JP4378790B2 - Sputtering method and sputtering apparatus for glass substrate - Google Patents

Sputtering method and sputtering apparatus for glass substrate Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマディスプレイパネル等に使用する大型のガラス基板に対して薄膜を形成するためのスパッタリング方法及び装置に係り、特にガラス基板を垂直に保持した状態で行なうスパッタリングに関する。
【0002】
プラズマディスプレイパネル等に用いられるガラス基板は、大面積であることから、多くの床面積を要する水平状態での処理に比べて、垂直状態での処理が効率的である。そこで、スパッタリング方法においても垂直状態で安定且つ確実に処理を行なうことが求められている。
【0003】
【従来の技術】
プラズマディスプレイパネル(以下PDPと称する)におけるガラス基板には表示セルを構成する複数の放電用電極が設けられており、この電極を形成するにあたり、ガラス基板の略全面に金属の薄膜を形成する工程がある。
【0004】
上記金属薄膜の形成は、ガラスへの金属膜被着方法として一般的であるスパッタリング技術が採用されており、以下にスパッタリングによる従来の薄膜形成について図8を参照しながら説明する。図8は、従来の技術を説明するための図であり、図8(a)はスパッタリング時のガラス基板保持に使用する基板ホルダーの正面図、図8(b)は図8(a)のA−A’側断面図、図8(c)は図8(a)のB−B’上断面図である。
【0005】
前項に記載するとおり、処理効率を高めるためにガラス基板は垂直に保持された状態でスパッタリングされるものであり、図8はその状態を示している。
【0006】
図8に示すように、ガラス基板61は、ベース体65上の前面ホルダー62と背面ホルダー63との間に保持されて、前面ホルダー62の開口部62aから露出する面にスパッタリングが施される。図8(a)において、中央の領域が開口部62aを介して見えているガラス基板61の表面であり、この領域に対してスパッタリングが施され、クロムや銅の金属薄膜が形成される。
【0007】
前面ホルダー62は、開口部62aに加え、ガラス基板61の下面を受ける基板支持部64と、ガラス基板61の位置ずれを防止するガイド部68とを備えている。これら基板支持部64及びガイド部68は、図8(a)からわかるようにガラス基板61の周辺部に点在するように複数が設けられ、図8(b)(c)に示すように前面ホルダー62の内方へ突出している。
【0008】
一方、背面ホルダー63は、前面ホルダー62に対して所定の間隔離れた位置に平行状態で配設され、ガラス基板61を前面ホルダー62側へ押さえ付ける押さえバネ67を有している。
【0009】
ガラス基板61は垂直状態であるため、基板支持部64に支持されるのみでは不安定で、倒れてしまうため、押さえバネ67により押さえつけることが必要になっている。
【0010】
前面ホルダー62は、回転軸66の動作により前方へ回動するように構成されており、開いた状態でガラス基板61を載せ、その後前面ホルダー62を閉じることで押さえバネ67によりガラス基板61を前面ホルダー62側に押しつけ、図8に示す保持状態とする。
【0011】
このような状態で、図示せぬスパッタリング装置内へ移送され、スパッタリング処理を実施することにより、ガラス基板61の表面、即ち前面ホルダー62の開口部62aから露出する面に金属薄膜を形成する。
【0012】
尚、図示していないが、移送は、ベース体65下面を支持して移動する搬送路によって行なわれる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
スパッタリングは、低圧状態の処理室内において、原料ターゲットへのイオン衝撃により、原料を飛散させ、これを被処理体へ付着させるものであるが、付着させる薄膜の膜質安定化のためにもともと加熱されている上、イオン衝撃時に発生する熱により、処理室内は数百℃の高温状態となる。
【0014】
そのため、処理室内のガラス基板は高温となり、薄く大面積であるガラス基板は反りを生じることになる。
【0015】
図9は、従来の技術の課題を説明するための図であり、ガラス基板に反りが発生する状態を示すものである。
【0016】
図9(a)は、スパッタリング処理前のガラス基板41の通常状態を示す側断面図、図9(b)はスパッタリング処理時の反りを生じている状態を示す側断面図、図9(c)は、図9(a)(b)の側断面図である。尚、図9(c)は実線で通常状態を、破線で反り状態を示している。符号は図8と同様のものを付している。
【0017】
ガラス基板61は、例えば50インチサイズの大面積であるも、その厚みは3mm程度の薄いものである。そのため、図9(a)に示すように、前面ホルダー62の基板支持部64と、背面ホルダー63の押さえバネ67により前面ホルダー62に押し付けられることで保持されているガラス基板61は、温度が上昇するにつれて反りを生じ、図9(b)に示す状態となる。
【0018】
ガラス基板61の中央付近においては、矢印で示すように前面ホルダー62側から背面ホルダー63側に移動する。図9(c)は、その中央付近の側断面図であり、ガラス基板61は実線で示す位置から破線で示す位置へと移動している。
【0019】
ガラス基板61は、略全重量を基板支持部64に加えて支持されており、ガラス基板61が前述の反りにより基板支持部64上を移動した場合、その部分に摩擦力による極めて大きな負荷が加わる。大面積且つ薄いガラス基板61において、部分的に大きな負荷が加わると、その部分を起点にして基板割れが起こることがある。
【0020】
本発明は、上記課題を解決して、垂直状態での金属薄膜の形成において、基板割れを生じることなく、安定且つ確実に行なうことのできるガラス基板のスパッタリング方法及び装置を提供することを目的としている。
【0021】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明は、ガラス基板を略垂直に保持した状態で、該ガラス基板の表面に薄膜を形成するスパッタリング方法において、前記ガラス基板表面に対して直交する方向に回転するローラーを備える基板支持部を有し、該基板支持部のローラー上にガラス基板を支持した状態で、前記ガラス基板表面に薄膜を形成する処理を行なうものである。
【0022】
上記本発明によれば、スパッタリング時に高温となることによりガラス基板に反りを生じた場合、反りによる移動方向に回転するローラーにガラス基板が支持されているため、移動時の摩擦力が軽減され、ガラス基板に加わる負荷を極めて小さくすることができる。そのため、反り発生時の基板割れを抑えることが可能となる。
【0023】
また、本発明は、ガラス基板を略垂直に保持した状態で、該ガラス基板の表面に薄膜を形成するスパッタリング方法において、前記ガラス基板の上部を支持することで吊り下げた状態とし、この状態で前記ガラス基板表面に薄膜を形成する処理を行なうものである。
【0024】
上記本発明によれば、スパッタリング時に高温になることによりガラス基板に反りを生じた場合、吊り下げられた状態であることから反りによる摩擦力をなくすことができ、基板割れを抑えることが可能となる。
【0025】
また、本発明は、ガラス基板を略垂直に保持した状態で、該ガラス基板の表面に薄膜を形成するスパッタリング方法において、前記ガラス基板を、その被処理表面側に傾斜する状態で支持し、該ガラス基板に対向する位置にガラス基板と平行となるように傾斜して配置する原料ターゲットを使用して、前記ガラス基板表面に薄膜を形成する処理を行なうものである。
【0026】
上記本発明のよれば、ガラス基板の重量を分散させることができるため、スパッタリング時に高温になることによりガラス基板に反りを生じた場合の摩擦力も分散し、基板割れを抑えることが可能となる。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。
【0028】
図1〜図4は、本発明の第1の実施形態を説明するための図であり、図1は基板ホルダーの断面図及び正面図、図2は前面ホルダーの部分拡大斜視図、図3は基板ホルダーの全体斜視図、図4は処理装置(スパッタリング装置)の平面図である。
【0029】
図1(a)に示す如く、ガラス基板1はベース体9上の前面ホルダー2と背面ホルダー3との間に保持された状態によりスパッタリングを実施されるものである。
【0030】
前面ホルダー2は、ガラス基板1の表面を露出させるための開口部2aを有すると共に、背面ホルダー3側に突出してガラス基板1を支える基板支持部4及び位置ズレを防止するガイド部8を有している。基板支持部4は、ガラス基板1の下面と接触する部分に、回転方向を基板の厚み方向に合致させた複数のローラー5を備えている。
【0031】
また、背面ホルダー3は、ガラス基板1を前面ホルダー2側に押し付ける押さえバネ7を有している。押さえバネ7は、ガラス基板1へのダメージを抑えるために低圧力としている。
【0032】
図1(b)は、図1(a)の正面図であるが、背面ホルダー3側から見た状態で、背面ホルダー3及び押さえバネ7を省略したものである。
【0033】
図1(b)に示す如く、基板支持部4は前面ホルダー2の3か所に設けられており、それぞれがローラー5によりガラス基板1を支持している。また、ガイド部8はガラス基板1の上面と側面に対応する位置に複数が設けられている。
【0034】
ベース体9に設けられる回転軸6は、前面ホルダー2と連結しており、回転させることにより、前面ホルダー2が回動する構成になっている。尚、後に説明するが、本実施形態の基板ホルダー10は、背面ホルダー3を中心にその両側にそれぞれ前面ホルダー2を有し、2枚のガラス基板1を背中合わせに保持することを可能にしている。
【0035】
図2は、基板支持部の構造を明確に示す部分拡大図である。図2に示すように前面ホルダー2の基板支持部4は、複数のローラー5を備えており、このローラー5上にガラス基板1を支持する構成になっている。
【0036】
ローラー5は、ガラス基板1の表面に対して直交する方向、つまり基板の厚み方向に回転可能に設けられており、温度上昇に伴う反りによって、ガラス基板1が基板支持部4上を移動する場合、この移動に合わせてローラー5が回転する。つまり、図2の矢印の如くガラス基板1が移動しようとすると、ローラー5が回転することにより、ガラス基板1を移動させるため、その時の摩擦力は極めて小さくなる。
【0037】
図3は、搬送路等の周辺部を含んで基板ホルダー全体を示す斜視図であり、以下にその動作を具体的に説明する。
【0038】
基板ホルダー10は、図1により説明したとおり、前面ホルダー2と背面ホルダー3との間にガラス基板1を垂直状態で保持するものであり、図3に示すように、背面ホルダー3を中心としてその両側にそれぞれ前面ホルダー2を配置している。このような構成により、2枚のガラス基板1を背中合わせに保持して、両側から同時にスパッタリングを行なうことを可能にしている。
【0039】
2枚のガラス基板1を保持した基板ホルダー10は、処理装置11の内外を結ぶ搬送路13上を移動することで、搬入搬出口12を介して処理装置11内へ送られ、所定のスパッタリングが施される。
【0040】
図3においては、前面ホルダー2を開けた状態(手前)と、閉めた状態(奥)の基板ホルダー10をそれぞれ示している。手前の基板ホルダー10の如く、前面ホルダー2は回転軸6を回転させることで、開くことができ、この状態で別の搬送路15によって搬送される処理前のガラス基板1が吸着パッドを有するロボットアーム(図示なし)によって前面ホルダー2の内面に搭載される。(ガラス基板1の動きを一点鎖線で示している)
この時、ガラス基板1は、ローラー5を有する基板支持部4と、図3では省略しているガイド部8(図1参照)に囲まれる領域に位置するように搭載される。
【0041】
その後、回転軸6を逆方向に回転させることで、前面ホルダー2を元の状態に戻し、ガラス基板1を保持状態とする。つまり、ガラス基板1が搭載された状態で前面ホルダー2を閉じると、ガラス基板1は重力によって基板支持部4上に支持されると共に、背面ホルダー3の押さえバネ7によって、前面ホルダー2側に押さえ付けられることで、垂直に保持される状態となる。
【0042】
尚、背面ホルダー2の反対側に対向して設けられる前面ホルダー2は、既に閉じてガラス基板1を保持している。
【0043】
奥の基板ホルダー10は、両方の前面ホルダー2が閉じて、一対のガラス基板1が背中合わせに保持されており、これから搬送路13上を移動して、搬入搬出口12を介して処理装置11内に送られていく。
【0044】
図3では、押さえバネ7及びローラー5の構造を明確にするため、これらの部分を実際より大きく示している。
【0045】
次に処理装置11内における基板ホルダーの動作等について図4の処理装置平面図を参照しながら説明する。
【0046】
図4に示されるように、処理装置11内にはループ状の搬送経路が配設されており、その一部においてスパッタリング処理が施される。
【0047】
ガラス基板1を保持する基板ホルダー10は、搬入搬出口12から処理装置11内に入り、まず予備加熱室16へ送られる。予備加熱室16内は真空雰囲気であり、ガラス基板1を100〜200℃程度にすることで、その表面に付着する水分等を蒸発させ、表面を清浄な状態とする。このような予備加熱を施して、ガラス基板1の表面を清浄にしておくことにより、形成する薄膜の膜質を良好にすることができる。
【0048】
その後、処理室17へ進み、スパッタリングが行なわれる。処理室17内は、0.5Pa(パスカル)程度の低圧状態にされ、搬送路の両側にはターゲット19が配置されている。このような処理室17において、基板ホルダー10に背中合わせに保持される一対のガラス基板1に対して同時にクロムや銅の薄膜が形成される。
【0049】
この処理室17内では、ガラス基板1の温度は350〜400℃程度に上昇することから反りを生じることになる。
【0050】
この時、本実施形態の場合、基板支持部4に設けられたローラー5(図2参照)上をガラス基板1が移動するため、その摩擦力が小さく基板割れを起こす可能性を極力抑えることができる。
【0051】
所定の薄膜が形成されたガラス基板1は、そのまま基板ホルダー10に保持された状態で、冷却室18に送られる。ここでは、徐々にガラス基板1の温度を低下させることで、急激な温度低下による基板割れを防止している。
【0052】
冷却室18を通過した基板ホルダー10は、搬入搬出口12から処理装置11の外部へ搬出される。そして、回転軸6の回転により前面ホルダー2を開けた状態にして、処理済のガラス基板1が取り出される。ガラス基板1の取り出された基板ホルダー10は、未処理のガラス基板1を再度保持して、処理装置11内に送られてスパッタリングを繰り返し実施する。
【0053】
このようなガラス基板1の取り出し、搭載は前述したように、ロボットアームによって行なわれる。
【0054】
尚、処理装置11内には、常時複数の基板ホルダー10が存在しており、所定のタイミングで、搬入搬出が繰り返されている。
【0055】
図5は、本発明の第2の実施形態を説明するための図であり、図5(a)は基板ホルダーの側断面図、図5(b)は前面ホルダーの部分拡大斜視図である。
【0056】
第1の実施形態は、温度変化による反り発生時の摩擦力をローラー支持にて軽減させるものであったが、本第2の実施形態は、ガラス基板上部の挟持により保持することで、反り発生時の摩擦力を無くすものである。つまり、ガラス基板を下側から支持するのではなく、吊るした状態で保持するものである。
【0057】
本実施形態の基板ホルダー30は、図5(a)に示すように、開口部22aを有する前面ホルダー22上部に天板28を備え、天板28に伸縮材27aを介して挟持クリップ27が設けられている。
【0058】
図5(b)に示すように、挟持クリップ27は、天板28に所定の間隔毎に設けられており、ガラス基板21を保持している。この挟持クリップ27は、少なくともガラス基板21と接触する部分が耐熱性樹脂材から構成されることでガラス基板21に熱的ストレスを加えることがないと共に、伸縮可能な伸縮材27aの作用で保持しているガラス基板21の反りに追従するように上下左右に移動することができる。
【0059】
従って、温度変化によるガラス基板21の反り発生時に、摩擦力が生じることがなく、基板割れを起こすことがない。
【0060】
図示していないが、挟持クリップ27のガラス基板21と接触する部分には、ベスペル材が設けられている。
【0061】
また、ガラス基板21の上部を挟持して吊るした状態で保持するため、第1の実施形態で備えている押さえバネが不要になる。ガラス基板の反り発生時においては、押さえバネの圧力もガラス基板に若干のストレスを加えており、このストレスをなくすことができる。
【0062】
図5では省略しているが、前面ホルダー22は、図3により説明した第1の実施形態と同様、ベース体29上の背面ホルダー23の両側に設けられており、それぞれの前面ホルダー22が回転軸26の回転により、回動するようになっている。
【0063】
また、処理装置は図4に示す第1の実施形態と同様のものを使用し、基板ホルダー30の搬送等、その処理も同様な方法にて実施する。
【0064】
図6は、本発明の第3の実施形態を説明するための図であり、図6(a)は基板ホルダーの側断面図、図6(b)は前面ホルダーの部分拡大斜視図である。
【0065】
本実施形態は、第2の実施形態の変形例であり、予めガラス基板31に設ける支持用孔を利用してガラス基板31を吊るすように保持するものである。
【0066】
つまり、基板ホルダー40は、図6(a)に示すように、開口部32aを有する前面ホルダー32の上部に天板38を備え、この天板38に伸縮材37aを介して表面が耐熱性樹脂材からなる支持フック37が設けられている。
【0067】
図6(b)に示すように、支持フック37は、天板28に所定の間隔毎に設けられており、ガラス基板31に開けられている支持用孔31aと嵌合することにより、ガラス基板31を吊るした状態で保持している。
【0068】
この支持フック37は、伸縮バネ37aを介して天板38に設けられているため、伸縮バネ37aの作用により、保持しているガラス基板31の反りに追従するように上下左右に移動することができる。
【0069】
従って、第2の実施形態と同様、温度変化によるガラス基板31の反り発生時に、摩擦力が生じることがなく、基板割れを起こすことがない。尚、図示していないが、支持フック37のガラス基板31と接触する部分には、ベスペル材が設けられている。
【0070】
更に、第2の実施形態と同様、ガラス基板31の裏面側に押さえバネを備える必要がなく、ストレスを緩和できる。
【0071】
図6では省略しているが、前面ホルダー32は、図3により説明した第1の実施形態と同様、ベース体39上の背面ホルダー33の両側に設けられており、それぞれの前面ホルダー32が回転軸36の回転により、回動するようになっている。
【0072】
また、処理装置は図4に示す第1の実施形態と同様のものを使用し、基板ホルダー40の搬送等、その処理も同様な方法にて実施する。
【0073】
図7は、本発明の第4の実施形態を説明するための図であり、基板ホルダーと処理装置の一部を示す側断面図である。
【0074】
本実施形態は、温度変化によるガラス基板の反り発生時の摩擦力を軽減させるために、ガラス基板を傾斜させた状態で保持するものである。
【0075】
図7に示すように、本実施形態の基板ホルダー50は、ガラス基板41を保持した状態において、前面ホルダー42及び背面ホルダー43が共に傾斜した状態となる。
【0076】
つまり、垂直状態でガラス基板の下面を支持する場合、基板支持部にガラス基板の全ての重量が加わるが、本実施形態の如くガラス基板41を傾斜状態にすることにより、ガラス基板41の重量が、下面を支える基板支持部44と、前面ホルダー42におけるガラス基板41との接触面に分散することになる。
【0077】
従って、温度変化による反り発生時の摩擦力もガラス基板41の一部に集中することがなく、分散するため、基板割れを抑制することができる。尚、前面ホルダー42のガラス基板41と接触する面には、ベスペル材が設けられている。
【0078】
また、傾斜した状態でガラス基板41を支持することから、安定した状態となり、第2及び第3の実施形態と同様、押さえバネが不要であり、押さえバネによるストレスをなくすことができる。
【0079】
本実施形態の場合、ガラス基板41が傾斜しているため、その表面に均等に薄膜を形成するために、処理装置51も図7に示すように、各構成部を傾斜する構成としている。
【0080】
処理装置51は、基板ホルダー50に保持されるガラス基板41に対向する位置に、ガラス基板41と平行になるように、傾斜するターゲット47を有している。クロムや銅などのターゲット47は、金属製のバックプレート48上に設けられており、その背面には磁界を発生させるための磁石収容部49が備えられている。
【0081】
基板ホルダー50のある処理装置51の内部は、イオンガスを含む低圧雰囲気とされており、磁界印加によりイオンガスがターゲット47に衝突して、ターゲット47より飛散する原料が開口部42aから露出するガラス基板41の表面に付着することで、クロムや銅の薄膜が形成される。
【0082】
尚、第1〜第3の実施形態では、詳細な説明は省略したが、傾斜していることを除けばターゲット周辺部の構成や薄膜の形成原理は、図7を参照した上記と同様である。
【0083】
このように、ターゲット47がガラス基板41に合わせて傾斜していることから、ガラス基板41の表面に均等に薄膜を形成することが可能となっている。 本実施形態によれば、反り発生時のガラス基板41に加わるストレスを簡単な構成により軽減することができ、基板割れを起こすことなく、均等な薄膜を形成することが可能である。
【0084】
基板ホルダー50の傾斜角度を水平に近くなるように小さくするほど、反り発生時に摩擦する基板支持部に加わる重量は小さくなり、その部分を起点とする基板割れの発生は少なくなるが、処理装置の床面積が大となり、処理効率を落とすことになるため、垂直に近く且つ安定性を確保できる程度の角度、例えば70〜85度に設定することが望ましい。
【0085】
【発明の効果】
本発明のガラス基板のスパッタリング方法及び装置によれば、加熱処理によってガラス基板に反りを生じた場合、反りによる移動方向に回転するローラーにガラス基板が支持されているため、移動時の摩擦力が軽減され、負荷を小さくすることができる。そのため、基板割れを抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施形態に係る基板ホルダー断面図及び正面図である。
【図2】本発明の第1の実施形態に係る前面ホルダーの部分拡大斜視図である。
【図3】本発明の第1の実施形態に係る基板ホルダーの全体斜視図である。
【図4】本発明の第1の実施形態に係る処理装置平面図である。
【図5】本発明の第2の実施形態を説明するための図である。
【図6】本発明の第3の実施形態を説明するための図である。
【図7】本発明の第4の実施形態を説明するための図である。
【図8】従来の技術を説明するための図である。
【図9】従来技術の課題を説明するための図である。
【符号の説明】
1,21,31,41 ガラス基板
2,22,32,42 前面ホルダー
3,23,33,43 背面ホルダー
4 基板支持部
5 ローラー
6,26,36,46 回転軸
7 押さえバネ
8 ガイド部
9,29,39,45 ベース体
10,30,40,50 基板ホルダー
27 挟持クリップ
37 支持フック
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a sputtering method and apparatus for forming a thin film on a large glass substrate used for a plasma display panel or the like, and more particularly to sputtering performed with a glass substrate held vertically.
[0002]
Since a glass substrate used for a plasma display panel or the like has a large area, processing in a vertical state is more efficient than processing in a horizontal state requiring a large floor area. Therefore, it is required to perform the treatment in a vertical state stably and reliably also in the sputtering method.
[0003]
[Prior art]
A glass substrate in a plasma display panel (hereinafter referred to as PDP) is provided with a plurality of discharge electrodes constituting a display cell, and in forming these electrodes, a process of forming a metal thin film on substantially the entire surface of the glass substrate. There is.
[0004]
The formation of the metal thin film employs a sputtering technique that is common as a method for depositing a metal film on glass. Hereinafter, conventional thin film formation by sputtering will be described with reference to FIG. 8A and 8B are diagrams for explaining the conventional technique. FIG. 8A is a front view of a substrate holder used for holding a glass substrate at the time of sputtering, and FIG. 8B is A in FIG. 8A. -A 'sectional side view, FIG.8 (c) is BB' upper sectional drawing of Fig.8 (a).
[0005]
As described in the previous section, in order to increase the processing efficiency, the glass substrate is sputtered while being held vertically, and FIG. 8 shows this state.
[0006]
As shown in FIG. 8, the glass substrate 61 is held between the front holder 62 and the rear holder 63 on the base body 65, and the surface exposed from the opening 62 a of the front holder 62 is subjected to sputtering. In FIG. 8A, the central region is the surface of the glass substrate 61 that can be seen through the opening 62a, and this region is sputtered to form a chromium or copper metal thin film.
[0007]
In addition to the opening 62 a, the front holder 62 includes a substrate support portion 64 that receives the lower surface of the glass substrate 61, and a guide portion 68 that prevents displacement of the glass substrate 61. As can be seen from FIG. 8A, a plurality of these substrate support portions 64 and guide portions 68 are provided so as to be scattered in the peripheral portion of the glass substrate 61, and as shown in FIGS. Projecting inward of the holder 62.
[0008]
On the other hand, the rear holder 63 is arranged in parallel with a position spaced apart from the front holder 62 by a predetermined distance, and has a holding spring 67 that presses the glass substrate 61 toward the front holder 62.
[0009]
Since the glass substrate 61 is in a vertical state, it is unstable and falls down only by being supported by the substrate support portion 64, so it is necessary to press the glass substrate 61 with a pressing spring 67.
[0010]
The front holder 62 is configured to be rotated forward by the operation of the rotation shaft 66. The glass substrate 61 is placed in an open state, and then the front holder 62 is closed to hold the glass substrate 61 to the front by a holding spring 67. It is pressed to the holder 62 side to obtain the holding state shown in FIG.
[0011]
In such a state, the metal thin film is formed on the surface of the glass substrate 61, that is, the surface exposed from the opening 62 a of the front holder 62 by being transferred into a sputtering apparatus (not shown) and performing a sputtering process.
[0012]
Although not shown, the transfer is performed by a conveyance path that moves while supporting the lower surface of the base body 65.
[0013]
[Problems to be solved by the invention]
Sputtering is a process in which a raw material is scattered by an ion bombardment to a raw material target in a low-pressure processing chamber, and this is attached to an object to be processed, but it is originally heated to stabilize the film quality of the thin film to be attached. In addition, the heat generated at the time of ion bombardment causes the processing chamber to reach a high temperature of several hundred degrees Celsius.
[0014]
Therefore, the glass substrate in the processing chamber becomes high temperature, and the glass substrate having a large area is warped.
[0015]
FIG. 9 is a diagram for explaining a problem of the conventional technique, and shows a state in which the glass substrate is warped.
[0016]
9A is a side cross-sectional view showing a normal state of the glass substrate 41 before the sputtering process, FIG. 9B is a side cross-sectional view showing a state in which warpage occurs during the sputtering process, and FIG. 9C. These are sectional side views of Drawing 9 (a) (b). FIG. 9C shows a normal state with a solid line and a warped state with a broken line. The reference numerals are the same as those in FIG.
[0017]
The glass substrate 61 has a large area of, for example, 50 inches, but has a thin thickness of about 3 mm. Therefore, as shown in FIG. 9A, the temperature of the glass substrate 61 held by being pressed against the front holder 62 by the substrate support portion 64 of the front holder 62 and the holding spring 67 of the rear holder 63 increases. As a result, warping occurs and the state shown in FIG.
[0018]
In the vicinity of the center of the glass substrate 61, the glass substrate 61 moves from the front holder 62 side to the rear holder 63 side as indicated by an arrow. FIG. 9C is a side sectional view of the vicinity of the center, and the glass substrate 61 has moved from the position indicated by the solid line to the position indicated by the broken line.
[0019]
The glass substrate 61 is supported by adding substantially the entire weight to the substrate support portion 64. When the glass substrate 61 moves on the substrate support portion 64 due to the above-described warpage, an extremely large load is applied to the portion due to frictional force. . In a large area and thin glass substrate 61, if a large load is applied partially, substrate cracking may occur starting from that portion.
[0020]
An object of the present invention is to provide a glass substrate sputtering method and apparatus capable of solving the above-described problems and stably and reliably performing the formation of a metal thin film in a vertical state without causing substrate cracking. Yes.
[0021]
[Means for Solving the Problems]
The present invention for solving the above problems is a sputtering method in which a thin film is formed on the surface of a glass substrate while the glass substrate is held substantially vertically, and a roller that rotates in a direction orthogonal to the surface of the glass substrate. The substrate supporting part is provided, and a process of forming a thin film on the surface of the glass substrate is performed in a state where the glass substrate is supported on the roller of the substrate supporting part.
[0022]
According to the present invention, when the glass substrate is warped due to a high temperature during sputtering, the glass substrate is supported by a roller that rotates in the moving direction due to the warpage, so the frictional force during movement is reduced, The load applied to the glass substrate can be extremely reduced. Therefore, it is possible to suppress the substrate cracking when warping occurs.
[0023]
Further, the present invention is a sputtering method in which a thin film is formed on the surface of the glass substrate while the glass substrate is held substantially vertically, and is suspended by supporting the upper portion of the glass substrate. A process of forming a thin film on the surface of the glass substrate is performed.
[0024]
According to the present invention, when the glass substrate is warped due to a high temperature during sputtering, the frictional force due to the warp can be eliminated from the suspended state, and it is possible to suppress substrate cracking. Become.
[0025]
Further, the present invention provides a sputtering method in which a thin film is formed on the surface of the glass substrate while the glass substrate is held substantially vertically, and the glass substrate is supported while being inclined toward the surface to be processed. Using a raw material target that is inclined and arranged parallel to the glass substrate at a position facing the glass substrate, a process of forming a thin film on the surface of the glass substrate is performed.
[0026]
According to the present invention, since the weight of the glass substrate can be dispersed, the frictional force when the glass substrate is warped due to a high temperature during sputtering is also dispersed, and the substrate cracking can be suppressed.
[0027]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0028]
1-4 is a figure for demonstrating the 1st Embodiment of this invention, FIG. 1 is sectional drawing and front view of a substrate holder, FIG. 2 is the elements on larger scale of a front holder, FIG. FIG. 4 is a plan view of the processing apparatus (sputtering apparatus).
[0029]
As shown in FIG. 1A, the glass substrate 1 is subjected to sputtering while being held between a front holder 2 and a rear holder 3 on a base body 9.
[0030]
The front holder 2 has an opening 2 a for exposing the surface of the glass substrate 1, a substrate support portion 4 that protrudes toward the back holder 3 and supports the glass substrate 1, and a guide portion 8 that prevents displacement. ing. The substrate support part 4 is provided with a plurality of rollers 5 whose rotation direction is matched with the thickness direction of the substrate at a portion that contacts the lower surface of the glass substrate 1.
[0031]
The back holder 3 has a holding spring 7 that presses the glass substrate 1 against the front holder 2 side. The holding spring 7 is set to a low pressure in order to suppress damage to the glass substrate 1.
[0032]
FIG. 1B is a front view of FIG. 1A, but the back holder 3 and the holding spring 7 are omitted when viewed from the back holder 3 side.
[0033]
As shown in FIG. 1B, the substrate support portions 4 are provided at three locations on the front holder 2, and each supports the glass substrate 1 with a roller 5. A plurality of guide portions 8 are provided at positions corresponding to the upper surface and the side surface of the glass substrate 1.
[0034]
The rotating shaft 6 provided in the base body 9 is connected to the front holder 2 and is configured to rotate the front holder 2 by rotating. As will be described later, the substrate holder 10 of the present embodiment has a front holder 2 on both sides of the back holder 3 as a center, and can hold two glass substrates 1 back to back. .
[0035]
FIG. 2 is a partially enlarged view clearly showing the structure of the substrate support portion. As shown in FIG. 2, the substrate support portion 4 of the front holder 2 includes a plurality of rollers 5, and is configured to support the glass substrate 1 on the rollers 5.
[0036]
The roller 5 is provided so as to be rotatable in a direction orthogonal to the surface of the glass substrate 1, that is, in the thickness direction of the substrate, and the glass substrate 1 moves on the substrate support portion 4 due to a warp accompanying a temperature rise. The roller 5 rotates in accordance with this movement. That is, when the glass substrate 1 tries to move as shown by the arrow in FIG. 2, the roller 5 rotates to move the glass substrate 1, so that the frictional force at that time becomes extremely small.
[0037]
FIG. 3 is a perspective view showing the entire substrate holder including the peripheral portion such as the conveyance path, and the operation thereof will be specifically described below.
[0038]
As described with reference to FIG. 1, the substrate holder 10 holds the glass substrate 1 in a vertical state between the front holder 2 and the rear holder 3, and as shown in FIG. Front holders 2 are arranged on both sides. With such a configuration, two glass substrates 1 can be held back to back and sputtering can be performed simultaneously from both sides.
[0039]
The substrate holder 10 holding the two glass substrates 1 is moved into the processing apparatus 11 through the loading / unloading exit 12 by moving on the conveyance path 13 connecting the inside and outside of the processing apparatus 11, and predetermined sputtering is performed. Applied.
[0040]
FIG. 3 shows the substrate holder 10 in a state where the front holder 2 is opened (front side) and a state where the front holder 2 is closed (back side). Like the substrate holder 10 in the foreground, the front holder 2 can be opened by rotating the rotary shaft 6, and the glass substrate 1 before processing which is transported by another transport path 15 in this state has a suction pad. It is mounted on the inner surface of the front holder 2 by an arm (not shown). (The movement of the glass substrate 1 is indicated by a dashed line)
At this time, the glass substrate 1 is mounted so that it may be located in the area | region enclosed by the board | substrate support part 4 which has the roller 5, and the guide part 8 (refer FIG. 1) which is abbreviate | omitted in FIG.
[0041]
Thereafter, by rotating the rotating shaft 6 in the reverse direction, the front holder 2 is returned to the original state, and the glass substrate 1 is held. That is, when the front holder 2 is closed with the glass substrate 1 mounted, the glass substrate 1 is supported on the substrate support portion 4 by gravity and is pressed to the front holder 2 side by the pressing spring 7 of the rear holder 3. By being attached, it is in a state of being held vertically.
[0042]
The front holder 2 provided opposite to the opposite side of the rear holder 2 is already closed and holds the glass substrate 1.
[0043]
The back substrate holder 10 is such that both front holders 2 are closed and a pair of glass substrates 1 are held back to back, and then moves on the conveyance path 13 and enters the processing apparatus 11 via the carry-in / out port 12. Will be sent to.
[0044]
In FIG. 3, in order to clarify the structure of the holding spring 7 and the roller 5, these portions are shown larger than the actual size.
[0045]
Next, the operation of the substrate holder in the processing apparatus 11 will be described with reference to the processing apparatus plan view of FIG.
[0046]
As shown in FIG. 4, a loop-shaped conveyance path is disposed in the processing apparatus 11, and a sputtering process is performed on a part thereof.
[0047]
The substrate holder 10 holding the glass substrate 1 enters the processing apparatus 11 from the carry-in / out port 12 and is first sent to the preheating chamber 16. The inside of the preheating chamber 16 is in a vacuum atmosphere, and by setting the glass substrate 1 to about 100 to 200 ° C., moisture and the like attached to the surface is evaporated to make the surface clean. By performing such preheating and cleaning the surface of the glass substrate 1, the film quality of the thin film to be formed can be improved.
[0048]
Thereafter, the process proceeds to the processing chamber 17 where sputtering is performed. The inside of the processing chamber 17 is in a low pressure state of about 0.5 Pa (Pascal), and targets 19 are arranged on both sides of the conveyance path. In such a processing chamber 17, a chromium or copper thin film is simultaneously formed on the pair of glass substrates 1 held back to back on the substrate holder 10.
[0049]
In the processing chamber 17, the temperature of the glass substrate 1 rises to about 350 to 400 ° C., which causes warping.
[0050]
At this time, in the case of the present embodiment, since the glass substrate 1 moves on the roller 5 (see FIG. 2) provided in the substrate support portion 4, the frictional force is small and the possibility of causing the substrate cracking is suppressed as much as possible. it can.
[0051]
The glass substrate 1 on which the predetermined thin film is formed is sent to the cooling chamber 18 while being held by the substrate holder 10 as it is. Here, the temperature of the glass substrate 1 is gradually lowered to prevent substrate cracking due to a rapid temperature drop.
[0052]
The substrate holder 10 that has passed through the cooling chamber 18 is unloaded from the loading / unloading port 12 to the outside of the processing apparatus 11. And the processed glass substrate 1 is taken out in the state which opened the front holder 2 by rotation of the rotating shaft 6. FIG. The substrate holder 10 from which the glass substrate 1 has been taken out holds the unprocessed glass substrate 1 again and is sent into the processing apparatus 11 to repeatedly perform sputtering.
[0053]
The glass substrate 1 is taken out and mounted by a robot arm as described above.
[0054]
A plurality of substrate holders 10 are always present in the processing apparatus 11, and loading and unloading are repeated at a predetermined timing.
[0055]
5A and 5B are views for explaining a second embodiment of the present invention, in which FIG. 5A is a side sectional view of the substrate holder, and FIG. 5B is a partially enlarged perspective view of the front holder.
[0056]
In the first embodiment, the frictional force at the time of warpage due to temperature change is reduced by the roller support. However, in the second embodiment, the warp is generated by holding the glass substrate by holding it. It eliminates the frictional force of time. That is, the glass substrate is not supported from the lower side but is held in a suspended state.
[0057]
As shown in FIG. 5A, the substrate holder 30 of the present embodiment includes a top plate 28 on the front holder 22 having an opening 22a, and the top plate 28 is provided with a holding clip 27 via an elastic member 27a. It has been.
[0058]
As shown in FIG. 5 (b), the clip clips 27 are provided on the top plate 28 at predetermined intervals and hold the glass substrate 21. This sandwiching clip 27 is made of a heat-resistant resin material at least at a portion that comes into contact with the glass substrate 21, so that thermal stress is not applied to the glass substrate 21, and the clip clip 27 is held by the action of a stretchable elastic material 27 a. It can move up and down and left and right so as to follow the warp of the glass substrate 21.
[0059]
Therefore, when the glass substrate 21 is warped due to a temperature change, no frictional force is generated and the substrate is not cracked.
[0060]
Although not shown, a vespel material is provided at a portion of the sandwiching clip 27 that contacts the glass substrate 21.
[0061]
Moreover, since it hold | maintains in the state which clamped and hung the upper part of the glass substrate 21, the holding | suppressing spring with which 1st Embodiment is equipped becomes unnecessary. When the glass substrate is warped, the pressure of the holding spring also applies a slight stress to the glass substrate, and this stress can be eliminated.
[0062]
Although omitted in FIG. 5, the front holders 22 are provided on both sides of the rear holder 23 on the base body 29 as in the first embodiment described with reference to FIG. 3, and each front holder 22 rotates. The shaft 26 is rotated by the rotation of the shaft 26.
[0063]
Further, the processing apparatus is the same as that of the first embodiment shown in FIG. 4, and the processing such as transport of the substrate holder 30 is also performed by the same method.
[0064]
6A and 6B are views for explaining a third embodiment of the present invention, in which FIG. 6A is a side sectional view of the substrate holder, and FIG. 6B is a partially enlarged perspective view of the front holder.
[0065]
The present embodiment is a modification of the second embodiment, and holds the glass substrate 31 so as to hang using the support holes provided in the glass substrate 31 in advance.
[0066]
That is, as shown in FIG. 6A, the substrate holder 40 includes a top plate 38 on the upper portion of the front holder 32 having the opening 32a, and the surface of the substrate holder 40 is formed of a heat-resistant resin via an elastic member 37a. A support hook 37 made of a material is provided.
[0067]
As shown in FIG. 6 (b), the support hooks 37 are provided on the top plate 28 at predetermined intervals, and are fitted into the support holes 31 a opened in the glass substrate 31, so that the glass substrate 31 is held in a suspended state.
[0068]
Since the support hook 37 is provided on the top plate 38 via the extension spring 37a, the support hook 37 can be moved up, down, left and right by the action of the extension spring 37a so as to follow the warp of the glass substrate 31 being held. it can.
[0069]
Therefore, as in the second embodiment, when the glass substrate 31 is warped due to a temperature change, no frictional force is generated and the substrate is not cracked. Although not shown in the figure, a portion of the support hook 37 that comes into contact with the glass substrate 31 is provided with a bespel material.
[0070]
Furthermore, as in the second embodiment, it is not necessary to provide a pressing spring on the back side of the glass substrate 31, and stress can be alleviated.
[0071]
Although omitted in FIG. 6, the front holders 32 are provided on both sides of the rear holder 33 on the base body 39 as in the first embodiment described with reference to FIG. 3, and each front holder 32 rotates. The shaft is rotated by the rotation of the shaft.
[0072]
Further, the processing apparatus is the same as that of the first embodiment shown in FIG. 4, and the processing such as transport of the substrate holder 40 is also performed by the same method.
[0073]
FIG. 7 is a view for explaining the fourth embodiment of the present invention, and is a side sectional view showing a part of the substrate holder and the processing apparatus.
[0074]
In the present embodiment, the glass substrate is held in an inclined state in order to reduce the frictional force when the glass substrate warps due to a temperature change.
[0075]
As shown in FIG. 7, in the substrate holder 50 of the present embodiment, both the front holder 42 and the rear holder 43 are inclined while the glass substrate 41 is held.
[0076]
That is, when the lower surface of the glass substrate is supported in a vertical state, the entire weight of the glass substrate is added to the substrate support portion. However, by making the glass substrate 41 in an inclined state as in this embodiment, the weight of the glass substrate 41 is reduced. The substrate support portion 44 that supports the lower surface and the contact surface between the front substrate 42 and the glass substrate 41 are dispersed.
[0077]
Therefore, the frictional force at the time of occurrence of warping due to temperature change is not concentrated on a part of the glass substrate 41 and is dispersed, so that substrate cracking can be suppressed. A bespel material is provided on the surface of the front holder 42 that contacts the glass substrate 41.
[0078]
In addition, since the glass substrate 41 is supported in an inclined state, a stable state is obtained, and a pressing spring is unnecessary as in the second and third embodiments, and stress due to the pressing spring can be eliminated.
[0079]
In the case of this embodiment, since the glass substrate 41 is inclined, in order to form a thin film evenly on the surface thereof, the processing apparatus 51 is also configured to incline each component as shown in FIG.
[0080]
The processing apparatus 51 has a target 47 that is inclined so as to be parallel to the glass substrate 41 at a position facing the glass substrate 41 held by the substrate holder 50. A target 47 such as chrome or copper is provided on a metal back plate 48, and a magnet accommodating portion 49 for generating a magnetic field is provided on the back surface thereof.
[0081]
The inside of the processing apparatus 51 with the substrate holder 50 is a low-pressure atmosphere containing an ion gas, and the ion gas collides with the target 47 when a magnetic field is applied, and the raw material scattered from the target 47 is exposed from the opening 42a. By attaching to the surface of the substrate 41, a thin film of chromium or copper is formed.
[0082]
In the first to third embodiments, the detailed description is omitted, but the configuration of the target peripheral portion and the thin film formation principle are the same as those described above with reference to FIG. .
[0083]
Thus, since the target 47 is inclined according to the glass substrate 41, it is possible to form a thin film evenly on the surface of the glass substrate 41. According to the present embodiment, the stress applied to the glass substrate 41 when warping occurs can be reduced with a simple configuration, and a uniform thin film can be formed without causing substrate cracking.
[0084]
The smaller the inclination angle of the substrate holder 50 is, the smaller the weight applied to the substrate support portion that rubs when warping occurs, and the occurrence of substrate cracks starting from that portion decreases. Since the floor area becomes large and the processing efficiency is lowered, it is desirable to set the angle close to the vertical and secure the stability, for example, 70 to 85 degrees.
[0085]
【The invention's effect】
According to the sputtering method and apparatus for a glass substrate of the present invention, when the glass substrate is warped by heat treatment, the glass substrate is supported by a roller that rotates in the moving direction due to the warpage, so that the frictional force at the time of movement is The load can be reduced. Therefore, it is possible to suppress substrate cracking.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a sectional view and a front view of a substrate holder according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a partially enlarged perspective view of a front holder according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is an overall perspective view of a substrate holder according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a plan view of a processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram for explaining a second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a diagram for explaining a third embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a diagram for explaining a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a diagram for explaining a conventional technique.
FIG. 9 is a diagram for explaining a problem of a conventional technique.
[Explanation of symbols]
1, 21, 31, 41 Glass substrate 2, 22, 32, 42 Front holder 3, 23, 33, 43 Rear holder 4 Substrate support portion 5 Rollers 6, 26, 36, 46 Rotating shaft 7 Pressing spring 8 Guide portion 9, 29, 39, 45 Base body 10, 30, 40, 50 Substrate holder 27 Holding clip 37 Support hook

Claims (3)

ガラス基板を略垂直に保持した状態で、該ガラス基板の表面に薄膜を形成するスパッタリング方法において、
前記ガラス基板の表面に対して直交する方向に回転するローラーを備える基板支持部を有し、該基板支持部のローラー上にガラス基板を支持した状態で、該ガラス基板の表面に薄膜を形成する処理を行なうことを特徴とするガラス基板のスパッタリング方法。
In a sputtering method for forming a thin film on the surface of the glass substrate while maintaining the glass substrate substantially vertically,
A thin film is formed on the surface of the glass substrate with a substrate supporting portion having a roller that rotates in a direction orthogonal to the surface of the glass substrate, with the glass substrate supported on the roller of the substrate supporting portion. A glass substrate sputtering method characterized by performing a treatment.
ガラス基板を略垂直に保持した状態で、該ガラス基板の表面に薄膜を形成するスパッタリング方法において、
前記ガラス基板の上部を支持することによって吊り下げ、この状態で前記ガラス基板の表面に薄膜を形成する処理を行い、 前記ガラス基板の上部を支持する手段は、伸縮材を介して固定されており、当該ガラス基板の形状変化に追従して移動することを特徴とするガラス基板のスパッタリング方法。
In a sputtering method for forming a thin film on the surface of the glass substrate while maintaining the glass substrate substantially vertically,
It is suspended by supporting the upper part of the glass substrate, and in this state, a process for forming a thin film on the surface of the glass substrate is performed, and means for supporting the upper part of the glass substrate is fixed via an elastic material. The glass substrate sputtering method , wherein the glass substrate moves following the shape change of the glass substrate.
ガラス基板を略垂直に保持した状態でその基板表面に薄膜を形成するスパッタリング装置において、In a sputtering apparatus that forms a thin film on the surface of a glass substrate while maintaining the glass substrate substantially vertically,
一方向に回転するローラーを備える基板支持部を有し、該基板支持部のローラー上に当該ガラス基板をローラーの回転方向と基板の厚み方向とを合致させた状態で略垂直に支持することを特徴とするスパッタリング装置。It has a substrate support portion having a roller that rotates in one direction, and supports the glass substrate on the roller of the substrate support portion substantially vertically with the rotation direction of the roller and the thickness direction of the substrate being matched. Sputtering device characterized.
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