outflow prevention portion 10 or the like, and further prevent the film 24 from peeling off. is there.

次に、光電変換サブマウント基板の製造について説明する。   Next, manufacture of a photoelectric conversion submount substrate will be described.

図11は、光電変換サブマウント基板の製造工程の一部(光導波路2の作製)を示す断面図である。図11(a)〜(d)は、光導波路2を設けるための溝部を基板1の表面に加工する様子を示している。基板1の表面を加工するにあたっては、まず、(a)で示すように、光導波路2を形成するためのマスク31を基板1の表面に形成する。次に、(b)で示すように、異方性エッチングをして基板1を凹設し、光導波路2を形成するための凹設面20を形成する。そして、(c)に示すように、マスク31を除去し、次いで、(d)に示すように、基板1の表面に絶縁膜14を積層して形成する。   FIG. 11 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the photoelectric conversion submount substrate (production of the optical waveguide 2). FIGS. 11A to 11D show a state where a groove for providing the optical waveguide 2 is processed on the surface of the substrate 1. In processing the surface of the substrate 1, first, a mask 31 for forming the optical waveguide 2 is formed on the surface of the substrate 1 as shown in FIG. Next, as shown in (b), the substrate 1 is recessed by anisotropic etching, and the recessed surface 20 for forming the optical waveguide 2 is formed. Then, as shown in (c), the mask 31 is removed, and then, as shown in (d), the insulating film 14 is laminated on the surface of the substrate 1 to be formed.

図11(e)〜(h)はコア層21を作製する様子を示している。コア層21の作製にあたっては、まず、(e)で示すように、コア層21を形成するコア樹脂組成物32を凹設面20の上に塗布し、プレ加熱(PB)する。次に、(f)で示すように平坦化プレスしてコア層21の上面を平坦化した後、(g)で示すように、マスク31でパターニングしてUVなどのエネルギー線で樹脂を硬化する。そして、(h)で示すように、現像によって不溶なコア樹脂組成物32を除去し、加熱(PDB)することによりコア層21を作製することができる。なお、コア層21を形成する前にコア層21の傾斜面21aが形成される凹設面20の表面に金属の薄膜を形成し、光反射層7を設けることができる。   FIGS. 11E to 11H show how the core layer 21 is produced. In preparation of the core layer 21, first, as shown in (e), the core resin composition 32 which forms the core layer 21 is apply | coated on the recessed surface 20, and preheating (PB) is carried out. Next, after flattening and flattening the upper surface of the core layer 21 as shown in (f), patterning is performed with a mask 31 and the resin is cured with energy rays such as UV as shown in (g). . And as shown by (h), the core layer 21 can be produced by removing the insoluble core resin composition 32 by development and heating (PDB). Before forming the core layer 21, the light reflecting layer 7 can be provided by forming a metal thin film on the surface of the recessed surface 20 where the inclined surface 21 a of the core layer 21 is formed.

図11(i)〜(l)はクラッド層22を作製する様子を示している。クラッド層22の作製にあたっては、まず、(i)で示すように、クラッド層22を形成するクラッド樹脂組成物33を塗布し、プレ加熱(PB)する。次に、(j)で示すように平坦化プレスしてクラッド層22の上面を基板表面よりも高く突出した面にして平坦化した後、(k)で示すように、マスク31でパターニングしてUVなどのエネルギー線で樹脂を硬化する。そして、(l)で示すように、現像によって不溶なクラッド樹脂組成物33を除去し、加熱(PDB)することによりクラッド層22を作製することができる。   11 (i) to 11 (l) show how the clad layer 22 is produced. In producing the clad layer 22, first, as shown in (i), a clad resin composition 33 for forming the clad layer 22 is applied and pre-heated (PB). Next, as shown in (j), the flattening press is performed to make the upper surface of the clad layer 22 project higher than the surface of the substrate, followed by patterning with a mask 31 as shown in (k). The resin is cured with energy rays such as UV. Then, as shown in (l), the clad layer 22 can be produced by removing the insoluble clad resin composition 33 by development and heating (PDB).

こうして、コア層21とクラッド層22とにより構成される光導波路2が表面に作製された基板1が形成される。そして、この基板1に回路層6を形成し、回路層6の表面に形成された端子6aに光素子4を取り付け、光素子4と光導波路2の間にアンダーフィル5を充填する。一方、基板1の光導波路2が延伸された端部の基板表面に外部導波路フィルム3を接着剤で接着する。接着剤としては、光硬化性樹脂などを用いることができる。なお、クラッド層22の段差Xの高さ分だけ基板表面とフィルム24との間で隙間ができるが、この隙間には接着剤が充填され、接着剤層が形成される。フィルム24の取り付けは、通常、光素子4を実装し、アンダーフィル5を充填した後に行う。このときアンダーフィル6が流出防止部10でその流出が防止されてフィルム24を接着しようとする部分に到達しないために、フィルム24を確実に基板1に接着することができるのである。このようにして、光素子4が実装されると共に外部導波路フィルム3が設けられた光電変換サブマウント基板を得ることができる。   In this way, the substrate 1 on which the optical waveguide 2 constituted by the core layer 21 and the cladding layer 22 is formed is formed. Then, the circuit layer 6 is formed on the substrate 1, the optical element 4 is attached to the terminal 6 a formed on the surface of the circuit layer 6, and the underfill 5 is filled between the optical element 4 and the optical waveguide 2. On the other hand, the external waveguide film 3 is adhered to the substrate surface at the end of the substrate 1 where the optical waveguide 2 is extended with an adhesive. As the adhesive, a photocurable resin or the like can be used. Note that a gap is formed between the substrate surface and the film 24 by the height of the step X of the clad layer 22, and this gap is filled with an adhesive to form an adhesive layer. The film 24 is usually attached after the optical element 4 is mounted and the underfill 5 is filled. At this time, since the underfill 6 is prevented from flowing out by the outflow prevention unit 10 and does not reach the portion where the film 24 is to be bonded, the film 24 can be securely bonded to the substrate 1. In this manner, a photoelectric conversion submount substrate on which the optical element 4 is mounted and the external waveguide film 3 is provided can be obtained.

上記のように製造されたクラッド層22の上端面は基板表面よりも高く、段差Xが生じる。すなわち、コア層21とクラッド層22を形成するそれぞれの樹脂をプレスで平坦化しているので、コア層21の上端面は基板1の表面と略面一になり、コア層21を包囲するためにクラッド層22の上端面は基板1の表面よりも突出する。そして、クラッド層22の上端面の突出により段差Xが生じ、この段差Xがアンダーフィル5の流出を招くのである。しかしながら、本発明においては、上記の通り、流出防止部10を形成することにより、アンダーフィル5の流出が防止されるものである。   The upper end surface of the clad layer 22 manufactured as described above is higher than the substrate surface, and a step X is generated. That is, since the respective resins forming the core layer 21 and the clad layer 22 are flattened by pressing, the upper end surface of the core layer 21 is substantially flush with the surface of the substrate 1 so as to surround the core layer 21. The upper end surface of the cladding layer 22 protrudes from the surface of the substrate 1. The step X is caused by the protrusion of the upper end surface of the cladding layer 22, and this step X causes the underfill 5 to flow out. However, in the present invention, as described above, the outflow prevention portion 10 is formed to prevent the underfill 5 from flowing out.

そして、流出防止部10の形成は、光電変換サブマウント基板の製造工程の一部で行うことが好ましい。   And formation of outflow prevention part 10 is preferably performed in a part of manufacturing process of a photoelectric conversion submount substrate.

例えば、図2の形態の一例のように、壁状体11の流出防止部10をコア層21の材料と同じものとするときには、図11(e)〜(h)のコア層21の形成工程で同時に形成することができる。すなわち、(e)において、コア樹脂組成物32を流出防止部10を形成する部分にも塗布する。そして、(g)で示すマスク31のパターニングをコア層21と共に流出防止部10を形成するパターンにする。このようにして、コア層21と同時に流出防止部10を形成することができ、工程を増やすことなく流出防止部10を形成することができるものである。   For example, when the outflow prevention portion 10 of the wall-like body 11 is the same as the material of the core layer 21 as in the example of the form of FIG. 2, the formation process of the core layer 21 of FIGS. Can be formed simultaneously. That is, in (e), the core resin composition 32 is also applied to the part where the outflow prevention part 10 is formed. Then, the patterning of the mask 31 shown in (g) is made into a pattern that forms the outflow prevention part 10 together with the core layer 21. Thus, the outflow prevention part 10 can be formed simultaneously with the core layer 21, and the outflow prevention part 10 can be formed without increasing the number of steps.

また、図3の形態のように、壁状体11の流出防止部10をクラッド層22の材料と同じものとするときには、図11(i)〜(j)のクラッド層22の形成工程で同時に形成することができる。すなわち、(i)において、クラッド樹脂組成物33を流出防止部10を形成する部分にも塗布する。そして、(j)で示すマスク31のパターニングをクラッド層22と共に流出防止部10を形成するパターンにする。このようにして、クラッド層22と同時に流出防止部10を形成することができ、工程を増やすことなく流出防止部10を形成することができるものである。   When the outflow prevention portion 10 of the wall-like body 11 is made of the same material as that of the cladding layer 22 as in the embodiment of FIG. 3, the formation process of the cladding layer 22 in FIGS. Can be formed. That is, in (i), the clad resin composition 33 is also applied to the portion where the outflow prevention portion 10 is formed. Then, the patterning of the mask 31 shown in (j) is made into a pattern for forming the outflow prevention portion 10 together with the cladding layer 22. In this way, the outflow prevention part 10 can be formed simultaneously with the cladding layer 22, and the outflow prevention part 10 can be formed without increasing the number of steps.

また、図4の形態のように、溝12で流出防止部10を形成する場合には、図11(a)〜(c)に示す基板1の表面の加工工程で流出防止部10を形成することができる。すなわち、(a)で示すマスク31のパターニングを光導波路2と共に流出防止部10を形成するパターンにする。それにより、光導波路2を形成するための凹設面20と同時に流出防止部10を形成することができ、工程を増やすことなく流出防止部10を形成することができるものである。なお、図5の形態のように、溝12に凹部13を設ける場合には、溝12の底部をサンドブラスト加工するなどして形成できる。凹部13の形成は、基板1の表面の加工工程の際に行ってもよく、光導波路2を形成した後に行ってもよい。また、図6の形態のように、溝12の深さを徐々に深くする場合には、上記のようなパターニングによりあらかじめ溝12を形成し、この溝12をグレーマスクを用いたサンドブラスト加工で深さを調整して削ることにより形成することができる。   Moreover, when the outflow prevention part 10 is formed by the groove 12 as in the form of FIG. 4, the outflow prevention part 10 is formed by the processing steps of the surface of the substrate 1 shown in FIGS. 11 (a) to 11 (c). be able to. That is, the patterning of the mask 31 shown in FIG. Thereby, the outflow prevention part 10 can be formed simultaneously with the recessed surface 20 for forming the optical waveguide 2, and the outflow prevention part 10 can be formed without increasing the number of steps. In the case where the recess 12 is provided in the groove 12 as in the form of FIG. 5, the bottom of the groove 12 can be formed by sandblasting or the like. The formation of the recess 13 may be performed during the processing step of the surface of the substrate 1 or may be performed after the optical waveguide 2 is formed. When the depth of the groove 12 is gradually increased as shown in FIG. 6, the groove 12 is formed in advance by patterning as described above, and the groove 12 is deepened by sandblasting using a gray mask. It can be formed by adjusting the thickness and shaving.

また、図7の形態のように、絶縁膜14が形成されないことにより溝12を設けて流出防止部10を形成する場合には、図11(d)に示す絶縁膜14の形成工程で流出防止部10を形成することができる。すなわち、(d)において、流出防止部10を形成する部分をマスクで覆い、パターニングして絶縁膜14を積層し、マスクを除去する。それにより、絶縁膜14と同時に流出防止部10を形成することができ、工程を増やすことなく流出防止部10を形成することができるものである。   Further, as shown in FIG. 7, when the insulating film 14 is not formed and the groove 12 is provided to form the outflow prevention portion 10, the outflow prevention is performed in the step of forming the insulating film 14 shown in FIG. The part 10 can be formed. That is, in (d), the part where the outflow prevention part 10 is to be formed is covered with a mask, patterned to deposit the insulating film 14, and the mask is removed. Thereby, the outflow prevention part 10 can be formed simultaneously with the insulating film 14, and the outflow prevention part 10 can be formed without increasing the number of steps.

また、図8の形態においては、流出防止部10の形成を回路層6の形成工程で行うことができる。この形態では、流出防止部10が回路層6と同一の材料からなる金属薄膜15として形成されており、回路層6を形成する際に、回路層6と共に流出防止部10を形成するパターニングを行い、回路層6と金属薄膜15を同時に積層して形成するものである。それにより、絶縁膜14と同時に流出防止部10を形成することができ、工程を増やすことなく流出防止部10を形成することができるものである。   Further, in the embodiment of FIG. 8, the outflow prevention part 10 can be formed in the process of forming the circuit layer 6. In this embodiment, the outflow prevention unit 10 is formed as a metal thin film 15 made of the same material as the circuit layer 6, and patterning is performed to form the outflow prevention unit 10 together with the circuit layer 6 when forming the circuit layer 6. The circuit layer 6 and the metal thin film 15 are laminated at the same time. Thereby, the outflow prevention part 10 can be formed simultaneously with the insulating film 14, and the outflow prevention part 10 can be formed without increasing the number of steps.

1 基板
2 光導波路
3 外部導波路フィルム
4 光素子
5 アンダーフィル
6 回路層
7 光反射層
10 流出防止部
11 壁状体
12 溝
13 凹部
14 絶縁膜
15 金属薄膜
20 凹設面
21 コア層
22 クラッド層
23 外部導波路
24 フィルム
31 マスク
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate 2 Optical waveguide 3 External waveguide film 4 Optical element 5 Underfill 6 Circuit layer 7 Light reflection layer 10 Outflow prevention part 11 Wall-like body 12 Groove 13 Concave 14 Insulating film 15 Metal thin film 20 Concave surface 21 Core layer 22 Clad Layer 23 External waveguide 24 Film 31 Mask

Claims (12)

基板と、基板表面の凹設面に形成されたコア層、及びコア層を被覆して封止すると共に上端面が基板表面よりも突出して形成されたクラッド層からなる光導波路と、光導波路と光結合する光素子と、光素子と光導波路との間に充填されたアンダーフィルと、基板表面に端部が接着された外部導波路フィルムとを備え、光素子と外部導波路フィルムの端部との間の基板表面に、光素子と光導波路の間から流れ出したアンダーフィルが外部導波路フィルムの基板表面との接着面に到達するのを防ぐ流出防止部が形成されていることを特徴とする光電変換サブマウント基板。   An optical waveguide comprising a substrate, a core layer formed on a concave surface of the substrate surface, and a clad layer that covers and seals the core layer and has an upper end surface protruding from the substrate surface; and an optical waveguide; An optical element for optical coupling; an underfill filled between the optical element and the optical waveguide; and an external waveguide film having an end bonded to the substrate surface. The underflow flowing out from between the optical element and the optical waveguide is formed on the substrate surface between the substrate and the outflow prevention portion for preventing the underfill from reaching the adhesive surface with the substrate surface of the external waveguide film. A photoelectric conversion submount substrate. 流出防止部は、コア層と同じ材料からなり、基板表面に壁状に形成されたものであることを特徴とする請求項1に記載の光電変換サブマウント基板。   The photoelectric conversion submount substrate according to claim 1, wherein the outflow prevention portion is made of the same material as the core layer and is formed in a wall shape on the substrate surface. 流出防止部は、クラッド層と同じ材料からなり、基板表面に壁状に形成されたものであることを特徴とする請求項1に記載の光電変換サブマウント基板。   2. The photoelectric conversion submount substrate according to claim 1, wherein the outflow prevention portion is made of the same material as that of the cladding layer and is formed in a wall shape on the substrate surface. 流出防止部は、基板表面に形成された溝であることを特徴とする請求項1に記載の光電変換サブマウント基板。   The photoelectric conversion submount substrate according to claim 1, wherein the outflow prevention portion is a groove formed on the substrate surface. 溝に凹部が設けられていることを特徴とする請求項4に記載の光電変換サブマウント基板。   The photoelectric conversion submount substrate according to claim 4, wherein a recess is provided in the groove. 溝は光導波路から遠くなるにしたがってその深さが徐々に深くなることを特徴とする請求項4に記載の光電変換サブマウント基板。   The photoelectric conversion submount substrate according to claim 4, wherein the depth of the groove gradually increases as the distance from the optical waveguide increases. 基板は表面に絶縁膜が形成されたものであり、流出防止部は基板表面に絶縁膜が設けられずに形成された溝であることを特徴とする請求項1に記載の光電変換サブマウント基板。   2. The photoelectric conversion submount substrate according to claim 1, wherein the substrate has an insulating film formed on the surface, and the outflow prevention portion is a groove formed without an insulating film provided on the substrate surface. . 流出防止部は、基板表面に形成された金属薄膜であることを特徴とする請求項1に記載の光電変換サブマウント基板。   The photoelectric conversion submount substrate according to claim 1, wherein the outflow prevention portion is a metal thin film formed on the substrate surface. 基板表面に回路層を備え、上記金属薄膜は回路層と同じ材料からなるものであることを特徴とする請求項8に記載の光電変換サブマウント基板。   9. The photoelectric conversion submount substrate according to claim 8, wherein a circuit layer is provided on the substrate surface, and the metal thin film is made of the same material as the circuit layer. 流出防止部は、光素子の周囲を囲んで形成されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の光電変換サブマウント基板。   The photoelectric conversion submount substrate according to claim 1, wherein the outflow prevention portion is formed to surround the periphery of the optical element. 流出防止部は、光導波路から基板の端部に亘って形成されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の光電変換サブマウント基板。   The photoelectric conversion submount substrate according to claim 1, wherein the outflow prevention portion is formed from the optical waveguide to an end portion of the substrate. 下記の(a)(c)(d)(f)(g)及び(h)を含む工程、(a)(b)(c)(d)(f)(g)及び(h)を含む工程、又は(a)(c)(d)(e)(f)(g)及び(h)を含む工程によって請求項1〜11のいずれかに記載の光電変換サブマウント基板を製造する方法であって、(a)(b)(c)(d)及び(e)から選ばれるいずれかの工程で、光素子と外部導波路フィルムの端部との間の基板表面に、光素子と光導波路の間から流れ出したアンダーフィルが外部導波路フィルムの基板表面との接着面に到達するのを防ぐ流出防止部を形成することを特徴とする光電変換サブマウント基板の製造方法。
(a)基板表面に凹設面を形成する工程
(b)前記基板表面に絶縁膜を形成する工程
(c)前記凹設面の表面にコア層を形成する工程
(d)コア層を被覆して封止すると共に上端面が前記基板表面よりも突出したクラッド層を形成する工程
(e)前記基板表面に金属薄膜からなる回路層を形成する工程
(f)コア層及びクラッド層で構成される光導波路と光結合するように基板に光素子を取り付ける工程
(g)光素子と光導波路との間にアンダーフィルを充填する工程
(h)外部導波路フィルムの端部を基板表面に接着して外部導波路フィルムを基板に取り付ける工程
A process including the following (a), (c), (d), (f), (g), and (h), and a process including (a), (b), (c), (d), (f), (g), and (h) Or (a), (c), (d), (e), (f), (g), and a method for producing a photoelectric conversion submount substrate according to any one of claims 1 to 11 by a process comprising (h). (A), (b), (c), (d), and (e), the optical element and the optical waveguide are formed on the substrate surface between the optical element and the end portion of the external waveguide film. A method for manufacturing a photoelectric conversion submount substrate, comprising: forming an outflow prevention portion that prevents an underfill that has flowed out from between the layers from reaching an adhesion surface of the external waveguide film to the substrate surface.
(A) Step of forming a concave surface on the substrate surface (b) Step of forming an insulating film on the substrate surface (c) Step of forming a core layer on the surface of the concave surface (d) Covering the core layer (C) forming a circuit layer made of a metal thin film on the substrate surface; and (f) comprising a core layer and a cladding layer. A step of attaching an optical element to the substrate so as to be optically coupled to the optical waveguide. (G) A step of filling an underfill between the optical element and the optical waveguide. (H) Adhering an end portion of the external waveguide film to the surface of the substrate. Attaching the external waveguide film to the substrate
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