JP4760876B2 - Electronic device and manufacturing method thereof - Google Patents
Electronic device and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- JP4760876B2 JP4760876B2 JP2008213862A JP2008213862A JP4760876B2 JP 4760876 B2 JP4760876 B2 JP 4760876B2 JP 2008213862 A JP2008213862 A JP 2008213862A JP 2008213862 A JP2008213862 A JP 2008213862A JP 4760876 B2 JP4760876 B2 JP 4760876B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- metal plate
- electronic component
- mold resin
- electronic device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/146—Mixed devices
- H01L2924/1461—MEMS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
本発明は、基板のうち電子部品が搭載された部位の一面と他面とをモールド樹脂で挟んで封止した電子装置およびその製造方法に関する。 The present invention relates to an electronic device in which one side and the other side of a portion of a substrate on which electronic components are mounted are sandwiched between mold resins and a manufacturing method thereof.
従来より、自動車用電子回路装置が、例えば特許文献1で提案されている。具体的に、特許文献1では、基板の表面に回路素子等が実装され、基板の裏面にリードフレームのアイランドが接着されたものにおいて、アイランドが露出するように基板や回路素子が封止樹脂によって封止された装置が提案されている。 Conventionally, an electronic circuit device for an automobile has been proposed in, for example, Patent Document 1. Specifically, in Patent Document 1, a circuit element or the like is mounted on the surface of a substrate, and an island of a lead frame is bonded to the back surface of the substrate. Sealed devices have been proposed.
このような構造は、基板の裏面にアイランドが接着されたものが上型と下型で構成された成型金型に配置され、プランジャから樹脂が成型金型に流し込まれて樹脂成形されることによって形成される。これにより、基板が封止樹脂とアイランドとによって挟まれた構造が形成される。
しかしながら、上記従来の技術では、基板が封止樹脂とアイランドとによって挟まれた構造になっているため、樹脂封止の際に基板の表面側が樹脂の成型圧力を受けることになる。このため、樹脂封止を行う前の基板の状態などにより、樹脂封止の際に樹脂の成型圧力によって基板が変形してしまう可能性がある。 However, in the above conventional technique, since the substrate is sandwiched between the sealing resin and the island, the surface side of the substrate is subjected to resin molding pressure during resin sealing. For this reason, the substrate may be deformed by the molding pressure of the resin at the time of resin sealing depending on the state of the substrate before the resin sealing.
具体的に、基板が変形してしまう原因として、基板の裏面にアイランドを接着するための接着剤に含まれるボイドがある。このボイドは、接着剤をアイランドまたは基板の裏面に塗布する際や、硬化反応ガスによって接着剤を硬化する際や、接着剤に含まれる水蒸気の膨張などによって発生する。 Specifically, the cause of the deformation of the substrate is a void contained in the adhesive for bonding the island to the back surface of the substrate. The void is generated when the adhesive is applied to the island or the back surface of the substrate, when the adhesive is cured with a curing reaction gas, or due to expansion of water vapor contained in the adhesive.
上記のように接着剤にボイドが発生した状態で樹脂封止を行うと、アイランドは下型により押さえられ、樹脂の成型圧力は基板の表面側からアイランド側に印加される。また、接着剤はアイランドと基板の裏面とで挟まれるため、接着剤には強い圧縮力が発生する。したがって、基板の裏面は接着剤からこの強い反発力を受ける。 When resin sealing is performed in a state where voids are generated in the adhesive as described above, the island is pressed by the lower mold, and the molding pressure of the resin is applied from the surface side of the substrate to the island side. Further, since the adhesive is sandwiched between the island and the back surface of the substrate, a strong compressive force is generated in the adhesive. Therefore, the back surface of the substrate receives this strong repulsive force from the adhesive.
そして、接着剤のうちボイドが発生した箇所では接着剤が存在しないため、接着剤の反発力がない。一方で基板の表面側は樹脂の成型圧力を受けるため、基板の表裏面で受ける力のバランスが悪く、基板や基板に実装されている部品に偏った力が加わって変形してしまう。これにより、基板の反り、部品変形、部品故障が生じてしまう。 And since there is no adhesive in the location where the void generate | occur | produced among adhesives, there is no repulsive force of an adhesive agent. On the other hand, since the front surface side of the substrate receives the molding pressure of the resin, the balance of the forces received on the front and back surfaces of the substrate is poor, and a biased force is applied to the substrate and the components mounted on the substrate, resulting in deformation. As a result, warpage of the substrate, component deformation, and component failure occur.
上記のボイドは比較的大きなもの1個でも上記現象を起こすことがあり、複数のボイドが集中して発生したときでも上記現象を起こす。 The above-described phenomenon may occur even when one of the above-mentioned voids is relatively large, and the phenomenon occurs even when a plurality of voids are concentrated.
また、上記では、基板が封止樹脂とアイランドとによって挟まれた構造において接着剤にボイドが発生することによって基板が変形することについて説明したが、基板の裏面を露出させるように樹脂封止する場合にもボイドと同様に基板の変形が起こる。 In the above description, it has been described that the substrate is deformed due to the generation of voids in the adhesive in the structure in which the substrate is sandwiched between the sealing resin and the island. However, the resin sealing is performed so that the back surface of the substrate is exposed. Even in this case, the substrate is deformed in the same manner as the void.
この場合では、下型と基板との間に隙間が形成されると、該隙間がボイドと同様の機能を果たすことにより、上記のように基板の表裏面に加わる力のバランスが偏って基板の変形や破壊を引き起こしてしまう。特に、セラミック基板の外縁部は反りやすいため、反ったセラミック基板の外縁部が樹脂の成型圧力で下型側に押し込まれて破壊されてしまう。 In this case, when a gap is formed between the lower mold and the substrate, the gap performs the same function as the void, and the balance of the forces applied to the front and back surfaces of the substrate is biased as described above. It will cause deformation and destruction. In particular, since the outer edge portion of the ceramic substrate is easily warped, the outer edge portion of the warped ceramic substrate is pushed into the lower mold side by the molding pressure of the resin and is destroyed.
本発明は、上記点に鑑み、樹脂成型でのモールド樹脂の成型圧力によって基板が変形しない構造を提供すると共に、樹脂成型でのモールド樹脂の成型圧力による基板の変形を防止する製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above points, the present invention provides a structure in which a substrate is not deformed by a molding resin molding pressure in resin molding, and a manufacturing method for preventing deformation of the substrate due to molding resin molding pressure in resin molding. For the purpose.
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、一面(11)および該一面(11)の反対側の他面(12)を有し、電子部品(20)が一面(11)に搭載又は内部に内蔵された基板(10)と、基板(10)の他面(12)のうち電子部品(20)を他面(12)に投影させた部位が露出するように基板(10)の他面(12)に接着された金属板(40)と、基板(10)の一面(11)側を封止すると共に、金属板(40)が露出するように基板(10)の他面(12)側を封止し、さらに、基板(10)の一面(11)のうち電子部品(20)が搭載された部位と基板(10)の他面(12)のうち金属板(40)から露出した部位とを挟んで封止したモールド樹脂(60)とを備え、基板(10)の他面(12)のうち電子部品(20)を他面(12)に投影させた部位の全領域に、基板(10)の一面(11)側を封止するモールド樹脂(60)と同一のモールド樹脂(60)が設けられていることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 has one surface (11) and the other surface (12) opposite to the one surface (11), and the electronic component (20) is on one surface (11). The board (10) mounted or built in the board (10) and the other surface (12) of the board (10) so that the portion of the electronic component (20) projected on the other surface (12) is exposed. The metal plate (40) bonded to the other surface (12) and the one surface (11) side of the substrate (10) are sealed, and the other surface of the substrate (10) is exposed so that the metal plate (40) is exposed. (12) The side is sealed, and further, the metal plate (40) of the surface (11) of the substrate (10) where the electronic component (20) is mounted and the other surface (12) of the substrate (10). A mold resin (60) that is sealed with a portion exposed from the surface of the substrate (10). Parts (20) in the entire area of the site is projected on the other surface (12), the same molding resin (60) is provided with a substrate one side of (10) (11) molded to seal the side resin (60) It is characterized by.
請求項1に記載の発明によると、基板(10)のうち電子部品(20)が設けられた部位では、基板(10)の一面(11)側および他面(12)側の両方から均等にモールド樹脂(60)の成型圧力が印加される構造となる。これにより、基板(10)に偏った力が加わらない構造とすることができる。したがって、基板(10)や電子部品(20)の変形を防止することができる。 According to invention of Claim 1, in the site | part in which the electronic component (20) was provided among board | substrates (10), it is equally from both the one surface (11) side and the other surface (12) side of a board | substrate (10). The molding resin (60) is applied with a molding pressure. Thereby, it can be set as the structure where the biased force is not added to a board | substrate (10). Therefore, deformation of the substrate (10) and the electronic component (20) can be prevented.
さらに、請求項1に記載の発明では、モールド樹脂(60)は、金属板(40)の外縁部(42)を覆っていることを特徴とする。これにより、金属板(40)からのモールド樹脂(60)の剥離を防止することができる。 Further, the invention according to claim 1 is characterized in that the mold resin (60) covers the outer edge (42) of the metal plate (40). Thereby, peeling of mold resin (60) from a metal plate (40) can be prevented.
請求項2に記載の発明では、基板(10)の他面(12)を基準としたとき、基板(10)の他面(12)のうち電子部品(20)を他面(12)に投影させた部位に設けられたモールド樹脂(60)の高さ、金属板(40)の高さ、および基板(10)の他面(12)側に形成されたモールド樹脂(60)のうちもっとも高い位置の高さは同じであることを特徴とする。 In the invention according to claim 2 , when the other surface (12) of the substrate (10) is used as a reference, the electronic component (20) of the other surface (12) of the substrate (10) is projected onto the other surface (12). The highest of the height of the mold resin (60) provided at the site that has been made, the height of the metal plate (40), and the mold resin (60) formed on the other surface (12) side of the substrate (10) The height of the position is the same.
これによると、基板(10)の他面(12)側の高さがすべて同じになるため、該他面(12)側が平面的な構造となる。したがって、電子装置の別部材への取り付けを容易に行うことができる。 According to this, since the height of the other surface (12) side of the substrate (10) is the same, the other surface (12) side has a planar structure. Therefore, the electronic device can be easily attached to another member.
請求項11に記載の発明では、電子部品(20)を前記基板(10)の一面(11)に搭載又は前記基板(10)の内部に内蔵し、基板(10)の他面(12)のうち電子部品(20)を他面(12)に投影させた部位が露出するように基板(10)の他面(12)に金属板(40)を接着したものを用意する工程と、モールド樹脂(60)で基板(10)の一面(11)側を封止すると共に、金属板(40)が露出するように基板(10)の他面(12)側を封止する工程とを含んでおり、封止する工程では、モールド樹脂(60)で基板(10)の一面(11)のうち電子部品(20)が搭載された部位と基板(10)の他面(12)のうち金属板(40)から露出した部位とを挟んで封止すると共に、基板(10)の他面(12)のうち電子部品(20)を他面(12)に投影させた部位の全
領域に、基板(10)の一面(11)側を封止するモールド樹脂(60)と同一のモールド樹脂(60)を設けることを特徴とする。
In invention of
請求項11に記載の発明により、基板(10)のうち電子部品(20)が設けられた部位には、基板(10)の一面(11)側および他面(12)側の両方から均等にモールド樹脂(60)の成型圧力を印加することができる。これにより、基板(10)に偏った力が加わらない構造とすることができ、基板(10)や電子部品(20)の変形を防止することができる。 According to the eleventh aspect of the present invention, the portion of the substrate (10) where the electronic component (20) is provided is evenly distributed from both the one surface (11) side and the other surface (12) side of the substrate (10). A molding pressure of the mold resin (60) can be applied. Thereby, it can be set as the structure where the biased force is not added to a board | substrate (10), and a deformation | transformation of a board | substrate (10) or an electronic component (20) can be prevented.
さらに、請求項11に記載の発明では、封止する工程では、金属板(40)の外縁部(42)をモールド樹脂(60)で覆うことを特徴とする。これにより、金属板(40)からのモールド樹脂(60)の剥離を防止できる構造を得ることができる。
Furthermore, the invention described in
請求項12に記載の発明では、封止する工程では、基板(10)の他面(12)を基準としたとき、基板(10)の他面(12)のうち電子部品(20)を他面(12)に投影させた部位に設けられたモールド樹脂(60)の高さが、金属板(40)よりも高く、基板(10)の他面(12)側に形成されたモールド樹脂(60)のうちもっとも高い位置よりも低くなるようにモールド樹脂(60)を形成することを特徴とする。
In the invention according to
これにより、基板(10)の他面(12)側におけるモールド樹脂(60)の注入速度を調節することができる。したがって、金型(81、82)内に空気が残らないようにモールド樹脂(60)を充填することができる。このため、基板(10)の一面(11)側および他面(12)側に同時に成型圧力を均等に印加することができる。 Thereby, the injection | pouring speed | rate of the mold resin (60) in the other surface (12) side of a board | substrate (10) can be adjusted. Therefore, the mold resin (60) can be filled so that air does not remain in the molds (81, 82). For this reason, a molding pressure can be equally applied simultaneously to the one surface (11) side and the other surface (12) side of the substrate (10).
請求項13に記載の発明では、封止する工程では、基板(10)の他面(12)を基準としたとき、基板(10)の他面(12)のうち電子部品(20)を他面(12)に投影させた部位に設けられたモールド樹脂(60)の高さ、金属板(40)の高さ、および基板(10)の他面(12)側に形成されたモールド樹脂(60)のうちもっとも高い位置の高さが同じになるようにモールド樹脂(60)を形成することを特徴とする。 In the invention according to claim 13 , in the step of sealing, when the other surface (12) of the substrate (10) is used as a reference, the electronic component (20) is removed from the other surface (12) of the substrate (10). The height of the mold resin (60) provided at the site projected on the surface (12), the height of the metal plate (40), and the mold resin (on the other surface (12) side of the substrate (10) ( 60), the mold resin (60) is formed so that the height of the highest position is the same.
これにより、基板(10)の他面(12)側の高さがすべて同じ平面的な構造を得ることができる。 Thereby, the planar structure where all the heights of the other surface (12) side of the substrate (10) are the same can be obtained.
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, the same or equivalent parts are denoted by the same reference numerals in the drawings.
(第1実施形態)
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る電子装置を示した図であり、(a)は概略断面図であり、(b)は(a)中の下方から電子装置を見たときの概略平面図である。
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram illustrating an electronic device according to the present embodiment, where (a) is a schematic cross-sectional view, and (b) is a schematic plan view when the electronic device is viewed from below in (a). is there.
本実施形態の電子装置は、基板10と、第1の電子部品20と、第2の電子部品30と、金属板40と、リードフレーム50と、モールド樹脂60とを備えて構成されている。
The electronic device of this embodiment includes a
図1に示されるように、電子装置は、四角形板状をなすモールドパッケージである。パッケージ寸法は、搭載される第1の電子部品20、第2の電子部品30、回路の規模、電子部品の種類にもよるが、例えば50×50×6.6mm程度である。
As shown in FIG. 1, the electronic device is a mold package having a rectangular plate shape. The package size is, for example, about 50 × 50 × 6.6 mm, although it depends on the first
図1(a)に示される基板10は、一面11および該一面11の反対側の他面12を有する板状の配線基板である。基板10の一面11や内部には回路配線が設けられている。基板10としては、例えばセラミック基板、プリント基板、金属基板などが用いられる。基板10の電気回路は、ワイヤ70を介してリードフレーム50に接続されている。ワイヤ70として、AuやAlよりなるボンディングワイヤが用いられ、通常のワイヤボンディングにより基板10に取り付けられる。
A
第1の電子部品20は、基板10の一面11に搭載されたLSI、フリップチップ素子等の精密部品である。この第1の電子部品20は、バンプ21を介して基板10の電気回路に電気的に接続されている。第1の電子部品20と基板10との間には、補強樹脂として機能するエポキシ樹脂等からなるアンダーフィル22が充填されている。
The first
第2の電子部品30は、基板10の一面11に搭載されたコイル、パワー素子、制御素子、コンデンサ、および振動子等の部品である。第2の電子部品30は、AlやAuなどのボンディングワイヤ、あるいは、はんだ、導電性接着剤等のダイマウント材を介して、基板10の電気回路に電気的に接続されている。この第2の電子部品30は、精密部品である第1の電子部品20とは異なり、基板10の変形などの影響に対しては耐えられる部品である。
The second
金属板40は、基板10の他面12のうち第1の電子部品20を基板10の他面12に投影させた部位が露出するように基板10の他面12に接着剤41を介して接着されている。言い換えると、金属板40は、基板10の他面12のうち第1の電子部品20を基板10の他面12に投影させた部位以外の部位に接着剤41を介して接着されている。このように、基板10の他面12において、第1の電子部品20に対応する位置には金属板40は配置されておらず、第1の電子部品20を避けた位置に配置されている。
The
図1(b)に示されるように、金属板40はコの字状をなしており、この金属板40が2枚設けられている。そして、各金属板40がリング状となるように配置されている。これにより、各金属板40の間に、該金属板40が存在しない領域が設けられる。この領域において一点鎖線で囲まれた部位が上記の「基板10の他面12のうち第1の電子部品20を基板10の他面12に投影させた部位」に対応する。この部位には金属板40は存在していない。
As shown in FIG. 1B, the
なお、図1(b)において金属板40の周りに示された破線は、電子装置の下面においてモールド樹脂60が開口した角部に相当する。また、図1に示される矢印は、後述するモールド樹脂ゲート85の場所の一例を示している。
In addition, the broken line shown around the
各金属板40は、基板10の一面11に搭載された第2の電子部品30のうちパワー素子等の発熱素子に対応する位置に設けられている。すなわち、金属板40はヒートシンクとしての役割も果たす。なお、発熱素子は、Agペーストを介して基板10の一面11の電気回路に接続されるが、その熱を確実に伝達するため、当該Agペーストの熱伝導率は4W/m・K以上が好ましい。
Each
また、2枚の金属板40の間には隙間が設けられている。この隙間は、モールド樹脂60の樹脂成型の際に上記部位に樹脂を注入するための注入通路61となっている。
In addition, a gap is provided between the two
この金属板40を基板10の他面12に接着する接着剤41としては、例えばシリコーン樹脂を主成分とする接着剤が用いられる。特に、基板10の熱を金属板40に伝達するため、熱伝導率が4W/m・K以上のものが好ましい。
As the adhesive 41 for bonding the
金属板40およびリードフレーム50は、リードフレーム素材がプレス加工やエッチング加工されたものである。そして、金属板40は当該リードフレーム素材のアイランドとして構成され、リードフレーム50は外部との電気的接続のための配線として構成されたものである。したがって、金属板40の板厚はリードフレーム50と実質同等である。
The
金属板40およびリードフレーム50を構成するリードフレーム素材としては、放熱性を考慮してCuが主に用いられる。しかし、基板10との線膨張係数の差が大きいため、線膨張係数を合わせる観点から、Fe系の材料を用いても良い。
As the lead frame material constituting the
具体的に、リードフレーム素材としては、基板10との線膨張係数の整合性、基板端の応力を考慮すると、線膨張係数αが11以下、且つヤング率Eが200GPa未満程度の材料が好ましい。さらには、α<9GPa以下、E<150GPa以下の材料が好ましい。
Specifically, the lead frame material is preferably a material having a linear expansion coefficient α of 11 or less and a Young's modulus E of less than 200 GPa in consideration of the consistency of the linear expansion coefficient with the
また、リードフレーム素材には、溶接性を考慮し、電解ニッケルメッキ、Snメッキ、Auメッキ等、PPF(Ni/Pd/Au)などのメッキが施されていても良い。さらに、モールド樹脂60の剥離を防止するべく、素材表面を粗化処理したものであっても良い。
In addition, the lead frame material may be plated with PPF (Ni / Pd / Au), such as electrolytic nickel plating, Sn plating, Au plating, etc. in consideration of weldability. Further, the material surface may be roughened to prevent the
モールド樹脂60は、基板10、第1の電子部品20、第2の電子部品30等を封止する樹脂部材であり、トランスファーモールド法により形成されたものである。
The
具体的に、モールド樹脂60は、基板10の一面11側を封止すると共に、図1(b)に示されるように金属板40が露出するように基板10の他面12側を封止している。さらに、モールド樹脂60は、基板10の一面11のうち第1の電子部品20が搭載された部位と基板10の他面12のうち金属板40から露出した部位とを挟んで封止している。
Specifically, the
このように、モールド樹脂60で基板10を挟んで封止する場所というのは、基板10や第1の電子部品20を樹脂の成型圧力によって変形させたくない場所だけで良い。本実施形態では、LSI等の精密部品である第1の電子部品20を変形させたくないため、基板10のうち第1の電子部品20を投影させた一面11側の部位と他面12側の部位とをモールド樹脂60で挟んでいる。
As described above, the place where the
上記モールド樹脂60として、エポキシ樹脂等のモールド材料が用いられる。このモールド樹脂60としては、各部材と基板10との熱膨張係数αを合わせるため、当該αが8〜14程度の樹脂が用いられることが多い。また、基板10の他面におけるモールド樹脂60の充填性を考慮し、長いゲルタイムを有し、低粘度な樹脂であることが必要である。また高温での使用を考えると、モールド樹脂60のガラス転移点Tgは高いほうが良い。
As the
モールド樹脂60の好ましい条件の一例を述べる。Cuよりなる金属板40およびリードフレーム50を用いる場合には、モールド樹脂60は、線膨張係数α1<17、ヤング率E1<20GPa、最低溶融粘度<30Pa・s(175℃)、ゲルタイム>20秒、スパイラルフロー>80cmの物性が好ましい。また、モールド樹脂60は、Tg<150℃が好ましく、Tg<175℃がより好ましい。さらには、10<α1<14、E1<17GPa、最低溶融粘度:20(Pa・s)以下、が好ましい。さらには、モールド樹脂60は、ゲルタイム<25秒、スパイラルフロー:100cmが好ましい。
An example of preferable conditions for the
リードフレーム50の一部は、アウターリードとしてモールド樹脂60から突出しており、このアウターリードにより、電子装置と外部との電気的な接続が可能になっている。以上が、本実施形態に係る電子装置の全体構成である。
A part of the
次に、図1に示される電子装置の製造方法について、図2を参照して説明する。図2は、電子装置の一製造工程を示した図である。 Next, a method for manufacturing the electronic device shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram illustrating one manufacturing process of the electronic device.
まず、電気回路が形成された基板10の一面11に第1の電子部品20および第2の電子部品30を搭載し、必要に応じてワイヤボンディングなどを行う。一方、リードフレーム素材をプレス加工等して金属板40とリードフレーム50とを形成する。なお、金属板40とリードフレーム50とはダムバーなどにより繋がった状態になっている。
First, the first
また、基板10の他面12のうち第1の電子部品20を他面12に投影させた部位が露出するように接着剤41を介して基板10の他面12に金属板40を接着する。そして、ワイヤボンディングによって基板10とリードフレーム50とをワイヤ70で接続する。これにより、図1に示される電子装置において、モールド樹脂60が形成されていないワーク80を用意する。
In addition, the
続いて、成型装置を用いてモールド樹脂60を形成する。図2に示されるように、成型装置は、下型81と上型82とを備えている。下型81と上型82とが組み合わされると、電子装置の外形をなす空間83が形成される。上型82には空間83にモールド樹脂60を供給するためのプランジャ84が設けられている。このプランジャ84からモールド樹脂ゲート85を介してモールド樹脂60が空間83に導かれる。上型82および下型81において、モールド樹脂ゲート85の反対側に空間83の空気を外部に排出するためのエアベンド86が設けられている。
Subsequently, the
下型81については、金属板40に接する凸部87が設けられている。この凸部87が金属板40に当接することで、金属板40がモールド樹脂60から露出するようにすることができる。
The
このような成型装置の下型81に上記のようにして用意したワーク80を配置し、該下型81と上型82とを重ね合わせる。この後、モールド樹脂60によって、基板10の一面11側を封止すると共に、金属板40が露出するように基板10の他面12側を封止する。すなわち、プランジャ84からモールド樹脂60を供給して、該モールド樹脂60を基板10の一面11側および他面12側に流す。
The
モールド樹脂60が基板10の他面12側を流れていくときには、図1(b)に示される注入通路61も通る。これにより、基板10の他面12のうち第1の電子部品20が投影された部位にもモールド樹脂60が溜まっていく。
When the
そして、空間83内にモールド樹脂60が充填されると、基板10の一面11側および他面12側が封止され、モールド樹脂60の成型圧力がワーク80に印加される。このとき、基板10において第1の電子部品20が設けられた部位では、モールド樹脂60によって、基板10の一面11のうち第1の電子部品20が搭載された部位と基板10の他面12のうち金属板40から露出した部位とを挟んで封止する。
When the
これによると、基板10の一面11側および他面12側の両方から均等にモールド樹脂60の成型圧力が印加される。したがって、基板10には一面11側または他面12側のいずれかに偏った成型圧力が加わることはない。このため、基板10や第1の電子部品20が偏った成型圧力によって変形することはない。この後、ダムバーなどをカットすることにより、図1に示される電子装置が完成する。
According to this, the molding pressure of the
以上説明したように、本実施形態では、基板10の一面11のうち第1の電子部品20が搭載された部位と基板10の他面12のうち金属板40から露出した部位とを挟んで封止することが特徴となっている。
As described above, in the present embodiment, sealing is performed by sandwiching a portion of the
これにより、基板10のうち第1の電子部品20が設けられた部位では、基板10の一面11側および他面12側の両方から均等にモールド樹脂60の成型圧力を印加することができ、均等に成型圧力を受けた構造を得ることができる。したがって、基板10の一面11側または他面12側に偏った力が加わらない構造とすることができる。したがって、基板10のうち第1の電子部品20が設けられた部位では、基板10や精密部品である第1の電子部品20の変形を防止することができる。
Thereby, in the site | part in which the 1st
なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、第1の電子部品20が特許請求の範囲の電子部品に対応する。
As for the correspondence between the description of the present embodiment and the description of the claims, the first
(第2実施形態)
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図3は、本実施形態に係る電子装置の下方から電子装置を見たときの概略平面図であり、図1(b)に対応した図である。なお、図3において金属板40の周りに示された破線は、電子装置の下面においてモールド樹脂60が開口した角部に相当する。
(Second Embodiment)
In the present embodiment, only different parts from the first embodiment will be described. FIG. 3 is a schematic plan view when the electronic device is viewed from below the electronic device according to the present embodiment, and corresponds to FIG. In addition, the broken line shown around the
図3に示されるように、金属板40の平面形状は長方形をなしている。そして、2枚の金属板40が一定の間隔をもって配置されている。この一定の間隔は、第1の電子部品20のサイズ以上の間隔になっている。そして、基板10の他面12に第1の電子部品20を投影させた部位に金属板40は配置されておらず、該部位にはモールド樹脂60が設けられた形態になっている。
As shown in FIG. 3, the planar shape of the
このような金属板40の平面形状および配置によると、モールド樹脂60の注入通路61の幅は図1(b)に示される注入通路61の幅よりも大きくなる。これにより、積極的に基板10の他面12側にモールド樹脂60を流すことができるようになり、モールド樹脂60の注入性が向上する。
According to such a planar shape and arrangement of the
(第3実施形態)
本実施形態では、第1、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図4は、本実施形態に係る電子装置の下方から電子装置を見たときの概略平面図であり、図1(b)に対応した図である。なお、図4において金属板40の周りに示された破線は、電子装置の下面においてモールド樹脂60が開口した角部に相当する。
(Third embodiment)
In the present embodiment, only parts different from the first and second embodiments will be described. FIG. 4 is a schematic plan view when the electronic device is viewed from below the electronic device according to the present embodiment, and corresponds to FIG. In addition, the broken line shown around the
図4に示されるように、金属板40の平面形状は略正方形をなしている。そして、4枚の金属板40が、仮想の四角形の頂点にそれぞれ位置するように配置されている。また、基板10の他面12に第1の電子部品20を投影させた部位に各金属板40は配置されていない。つまり、各金属板40は基板10の他面12のうち第1の電子部品20を基板10の他面12に投影させた部位が露出するように基板10の他面12に接着されている。
As shown in FIG. 4, the planar shape of the
本実施形態では、4枚の金属板40がそれぞれ離間して配置されている。このため、金属板40と金属板40との間にモールド樹脂60が配置され、図1(b)や図3に示される場合よりも、多くのモールド樹脂60を基板10の他面12側に設けることが可能となっている。
In the present embodiment, the four
したがって、モールド樹脂60の成型収縮や成型温度からの温度が低下すると、リードフレーム50や基板10に対し、基板10の一面11側のモールド樹脂60の量に比べて他面12側のモールド樹脂60の量の比率が1:1に近くなる。このため、反りが少ない電子装置の構造を得ることができる。
Accordingly, when the mold shrinkage of the
(第4実施形態)
本実施形態では、第1〜第3実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図5は、本実施形態に係る電子装置を示した図であり、(a)は概略断面図であり、(b)は(a)中の下方から電子装置を見たときの概略平面図である。なお、図5(b)において金属板40の周りに示された破線は、電子装置の下面においてモールド樹脂60が開口した角部に相当する。
(Fourth embodiment)
In the present embodiment, only parts different from the first to third embodiments will be described. 5A and 5B are diagrams showing the electronic device according to the present embodiment, where FIG. 5A is a schematic cross-sectional view, and FIG. 5B is a schematic plan view when the electronic device is viewed from below in FIG. is there. In addition, the broken line shown around the
図5(a)に示されるように、本実施形態では、第1の電子部品20が基板10の一面11の内縁部に搭載されておらず、一方のリードフレーム50側に配置されている。これに伴い、第2の電子部品30は、基板10の一面11において第1の電子部品20とは反対側の他方のリードフレーム50側に配置されている。
As shown in FIG. 5A, in the present embodiment, the first
これにより、図5(b)に示されるように、基板10の他面12のうち第1の電子部品20を基板10の他面12に投影させた部位には金属板40は配置されていない。したがって、金属板40は、第2の電子部品30が配置された位置に対応して基板10の他面12に接着されている。本実施形態では、金属板40の平面形状は長方形をなしている。このため、金属板40は他方のリードフレーム50側に偏って配置されている。
As a result, as shown in FIG. 5B, the
以上のように、基板10の一面11において精密部品である第1の電子部品20が搭載された場所に応じて金属板40の配置を自由に決めることが可能である。
As described above, it is possible to freely determine the arrangement of the
(第5実施形態)
本実施形態では、第1〜第4実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図6は、本実施形態に係る電子装置の概略断面図である。この図に示されるように、モールド樹脂60は、金属板40の外縁部42を覆っている。
(Fifth embodiment)
In the present embodiment, only portions different from the first to fourth embodiments will be described. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the electronic device according to the present embodiment. As shown in this figure, the
このような金属板40の外縁部42をモールド樹脂60で覆う形状は、成型装置において下型81の凸部87のうち金属板40に当接する面の面積を金属板40よりも小さくしたものを用いることで形成可能である。
The shape of covering the
以上のように、金属板40の外縁部42をモールド樹脂60で覆うことにより、金属板40の外縁部42を包み込むように封止することができる。したがって、金属板40からのモールド樹脂60の剥離を防止することができる。
As described above, by covering the
(第6実施形態)
本実施形態では、第1〜第5実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図7は、本実施形態に係る電子装置の概略断面図である。この図に示されるように、モールド樹脂60において、基板10の他面12側の高さが図1(a)に示されるものと異なる。
(Sixth embodiment)
In the present embodiment, only parts different from the first to fifth embodiments will be described. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the electronic device according to the present embodiment. As shown in this figure, in the
具体的には、基板10の他面12を基準としたとき、基板10の他面12のうち第1の電子部品20を他面12に投影させた部位に設けられたモールド樹脂60の高さは、金属板40よりも高くなっている。また、該モールド樹脂60の高さは、基板10の他面12側に形成されたモールド樹脂60のうちもっとも高い位置よりも低くなっている。
Specifically, when the
このようなモールド樹脂60の高さの調整は、成型装置における下型81の形状を変更することにより可能である。このため、該モールド樹脂60の高さは、任意に変えられる。これにより、モールド樹脂60の注入性が悪い他面12側に発生しやすいウェルドを発生しにくい構造とすることができる。
The height of the
また、該モールド樹脂60の高さの調整により、基板10の他面12側におけるモールド樹脂60の注入速度を調節することができる。これにより、下型81および上型82内に配置されたワーク80において、基板10の一面11側と他面12側とのモールド樹脂60の注入速度を同じにすることができる。このため、下型81および上型82内の空間83に空気を残さずに空間83内にモールド樹脂60を充填することができる。
Further, by adjusting the height of the
さらに、該空間83内に空気が残らないため、樹脂封止の際に基板10の一面11側および他面12側に同時に成型圧力が均等に印加されるようにすることができる。
Furthermore, since no air remains in the
(第7実施形態)
本実施形態では、第1〜第6実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図8は、本実施形態に係る電子装置の概略断面図である。この図に示されるように、モールド樹脂60において、基板10の他面12側の高さが金属板40と同じになっている。
(Seventh embodiment)
In the present embodiment, only parts different from the first to sixth embodiments will be described. FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of the electronic device according to the present embodiment. As shown in this figure, in the
具体的には、基板10の他面12を基準としたとき、基板10の他面12のうち第1の電子部品20を他面12に投影させた部位に設けられたモールド樹脂60の高さは、金属板40の高さと同じである。また、該モールド樹脂60の高さは、基板10の他面12側に形成されたモールド樹脂60のうちもっとも高い位置の高さと同じである。
Specifically, when the
このように、金属板40の高さをモールド樹脂60の高さと同じにするため、本実施形態では金属板40の厚さを図1に示されるものよりも厚くしている。該金属板40として、例えば異形材が用いられる。また、金属板40とリードフレーム50とは異なる材料で形成されていても良い。
Thus, in order to make the height of the
以上のように、電子装置において基板10の他面12側の高さを平面的にすることで、電子装置を取り付ける別部材の形状を電子装置に合わせる必要がなくなる。したがって、電子装置の別部材への取り付けが容易になる。
As described above, by making the height of the
(第8実施形態)
本実施形態では、第1〜第7実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図9は、本実施形態に係る電子装置の概略断面図である。この図に示されるように、基板10は、内部にLSI等の第1の電子部品20を内蔵している。
(Eighth embodiment)
In the present embodiment, only parts different from the first to seventh embodiments will be described. FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the electronic device according to the present embodiment. As shown in this figure, the
基板10は例えば積層基板になっている。そして、基板10に内蔵された第1の電子部品20は、基板10の内部に形成された配線に接続されて機能する。また、基板10の一面11には、第2の電子部品30のみが搭載されている。
The
金属板40は、基板10の他面12のうち第1の電子部品20を他面12に投影させた部位が露出するように基板10の他面12に接着されている。この場合、金属板40は、基板10の他面12のうち第2の電子部品30の位置に対応した位置に配置され、基板10を介して受ける第2の電子部品30の熱を外部に放出する。
The
以上のように、基板10に第1の電子部品20が内蔵されたものにおいても、モールド樹脂60によって、基板10の一面11のうち第1の電子部品20が投影された部位と基板10の他面12のうち金属板40から露出した部位とが挟まれて封止されている。このため、基板10のうち第1の電子部品20が配置された部位においては、基板10の一面11側と他面12側とから均等に成型圧力が印加されるため、基板10が変形することはない。
As described above, even in the case where the first
(第9実施形態)
本実施形態では、第1〜第8実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記各実施形態では、基板10の他面12に接着剤41を介して金属板40を接着した構造のものについて説明したが、本実施形態では金属板40を用いない構造について説明する。
(Ninth embodiment)
In the present embodiment, only parts different from the first to eighth embodiments will be described. In each of the above embodiments, the structure in which the
図10は、本実施形態に係る電子装置の概略断面図である。この図に示されるように、電子装置は、セラミック基板90と、第1の電子部品20と、第2の電子部品30と、リードフレーム50と、モールド樹脂60とを備えている。
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the electronic device according to the present embodiment. As shown in this figure, the electronic device includes a
セラミック基板90は、一面91および該一面91の反対側の他面92を有し、内部に配線層を有している。このセラミック基板90の一面91には、第1の電子部品20および第2の電子部品30が搭載されている。セラミック基板90は放熱性が高いため、上記各実施形態で用いられた金属板40が不要になっている。また、第1実施形態と同様に、セラミック基板90の電気回路とリードフレーム50とがワイヤ70によって接続されている。
The
モールド樹脂60は、セラミック基板90の一面91側を封止すると共に、セラミック基板90の他面92の内縁部92aが露出するように他面92側を封止している。さらに、モールド樹脂60は、セラミック基板90の一面91の外縁部91aとセラミック基板90の他面92の外縁部92bとを挟んで封止している。
The
このような封止には、以下の理由がある。上記のようにセラミック基板90は内部に配線層を有しており、配線の密度が薄い外縁部91a、92bでセラミック基板90の反りが発生する。このため、下型81とセラミック基板90の外縁部91aとの間に隙間が生じ、セラミック基板90の外縁部91a、92bに成型圧力が加わると、反ったセラミック基板90の外縁部91a、92bが下型81に押さえ付けられる。これにより、セラミック基板90が割れてしまう。しかし、本実施形態のように、セラミック基板90の外縁部91a、92bをセラミック基板90の一面91と他面92とで挟んで封止している。このため、セラミック基板90の一面91と他面92とに均等に成型圧力が加わり、セラミック基板90の外縁部91a、92bが変形して割れてしまうことはない。また、セラミック基板90の外縁部91a、92bがわずかに反ることによってセラミック基板90の他面92にバリのようなモールド樹脂60の染み出しが起こることもない。
Such sealing has the following reasons. As described above, the
上記電子装置の製造方法としては、セラミック基板90の一面91に第1の電子部品20および第2の電子部品30を搭載したワークを用意する。そして、成型装置によって、モールド樹脂60でセラミック基板90の一面91側を封止すると共に、セラミック基板90の他面92の内縁部92aが露出するように他面92側を封止する。このためには、下型81の凸部87がセラミック基板90の他面92の内縁部92aに接するものを用いれば良い。
As a method for manufacturing the electronic device, a work in which the first
そして、上記のようにモールド樹脂60でセラミック基板90を封止する際には、モールド樹脂60によって、セラミック基板90の一面91の外縁部91aとセラミック基板90の他面92の外縁部92bとを挟んで封止する。これにより、セラミック基板90のうち外縁部91a、92bにおいて、セラミック基板90の一面91側および他面92側の両方から均等にモールド樹脂60の成型圧力を印加することができる。このため、外縁部91a、92bが反りやすいセラミック基板90の外縁部91a、92bに偏った力が加わらないようにすることができ、セラミック基板90や第1の電子部品20の変形を防止することができる。
When the
以上のように、反りが発生するセラミック基板90の外縁部91a、92bをモールド樹脂60で包み込み、放熱のためにセラミック基板90の他面92の内縁部92aがモールド樹脂60から露出した構造としても良い。これにより、セラミック基板90の変形や破壊を防止できる。
As described above, the
(第10実施形態)
本実施形態では、第9実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図11は、本実施形態に係る電子装置の概略断面図である。この図に示されるように、本実施形態では、セラミック基板90の他面92の内縁部92aにもモールド樹脂60が設けられている。該モールド樹脂60は、セラミック基板90の他面92の内縁部92aのうち第1の電子部品20が投影された場所に位置している。
(10th Embodiment)
In the present embodiment, only parts different from the ninth embodiment will be described. FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of the electronic device according to the present embodiment. As shown in this figure, in this embodiment, the
これによると、セラミック基板90の他面92の内縁部92aにおいては、セラミック基板90の一面91側のモールド樹脂60と他面92側のモールド樹脂60とでセラミック基板90を挟んだ構造となる。したがって、セラミック基板90の一面91側および他面92側に均等な成型圧力が加わった構造となるので、セラミック基板90の変形がより起こりにくくなる。
According to this, the
特に、セラミック基板90の他面92の内縁部92aのうち第1の電子部品20が投影された場所で、セラミック基板90の一面91側と他面92側とからモールド樹脂60でセラミック基板90を挟み込む構造になっている。このため、モールド樹脂60の成型圧力によってセラミック基板90の変形を防止できるだけでなく、第1の電子部品20の破壊も防止できる。
In particular, at the place where the first
このように、セラミック基板90の他面92の内縁部92aにもモールド樹脂60を設けるためには、成型装置の下型81の凸部87の形状を変更すれば良い。
Thus, in order to provide the
(第11実施形態)
本実施形態では、第9、第10実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図12は、本実施形態に係る電子装置の概略断面図である。この図に示されるように、セラミック基板90の一面91には第2の電子部品30のみが搭載され、セラミック基板90の他面92の内縁部92aに第1の電子部品20が搭載されている。
(Eleventh embodiment)
In the present embodiment, only parts different from the ninth and tenth embodiments will be described. FIG. 12 is a schematic cross-sectional view of the electronic device according to the present embodiment. As shown in this figure, only the second
したがって、第1の電子部品20としてモールド成型に不向きな部品を用いたとしても、セラミック基板90に第1の電子部品20を搭載することが可能となる。モールド成型に不向きな第1の電子部品20としては、MEMS、アルミ電解コンデンサ、タンタルコンデンサ、コイル部品等が採用される。
Therefore, even if a component unsuitable for molding is used as the first
このように、モールド樹脂60から露出した部分に第1の電子部品20を実装することにより、モールド成型に不向きな第1の電子部品20においてモールド樹脂60の成型圧力による特性劣化や故障の防止が図られている。
As described above, by mounting the first
また、第1の電子部品20は保護膜23で覆われている。保護膜23としては、例えば樹脂が用いられる。この保護膜23により、モールド樹脂60とは別途第1の電子部品20の保護が図られている。
The first
上記の電子装置の製造方法としては、まず、セラミック基板90の一面91に第2の電子部品30を搭載し、セラミック基板90の電気回路とリードフレーム50とをワイヤ70で接続したものを上述のようにモールド樹脂60で封止する。
As a method for manufacturing the electronic device, first, the second
続いて、セラミック基板90の他面92の内縁部92aに第1の電子部品20を搭載する。この後、第1の電子部品20を保護膜23で覆うことにより、図12に示される電子装置が完成する。
Subsequently, the first
(他の実施形態)
図1、図3、図4等では、複数の金属板40が用いられる構造が示されているが、金属板40として1枚の金属板40のうち第1の電子部品20が投影された部位が開口したものを用いても良い。
(Other embodiments)
1, 3, 4, and the like show a structure in which a plurality of
第1〜第8実施形態では、基板10の他面12に金属板40を接着していたが、これは基板10の熱を金属板40に伝達して外部に放出するためである。しかし、サーマルビアの配置により基板10の放熱性を向上することにより、金属板40を用いない構造としても良い。この場合、基板10として、プリント基板などの配線基板を用いることができる。
In the first to eighth embodiments, the
図1(b)、図3、図4に示されたモールド樹脂ゲート85の位置は、電子装置の角部に該当する位置になっているが、これは一例を示したものである。したがって、モールド樹脂ゲート85の位置は、例えば電子装置の側面部に位置していても良い。
The position of the
第11実施形態では、第1の電子部品20を保護膜23で覆った構造が示されているが、保護膜23を設けない構造としても良い。
Although the structure in which the first
10 基板
11 基板の一面
12 基板の他面
20 第1の電子部品
23 保護膜
40 金属板
42 金属板の外縁部
60 モールド樹脂
90 セラミック基板
91 セラミック基板の一面
91a セラミック基板の一面の外縁部
92 セラミック基板の他面
92a セラミック基板の他面の内縁部
92b セラミック基板の他面の外縁部
DESCRIPTION OF
Claims (21)
前記基板(10)の他面(12)のうち前記電子部品(20)を前記他面(12)に投影させた部位が露出するように前記基板(10)の他面(12)に接着された金属板(40)と、
前記基板(10)の一面(11)側を封止すると共に、前記金属板(40)が露出するように前記基板(10)の他面(12)側を封止し、さらに、前記基板(10)の一面(11)のうち前記電子部品(20)が搭載された部位と前記基板(10)の他面(12)のうち前記金属板(40)から露出した部位とを挟んで封止したモールド樹脂(60)とを備え、
前記基板(10)の他面(12)のうち前記電子部品(20)を前記他面(12)に投影させた部位の全領域に、前記基板(10)の一面(11)側を封止する前記モールド樹脂(60)と同一の前記モールド樹脂(60)が設けられており、
さらに、前記モールド樹脂(60)は、前記金属板(40)の外縁部(42)を覆っていることを特徴とする電子装置。 A substrate (10) having one surface (11) and the other surface (12) opposite to the one surface (11), wherein the electronic component (20) is mounted on or built in the one surface (11);
The other surface (12) of the substrate (10) is adhered to the other surface (12) of the substrate (10) so that the portion where the electronic component (20) is projected onto the other surface (12) is exposed. A metal plate (40),
The one surface (11) side of the substrate (10) is sealed, the other surface (12) side of the substrate (10) is sealed so that the metal plate (40) is exposed, and the substrate (10) 10) Sealing by sandwiching a portion of the one surface (11) where the electronic component (20) is mounted and a portion of the other surface (12) of the substrate (10) exposed from the metal plate (40). Molded resin (60),
The one surface (11) side of the substrate (10) is sealed in the entire region of the other surface (12) of the substrate (10) where the electronic component (20) is projected onto the other surface (12). The same mold resin (60) as the mold resin (60) is provided,
Further, the mold resin (60) covers an outer edge (42) of the metal plate (40).
前記基板(10)の他面(12)のうち前記電子部品(20)を前記他面(12)に投影させた部位が露出するように前記基板(10)の他面(12)に接着された金属板(40)と、
前記基板(10)の一面(11)側を封止すると共に、前記金属板(40)が露出するように前記基板(10)の他面(12)側を封止し、さらに、前記基板(10)の一面(11)のうち前記電子部品(20)が搭載された部位と前記基板(10)の他面(12)のうち前記金属板(40)から露出した部位とを挟んで封止したモールド樹脂(60)とを備え、
前記モールド樹脂(60)は、前記金属板(40)の外縁部(42)を覆っており、
前記基板(10)の他面(12)を基準としたとき、前記基板(10)の他面(12)のうち前記電子部品(20)を前記他面(12)に投影させた部位に設けられたモールド樹脂(60)の高さは、前記金属板(40)よりも高く、前記基板(10)の他面(12)側に形成された前記モールド樹脂(60)のうちもっとも高い位置よりも低いことを特徴とする電子装置。 A substrate (10) having one surface (11) and the other surface (12) opposite to the one surface (11), wherein the electronic component (20) is mounted on or built in the one surface (11);
The other surface (12) of the substrate (10) is adhered to the other surface (12) of the substrate (10) so that the portion where the electronic component (20) is projected onto the other surface (12) is exposed. A metal plate (40),
The one surface (11) side of the substrate (10) is sealed, the other surface (12) side of the substrate (10) is sealed so that the metal plate (40) is exposed, and the substrate (10) 10) Sealing by sandwiching a portion of the one surface (11) where the electronic component (20) is mounted and a portion of the other surface (12) of the substrate (10) exposed from the metal plate (40). Molded resin (60),
The mold resin (60) covers an outer edge (42) of the metal plate (40),
When the other surface (12) of the substrate (10) is used as a reference, the electronic component (20) is provided on a portion of the other surface (12) of the substrate (10) projected on the other surface (12). The height of the molded resin (60) is higher than that of the metal plate (40), and is higher than the highest position of the mold resin (60) formed on the other surface (12) side of the substrate (10). An electronic device characterized by being low.
前記基板(10)の他面(12)のうち前記電子部品(20)を前記他面(12)に投影させた部位が露出するように前記基板(10)の他面(12)に接着された金属板(40)と、
前記基板(10)の一面(11)側を封止すると共に、前記金属板(40)が露出するように前記基板(10)の他面(12)側を封止し、さらに、前記基板(10)の一面(11)のうち前記電子部品(20)が搭載された部位と前記基板(10)の他面(12)のうち前記金属板(40)から露出した部位とを挟んで封止したモールド樹脂(60)とを備え、
前記モールド樹脂(60)は、前記金属板(40)の外縁部(42)を覆っており、
前記金属板(40)は2枚で構成されており、前記2枚の金属板(40)の平面形状はコの字状をなしているとともに、前記2枚の金属板(40)がリング状となるように配置されていることを特徴とする電子装置。 A substrate (10) having one surface (11) and the other surface (12) opposite to the one surface (11), wherein the electronic component (20) is mounted on or built in the one surface (11);
The other surface (12) of the substrate (10) is adhered to the other surface (12) of the substrate (10) so that the portion where the electronic component (20) is projected onto the other surface (12) is exposed. A metal plate (40),
The one surface (11) side of the substrate (10) is sealed, the other surface (12) side of the substrate (10) is sealed so that the metal plate (40) is exposed, and the substrate (10) 10) Sealing by sandwiching a portion of the one surface (11) where the electronic component (20) is mounted and a portion of the other surface (12) of the substrate (10) exposed from the metal plate (40). Molded resin (60),
The mold resin (60) covers an outer edge (42) of the metal plate (40),
The metal plate (40) is composed of two sheets, and the planar shape of the two metal plates (40) is U-shaped, and the two metal plates (40) are ring-shaped. An electronic device is arranged so as to be
前記基板(10)の他面(12)のうち前記電子部品(20)を前記他面(12)に投影させた部位が露出するように前記基板(10)の他面(12)に接着された金属板(40)と、
前記基板(10)の一面(11)側を封止すると共に、前記金属板(40)が露出するように前記基板(10)の他面(12)側を封止し、さらに、前記基板(10)の一面(11)のうち前記電子部品(20)が搭載された部位と前記基板(10)の他面(12)のうち前記金属板(40)から露出した部位とを挟んで封止したモールド樹脂(60)とを備えた電子装置の製造方法であって、
前記電子部品(20)を前記基板(10)の一面(11)に搭載又は前記基板(10)の内部に内蔵し、前記基板(10)の他面(12)のうち前記電子部品(20)を前記他面(12)に投影させた部位が露出するように前記基板(10)の他面(12)に前記金属板(40)を接着したものを用意する工程と、
前記モールド樹脂(60)で前記基板(10)の一面(11)側を封止すると共に、前記金属板(40)が露出するように前記基板(10)の他面(12)側を封止する工程とを含んでおり、
前記封止する工程では、前記モールド樹脂(60)で前記基板(10)の一面(11)のうち前記電子部品(20)が搭載された部位と前記基板(10)の他面(12)のうち前記金属板(40)から露出した部位とを挟んで封止すると共に、前記基板(10)の他面(12)のうち前記電子部品(20)を前記他面(12)に投影させた部位の全領域に、前記基板(10)の一面(11)側を封止する前記モールド樹脂(60)と同一の前記モールド樹脂(60)を設け、さらに、前記金属板(40)の外縁部(42)を前記モールド樹脂(60)で覆うことを特徴とする電子装置の製造方法。 A substrate (10) having one surface (11) and the other surface (12) opposite to the one surface (11), wherein the electronic component (20) is mounted on or built in the one surface (11);
The other surface (12) of the substrate (10) is adhered to the other surface (12) of the substrate (10) so that the portion where the electronic component (20) is projected onto the other surface (12) is exposed. A metal plate (40),
The one surface (11) side of the substrate (10) is sealed, the other surface (12) side of the substrate (10) is sealed so that the metal plate (40) is exposed, and the substrate (10) 10) Sealing by sandwiching a portion of the one surface (11) where the electronic component (20) is mounted and a portion of the other surface (12) of the substrate (10) exposed from the metal plate (40). A method of manufacturing an electronic device comprising a molded resin (60),
The electronic component (20) is mounted on one surface (11) of the substrate (10) or built in the substrate (10), and the electronic component (20) of the other surface (12) of the substrate (10). Preparing a material in which the metal plate (40) is bonded to the other surface (12) of the substrate (10) so that a portion projected onto the other surface (12) is exposed;
The mold resin (60) seals the one surface (11) side of the substrate (10) and the other surface (12) side of the substrate (10) so that the metal plate (40) is exposed. And a process of performing
In the sealing step, a portion of the one surface (11) of the substrate (10) with the mold resin (60) where the electronic component (20) is mounted and the other surface (12) of the substrate (10). Among them, the part exposed from the metal plate (40) is sandwiched and sealed, and the electronic component (20) of the other surface (12) of the substrate (10) is projected onto the other surface (12). The same mold resin (60) as the mold resin (60) for sealing the one surface (11) side of the substrate (10) is provided in the entire region of the part, and the outer edge of the metal plate (40) (42) is covered with the mold resin (60).
21. The method of manufacturing an electronic device according to claim 11, wherein the surface of the metal plate (40) is roughened.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008213862A JP4760876B2 (en) | 2008-08-22 | 2008-08-22 | Electronic device and manufacturing method thereof |
US12/314,345 US8207607B2 (en) | 2007-12-14 | 2008-12-09 | Semiconductor device with resin mold |
DE102008061636.2A DE102008061636B4 (en) | 2007-12-14 | 2008-12-11 | Semiconductor device and method for its production |
US13/449,484 US8749055B2 (en) | 2007-12-14 | 2012-04-18 | Semiconductor device with resin mold |
US14/248,406 US9087924B2 (en) | 2007-12-14 | 2014-04-09 | Semiconductor device with resin mold |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008213862A JP4760876B2 (en) | 2008-08-22 | 2008-08-22 | Electronic device and manufacturing method thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010050323A JP2010050323A (en) | 2010-03-04 |
JP4760876B2 true JP4760876B2 (en) | 2011-08-31 |
Family
ID=42067168
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008213862A Expired - Fee Related JP4760876B2 (en) | 2007-12-14 | 2008-08-22 | Electronic device and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4760876B2 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101781425B1 (en) * | 2011-03-11 | 2017-09-26 | 서울반도체 주식회사 | Led module and its manufacturing method |
US10074779B2 (en) | 2011-03-11 | 2018-09-11 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED module, method for manufacturing the same, and LED channel letter including the same |
JP5456077B2 (en) | 2011-03-11 | 2014-03-26 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | LED module, manufacturing method thereof, and LED channel letter including LED module |
CN108886036B (en) * | 2016-04-04 | 2022-06-24 | 三菱电机株式会社 | Power module, power semiconductor device, and power module manufacturing method |
WO2019021766A1 (en) * | 2017-07-24 | 2019-01-31 | 株式会社デンソー | Semiconductor device and method for producing semiconductor device |
JP6780675B2 (en) | 2017-07-24 | 2020-11-04 | 株式会社デンソー | Semiconductor devices and methods for manufacturing semiconductor devices |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007165585A (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Denso Corp | Electronic circuit device |
JP2008172172A (en) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Denso Corp | Electronic controller and method of manufacturing the same |
-
2008
- 2008-08-22 JP JP2008213862A patent/JP4760876B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010050323A (en) | 2010-03-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9087924B2 (en) | Semiconductor device with resin mold | |
CN102256452B (en) | Circuit board with built-in semiconductor chip and method of manufacturing the same | |
JP4188337B2 (en) | Manufacturing method of multilayer electronic component | |
CN103715150B (en) | Die cap and the Flip-Chip Using with die cap | |
JP5306385B2 (en) | Multilayer electronic components | |
TW201123370A (en) | Semiconductor package structures, flip chip packages, and methods for manufacturing semiconductor flip chip package | |
KR101316289B1 (en) | Circuit apparatus and method for manufacturing the same | |
JP4760876B2 (en) | Electronic device and manufacturing method thereof | |
JP2011222555A (en) | Method for manufacturing wiring board with built-in semiconductor chip | |
JP2011222553A (en) | Wiring board with built-in semiconductor chip and manufacturing method of the same | |
JP2011054806A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP2004119465A (en) | Electronic circuit device and method for manufacturing the same | |
JP2012074497A (en) | Circuit board | |
JP4939916B2 (en) | Multilayer printed wiring board and manufacturing method thereof | |
JP5444584B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP5452210B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2008181922A (en) | Heat-conductive substrate and manufacturing method thereof, and semiconductor device using heat-conductive substrate | |
JP2011071234A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP5343932B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP5849935B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device | |
JP2967080B1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device package | |
JP3550100B2 (en) | Automotive electronic circuit device and package manufacturing method thereof | |
JP5308107B2 (en) | Circuit device manufacturing method | |
JP2010086996A (en) | Method of manufacturing circuit device | |
JP3553513B2 (en) | Automotive electronic circuit devices |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100616 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100622 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100820 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110111 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110405 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110413 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110523 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4760876 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |