JP4979915B2 - 高分子化合物、ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 - Google Patents
高分子化合物、ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4979915B2 JP4979915B2 JP2005261848A JP2005261848A JP4979915B2 JP 4979915 B2 JP4979915 B2 JP 4979915B2 JP 2005261848 A JP2005261848 A JP 2005261848A JP 2005261848 A JP2005261848 A JP 2005261848A JP 4979915 B2 JP4979915 B2 JP 4979915B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- alkyl group
- structural unit
- polymer compound
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
- C08F220/28—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
- C08F220/282—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety and containing two or more oxygen atoms
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/115—Cationic or anionic
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/128—Radiation-activated cross-linking agent containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。
微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化が行われている。具体的には、従来は、g線、i線に代表される紫外線が用いられていたが、現在では、KrFエキシマレーザーや、ArFエキシマレーザーを用いた半導体素子の量産が開始されている。また、これらエキシマレーザーより短波長のF2エキシマレーザー、電子線、EUV(極紫外線)やX線などについても検討が行われている。
また、カルボキシ基またはカルボン酸エステル基とアルコール性水酸基とを両方有する樹脂成分と、酸発生剤を含むネガ型レジスト組成物であって、樹脂成分中のカルボキシ基またはカルボン酸エステル基とアルコール性水酸基とを酸発生剤から発生する酸の作用によって分子間で反応させることにより、当該樹脂成分をアルカリ可溶性から不溶性に変化させるタイプのものも提案されている(例えば、非特許文献1〜3、特許文献2等)。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、解像性に優れたレジストパターンを形成できる高分子化合物、並びに該高分子化合物を含有するネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。
すなわち、本発明の第一の態様は、(A)アルカリ可溶性樹脂成分、(B)露光により酸を発生する酸発生剤成分および(C)架橋剤成分を含有するネガ型レジスト組成物であって、前記(A)アルカリ可溶性樹脂成分が、下記一般式(a0−1)で表される構成単位(a0)と、フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂肪族環式基を含有する構成単位(a1)とを含む高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物である。
また、本発明の第三の態様は、前記一般式(a0−1)で表される構成単位(a0)と、フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂肪族環式基を含有する構成単位(a1)とを含み、アルカリ可溶性であることを特徴とする高分子化合物である。
「アクリル酸」は、α位の炭素原子に水素原子が結合しているアクリル酸(CH2=CH−COOH)のほか、α位の炭素原子に結合する水素原子が他の置換基に置換されたα−置換アクリル酸、および下記アクリル酸エステル等のアクリル酸誘導体も含む概念とする。置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子、アルキル基、フッ素化アルキル基等のハロゲン化アルキル基等が挙げられる。
「アクリル酸エステル」は、α位の炭素原子に水素原子が結合しているアクリル酸エステルのほか、α位の炭素原子に結合する水素原子が他の置換基に置換されたα−置換アクリル酸エステルも含む概念とする。置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子、アルキル基、フッ素化アルキル基等のハロゲン化アルキル基等が挙げられる。
なお、「アクリル酸」および「アクリル酸エステル」において、「α位(α位の炭素原子)」という場合は、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことである。
「アクリル酸から誘導される構成単位」とは、アクリル酸のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状および環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「低級アルキル基」は、炭素数1〜5のアルキル基を意味する。
「露光」とは光の照射のみならず、電子線の照射等の放射線の照射全体を包括する概念とする。
本発明の高分子化合物は、前記一般式(a0−1)で表される構成単位(a0)を含むものである。
また、本発明の高分子化合物は、好ましくは、さらにフッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂肪族環式基を含有する構成単位(a1)を含むものである。
また、本発明の高分子化合物は、好ましくは、さらに水酸基含有鎖状アルキル基を含有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a2)を含むものである。
構成単位(a0)は、前記一般式(a0−1)で表される構成単位である。構成単位(a0)を有することにより本発明の効果が得られる。
構成単位(a0)は、ヒドロキシ基を有するアルキル基が、アダマンチル基の3位にエーテル結合を介して結合した構成単位である。
Rのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
Rのアルキル基としては、炭素数5以下の低級アルキル基が好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられ、メチル基が好ましい。
Rのハロゲン化アルキル基は、好ましくは炭素数5以下の低級アルキル基の水素原子の1つ以上がハロゲン原子で置換された基である。アルキル基の具体例は、上記の説明と同様である。ハロゲン原子で置換される水素原子は、アルキル基を構成する水素原子の一部でもよいし、全部でもよい。
本発明においてRは、好ましくは水素原子またはアルキル基であることが好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基であることがより好ましい。
アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。該アルキル基の炭素数は、特に限定するものではないが、1〜5が好ましく、1〜4がより好ましく、2又は3であることが最も好ましい。
ヒドロキシ基の数は、特に限定するものではないが、1〜4が好ましく、1〜3がより好ましく、1又は2であることが最も好ましい。ヒドロキシ基の結合位置は、特に限定するものではないが、主鎖又は分岐鎖のアルキル基の末端に結合していることが好ましく、主鎖のアルキル基の末端に結合していることがより好ましい。
本発明においてR0は、ヒドロキシアルキル基、ジヒドロキシアルキル基が好ましく、ヒドロキシエチル基、ジヒドロキシプロピル基がより好ましい。
本発明の高分子化合物中、構成単位(a0)の割合は、該高分子化合物を構成する全構成単位の合計に対して、5〜80モル%が好ましく、10〜70モル%がより好ましく、15〜50モル%が最も好ましい。上記範囲の下限値以上であることにより、構成単位(a0)を含有することによる効果が得られ、上限値以下であることにより他の構成単位とのバランスが良好である。
本発明の高分子化合物は、前記構成単位(a0)以外に、フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂肪族環式基を含有する構成単位(a1)を含むことが好ましい。構成単位(a1)を含むことにより、レジスト組成物とした際にレジストの膨潤が抑制されて解像性が向上する。
フッ素化されたヒドロキシアルキル基において、アルキル基は直鎖または分岐鎖状であることが好ましい。当該アルキル基の炭素数は特に限定するものではないが、1〜20が好ましく、4〜16がより好ましく、4〜12であることが最も好ましい。水酸基の数は特に限定するものではないが、1又は2つであることが好ましく、1つであることがさらに好ましい。
中でも、フッ素化されたヒドロキシアルキル基として、水酸基が結合した炭素原子(ここではヒドロキシアルキル基のα位の炭素原子を指す。)に、フッ素化アルキル基及び/またはフッ素原子が結合しているものが好ましい。当該α位に結合するフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子の全部がフッ素で置換されていることが好ましい。
脂肪族環式基は、単環であっても多環であってもよい。
「単環の脂肪族環式基」は、芳香族性を持たない単環式基であることを意味し、「多環の脂肪族環式基」は、芳香族性を持たない多環式基であることを意味する。構成単位(a1)において、脂肪族環式基は多環であることが好ましい。
脂肪族環式基は、炭素及び水素からなる炭化水素基(脂環式基)、および該脂環式基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロ環式基等が含まれる。脂肪族環式基としては、脂環式基が好ましい。
脂肪族環式基は、飽和または不飽和のいずれでもよいが、ArFエキシマレーザー等に対する透明性が高く、解像性や焦点深度幅(DOF)等にも優れることから、飽和であることが好ましい。
脂肪族環式基の炭素数は5〜15であることが好ましい。
すなわち、単環式基としてはシクロアルカンから、フッ素化されたヒドロキシアルキル基で置換されている水素原子を含めて(以下、同様)、2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。さらに具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサンから2個以上の水素原子を除いた基が挙げられ、シクロヘキサンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。
多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。さらに具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
なお、この様な多環式基は、例えばArFエキシマレーザープロセス用のポジ型ホトレジスト組成物用樹脂において、酸解離性溶解抑制基を構成するものとして多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。
これらの中でもシクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン、テトラシクロドデカンから2個の水素原子を除いた基が工業上入手しやすく、好ましい。
これら例示した単環式基、多環式基の中でも、特にノルボルナンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。
rおよびsは、それぞれ独立して1〜5の整数であり、好ましくは1〜3の整数であり、1が最も好ましい。
tは1〜5の整数であり、好ましくは1〜3の整数であり、1が最も好ましい。
本発明の高分子化合物中に構成単位(a1)を含有させる場合、構成単位(a1)の割合は、該高分子化合物を構成する全構成単位の合計に対して、10〜90モル%が好ましく、20〜90モル%がより好ましく、40〜90モル%が特に好ましく、45〜85モル%が最も好ましい。上記範囲の下限値以上であることにより構成単位(a1)を含有することによる効果が得られ、上限値以下であることにより他の構成単位とのバランスが良好である。
本発明の高分子化合物は、前記構成単位(a0)以外に、水酸基含有鎖状アルキル基を含有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a2)を含むことが好ましい。構成単位(a2)を含むことにより、レジスト組成物とした際に(B)成分から発生する酸の作用によって(C)成分との架橋反応が制御されて解像性が向上する。
構成単位(a2)として、より具体的には、下記一般式(a3−2)で表される構成単位(a320)が好ましい。
R1としてのヒドロキシアルキル基は、好ましくは炭素数が10以下の低級ヒドロキシアルキル基であり、より好ましくは炭素数2〜8の低級ヒドロキシアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数2〜4の直鎖状の低級ヒドロキシアルキル基である。
ヒドロキシアルキル基における水酸基の数、結合位置は特に限定するものではないが、通常は1つであり、また、アルキル基の末端に結合していることが好ましい。
本発明の高分子化合物中に構成単位(a2)を含有させる場合、構成単位(a2)の割合は、該高分子化合物を構成する全構成単位の合計に対して、5〜50モル%が好ましく、5〜40モル%がより好ましく、5〜30モル%が特に好ましく、10〜25モル%が最も好ましい。上記範囲の下限値以上であることにより、構成単位(a2)を含有することによる効果が得られ、上限値以下であることにより他の構成単位とのバランスが良好である。
上記範囲であることにより、レジスト組成物とした際に適度なアルカリ現像液に対する溶解性が得られ、レジストパターン形状(矩形性)が向上する。
本発明の高分子化合物は、前記の各構成単位(a0)、(a1)、(a2)以外の構成単位として、共重合可能な他の構成単位を有していてもよい。
かかる構成単位としては、従来化学増幅型レジスト組成物用として公知の樹脂成分に用いられている構成単位が使用でき、たとえば、ラクトン含有単環または多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a4)が挙げられる。
構成単位(a4)のラクトン含有単環または多環式基は、レジスト膜の形成に用いた場合に、レジスト膜の基板への密着性を高めたり、現像液との親水性を高めたりする上で有効なものである。また、膨潤抑制の効果が向上する。
ここでのラクトンとは、−O−C(O)−構造を含むひとつの環を示し、これをひとつの目の環として数える。したがって、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。
なお、該ラクトン含有単環または多環式基の水素原子の1以上が、フッ素化されたヒドロキシアルキル基で置換されているものは構成単位(a4)には含まれないものとする。
具体的には、ラクトン含有単環式基としては、γ−ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基が挙げられる。ラクトン含有多環式基としては、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基が挙げられる。
これら置換基の説明は、上記構成単位(a0)の前記一般式(a0−1)中のRの説明と同様であって、α位に結合可能なもののうち、好ましいのは水素原子またはアルキル基であって、特に水素原子またはメチル基が好ましく、最も好ましいのは水素原子である。
構成単位(a4)としては、一般式(a4−2)〜(a4−3)で表される単位が最も好ましい。
構成単位(a4)は必須成分ではないが、構成単位(a4)を有する場合、本発明の高分子化合物中の構成単位(a4)の割合は、該高分子化合物を構成する全構成単位の合計に対して、10〜70モル%が好ましく、10〜40モル%がより好ましく、10〜25モル%が最も好ましい。上記範囲の下限値以上であることにより構成単位(a4)を含有することによる効果が得られ、上限値以下であることにより他の構成単位とのバランスが良好である。
本発明の高分子化合物としては、特に下記式(A1−11)〜(A1−14)の様な構成単位の組み合わせを含むものが好ましい。
また、分散度(Mw/数平均分子量(Mn))は、1.0〜5.0が好ましく、1.0〜2.5がより好ましい。
前記一般式(a0−1)で表される構成単位(a0)を誘導するモノマーの製造方法は、アダマンタン化合物のアルコール体と、メタンスルホニル基含有化合物を塩基触媒の存在下で反応させる。次に、反応性生物に対して、炭素数2〜20の炭化水素基を有するアルコール化合物を塩基触媒の存在下で反応させることにより合成することができる。
本発明のネガ型レジスト組成物は、(A)アルカリ可溶性樹脂成分(以下、(A)成分と略記する。)、(B)露光により酸を発生する酸発生剤成分(以下、(B)成分と略記する。)および(C)架橋剤成分(以下、(C)成分と略記する。)を含有するものである。
かかるネガ型レジスト組成物は、露光前はアルカリ可溶性であり、露光により(B)成分から酸が発生すると、該酸が作用して(A)成分と(C)成分との間で架橋が起こり、アルカリ不溶性となる。そのため、レジストパターンの形成において、当該ネガ型レジスト組成物を基板上に塗布してなるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部がアルカリ不溶性となる一方、未露光部はアルカリ可溶性のままであり、これをアルカリ現像することによりネガ型のレジストパターンが形成できる。
本発明において、(A)成分は、前記一般式(a0−1)で表される構成単位(a0)を含む高分子化合物(A1)(以下、(A1)成分という。)を含有する。
また、(A1)成分は、好ましくは、さらにフッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂肪族環式基を含有する構成単位(a1)を含むものである。
また、(A1)成分は、好ましくは、さらに水酸基含有鎖状アルキル基を含有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a2)を含むものである。
(A1)成分としては、上記本発明の高分子化合物が用いられる。(A1)成分を構成する構成単位(a0)、(a1)、(a2)、他の構成単位;質量平均分子量、分散度、製造方法については、いずれも上記と同様であり、説明を省略する。
また、(A1)成分以外にも、ネガ型レジスト組成物用として知られている他の高分子化合物、例えばヒドロキシスチレン樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂などを(A)成分に含有させることも可能である。
ただし、(A)成分中における(A1)成分の割合は、50質量%以上であることが好ましく、70質量%以上であることが好ましく、80質量%以上がさらに好ましく、100質量%であることが最も好ましい。
(B)成分としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。
前記直鎖若しくは分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8であることがさらに好ましく、炭素数1〜4であることが最も好ましい。
前記環状のアルキル基としては、炭素数4〜12であることが好ましく、炭素数5〜10であることがさらに好ましく、炭素数6〜10であることが最も好ましい。
前記フッ素化アルキル基としては、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8であることがさらに好ましく、炭素数1〜4であることが最も好ましい。また、該フッ化アルキル基のフッ素化率(アルキル基中全水素原子の個数に対する置換したフッ素原子の個数の割合)は、好ましくは10〜100%、さらに好ましくは50〜100%であり、特に水素原子をすべてフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるので好ましい。
R51としては、直鎖状のアルキル基またはフッ素化アルキル基であることが最も好ましい。
R52において、ハロゲン原子としては、フッ素原子、臭素原子、塩素原子、ヨウ素原子などが挙げられ、フッ素原子が好ましい。
R52において、アルキル基は、直鎖または分岐鎖状であり、その炭素数は好ましくは1〜5、特に1〜4、さらには1〜3であることが望ましい。
R52において、ハロゲン化アルキル基は、アルキル基中の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。ここでのアルキル基は、前記R52における「アルキル基」と同様のものが挙げられる。置換するハロゲン原子としては上記「ハロゲン原子」について説明したものと同様のものが挙げられる。ハロゲン化アルキル基において、水素原子の全個数の50〜100%がハロゲン原子で置換されていることが望ましく、全て置換されていることがより好ましい。
R52において、アルコキシ基としては、直鎖状または分岐鎖状であり、その炭素数は好ましくは1〜5、特に1〜4、さらには1〜3であることが望ましい。
R52としては、これらの中でも水素原子が好ましい。
置換基としては、水酸基、低級アルキル基(直鎖または分岐鎖状であり、その好ましい炭素数は5以下であり、特にメチル基が好ましい)などを挙げることができる。
R53のアリール基としては、置換基を有しないものがより好ましい。
u”は1〜3の整数であり、2または3であることが好ましく、特に3であることが望ましい。
R1”〜R3”のアリール基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数6〜20のアリール基であって、該アリール基は、その水素原子の一部または全部がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。アリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6〜10のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。
前記アリール基の水素原子が置換されていても良いアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n‐ブチル基、tert‐ブチル基であることが最も好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていても良いアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていても良いハロゲン原子としては、フッ素原子であることが好ましい。
R1”〜R3”のアルキル基としては、特に制限はなく、例えば炭素数1〜10の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基等が挙げられる。解像性に優れる点から、炭素数1〜5であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、n−ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デカニル基等が挙げられ、解像性に優れ、また安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基を挙げることができる。
これらの中で、R1”〜R3”はすべてフェニル基であることが最も好ましい。
前記直鎖のアルキル基としては、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8であることがさらに好ましく、炭素数1〜4であることが最も好ましい。
前記環状のアルキル基としては、前記R1”で示したような環式基であって、炭素数4〜15であることが好ましく、炭素数4〜10であることがさらに好ましく、炭素数6〜10であることが最も好ましい。
前記フッ素化アルキル基としては、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8であることがさらに好ましく、炭素数1〜4であることが最も好ましい。また。該フッ化アルキル基のフッ素化率(アルキル基中のフッ素原子の割合)は、好ましくは10〜100%、さらに好ましくは50〜100%であり、特に水素原子をすべてフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるので好ましい。
R4”としては、直鎖または環状のアルキル基、またはフッ素化アルキル基であることが最も好ましい。
R5”〜R6”のアリール基としては、R1”〜R3”のアリール基と同様のものが挙げられる。
R5”〜R6”のアルキル基としては、R1”〜R3”のアルキル基と同様のものが挙げられる。
これらの中で、R5”〜R6”はすべてフェニル基であることが最も好ましい。
式(b−2)中のR4”としては上記式(b−1)のR4”と同様のものが挙げられる。
Y”、Z”は、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は1〜10であり、好ましくは炭素数1〜7、より好ましくは炭素数1〜3である。
X”のアルキレン基の炭素数またはY”、Z”のアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。
また、X”のアルキレン基またはY”、Z”のアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また200nm以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。該アルキレン基またはアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは70〜100%、さらに好ましくは90〜100%であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基またはパーフルオロアルキル基である。
R31の有機基としては、直鎖、分岐または環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。これらのアルキル基、アリール基は置換基を有していても良い。該置換基としては、特に制限はなく、たとえばフッ素原子、炭素数1〜6の直鎖、分岐または環状のアルキル基等が挙げられる。ここで、「置換基を有する」とは、アルキル基またはアリール基の水素原子の一部または全部が置換基で置換されていることを意味する。
アルキル基としては、炭素数1〜20が好ましく、炭素数1〜10がより好ましく、炭素数1〜8がさらに好ましく、炭素数1〜6が特に好ましく、炭素数1〜4が最も好ましい。アルキル基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアルキル基(以下、ハロゲン化アルキル基ということがある)が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味し、完全にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。すなわち、ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
アリール基は、炭素数4〜20が好ましく、炭素数4〜10がより好ましく、炭素数6〜10が最も好ましい。アリール基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアリール基が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味し、完全にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味する。
R31としては、特に、置換基を有さない炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数1〜4のフッ素化アルキル基が好ましい。
R32としては、特に、シアノ基、置換基を有さない炭素数1〜8のアルキル基、または炭素数1〜8のフッ素化アルキル基が好ましい。
R33としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
R33におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50%以上フッ素化されていることが好ましく、より好ましくは70%以上、さらに好ましくは90%以上フッ素化されていることが好ましい。
R34のアリール基は、炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の置換基を有していても良い。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1〜8であることが好ましく、炭素数1〜4がさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
R35としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましく、部分的にフッ素化されたアルキル基が最も好ましい。
R35におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50%以上フッ素化されていることが好ましく、より好ましくは70%以上、さらに好ましくは90%以上フッ素化されていることが、発生する酸の強度が高まるため好ましい。最も好ましくは、水素原子が100%フッ素置換された完全フッ素化アルキル基である。
R37の2または3価の芳香族炭化水素基としては、上記R34のアリール基からさらに1または2個の水素原子を除いた基が挙げられる。
R38の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
p”は好ましくは2である。
また、特開平9−208554号公報(段落[0012]〜[0014]の[化18]〜[化19])に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤、WO2004/074242A2(65〜85頁目のExample1〜40)に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、好適なものとして以下のものを例示することができる。
また、特開平11−035551号公報、特開平11−035552号公報、特開平11−035573号公報に開示されているジアゾメタン系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類としては、例えば、特開平11−322707号公報に開示されている、1,3−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン、1,4−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ブタン、1,6−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン、1,10−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカン、1,2−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)エタン、1,3−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン、1,6−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン、1,10−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカンなどを挙げることができる。
本発明においては、中でも(B)成分としてフッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩を用いることが好ましい。具体的には、トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート等である。
本発明のネガ型レジスト組成物における(B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対し、0.5〜30質量部、好ましくは1〜10質量部とされる。上記範囲とすることでパターン形成が充分に行われる。また、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。
(C)成分は、特に限定されず、これまでに知られている化学増幅型のネガ型レジスト組成物に用いられている架橋剤の中から任意に選択して用いることができる。
具体的には、例えば2,3−ジヒドロキシ−5−ヒドロキシメチルノルボルナン、2−ヒドロキシ−5,6−ビス(ヒドロキシメチル)ノルボルナン、シクロヘキサンジメタノール、3,4,8(又は9)−トリヒドロキシトリシクロデカン、2−メチル−2−アダマンタノール、1,4−ジオキサン−2,3−ジオール、1,3,5−トリヒドロキシシクロヘキサンなどのヒドロキシル基又はヒドロキシアルキル基あるいはその両方を有する脂肪族環状炭化水素又はその含酸素誘導体が挙げられる。
これらのうち、メラミンを用いたものをメラミン系架橋剤、尿素を用いたものを尿素系架橋剤、エチレン尿素、プロピレン尿素等のアルキレン尿素を用いたものをアルキレン尿素系架橋剤、グリコールウリルを用いたものをグリコールウリル系架橋剤という。(C)成分としては、メラミン系架橋剤、尿素系架橋剤、アルキレン尿素系架橋剤およびグリコールウリル系架橋剤からなる群から選ばれる少なくとも1種であることが好ましく、特にグリコールウリル系架橋剤が好ましい。
R3’とR4’が低級アルコキシ基であるとき、好ましくは炭素数1〜4のアルコキシ基であり、直鎖状でもよく分岐状でもよい。R3’とR4’は同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。同じであることがより好ましい。
vは0又は1〜2の整数であり、好ましくは0または1である。
アルキレン尿素系架橋剤としては、特に、vが0である化合物(エチレン尿素系架橋剤)および/またはvが1である化合物(プロピレン尿素系架橋剤)が好ましい。
グリコールウリル系架橋剤の具体例としては、例えばモノ,ジ,トリ及び/又はテトラヒドロキシメチル化グリコールウリル、モノ,ジ,トリ及び/又はテトラメトキシメチル化グリコールウリル、モノ,ジ,トリ及び/又はテトラエトキシメチル化グリコールウリル、モノ,ジ,トリ及び/又はテトラプロポキシメチル化グリコールウリル、モノ,ジ,トリ及び/又はテトラブトキシメチル化グリコールウリルなどが挙げられる。
(C)成分の配合量は、(A)成分100質量部に対して3〜30質量部が好ましく、3〜15質量部がより好ましく、5〜10質量部が最も好ましい。(C)成分の含有量が下限値以上であると、架橋形成が充分に進行し、良好なレジストパターンが得られる。またこの上限値以下であると、レジスト塗布液の保存安定性が良好であり、感度の経時的劣化が抑制される。
本発明のネガ型レジスト組成物には、レジストパターン形状、引き置き経時安定性などを向上させるために、さらに任意の成分として、(D)含窒素有機化合物(以下、(D)成分という。)を配合させることが好ましい。
この(D)成分は、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意に用いれば良いが、脂肪族アミン、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。
脂肪族アミンとしては、アンモニアNH3の水素原子の少なくとも1つを、炭素数12以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミン(アルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン)が挙げられる。その具体例としては、n−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルアミン、n−ノニルアミン、n−デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、ジ−n−ヘプチルアミン、ジ−n−オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ヘキシルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ヘプチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−ノニルアミン、トリ−n−デカニルアミン、トリ−n−ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ−n−オクタノールアミン、トリ−n−オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミン等が挙げられる。これらの中でも、アルキルアルコールアミン及びトリアルキルアミンが好ましく、アルキルアルコールアミンが最も好ましい。アルキルアルコールアミンの中でもトリエタノールアミンやトリイソプロパノールアミンが最も好ましい。
これらは単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(D)成分は、(A)成分100質量部に対して、通常0.01〜5.0質量部の範囲で用いられる。
有機カルボン酸としては、例えば、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。
リンのオキソ酸若しくはその誘導体としては、リン酸、リン酸ジ−n−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステルなどのリン酸又はそれらのエステルのような誘導体、ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸−ジ−n−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステルなどのホスホン酸及びそれらのエステルのような誘導体、ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸などのホスフィン酸及びそれらのエステルのような誘導体が挙げられ、これらの中で特にホスホン酸が好ましい。
(E)成分は、(A)成分100質量部当り0.01〜5.0質量部の割合で用いられる。
(S)成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。
例えば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類;
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−n−アミルケトン、メチルイソアミルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類;
エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類及びその誘導体;
エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体;
ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類などを挙げることができる。
中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、ELが好ましく、PGMEがより好ましい。
これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。
また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒は好ましい。その配合比(質量比)は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2の範囲内とすることが好ましい。
より具体的には、極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2、さらに好ましくは3:7〜7:3である。
また、(S)成分として、その他には、PGMEA及びELの中から選ばれる少なくとも1種とγ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは70:30〜95:5とされる。
(S)成分の使用量は特に限定しないが、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が2〜20質量%、好ましくは5〜15質量%の範囲内となる様に用いられる。
本発明のレジストパターン形成方法は、例えば以下の様にして行うことができる。
すなわち、まず基板上に、上記ネガ型レジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、80〜150℃の温度条件下、プレベークを40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間施し、これに例えばArF露光装置などにより、ArFエキシマレーザー光を所望のマスクパターンを介して選択的に露光した後、80〜150℃の温度条件下、PEB(露光後加熱)を40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間施す。次いで、これをアルカリ現像液、例えば0.1〜10質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像処理する。このようにして、マスクパターンに忠実なレジストパターンを得ることができる。
基板としては、例えばシリコンウェーハが用いられる。表面にSiONやSiNなどからなる層が設けられた、いわゆる無機基板も用いることができる。基板とレジスト組成物の塗布層との間に、有機系または無機系の反射防止膜を設けてもよい。
露光に用いる波長は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV(極紫外線)、VUV(真空紫外線)、EB(電子線)、X線、軟X線などの放射線を用いて行うことができる。特に、本発明のネガ型レジスト組成物は、ArFエキシマレーザーに対して有効である。
本発明の高分子化合物に含まれる構成単位(a0)は、ヒドロキシ基が、従来アダマンチル基の3位における三級炭素の位置に直接結合していたものから、アダマンチル基の3位からエーテル基(−O−)を介して延びるアルキル基に結合したものである。そのため、レジストパターンを形成する際、このアルキル基に結合したヒドロキシ基に対して(C)架橋剤成分が結合しやすくなり、(A)成分と(C)成分との間で架橋が起こる確率が高くなることが考えられる。
これにより、露光部のレジスト組成物のアルカリ不溶性が向上することにより、解像性に優れたレジストパターンが形成されると推測される。
また、本発明においては、レジストパターン頭部が現像により丸くなる、いわゆる膜べりが抑制され、矩形性の高い形状のレジストパターンが形成される。
前記モノマーのEGHA、GLHA、EGHM、GLHMの合成方法について、以下に示す。
なお、合成例において、核磁気共鳴分光法(NMR)は、日本電子株式会社製のJNM−AL400(製品名、分解能400MHz)を用いて測定した。また、ガスクロマトグラフ−質量分析(GC−MS)は島津製作所製のGCMS−QP2010により測定し、示差走査熱量測定(DSC)はセイコーインスツルメント株式会社製のDSC6200を用いて測定した。
・3−メタンスルホニルオキシ−1−アダマンチル アクリレート(化合物1)の合成
3Lのガラス反応器に、撹拌装置及び滴下ロートを取り付け、ここに、アダマンテートHA(出光興産(株)製:3−ヒドロキシ−1−アダマンチル アクリレート)222.3g(1.0mol),乾燥したトリエチルアミン151.8g(1.5mol)及び乾燥したトルエン2,000mLを加え,氷浴で0℃に冷却して撹拌した。次いで、メタンスルホニルクロライド137.5g(1.2mol)を加え、5分間撹拌し、ガスクロマトグラフィー(GC)分析を行ったところ、アダマンテートHAのピークは完全に消失していた。その後、水100mLを加え、未反応のメタンスルホニルクロライドを失活させた。この反応液を4Lの分液ロートに移し、水800mLを加えて、充分に撹拌した。静置後、水層を除去した。トリエチルアミンを除去するために、0.5規定塩酸500mLを加え、撹拌し,静置後、水層を除去した。さらに、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水、飽和食塩水で洗浄した。この有機層を三角フラスコに移し、無水硫酸マグネシウム12.0g(0.1mol)を加え,乾燥した後、ろ過により、硫酸マグネシウムを除去した。そして、このろ液をエバポレーションすることによりトルエンを除去し、GC分析を行ったところ、純度95.4%の化合物1(下記化学式)が得られていることを確認した(収量301.6g)。
核磁気共鳴分光法(NMR):CDCl3
1H−NMR(500MHz):1.57(s,2H),2.03−2.23(8H),2.40(br−s,2H),2.59(s,2H),2.98(s,3H,k),5.74(dd,J=1.6,10.7Hz,1H,a2),6.00(dd,J=10.7,17.6Hz,1H,b),6.29(dd,J=1.6,17.6Hz,1H,a1)。
13C−NMR(127MHz):31.56(f),34.33(g),39.58(e or i),41.00(k),41.77(e or i),46.69(h),80.78(d or j),90.31(d or j),129.85(b),130.23(a),165.04(c)。
ガスクロマトグラフ−質量分析(GC−MS):EI
300(M+,2.26%),228(23.57%),204(39.50%),186(9.21%),149(64.73%),133(39.40%),121(14.96%),105(52.85%),92(53.41%),79(38.36%),67(13.38%),55(100%)。
・3−(2−ヒドロキシエトキシ)−1−アダマンチル アクリレート(化合物2)の合成
撹拌器,冷却管,滴下ロート及び温度計を取り付けた3Lのガラス反応器に、乾燥したエチレングリコール1,500mL,乾燥したトリエチルアミン121.4g(1.2mol)及びp−メトキシフェノール300mgを加え、オイルバスにより80℃に加熱した。ここに、合成例1で得られた化合物1を滴下し、加熱を継続した。滴下終了3時間後、GC分析により、化合物1のピークが完全に消失していることを確認し、純水600mLを加え、反応を停止した。そして、この反応液が30℃以下になるまで冷却した後、5L分液ロートに移し、純水900mLを追加、酢酸エチルによる抽出を実施した。引き続き、有機層を0.1規定塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水、飽和食塩水で洗浄した。この有機層を分液後、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過後、エバポレーションにより、ろ液から酢酸エチルを留去することによって、目的の化合物2(下記化学式)を得た(収量247.1g(収率92.8%),純度 97.1%(GC))。
核磁気共鳴分光法(NMR):CDCl3
1H−NMR(500MHz):1.46−1.61(2H),1.64−1.72(2H),1.72−1.81(2H),1.99−2.20(6H),2.23(1H),2.33(2H),3.51(2H,k or l),3.66(2H,k or l),5.71(dd,J=1.6,10.7Hz,1H,a2),6.00(dd,J=10.7,17.6Hz,1H,b),6.27(dd,J=1.6,17.6Hz,1H,a1)
13C−NMR(127MHz):31.01(f),35.12(g),40.26(e or i),40.58(e or i),45.34(h),61.59(l or k),62.27(l or k),74.43(d or j),81.55(d or j),129.80(b),130.19(a),165.23(c)
ガスクロマトグラフ−質量分析(GC−MS):EI
266(M+,0.27%),205(61.43%),194(32.68%),133(38.74%),93(13.99%),79(11.59%),55(100%)
・3−(2,3−ジヒドロキシ−1−プロピルオキシ)−1−アダマンチル アクリレー
ト(化合物3)及び3−(1,3−ジヒドロキシ−2−プロピルオキシ)−1−アダマン
チル アクリレート(化合物4)の合成
撹拌器,冷却管,滴下ロート及び温度計を取り付けた3Lのガラス反応器に、乾燥したグリセロール1,000mL,乾燥したトリエチルアミン121.4 g(1.2mol)及びp−メトキシフェノール300mgを加え、オイルバスにより80℃に加熱した。ここに、合成例1で得られた化合物1を1,2−ジメトキシエタン333mLに溶解して滴下し、加熱を継続した。滴下終了4時間後、GC分析により、化合物1のピークが完全に消失していることを確認し、純水600mLを加え、反応を停止した。そして、この反応液が30℃以下になるまで冷却した後、5L分液ロートに移し、純水を1,000mL追加後、酢酸エチルによる抽出を実施した。引き続き、有機層を0.1規定塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水、飽和食塩水で洗浄した。この有機層を分液後、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過後、エバポレーションにより、ろ液から酢酸エチルを留去することによって、化合物3及び化合物4(下記化学式)が73.7:26.3の質量比で存在する混合物を得た(収量269.4g(収率90.9%),純度97.3%(GC))。
核磁気共鳴分光法(NMR):CDCl3
1H−NMR(500MHz):1.40−1.57(2H),1.58−1.78(4H),1.93−2.18(6H),2.29(br−s,1H),2.73−3.32(3H),3.38−3.82(5H),5.69(m,1H,a2),5.97(m,1H,b),6.24(m,1H,a1)
13C−NMR(127MHz):(化合物3)30.96(f),35.04(g),40.20(e or i),40.39(e or i),45.19(h),62.37(k or m),64.27(k or m),70.92(l),74.67(d or j),81.51(d or j),129.87(b),130.11(a),165.25(c)
(化合物4)31.62(f’),34.94(g’),39.94(e’ or i’),41.37(e’ or i’),46.09(h’),63.62(l’),70.12(k’),75.55(d’ or j’),81.41(d’ or j’),129.95(b’),130.11(a’),165.25(c’)
ガスクロマトグラフ−質量分析(GC−MS):EI
(化合物3)205(69.62%),151(26.75%),134(47.69%),133(44.63%),93(14.40%),79(10.23%),55(100%)
(化合物4)205(97.68%),133(43.08%),91(10.29%),55(100%)
・3−メタンスルホニルオキシ−1−アダマンチル メタクリレート(化合物5)の合成
アダマンテートHA(出光興産(株)製:3−ヒドロキシ−1−アダマンチル アクリレート)222.3g(1.0mol)の代わりに、アダマンテートHM(出光興産(株)製:3−ヒドロキシ−1−アダマンチル メタクリレート)236.3g(1.0mol)を用いた以外は、合成例1と同様の操作を行った。そして、化合物5(下記化学式)の白色固体302.2gが得られていることを確認した(収率96.1%、GC純度99.4%)。
核磁気共鳴分光法(NMR):CDCl3
1H−NMR(500MHz):1.59(br−s,2H),1.89(s,3H,a),2.09(d,J=12.2Hz,2H),2.18(d,J=12.2Hz,2H),2.22(d,J=3.1Hz,4H),2.42(br−s,2H),2.62(s,2H,g),3.01(s,3H,l),5.51(t,J=1.5Hz,1H,b1),6.02(s,1H,b2)
13C−NMR(127MHz):18.23(a),31.46(h),34.26(g or i),39.44(f or j),40.88(l),41.70(j or f),46.57(i or g),80.53(k),90.30(e),125.02(b),137.37(c),166.15(d)
ガスクロマトグラフ−質量分析(GC−MS):EI
315(M++1,2.4%),314(M+,14.4%),229(29.0%),228(65.0%),149(96.8%),132(27.4%),133(95.7%),121(20.6%),107(23.8%),105(87.4%),93(44.3%),92(71.0%),91(56.0%),79(38.7%),69(100%)
・融点(℃,示差走査熱量測定(DSC)法):31.3〜35.5℃
・3−(2−ヒドロキシエトキシ)−1−アダマンチル メタクリレート(化合物6)の合成
2Lのガラス反応器に、撹拌装置を取り付け、ここに合成例4の方法で得られた化合物5(151.1g)を入れ、乾燥したエチレングリコール1100mL(19.7mol)および乾燥したトリエチルアミン76.0mL(545mmol)を加え、撹拌した。
次いで、オイルバスの温度を80℃に設定し、2時間加熱した。GC分析を行ったところ、転化率99.9%,選択率99.8%で目的物が得られていることがわかった。その後、反応液を2Lの分液ロートに移し、ジエチルエーテル600mL,水200mLを加え、有機層への抽出を行い、1規定の希塩酸700mLを加えて水洗し、さらに純水700mLを加えて水洗し、トリエチルアミン塩を除去した。無水硫酸マグネシウム12.0g(100mmol)を加え,脱水した後、ろ過により、硫酸マグネシウムを除去した。それをエバポレートしてジエチルエーテルを除去し、再結晶すると白色固体(化合物6、下記化学式)が得られた(収量91.96g(収率68.2%),純度99.5%(GC),99.4%(GPC))。
核磁気共鳴分光法(NMR):CDCl3
1H−NMR(500MHz):1.52(d,J=12.8Hz,2H),1.60(d,J=12.8Hz,2H),1.70(d,J=11.3Hz,2H),1.78(d,J=11.3Hz,2H),1.89(s,3H,a),2.05(d,J=11.3Hz,2H),2.13(d,J=11.2Hz,2H),2.17(s,2H,g),2.36(br−s,2H),2.48(q,J=4.0Hz,1H),3.54(t,J=4.6Hz,2H,l),3.68(q,J=5.0Hz,2H,m),5.49(q,J=1.5Hz,b1),5.96(s,b2)
13C−NMR(127MHz):18.18(a),30.84(h),34.97(i),40.04(f or j),40.40(j or f),45.11(g),61.48(l or m),62.06(m or l),74.28(k),81.19(e),124.54(b),137.59(c),166.28(d)
ガスクロマトグラフ−質量分析(GC−MS):EI
281(M++1,0.02%),280(M+,0.16%),263(0.05%),262(0.26%),220(11.0%),219(40.3%),195(8.7%),194(37.1%),134(24.0%),133(21.7%),69(100%)
・融点(℃,DSC法):50.0〜54.5℃
・3−(2,3−ジヒドロキシ−1−プロピルオキシ)−1−アダマンチル メタクリレート(化合物7)及び3−(1,3−ジヒドロキシ−2−プロピルオキシ)−1−アダマンチル メタクリレート(化合物8)の合成
化合物1の代わりに、合成例4で得られた化合物5(151.1g)を用いること以外は、合成例3と同様の操作を行った。化合物7及び化合物8が76.1:23.9の比で存在する混合物を得た(収量138.6g(収率92.9%),純度98.9%(GC))。
核磁気共鳴分光法(NMR):CDCl3
1H−NMR(500MHz):1.45−1.56(2H),1.63−1.76(4H),1.84(s,3H,a),1.98−2.14(6H),2.31(s,2H),3.42−3.80(m,5H,l−n),5.45(s,b1),5.96(s,b2)
13C−NMR(127MHz):(化合物7)18.35(a),30.98(h),35.08(i),40.18(f),40.42,40.44,45.18(g),62.43(l or n),64.31(l or n),70.86(m),74.72(k),81.32(e),124.78(b),137.72(c),166.46(d)
(化合物8)15.30(a’),30.98(h’),34.98(i’),40.08(f’),41.45(j’),46.08(g’),63.68(l’ or n’),65.89(l’ or n’),70.07(m’),75.58(k’),81.20(e’),124.86(b’),137.68(c’),166.46(d’)
ガスクロマトグラフ−質量分析(GC−MS):EI
(化合物7)279(M+−CH2OH,1.2%),220(11.9%),219(46.0%),151(19.2%),134(49.6%),133(20.0%),117(10.4%),93(10.6%),69(100%),41(26.4%)
(化合物8)280(1.8%),220(5.7%),219(32.6%),151(6.1%),134(31.6%),133(19.5%),117(38.5%),116(15.9%),69(100%),41(23.9%)
上記モノマーを用いて、下記実施例1〜13、比較例1に示す高分子化合物(樹脂成分(A))を合成した。得られた樹脂成分(A)の組成比(モル比)、質量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を表1に示す。
NBHFAA12.68g、及びEGHM2.61gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酪酸ジメチル(V−601、和光純薬社製)0.32gとをTHF(テトラヒドロフラン)130mlに溶解した。
次いで、窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間撹拌し、その後、室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF60mlに溶解し、ヘプタン1000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体9.95gを得た。
得られた樹脂を下記化学式(A−1)に示す。
その質量平均分子量(Mw)は7000、分散度(Mw/Mn)は1.57であり、組成比(モル比)は、l/m=80/20であった。
NBHFAA12.68g、及びGLHM2.89gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酪酸ジメチル0.32gとをTHF(テトラヒドロフラン)130mlに溶解した。
次いで、窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間撹拌し、その後、室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF75mlに溶解し、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体12.2gを得た。
得られた樹脂を下記化学式(A−2)に示す。
その質量平均分子量(Mw)は6500、分散度(Mw/Mn)は1.70であり、組成比(モル比)は、l/m=80/20であった。
NBHFAA9.51g、及びGLHM5.78gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酪酸ジメチル0.32gとをTHF(テトラヒドロフラン)130mlに溶解した。
次いで、窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間撹拌し、その後、室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF75mlに溶解し、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体13.2gを得た。
得られた樹脂は前記化学式(A−2)と同じである。
その質量平均分子量(Mw)は8100、分散度(Mw/Mn)は2.17であり、組成比(モル比)は、l/m=60/40であった。
NBHFAA12.68g、及びEGHA2.48gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酪酸ジメチル0.32gとをTHF(テトラヒドロフラン)130mlに溶解した。
次いで、窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間撹拌し、その後、室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF75mlに溶解し、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体13.3gを得た。
得られた樹脂を下記化学式(A−4)に示す。
その質量平均分子量(Mw)は4000、分散度(Mw/Mn)は1.44であり、組成比(モル比)は、l/m=80/20であった。
NBHFAA9.51g、及びEGHA4.96gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酪酸ジメチル0.32gとをTHF(テトラヒドロフラン)130mlに溶解した。
次いで、窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間撹拌し、その後、室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF75mlに溶解し、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体10.0gを得た。
得られた樹脂は前記化学式(A−4)と同じである。
その質量平均分子量(Mw)は4000、分散度(Mw/Mn)は1.64であり、組成比(モル比)は、l/m=60/40であった。
NBHFAA12.68g、及びEGHA2.48gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酪酸ジメチル0.32gとをTHF(テトラヒドロフラン)80mlに溶解した。
次いで、窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間撹拌し、その後、室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF75mlに溶解し、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体12.9gを得た。
得られた樹脂は前記化学式(A−4)と同じである。
その質量平均分子量(Mw)は5700、分散度(Mw/Mn)は1.59であり、組成比(モル比)は、l/m=80/20であった。
NBHFAA11.09g、及びEGHA3.72gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酪酸ジメチル0.32gとをTHF(テトラヒドロフラン)80mlに溶解した。
次いで、窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間撹拌し、その後、室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF75mlに溶解し、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体9.93gを得た。
得られた樹脂は前記化学式(A−4)と同じである。
その質量平均分子量(Mw)は5800、分散度(Mw/Mn)は1.61であり、組成比(モル比)は、l/m=70/30であった。
NBHFAA9.51g、及びEGHA4.96gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酪酸ジメチル0.32gとをTHF(テトラヒドロフラン)80mlに溶解した。
次いで、窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間撹拌し、その後、室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF75mlに溶解し、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体12.6gを得た。
得られた樹脂は前記化学式(A−4)と同じである。
その質量平均分子量(Mw)は5100、分散度(Mw/Mn)は1.76であり、組成比(モル比)は、l/m=60/40であった。
NBHFAA12.68g、及びGLHA2.76gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酪酸ジメチル0.32gとをTHF(テトラヒドロフラン)70mlに溶解した。
次いで、窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間撹拌し、その後、室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF75mlに溶解し、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体14.4gを得た。
得られた樹脂を下記化学式(A−9)に示す。
その質量平均分子量(Mw)は6000、分散度(Mw/Mn)は1.70であり、組成比(モル比)は、l/m=80/20であった。
NBHFAA11.09g、及びGLHA4.14gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酪酸ジメチル0.32gとをTHF(テトラヒドロフラン)70mlに溶解した。
次いで、窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間撹拌し、その後、室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF75mlに溶解し、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体13.85gを得た。
得られた樹脂は前記化学式(A−9)と同じである。
その質量平均分子量(Mw)は6800、分散度(Mw/Mn)は1.84であり、組成比(モル比)は、l/m=70/30であった。
NBHFAA9.51g、及びGLHA5.52gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酪酸ジメチル0.32gとをTHF(テトラヒドロフラン)70mlに溶解した。
次いで、窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間撹拌し、その後、室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF75mlに溶解し、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体14.5gを得た。
得られた樹脂は前記化学式(A−9)と同じである。
その質量平均分子量(Mw)は5400、分散度(Mw/Mn)は1.88であり、組成比(モル比)は、l/m=60/40であった。
NBHFAA10.33g、HEMA1.32g、及びEGHA5.39gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酪酸ジメチル0.45gとをTHF(テトラヒドロフラン)150mlに溶解した。
次いで、窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間撹拌し、その後、室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF100mlに溶解し、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体13.2gを得た。
得られた樹脂を下記化学式(A−12)に示す。
その質量平均分子量(Mw)は5500、分散度(Mw/Mn)は1.82であり、組成比(モル比)は、l/m/n=50/33/17であった。
NBHFAA10.33g、HEMA1.32g、及びGLHA6.00gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酪酸ジメチル0.45gとをTHF(テトラヒドロフラン)135mlに溶解した。
次いで、窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間撹拌し、その後、室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF100mlに溶解し、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体14.8gを得た。
得られた樹脂を下記化学式(A−13)に示す。
その質量平均分子量(Mw)は6000、分散度(Mw/Mn)は1.91であり、組成比(モル比)は、l/m/n=50/33/17であった。
NBHFAA12.25g、及びHAdA2.0gと、重合開始剤であるアゾビスイソ酪酸ジメチル0.33gとをTHF(テトラヒドロフラン)70mlに溶解した。
次いで、窒素バブリングを約10分間行い、70℃のオイルバスを用いて加温しながら4時間撹拌し、その後、室温まで冷却した。次に、反応液をエバポレーターで濃縮した後、濃縮液をTHF100mlに溶解し、ヘプタン2000mlに注ぎ込むことで樹脂を析出させ、濾過した。得られた樹脂を乾燥機中40℃、24時間乾燥させて、白色固体8.45gを得た。
得られた樹脂を下記化学式(A−14)に示す。
その質量平均分子量(Mw)は6700、分散度(Mw/Mn)は1.67であり、組成比(モル比)は、l/m=80/20であった。
下記表2に示す各成分を混合、溶解してネガ型レジスト組成物溶液を調製した。
(B)−1:トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
(C)−1:テトラメトキシメチル化グリコールウリル MX270(商品名、三和ケミカル社製)
(D)−1:トリイソプロパノールアミン
(S)−1:プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)
[解像性の評価]
まず、有機系反射防止膜組成物「ARC−29」(商品名、ブリューワサイエンス社製)を、スピンナーを用いてシリコンウェーハ上に均一に塗布し、ホットプレート上で215℃、90秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚77nmの有機系反射防止膜を形成した。
該反射防止膜上に、上記で得られたネガ型レジスト組成物を、スピンナーを用いて均一に塗布し、ホットプレート上で80℃で60秒間のプレベーク(PAB)処理を行うことにより、膜厚200nmのレジスト膜を形成した。
次いで、ArF露光装置NSR−S302(ニコン社製;NA(開口数)=0.60,2/3輪帯照明)により、ArFエキシマレーザー(193nm)を、マスクパターン(ハーフトーン)を介して選択的に照射した。
そして、100℃で60秒間の露光後加熱(PEB)処理を行い、さらに23℃にて2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液で60秒間現像し、その後20秒間水洗し、乾燥してレジストパターンを形成した。
このとき、ライン幅140nm、ピッチ140nmのラインアンドスペースパターン(L/Sパターン)が形成される最適露光量(感度;Eop)において、マスクパターンのサイズを変更し、解像するパターンの最小寸法(nm)を求め、解像性を評価した。その結果を表3に示した。
一方、本発明とは異なる高分子化合物(比較例1)を含有する比較例2のネガ型レジスト組成物は、140nmまでしか解像せず、レジストパターンも膜べりが大きく、レジストパターン形状が不良であった。
Claims (6)
- 前記高分子化合物(A1)は、水酸基含有鎖状アルキル基を含有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a2)を含む請求項1に記載のネガ型レジスト組成物。
- さらに(D)含窒素有機化合物を含有する請求項1又は2に記載のネガ型レジスト組成物。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載のネガ型レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
- 前記高分子化合物は、水酸基含有鎖状アルキル基を含有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a2)を含む請求項5に記載の高分子化合物。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005261848A JP4979915B2 (ja) | 2005-09-09 | 2005-09-09 | 高分子化合物、ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
US12/065,990 US7820360B2 (en) | 2005-09-09 | 2006-08-17 | Polymer compound, negative resist composition, and method of forming resist pattern |
PCT/JP2006/316160 WO2007029462A1 (ja) | 2005-09-09 | 2006-08-17 | 高分子化合物、ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
TW095130685A TWI336816B (en) | 2005-09-09 | 2006-08-21 | Polymer, negative resist composition, and resist pattern formation method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005261848A JP4979915B2 (ja) | 2005-09-09 | 2005-09-09 | 高分子化合物、ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007070562A JP2007070562A (ja) | 2007-03-22 |
JP4979915B2 true JP4979915B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=37835585
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005261848A Expired - Fee Related JP4979915B2 (ja) | 2005-09-09 | 2005-09-09 | 高分子化合物、ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7820360B2 (ja) |
JP (1) | JP4979915B2 (ja) |
TW (1) | TWI336816B (ja) |
WO (1) | WO2007029462A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5708082B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2015-04-30 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びネガ型レジスト組成物 |
KR102460271B1 (ko) * | 2015-04-03 | 2022-10-28 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 광가교기를 가지는 단차 기판 피복 조성물 |
JP6265286B2 (ja) * | 2017-01-18 | 2018-01-24 | セイコーエプソン株式会社 | 紫外線硬化型インクジェット用インク組成物 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5204225A (en) * | 1986-01-13 | 1993-04-20 | Rohm And Haas Company | Process for producing negative images |
JPH083635A (ja) | 1994-06-15 | 1996-01-09 | Kobe Steel Ltd | 靱性の優れた鋼板の製造方法 |
JP3798458B2 (ja) | 1996-02-02 | 2006-07-19 | 東京応化工業株式会社 | オキシムスルホネート化合物及びレジスト用酸発生剤 |
JP3865473B2 (ja) | 1997-07-24 | 2007-01-10 | 東京応化工業株式会社 | 新規なジアゾメタン化合物 |
JP3980124B2 (ja) | 1997-07-24 | 2007-09-26 | 東京応化工業株式会社 | 新規ビススルホニルジアゾメタン |
US5945517A (en) * | 1996-07-24 | 1999-08-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical-sensitization photoresist composition |
JP3854689B2 (ja) | 1997-07-24 | 2006-12-06 | 東京応化工業株式会社 | 新規な光酸発生剤 |
US6153733A (en) * | 1998-05-18 | 2000-11-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | (Disulfonyl diazomethane compounds) |
JP3935267B2 (ja) | 1998-05-18 | 2007-06-20 | 東京応化工業株式会社 | 新規なレジスト用酸発生剤 |
JP3727044B2 (ja) * | 1998-11-10 | 2005-12-14 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物 |
JP2000275843A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
SG98433A1 (en) * | 1999-12-21 | 2003-09-19 | Ciba Sc Holding Ag | Iodonium salts as latent acid donors |
JP4329214B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2009-09-09 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
US6806026B2 (en) * | 2002-05-31 | 2004-10-19 | International Business Machines Corporation | Photoresist composition |
JP2004029053A (ja) * | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Kyocera Chemical Corp | 感光性樹脂組成物およびポジ型パターン形成方法 |
EP1557718A4 (en) | 2002-10-29 | 2008-01-09 | Jsr Corp | RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION |
JP3900135B2 (ja) * | 2002-10-29 | 2007-04-04 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
KR101043905B1 (ko) | 2003-02-19 | 2011-06-29 | 시바 홀딩 인크 | 할로겐화 옥심 유도체 및 잠산으로서의 이의 용도 |
JP2004272227A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-30 | Jsr Corp | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
WO2004088428A1 (ja) | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co. Ltd. | ホトレジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
EP1486480A1 (en) * | 2003-06-09 | 2004-12-15 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Adamantyl vinyl ether compound and production process for the same |
JP4040537B2 (ja) | 2003-06-11 | 2008-01-30 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物、及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP4327616B2 (ja) * | 2004-01-26 | 2009-09-09 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性コーティング樹脂組成物 |
JP4429754B2 (ja) * | 2004-02-05 | 2010-03-10 | 出光興産株式会社 | アダマンタン誘導体及びその製造方法 |
US7528279B2 (en) * | 2004-02-05 | 2009-05-05 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Adamantane derivatives and process for producing the same |
JP5042835B2 (ja) * | 2005-08-17 | 2012-10-03 | 出光興産株式会社 | 含フッ素アダマンタン誘導体、重合性基含有含フッ素アダマンタン誘導体及びそれを含有する樹脂組成物 |
JP4815951B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2011-11-16 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 新規アダマンチルエステル化合物 |
JP2007131582A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | アダマンチルエステル化合物 |
KR20090005338A (ko) * | 2006-04-28 | 2009-01-13 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 함불소 아다만탄 유도체, 중합성기 함유 함불소 아다만탄 유도체, 그것을 함유하는 수지 조성물 및 반사 방지막 |
-
2005
- 2005-09-09 JP JP2005261848A patent/JP4979915B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-08-17 WO PCT/JP2006/316160 patent/WO2007029462A1/ja active Application Filing
- 2006-08-17 US US12/065,990 patent/US7820360B2/en active Active
- 2006-08-21 TW TW095130685A patent/TWI336816B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200715056A (en) | 2007-04-16 |
US7820360B2 (en) | 2010-10-26 |
JP2007070562A (ja) | 2007-03-22 |
WO2007029462A1 (ja) | 2007-03-15 |
TWI336816B (en) | 2011-02-01 |
US20090162785A1 (en) | 2009-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4566820B2 (ja) | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
US20090142693A1 (en) | Negative resist composition and method of forming resist pattern | |
JP2007279493A (ja) | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP4828204B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法、並びに高分子化合物 | |
JP2009062414A (ja) | 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP2006301289A (ja) | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP4397834B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法および化合物 | |
US8216764B2 (en) | Positive resist composition and method of forming resist pattern | |
JP4738803B2 (ja) | 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法 | |
JP5031310B2 (ja) | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP4846294B2 (ja) | 多価フェノール化合物、化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
US7820360B2 (en) | Polymer compound, negative resist composition, and method of forming resist pattern | |
JP4732038B2 (ja) | 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP4813103B2 (ja) | 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP4767596B2 (ja) | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP4889950B2 (ja) | 電子線またはeuv用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP2007084502A (ja) | 化合物、ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP2008107677A (ja) | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP4920271B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP2007079481A (ja) | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP4657883B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP4667945B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP4823578B2 (ja) | 多価フェノール化合物、化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP5461598B2 (ja) | レジスト用樹脂 | |
JP4890166B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120117 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120316 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120319 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120410 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120418 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150427 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |