JP4968681B2 - Semiconductor circuit, display device using the same, and driving method thereof - Google Patents
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Description
本発明は、半導体回路、及びそれを用いた半導体装置に関し、特に、走査回路に用いて好適なシフトレジスタ回路、及びそれを用いた表示装置、及び表示装置の駆動方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor circuit and a semiconductor device using the semiconductor circuit, and more particularly to a shift register circuit suitable for use in a scanning circuit, a display device using the shift register circuit, and a display device driving method.
近年、液晶表示装置に代表される平面表示装置は、薄型・軽量、かつ低消費電力であることから、各種機器の表示装置として用いられている。最近では、更なる薄型・軽量化や低コスト化を実現するために、従来のアモルファスシリコン薄膜トランジスタに比べ、電子移動度が高い低温ポリシリコン薄膜トランジスタを用いて駆動回路を構成し、この駆動回路をガラス基板上に一体的に形成する技術が確立されている。 2. Description of the Related Art In recent years, flat display devices typified by liquid crystal display devices have been used as display devices for various devices because they are thin and lightweight and have low power consumption. Recently, in order to achieve further reduction in thickness, weight, and cost, a drive circuit is constructed using a low-temperature polysilicon thin film transistor that has higher electron mobility than a conventional amorphous silicon thin film transistor. A technique for integrally forming on a substrate has been established.
近年、TFTのチャネル層として、多結晶シリコンを用いることによって、マトリクス表示部と、周辺駆動回路部を、同一基板上に形成した駆動回路一体型のLCD(Liquid
Crystal Display)が開発されている。
In recent years, by using polycrystalline silicon as a TFT channel layer, a drive circuit integrated LCD (Liquid LCD) in which a matrix display portion and a peripheral drive circuit portion are formed on the same substrate is used.
Crystal Display) has been developed.
一般に、多結晶シリコンはアモルファスシリコンに比べて移動度が高い。このため、TFTを小型にすることができるため、高精細化が実現される。 In general, polycrystalline silicon has higher mobility than amorphous silicon. For this reason, since the TFT can be reduced in size, high definition is realized.
また、ゲートセルフアライン構造による微細化、寄生容量の縮小による高速化が達成されるため、NMOSトランジスタと、PMOSトランジスタとからなるCMOSトランジスタを形成することにより、LCDモジュールの小型化が実現される。 Further, miniaturization by the gate self-alignment structure and high speed by reduction of the parasitic capacitance are achieved, so that the LCD module can be miniaturized by forming a CMOS transistor composed of an NMOS transistor and a PMOS transistor.
近年の液晶表示装置の高解像度の要求は日増しに高まっている。解像度が上がることによって一度に表示される情報量が多くなるため、液晶表示装置の付加価値の向上に寄与する。また、表示装置の走査方向を双方向に対応させることにより、液晶表示装置の向きに応じて柔軟に対応できる液晶表示装置が可能となる。 The demand for high resolution of liquid crystal display devices in recent years is increasing day by day. As the resolution increases, the amount of information displayed at a time increases, which contributes to the added value of the liquid crystal display device. Further, by making the scanning direction of the display device correspond to both directions, a liquid crystal display device that can flexibly cope with the orientation of the liquid crystal display device can be realized.
したがって、高解像度の表示領域と、双方向走査回路を有する高付加価値の液晶表示装置を実現することが望まれている。 Therefore, it is desired to realize a high-value-added liquid crystal display device having a high-resolution display area and a bidirectional scanning circuit.
例えば特許文献1には、単チャネルのトランジスタで構成された双方向シフトレジスタが開示されている。図27〜図30を用いて説明する。
For example,
図27は、特許文献1に開示されている平面表示装置の概略図、図28は、特許文献1に開示されている3位相双方向シフトレジスタの一つの構成を示す図である。図29は、特許文献1に開示されている3位相双方向シフトレジスタの順方向パルスシフト時の動作を説明するためのタイミングチャートである。図30は、特許文献1に開示されている3位相双方向シフトレジスタの逆方向パルスシフト時の動作を説明するためのタイミングチャートである。なお、3位相双方向シフトレジスタは、複数の同一構成のシフトレジスタを縦列に接続し、位相の異なる3つのクロック信号を用いることによって、初段のシフトレジスタに入力されたパルスの位相を各シフトレジスタでシフトさせながら後段のシフトレジスタへ伝搬させる3位相シフトレジスタを、順方向パルスシフトと逆方向のパルスシフトの双方を可能としたものである。
FIG. 27 is a schematic view of a flat display device disclosed in
図27を参照すると、この従来の平面表示装置は、アレイ基板101上に走査線駆動回路102、信号線駆動回路103、及び複数(m×n)のスイッチング素子110が設置されている。
Referring to FIG. 27, in this conventional flat display device, a scanning
走査線G1〜Gnは、走査線駆動回路102の出力を、スイッチング素子110の制御信号として転送するための配線である。また、信号線S1〜Smは、信号線駆動回路103からの出力を、スイッチング素子110のソース、ドレインへ転送するための配線である。
The scanning lines G <b> 1 to Gn are wirings for transferring the output of the scanning
また、図28を参照すると、3位相双方向シフトレジスタは、第1クロック端子INP、逆方向パルス入力端子INN、出力端子OUT、シフト方向制御信号P、及びNを備え、トランジスタTr1〜トランジスタTr17のトランジスタで構成されている。 Referring to FIG. 28, the three-phase bidirectional shift register includes a first clock terminal INP, a reverse pulse input terminal INN, an output terminal OUT, shift direction control signals P and N, and includes transistors Tr1 to Tr17. It is composed of transistors.
図29、及び図30に示すように、双方向シフトレジスタは、順方向シフト(図29)と逆方向シフト(図30)の双方に対応している。 As shown in FIG. 29 and FIG. 30, the bidirectional shift register supports both forward shift (FIG. 29) and reverse shift (FIG. 30).
次に、特許文献2に開示された双方向シフトレジスタについて説明する。図31は、特許文献2に開示されたシフトレジスタの構成を示すブロック図である。図31を参照すると、このシフトレジスタは、単位レジスタRes1、Res2、・・・・と、トランジスタTr4−1、トランジスタTr4−2、・・と、トランジスタTr5−1、トランジスタTr5−2、・・・と、トランジスタTr6−1、トランジスタTr6−2・・・とを備えている。
Next, the bidirectional shift register disclosed in
トランジスタTr4は、それぞれの順方向シフトモードでオンになるトランジスタであり、左からN番目の単位レジスタResNから出力される論理値を(N+1)番目の単位レジスタRes(N+1)に伝える。トランジスタTr5は、それぞれ逆方向シフトモードでオンになるトランジスタであり、単位レジスタResNから出力される論理値を単位レジスタRes(N−1)に伝える。トランジスタTr6は、それぞれ単位レジスタの入力InとトランジスタTr4及びトランジスタTr5との間に設けられ、当該単位レジスタの順方向シフト動作の前にオンになり逆方向シフト動作時はオフになるように、当該単位レジスタの動作クロックとは逆相のクロック信号によりオン・オフする。図中のNorm信号及びRev信号は、外部から順方向シフトか、逆方向シフトかを指定するための信号であり何れか一方がハイレベルに指定される。順方向シフトではNorm信号がハイレベル、逆方向シフトではRev信号がハイレベルである。CLK1信号とCLK2信号は、それぞれ位相が異なるクロック信号であり、奇数番目の各単位レジスタと、偶数番目の各単位レジスタとが交互に入力信号を取り込む動作をするように供給される。 The transistor Tr4 is a transistor that is turned on in each forward shift mode, and transmits the logical value output from the Nth unit register ResN from the left to the (N + 1) th unit register Res (N + 1). Each of the transistors Tr5 is a transistor that is turned on in the reverse shift mode, and transmits the logical value output from the unit register ResN to the unit register Res (N−1). The transistor Tr6 is provided between the input In of the unit register and the transistors Tr4 and Tr5, and is turned on before the forward shift operation of the unit register and turned off during the backward shift operation. The unit register is turned on / off by a clock signal having a phase opposite to that of the operation clock of the unit register. The Norm signal and the Rev signal in the figure are signals for designating forward shift or reverse shift from the outside, and one of them is designated at a high level. In the forward shift, the Norm signal is high level, and in the reverse shift, the Rev signal is high level. The CLK1 signal and the CLK2 signal are clock signals having different phases, and are supplied so that the odd-numbered unit registers and the even-numbered unit registers alternately take in the input signals.
図31に示したシフトレジスタの動作について、図32(a)、図32(b)を用いて説明する。図32(a)は、順方向シフト動作時のタイムチャートである。図32(a)を参照すると、単位レジスタRes1は、CLK1信号に同期して、ハイレベル状態の入力信号In1を昇圧して内部に保持する。これと同時に画素選択信号としてOut1信号を出力し、Next1信号をハイレベルにする。 The operation of the shift register shown in FIG. 31 will be described with reference to FIGS. 32 (a) and 32 (b). FIG. 32A is a time chart during the forward shift operation. Referring to FIG. 32A, the unit register Res1 boosts and holds the high-level input signal In1 in synchronization with the CLK1 signal. At the same time, the Out1 signal is output as the pixel selection signal, and the Next1 signal is set to the high level.
図32(b)は、逆方向シフト動作時のタイムチャートである。図32(b)を参照すると、逆方向シフトでは、Norm信号、Rev信号は、ローレベル、ハイレベルにそれぞれ設定される。これにより、トランジスタTr4がオフ状態に、トランジスタTr4がオン状態になる。これにより、図32(b)におけるトランジスタTr4の代わりに、トランジスタTr5を介して、順方向では後段の単位レジスタの出力信号Nextがその前段の単位レジスタの入力信号Inとして入力されることになる。 FIG. 32B is a time chart at the time of the backward shift operation. Referring to FIG. 32B, in the reverse shift, the Norm signal and the Rev signal are set to a low level and a high level, respectively. Accordingly, the transistor Tr4 is turned off and the transistor Tr4 is turned on. Thereby, instead of the transistor Tr4 in FIG. 32B, the output signal Next of the subsequent unit register is input as the input signal In of the previous unit register through the transistor Tr5 in the forward direction.
このような逆方向シフトの動作は、双方向シフトレジスタが固体撮像装置の行を選択する場合には、固体撮像装置は上下反転画像を出力することになる。 In such a reverse shift operation, when the bidirectional shift register selects a row of the solid-state imaging device, the solid-state imaging device outputs a vertically inverted image.
例えば、カメラにおいて回転可能な表示パネルを有している場合は、表示パネルが正面方向を向いている場合には順方向シフト、表示パネルが正面とは反対の方向を向いている場合は、逆方向シフトを行うことにより利用することができる。 For example, if the camera has a display panel that can be rotated, the forward shift is applied when the display panel is facing the front direction, and the reverse is performed when the display panel is facing the direction opposite to the front. It can be used by performing a direction shift.
特許文献1及び特許文献2は、共に単チャネルのトランジスタで構成された双方向シフトレジスタを挙げたが、例えば特許文献3には、CMOS構成の双方向シフトレジスタが開示されている。
図33(a)は、特許文献3に開示されている単一シフト方向のシフトレジスタの構成、図33(b)は、特許文献3の双方向シフトレジスタの構成をそれぞれ示している。
FIG. 33A shows the configuration of the shift register in the single shift direction disclosed in
図33(a)に示した単一シフト方向のシフトレジスタは、DXより入力されたパルスを相補クロック信号(C1、C2)で制御されることにより、S1、S2へ順次パルスを出力していく動作を行う。 The shift register in the single shift direction shown in FIG. 33A sequentially outputs pulses to S1 and S2 by controlling pulses input from DX with complementary clock signals (C1 and C2). Perform the action.
一方、図33(b)に示した双方向シフトレジスタは、シフト方向制御信号(L、R)を用いてシフト方向を制御することにより双方向走査を可能としている。 On the other hand, the bidirectional shift register shown in FIG. 33B enables bidirectional scanning by controlling the shift direction using the shift direction control signals (L, R).
しかしながら、上記した従来の構成を用いて、高付加価値の液晶表示装置を実現しようとした場合、それぞれ以下のような問題がある。 However, when a high-value-added liquid crystal display device is realized using the above-described conventional configuration, there are the following problems.
例えば特許文献1に開示された構成では、双方向走査を実現するために同じ機能を有する回路要素を重複して設置する必要がある。つまり、図27に示すとおり、トランジスタTr11、トランジスタTr3と、トランジスタTr12、トランジスタTr4は、それぞれ信号N、P、及びINN、INPで制御されているが、これらは、各々走査方向により一方が活性化され、他方が動作停止の状態である。同様に、トランジスタTr3とトランジスタTr14、及び、トランジスタTr15、トランジスタTr6と、トランジスタTr16、トランジスタTr7の組み合わせも、走査方向により、一方が活性化され、他方が動作停止の状態である。従って、この従来のシフトレジスタは、1ビット当たりの回路規模が大きくなる傾向にある。
For example, in the configuration disclosed in
この問題は、特許文献2に開示された構成でも、同様に起こりうる。特許文献2に開示された構成の場合、図31に示したとおり、シフトレジスタ1ビット(Regn)当たり、3個のトランジスタ(トランジスタTr4−n、トランジスタTr5−n、トランジスタTr6−n)が配設される。さらに、各々の配線も増大するため、特許文献1に開示された構成と同様、1ビットあたりの回路規模が大きくなる。
This problem can also occur in the configuration disclosed in
さらに、特許文献3に開示された構成においても、同様に、図33(b)中のシフト方向制御信号(L、R)が入力されるクロックトインバータ回路は、順方向シフト用と逆方向シフト用で1出力につき、2個配置する必要がある。従って、特許文献3に開示された構成においても、1ビットあたりの回路規模が大きくなる、という問題が起こりうる。
Further, in the configuration disclosed in
ここで、走査回路と表示装置の構成は、一般的に、表示装置を構成している画素の配置ピッチと、走査回路を構成しているシフトレジスタの配置ピッチとが、同じ長さであることが望ましい。図34(A)は、配置ピッチが画素ピッチと同じ長さのシフトレジスタの配置例を示したものである。 Here, in the configuration of the scanning circuit and the display device, in general, the arrangement pitch of the pixels constituting the display device and the arrangement pitch of the shift register constituting the scanning circuit are the same length. Is desirable. FIG. 34A shows an arrangement example of shift registers whose arrangement pitch is the same as the pixel pitch.
配置ピッチとシフトレジスタの配置ピッチを同じ長さとするのは、走査回路から出力される信号を伝達する電気配線のレイアウトの観点から明らかである。すなわち、表示装置の高解像度化に伴い、画素ピッチとシフトレジスタの最小構成単位の配置ピッチは共に狭ピッチ化していく。 The arrangement pitch and the arrangement pitch of the shift register are set to the same length, which is apparent from the viewpoint of the layout of the electrical wiring that transmits the signal output from the scanning circuit. That is, with the increase in resolution of the display device, both the pixel pitch and the arrangement pitch of the minimum structural unit of the shift register are narrowed.
図34(B)に示すように、画素21の狭ピッチ化に伴い、シフトレジスタ1の回路幅Lは増大する。図34(B)のシフトレジスタ1の回路素子数(面積)が、図34(A)の回路素子数(面積)と同じであるとした場合、シフトレジスタ1の寸法の1つ(高さ)の減少は、他の寸法(幅)の増大をもたらす。
As shown in FIG. 34B, the circuit width L of the
回路幅Lが増大することにより、表示装置における、走査回路が配置される側の額縁が大きくなってしまう問題がある。 When the circuit width L increases, there is a problem that the frame on the side where the scanning circuit is arranged in the display device becomes large.
この非対称性は、表示装置の設計にも影響を及ぼし、この非対称性を解消するには、走査回路を配置しない側の額縁を、上記Lと同じ値に広げる必要がある。 This asymmetry also affects the design of the display device. In order to eliminate this asymmetry, it is necessary to widen the frame on the side where the scanning circuit is not arranged to the same value as L described above.
従って上記した従来の双方向走査回路においては、狭ピッチと狭額縁との両立が極めて困難である、といえる。 Therefore, it can be said that it is extremely difficult to achieve both a narrow pitch and a narrow frame in the conventional bidirectional scanning circuit described above.
また、シフトレジスタ内部に、双方向機能を持たせる構成の問題として走査方向によって回路の動作マージンが異なってしまう問題が挙げられる。 Another problem with the configuration in which the shift register has a bidirectional function is that the operation margin of the circuit varies depending on the scanning direction.
これは、シフトレジスタ内に双方向機能を持たせるために、重複して回路要素を配置している都合上、各々の回路要素や配線のレイアウトが複雑化することによる。従って、シフトレジスタ内に双方向機能を持たせるには、レイアウトを対称にすることが困難である。 This is because the layout of each circuit element and wiring is complicated because the circuit elements are arranged redundantly in order to provide a bidirectional function in the shift register. Therefore, it is difficult to make the layout symmetrical in order to provide a bidirectional function in the shift register.
レイアウトが非対称の場合、順方向走査と逆方向走査とで、回路動作マージンが異なるため、双方向走査回路の特性は、異なった動作マージンの内、動作マージンの小さい方が双方向走査回路の動作マージンとなってしまう。 When the layout is asymmetrical, the circuit operation margin differs between forward scanning and reverse scanning, so the characteristics of the bidirectional scanning circuit are the operation of the bidirectional scanning circuit with the smaller operating margin among the different operating margins. It becomes a margin.
この問題は、高精細化に伴って、動作周波数が増大することにより顕在化する。特にシフトレジスタを狭ピッチ化させる場合、上記問題を回避するには図34に示す回路の長さLが長くなり、狭額縁化が困難となる。 This problem becomes apparent as the operating frequency increases with higher definition. In particular, when the pitch of the shift register is narrowed, in order to avoid the above problem, the length L of the circuit shown in FIG. 34 becomes long, and it becomes difficult to narrow the frame.
したがって、本発明の主たる目的は、走査方向によって回路動作マージンに差が生じる問題を解消した双方向走査回路を提供することにある。本発明の他の目的は、狭ピッチと狭額縁を両立し、走査方向によって表示性能が劣化することを防止した表示装置を提供することにある。 Therefore, a main object of the present invention is to provide a bidirectional scanning circuit that solves the problem that a difference in circuit operation margin occurs depending on the scanning direction. Another object of the present invention is to provide a display device that has both a narrow pitch and a narrow frame and prevents display performance from being deteriorated depending on the scanning direction.
本願で開示される発明は、前記課題を解決するため概略以下の構成とされる。 The invention disclosed in the present application has the following configuration in order to solve the above-described problems.
本発明に係る半導体回路は、それぞれが単位レジスタを複数有する第1の走査回路と第2の走査回路を備え、前記第1の走査回路と前記第2の走査回路の対応する単位レジスタの出力同士が互いに接続され、前記第1の走査回路と前記第2の走査回路の前記単位レジスタは、制御信号に基づき、出力信号を出力する状態又は出力しない状態に、出力の状態を切り替える回路要素を備えている。本発明において、前記第1及び第2の走査回路の一方が出力信号を出力している期間、他方は出力信号を出力しない状態とされる。 A semiconductor circuit according to the present invention includes a first scanning circuit and a second scanning circuit each having a plurality of unit registers, and outputs of corresponding unit registers of the first scanning circuit and the second scanning circuit are connected to each other. Are connected to each other, and the unit register of the first scanning circuit and the second scanning circuit includes a circuit element that switches an output state to a state of outputting or not outputting an output signal based on a control signal. ing. In the present invention, while one of the first and second scanning circuits is outputting an output signal, the other is in a state of not outputting an output signal.
本発明において、前記第1の走査回路の走査方向と、前記第2の走査回路の走査方向とが相反している。 In the present invention, the scanning direction of the first scanning circuit is opposite to the scanning direction of the second scanning circuit.
本発明において、前記回路要素が、走査方向を指定する信号、又は前記走査方向を指定する信号から生成された信号を、前記制御信号として入力し、オン・オフ制御される第1のスイッチ回路と第2のスイッチ回路を備え、前記第1のスイッチ回路は、前記単位レジスタ内において、前記出力信号を発生する出力用トランジスタのゲート電極と、前記ゲート電極を制御する配線との間に配置され、前記第2のスイッチ回路は、前記第1のスイッチ回路と、前記出力用トランジスタとの間のノードと、前記出力用トランジスタをオフ状態とし得る信号線との間に配置されている。 In the present invention, the circuit element receives a signal designating a scanning direction or a signal generated from a signal designating the scanning direction as the control signal, and the first switch circuit is turned on / off. A second switch circuit, wherein the first switch circuit is disposed in the unit register between a gate electrode of the output transistor that generates the output signal and a wiring that controls the gate electrode; The second switch circuit is disposed between a node between the first switch circuit and the output transistor, and a signal line that can turn off the output transistor.
本発明において、前記第1の走査回路を構成する前記単位レジスタと、前記第2の走査回路を構成する前記単位レジスタの回路構成及び回路配置が、回路動作に影響する範囲において等しい。 In the present invention, the circuit configuration and circuit arrangement of the unit register that constitutes the first scanning circuit and the unit register that constitutes the second scanning circuit are equal in a range that affects circuit operation.
本発明に係る表示装置は、複数の画素が配列された画素アレイと、前記画素を活性化する半導体回路とを具備し、前記半導体回路を、本発明に係る半導体回路で構成し、
前記画素は、前記第1の走査回路、又は前記第2の走査回路を構成する単位レジスタから出力された出力信号によって制御される。
A display device according to the present invention includes a pixel array in which a plurality of pixels are arranged, and a semiconductor circuit that activates the pixels, and the semiconductor circuit is configured by the semiconductor circuit according to the present invention.
The pixel is controlled by an output signal output from a unit register constituting the first scanning circuit or the second scanning circuit.
本発明に係る駆動方法は、
複数の画素が配列された画素アレイと、前記画素アレイを間に相対して配置され、前記複数の画素に走査信号をラインごとに供給する第1、第2の走査回路を備えた表示装置の駆動方法であって、
前記第1の走査回路が出力信号を出力している期間、前記第2の走査回路は出力信号を出力しない状態とされ、
前記第2の走査回路が出力信号を出力している期間、前記第1の走査回路は出力信号を出力しない状態とされ、
前記第1の走査回路の走査方向と、前記第2の走査回路の走査方向とが相反していることを特徴とする。
The driving method according to the present invention includes:
A display device including a pixel array in which a plurality of pixels are arranged, and first and second scanning circuits that are disposed so as to face each other and supply a scanning signal to the plurality of pixels for each line. A driving method comprising:
During the period in which the first scanning circuit outputs an output signal, the second scanning circuit is in a state of not outputting an output signal,
While the second scanning circuit is outputting an output signal, the first scanning circuit is in a state of not outputting an output signal,
The scanning direction of the first scanning circuit and the scanning direction of the second scanning circuit are opposite to each other.
本発明によれば、走査方向によって回路動作マージンに差が生じる問題を解消した双方向走査回路を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the bidirectional | two-way scanning circuit which eliminated the problem which a difference arises in a circuit operation margin with a scanning direction can be provided.
また、本発明によれば、狭ピッチと狭額縁を両立し、走査方向によって表示性能が劣化することを防止した表示装置を提供することができる。 In addition, according to the present invention, it is possible to provide a display device that achieves both a narrow pitch and a narrow frame and prevents display performance from being deteriorated depending on the scanning direction.
上記した本発明についてさらに詳細に説明すべく添付図面を参照して説明する。本発明の半導体回路は、第1の走査回路(例えば図1の5)、及び第2の走査回路(図1の6)を含み、第1の走査回路と第2の走査回路の出力が互いに接続されており、第1の走査回路及び前記第2の走査回路を構成する単位レジスタ(例えば図3の1)が、出力信号を電気的に出力状態、又は非出力状態にする回路要素を有している。一方の走査回路が出力動作している間に、他方の走査回路の出力動作を停止することが可能となり、第1の走査回路、及び第2の走査回路を用いた双方向走査回路が実現できる。 The above-described present invention will be described with reference to the accompanying drawings in order to explain in more detail. The semiconductor circuit of the present invention includes a first scanning circuit (for example, 5 in FIG. 1) and a second scanning circuit (6 in FIG. 1), and outputs of the first scanning circuit and the second scanning circuit are mutually connected. The unit register (for example, 1 in FIG. 3) connected to the first scanning circuit and the second scanning circuit has a circuit element that makes the output signal electrically output or non-output. is doing. While one scanning circuit is performing an output operation, the output operation of the other scanning circuit can be stopped, and a bidirectional scanning circuit using the first scanning circuit and the second scanning circuit can be realized. .
また、本発明の半導体回路は、第1の走査回路が出力信号を出力している期間において、第2の走査回路が出力信号を出力しない状態である、又は前記第2の走査回路が出力信号を出力している期間において、前記第1の走査回路が出力信号を出力しない状態である。一方の走査回路が出力動作している間に、他方の走査回路の出力動作を停止することが可能となり、第1の走査回路、及び第2の走査回路を用いた双方向走査回路を有する表示装置が実現できる。 In the semiconductor circuit of the present invention, the second scanning circuit does not output the output signal during the period in which the first scanning circuit outputs the output signal, or the second scanning circuit outputs the output signal. Is in a state in which the first scanning circuit does not output an output signal. While one scanning circuit is performing an output operation, the output operation of the other scanning circuit can be stopped, and a display having a bidirectional scanning circuit using a first scanning circuit and a second scanning circuit A device can be realized.
本発明の半導体回路は、前記第1の走査回路の走査方向と、前記第2の走査回路の走査方向とが相反している。このため、第1の走査回路と第2の走査回路を用いて双方向走査回路を実現することが出来る。第1の走査回路と第2の走査回路を用いた双方向走査回路を有する表示装置が実現できる。 In the semiconductor circuit of the present invention, the scanning direction of the first scanning circuit is opposite to the scanning direction of the second scanning circuit. Therefore, a bidirectional scanning circuit can be realized using the first scanning circuit and the second scanning circuit. A display device having a bidirectional scanning circuit using the first scanning circuit and the second scanning circuit can be realized.
本発明の半導体回路は、前記回路要素が、走査方向を指定する信号(例えば図3のFW,RV)、又は前記走査方向を指定する信号から生成された信号によってオン・オフ制御される第1のスイッチ回路(例えば図4のTr7等)、及び第2のスイッチ回路(例えば図4のTr8)を備え、第1のスイッチ回路が、前記単位レジスタ内の、前記出力信号を発生する出力用トランジスタ(例えば図4のTr6)のゲート電極と、前記ゲート電極を制御する配線(例えば図4のノードB)との間に配置され、前記第2のスイッチ回路が、前記第1のスイッチ回路(Tr7)と前記出力用トランジスタ(Tr6)との間のノードと、前記出力用トランジスタ(Tr6)をオフ状態とし得る信号線(VSS)との間に配置されている。 In the semiconductor circuit of the present invention, the circuit element is first controlled to be turned on / off by a signal designating a scanning direction (for example, FW, RV in FIG. 3) or a signal generated from the signal designating the scanning direction. Switch circuit (eg, Tr7 in FIG. 4) and a second switch circuit (eg, Tr8 in FIG. 4), and the first switch circuit generates an output signal in the unit register. (For example, Tr6 in FIG. 4) and a wiring for controlling the gate electrode (for example, Node B in FIG. 4), the second switch circuit is the first switch circuit (Tr7). ) And the output transistor (Tr6) and a signal line (VSS) that can turn off the output transistor (Tr6).
このため、第1のスイッチ回路および第2のスイッチ回路をオン状態、又はオフ状態とすることにより、走査回路の出力信号を出力する状態、又は出力しない状態に制御することが可能となる。第1のスイッチ回路(Tr7)がオン、第2のスイッチ回路(Tr8)がオフのとき出力信号を出力する状態、第1のスイッチ回路(Tr7)がオフ、第2のスイッチ回路(Tr8)がオンのとき出力しない状態とされる。 For this reason, by setting the first switch circuit and the second switch circuit to an on state or an off state, it is possible to control to output or not output an output signal of the scanning circuit. A state in which an output signal is output when the first switch circuit (Tr7) is on and the second switch circuit (Tr8) is off, the first switch circuit (Tr7) is off, and the second switch circuit (Tr8) is off When turned on, no output is made.
また、本発明の半導体回路は、前記回路要素が、走査方向を指定する信号、又は前記走査方向を指定する信号から生成された信号によってオン・オフ制御される第1乃至第4のスイッチ回路を備えている。 In the semiconductor circuit of the present invention, the circuit elements include first to fourth switch circuits that are on / off controlled by a signal designating a scanning direction or a signal generated from the signal designating the scanning direction. I have.
前記第1のスイッチ回路(例えば図10のTr7)は、前記単位レジスタ内の、前記出力信号を発生する第1の出力用トランジスタ(図10のTr6)のゲート電極と、前記ゲート電極を制御する配線(図10のTr1とTr2の接続点)との間に配置されている。 The first switch circuit (for example, Tr7 in FIG. 10) controls the gate electrode of the first output transistor (Tr6 in FIG. 10) that generates the output signal in the unit register and the gate electrode. It is arranged between the wirings (connection point between Tr1 and Tr2 in FIG. 10).
前記第2のスイッチ回路(図10のTr8)は、前記第1のスイッチ回路(Tr7)と、前記第1の出力用トランジスタ(図10のTr6)との間のノードと、前記第1の出力用トランジスタをオフ状態とし得る信号線(VSS)との間に配置されている。 The second switch circuit (Tr8 in FIG. 10) includes a node between the first switch circuit (Tr7) and the first output transistor (Tr6 in FIG. 10), and the first output. And a signal line (VSS) that can turn off the transistor for use.
前記第3のスイッチ回路(図10のTr9)は、前記単位レジスタ内の、前記第1の出力用トランジスタとは異なる電位の制御信号を発生する第2の出力用トランジスタ(Tr5)のゲート電極と、前記ゲート電極を制御する配線(Tr3とTr4の接続点)との間に配置されている。 The third switch circuit (Tr9 in FIG. 10) includes a gate electrode of a second output transistor (Tr5) that generates a control signal having a potential different from that of the first output transistor in the unit register. , Between the wiring (the connection point of Tr3 and Tr4) for controlling the gate electrode.
前記第4のスイッチ回路(図10のTr10)は、前記第3のスイッチ回路(Tr9)と、前記第2の出力用トランジスタ(Tr5)との間のノードと、前記第2の出力用トランジスタをオフ状態とし得る信号線(VSS)との間に配置されている。かかる構成において、第1のスイッチ回路、第2のスイッチ回路、第3のスイッチ回路、および第4のスイッチ回路をそれぞれオン状態、又はオフ状態とすることにより、走査回路の出力信号を出力する状態、又は出力しない状態に制御することが可能となる。 The fourth switch circuit (Tr10 in FIG. 10) includes a node between the third switch circuit (Tr9) and the second output transistor (Tr5), and the second output transistor. It is arranged between the signal line (VSS) that can be turned off. In such a configuration, the first switch circuit, the second switch circuit, the third switch circuit, and the fourth switch circuit are each turned on or turned off to output the scanning circuit output signal. Or, it is possible to control to a state of not outputting.
本発明の半導体回路は、前記回路要素が、走査方向を指定する信号、又は前記走査方向を指定する信号から生成された信号によってオン・オフ制御される第1のスイッチ回路(例えば図14のTr12)、及び第2のスイッチ回路(図14のTr11)と、
前記出力信号を発生する第1の出力用トランジスタ(図14のTr6)、及び第2の出力用トランジスタ(Tr5)と、
前記第1の出力用トランジスタ(Tr6)、及び第2の出力用トランジスタ(Tr5)をオフ状態とする第1の制御信号線(VSS)と、前記第1の制御信号線とは異なる電位の第2の制御信号線(CLK(n))と、
前記単位レジスタの出力信号を転送する出力信号線(OUT)と、
を備えている。
The semiconductor circuit according to the present invention includes a first switch circuit in which the circuit element is controlled to be turned on / off by a signal designating a scanning direction or a signal generated from a signal designating the scanning direction (for example, Tr12 in FIG. 14). ), And a second switch circuit (Tr11 in FIG. 14),
A first output transistor (Tr6 in FIG. 14) that generates the output signal, and a second output transistor (Tr5);
A first control signal line (VSS) for turning off the first output transistor (Tr6) and the second output transistor (Tr5), and a first control signal line having a potential different from that of the first control signal line. Two control signal lines (CLK (n));
An output signal line (OUT) for transferring the output signal of the unit register;
It has.
前記第1のスイッチ回路(Tr12)は、前記出力信号線(OUT)と、前記第1の制御信号線との間に設置されている。前記第2のスイッチ回路(Tr11)は、前記出力信号線(OUT)と、前記第2の制御信号線との間に設置されている。このため、第1のスイッチ回路、及び第2のスイッチ回路をそれぞれオン状態、又はオフ状態とすることにより、走査回路の出力信号を出力する状態、又は出力しない状態に制御することが可能となる。 The first switch circuit (Tr12) is disposed between the output signal line (OUT) and the first control signal line. The second switch circuit (Tr11) is disposed between the output signal line (OUT) and the second control signal line. For this reason, by setting the first switch circuit and the second switch circuit to the on state or the off state, respectively, it is possible to control the state in which the output signal of the scanning circuit is output or not output. .
また、本発明の半導体回路は、前記回路要素が、走査方向を指定する信号、又は前記走査方向を指定する信号から生成された信号によってオン・オフ制御されるスイッチ回路(図21のN3)と、
NMOSトランジスタ(N1)とPMOSトランジスタ(P1)から構成されたインバータ回路と、
高電位電源線、及び低電位電源線と、前記単位レジスタの出力信号を転送する出力信号線から構成されており、
前記スイッチ回路(N3)が、低電位電源線(VSS)と、出力信号線(OUT)との間、又は高電位電源線(VDD)と出力信号線(OUT)との間に配置されている。このため、スイッチ回路をオン状態、又はオフ状態とすることにより、走査回路の出力信号を出力する状態、又は出力しない状態に制御することが可能となる。
The semiconductor circuit of the present invention includes a switch circuit (N3 in FIG. 21) in which the circuit element is controlled to be turned on / off by a signal designating a scanning direction or a signal generated from a signal designating the scanning direction. ,
An inverter circuit composed of an NMOS transistor (N1) and a PMOS transistor (P1);
It is composed of a high potential power line, a low potential power line, and an output signal line for transferring the output signal of the unit register,
The switch circuit (N3) is disposed between the low potential power supply line (VSS) and the output signal line (OUT), or between the high potential power supply line (VDD) and the output signal line (OUT). . For this reason, by setting the switch circuit to the on state or the off state, it is possible to control the state in which the output signal of the scanning circuit is output or not output.
また、本発明の半導体回路は、前記回路要素が、走査方向を指定する信号、又は前記走査方向を指定する信号から生成された信号によってオン・オフ制御される第1のスイッチ回路(図25のN3)、および第2のスイッチ回路(図25のP3)と、
NMOSトランジスタ(N1)とPMOSトランジスタ(P1)とから構成されたインバータ回路と、
高電位電源線、及び低電位電源と、前記単位レジスタの出力信号を転送する出力信号線から構成されており、
前記第1のスイッチ回路(N3)が、低電位電源線(VSS)と、出力信号線(OUT)との間に設置され、
前記第2のスイッチ回路(P3)が、高電位電源線(VDD)と、出力信号線(OUT)との間に設置されている。
The semiconductor circuit of the present invention includes a first switch circuit in which the circuit element is controlled to be turned on / off by a signal designating a scanning direction or a signal generated from a signal designating the scanning direction (see FIG. 25). N3), and a second switch circuit (P3 in FIG. 25);
An inverter circuit composed of an NMOS transistor (N1) and a PMOS transistor (P1);
It is composed of a high potential power line, a low potential power source, and an output signal line for transferring the output signal of the unit register,
The first switch circuit (N3) is installed between a low potential power line (VSS) and an output signal line (OUT),
The second switch circuit (P3) is provided between the high potential power supply line (VDD) and the output signal line (OUT).
このため、第1のスイッチ回路、及び第2のスイッチ回路をそれぞれオン状態、又はオフ状態とすることにより、走査回路の出力信号を出力する状態、又は出力しない状態に制御することが可能となる。 For this reason, by setting the first switch circuit and the second switch circuit to the on state or the off state, respectively, it is possible to control the state in which the output signal of the scanning circuit is output or not output. .
また、本発明の半導体回路は、前記回路要素が、走査方向を指定する信号、又は前記走査方向を指定する信号から生成された信号によってオン・オフ制御されるスイッチ回路(P3、N3)を備え、前記出力信号を発生する回路が、NMOSトランジスタとPMOSトランジスタとから構成されたインバータ回路(P1とN1、P2とN2)を備え、前記スイッチ回路が、前記出力信号配線(OUT)と、前記インバータ回路の出力ノード(P2とN2の接続点)との間に配置されている。このため、スイッチ回路をオン状態、又はオフ状態とすることにより、走査回路の出力信号を出力する状態、又は出力しない状態に制御することが可能となる。 In the semiconductor circuit of the present invention, the circuit element includes a switch circuit (P3, N3) that is turned on / off by a signal that specifies a scanning direction or a signal that is generated from a signal that specifies the scanning direction. The circuit for generating the output signal includes inverter circuits (P1 and N1, P2 and N2) composed of NMOS transistors and PMOS transistors, and the switch circuit includes the output signal wiring (OUT) and the inverter. It is arranged between the output nodes of the circuit (connection point of P2 and N2). For this reason, by setting the switch circuit to the on state or the off state, it is possible to control the state in which the output signal of the scanning circuit is output or not output.
また、本発明の表示装置は、複数の画素が配列された画素アレイと、前記画素を活性化する半導体回路とを具備した表示装置において、前記画素は、前記第1の走査回路(5)、前記第2の走査回路(6)を構成する単位レジスタから出力された出力信号によって制御され、前記第1の走査回路、及び前記第2の走査回路の出力が互いに共通であって、前記単位レジスタ内に、出力信号を出力する状態、又は出力しない状態とする回路要素を有する。このため、一方の走査回路が出力動作している間に、他方の走査回路の出力動作を停止することが可能となり、第1の走査回路、及び第2の走査回路を用いた表示装置が実現できる。 Further, the display device of the present invention is a display device including a pixel array in which a plurality of pixels are arranged and a semiconductor circuit that activates the pixels, and the pixels include the first scanning circuit (5), Controlled by an output signal output from a unit register constituting the second scanning circuit (6), the outputs of the first scanning circuit and the second scanning circuit are common to each other, and the unit register A circuit element that outputs or does not output an output signal. Therefore, it is possible to stop the output operation of the other scanning circuit while one of the scanning circuits is performing the output operation, and a display device using the first scanning circuit and the second scanning circuit is realized. it can.
また、本発明の半導体回路の駆動方法は、前記第1の走査回路が出力信号を出力している期間において、前記第2の走査回路が出力信号を出力しない状態である、又は前記第2の走査回路が出力信号を出力している期間において、前記第1の走査回路が出力信号を出力しない状態に制御する(図8)。このため、一方の走査回路が出力動作している間に、他方の走査回路の出力動作を停止することが可能となり、第1の走査回路、及び第2の走査回路を用いた走査回路が実現できる。 In the semiconductor circuit driving method of the present invention, the second scanning circuit does not output an output signal during the period in which the first scanning circuit outputs an output signal, or the second scanning circuit Control is performed so that the first scanning circuit does not output an output signal during a period in which the scanning circuit outputs an output signal (FIG. 8). For this reason, it is possible to stop the output operation of the other scanning circuit while one of the scanning circuits is performing the output operation, thereby realizing a scanning circuit using the first scanning circuit and the second scanning circuit. it can.
また、本発明の表示装置の駆動方法は、前記第1の走査回路が出力信号を出力している期間において、前記第2の走査回路が出力信号を出力しない状態である、又は前記第2の走査回路が出力信号を出力している期間において、前記第1の走査回路が出力信号を出力しない状態である、ことを特徴としている。このため、一方の走査回路が出力動作している間に、他方の走査回路の出力動作を停止することが可能となり、第1の走査回路、及び第2の走査回路を用いた表示装置が実現できる。 In the display device driving method of the present invention, the second scanning circuit may not output an output signal during the period in which the first scanning circuit outputs an output signal, or the second scanning circuit may In the period during which the scanning circuit outputs an output signal, the first scanning circuit does not output an output signal. Therefore, it is possible to stop the output operation of the other scanning circuit while one of the scanning circuits is performing the output operation, and a display device using the first scanning circuit and the second scanning circuit is realized. it can.
また、本発明の半導体回路、又は表示装置は、前記第1の走査回路を構成する前記単位レジスタと、前記第2の走査回路を構成する前記単位レジスタの回路構成及び回路配置が、回路動作に影響する範囲において、ほぼ等しい。このため、第1の走査回路の動作特性と、第2の走査回路の動作特性に差が生じることを抑制することが可能となる。さらに、第1の走査回路と第2の走査回路を具備した表示装置においては、走査方向により、表示品質が劣化することを抑制できる。 Further, in the semiconductor circuit or the display device of the present invention, the circuit configuration and circuit arrangement of the unit register constituting the first scanning circuit and the unit register constituting the second scanning circuit are improved in circuit operation. In the affected range, it is almost equal. For this reason, it is possible to suppress a difference between the operating characteristics of the first scanning circuit and the operating characteristics of the second scanning circuit. Further, in the display device including the first scanning circuit and the second scanning circuit, it is possible to suppress the display quality from being deteriorated depending on the scanning direction.
また、本発明の半導体回路、又は表示装置は、方向と、前記第2の走査回路の走査方向とが相反している。このため、第1の走査回路と第2の走査回路を用いて双方向走査回路を実現することが出来る。第1の走査回路と第2の走査回路を用いた双方向走査回路を有する表示装置が実現できる。 In the semiconductor circuit or the display device of the present invention, the direction and the scanning direction of the second scanning circuit are contradictory. Therefore, a bidirectional scanning circuit can be realized using the first scanning circuit and the second scanning circuit. A display device having a bidirectional scanning circuit using the first scanning circuit and the second scanning circuit can be realized.
また、本発明の半導体回路、又は表示装置は、前記第1の走査回路、及び前記第2の走査回路がNMOSトランジスタ、又はPMOSトランジスタで形成してもよい。CMOSトランジスタの構成に比べて、トランジスタ基板の作製コストを抑制することができるため、低コストの半導体回路、又は表示装置を実現することができる。本発明において、走査回路のトランジスタ素子は、画素パネルの画素トランジスタ(TFT)と同一の製造工程で作製されるトランジスタを用いてもよい(アモルファスシリコンTFT、ポリシリコンTFT等) In the semiconductor circuit or the display device of the present invention, the first scanning circuit and the second scanning circuit may be formed of an NMOS transistor or a PMOS transistor. Since the manufacturing cost of the transistor substrate can be suppressed as compared with the structure of the CMOS transistor, a low-cost semiconductor circuit or display device can be realized. In the present invention, the transistor element of the scanning circuit may be a transistor manufactured in the same manufacturing process as the pixel transistor (TFT) of the pixel panel (amorphous silicon TFT, polysilicon TFT, etc.).
また、本発明の半導体回路、又は表示装置は、前記第1の走査回路、及び前記第2の走査回路をCMOSで形成してもよい。このため、走査回路の出力が低電位電源から高電位電源までのフル振幅で行うことができる。以下実施例に即して説明する。 In the semiconductor circuit or the display device of the present invention, the first scanning circuit and the second scanning circuit may be formed of CMOS. Therefore, the output of the scanning circuit can be performed with full amplitude from the low potential power source to the high potential power source. Hereinafter, description will be made with reference to examples.
<実施例1>
本発明の第1の実施例について説明する。図1は、本実施例の表示装置を示す構成を示す図である。図2は、図1のA−A’線の断面を模式的に示す図である。図3(a)、(b)は、本実施例の走査回路の構成を示すブロック図である。図4は、本実施例のシフトレジスタ(単位レジスタ)の構成を示す図である。図5は、本実施例の表示装置の画素部分の回路構成を示す図である。
<Example 1>
A first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of the display device according to the present embodiment. FIG. 2 is a diagram schematically showing a cross section taken along line AA ′ of FIG. FIGS. 3A and 3B are block diagrams showing the configuration of the scanning circuit of this embodiment. FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the shift register (unit register) of this embodiment. FIG. 5 is a diagram showing a circuit configuration of a pixel portion of the display device of this embodiment.
図1を参照すると、本実施例の表示装置は、回路基板3上に、表示部4、第1の走査回路5、第2の走査回路6、ゲートバスライン7、ソースIC8、端子列9、データバスライン10が設置されている。表示部4は、図5に示す画素が複数配置されている。
Referring to FIG. 1, the display device of this embodiment includes a
図2を参照すると、本実施例の表示装置は、回路基板3、対向基板14、液晶層(液晶部)11を備え、液晶層11は、回路基板3、及び、対向基板14、及び、図示されないギャップ制御手段等によって狭持されている。
Referring to FIG. 2, the display device of this embodiment includes a
第1の走査回路、及び第2の走査回路は、それぞれ図3(a)、図3(b)に示す構成である。それぞれの走査回路は、配線群(CLK1、CLK2、CLK3、ST1(又はST2)、FW、RV)で制御されている。 The first scanning circuit and the second scanning circuit have the configurations shown in FIGS. 3A and 3B, respectively. Each scanning circuit is controlled by a wiring group (CLK1, CLK2, CLK3, ST1 (or ST2), FW, RV).
ゲートバスライン7は、第1の走査回路5の出力と、第2の走査回路6の出力とが互いに接続されている。
In the
図4に示すとおり、本実施例のシフトレジスタ1は、トランジスタTr1〜トランジスタTr8を備え、IN、CLK(n)、CLK(n+1)、OUT、VSS、D1、D2からなる端子を有する。
As shown in FIG. 4, the
図4を参照すると、シフトレジスタ1(単位レジスタ)は、ゲートとドレインがクロック端子CLK(n+1)端子に接続されたNMOSトランジスタTr1と、NMOSトランジスタTr1のソースにドレインが接続されゲートがINに接続されソースがVSSに接続されたNMOSトランジスタTr2と、ゲートとドレインが端子INに接続されたNMOSトランジスタTr3と、NMOSトランジスタTr3のソース(ノードA)にドレインが接続され、NMOSトランジスタTr2のドレイン(ノードB)にゲート接続されソースがVSSに接続されたNMOSトランジスタTr4と、ドレインがCLK(n)端子に接続され、NMOSトランジスタTr3のソース(ノードA)にゲートが接続され、ドレインが端子OUTに接続されたNMOSトランジスタTr5と、ドレインが端子OUTに接続され、ソースがVSSに接続されたNMOSトランジスタTr6と、NMOSトランジスタTr2のドレインとNMOSトランジスタTr6のゲート間に接続され、ゲートが端子D1に接続されたNMOSトランジスタTr7と、NMOSトランジスタTr6のゲートにドレインが接続され、ゲートが端子D2に接続され、ソースがVSSに接続されたNMOSトランジスタTr8を備えている。 Referring to FIG. 4, the shift register 1 (unit register) has an NMOS transistor Tr1 whose gate and drain are connected to the clock terminal CLK (n + 1) terminal, a drain connected to the source of the NMOS transistor Tr1, and a gate connected to IN. The drain is connected to the NMOS transistor Tr2 whose source is connected to VSS, the NMOS transistor Tr3 whose gate and drain are connected to the terminal IN, the source (node A) of the NMOS transistor Tr3, and the drain (node) of the NMOS transistor Tr2. B) NMOS transistor Tr4 whose gate is connected to the source and whose source is connected to VSS, the drain is connected to the CLK (n) terminal, the gate is connected to the source (node A) of the NMOS transistor Tr3, and the drain is connected to the terminal OUT. The The NMOS transistor Tr5 has a drain connected to the terminal OUT, an NMOS transistor Tr6 whose source is connected to VSS, a drain connected to the NMOS transistor Tr2 and the gate of the NMOS transistor Tr6, and a gate connected to the terminal D1. The NMOS transistor Tr7 includes an NMOS transistor Tr8 having a drain connected to the gate of the NMOS transistor Tr6, a gate connected to the terminal D2, and a source connected to VSS.
トランジスタTr1は、CLK(n+1)のハイレベル信号を受けて、ハイレベル(実際はハイレベルからトランジスタTr1のしきい値電圧分低下した電圧)を、ノードBへ転送する。 The transistor Tr1 receives the high level signal of CLK (n + 1), and transfers the high level (actually, a voltage that is reduced from the high level by the threshold voltage of the transistor Tr1) to the node B.
トランジスタTr2は、端子IN(又は前段のOUT)の電位をゲートに受けてオンしノードBの電位をVSS電圧とする。 The transistor Tr2 receives the potential of the terminal IN (or the previous OUT) at the gate and is turned on to set the potential of the node B to the VSS voltage.
トランジスタTr3は、ゲートに端子IN(又は前段のOUT)の電位を受け、ノードAにハイレベル(実際はハイレベルからトランジスタTr3のしきい値電圧分低下した電圧)を供給する。 The transistor Tr3 receives the potential of the terminal IN (or the previous OUT) at the gate, and supplies the node A with a high level (actually, a voltage that is reduced from the high level by the threshold voltage of the transistor Tr3).
トランジスタTr4は、ゲートにノードBの電位を受け、ノードBがハイレベルのとき(トランジスタTr1がオンでトランジスタTr2がオフのとき)、ノードAにVSS電圧を供給する。 The transistor Tr4 receives the potential of the node B at its gate, and supplies the VSS voltage to the node A when the node B is at a high level (when the transistor Tr1 is on and the transistor Tr2 is off).
トランジスタTr5は、ゲートにノードAの電位を受け、オンし、OUTへCLK(n)信号を出力する。 The transistor Tr5 receives the potential of the node A at its gate, turns on, and outputs a CLK (n) signal to OUT.
トランジスタTr6は、ゲートにノードBの電位を受け、ノードBがハイレベルのときOUTの電位をVSS電圧にする。 The transistor Tr6 receives the potential of the node B at its gate, and sets the potential of OUT to the VSS voltage when the node B is at a high level.
トランジスタTr7はゲートにD1信号を受けオン・オフ制御され、オフ時には、トランジスタTr6のゲートと、ノードB(トランジスタTr4のゲート、及びトランジスタTr1のソースとトランジスタTr2のドレインの接続点)を分離する。 The transistor Tr7 receives the D1 signal at the gate and is turned on / off. When the transistor Tr7 is turned off, the gate of the transistor Tr6 and the node B (the connection point between the gate of the transistor Tr4 and the source of the transistor Tr1 and the drain of the transistor Tr2) are separated.
トランジスタTr8は、ゲートにD2信号を受けてオン・オフ制御され、オン時には、トランジスタTr6のゲートとVSSとを短絡する。 The transistor Tr8 is ON / OFF controlled by receiving the D2 signal at the gate, and when ON, the gate of the transistor Tr6 and VSS are short-circuited.
1段目のシフトレジスタ1のCLK(n)端子とCLK(n+1)端子はCLK1とCLK2に接続される。
The CLK (n) terminal and the CLK (n + 1) terminal of the first-
2段目のシフトレジスタ1のCLK(n)端子とCLK(n+1)端子はCLK2とCLK3に接続される。
The CLK (n) terminal and the CLK (n + 1) terminal of the second-
3段目のシフトレジスタ1のCLK(n)端子とCLK(n+1)端子はCLK3とCLK1に接続される。
The CLK (n) terminal and the CLK (n + 1) terminal of the third-
4段目から6段目のシフトレジスタ1のCLK(n)端子とCLK(n+1)端子は、1段目から3段目の接続が繰り返され、7段目以降も同様とされる。
The CLK (n) terminal and the CLK (n + 1) terminal of the fourth to sixth
ST1(ST2)は、転送を開始するための制御信号であり、1段目(図3(a)中の一番上にあるシフトレジスタ1又は図3(b)中の一番下にあるシフトレジスタ)のIN端子に入力される。
ST1 (ST2) is a control signal for starting transfer, and is the first stage (
ST1は第1走査回路5に入力され、ST2は第2走査回路6に入力される。
ST1 is input to the
次段以降のシフトレジスタ1のIN端子には、前段のOUTが入力される。
The previous stage OUT is input to the IN terminal of the
FW、及びRVは走査方向を規定するための制御信号であり、それぞれシフトレジスタ1のD1端子、及びD2端子に接続される。ここで、第1の走査回路5と第2の走査回路6とでは接続が異なる。
FW and RV are control signals for defining the scanning direction, and are connected to the D1 terminal and D2 terminal of the
第1の走査回路5のD1端子、D2端子は、FW信号、RV信号が接続され、
第2の走査回路6のD2端子、D1端子は、FW信号、RV信号が接続される。
The D1 terminal and D2 terminal of the
The FW signal and the RV signal are connected to the D2 terminal and the D1 terminal of the second scanning circuit 6.
第1の走査回路5と第2の走査回路6とは、走査方向が相反する。例えば図1に記載しているように、第1の走査回路5は、ST1が、シフトレジスタ11のINに入力され、下方向へ走査していくのに対し、図3(b)の第2の走査回路6では、ST2がシフトレジスタ1の端子(IN)に入力され、上方向へ走査していく。
The
図5に示す例では、画素は、スイッチトランジスタ13、液晶部(液晶部容量)11、保持容量12を備えて構成されている。
In the example illustrated in FIG. 5, the pixel includes a
スイッチトランジスタ13は、ゲート部にゲートバスライン7が接続され、ソース−ドレイン部にデータバスライン10、及び液晶部容量11と保持容量12の電極がそれぞれ接続されている。
The
液晶部容量11と保持容量12のもう一方の電極は、対向基板と電気的にそれぞれ接続されている。
The other electrodes of the liquid
ソースIC8は、図示されない外部接続機器から端子列9を経由して入力された映像表示用データ信号を受けて、データバスライン10へ供給するための回路である。
The source IC 8 is a circuit for receiving a video display data signal input from an external connection device (not shown) via the terminal array 9 and supplying the data signal to the
ソースIC8は、回路基板3とは別の基板上に形成されたトランジスタ回路チップが、回路基板3上に電気的にCOG実装されている。
In the source IC 8, a transistor circuit chip formed on a substrate different from the
このように、本実施例においては、表示部4の両側に第1の走査回路5、及び第2の走査回路6を具備し、第1の走査回路5と第2の走査回路6とは、各々の走査方向が互いに相反している。
Thus, in this embodiment, the
第1の実施例の動作について説明する。図1を用いて、本実施例の表示装置の動作について説明する。 The operation of the first embodiment will be described. The operation of the display device of this embodiment will be described with reference to FIG.
第1の走査回路5と第2の走査回路6のいずれか一方が出力動作し、他方が出力停止する。
Either the
また、各々の走査回路の走査方向は、互いに相反している。例えば、第1の走査回路5の走査方向を図1の下方と設定した場合、第2の走査回路6の走査方向は図1の上方へ設定する。
Further, the scanning directions of the scanning circuits are opposite to each other. For example, when the scanning direction of the
走査回路の出力信号は対応するゲートバスライン7に転送され、表示部4の画素群のうち、当該ゲートバスライン7に接続されている画素が全て活性化状態となる。
The output signal of the scanning circuit is transferred to the corresponding
図示されない外部接続機器より出力された映像信号が、端子列9、ソースIC8を経由してデータバスライン10に転送されている。
A video signal output from an external connection device (not shown) is transferred to the
この状態において、当該活性化された画素群に対して、対応するデータバスライン10から転送された映像信号が入力される。各画素は、入力された映像信号に従い、例えば図示されない光源の透過率を制御する。
In this state, the video signal transferred from the corresponding
上記動作を繰り返すことによって、走査回路は、順次、ゲートバスライン7を駆動する。このように、1フレーム期間内に全ゲートバスライン7を選択し、各ゲートバスライン7に接続された画素に対応した映像信号を各画素に入力することにより、1フレーム期間内に全ての画素の表示状態を変更することが可能となる。
By repeating the above operation, the scanning circuit sequentially drives the
従って、表示部4は1フレーム期間毎に表示状態を遷移させることにより、表示装置の機能を果たすことが出来る。
Therefore, the
以下、走査回路の動作について、図4に示したNMOSトランジスタで構成されたシフトレジスタ1の動作について、図8を用いて説明する。
Hereinafter, the operation of the scanning circuit will be described with reference to FIG. 8 with respect to the operation of the
図8は、本実施例の動作を示すタイミングチャートである。本実施例の表示装置は、第1の走査回路5がゲートバスライン7に画素のスイッチングトランジスタ13を駆動するゲート信号を供給している間は、第2の走査回路6は、ゲートバスライン7への出力を停止させる。
FIG. 8 is a timing chart showing the operation of the present embodiment. In the display device of this embodiment, while the
逆に、第2の走査回路6が駆動中においては、第1の走査回路5は出力を停止している。この役割を果たすのは、トランジスタTr7及びトランジスタTr8とFW信号、及びRV信号である。
Conversely, while the second scanning circuit 6 is being driven, the
図8に示したタイミングチャートは、第1の走査回路5が駆動している期間(T1)と、第2の走査回路が駆動している期間(T2)とに分かれている。
The timing chart shown in FIG. 8 is divided into a period (T1) in which the
期間T1において、FWはハイレベル、RVはローレベルを維持している。すなわち、第1の走査回路5の各シフトレジスタ1のトランジスタTr7がオン状態、トランジスタTr8はオフ状態を維持していることになる。
In the period T1, FW is maintained at a high level and RV is maintained at a low level. That is, the transistor Tr7 of each
この状態において、ST1のハイレベルが第1の走査回路5の1段目のシフトレジスタのIN端子に入力されると、トランジスタTr2のゲートがオン状態に遷移し、ノードBにローレベルが印加される。また同時にトランジスタTr3が活性化されるため、ノードAにはハイレベル(実際はハイレベルからトランジスタTr3のしきい値電圧分低下した電圧)が入力される。
In this state, when the high level of ST1 is input to the IN terminal of the first-stage shift register of the
この状態において、ST1のレベルがローレベルに遷移し、CLK1がローレベルからハイレベルへ遷移すると、ブートストラップ効果によって、ノードAの電位が上昇し、CLK1のハイレベルが電位低下することなくOUT1(図3(a)の1番目のシフトレジスタの出力OUTをOUT1という)へ転送される。 In this state, when the level of ST1 transitions to the low level and CLK1 transitions from the low level to the high level, the potential of the node A rises due to the bootstrap effect, and the high level of CLK1 does not decrease and the potential of OUT1 ( The output OUT of the first shift register in FIG. 3A is transferred to OUT1).
OUT1の配線は、2段目のシフトレジスタ1のIN端子に接続されているため、OUT1の出力がハイレベルに遷移されたことにより、ちょうど1段目にST1が入力されたことと同じ状態となる。
Since the wiring of OUT1 is connected to the IN terminal of the
OUT1のハイレベルがローレベルに遷移し、CLK2がローレベルからハイレベルに遷移すると、2段目のシフトレジスタ1のOUT2も同様にハイレベルへ遷移する。
When the high level of OUT1 changes to low level and CLK2 changes from low level to high level, OUT2 of the second-
OUT2が3段目のスタート信号の役割を果たし、CLK3によってOUT3も同様にハイレベルへ遷移する。 OUT2 serves as a start signal for the third stage, and OUT3 similarly transitions to a high level in response to CLK3.
このように、順次シフトレジスタ1は端子(OUT)に出力するのと同時に、次段への転送も行うことにより、タイミングチャートに示すとおりOUT1、OUT2、OUT3、・・・の波形に示す駆動を行っていく。
In this manner, the
この間、第2走査回路6は、ST2がローレベル、FWがハイレベル、RVがローレベルに維持されているため、第2走査回路6内のシフトレジスタ1は、全て、非活性化状態を維持することとなる。
During this time, since the second scanning circuit 6 is maintained at the low level ST2, the high level FW, and the low level RV, all the
トランジスタTr7はオフ状態、トランジスタTr8はオン状態であるため、トランジスタTr6のゲートにはローレベルが印加され、トランジスタTr6はオフ状態となっている。 Since the transistor Tr7 is off and the transistor Tr8 is on, a low level is applied to the gate of the transistor Tr6 and the transistor Tr6 is off.
また、トランジスタTr5は、ノードAがローレベルのため、オフ状態となっている。 The transistor Tr5 is off because the node A is at a low level.
第1の走査回路5が駆動しているため、対応するシフトレジスタ1のOUT端子がハイレベルになると同時にOUT端子に接続されているゲートバスライン7もハイレベルに遷移する。
Since the
このとき、共有している第2の走査回路6の対応するシフトレジスタ1のトランジスタTr6がオフ状態を維持している。このため、トランジスタTr6を経由してVSS電源側に、定常電流が流れることを防止することができる。
At this time, the transistor Tr6 of the
期間T2では、第2の走査回路6がゲートバスライン7にゲート信号を供給する。また、第1の走査回路5はゲートバスライン7への出力を停止する。すなわち、T1期間における第1の走査回路5の駆動方法を、第2の走査回路6に適用し、T1期間における第2の走査回路6の駆動方法を、第1の走査回路5に適用すればよい。
In the period T2, the second scanning circuit 6 supplies a gate signal to the
以上説明したとおり本実施例により、NMOSで構成されたトランジスタ回路を用いた双方向走査回路を有する表示装置を実現できる。 As described above, according to this embodiment, a display device having a bidirectional scanning circuit using a transistor circuit composed of NMOS can be realized.
<実施例2>
次に本発明の第2の実施例について説明する。本発明の第2の実施例の表示装置の構成は、第1の実施例と同様、図1、及び図2に示した構成とされる。ただし、表示部4を構成する画素は、図7に示したPMOSトランジスタの構成である。ゲートとドレインが端子CLK(n+1)端子に接続されたPMOSトランジスタTr1と、PMOSトランジスタTr1のソースにドレインが接続されゲートがINに接続されソースがVDDに接続されたPMOSトランジスタTr2と、ゲートとドレインが端子INに接続されたPMOSトランジスタTr3と、PMOSトランジスタTr3のソース(ノードA)にドレインが接続され、PMOSトランジスタTr2のドレイン(ノードB)にゲート接続されソースがVDDに接続されたPMOSトランジスタTr4と、ドレインがCLK(n)端子に接続され、PMOSトランジスタTr3のソース(ノードA)にゲートが接続され、ドレインが端子OUTに接続されたPMOSトランジスタTr5と、ドレインが端子OUTに接続され、ソースがVDDに接続されたPMOSトランジスタTr6と、PMOSトランジスタTr2のドレインとPMOSトランジスタTr6のゲート間に接続され、ゲートが端子D1に接続されたPMOSトランジスタTr7と、PMOSトランジスタTr6のゲートにドレインが接続され、ゲートが端子D2に接続され、ソースがVSSに接続されたPMOSトランジスタTr8を備えている。
<Example 2>
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The configuration of the display device according to the second embodiment of the present invention is the same as that shown in FIGS. 1 and 2 as in the first embodiment. However, the pixels constituting the
本実施例の走査回路の構成についても、前記第1の実施例と同様、図3(a)、(b)に示した構成とされる。 The configuration of the scanning circuit of this embodiment is the same as that shown in FIGS. 3A and 3B as in the first embodiment.
本実施例は、走査回路を構成するシフトレジスタ1の構成が第1の実施例と異なるため、図6を用いて本実施例のシフトレジスタ1の構成について説明する。
Since the present embodiment differs from the first embodiment in the configuration of the
図6は、PMOSトランジスタで構成されたシフトレジスタ1の構成を示す回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of the
図6に示すとおり、第2の実施例のシフトレジスタ1は、トランジスタTr1〜トランジスタTr8を備え、IN、CLK(n)、CLK(n+1)、OUT、VSS、D1、D2からなる端子を有する。
As shown in FIG. 6, the
ここで、トランジスタTr1は、CLK(n+1)のローレベル信号を受けてローレベル(実際はローレベルからトランジスタTr1のしきい値電圧分上昇した電圧)を、ノードBへ転送する。 Here, the transistor Tr1 receives the low level signal of CLK (n + 1) and transfers the low level (actually, the voltage increased from the low level by the threshold voltage of the transistor Tr1) to the node B.
トランジスタTr2は、IN(又は前段のOUT)を受けてVDD電圧をノードBへ供給する。 The transistor Tr2 receives IN (or the previous OUT) and supplies the VDD voltage to the node B.
トランジスタTr3は、IN(又は前段のOUT)を受けてノードAにローレベル(実際はローレベルからトランジスタTr3のしきい値電圧分上昇した電圧)を供給する。 The transistor Tr3 receives IN (or the previous OUT) and supplies the node A with a low level (actually a voltage increased from the low level by the threshold voltage of the transistor Tr3).
トランジスタTr4は、ノードBの電位によってオン・オフ制御されることにより、ノードAにVDD電圧を供給する。 The transistor Tr4 is controlled to be turned on / off by the potential of the node B, thereby supplying a VDD voltage to the node A.
トランジスタTr5はノードAの電位によって制御されることにより、OUTへCLK(n)信号を出力する。 The transistor Tr5 outputs a CLK (n) signal to OUT by being controlled by the potential of the node A.
トランジスタTr6は、ノードBの電位によって制御されることにより、OUTの電位をVDD電圧まで変更する。 The transistor Tr6 changes the potential of OUT to the VDD voltage by being controlled by the potential of the node B.
トランジスタTr7はD1信号を受けて、トランジスタTr6のゲートと、トランジスタTr4のゲート、及びトランジスタTr1、トランジスタTr2のソース・ドレインとを分離する。 The transistor Tr7 receives the D1 signal and separates the gate of the transistor Tr6, the gate of the transistor Tr4, and the source / drain of the transistors Tr1 and Tr2.
トランジスタTr8はD2信号を受けてトランジスタTr6のゲートと、VDDとを短絡する。 The transistor Tr8 receives the D2 signal and short-circuits the gate of the transistor Tr6 and VDD.
本発明の第2の実施例の表示装置の動作については、前記第1の実施例と同一である。以下、本実施例の走査回路の動作について、図9のタイミングチャートを用いて説明する。 The operation of the display device of the second embodiment of the present invention is the same as that of the first embodiment. Hereinafter, the operation of the scanning circuit of this embodiment will be described with reference to the timing chart of FIG.
図9に示すとおり、第1の走査回路5が駆動している期間(T1)と、第2の走査回路が駆動している期間(T2)とに分かれている。
As shown in FIG. 9, the period is divided into a period (T1) in which the
期間T1において、FWはローレベル、RVはハイレベルを維持している。すなわち、第1の走査回路5の各シフトレジスタ1のトランジスタTr7がオン状態、トランジスタTr8はオフ状態を維持していることになる。この状態において、ST1のローレベルが第1の走査回路5の1段目のシフトレジスタのIN端子に入力されると、トランジスタTr2のゲートがオン状態に遷移し、ノードBにハイレベルが印加される。また同時にトランジスタTr3が活性化されるため、ノードAにはローレベル(実際はローレベルからトランジスタTr3のしきい値電圧分上昇した電圧)が入力される。
In the period T1, FW is maintained at a low level and RV is maintained at a high level. That is, the transistor Tr7 of each
この状態において、ST1のレベルがローレベルに遷移し、CLK1がハイレベルからローレベルへ遷移するとブートストラップ効果によって、ノードAの電位が低下し、CLK1のローレベルが浮き上がりを伴うことなく、OUT1へ転送される。 In this state, when the level of ST1 transitions to the low level and CLK1 transitions from the high level to the low level, the potential of the node A decreases due to the bootstrap effect, and the low level of CLK1 does not rise to OUT1. Transferred.
OUT1の配線は、2段目のシフトレジスタ1のIN端子に接続されているため、OUT1の出力がローレベルに遷移されたことにより、ちょうど1段目にST1が入力されたことと同じ状態となる。OUT1のローレベルがハイレベルに遷移し、CLK2がハイレベルからローレベルに遷移すると、2段目のシフトレジスタ1のOUT2も同様にローレベルへ遷移する。OUT2が3段目のスタート信号の役割を果たし、CLK3によってOUT3も同様にローレベルへ遷移する。
Since the wiring of OUT1 is connected to the IN terminal of the second-
このように、順次シフトレジスタ1は端子(OUT)に出力するのと同時に、次段への転送も行うことにより、タイミングチャートに示すとおりOUT1、OUT2、OUT3、・・・の波形に示す駆動を行っていく。
In this manner, the
この間、第2走査回路6は、ST2がハイレベル、FWがローレベル、RVがハイレベルに維持されているため、第2走査回路6内のシフトレジスタ1は全て非活性化状態を維持することとなる。特にトランジスタTr7はオフ状態、トランジスタTr8はオン状態を維持しているため、トランジスタTr6のゲートには常にハイレベルが印加されている状態であるため、トランジスタTr6は常にオフ状態となっている。
During this time, since the second scanning circuit 6 maintains ST2 at the high level, FW at the low level, and RV at the high level, all the
また、ST2がハイレベルで端子INにローレベルの入力が入ってこないためトランジスタTr5のゲートは常にハイレベルが印加されている状態であるため、オフ状態となっている。 Further, since ST2 is at a high level and a low level input does not enter the terminal IN, the gate of the transistor Tr5 is always in a state where a high level is applied, and thus is in an off state.
第1の走査回路5が駆動しているため、対応するシフトレジスタ1のOUT端子がローレベルになると同時にそのOUT端子に接続されているゲートバスライン7もローレベルに遷移する。このとき、共有している第2の走査回路6の対応するシフトレジスタ1のトランジスタTr6がオフ状態を維持しているため、トランジスタTr6を経由してVDD電源側に定常電流が流れることを防止することができる。
Since the
期間T2では、逆に、第2の走査回路6を駆動し、第1の走査回路5を停止される。各々の内部の駆動方法については、T1期間における第1の走査回路5の駆動方法を、第2の走査回路6に適用し、T1期間における第2の走査回路6の駆動方法を、第1の走査回路5に適用すればよい。
In the period T2, on the contrary, the second scanning circuit 6 is driven and the
以上説明したとおり本実施例により、PMOSで構成されたトランジスタ回路を用いた双方向走査回路を有する表示装置を実現できる。 As described above, according to the present embodiment, a display device having a bidirectional scanning circuit using a transistor circuit composed of PMOS can be realized.
<実施例3>
次に、本発明の第3の実施例を説明する。本実施例の表示装置の構成は、前記第1の実施例と同様、図1及び図2に示した構成とされるが、表示部4を構成する画素は、図5に示した構成である。また、走査回路の構成についても、第1の実施例と同様、図3(a)、図3(b)に示した構成とされる。
<Example 3>
Next, a third embodiment of the present invention will be described. The configuration of the display device of this embodiment is the same as that shown in FIGS. 1 and 2 as in the first embodiment, but the pixels constituting the
ただし、スタート信号であるST1、ST2は、本実施例においては、好ましくは、ST1とST2は同じ信号STとさせる(STが共通にST1、ST2として用いられる)。 However, in the present embodiment, ST1 and ST2, which are start signals, are preferably the same signal ST (ST is commonly used as ST1 and ST2).
本実施例は、走査回路を構成するシフトレジスタ1の構成が、第1の実施例と異なるため、図10を用いて本実施例のシフトレジスタ1の構成について説明する。
Since this embodiment differs from the first embodiment in the configuration of the
図10は、NMOSトランジスタで構成されたシフトレジスタ1の構成を示す回路図である。図10を参照すると、シフトレジスタ1は、CLK(n+1)にドレインとゲートが接続されたNMOSトランジスタTr1と、トランジスタTr1のソースにドレインが接続され、ゲートが端子INに接続され、ソースがVSSに接続されたNMOSトランジスタTr2と、端子INにドレインとゲートが接続されたNMOSトランジスタTr3と、トランジスタTr3のソースにドレインが接続され、ゲートがトランジスタTr1のソースとトランジスタTr2のドレインの接続点に接続され、ソースがVSSに接続されたトランジスタTr4と、CLK(n)端子にドレインが接続されソースが端子OUTに接続されたNMOSトランジスタTr5と、端子OUTにドレインが接続されソースがVSSに接続されたNMOSトランジスタTr6と、トランジスタTr3のソースとトランジスタTr5のゲート間に接続され、ゲートが端子D1に接続されたNMOSトランジスタTr9と、トランジスタTr1のソースとトランジスタTr2のドレインの接続点と、トランジスタTr6のゲート間にに接続され、ゲートが端子D1に接続されたNMOSトランジスタTr7と、トランジスタTr6のゲート間に接続され、ゲートが端子D2に接続されたNMOSトランジスタTr8と、トランジスタTr5のゲートにドレインが接続され、ソースがVSSに接続され、ゲートが端子D2に接続されたNMOSトランジスタTr10と、を備えている。
FIG. 10 is a circuit diagram showing a configuration of the
回路の構成上、トランジスタTr1〜トランジスタTr8までは、前記第1の実施例の構成と同一である。トランジスタTr9は、ゲートにD1信号を受けてトランジスタTr5とトランジスタTr3、及びトランジスタTr4のソース・ドレインとを分離する。また、トランジスタTr10は、ゲートにD2信号を受けて、トランジスタTr5のゲートとVSSを短絡する。 In terms of the circuit configuration, the transistors Tr1 to Tr8 are the same as those in the first embodiment. The transistor Tr9 receives the D1 signal at its gate and separates the transistor Tr5, the transistor Tr3, and the source / drain of the transistor Tr4. Further, the transistor Tr10 receives the D2 signal at its gate and shorts the gate of the transistor Tr5 and VSS.
このシフトレジスタ1は、前記第1の実施例の構成に、トランジスタTr9、及びトランジスタTr10を付加した構成である。ただし、接続される配線は、第1の実施例に既存の(VSS、D1、D2)であるため、端子構成は、第1の実施例と相違ない。
The
図12は、本発明の第3の実施例の動作を説明するタイミングチャートである。本実施例において、スタート信号STは、第1の走査回路5、及び第2の走査回路6のどちらにおいても同じ信号が入力される。
FIG. 12 is a timing chart for explaining the operation of the third embodiment of the present invention. In this embodiment, the same signal is input as the start signal ST in both the
トランジスタTr9、及びトランジスタTr10はそれぞれトランジスタTr7、及びトランジスタTr8と同様にそれぞれD1、及びD2とゲート接続されているため、トランジスタTr9、及びトランジスタTr10の動作は第1の実施例に記載したトランジスタTr7、及びトランジスタTr8の動作と相違ない。 Since the transistors Tr9 and Tr10 are gate-connected to D1 and D2, respectively, similarly to the transistors Tr7 and Tr8, the operations of the transistors Tr9 and Tr10 are the transistors Tr7 and Tr7 described in the first embodiment. This is not different from the operation of the transistor Tr8.
本発明の第3の実施例においても、第1の走査回路5が出力動作を行っている間は、第2の走査回路6が出力を停止する。また、第2の走査回路6が出力動作を行っている間は、第1の走査回路5が出力を停止する。
Also in the third embodiment of the present invention, the second scanning circuit 6 stops outputting while the
出力動作を行っているときのシフトレジスタ1のトランジスタTr7、及びトランジスタTr9は、オン状態、また、トランジスタTr8、及びトランジスタTr10はオフ状態となっている。
During the output operation, the transistor Tr7 and the transistor Tr9 of the
一方、出力停止状態のシフトレジスタ1のトランジスタTr7、及びトランジスタTr9は、オフ状態、また、トランジスタTr8、及びトランジスタTr10はオン状態となっている。これにより、トランジスタTr5、及びトランジスタTr6が共にオフ状態となり、出力を停止する側のシフトレジスタ1にスタート信号STが入力されていても、OUT端子への信号出力が行われない。また、本実施例の動作においてスタート信号STは、図8に示すように、ST1とST2の信号を用いても構わない。
On the other hand, the transistor Tr7 and the transistor Tr9 of the
以上、NMOSトランジスタで構成されたシフトレジスタ1の構成と、その動作について説明したが、本実施例は、PMOSトランジスタで構成された場合についても適用される。
The configuration and operation of the
図11に、PMOSトランジスタで構成されたシフトレジスタ1の構成を示し、図13に、動作を示すタイミングチャートを示す。
FIG. 11 shows the configuration of the
図11を参照すると、CLK(n+1)端子にドレインとゲートが接続されたPMOSトランジスタTr1と、トランジスタTr1のソースにドレインが接続され、ゲートが端子INに接続され、ソースがVDDに接続されたPMOSトランジスタTr2と、端子INにドレインとゲートが接続されたPMOSトランジスタTr3と、トランジスタTr3のソースにドレインが接続され、ゲートがトランジスタTr1のソースとトランジスタTr2のドレインの接続点に接続され、ソースがVDDに接続されたトランジスタTr4と、CLK(n)端子にドレインが接続されソースが端子OUTに接続されたPMOSトランジスタTr5と、端子OUTにドレインが接続されソースがVSSに接続されたPMOSトランジスタTr6と、トランジスタTr3のソースとトランジスタTr5のゲート間に接続され、ゲートが端子D1に接続されたPMOSトランジスタTr9と、トランジスタTr1のソースとトランジスタTr2のドレインの接続点と、トランジスタTr6のゲート間にに接続され、ゲートが端子D1に接続されたPMOSトランジスタTr7と、VDDとトランジスタTr6のゲート間に接続され、ゲートが端子D2に接続されたPMOSトランジスタTr8と、トランジスタTr5のゲートにドレインが接続され、ソースがVDDに接続され、ゲートが端子D2に接続されたPMOSトランジスタTr10と、を備えている。 Referring to FIG. 11, a PMOS transistor Tr1 whose drain and gate are connected to the CLK (n + 1) terminal, a drain connected to the source of the transistor Tr1, a gate connected to the terminal IN, and a PMOS connected to VDD. The transistor Tr2, the PMOS transistor Tr3 whose drain and gate are connected to the terminal IN, the drain is connected to the source of the transistor Tr3, the gate is connected to the connection point between the source of the transistor Tr1 and the drain of the transistor Tr2, and the source is VDD A transistor Tr4 connected to, a PMOS transistor Tr5 having a drain connected to the CLK (n) terminal and a source connected to the terminal OUT, a PMOS transistor Tr6 having a drain connected to the terminal OUT and a source connected to VSS, Dora The PMOS transistor Tr9 is connected between the source of the transistor Tr3 and the gate of the transistor Tr5, and the gate is connected to the terminal D1, the connection point between the source of the transistor Tr1 and the drain of the transistor Tr2, and the gate of the transistor Tr6. , The PMOS transistor Tr7 whose gate is connected to the terminal D1, the VDD is connected between the gate of the transistor Tr6, the PMOS transistor Tr8 whose gate is connected to the terminal D2, the drain is connected to the gate of the transistor Tr5, and the source is A PMOS transistor Tr10 connected to VDD and having a gate connected to the terminal D2.
回路の構成上、トランジスタTr1〜トランジスタTr8までは、図6の第2の実施例のものと相違ない。トランジスタTr9はD1信号を受けてトランジスタTr5とトランジスタTr3、及びトランジスタTr4のソース・ドレインとを分離する。また、トランジスタTr10はD2信号を受けてトランジスタTr5のゲートとVDDを短絡する。第3の実施例のシフトレジスタ1は、第2の実施例の構成に、トランジスタTr9、及びトランジスタTr10を付加した構成である。ただし、接続される配線は、第2の実施例に既存の(VDD、D1、D2)であるため、端子構成は第2の実施例と相違ない。また、図13に示すように、PMOS構成のシフトレジスタ1の動作は、NMOS構成のシフトレジスタ1と同様、第1の走査回路5が出力動作を行っている間は、第2の走査回路6が出力を停止する。また、第2の走査回路6が出力動作を行っている間は、第1の走査回路5が出力を停止する。出力動作を行っているときの図11に示したシフトレジスタ1のトランジスタTr7、及びトランジスタTr9は、オン状態、また、トランジスタTr8、及びトランジスタTr10はオフ状態となっている。一方、出力停止状態のシフトレジスタ1のトランジスタTr7、及びトランジスタTr9は、オフ状態、また、トランジスタTr8、及びトランジスタTr10はオン状態となっている。これにより、トランジスタTr5、及びトランジスタTr6が共にオフ状態となり、出力を停止する側のシフトレジスタ1にスタート信号STが入力されていても、OUT端子への信号出力が行われない。
In terms of the circuit configuration, the transistors Tr1 to Tr8 are no different from those of the second embodiment of FIG. The transistor Tr9 receives the D1 signal and separates the transistor Tr5, the transistor Tr3, and the source / drain of the transistor Tr4. The transistor Tr10 receives the D2 signal and shorts the gate of the transistor Tr5 and VDD. The
また、本実施例の別の構成として、スタート信号STが入力される1段目のみ図10に示したシフトレジスタ1で、2段目以降のシフトレジスタ1が図4に示す構成であってもよい。
As another configuration of the present embodiment, only the first stage to which the start signal ST is input may be the
また、PMOSで構成する場合は、スタート信号STが入力される1段目のみ図11で示したシフトレジスタ1で、2段目以降のシフトレジスタ1が図6に示す構成でも構わない。
In the case of a PMOS, the
以上のように本発明の第3の実施例は、シフトレジスタ1の構成と、スタート信号が第1の走査回路5と第2の走査回路6とで共通のパルスを利用できる点が、前記第1の実施例と異なっている。
As described above, the third embodiment of the present invention is characterized in that the configuration of the
<実施例4>
次に、本発明の第4の実施例を説明する。本発明の第4の実施例の表示装置の構成は、前記第1の実施例と同様、図1、及び図2に示した構成と同一とされる。
<Example 4>
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. The configuration of the display device according to the fourth embodiment of the present invention is the same as that shown in FIGS. 1 and 2 as in the first embodiment.
本実施例では、走査回路、及び走査回路を構成するシフトレジスタの構成が他の実施例と異なるため、図14(b)、及び図15(a)、(b)を用いて説明する。 In this embodiment, the configuration of the scanning circuit and the shift register constituting the scanning circuit are different from those of the other embodiments, so that description will be made with reference to FIGS. 14B, 15A, and 15B.
図15(a)、図15(b)は、本実施例の走査回路の構成を示す図である。図14(b)は、本実施例のNMOSトランジスタで構成されたシフトレジスタの回路構成を示す図である。図15(a)、図15(b)を参照すると、走査回路2は、複数のシフトレジスタ1と配線群(CLK1、CLK2、CLK3、ST1(又はST2)、D(又は/D))とから構成されている。
FIG. 15A and FIG. 15B are diagrams showing the configuration of the scanning circuit of this embodiment. FIG. 14B is a diagram illustrating a circuit configuration of a shift register including the NMOS transistor according to the present embodiment. Referring to FIGS. 15A and 15B, the
各段のシフトレジスタ1のCLK(n)端子とCLK(n+1)端子に関して、1段目のシフトレジスタ1のCLK(n)端子とCLK(n+1)端子はCLK1とCLK2、2段目のシフトレジスタ1のCLK(n)端子とCLK(n+1)端子はCLK2とCLK3、3段目のシフトレジスタ1のCLK(n)端子とCLK(n+1)端子はCLK3とCLK1にそれぞれ接続される。また、4段目以降のシフトレジスタ1のCLK(n)端子とCLK(n+1)端子に関しても、1段目から3段目のシフトレジスタ1のCLK(n)端子とCLK(n+1)端子の接続形態が繰り返される。
Regarding the CLK (n) terminal and the CLK (n + 1) terminal of the
ST1(ST2)は転送を開始するための制御信号であり、1段目のIN端子に入力される。ST1は第1走査回路5に入力され、ST2は第2走査回路6に入力される。また、次段以降のシフトレジスタ1のIN端子には、前段のシフトレジスタの出力端子OUTからの信号が入力される。
ST1 (ST2) is a control signal for starting transfer, and is input to the IN terminal of the first stage. ST1 is input to the
図14(b)を参照すると、本実施例のシフトレジスタ1は、ゲートとドレインがCLK(n+1)端子に接続されたNMOSトランジスタTr1と、トランジスタTr1のソースにドレインが接続されゲートがINに接続されソースがVSSに接続されたNMOSトランジスタTr2と、ゲートとドレインがINに接続されたNMOSトランジスタTr3と、ドレインがトランジスタTr3のソースに接続されゲートがトランジスタTr1のソースとTr2のドレインの接続点に接続されソースがVSSに接続されたNMOSトランジスタTr4と、ドレインがCLK(n)端子に接続され、ゲートがトランジスタTr3のソースとTr4のドレインの接続点に接続され、ソースが端子OUTに接続されたNMOSトランジスタTr5と、ドレインが端子OUTに接続され、ゲートがトランジスタTr1のソースとトランジスタTr2のドレインの接続点に接続されたNMOSトランジスタTr6と、ドレインがトランジスタTr6のソースに接続されゲートが端子Dに接続され、ソースがVSSに接続されたトランジスタTr11を備えている。回路の構成上、トランジスタTr1〜トランジスタTr6までは第1の実施例の構成と同一である。
Referring to FIG. 14B, the
シフトレジスタ1は、IN、CLK(n)、CLK(n+1)、OUT、VSS、Dからなる端子を有する。
The
トランジスタTr11は信号Dを受けてオン・オフの制御を行う。 The transistor Tr11 receives the signal D and performs on / off control.
また、信号D、及び信号/Dは、互いのハイレベル、ローレベルが反転した相補信号であり、第1の走査回路5と第2の走査回路6のいずれかに接続される。例えば第1の走査回路5にDが接続された場合には、第2の走査回路6には/Dが接続される。D、又は/Dはそれぞれのシフトレジスタ1内の端子(D)に接続される。
The signal D and the signal / D are complementary signals whose high level and low level are inverted, and are connected to either the
次に、本発明の第4の実施例の動作について、図17を用いて説明する。図17は、本実施例の走査回路の動作を示すタイミングチャートである。本実施例は、前記第1の実施例と同様、第1の走査回路5が駆動している間は第2の走査回路6は出力を停止する、又は第2の走査回路6が駆動している間は、第1の走査回路5が出力を停止する。
Next, the operation of the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 17 is a timing chart showing the operation of the scanning circuit of this embodiment. In the present embodiment, as in the first embodiment, the second scanning circuit 6 stops outputting while the
まず、出力動作を行っている走査回路2のシフトレジスタ1は、図17に示すとおり、期間T1において、Dがハイレベルに維持されているので、トランジスタTr11はオン状態を維持している。その状態において、トランジスタTr1〜トランジスタTr6の動作は基本的に第1の実施例のトランジスタTr1〜トランジスタTr6の動作と相違ないため、OUTにハイレベルを出力すると同時に次段へ転送する動作を行う。
First, as shown in FIG. 17, in the
出力停止している走査回路2のシフトレジスタ1は、/Dがローレベルに維持されているため、トランジスタTr11はオフ状態を維持する。
In the
従って、VSS−OUT間が電気的に切断されている状態となるため、出力停止状態を維持することが可能となる。 Therefore, since VSS-OUT is electrically disconnected, the output stop state can be maintained.
以上、NMOSトランジスタで構成されたシフトレジスタ1の構成と、その動作について説明したが、本実施例は、PMOSトランジスタで構成された場合についても適用される。
The configuration and operation of the
図16(b)は、図14(b)のトランジスタをPMOSトランジスタで構成したシフトレジスタ1の構成を示す図であり、図18は、その動作を示すタイミングチャートである。
FIG. 16B is a diagram illustrating a configuration of the
図16(b)を参照すると、本実施例のシフトレジスタ1は、ゲートとドレインがCLK(n+1)端子に接続されたPMOSトランジスタTr1と、トランジスタTr1のソースにドレインが接続されゲートがINに接続されソースがVDDに接続されたPMOSトランジスタTr2と、ゲートとドレインがINに接続されたPMOSトランジスタTr3と、トランジスタTr3のソースにドレインが接続されゲートがトランジスタTr1のソースとTr2のドレインの接続点に接続されソースがVDDに接続されたPMOSトランジスタTr4と、ドレインがCLK(n)端子に接続され、ゲートがトランジスタTr3のソースとTr4のドレインの接続点に接続されソースが端子OUTに接続されたPMOSトランジスタTr5と、ドレインが端子OUTに接続され、ゲートがトランジスタTr1のソースとトランジスタTr2のドレインの接続点に接続されたPMOSトランジスタTr6と、ドレインがトランジスタTr6のソースに接続されゲートが端子Dに接続され、ソースがVDDに接続されたPMOSトランジスタTr11を備えている。回路の構成上、トランジスタTr1〜トランジスタTr8までは第1の実施例のものと相違ない。
Referring to FIG. 16B, the
PMOSで構成されたシフトレジスタ1も同様に、IN、CLK(n)、CLK(n+1)、OUT、VSS、Dからなる端子を有する。トランジスタTr11は信号Dを受けてオン・オフの制御を行う。
Similarly, the
また、信号/Dは、信号Dの相補信号であり、第1の走査回路5と第2の走査回路6のいずれかに接続される。例えば第1の走査回路5にDが接続された場合には、第2の走査回路6には/Dが接続される。D、又は/Dはそれぞれのシフトレジスタ1内の端子(D)に接続される。
The signal / D is a complementary signal of the signal D and is connected to either the
PMOS構成のシフトレジスタ1の動作は、図18より、NMOS構成の場合と同様、第1の走査回路5が駆動している間は第2の走査回路6は出力を停止する、又は第2の走査回路6が駆動している間は第1の走査回路5が出力を停止する。また、出力動作を行っている走査回路と、出力停止している側の走査回路の動作については基本的にはNMOS構成の場合と相違はない。ただし、動作停止側の走査回路のシフトレジスタ1は、トランジスタTr11がオフ状態となることにより、VDD−OUT間が電気的に切断されているため、出力停止状態を維持することが可能となる。
As shown in FIG. 18, the operation of the
<実施例5>
次に本発明の第5実施例を説明する。本発明の第5の実施例の表示装置の構成は、前記第1の実施例と同様、図1、及び図2に示した構成と同一とされる。また、走査回路は第4の実施例と同様、図15(a)、(b)に示した構成と同一であるが、本実施例において、スタート信号(ST1、ST2)は、好ましくは信号STが用いられる。
<Example 5>
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described. The configuration of the display device according to the fifth embodiment of the present invention is the same as that shown in FIGS. 1 and 2 as in the first embodiment. The scanning circuit is the same as that shown in FIGS. 15A and 15B as in the fourth embodiment, but in this embodiment, the start signal (ST1, ST2) is preferably a signal ST. Is used.
本実施例では、走査回路を構成するシフトレジスタの構成が他の実施例と異なるため、図14(a)を用いて説明する。図14(a)は、本実施例のNMOSトランジスタで構成されたシフトレジスタの回路構成を示す図である。 In this embodiment, since the structure of the shift register constituting the scanning circuit is different from that of the other embodiments, description will be made with reference to FIG. FIG. 14A is a diagram illustrating a circuit configuration of a shift register including the NMOS transistor according to the present embodiment.
図14(a)を参照すると、本実施例のシフトレジスタ1は、ゲートとドレインがCLK(n+1)端子に接続されたNMOSトランジスタTr1と、トランジスタTr1のソースにドレインが接続されゲートがINに接続されソースがVSSに接続されたNMOSトランジスタTr2と、ゲートとドレインがINに接続されたNMOSトランジスタTr3と、トランジスタTr3のソースにドレインが接続されゲートがトランジスタTr1のソースとTr2のドレインの接続点に接続されソースがVSSに接続されたNMOSトランジスタTr4と、ドレインがCLK(n)端子に接続され、ゲートが端子Dに接続されたNMOSトランジスタTr11と、ドレインがトランジスタTr11のソースに接続されゲートがトランジスタTr3のソースとTr4のドレインの接続点に接続されソースが端子OUTに接続されたNMOSトランジスタTr5と、ドレインが端子OUTに接続され、ゲートがトランジスタTr1のソースとトランジスタTr2のドレインの接続点に接続されたNMOSトランジスタTr6と、ドレインがトランジスタTr6のソースに接続されゲートが端子Dに接続され、ソースがVSSに接続されたNMOSトランジスタTr12を備えている。回路の構成上、トランジスタTr1〜トランジスタTr6までは第1の実施例の構成と同一である。
Referring to FIG. 14A, the
シフトレジスタ1は、IN、CLK(n)、CLK(n+1)、OUT、VSS、Dからなる端子を有する。
The
トランジスタTr11、トランジスタTr12は信号Dを受けてオン・オフの制御を行う。また、信号D、及び信号/Dは、互いのハイレベル、ローレベルが反転した相補信号であり、第1の走査回路5と第2の走査回路6のいずれかに接続される。例えば第1の走査回路5に信号Dが接続された場合には、第2の走査回路6には信号/Dが接続される。信号D、又は信号/Dは、それぞれのシフトレジスタ1内のD端子に接続される。
The transistors Tr11 and Tr12 receive the signal D and perform on / off control. The signal D and the signal / D are complementary signals whose high level and low level are inverted, and are connected to either the
次に本発明の第5実施例の動作について、図12を用いて説明する。本実施例は、第1の実施例と同様、第1の走査回路5が駆動している間は第2の走査回路6は出力を停止する、又は第2の走査回路6が駆動している間は第1の走査回路5が出力を停止する。
Next, the operation of the fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the present embodiment, as in the first embodiment, the second scanning circuit 6 stops outputting while the
まず、出力動作を行っている走査回路2のシフトレジスタ1は、図12に示すとおり、期間T1において、信号Dがハイレベルに維持されているので、トランジスタTr11、及びトランジスタTr12(図14(a)参照)は共にオン状態を維持している。その状態において、トランジスタTr1〜トランジスタTr6の動作は、基本的に第1の実施例のトランジスタTr1〜トランジスタTr6の動作と相違ないため、OUT端子にハイレベルを出力すると同時に次段へ転送する動作を行う。
First, as shown in FIG. 12, in the
一方で、出力停止している走査回路2のシフトレジスタ1は、/Dがローレベルに維持されているため、トランジスタTr11、及びトランジスタTr12(図14(a)参照)は共にオフ状態を維持する。
On the other hand, in the
従って、CLK(n)−OUT、及びVSS−OUT間が電気的に切断されている状態となるため、出力停止状態を維持することが可能となる。 Therefore, since CLK (n) -OUT and VSS-OUT are electrically disconnected, the output stop state can be maintained.
以上、NMOSトランジスタで構成されたシフトレジスタ1の構成と、その動作について説明したが、本実施例は、PMOSトランジスタで構成された場合についても適用される。
The configuration and operation of the
図16(a)は、PMOSトランジスタで構成されたシフトレジスタ1の構成を示す図である。図13は、図16(a)のシフトレジスタ1の動作を説明するためのタイミングチャートである。
FIG. 16A is a diagram showing a configuration of the
図16(a)を参照すると、本実施例のシフトレジスタ1は、ゲートとドレインがCLK(n+1)端子に接続されたPMOSトランジスタTr1と、トランジスタTr1のソースにドレインが接続されゲートがINに接続されソースがVDDに接続されたPMOSトランジスタTr2と、ゲートとドレインがINに接続されたPMOSトランジスタTr3と、トランジスタTr3のソースにドレインが接続されゲートがトランジスタTr1のソースとTr2のドレインの接続点に接続されソースがVDDに接続されたPMOSトランジスタTr4と、ドレインがCLK(n)端子に接続され、ゲートが端子Dに接続されたPMOSトランジスタTr11と、ドレインがトランジスタTr11のソースに接続されゲートがトランジスタTr3のソースとTr4のドレインの接続点に接続されソースが端子OUTに接続されたPMOSトランジスタTr5と、ドレインが端子OUTに接続され、ゲートがトランジスタTr1のソースとトランジスタTr2のドレインの接続点に接続されたPMOSトランジスタTr6と、ドレインがトランジスタTr6のソースに接続されゲートが端子Dに接続され、ソースがVDDに接続されたPMOSトランジスタTr12を備えている。回路の構成上、トランジスタTr1〜トランジスタTr8までは第1の実施例のものと相違ない。PMOSで構成されたシフトレジスタ1も同様に、IN、CLK(n)、CLK(n+1)、OUT、VSS、Dからなる端子を有する。トランジスタTr11、及びトランジスタTr12は、信号Dを受けてオン・オフ制御される。また、信号D、及び信号/Dは、互いのハイレベル、ローレベルが反転した相補信号であり、第1の走査回路5と第2の走査回路6のいずれかに接続される。例えば第1の走査回路5に信号Dが接続された場合には、第2の走査回路6には信号/Dが接続される。信号D、又は信号/Dはそれぞれのシフトレジスタ1内のD端子に接続される。
Referring to FIG. 16A, the
PMOS構成のシフトレジスタ1の動作は、図13より、NMOS構成の場合と同様、第1の走査回路5が駆動している間は第2の走査回路6は出力を停止するか、又は、第2の走査回路6が駆動している間は第1の走査回路5が出力を停止する。
As shown in FIG. 13, the operation of the
また、出力動作を行っている走査回路と、出力停止している側の走査回路の動作については基本的にはNMOS構成の場合と相違はない。ただし、動作停止側の走査回路のシフトレジスタ1は、トランジスタTr11がオフ状態となることにより、CLK(n)−OUT、及びVDD−OUT間が電気的に切断されているため、出力停止状態を維持することが可能となる。
Further, the operation of the scanning circuit that performs the output operation and the operation of the scanning circuit that stops the output are basically the same as those of the NMOS configuration. However, the
また、本実施例の動作においてスタート信号STが、図12又は図13に示すように、ST1とST2の信号を用いてもよい。 In the operation of this embodiment, the start signal ST may use the signals ST1 and ST2 as shown in FIG.
また、本実施例の別の構成として、スタート信号STが入力される1段目のみ図14(a)に示したシフトレジスタ1で、2段目以降のシフトレジスタ1は、図14(b)の構成でも構わない。このとき、2段目以降については、好ましくは、前段のシフトレジスタのOUT端子の信号を、ゲート信号に用いられる。
Further, as another configuration of the present embodiment, only the first stage to which the start signal ST is input is the
また、PMOSで構成する場合は、スタート信号STが入力される1段目のみ図16(a)で示したシフトレジスタ1で、2段目以降のシフトレジスタ1は、図16(b)の構成でも構わない。このとき、2段目以降については、前段のシフトレジスタのOUT端子の信号を、ゲート信号に用いることが望ましい。
In the case of a PMOS, only the first stage to which the start signal ST is input is the
以上のように本発明の第5実施例は、シフトレジスタ1の構成と、スタート信号が第1の走査回路5と第2の走査回路6とで共通のパルスを利用できる点が、第4の実施例と異なっている。
As described above, the fifth embodiment of the present invention is characterized in that the configuration of the
<実施例6>
次に、本発明の第6の実施例を説明する。本発明の第6の実施例の表示装置の構成は、図1に示した構成と同一である。本実施例においても、表示部4の両側に、第1の走査回路5、及び第2の走査回路6が配置されており、各々の走査回路の出力は、共通のゲートバスライン7で接続されている。また、図1の表示部4を構成する画素については、図5の構成が望ましい。
<Example 6>
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described. The configuration of the display device according to the sixth embodiment of the present invention is the same as that shown in FIG. Also in this embodiment, the
図19は、本実施例の走査回路の構成を示す図である。図19を参照すると、本実施例の走査回路は、シフトレジスタ1と出力回路20で構成されている。
FIG. 19 is a diagram showing the configuration of the scanning circuit of this embodiment. Referring to FIG. 19, the scanning circuit of this embodiment includes a
シフトレジスタ1は、インバータ回路とクロックトインバータ回路が図に示すように接続されている。図19では、インバータ回路と、クロックトインバータ回路はそれぞれシンボルで書かれているが、これをNMOSトランジスタ、及びPMOSトランジスタで表した回路構成を、図20に示す。図20(A)のクロックドインバータは、例えば図20(B)に示した回路構成を表す。図20(B)を参照すると、CMOSインバータ(入力INにゲートが共通に接続され、共通接続されたドレインが出力OUTに接続されたPMOSトランジスタとNMOSトランジスタからなる)と高位側電源VDDとの間に、ゲートに信号Bを受けるPMOSトランジスタが挿入され、CMOSインバータと低位側電源VSSとの間に、ゲートに信号Aを受けるNMOSトランジスタが挿入されている。図20(B)において、信号Bは信号Aの相補信号とされる。図19(C)のインバータは、図19(D)に示したCMOSインバータで構成される。
In the
また、出力回路20を、NMOSトランジスタ、及びPMOSトランジスタで表した回路図を図21に示す。図21より、出力回路20は、基本的にはP1・N1、及びP2・N2で構成されたインバータ回路が縦列接続された構成をとっているが、トランジスタN2のソースとVSS配線間に、NMOSトランジスタN3が挿入されている。NMOSトランジスタN3のゲートには制御信号Dの配線が接続されており、図示されない外部機器からの出力により、制御信号Dを介して、NMOSトランジスタN3のオン・オフが制御される。
FIG. 21 shows a circuit diagram in which the
図19に構成を示した本実施例の動作について、図22を用いて説明する。図22は、本実施例の動作を表すタイミングチャートである。図22では、第1の走査回路5が駆動している期間(T1)と、第2の走査回路が駆動している期間(T2)とに分けて示されている。
The operation of the present embodiment whose configuration is shown in FIG. 19 will be described with reference to FIG. FIG. 22 is a timing chart showing the operation of this embodiment. In FIG. 22, a period (T1) during which the
T1期間において、クロックAがハイレベル、クロックBがローレベルの状態において、INよりスタートパルスST1が入力されると、ノードaは、クロックトインバータCI1による反転動作により、ローレベルへ遷移する。それによって、ノードbはインバータCI1によってハイレベルになる。ここで、クロックトインバータCI2は、CI1とクロックA、クロックBの接続状態が逆のため、このタイミングではオフ状態である。したがって、ノードa、ノードbはそれぞれローレベル、ハイレベルにラッチされている。出力回路20は、ノードbがハイレベルで、制御信号DがローレベルでP3がオン状態となっているため、OUT1へハイレベルを転送する。
When the start pulse ST1 is input from IN in the state where the clock A is at the high level and the clock B is at the low level during the T1, the node a transits to the low level by the inversion operation by the clocked inverter CI1. Thereby, the node b is set to the high level by the inverter CI1. Here, the clocked inverter CI2 is in an OFF state at this timing because the connection state between the CI1, the clock A, and the clock B is reversed. Therefore, the nodes a and b are latched at the low level and the high level, respectively. Since the node b is at the high level, the control signal D is at the low level, and the P3 is in the ON state, the
次に、クロックAがローレベル、クロックBがハイレベルへ遷移すると、クロックトインバータCI1がオフ状態、CI2がオン状態になるため、CI2の反転動作によりノードCはローレベルへ遷移する。ノードdは、I3の反転動作によりハイレベルへ遷移する。その結果、出力回路20を経由してOUT2にハイレベルを転送する。このように、順次、次段へ転送しながら各々の出力回路20によってOUTへハイレベルを出力していく。
Next, when the clock A transitions to the low level and the clock B transitions to the high level, the clocked inverter CI1 is turned off and the CI2 is turned on, so that the node C transits to the low level due to the inversion operation of the CI2. The node d transits to a high level by the inversion operation of I3. As a result, the high level is transferred to OUT2 via the
一方、第2の走査回路6は、スタート信号ST2がローレベルに、制御信号Dがローレベルに維持されているため、OUTへのハイレベルの転送は行われず、NMOSトランジスタN3がオフ状態になっていることから、OUT出力がなされている。従って、第1の走査回路5において、OUTの電位がハイレベルに遷移した場合おいて、トランジスタN2を介して、VDD−VSS間の定常電流が流れる、ことを防止する。
On the other hand, in the second scanning circuit 6, since the start signal ST2 is maintained at the low level and the control signal D is maintained at the low level, the high level transfer to OUT is not performed, and the NMOS transistor N3 is turned off. Therefore, OUT output is made. Therefore, in the
T2期間では上記と逆の動作をおこなう。このとき、ST1はローレベルを維持し、ST2によって出力動作が行われる。 In the T2 period, the reverse operation is performed. At this time, ST1 maintains a low level, and an output operation is performed by ST2.
このように、本実施例ではCMOS構成の回路を利用した場合においても、他の実施例と同等の効果を得ることが可能となる。 As described above, in this embodiment, even when a CMOS circuit is used, it is possible to obtain the same effects as those of the other embodiments.
<実施例7>
次に、本発明の第7の実施例を説明する。本発明の第7の実施例の表示装置の構成は、第6実施例と同様、図1に示す構成と同一である。本実施例においても、表示部4の両側に、第1の走査回路5、及び第2の走査回路6が配置されており、各々の走査回路の出力は、共通のゲートバスライン7で接続されている。また、図1の表示部4を構成する画素については、図5、又は図7のいずれの構成でも構わない。
<Example 7>
Next, a seventh embodiment of the present invention will be described. The configuration of the display device according to the seventh embodiment of the present invention is the same as that shown in FIG. 1, as in the sixth embodiment. Also in this embodiment, the
図24は、本実施例の走査回路の構成を示す図である。図24を参照すると、本実施例の走査回路は、シフトレジスタ1と出力回路20で構成されている。シフトレジスタ1は、インバータ回路とクロックトインバータ回路が、図に示すように接続されている。第6の実施例と同様、インバータ回路と、クロックトインバータ回路は、図20に示した構成と同じである。スタート信号STは、第1の走査回路5と第2の走査回路6とで共通の信号を、それぞれ1段目のシフトレジスタ1のIN端子に入力する。
FIG. 24 is a diagram showing the configuration of the scanning circuit of this embodiment. Referring to FIG. 24, the scanning circuit of this embodiment includes a
また、同様に、出力回路20を、NMOSトランジスタ、及びPMOSトランジスタで表した回路構成を、図25に示す。
Similarly, FIG. 25 shows a circuit configuration in which the
図25を参照すると、出力回路20は、基本的には、PMOSトランジスタP1、NMOSトランジスタN1、及び、PMOSトランジスタP2、NMOSトランジスタN2で構成されたインバータ回路が縦列接続された構成をとっているが、PMOSトランジスタP2とVDD配線との間にPMOSトランジスタP3、及びNMOSトランジスタN2とVSS配線との間にNMOSトランジスタN3を備えている。NMOSトランジスタN3のゲートには信号Dの配線が接続され、PMOSトランジスタP3のゲートには信号/Dが接続されている。したがって、図示されない外部接続機器より出力された信号D及び信号/DによってNMOSトランジスタN3、及びPMOSトランジスタP3のオン・オフが制御される。
Referring to FIG. 25, the
図23は、本実施例の走査回路の動作を表すタイミングチャートである。本実施例の走査回路は、スタートパルスST、クロックA、クロックBの制御により、次段のシフトレジスタ1への転送と、出力回路20によるOUTへの出力動作を行う。信号D、/Dにより、出力動作を行っていない側の走査回路2において、図25に示したトランジスタN3、及びP3がオフ状態となっているため、スタート信号が印加された場合においても、出力停止状態を維持することが可能となる。
FIG. 23 is a timing chart showing the operation of the scanning circuit of this embodiment. The scanning circuit of this embodiment performs transfer to the next-
本実施例は、前記第6の実施例と同様、CMOS構成の回路を適用することができるだけでなく、第1の走査回路5、及び第2の走査回路6でスタート信号を共通化することが可能となる。
In the present embodiment, as in the sixth embodiment, not only a circuit having a CMOS configuration can be applied, but also the
<実施例8>
次に、本発明の第8の実施例を説明する。本実施例の表示装置の構成は、前記第6実施例と同様、図1に示した構成と同一とされる。本実施例においても、表示部4の両側に、第1の走査回路5、及び第2の走査回路6が配置されており、各々の走査回路の出力は、共通のゲートバスライン7で接続されている。また、図1の表示部4を構成する画素については、図5、又は図7のいずれの構成でも構わない。また、走査回路の構成は、第7実施例に示した図24の構成と同一である。本実施例では、出力回路20の構成が、第7実施例と相違している。図26に、本実施例の出力回路20の回路構成を示す。
<Example 8>
Next, an eighth embodiment of the present invention will be described. The configuration of the display device of this embodiment is the same as that shown in FIG. 1 as in the sixth embodiment. Also in this embodiment, the
図26を参照すると、出力回路20は、基本的にはPMOSトランジスタP1、NMOSトランジスタN1、及び、PMOSトランジスタP2、NMOSトランジスタN2で構成されたインバータ回路が縦列接続された構成をとっているが、PMOSトランジスタP2とNMOSトランジスタN2で構成されたインバータ段の出力部分と、OUT端子との間に、NMOSトランジスタN3、PMOSトランジスタP3で構成されたCMOSスイッチが介在している点が、第7の実施例と相違している。NMOSトランジスタN3のゲートには信号Dの配線が接続され、PMOSトランジスタP3のゲートには信号/Dが接続されている。したがって、図示されない外部接続機器より出力された信号D及び信号/DによってN3、及びP3のオン・オフが制御される。
Referring to FIG. 26, the
本実施例の走査回路の動作は、基本的には、第7の実施例と相違はなく、図23に示すタイミングチャートと同様である。本実施例が第7の実施例と異なる点は、制御信号D、及び/Dによって、出力回路20のOUT端子が、上記CMOSスイッチによって電気的に切断される点である。
The operation of the scanning circuit of this embodiment is basically the same as the timing chart shown in FIG. 23, with no difference from the seventh embodiment. This embodiment is different from the seventh embodiment in that the OUT terminal of the
本実施例においては、第6の実施例と同様、CMOS構成の回路を適用することができるだけでなく、第1の走査回路5、及び第2の走査回路6でスタート信号を共通化することが可能となる。
In this embodiment, as in the sixth embodiment, not only a circuit having a CMOS configuration can be applied, but also the
以上第1の実施例から第8の実施例について、表示装置として液晶ディスプレイを例に挙げて説明した。 The first to eighth embodiments have been described above by taking the liquid crystal display as an example of the display device.
しかしながら、外部から入力された映像信号を受けて、表示部に画像を出力するマトリクス型表示装置であれば液晶ディスプレイに限定されるものではない。例えば、電流を印加して発光状態に遷移しうる発光素子群を、表示部とした発光型ディスプレイにも適用できる。発光型ディスプレイの例としては、無機EL(Electro−Luminescence)ディスプレイや有機ELディスプレイなどが挙げられる。またさらに、マトリクス状に配置された能動素子群を順次走査することにより駆動する装置においても同様に適用することができる。 However, the present invention is not limited to a liquid crystal display as long as it is a matrix display device that receives a video signal input from the outside and outputs an image to a display unit. For example, the present invention can also be applied to a light-emitting display in which a light-emitting element group that can transition to a light-emitting state by applying current is used as a display portion. Examples of the light-emitting display include an inorganic EL (Electro-Luminescence) display and an organic EL display. Furthermore, the present invention can be similarly applied to an apparatus that is driven by sequentially scanning active element groups arranged in a matrix.
上記の特許文献の各開示を、本書に引用をもって繰り込むものとする。本発明の全開示(請求の範囲を含む)の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。 Each disclosure of the above patent document is incorporated herein by reference. Within the scope of the entire disclosure (including claims) of the present invention, the embodiments and examples can be changed and adjusted based on the basic technical concept. Various combinations and selections of various disclosed elements are possible within the scope of the claims of the present invention.
1 シフトレジスタ
2 走査回路
3 回路基板
4 表示部
5 第1の走査回路
6 第2の走査回路
7 ゲートバスライン
8 ソースIC
9 端子列
10 データバスライン
11 液晶部
12 保持容量
13 スイッチトランジスタ
14 対向基板
16 共通配線
20 出力回路
21 画素
101 アレイ基板
102 走査線駆動回路
103 信号線駆動回路
104 垂直シフトレジスタ
105 レベルシフタ
106 水平シフトレジスタ
110 画素スイッチ(スイッチング素子、薄膜トランジスタ:TFT)
111 液晶
120 データ線
DESCRIPTION OF
9
111 LCD 120 Data line
Claims (23)
前記第1の走査回路と前記第2の走査回路の対応する単位レジスタの出力同士が互いに接続され、
前記第1の走査回路と前記第2の走査回路の前記単位レジスタは、
制御信号に基づき、出力信号を出力する状態又は出力しない状態に、出力の状態を切り替える回路要素を備えている、ことを特徴とする半導体回路。 A first scanning circuit and a second scanning circuit each having a plurality of unit registers;
Outputs of corresponding unit registers of the first scanning circuit and the second scanning circuit are connected to each other,
The unit registers of the first scanning circuit and the second scanning circuit are:
A semiconductor circuit comprising a circuit element that switches an output state to a state in which an output signal is output or a state in which an output signal is not output based on a control signal.
前記第1のスイッチ回路は、前記単位レジスタ内において、前記出力信号を発生する出力用トランジスタのゲート電極と、前記ゲート電極を制御する配線との間に配置され、
前記第2のスイッチ回路は、前記第1のスイッチ回路と、前記出力用トランジスタとの間のノードと、前記出力用トランジスタをオフ状態とし得る信号線との間に配置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体回路。 A first switch circuit and a second switch which are controlled to be turned on and off by inputting, as the control signal, a signal for designating the scanning direction or a signal generated from the signal for designating the scanning direction. With a circuit,
The first switch circuit is disposed in the unit register between a gate electrode of an output transistor that generates the output signal and a wiring that controls the gate electrode,
The second switch circuit is arranged between a node between the first switch circuit and the output transistor, and a signal line capable of turning off the output transistor. The semiconductor circuit according to claim 1.
前記第1のスイッチ回路は、前記単位レジスタ内において、
前記出力信号を発生する第1の出力用トランジスタのゲート電極と、前記ゲート電極を制御する配線との間に配置され、
前記第2のスイッチ回路は、前記第1のスイッチ回路と、前記第1の出力用トランジスタとの間のノードと、前記第1の出力用トランジスタをオフ状態とし得る信号線との間に配置され、
前記第3のスイッチ回路が、前記単位レジスタ内の、前記第1の出力用トランジスタとは異なる電位の制御信号を発生する第2の出力用トランジスタのゲート電極と、前記ゲート電極を制御する配線との間に配置され、
前記第4のスイッチ回路が、前記第3のスイッチ回路と、前記第2の出力用トランジスタとの間のノードと、前記第2の出力用トランジスタをオフ状態とし得る信号線との間に配置されている、ことを特徴とする請求項1記載の半導体回路。 The circuit element includes first to fourth switch circuits that are on / off controlled by a signal that specifies a scanning direction or a signal that is generated from a signal that specifies the scanning direction,
The first switch circuit is in the unit register.
Arranged between the gate electrode of the first output transistor for generating the output signal and a wiring for controlling the gate electrode;
The second switch circuit is disposed between a node between the first switch circuit and the first output transistor, and a signal line capable of turning off the first output transistor. ,
A gate electrode of a second output transistor for generating a control signal having a potential different from that of the first output transistor in the unit register; and a wiring for controlling the gate electrode; Placed between
The fourth switch circuit is disposed between a node between the third switch circuit and the second output transistor, and a signal line capable of turning off the second output transistor. The semiconductor circuit according to claim 1, wherein:
走査方向を指定する信号、又は前記走査方向を指定する信号から生成された信号によってゲート制御される第1のスイッチ回路、及び第2のスイッチ回路と、
前記出力信号を発生する第1の出力用トランジスタ、及び第2の出力用トランジスタと、
前記第1の出力用トランジスタをオフ状態とする第1の信号線と、
前記第2の出力用トランジスタをオフ状態とする第2の信号線と、
前記単位レジスタの出力信号を転送する出力信号線とを備え、
前記第1のスイッチ回路は、前記出力信号線と、前記第1の制御信号線との間に設置され、
前記第2のスイッチ回路が、前記出力信号線と、前記第2の制御信号線との間に設置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体回路。 The circuit element is
A first switch circuit and a second switch circuit that are gate-controlled by a signal designating a scanning direction or a signal generated from a signal designating the scanning direction;
A first output transistor for generating the output signal and a second output transistor;
A first signal line for turning off the first output transistor;
A second signal line for turning off the second output transistor;
An output signal line for transferring the output signal of the unit register,
The first switch circuit is installed between the output signal line and the first control signal line,
2. The semiconductor circuit according to claim 1, wherein the second switch circuit is disposed between the output signal line and the second control signal line.
逆導電型の2つのトランジスタを含むインバータ回路と、
高電位電源線、及び低電位電源線と、
前記単位レジスタの出力信号を転送する出力信号線と、
を備え、
前記スイッチ回路が、前記低電位電源線と前記出力信号線との間、又は、前記高電位電源線と前記出力信号線との間に、配置されている、
ことを特徴とする請求項1記載の半導体回路。 A switch circuit in which the circuit element is controlled to be turned on / off by a signal designating a scanning direction or a signal generated from a signal designating the scanning direction;
An inverter circuit including two transistors of opposite conductivity type;
A high-potential power line and a low-potential power line;
An output signal line for transferring the output signal of the unit register;
With
The switch circuit is disposed between the low-potential power line and the output signal line, or between the high-potential power line and the output signal line.
The semiconductor circuit according to claim 1.
逆導電型の2つのトランジスタを含むインバータ回路と、
高電位電源線、及び低電位電源と、
前記単位レジスタの出力信号を転送する出力信号線とを備え、
前記第1のスイッチ回路が、前記低電位電源線と前記出力信号線との間に設置され、
前記第2のスイッチ回路が、前記高電位電源線と前記出力信号線との間に設置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体回路。 A first switch circuit and a second switch circuit, the circuit elements being gated by a signal designating a scanning direction or a signal generated from the signal designating the scanning direction;
An inverter circuit including two transistors of opposite conductivity type;
A high-potential power line and a low-potential power supply;
An output signal line for transferring the output signal of the unit register,
The first switch circuit is installed between the low-potential power line and the output signal line;
2. The semiconductor circuit according to claim 1, wherein the second switch circuit is disposed between the high potential power supply line and the output signal line.
前記出力信号を発生する回路が、
逆導電型の2つのトランジスタを含むインバータ回路を備え、
前記スイッチ回路が、前記出力信号配線と前記インバータ回路の出力ノードとの間に配置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体回路。 The circuit element includes a switch circuit that is turned on / off by a signal that specifies a scanning direction or a signal that is generated from a signal that specifies the scanning direction,
A circuit for generating the output signal,
An inverter circuit including two transistors of opposite conductivity type,
2. The semiconductor circuit according to claim 1, wherein the switch circuit is disposed between the output signal wiring and an output node of the inverter circuit.
ゲートとドレインが第2のクロック端子に接続された第1のトランジスタと、
ドレインが前記第1のトランジスタのソースに接続され、ゲートが入力端子に接続されソースが第1の電源に接続された第2のトランジスタと、
ゲートとドレインが前記入力端子に接続された第3のトランジスタと、
ドレインが前記第3のトランジスタのソースに接続され、ゲートが前記第2のトランジスタのドレインに接続され、ソースが第1の電源に接続された第4のトランジスタと、
ドレインが第1のクロック端子に接続され、ゲートが前記第3のトランジスタのソースに接続され、ドレインが出力端子に接続された第5のトランジスタと、
ドレインが前記出力端子に接続され、ソースが前記第1の電源に接続された第6のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのソースと前記第2のトランジスタのドレインの接続点と、前記第6のトランジスタのゲート間に接続され、ゲートが第1の制御端子に接続された第7のトランジスタと、
ドレインが前記第6のトランジスタのゲートに接続されゲートが第2の制御端子に接続されソースが第1の電源に接続された第8のトランジスタと、
を備えている、ことを特徴とする請求項1記載の半導体回路。 The unit register is
A first transistor having a gate and a drain connected to a second clock terminal;
A second transistor having a drain connected to the source of the first transistor, a gate connected to the input terminal, and a source connected to the first power supply;
A third transistor having a gate and a drain connected to the input terminal;
A fourth transistor having a drain connected to the source of the third transistor, a gate connected to the drain of the second transistor, and a source connected to the first power supply;
A fifth transistor having a drain connected to the first clock terminal, a gate connected to the source of the third transistor, and a drain connected to the output terminal;
A sixth transistor having a drain connected to the output terminal and a source connected to the first power supply;
A seventh transistor connected between a connection point of the source of the first transistor and the drain of the second transistor, and a gate of the sixth transistor, the gate of which is connected to the first control terminal;
An eighth transistor having a drain connected to the gate of the sixth transistor, a gate connected to the second control terminal, and a source connected to the first power supply;
The semiconductor circuit according to claim 1, further comprising:
前記各走査回路を構成する複数の前記単位レジスタは縦列に接続され、初段の単位レジスタに入力されたパルスの位相を単位レジスタでシフトさせながら後段の単位レジスタに伝達する構成とされ、
前記第1、第2のクロック端子には、3相クロックのうち、相隣る位相のクロックが入力され、
初段の単位レジスタの入力信号端子には、パルスが入力され、
単位レジスタの出力端子は対応するゲートラインに接続されるとともに、後段の単位レジスタの入力端子に接続され、
前記第1の走査回路の単位レジスタにおいて、前記第1、第2の制御端子には、順方向シフト、逆方向シフトのときに活性化する信号がそれぞれ入力され、
前記第2の走査回路の単位レジスタにおいて、前記第1、第2の制御端子には、逆方向シフト、順方向シフトのときに活性化する信号がそれぞれ入力される、ことを特徴とする、請求項14記載の半導体回路。 The unit register is driven by a three-phase clock,
The plurality of unit registers constituting each of the scanning circuits are connected in a column and are configured to transmit the phase of a pulse input to the first unit register to the subsequent unit register while shifting the phase of the pulse by the unit register.
Of the three-phase clocks, clocks of adjacent phases are input to the first and second clock terminals,
A pulse is input to the input signal terminal of the first stage unit register,
The output terminal of the unit register is connected to the corresponding gate line, and is connected to the input terminal of the subsequent unit register,
In the unit register of the first scanning circuit, signals that are activated at the time of forward shift and reverse shift are input to the first and second control terminals,
In the unit register of the second scanning circuit, a signal that is activated at the time of reverse shift and forward shift is input to the first and second control terminals, respectively. Item 15. A semiconductor circuit according to Item 14.
ドレインとゲートが第2のクロック端子に接続された第1のトランジスタと、
ドレインが前記第1のトランジスタのソースに接続され、ゲートが入力端子に接続され、ソースが第1電源に接続された第2のトランジスタと、
ドレインとゲートが前記入力端子に接続された第3のトランジスタと、
ドレインが前記第3のトランジスタのソースに接続され、ゲートが前記第1のトランジスタのソースと前記第2のトランジスタのドレインの接続点に接続され、ソースが第1電源に接続された第4のトランジスタと、
ドレインが第1のクロック端子に接続されソースが出力端子に接続された第5のトランジスタと、
ドレインが前記出力端子にドレインが接続されソースが第1電源に接続された第6のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのソースと前記第2のトランジスタのドレインの接続点と、前記第6のトランジスタのゲート間に接続され、ゲートが前記第1の制御端子に接続された第7のトランジスタと、
前記第6のトランジスタのゲートと第1の電源間に接続され、ゲートが第2の制御端子に接続された第8のトランジスタと、
前記第3のトランジスタのソースと前記第4のトランジスタのドレインの接続点と、前記第5のトランジスタのゲート間に接続され、ゲートが第1の制御端子に接続された第9のトランジスタと、
前記第5のトランジスタのゲートにドレインが接続され、ソースが第1電源に接続され、ゲートが前記第2の制御端子に接続された第10のトランジスタと、
を備えている、ことを特徴とする、請求項1記載の半導体回路。 The unit register is
A first transistor having a drain and a gate connected to a second clock terminal;
A second transistor having a drain connected to the source of the first transistor, a gate connected to the input terminal, and a source connected to the first power supply;
A third transistor having a drain and a gate connected to the input terminal;
A fourth transistor having a drain connected to the source of the third transistor, a gate connected to a connection point between the source of the first transistor and the drain of the second transistor, and a source connected to the first power supply When,
A fifth transistor having a drain connected to the first clock terminal and a source connected to the output terminal;
A sixth transistor having a drain connected to the output terminal and a source connected to the first power supply;
A seventh transistor connected between the connection point of the source of the first transistor and the drain of the second transistor and the gate of the sixth transistor, the gate of which is connected to the first control terminal;
An eighth transistor connected between the gate of the sixth transistor and a first power supply, the gate being connected to a second control terminal;
A ninth transistor connected between the connection point of the source of the third transistor and the drain of the fourth transistor and the gate of the fifth transistor, the gate of which is connected to the first control terminal;
A tenth transistor having a drain connected to the gate of the fifth transistor, a source connected to the first power supply, and a gate connected to the second control terminal;
The semiconductor circuit according to claim 1, further comprising:
前記各走査回路を構成する複数の前記単位レジスタは縦列に接続され、初段の単位レジスタに入力されたパルスの位相を単位レジスタでシフトさせながら後段の単位レジスタに伝達する構成とされ、
前記第1、第2のクロック端子には、3相クロックの相隣る位相のクロックが入力され、
初段の単位レジスタの入力信号端子には、パルスが入力され、前記単位レジスタの出力端子は対応するゲートラインに接続されるとともに、後段の単位レジスタの入力端子に接続され、
前記第1の走査回路の単位レジスタにおいて、前記第1、第2の制御端子には、順方向シフト、逆方向シフトのときに活性化する信号がそれぞれ入力され、
前記第2の走査回路の単位レジスタにおいて、前記第1、第2の制御端子には、逆方向シフト、順方向シフトのときに活性化する信号がそれぞれ入力される、ことを特徴とする、請求項16記載の半導体回路。 The unit register is driven by a three-phase clock,
The plurality of unit registers constituting each of the scanning circuits are connected in a column and are configured to transmit the phase of a pulse input to the first unit register to the subsequent unit register while shifting the phase of the pulse by the unit register.
The first and second clock terminals are inputted with clocks of adjacent phases of the three-phase clock,
A pulse is input to the input signal terminal of the unit register in the first stage, and the output terminal of the unit register is connected to the corresponding gate line, and is connected to the input terminal of the subsequent unit register,
In the unit register of the first scanning circuit, signals that are activated at the time of forward shift and reverse shift are input to the first and second control terminals,
In the unit register of the second scanning circuit, a signal that is activated at the time of reverse shift and forward shift is input to the first and second control terminals, respectively. Item 17. A semiconductor circuit according to Item 16.
ドレインとゲートが第2のクロック端子に接続された第1のトランジスタと、
ドレインが前記第1のトランジスタのソースに接続され、ゲートが入力端子に接続され、ソースが第1電源に接続された第2のトランジスタと、
ドレインとゲートが前記入力端子に接続された第3のトランジスタと、
ドレインが前記第3のトランジスタのソースに接続され、ゲートが前記第1のトランジスタのソースと前記第2のトランジスタのドレインの接続点に接続され、ソースが第1電源に接続された第4のトランジスタと、
ドレインが第1のクロック端子に接続され、ソースが出力端子に接続された第5のトランジスタと、
ドレインが前記出力端子にドレインが接続され、ゲートが前記第1のトランジスタのソースと前記第2のトランジスタのドレインの接続点と前記第4のトランジスタのゲートに接続された第6のトランジスタと、
ドレインが前記第6のトランジスタのソースに接続され、ゲートが第1の制御端子に接続され、ソースが前記第1電源に接続された第7のトランジスタと、
を備えている、ことを特徴とする、請求項1記載の半導体回路。 The unit register is
A first transistor having a drain and a gate connected to a second clock terminal;
A second transistor having a drain connected to the source of the first transistor, a gate connected to the input terminal, and a source connected to the first power supply;
A third transistor having a drain and a gate connected to the input terminal;
A fourth transistor having a drain connected to the source of the third transistor, a gate connected to a connection point between the source of the first transistor and the drain of the second transistor, and a source connected to the first power supply When,
A fifth transistor having a drain connected to the first clock terminal and a source connected to the output terminal;
A drain connected to the output terminal; a gate connected to a connection point between a source of the first transistor and a drain of the second transistor; and a sixth transistor connected to a gate of the fourth transistor;
A seventh transistor having a drain connected to the source of the sixth transistor, a gate connected to the first control terminal, and a source connected to the first power supply;
The semiconductor circuit according to claim 1, further comprising:
前記各走査回路を構成する複数の前記単位レジスタは縦列に接続され、初段の単位レジスタに入力されたパルスの位相を単位レジスタでシフトさせながら後段の単位レジスタに伝達する構成とされ、
前記第1、第2のクロック端子には、3相クロックの相隣る位相のクロックが入力され、
初段の単位レジスタの入力信号端子には、パルスが入力され、前記単位レジスタの出力端子は対応するゲートラインに接続されるとともに、後段の単位レジスタの入力端子に接続され、
前記第1の走査回路の単位レジスタにおいて、前記第1の制御端子には、順方向シフトのときに活性化する信号が入力され、
前記第2の走査回路の単位レジスタにおいて、前記第1の制御端子には、逆方向シフトのときに活性化する信号が入力される、ことを特徴とする、請求項18記載の半導体回路。 The unit register is driven by a three-phase clock,
The plurality of unit registers constituting each of the scanning circuits are connected in a column and are configured to transmit the phase of a pulse input to the first unit register to the subsequent unit register while shifting the phase of the pulse by the unit register.
The first and second clock terminals are inputted with clocks of adjacent phases of the three-phase clock,
A pulse is input to the input signal terminal of the unit register in the first stage, and the output terminal of the unit register is connected to the corresponding gate line, and is connected to the input terminal of the subsequent unit register,
In the unit register of the first scanning circuit, a signal that is activated at the time of forward shift is input to the first control terminal,
19. The semiconductor circuit according to claim 18, wherein in the unit register of the second scanning circuit, a signal that is activated at the time of reverse shift is input to the first control terminal.
前記ラッチ回路の出力を受け、第1の制御信号に基づき、出力がオン・オフ制御される出力回路を備えていることを特徴とする請求項1記載の半導体回路。 The unit register latches an input signal in response to a clock signal; and
2. The semiconductor circuit according to claim 1, further comprising an output circuit that receives the output of the latch circuit and is controlled to be turned on / off based on a first control signal.
前記半導体回路は、請求項1乃至21のいずれか一項に記載の半導体回路よりなり、
前記画素は、前記第1の走査回路、又は前記第2の走査回路を構成する単位レジスタから出力された出力信号によって制御されることを特徴とする表示装置。 In a display device comprising a pixel array in which a plurality of pixels are arranged, and a semiconductor circuit that activates the pixels,
The semiconductor circuit comprises the semiconductor circuit according to any one of claims 1 to 21,
The display device is characterized in that the pixel is controlled by an output signal output from a unit register constituting the first scanning circuit or the second scanning circuit.
前記第1の走査回路が出力信号を出力している期間、前記第2の走査回路は出力信号を出力しない状態とされ、
前記第2の走査回路が出力信号を出力している期間、前記第1の走査回路は出力信号を出力しない状態とされ、
前記第2の走査回路の走査方向は前記第1の走査回路の走査方向と逆方向であり、双方向走査を行う、ことを特徴とする表示装置の駆動方法。 A driving method of a display device including first and second scanning circuits that are arranged so as to face each other with a display unit in which a plurality of pixels are arranged and supplies a scanning signal for each line,
During the period in which the first scanning circuit outputs an output signal, the second scanning circuit is in a state of not outputting an output signal,
While the second scanning circuit is outputting an output signal, the first scanning circuit is in a state of not outputting an output signal,
A method for driving a display device, wherein a scanning direction of the second scanning circuit is opposite to a scanning direction of the first scanning circuit, and bidirectional scanning is performed.
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