JP5185895B2 - Photoelectric conversion submount substrate and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
本発明は、光と電気の信号を相互に変換する光電変換サブマウント基板及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a photoelectric conversion submount substrate that mutually converts light and electric signals, and a method for manufacturing the same.
近年、通信インフラの急速な広帯域化、コンピュータ等の情報処理能力の飛躍的な増大などに伴って、非常に高速な情報伝送路を有する情報処理回路へのニーズが高まっている。このような背景のもと、電気信号の伝送速度限界を突破する一つの手段として、光信号による伝送が考えられており、電気回路に光回路を混載することが種々検討されている。そして、光信号を電気信号に、またはその逆に変換するユニットとして光電変換サブマウント基板が知られている。 In recent years, the need for an information processing circuit having a very high-speed information transmission path is increasing with the rapid widening of communication infrastructure and the dramatic increase in information processing capability of computers and the like. Under such circumstances, transmission by an optical signal is considered as one means for breaking the transmission speed limit of an electric signal, and various studies have been made on mounting an optical circuit in an electric circuit. A photoelectric conversion submount substrate is known as a unit that converts an optical signal into an electrical signal or vice versa.
図13は、従来の光電変換サブマウント基板の一例であり、(a)は平面図、(b)は(a)の横側面図(白抜矢印方向から見た図)である。この光電変換サブマウント基板は、基板1と、基板表面の凹設面20に形成されたコア層21、及びコア層21を被覆して封止すると共に上端面が基板表面よりも突出して形成されたクラッド層22からなる光導波路2と、光導波路2と光結合する光素子4と、光素子4と光導波路2との間に充填されたアンダーフィル5と、基板表面に端部が接着され、外部導波路23とフィルム24を有する外部導波路フィルム3とを備えている。
FIGS. 13A and 13B show an example of a conventional photoelectric conversion submount substrate. FIG. 13A is a plan view, and FIG. 13B is a horizontal side view of FIG. The photoelectric conversion submount substrate is formed by covering and sealing the
図12は、光電変換サブマウント基板の要部の拡大図であり、(a)は(b)のロ−ロ断面図、(b)は斜視図である。なお、図12(b)においてはアンダーフィル5を省略して図示している。なお、図12及び13において、6はメタルパターンにより形成される回路層、7は45°ミラーとして形成される光反射層である。図12に示すように、クラッド層22は上端面が基板表面よりも高くなっており、クラッド層22と基板1とにより段差Xが形成されている。段差Xは、1〜15μm程度の高さを有する。
12A and 12B are enlarged views of a main part of the photoelectric conversion submount substrate. FIG. 12A is a cross-sectional view of (b) and FIG. 12 (b) is a perspective view. In FIG. 12B, the
このような光電変換サブマウント基板にあっては、光と電気とを効率よく変換できると共に、光素子4がアンダーフィル5によって基板1に固定され、丈夫で光電変換性能のよいものとすることができる。
In such a photoelectric conversion submount substrate, light and electricity can be efficiently converted, and the
しかしながら、上記のような光電変換サブマウント基板では、光素子4と基板1との間に充填されたアンダーフィル5が、毛細管現象によりクラッド層22の段差Xをつたって外部導波路フィルム3の方に流れ出してフィルム接着面に達することにより、外部導波路フィルム3の接続強度不良が発生するという問題があった。
However, in the photoelectric conversion submount substrate as described above, the
図12(b)において、アンダーフィル5は、クラッド層22の段差Xに図示の太矢印で示す方向に流れ出す。また、図13(a)において、アンダーフィル5の流れ出しを矢印が指す斜線部分(UF流出)で示している。
In FIG. 12B, the
上記のような光電変換サブマウント基板の製造にあたっては、ウェハに光導波路2などの各層を形成し光素子4を実装した後、アンダーフィル5を充填し、次いで、素子を保護しながらウェハを個片化して基板1を取り出し、個片化された基板1に外部導波路フィルム3を接着する。したがって、流出によってフィルムを接着しようとする面に到達したアンダーフィル5が接着剤の接着性を低下させるので、外部導波路フィルム3が基板1に接着されるのを阻害することになるのである。なお、フィルム接着後ではなくウェハレベルで先にアンダーフィル5を充填しておくのは、その方がハンドリング性が良く、個片化時(ダイシング等での切断時)には素子保護の役目も果たすからである。
In manufacturing the photoelectric conversion submount substrate as described above, after forming each layer such as the
このように、アンダーフィル5が流れ出して、外部導波路フィルム3の接着面に到達すると接続不良が発生し、この接続強度の不良は、外部導波路フィルム3の剥離を招き、光導通性の不良や、部品の故障に繋がるものであり、光電変換サブマウント基板の信頼性を損ねるという問題があった。
As described above, when the
光電気素子におけるアンダーフィル5の流れ出し防止構造としては、特許文献1のものが開示されている。この文献では、光半導体素子の搭載面に凹部を設け、この凹部にアンダーフィルを充填することにより、アンダーフィルが流れ出すのを防いでいる。しかし、この文献の構造では、光半導体素子を搭載する部分に凹部を形成しなければならないのに加えて、この凹部に光半導体素子を半分埋め込むようにして実装しなければならず、製造が煩雑になるものであった。また、凹部から溢れ出したアンダーフィルについては、毛細管現象による流れ出しを抑制することができず、図12及び13の光電変換サブマウント基板のような構造においては、アンダーフィル5の流出を十分に防止できるものではなかった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、光素子4と基板1との間に充填されたアンダーフィル5が、毛細管現象によりクラッド層22の段差Xをつたって外部導波路フィルム3の方に流れ出したとしても、このアンダーフィル5がフィルム接着面に達することを防止し、基板1に対する外部導波路フィルム3の接続強度の不良を抑制することにより、外部導波路フィルム3が剥離せず、信頼性の高い光電変換サブマウント基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points. The
請求項1の発明は、基板1と、基板表面の凹設面20に形成されたコア層21、及びコア層21を被覆して封止すると共に上端面が基板表面よりも突出して形成されたクラッド層22からなる光導波路2と、光導波路2と光結合する光素子4と、光素子4と光導波路2との間に充填されたアンダーフィル5と、基板表面に端部が接着された外部導波路フィルム3とを備え、光素子4と外部導波路フィルム3の端部との間の基板表面に、光素子4と光導波路2の間から流れ出したアンダーフィル5が外部導波路フィルム3の基板表面との接着面に到達するのを防ぐ流出防止部10が形成されていることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。
According to the first aspect of the present invention, the
請求項2の発明は、上記構成の光電変換サブマウント基板において、流出防止部10は、コア層21と同じ材料からなり、基板表面に壁状に形成されたものであることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。
According to a second aspect of the present invention, in the photoelectric conversion submount substrate having the above-described configuration, the
請求項3の発明は、上記構成の光電変換サブマウント基板において、流出防止部10は、クラッド層22と同じ材料からなり、基板表面に壁状に形成されたものであることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a photoelectric conversion submount substrate having the above-described structure, wherein the
請求項4の発明は、上記構成の光電変換サブマウント基板において、流出防止部10は、基板表面に形成された溝12であることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。
According to a fourth aspect of the present invention, in the photoelectric conversion submount substrate having the above-described configuration, the
請求項5の発明は、上記構成の光電変換サブマウント基板において、溝12に凹部13が設けられていることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。
The invention according to
請求項6の発明は、上記構成の光電変換サブマウント基板において、溝12は光導波路2から遠くなるにしたがってその深さが徐々に深くなることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。
According to a sixth aspect of the present invention, in the photoelectric conversion submount substrate having the above configuration, the depth of the
請求項7の発明は、上記構成の光電変換サブマウント基板において、基板1は表面に絶縁膜14が形成されたものであり、流出防止部10は基板表面に絶縁膜14が設けられずに形成された溝12であることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。
According to a seventh aspect of the present invention, in the photoelectric conversion submount substrate having the above-described configuration, the
請求項8の発明は、上記構成の光電変換サブマウント基板において、流出防止部10は、基板表面に形成された金属薄膜15であることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。
The invention according to claim 8 is the photoelectric conversion submount substrate, wherein the
請求項9の発明は、上記構成の光電変換サブマウント基板において、基板表面に回路層6を備え、上記金属薄膜15は回路層6と同じ材料からなるものであることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。
The invention according to claim 9 is the photoelectric conversion submount substrate having the above-described configuration, wherein the
請求項10の発明は、上記構成の光電変換サブマウント基板において、流出防止部10は、光素子4の周囲を囲んで形成されていることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。
The invention according to
請求項11の発明は、上記構成の光電変換サブマウント基板において、流出防止部10は、光導波路2から基板1の端部に亘って形成されていることを特徴とする光電変換サブマウント基板である。
The invention according to
請求項12の発明は、下記の(a)(c)(d)(f)(g)及び(h)を含む工程、(a)(b)(c)(d)(f)(g)及び(h)を含む工程、又は(a)(c)(d)(e)(f)(g)及び(h)を含む工程によって上記構成の光電変換サブマウント基板を製造する方法であって、(a)(b)(c)(d)及び(e)から選ばれるいずれかの工程で、光素子4と外部導波路フィルム3の端部との間の基板表面に、光素子4と光導波路2の間から流れ出したアンダーフィル5が外部導波路フィルム3の基板表面との接着面に到達するのを防ぐ流出防止部10を形成することを特徴とする光電変換サブマウント基板の製造方法である。
The invention of
(a)基板表面に凹設面20を形成する工程
(b)前記基板表面に絶縁膜14を形成する工程
(c)前記凹設面20の表面にコア層21を形成する工程
(d)コア層21を被覆して封止すると共に上端面が前記基板表面よりも突出したクラッド層22を形成する工程
(e)前記基板表面に金属薄膜15からなる回路層6を形成する工程
(f)コア層21及びクラッド層22で構成される光導波路2と光結合するように基板1に光素子4を取り付ける工程
(g)光素子4と光導波路2との間にアンダーフィル5を充填する工程
(h)外部導波路フィルム3の端部を基板表面に接着して外部導波路フィルム3を基板1に取り付ける工程
(A) Step of forming
請求項1の発明によれば、光素子と外部導波路フィルムの端部との間の基板表面に形成された流出防止部が、アンダーフィルが流れ出して外部導波路フィルムの基板表面との接着面に到達するのを防ぐことにより、光素子と基板との間に充填されたアンダーフィルが、毛細管現象によりクラッド層の段差をつたって外部導波路フィルムの方に流れ出したとしても、アンダーフィルがフィルム接着面に達することがないので、外部導波路フィルムの接続強度の不良を防止することができ、フィルムが剥離することなく信頼性の高い光電変換サブマウント基板を得ることができるものである。
According to invention of
請求項2の発明によれば、コア層と同じ材料によって流出防止部を形成することにより、コア層の形成と同時に流出防止部を形成することができるので、流出防止部を形成する工程を増やすことなく簡単に流出防止部を形成することができ、光電変換サブマウント基板を容易に得ることができるものである。また、流出防止部はコア層と同じ材料からなることにより、流出防止部の壁の高さを容易に制御することができるので、必要十分な材料量で無駄なくアンダーフィルの流出を確実に防止することができると共に、光電変換サブマウント基板が、重量が重くなったり嵩高くなったりすることを防ぐことができるものである。
According to the invention of
請求項3の発明によれば、クラッド層と同じ材料によって流出防止部を形成することにより、クラッド層の形成と同時に流出防止部を形成することができるので、流出防止部を形成する工程を増やすことなく簡単に流出防止部を形成することができ、光電変換サブマウント基板を容易に得ることができるものである。また、流出防止部はクラッド層と同じ材料からなることにより、流出防止部の壁の高さを容易に制御することができるので、必要十分な材料量で無駄なくアンダーフィルの流出を確実に防止することができると共に、光電変換サブマウント基板が、重量が重くなったり嵩高くなったりすることを防ぐことができるものである。さらに、流出防止部がクラッド層と同じ材料からなることによって光結合損失に影響することがなく流出防止部を形成することができるものである。
According to the invention of
請求項4の発明によれば、溝によって流出防止部を形成することにより、この溝に体積分のアンダーフィルを蓄えて流れ出しを防止することができるので、アンダーフィルの流出量が多くなっても、アンダーフィルが外部導波路フィルムに到達することを確実に防ぐことができるものである。
According to the invention of
請求項5の発明によれば、溝に凹部が設けられていることにより、溝の体積が増加するので、蓄えるアンダーフィルの量を増やすことができ、アンダーフィルの流出量が多くなっても、アンダーフィルが外部導波路フィルムに到達することをさらに確実に防ぐことができるものである。また、凹部を基板を貫通するスルーホールにした場合には、アンダーフィルを基板の裏面に排出することができ、アンダーフィルの流出量がさらに多くなっても確実にアンダーフィルが外部導波路フィルムに到達することを防止することができるものである。また、この凹部はサンドブラスト加工などの簡単な方法で形成することができ、アンダーフィルの流出を防止する光電変換サブマウント基板を容易に得ることができるものである。
According to the invention of
請求項6の発明によれば、光導波路から遠くなるにしたがって溝の深さが徐々に深くなることにより、溝の体積を増加させると共にこの溝の深みに沿ってアンダーフィルを流して蓄えることができるので、アンダーフィルを効率よく排出してフィルムに到達すること防ぐことができるものである。また、溝の深みはグレーマスクを用いたサンドブラスト加工などの簡単な方法で形成することができ、アンダーフィルの流出を防止する光電変換サブマウント基板を容易に得ることができるものである。 According to the sixth aspect of the invention, the depth of the groove gradually increases as the distance from the optical waveguide increases, so that the volume of the groove can be increased and the underfill can be flowed and stored along the depth of the groove. Therefore, the underfill can be efficiently discharged and prevented from reaching the film. Further, the depth of the groove can be formed by a simple method such as sandblasting using a gray mask, and a photoelectric conversion submount substrate that prevents outflow of underfill can be easily obtained.
請求項7の発明によれば、基板表面に絶縁膜が形成されていることにより回路間の絶縁性が確保されるので、導通信頼性のある光電変換サブマウント基板を得ることができるものである。また、流出防止部は絶縁膜が設けられずに形成された溝として形成されていることにより、絶縁膜を形成する際に絶縁膜を形成しない部分を設けて流出防止部を形成することができるので、流出防止部を形成する工程を増やすことなく簡単に流出防止部を形成することができ、光電変換サブマウント基板を容易に得ることができるものである。また、絶縁膜はクラッドとしての役割も果たすことができるので、光損失の生じない光電変換サブマウント基板を簡単に得ることができるものである。
According to the invention of
請求項8の発明によれば、流出防止部が金属薄膜で形成されていることにより、この薄膜の厚みを極めて薄くすることができるので、基板表面に不要な凹凸を形成することなく流出防止部を形成することができるものである。また、金属薄膜は濡れ性が悪いTi(チタン)系の薄膜などで形成することができるので、アンダーフィルが金属薄膜をつたって流れることを防止し、流出防止効果を向上することができるものである。 According to invention of Claim 8, since the outflow prevention part is formed with the metal thin film, since the thickness of this thin film can be made very thin, an outflow prevention part is formed without forming an unnecessary unevenness | corrugation in the substrate surface. Can be formed. In addition, since the metal thin film can be formed of a Ti (titanium) thin film having poor wettability, it is possible to prevent the underfill from flowing through the metal thin film and to improve the outflow prevention effect. is there.
請求項9の発明によれば、回路層と流出防止部の金属薄膜とが同じ材料からなることにより、回路層の形成と同時に流出防止部を形成することができるので、流出防止部を形成する工程を増やすことなく簡単に流出防止部を形成することができ、光電変換サブマウント基板を容易に得ることができるものである。 According to the ninth aspect of the present invention, since the circuit layer and the metal thin film of the outflow prevention portion are made of the same material, the outflow prevention portion can be formed simultaneously with the formation of the circuit layer. The outflow prevention part can be easily formed without increasing the number of steps, and a photoelectric conversion submount substrate can be easily obtained.
請求項10の発明によれば、流出防止部が光素子の周囲を囲んで形成されていることにより、アンダーフィルの流出量が多くなった場合においても、アンダーフィルを流出防止部に取り囲んで溜めることができるので、流出防止部を迂回するなどしてアンダーフィルが外部導波路フィルムに到達することを防止して、フィルムの剥離をさらに防止することができるものである。
According to the invention of
請求項11の発明によれば、流出防止部が光導波路から基板の端部に亘って形成されていることにより、アンダーフィルの流出量が多くなった場合においても、アンダーフィルを流出防止部に沿って基板の表面より外に排出することができるので、流出防止部を迂回するなどしてアンダーフィルが外部導波路フィルムに到達することを防止して、フィルムの剥離をさらに防止することができるものである。 According to the eleventh aspect of the present invention, even when the outflow amount of the underfill increases because the outflow prevention portion is formed from the optical waveguide to the end portion of the substrate, the underfill is used as the outflow prevention portion. Since it can be discharged outside the surface of the substrate along the line, it is possible to prevent the underfill from reaching the external waveguide film by bypassing the outflow prevention part, thereby further preventing the film from peeling. Is.
請求項12の発明によれば、流出防止部を他の工程と同時に形成することができるので、流出防止部を形成する工程を増やすことなく簡単に流出防止部を形成することができ、光電変換サブマウント基板を容易に得ることができるものである。
According to the invention of
以下、本発明を実施するための形態について説明する。 Hereinafter, modes for carrying out the present invention will be described.
図1は、本発明の光電変換サブマウント基板の一例を示す平面図である。また、図12は、光電変換サブマウント基板の要部の拡大図である。なお、図1では、光素子4は破線で示している。
FIG. 1 is a plan view showing an example of the photoelectric conversion submount substrate of the present invention. FIG. 12 is an enlarged view of a main part of the photoelectric conversion submount substrate. In FIG. 1, the
光電変換サブマウント基板は、基板1と、コア層21及びコア層21を被覆して封止するクラッド層22からなる光導波路2と、この光導波路2と光結合する光素子4と、光素子4と光導波路2との間に充填されたアンダーフィル5と、基板表面に端部が接着された外部導波路フィルム3とを備えている。
The photoelectric conversion submount substrate includes a
基板1は、光導波路2を表面に形成したり、光素子4を実装したりするためのものであり、例えばシリコン(Si)基板として形成することができる。この基板1の表面には、光導波路2を設けるための溝部が直線状に凹設されて形成され、その溝部の底面が凹設面20として設けられている。
The
光導波路2は、光信号を伝送するためのものであり、コア層21及びクラッド層22により構成される。コア層21及びクラッド層22の材料としては、例えば、屈折率の高い樹脂組成物をコア層21の材料に、屈折率の低い樹脂組成物をクラッド層22の材料にすることができる。具体的には、コア層21及びクラッド層22の材料として、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フッ素化樹脂、ポリイミドなどを挙げることができる。例えばエポキシ樹脂を用いる場合には、コア層21の材料として高屈折率のビスフェノール型エポキシ化合物の配合割合を高めたものを用い、クラッド層22の材料として低屈折率の脂環式エポキシ化合物の配合割合を高めたものを用いるなどして、光導波路2を構成することができる。
The
コア層21は、凹設面20の表面に外部導波路23に向かって直線状に形成されている。クラッド層22は、基板1の凹設面20に形成されたコア層21を周囲を取り囲んで封止してあり、その上端面は基板表面よりも突出して形成されている。したがって、図示するように、クラッド層22と基板表面とで段差Xが生じている。
The
コア層21の光素子4と光結合する側の端部は光を反射させるために傾斜面21aとして形成され、この傾斜面21aの部分では凹設面20も同じ傾斜角度で傾斜している。そして、この傾斜面21aと傾斜面21aに対向する凹設面20との間には、光を効率よく反射させるために光反射層7が設けられている。光反射層7は、例えば、金属の薄膜により形成された45°ミラーで構成される。
The end of the
基板1のコア層21が延出された端部の表面には、外部導波路フィルム3が接着されている。外部導波路フィルム3は、フィルム24の表面に、コア層21と光学的に結合され、外部と光信号のやり取りをする外部導波路23が設けられたものであり、その端部が接着剤により基板1の表面に接着されている。すなわち、フィルム24は、基板1のクラッド層22の上端面の上方に接着剤を介して配置され、段差Xはフィルム24の端部の端縁を横切ってフィルム24と基板1との間に入り込んで延出している。図示のものでは、段差Xとフィルム24の端縁とは略垂直に交差している。なお、基板1とフィルム24との隙間には段差Xよりも高い厚みで接着剤層が形成され、フィルム24は略平坦になるように基板1に接着されている。
The
光素子4は、光信号と電気信号とを相互に変換する素子である。この光素子4は、コア層21の傾斜面21aの上方に光導波路2と光結合するように基板1に実装されている。そして、図1の形態では、光素子4は、基板1の表面に設けられた金属の薄膜などにより構成される回路層6と、回路層6の表面に突出して形成された端子6aにより電気的に接続されている。
The
すなわち、端子6aと別の端子6aとの間に光導波路2が配置され、光素子4は光導波路2を跨ぐようにして複数の端子6aに接触して取り付けられている。光素子4と光導波路2との間には、端子6aの高さ分の隙間が、段差Xの高さや回路層6の厚みよりも大きくなって形成されており、段差Xは光素子4の下方からこの隙間を抜け出して基板1の端部に向かって延出している。光素子4と光導波路2との間には、この隙間を埋めるようにアンダーフィル5が充填されている。
That is, the
アンダーフィル5は、光素子4を基板1に接着して実装するためのものである。アンダーフィル5としては、例えば、樹脂溶液などが用いられ、樹脂溶液中の溶媒が蒸発して乾燥したりすることにより樹脂が固化し、光素子4が基板1に固定される。
The
アンダーフィル5の材料としては、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーンゴム、シリコーンゲルなどを用いることができる。
As a material of the
上記のような光電変換サブマウント基板にあっては、溶液状態のアンダーフィル5を充填した際に、アンダーフィル5がクラッド層22と基板表面とにより形成された段差Xの毛細管現象によって、この段差Xを伝って流れ出すことがある。図12(b)の太矢印は、アンダーフィル5の流れる方向を示している。アンダーフィル5が流れ出して外部導波路フィルム3と基板1との接着面に達すると、外部導波路フィルム3の接着強度を弱めてしまうことになり、フィルム24が剥離するといった問題が生じる。そこで、本発明では、光素子4と外部導波路フィルム3の端部との間の基板表面に、アンダーフィル5が流れ出して外部導波路フィルム3の基板表面との接着面に到達するのを防ぐ流出防止部10が形成されている。
In the photoelectric conversion submount substrate as described above, when the
図1の形態では、流出防止部10は、クラッド層22の露出側面(段差Xを形成する面)に連設して形成されている。そして、流出防止部10は、クラッド層22の両側の露出側面にそれぞれ設けられ、一対のものとして形成されている。この流出防止部10は、例えば、光導波路2の延伸方向と垂直な方向に長辺が配置された矩形状の壁状体11や溝12や金属薄膜15などで形成されるものであり、段差Xに隙間なく密着して設けられている。そして、流出防止部10が基板表面に形成されることによりアンダーフィル5が流出した際に、アンダーフィル5の流れを阻止して、アンダーフィル5を外部導波路フィルム3の方へ流さないようになる。このように、光素子4と外部導波路フィルム3の端部との間の基板表面に形成された流出防止部10が、アンダーフィル5が流れ出して外部導波路フィルム3の基板表面との接着面に到達するのを防ぐことができるので、光素子4と基板1との間に充填されたアンダーフィル5が、毛細管現象によりクラッド層22の段差Xをつたって外部導波路フィルム3の方に流れ出したとしても、アンダーフィル5がフィルム接着面に達することがない。したがって、外部導波路フィルム3の接続強度の不良を防止することができ、フィルム24が剥離することなく信頼性の高い光電変換サブマウント基板を得ることができるものである。なお、流出防止部10は矩形状に限らず、台形状などの角形状やL型状、円の中心位置を光素子4の側にした円弧状などであってもよい。
In the form of FIG. 1, the
図2(a)は、光電変換サブマウント基板の他の一例を示す平面図である。この形態では、流出防止部10が、クラッド層22の露出側面に隙間なく密着して連結し、基板表面に突出した壁状体11で形成されている。壁状体11としては適宜の材料を用いて形成することができるが、この形態にあっては、壁状体11の材料としてコア層21の材料を用いている。すなわち、流出防止部10がコア層21と同じ材料からなり、基板表面に積層されて壁状に形成されている構造である。それにより、コア層21の形成と同時に流出防止部10を形成することができるので、流出防止部10を形成する工程を増やすことなく簡単に流出防止部10を形成することができるものである。
FIG. 2A is a plan view showing another example of the photoelectric conversion submount substrate. In this embodiment, the
また、流出防止部10がコア層21と同じ材料からなることにより、流出防止部10の壁の高さ(層の厚み)を容易に制御することができる。この壁の高さは1〜10μmで形成することが好ましい。壁の高さが1μm未満であるとアンダーフィル5の流出を防止することができなくなるおそれがある。一方、壁の高さは10μmあれば十分な防止効果があり、その高さを超えると受光素子を実装したサブマント基板側では、光結合効率が低下するおそれがある。すなわち、図2(b)の要部(光反射層7を含む部分)の概略断面図で示すように、流出防止部10の高さが高くなりすぎた場合、すなわちコア層21が高く形成されすぎた場合には、コア層21を伝搬する光(図中の矢印)が光反射層7に当たらずに、その頭上を通過して光の「ロス」が多く発生するおそれがあり、そのため、光結合効率が低下するおそれがあるのである。このように、必要十分な材料量で無駄なく壁状体を形成してアンダーフィル5の流出を確実に防止することができると共に、光電変換サブマウント基板が、重量が重くなったり嵩高くなったりすることを防ぐことができるものである。
Moreover, since the
図3は、光電変換サブマウント基板の他の一例を示す平面図である。この形態では、壁状体11の材料として、クラッド層22の材料を用いている。すなわち、流出防止部10がクラッド層22と同じ材料からなり、基板表面に積層されてクラッド層22と一体化して連結した壁状に形成されている構造である。それにより、クラッド層22の形成と同時に流出防止部10を形成することができるので、流出防止部10を形成する工程を増やすことなく簡単に流出防止部10を形成することができるものである。
FIG. 3 is a plan view showing another example of the photoelectric conversion submount substrate. In this embodiment, the material of the
また、流出防止部10がクラッド層22と同じ材料からなることにより、流出防止部10の壁の高さ(層の厚み)を容易に制御することができる。この壁の高さは1〜20μmで形成することが好ましい。壁の高さが1μm未満であるとアンダーフィル5の流出を防止することができなくなるおそれがある。一方、壁の高さは高いほど流れ防止効果は見込めるが、20μmあれば十分であり、その高さを超えても嵩高くなったりするおそれがある。このように、必要十分な材料量で無駄なく壁状体を形成してアンダーフィル5の流出を確実に防止することができると共に、光電変換サブマウント基板が、重量が重くなったり嵩高くなったりすることを防ぐことができるものである。さらに、流出防止部10をクラッド層22と同じ材料から形成した場合には、クラッド層22と流出防止部10とを一体化して形成すること(すなわち、クラッド層22を延長して流出防止部10を形成すること)ができ、基板1に強固に固定された壁状体11を形成することができるものであり、このクラッド層22は厚くなっても光結合損失に影響することがないので、壁の高さを高くして流出防止効果の高い流出防止部10を形成することができるものである。すなわち、図2(b)で示したようにコア層21が高くなると光結合損失が発生するおそれがあるが、クラッド層22は光が伝播しないので層が高くなっても光結合損失に影響しない。したがって、コア層21で形成する場合よりも流出防止部10の厚みを厚くすることが可能である。なお、実際上、クラッド層22の高さは、素子の高さ、つまり端子6の高さで制約され、実際の端子高さは20μm程度である。
Further, since the
図4は、光電変換サブマウント基板の他の一例を示す平面図である。この形態では、流出防止部10は、端部がクラッド層22の露出側面に連設すると共に光導波路2の延伸方向と垂直な方向に延伸した、基板表面に凹設されて設けられた直線状の溝12で形成されている。そして、溝12は、クラッド層22の両側の露出側面にそれぞれ設けられている。この形態によれば、溝12によって流出防止部10を形成することにより、この溝12に溝12の体積分のアンダーフィル5を蓄えて流れ出しを防止することができるので、アンダーフィル5の流出量が多くなっても、アンダーフィル5が外部導波路フィルム3に到達することを確実に防ぐことができるものである。
FIG. 4 is a plan view showing another example of the photoelectric conversion submount substrate. In this embodiment, the
溝12の深さとしては、0.5〜50μmにすることが好ましく、40μm程度にすることがより好ましい。0.5μm以上の深さの溝12であれば十分にアンダーフィル5の流出防止効果が得られるものである。溝12の深さが0.5μm未満になるとアンダーフィル5の流出防止効果が十分に得られなくなるおそれがある。一方、溝12の深さが50μmを超えると加工コストが増大し不経済になるおそれがある。また、溝12の深さを光導波路2の深さ(基板表面から凹設面20までの深さ)にすることも好ましい。それにより、溝12と光導波路2とを同時に簡単に形成することができる。
The depth of the
すなわち、溝12は、シリコン基板などの基板1に光導波路2を形成するための溝部(導波路溝)と同時に形成することができる。したがって、流出防止部10を形成する工程を増やすことなく簡単に流出防止部10を形成することができるものである。なお、図示の形態では、溝12は直線状のものを示したが、溝12は曲線状や円弧状であってもよい。また、溝12を複数本設けてもよい。
That is, the
図5は、光電変換サブマウント基板の他の一例を示す平面図である。この形態では、図4の形態に加えて、溝12の底面に溝12よりもさらに深く凹設された凹部13が設けられている。図示のものでは、凹部13は、溝12の略半分の長さの位置に丸状に設けられている。この形態にあっては、溝12に凹部13が設けられていることにより、溝12の体積が増加するので、蓄えるアンダーフィル5の量を増やすことができ、アンダーフィル5の流出量が多くなっても、アンダーフィル5が外部導波路フィルム3に到達することをさらに確実に防ぐことができるものである。
FIG. 5 is a plan view showing another example of the photoelectric conversion submount substrate. In this form, in addition to the form of FIG. 4, a
ここで、凹部13を基板1を貫通するスルーホールにして形成することもできる。その場合、アンダーフィル5を基板1の裏面に排出することができ、アンダーフィル5の流出量がさらに多くなっても確実にアンダーフィル5が外部導波路フィルム3に到達することを防止することができるものである。そして、この凹部13はサンドブラスト加工などの簡単な方法で形成することができるものであり、簡単に流出防止効果の高い流出防止部10を形成することができるものである。なお、図示の形態では、凹部13は丸状のものを示したが、凹部13は角状などであってもよい。凹部13の形成位置は図示のものに限られず、溝12のクラッド層22と連設する側とは反対の端部に凹部13を設けてもよい。また、凹部13を複数個設けてもよい。
Here, the
図6は、光電変換サブマウント基板の他の一例を示す平面図である。この形態では、図4の形態において、溝12が光導波路2から遠くなるにしたがってその深さが徐々に深くなっている。すなわち、溝12は光導波路2側の一端から他端に向かって徐々に深くなったテーパ状に形成されている。なお、図示のものでは、溝12の深さを色の濃淡で示しており、色が濃くなるほど溝12の深さが深くなる。溝12は、溝12の底部が直線状に傾斜して徐々に深くなるものであってもよいし、溝12の底部が曲線状に傾斜して徐々に深くなるものであってもよい。溝12の深さとしては、浅いところ、すなわちクラッド層22と連設する端部の深さが0.5μm以上であることが好ましく、深いところ、すなわちクラッド層22と連設する端部とは反対側の端部の深さが100μm以下であることが好ましい。溝12の浅いところの深さが0.5μm未満ではアンダーフィル5の流出を十分に防止できなくなるおそれがある。一方、溝12の深いところの深さが100μmを超えると加工コストが増大し不経済になるおそれがある。ただし、アンダーフィル5の流出防止の観点からは、溝12の深いところの深さは、深ければ深いほどよい。例えば、最も深い位置で溝12が基板1を貫通してもよい。
FIG. 6 is a plan view showing another example of the photoelectric conversion submount substrate. In this form, in the form of FIG. 4, the depth of the
この形態にあっては、溝12の深さが徐々に深くなることにより、溝12の体積を増加させると共にこの溝12の深みに沿ってアンダーフィル5を流して蓄えることができるので、アンダーフィル5を効率よく排出してフィルム24に到達すること防ぐことができるものである。そして、溝12の深みの調整はグレーマスクを用いたサンドブラスト加工などの簡単な方法で形成することができるものであり、簡単に流出防止効果の高い流出防止部10を形成することができるものである。
In this configuration, the depth of the
図7は、光電変換サブマウント基板の他の一例を示す図であり、(a)は(b)のイ−イ断面図、(b)は平面図を示している。この形態では、基板1の表面には絶縁膜14が形成されており、流出防止部10は基板表面に絶縁膜14が設けられずに形成された溝12として形成されている。溝12の形状は図4の形態と同様のものにすることができる。この形態にあっては、基板表面に絶縁膜14が形成されていることにより回路間の絶縁性が確保されるので、導通信頼性のある光電変換サブマウント基板を得ることができる。この流出防止部10は絶縁膜14を形成する際に絶縁膜14を形成しない部分を設けて形成してもよいし、絶縁膜14を基板表面の全面に形成した後で、流出防止部10を形成する部分のみが開口されたレジストを用いて絶縁膜14を除去することにより形成してもよい。絶縁膜14を形成しない部分を設けて流出防止部10を形成した場合は、流出防止部10を形成する工程を増やすことなく簡単に流出防止部10を形成することができるものである。一方、絶縁膜14を除去して流出防止部10を形成する場合、流出防止部10を形成する部分が開口されたレジストを基板表面に設け、ドライエッチングを施して開口部分の絶縁膜14を除去し、基板表面のレジストを除去する方法により行うことができる。そして、絶縁膜14はクラッドとしての役割も果たすことができる。すなわち、図7(a)に示すように、コア層21と基板表面の凹設面20との間には絶縁膜14が配され、この絶縁膜14はコア層21に対して屈折率が低いため絶縁膜14をクラッドとして機能させることができるので、コア層21を絶縁膜14とクラッド層22とにより構成されるクラッド材料で簡単に包囲することができ、光損失の生じない光電変換サブマウント基板を簡単に得ることができるものである。絶縁膜14を形成する材料としては、例えば、ケイ素酸化膜(Si酸化膜)を用いることができる。溝12の深さは、絶縁膜14の厚みと等しくなるものであり、例えば、0.5〜50μmにすることができる。
7A and 7B are diagrams showing another example of the photoelectric conversion submount substrate, in which FIG. 7A is a cross-sectional view taken along the line (b), and FIG. 7B is a plan view. In this embodiment, an insulating
図8は、光電変換サブマウント基板の他の一例を示す平面図である。この形態では、流出防止部10は基板表面に金属薄膜15として積層されて形成されている。この金属薄膜15は、クラッド層22の露出側面に密着して連結し、光導波路2の延伸方向と垂直な方向に長辺が配置された矩形状の薄膜層として形成されている。この形態にあっては、流出防止部10が金属薄膜15で形成されていることにより、この薄膜の厚みを極めて薄くすることができるので、基板表面に不要な凹凸を形成することなく流出防止部10を形成することができるものである。金属薄膜15の厚みは好ましくは1μm以下にすることができる。それにより、不要な凹凸をさらになくすことができる。金属薄膜15の厚みの下限は実質的に0.05μmである。金属薄膜15は濡れ性が悪いTi(チタン)系の薄膜などで形成することができるので、アンダーフィル5が金属薄膜15の表面をつたって流れることがない。すなわち、金属薄膜15の濡れ性の悪さを利用してアンダーフィル5の流出を防止するので、壁を形成して物理的に阻止する場合に比べて、層の厚さを壁のように高くする必要がなく、薄い層で流出防止部10を形成することができるものである。そして、濡れ性を利用してアンダーフィル5の流出を防止するので、流出防止効果を向上することができるものである。
FIG. 8 is a plan view showing another example of the photoelectric conversion submount substrate. In this embodiment, the
図8の形態にあっては、基板表面に形成された回路層6と流出防止部10を形成する金属薄膜15とが同じ材料からなるものであることが好ましい。それにより、回路層6の形成と同時に流出防止部10を形成することができるので、流出防止部10を形成する工程を増やすことなく簡単に流出防止部10を形成することができるものである。
In the form of FIG. 8, it is preferable that the
図9は、光電変換サブマウント基板の他の一例を示す平面図である。この形態では、流出防止部10は、光素子4の周囲を囲んで基板表面に形成されている。この流出防止部10は、上述した、壁状体11であってよく、溝12であってもよく、金属薄膜15であってもよい。この形態によれば、流出防止部10が光素子4の周囲を囲んで形成されていることにより、アンダーフィル5の流出量が多くなったり濡れ性の高い材料で流出防止部10を形成したりした場合においても、アンダーフィル5を流出防止部10に取り囲んで溜めることができるので、流出防止部10を迂回するなどしてアンダーフィル5が外部導波路フィルム3に到達することを防止して、フィルム24の剥離をさらに防止することができるものである。なお、図示のものでは光素子4の周囲を四角形状に囲んでいる例を示しているが、円状に周囲を囲むようにしてもよい。ところで、金属薄膜15で流出防止部10を形成する場合、特に回路層6と同一の金属薄膜15で流出防止部10を形成する場合には、回路が短絡しないように回路層6が通過する部分には流出防止部10を設けずに、分断した流出防止部10で光素子4の周囲を囲むようにするとよい。
FIG. 9 is a plan view showing another example of the photoelectric conversion submount substrate. In this embodiment, the
図10は、光電変換サブマウント基板の他の一例を示す平面図である。この形態では、流出防止部10は、光導波路2から基板1の端部に亘って形成されている。すなわち、流出防止部10は、一端がクラッド層22の露出側面に連設すると共に、他端が光導波路2の延伸方向と垂直な方向に基板1の端部の先端にまで延伸して形成されている。この流出防止部10は、上述した、壁状体11であってよく、溝12であってもよく、金属薄膜15であってもよい。この形態によれば、アンダーフィル5の流出量が多くなったり濡れ性の高い材料で流出防止部10を形成したりした場合においても、アンダーフィル5を流出防止部10に沿って基板の表面より外に排出することができるので、流出防止部10を迂回するなどしてアンダーフィル5が外部導波路フィルム3に到達することを防止して、フィルム24の剥離をさらに防止することができるものである。
FIG. 10 is a plan view showing another example of the photoelectric conversion submount substrate. In this embodiment, the
次に、光電変換サブマウント基板の製造について説明する。 Next, manufacture of a photoelectric conversion submount substrate will be described.
図11は、光電変換サブマウント基板の製造工程の一部(光導波路2の作製)を示す断面図である。図11(a)〜(d)は、光導波路2を設けるための溝部を基板1の表面に加工する様子を示している。基板1の表面を加工するにあたっては、まず、(a)で示すように、光導波路2を形成するためのマスク31を基板1の表面に形成する。次に、(b)で示すように、異方性エッチングをして基板1を凹設し、光導波路2を形成するための凹設面20を形成する。そして、(c)に示すように、マスク31を除去し、次いで、(d)に示すように、基板1の表面に絶縁膜14を積層して形成する。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the photoelectric conversion submount substrate (production of the optical waveguide 2). FIGS. 11A to 11D show a state where a groove for providing the
図11(e)〜(h)はコア層21を作製する様子を示している。コア層21の作製にあたっては、まず、(e)で示すように、コア層21を形成するコア樹脂組成物32を凹設面20の上に塗布し、プレ加熱(PB)する。次に、(f)で示すように平坦化プレスしてコア層21の上面を平坦化した後、(g)で示すように、マスク31でパターニングしてUVなどのエネルギー線で樹脂を硬化する。そして、(h)で示すように、現像によって不溶なコア樹脂組成物32を除去し、加熱(PDB)することによりコア層21を作製することができる。なお、コア層21を形成する前にコア層21の傾斜面21aが形成される凹設面20の表面に金属の薄膜を形成し、光反射層7を設けることができる。
FIGS. 11E to 11H show how the
図11(i)〜(l)はクラッド層22を作製する様子を示している。クラッド層22の作製にあたっては、まず、(i)で示すように、クラッド層22を形成するクラッド樹脂組成物33を塗布し、プレ加熱(PB)する。次に、(j)で示すように平坦化プレスしてクラッド層22の上面を基板表面よりも高く突出した面にして平坦化した後、(k)で示すように、マスク31でパターニングしてUVなどのエネルギー線で樹脂を硬化する。そして、(l)で示すように、現像によって不溶なクラッド樹脂組成物33を除去し、加熱(PDB)することによりクラッド層22を作製することができる。
11 (i) to 11 (l) show how the clad
こうして、コア層21とクラッド層22とにより構成される光導波路2が表面に作製された基板1が形成される。そして、この基板1に回路層6を形成し、回路層6の表面に形成された端子6aに光素子4を取り付け、光素子4と光導波路2の間にアンダーフィル5を充填する。一方、基板1の光導波路2が延伸された端部の基板表面に外部導波路フィルム3を接着剤で接着する。接着剤としては、光硬化性樹脂などを用いることができる。なお、クラッド層22の段差Xの高さ分だけ基板表面とフィルム24との間で隙間ができるが、この隙間には接着剤が充填され、接着剤層が形成される。フィルム24の取り付けは、通常、光素子4を実装し、アンダーフィル5を充填した後に行う。このときアンダーフィル6が流出防止部10でその流出が防止されてフィルム24を接着しようとする部分に到達しないために、フィルム24を確実に基板1に接着することができるのである。このようにして、光素子4が実装されると共に外部導波路フィルム3が設けられた光電変換サブマウント基板を得ることができる。
In this way, the
上記のように製造されたクラッド層22の上端面は基板表面よりも高く、段差Xが生じる。すなわち、コア層21とクラッド層22を形成するそれぞれの樹脂をプレスで平坦化しているので、コア層21の上端面は基板1の表面と略面一になり、コア層21を包囲するためにクラッド層22の上端面は基板1の表面よりも突出する。そして、クラッド層22の上端面の突出により段差Xが生じ、この段差Xがアンダーフィル5の流出を招くのである。しかしながら、本発明においては、上記の通り、流出防止部10を形成することにより、アンダーフィル5の流出が防止されるものである。
The upper end surface of the clad
そして、流出防止部10の形成は、光電変換サブマウント基板の製造工程の一部で行うことが好ましい。
And formation of
例えば、図2の形態の一例のように、壁状体11の流出防止部10をコア層21の材料と同じものとするときには、図11(e)〜(h)のコア層21の形成工程で同時に形成することができる。すなわち、(e)において、コア樹脂組成物32を流出防止部10を形成する部分にも塗布する。そして、(g)で示すマスク31のパターニングをコア層21と共に流出防止部10を形成するパターンにする。このようにして、コア層21と同時に流出防止部10を形成することができ、工程を増やすことなく流出防止部10を形成することができるものである。
For example, when the
また、図3の形態のように、壁状体11の流出防止部10をクラッド層22の材料と同じものとするときには、図11(i)〜(j)のクラッド層22の形成工程で同時に形成することができる。すなわち、(i)において、クラッド樹脂組成物33を流出防止部10を形成する部分にも塗布する。そして、(j)で示すマスク31のパターニングをクラッド層22と共に流出防止部10を形成するパターンにする。このようにして、クラッド層22と同時に流出防止部10を形成することができ、工程を増やすことなく流出防止部10を形成することができるものである。
When the
また、図4の形態のように、溝12で流出防止部10を形成する場合には、図11(a)〜(c)に示す基板1の表面の加工工程で流出防止部10を形成することができる。すなわち、(a)で示すマスク31のパターニングを光導波路2と共に流出防止部10を形成するパターンにする。それにより、光導波路2を形成するための凹設面20と同時に流出防止部10を形成することができ、工程を増やすことなく流出防止部10を形成することができるものである。なお、図5の形態のように、溝12に凹部13を設ける場合には、溝12の底部をサンドブラスト加工するなどして形成できる。凹部13の形成は、基板1の表面の加工工程の際に行ってもよく、光導波路2を形成した後に行ってもよい。また、図6の形態のように、溝12の深さを徐々に深くする場合には、上記のようなパターニングによりあらかじめ溝12を形成し、この溝12をグレーマスクを用いたサンドブラスト加工で深さを調整して削ることにより形成することができる。
Moreover, when the
また、図7の形態のように、絶縁膜14が形成されないことにより溝12を設けて流出防止部10を形成する場合には、図11(d)に示す絶縁膜14の形成工程で流出防止部10を形成することができる。すなわち、(d)において、流出防止部10を形成する部分をマスクで覆い、パターニングして絶縁膜14を積層し、マスクを除去する。それにより、絶縁膜14と同時に流出防止部10を形成することができ、工程を増やすことなく流出防止部10を形成することができるものである。
Further, as shown in FIG. 7, when the insulating
また、図8の形態においては、流出防止部10の形成を回路層6の形成工程で行うことができる。この形態では、流出防止部10が回路層6と同一の材料からなる金属薄膜15として形成されており、回路層6を形成する際に、回路層6と共に流出防止部10を形成するパターニングを行い、回路層6と金属薄膜15を同時に積層して形成するものである。それにより、絶縁膜14と同時に流出防止部10を形成することができ、工程を増やすことなく流出防止部10を形成することができるものである。
Further, in the embodiment of FIG. 8, the
1 基板
2 光導波路
3 外部導波路フィルム
4 光素子
5 アンダーフィル
6 回路層
7 光反射層
10 流出防止部
11 壁状体
12 溝
13 凹部
14 絶縁膜
15 金属薄膜
20 凹設面
21 コア層
22 クラッド層
23 外部導波路
24 フィルム
31 マスク
DESCRIPTION OF
Claims (12)
(a)基板表面に凹設面を形成する工程
(b)前記基板表面に絶縁膜を形成する工程
(c)前記凹設面の表面にコア層を形成する工程
(d)コア層を被覆して封止すると共に上端面が前記基板表面よりも突出したクラッド層を形成する工程
(e)前記基板表面に金属薄膜からなる回路層を形成する工程
(f)コア層及びクラッド層で構成される光導波路と光結合するように基板に光素子を取り付ける工程
(g)光素子と光導波路との間にアンダーフィルを充填する工程
(h)外部導波路フィルムの端部を基板表面に接着して外部導波路フィルムを基板に取り付ける工程 A process including the following (a), (c), (d), (f), (g), and (h), and a process including (a), (b), (c), (d), (f), (g), and (h) Or (a), (c), (d), (e), (f), (g), and a method for producing a photoelectric conversion submount substrate according to any one of claims 1 to 11 by a process comprising (h). (A), (b), (c), (d), and (e), the optical element and the optical waveguide are formed on the substrate surface between the optical element and the end portion of the external waveguide film. A method for manufacturing a photoelectric conversion submount substrate, comprising: forming an outflow prevention portion that prevents an underfill that has flowed out from between the layers from reaching an adhesion surface of the external waveguide film to the substrate surface.
(A) Step of forming a concave surface on the substrate surface (b) Step of forming an insulating film on the substrate surface (c) Step of forming a core layer on the surface of the concave surface (d) Covering the core layer (C) forming a circuit layer made of a metal thin film on the substrate surface; and (f) comprising a core layer and a cladding layer. A step of attaching an optical element to the substrate so as to be optically coupled to the optical waveguide. (G) A step of filling an underfill between the optical element and the optical waveguide. (H) Adhering an end portion of the external waveguide film to the surface of the substrate. Attaching the external waveguide film to the substrate
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