JP2017139253A - Method of manufacturing epitaxial substrate - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an epitaxial substrate that is capable of further improving the crystallinity of the epitaxial substrate.SOLUTION: A method of manufacturing an epitaxial substrate 1 includes: a first step of forming a plurality of island-shaped AlN crystal nuclei 34 on a base surface 20 containing one flat plane 21 of a single crystal substrate 2 and the surfaces of a plurality of protrusions 22; a second step of forming a first AlN layer 301 on the base surface 20 of the single crystal substrate based on the plurality of AlN crystal nuclei 34; and a third step of forming a second AlN layer 302 on the first AlN layer 301. The V/III ratio in the first step is a value at which the AlN crystal nuclei having Al polarity are formed preferentially to the AlN crystal nuclei having N polarity. The V/III ratio in the second step is a value which promotes the longitudinal growth of the AlN crystal having facets orthogonal to the normal direction of the one flat plane 21 of the single crystal substrate 2. The V/III ratio in the third step is a value at which the lateral growth of the AlN crystal is promoted. The thickness of the first AlN layer 301 is equal to or more than 2 μm.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、エピタキシャル基板の製造方法に関し、より詳細には、ＭＯＶＰＥ（metal organic vapor phase epitaxy）装置を用いたエピタキシャル基板の製造方法に関する。   The present invention relates to an epitaxial substrate manufacturing method, and more particularly, to an epitaxial substrate manufacturing method using a metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) apparatus.

エピタキシャル基板の製造方法としては、一方の面に凸部の配列が形成された単結晶のサファイア基板を準備する工程と、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）ガスとアンモニアガスとを原料とするＭＯＶＰＥ法によりサファイア基板の該一方の面にＡｌＮ結晶のバッファ層を成長させるバッファ層成長工程と、を含む製造方法が提案されている（例えば、特許文献１）。   As a method for manufacturing an epitaxial substrate, a sapphire substrate is prepared by a step of preparing a single crystal sapphire substrate having an array of convex portions on one surface, and a MOVPE method using trimethylaluminum (TMAl) gas and ammonia gas as raw materials. And a buffer layer growth step of growing an AlN crystal buffer layer on the one surface of the substrate (for example, Patent Document 1).

バッファ層成長工程では、まず、結晶核（ＡｌＮ結晶核）を形成し、その後、横エンハンス成長（enhanced lateral growth）の条件でＡｌＮ結晶を成長させることにより下地結晶層を形成し、その後、凸部のそれぞれから、サファイア基板の一方の面の法線方向に延びる複数のピラーを成長させ、更に複数のピラーを一体化させている。   In the buffer layer growth step, first, crystal nuclei (AlN crystal nuclei) are formed, and then an underlying crystal layer is formed by growing an AlN crystal under the conditions of enhanced lateral growth, and then convex portions From these, a plurality of pillars extending in the normal direction of one surface of the sapphire substrate are grown, and the plurality of pillars are further integrated.

特許文献１には、上述のバッファ層を紫外発光層の結晶成長のためのテンプレートとして利用した紫外線発光ダイオードの製造方法が記載されている。   Patent Document 1 describes a method for manufacturing an ultraviolet light-emitting diode using the buffer layer described above as a template for crystal growth of an ultraviolet light-emitting layer.

ＷＯ２０１４／０６９２３５WO2014 / 069235

ところで、エピタキシャル基板では、一般的に、転位密度が低いほど結晶性が良いと考えられている。   By the way, in an epitaxial substrate, it is generally considered that the lower the dislocation density, the better the crystallinity.

エピタキシャル基板の製造方法では、エピタキシャル基板の結晶性（単結晶基板上に結晶成長されたＡｌＮ層の結晶性）の更なる向上が望まれている。   In the method for manufacturing an epitaxial substrate, it is desired to further improve the crystallinity of the epitaxial substrate (the crystallinity of the AlN layer grown on the single crystal substrate).

本発明の目的は、エピタキシャル基板の結晶性の更なる向上を図ることが可能なエピタキシャル基板の製造方法を提供することにある。   The objective of this invention is providing the manufacturing method of the epitaxial substrate which can aim at the further improvement of the crystallinity of an epitaxial substrate.

本発明に係る一態様のエピタキシャル基板の製造方法は、一平面に前記一平面の法線方向に突出する複数の突起がアレイ状に並んでいる単結晶基板をＭＯＶＰＥ装置の反応炉内に配置する初期工程と、前記単結晶基板を加熱した状態で、Ａｌの原料ガスとＮの原料ガスとを前記反応炉内に供給することによって、前記単結晶基板の前記一平面及び前記複数の突起の表面を含む下地面上に島状の複数のＡｌＮ結晶核を形成する第１工程と、前記単結晶基板を加熱した状態で、前記Ａｌの原料ガスと前記Ｎの原料ガスとを前記反応炉内に供給することによって、前記複数のＡｌＮ結晶核を元に前記単結晶基板の前記下地面上に第１ＡｌＮ層を形成する第２工程と、前記単結晶基板を加熱した状態で前記Ａｌの原料ガスと前記Ｎの原料ガスとを前記反応炉内に供給することによって、前記第１ＡｌＮ層上に第２ＡｌＮ層を形成する第３工程と、を含み、前記第１工程におけるＶ／III比は、Ａｌ極性のＡｌＮ結晶核がＮ極性のＡｌＮ結晶核よりも優先して形成される値であり、前記第２工程におけるＶ／III比は、前記単結晶基板の前記法線方向に直交するファセットを有するＡｌＮ結晶の縦方向成長が促進される値であり、前記第３工程におけるＶ／III比は、ＡｌＮ結晶の横方向成長が促進される値であり、前記第１ＡｌＮ層の厚さは２μｍ以上である。   In one embodiment of the method for manufacturing an epitaxial substrate according to the present invention, a single crystal substrate in which a plurality of protrusions protruding in a normal direction of the one plane is arranged in an array is arranged in a reaction furnace of a MOVPE apparatus. By supplying an Al source gas and an N source gas into the reaction furnace in an initial step and in a state where the single crystal substrate is heated, the one plane of the single crystal substrate and the surfaces of the plurality of protrusions A first step of forming a plurality of island-shaped AlN crystal nuclei on a base surface including the Al source gas and the N source gas in the reactor while the single crystal substrate is heated. A second step of forming a first AlN layer on the base surface of the single crystal substrate based on the plurality of AlN crystal nuclei, and a source gas of the Al while the single crystal substrate is heated. The N source gas and the A third step of forming a second AlN layer on the first AlN layer by supplying it into the reactor, and the V / III ratio in the first step is such that the Al polar AlN crystal nuclei are N polar. It is a value formed in preference to AlN crystal nuclei, and the V / III ratio in the second step promotes the vertical growth of AlN crystals having facets perpendicular to the normal direction of the single crystal substrate. The V / III ratio in the third step is a value that promotes lateral growth of the AlN crystal, and the thickness of the first AlN layer is 2 μm or more.

本発明のエピタキシャル基板の製造方法は、エピタキシャル基板の結晶性の更なる向上を図ることが可能になるという効果がある。   The method for manufacturing an epitaxial substrate of the present invention has an effect that the crystallinity of the epitaxial substrate can be further improved.

図１は、本発明の一実施形態に係るエピタキシャル基板の製造方法により製造されたエピタキシャル基板の模式的な断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an epitaxial substrate manufactured by an epitaxial substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention. 図２Ａは、同上のエピタキシャル基板の製造方法に用いる単結晶基板の平面図である。図２Ｂは、図２ＡのＸ−Ｘ線断面図である。FIG. 2A is a plan view of a single crystal substrate used in the above epitaxial substrate manufacturing method. 2B is a cross-sectional view taken along line XX in FIG. 2A. 図３Ａは、同上のエピタキシャル基板の製造方法における第１工程を説明する主要工程断面図である。図３Ｂは、同上のエピタキシャル基板の製造方法における第２工程を説明する主要工程断面図である。図３Ｃは、同上のエピタキシャル基板の製造方法における第３工程を説明する主要工程断面図である。FIG. 3A is a main process sectional view illustrating a first process in the epitaxial substrate manufacturing method same as above. FIG. 3B is a main process cross-sectional view illustrating a second process in the epitaxial substrate manufacturing method same as above. FIG. 3C is a main process cross-sectional view illustrating a third process in the epitaxial substrate manufacturing method same as above. 図４は、本発明の一実施例に係るエピタキシャル基板の製造方法の成長シーケンス図である。FIG. 4 is a growth sequence diagram of an epitaxial substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention. 図５は、本発明の一実施例に係るエピタキシャル基板の製造方法により製造されたエピタキシャル基板の断面ＴＥＭ像（cross-sectional transmission electron microscope image）である。FIG. 5 is a cross-sectional transmission electron microscope image of an epitaxial substrate manufactured by the epitaxial substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention. 図６は、図５の要部拡大像である。FIG. 6 is an enlarged view of the main part of FIG. 図７は、本発明の一実施例に係るエピタキシャル基板の製造方法により製造されたエピタキシャル基板の表面に関して、光学顕微鏡による観察像の写真である。FIG. 7 is a photograph of an image observed by an optical microscope with respect to the surface of the epitaxial substrate manufactured by the method for manufacturing an epitaxial substrate according to one embodiment of the present invention. 図８は、比較例１のエピタキシャル基板の製造方法により製造されたエピタキシャル基板の表面に関して、光学顕微鏡による観察像の写真である。FIG. 8 is a photograph of an image observed by an optical microscope with respect to the surface of the epitaxial substrate manufactured by the epitaxial substrate manufacturing method of Comparative Example 1. 図９は、比較例２のエピタキシャル基板の製造方法により製造されたエピタキシャル基板の表面に関して、光学顕微鏡による観察像の写真である。FIG. 9 is a photograph of an image observed by an optical microscope with respect to the surface of the epitaxial substrate manufactured by the epitaxial substrate manufacturing method of Comparative Example 2. 図１０は、比較例３のエピタキシャル基板の製造方法により製造されたエピタキシャル基板の表面に関して、光学顕微鏡による観察像の写真である。FIG. 10 is a photograph of an image observed by an optical microscope with respect to the surface of the epitaxial substrate manufactured by the epitaxial substrate manufacturing method of Comparative Example 3. 図１１は、比較例４のエピタキシャル基板の製造方法により製造されたエピタキシャル基板の表面に関して、光学顕微鏡による観察像の写真である。FIG. 11 is a photograph of an image observed by an optical microscope with respect to the surface of the epitaxial substrate manufactured by the epitaxial substrate manufacturing method of Comparative Example 4. 図１２は、比較例５のエピタキシャル基板の製造方法により製造されたエピタキシャル基板の表面に関して、光学顕微鏡による観察像の写真である。FIG. 12 is a photograph of an image observed by an optical microscope with respect to the surface of the epitaxial substrate manufactured by the epitaxial substrate manufacturing method of Comparative Example 5. 図１３は、比較例６のエピタキシャル基板の製造方法により製造されたエピタキシャル基板の表面に関して、光学顕微鏡による観察像の写真である。FIG. 13 is a photograph of an image observed by an optical microscope with respect to the surface of the epitaxial substrate manufactured by the epitaxial substrate manufacturing method of Comparative Example 6.

下記の実施形態において説明する図１〜３は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。   1 to 3 described in the following embodiment are schematic diagrams, and the ratios of the sizes and thicknesses of the constituent elements in the drawings do not necessarily reflect actual dimensional ratios. .

以下では、本実施形態のエピタキシャル基板（epitaxial substrate）１の製造方法について図１〜３に基づいて説明する。   Below, the manufacturing method of the epitaxial substrate (epitaxial substrate) 1 of this embodiment is demonstrated based on FIGS.

エピタキシャル基板１は、単結晶基板２上にＡｌＮ層３をエピタキシャル成長させた基板である。より詳細には、エピタキシャル基板１は、単結晶基板２上にＡｌＮ層３をＭＯＶＰＥ（metal organic vapor phase epitaxy）装置によりエピタキシャル成長させた基板である。エピタキシャル基板１では、単結晶基板２の一平面２１の面方位とＡｌＮ層３の表面３０の面方位とが同じであり、ＡｌＮ層３がエピタキシャル層（epitaxial layer）である。エピタキシャル基板１では、単結晶基板２の一平面２１が（０００１）面であり、ＡｌＮ層３の表面３０が（０００１）面である。ＡｌＮ層３の表面３０が（０００１）面であることは、例えば、Ｘ線回折、ＴＥＭによる電子回折像等で確認することが可能である。ＡｌＮ層３の表面３０は、Ａｌ極性面である。エピタキシャル基板１のサイズは、例えば、チップサイズ（chip size）でもよいし、ウェハサイズ（wafer size）でもよい。   The epitaxial substrate 1 is a substrate obtained by epitaxially growing an AlN layer 3 on a single crystal substrate 2. More specifically, the epitaxial substrate 1 is a substrate obtained by epitaxially growing an AlN layer 3 on a single crystal substrate 2 using a MOVPE (metal organic vapor phase epitaxy) apparatus. In the epitaxial substrate 1, the plane orientation of the one plane 21 of the single crystal substrate 2 is the same as the plane orientation of the surface 30 of the AlN layer 3, and the AlN layer 3 is an epitaxial layer. In the epitaxial substrate 1, the one plane 21 of the single crystal substrate 2 is the (0001) plane, and the surface 30 of the AlN layer 3 is the (0001) plane. Whether the surface 30 of the AlN layer 3 is a (0001) plane can be confirmed by, for example, X-ray diffraction, an electron diffraction image by TEM, or the like. The surface 30 of the AlN layer 3 is an Al polar surface. The size of the epitaxial substrate 1 may be, for example, a chip size or a wafer size.

エピタキシャル基板１は、一平面２１に、当該一平面２１の法線方向に突出する複数の突起２２が２次元のアレイ状に並んでいる単結晶基板（single crystal substrate）２と、単結晶基板２の一平面２１上に形成されたＡｌＮ層３と、を備えている。複数の突起２２は、単結晶基板２の一平面２１の法線方向に先細りとなる錐状である。ＡｌＮ層３は、複数の突起２２の先端が露出するように一平面２１及び複数の突起２２を覆う第１ＡｌＮ結晶３１と、複数の突起２２の先端から一平面２１の法線方向に沿って突出し、複数の突起２２のうちの対応する突起２２の先端からの距離が長くなるにつれて断面積が大きくなる柱状の複数の第２ＡｌＮ結晶３２と、複数の第２ＡｌＮ結晶３２における単結晶基板２とは反対側の端部３２２を連結している層状の第３ＡｌＮ結晶３３と、を含む。   The epitaxial substrate 1 includes a single crystal substrate 2 in which a plurality of projections 22 projecting in the normal direction of the one plane 21 are arranged in a two-dimensional array, and a single crystal substrate 2. And an AlN layer 3 formed on one plane 21. The plurality of protrusions 22 have a conical shape that tapers in the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2. The AlN layer 3 protrudes along the normal direction of the one plane 21 from the tips of the plurality of protrusions 22 and the first AlN crystal 31 covering the one plane 21 and the plurality of protrusions 22 so that the ends of the plurality of protrusions 22 are exposed. The plurality of columnar second AlN crystals 32 whose cross-sectional area increases as the distance from the tip of the corresponding protrusion 22 among the plurality of protrusions 22 increases, and the single crystal substrate 2 in the plurality of second AlN crystals 32 is opposite to And a layered third AlN crystal 33 connecting the end portions 322 on the side.

エピタキシャル基板１では、複数の第２ＡｌＮ結晶３２のうち隣り合う２つの第２ＡｌＮ結晶３２の間に空洞３７があるのが好ましい。言い換えれば、複数の第２ＡｌＮ結晶３２は、複数の突起２２の先端から単結晶基板２の一平面２１の法線方向に沿って互いに接触しないように突出しているのが好ましい。これにより、エピタキシャル基板１では、突起２２と第２ＡｌＮ結晶３２との界面で生じて突起２２の先端付近から単結晶基板２の法線方向とは傾いた方向に延びた転位が空洞３７の箇所で消滅しやすくなる。   In the epitaxial substrate 1, it is preferable that a cavity 37 is provided between two adjacent second AlN crystals 32 among the plurality of second AlN crystals 32. In other words, it is preferable that the plurality of second AlN crystals 32 protrude from the tips of the plurality of protrusions 22 so as not to contact each other along the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2. As a result, in the epitaxial substrate 1, dislocations generated at the interface between the protrusion 22 and the second AlN crystal 32 and extending from the vicinity of the tip of the protrusion 22 in a direction inclined with respect to the normal direction of the single crystal substrate 2 are at the location of the cavity 37. Easier to disappear.

以下では、エピタキシャル基板１の各構成要素について詳細に説明した後に、エピタキシャル基板１の製造方法について詳細に説明する。   Below, after describing each component of the epitaxial substrate 1 in detail, the manufacturing method of the epitaxial substrate 1 is demonstrated in detail.

エピタキシャル基板１における単結晶基板２は、六方晶（hexagonal crystal）の単結晶基板である。より詳細には、単結晶基板２は、サファイア基板である。ここで、単結晶基板２の一平面２１は、サファイア基板のｃ面、つまり（０００１）面である。したがって、単結晶基板２の一平面２１の法線方向は、単結晶基板２の結晶軸方向におけるｃ軸方向である。また、単結晶基板２の一平面２１の法線方向は、単結晶基板２の厚さ方向の一の方向である。単結晶基板２の一平面２１（第１面２０１）と、一平面２１とは反対の第２面２０２と、の間の距離は、例えば、１００μｍ〜１０００μｍ程度であるのが好ましく、１２０μｍ〜８００μｍ程度であるのがより好ましく、１５０μｍ〜５００μｍ程度であるのが更に好ましい。単結晶基板２は、（０００１）面からのオフ角が、０°〜０．４°であるのが好ましく、０．１°〜０．３１°であるのがより好ましい。   The single crystal substrate 2 in the epitaxial substrate 1 is a hexagonal crystal single crystal substrate. More specifically, the single crystal substrate 2 is a sapphire substrate. Here, the one plane 21 of the single crystal substrate 2 is the c-plane of the sapphire substrate, that is, the (0001) plane. Therefore, the normal direction of one plane 21 of single crystal substrate 2 is the c-axis direction in the crystal axis direction of single crystal substrate 2. The normal direction of one plane 21 of single crystal substrate 2 is one direction of the thickness direction of single crystal substrate 2. The distance between the one plane 21 (first surface 201) of the single crystal substrate 2 and the second surface 202 opposite to the one plane 21 is preferably about 100 μm to 1000 μm, for example, 120 μm to 800 μm. More preferably, it is about 150 μm to 500 μm. The single crystal substrate 2 preferably has an off angle from the (0001) plane of 0 ° to 0.4 °, and more preferably 0.1 ° to 0.31 °.

単結晶基板２では、一平面２１に、一平面２１の法線方向に突出する複数の突起２２がアレイ状に並んでいる。複数の突起２２は、１つ１つが独立した島状である。言い換えれば、複数の突起２２は、それぞれ島状であり、２次元のアレイ状に並んでいる。複数の突起２２は、仮想的な三角格子の各格子点に１つずつ配置されているが、これに限らず、例えば、仮想的な六角格子の各格子点に１つずつ配置されていてもよい。複数の突起２２は、互いに同じ大きさであるのが好ましい。図２Ａには、単結晶基板２の結晶軸におけるａ1軸、ａ2軸及びａ3軸それぞれの方向を矢印で記載してある。また、図２Ｂには、単結晶基板２の結晶軸におけるｃ軸の方向を矢印で記載してある。ａ1軸、ａ2軸及びａ3軸は、ｃ軸と直交する。ａ1軸とａ2軸及びａ3軸それぞれとのなす角度は１２０°である。ａ1軸、ａ2軸及びａ3軸は、図２Ａにおいて時計回り方向或いは反時計回り方向のいずれかの同じ方向に３０°ずつ、ずれていてもよい。 In the single crystal substrate 2, a plurality of protrusions 22 that protrude in the normal direction of the one plane 21 are arranged in an array on one plane 21. Each of the plurality of protrusions 22 has an island shape in which each is independent. In other words, each of the plurality of protrusions 22 has an island shape and is arranged in a two-dimensional array. The plurality of protrusions 22 are arranged one by one at each lattice point of the virtual triangular lattice. However, the present invention is not limited to this, and for example, one protrusion may be arranged at each lattice point of the virtual hexagonal lattice. Good. The plurality of protrusions 22 are preferably the same size. In FIG. 2A, the directions of the a 1 axis, the a 2 axis, and the a 3 axis in the crystal axis of the single crystal substrate 2 are indicated by arrows. In FIG. 2B, the direction of the c axis in the crystal axis of the single crystal substrate 2 is indicated by an arrow. The a 1 axis, a 2 axis and a 3 axis are orthogonal to the c axis. The angle formed by the a 1 axis, the a 2 axis, and the a 3 axis is 120 °. The a 1 axis, a 2 axis, and a 3 axis may be offset by 30 ° in the same direction, either clockwise or counterclockwise in FIG. 2A.

単結晶基板２は、複数の突起２２を一体に備えている。言い換えれば、複数の突起２２の各々は、単結晶基板２の一部である。ここで、単結晶基板２を構成するサファイア基板は、所謂ＰＳＳ（patterned sapphire substrate）である。複数の突起２２の各々は、単結晶基板２のｃ軸方向に先細りする円錐状である。したがって、複数の突起２２の各々において、単結晶基板２の一平面２１の法線方向に直交する断面の形状は、円形状である。突起２２の高さは、例えば、３００ｎｍ〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましい。突起２２の底面の直径は、例えば、３００ｎｍ〜３０００ｎｍ程度であるのが好ましい。本明細書でいう円錐状の形状は、母線が直線である場合に限らず、直線に近い曲線でもよい。複数の突起２２において隣り合う突起２２間の距離は、例えば、５０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましい。各突起２２のサイズ（高さ、底面の直径等）及び隣り合う２つの突起２２間の距離の数値は一例であり、特に限定されない。   The single crystal substrate 2 includes a plurality of protrusions 22 integrally. In other words, each of the plurality of protrusions 22 is a part of the single crystal substrate 2. Here, the sapphire substrate constituting the single crystal substrate 2 is a so-called PSS (patterned sapphire substrate). Each of the plurality of protrusions 22 has a conical shape that tapers in the c-axis direction of the single crystal substrate 2. Therefore, in each of the plurality of protrusions 22, the cross-sectional shape orthogonal to the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2 is a circular shape. The height of the protrusion 22 is preferably about 300 nm to 2000 nm, for example. The diameter of the bottom surface of the protrusion 22 is preferably about 300 nm to 3000 nm, for example. The conical shape referred to in this specification is not limited to a case where the bus is a straight line, but may be a curve close to a straight line. The distance between adjacent protrusions 22 in the plurality of protrusions 22 is preferably about 50 nm to 1000 nm, for example. The numerical values of the size (height, bottom diameter, etc.) of each protrusion 22 and the distance between two adjacent protrusions 22 are examples, and are not particularly limited.

エピタキシャル基板１におけるＡｌＮ層３は、複数の突起２２の先端から突出している柱状の複数の第２ＡｌＮ結晶３２と、複数の第２ＡｌＮ結晶３２における単結晶基板２とは反対側の端部３２２を連結している層状の第３ＡｌＮ結晶３３と、を含んでいる。   The AlN layer 3 in the epitaxial substrate 1 connects a plurality of columnar second AlN crystals 32 protruding from the tips of the plurality of protrusions 22 and an end 322 of the plurality of second AlN crystals 32 opposite to the single crystal substrate 2. And the layered third AlN crystal 33.

複数の第２ＡｌＮ結晶３２は、複数の突起２２の先端から一平面２１の法線方向に沿って突出している。つまり、複数の第２ＡｌＮ結晶３２の各々は、複数の突起２２のうち直下の突起２２の先端からｃ軸方向に突出している。複数の第２ＡｌＮ結晶３２は、複数の突起２２と同様に仮想的な三角格子の各格子点に１つずつ配置されている。複数の第２ＡｌＮ結晶３２は、複数の突起２２のうちの対応する突起２２の先端からの距離が長くなるにつれて断面積が大きくなる柱状である。複数の第２ＡｌＮ結晶３２の各々は、六角柱状である。ここで、複数の第２ＡｌＮ結晶３２の各々における端部３２１は、六角錐状である。複数の第２ＡｌＮ結晶３２の各々では、単結晶基板２側の端部３２１の断面積が、複数の突起２２のうちの対応する突起２２の先端からの距離が長くなるにつれて大きくなっており、端部３２１以外では断面積が略一定となっている。ここでいう断面積は、一平面２１の法線方向に直交する断面の面積である。この断面の形状は、六角形状である。ここでいう「六角形状」は、厳密に六角形でなくてもよく、略六角形であればよい。複数の第２ＡｌＮ結晶３２は、単結晶基板２の一平面２１の法線方向に直交する面内において、隣り合う２つの第２ＡｌＮ結晶３２それぞれの六角形の１つの辺同士が対向しているのが好ましい。これにより、エピタキシャル基板１では、第３ＡｌＮ結晶３３の厚さをより薄くすることが可能となる。複数の第２ＡｌＮ結晶３２の各々は、単結晶基板２のｃ軸方向にエピタキシャル成長したＡｌＮ単結晶である。   The plurality of second AlN crystals 32 protrude from the tips of the plurality of protrusions 22 along the normal direction of the one plane 21. That is, each of the plurality of second AlN crystals 32 protrudes in the c-axis direction from the tip of the protrusion 22 directly below the plurality of protrusions 22. The plurality of second AlN crystals 32 are arranged one by one at each lattice point of a virtual triangular lattice, like the plurality of protrusions 22. The plurality of second AlN crystals 32 are columnar in which the cross-sectional area increases as the distance from the tip of the corresponding protrusion 22 among the plurality of protrusions 22 increases. Each of the plurality of second AlN crystals 32 has a hexagonal column shape. Here, the end 321 in each of the plurality of second AlN crystals 32 has a hexagonal pyramid shape. In each of the plurality of second AlN crystals 32, the cross-sectional area of the end 321 on the single crystal substrate 2 side increases as the distance from the tip of the corresponding protrusion 22 among the plurality of protrusions 22 increases. Except for the part 321, the cross-sectional area is substantially constant. The cross-sectional area referred to here is an area of a cross section perpendicular to the normal direction of one plane 21. The cross-sectional shape is a hexagonal shape. The “hexagonal shape” here does not have to be strictly a hexagonal shape and may be a substantially hexagonal shape. In the plurality of second AlN crystals 32, one side of each hexagonal shape of each of the two adjacent second AlN crystals 32 faces each other in a plane orthogonal to the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2. Is preferred. Thereby, in the epitaxial substrate 1, the thickness of the 3rd AlN crystal 33 can be made thinner. Each of the plurality of second AlN crystals 32 is an AlN single crystal epitaxially grown in the c-axis direction of the single crystal substrate 2.

第３ＡｌＮ結晶３３は、複数の第２ＡｌＮ結晶３２に連続している。第３ＡｌＮ結晶３３は、複数の第２ＡｌＮ結晶３２において隣り合う２つの第２ＡｌＮ結晶３２同士が結合（一体化）し、層状に成長したＡｌＮ結晶である。単結晶基板２の一平面２１と隣り合う２つの第２ＡｌＮ結晶３２同士が結合する位置までの距離は、第３ＡｌＮ結晶３３の面内において、ばらつきがある。第３ＡｌＮ結晶３３は、単結晶基板２のｃ軸方向にエピタキシャル成長したＡｌＮ単結晶である。ＡｌＮ層３の表面３０は、第３ＡｌＮ結晶３３の表面３３０により構成されている。言い換えれば、エピタキシャル基板１では、第３ＡｌＮ結晶３３の表面３３０が、ＡｌＮ層３の表面３０を構成している。第３ＡｌＮ結晶３３の厚さは、ＡｌＮ層３の表面３０が平坦化されるように設定することが好ましい。第３ＡｌＮ結晶３３の厚さは、例えば、２μｍ〜１５μｍ程度であるのが好ましい。第３ＡｌＮ結晶３３の厚さは、単結晶基板２の一平面２１の法線方向における厚さである。   The third AlN crystal 33 is continuous with the plurality of second AlN crystals 32. The third AlN crystal 33 is an AlN crystal that is grown (layered) by bonding (integrating) two adjacent second AlN crystals 32 in the plurality of second AlN crystals 32. The distance to the position where the two second AlN crystals 32 adjacent to the one plane 21 of the single crystal substrate 2 are bonded to each other varies within the plane of the third AlN crystal 33. The third AlN crystal 33 is an AlN single crystal epitaxially grown in the c-axis direction of the single crystal substrate 2. The surface 30 of the AlN layer 3 is constituted by the surface 330 of the third AlN crystal 33. In other words, in the epitaxial substrate 1, the surface 330 of the third AlN crystal 33 constitutes the surface 30 of the AlN layer 3. The thickness of the third AlN crystal 33 is preferably set so that the surface 30 of the AlN layer 3 is planarized. The thickness of the third AlN crystal 33 is preferably about 2 μm to 15 μm, for example. The thickness of the third AlN crystal 33 is the thickness in the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2.

ＡｌＮ層３は、複数の突起２２の先端が露出するように単結晶基板２の一平面２１及び複数の突起２２を覆う第１ＡｌＮ結晶３１を更に備える。第１ＡｌＮ結晶３１は、単結晶基板２と、複数の第２ＡｌＮ結晶３２の各々における単結晶基板２側の端部３２１の側面３２１１との間に介在している。エピタキシャル基板１の断面ＴＥＭ像の観察結果から、第１ＡｌＮ結晶３１は、複数の多結晶ＡｌＮが重なり合って構成されたＡｌＮ結晶であると推考される。エピタキシャル基板１では、単結晶基板２とＡｌＮ層３との熱膨張係数差等に起因してＡｌＮ層３に発生する引張応力が複数の空洞３７により緩和されるため、ＡｌＮ層３を比較的厚くしながらも、ＡｌＮ層３へのクラックの発生を抑制することが可能となる。   The AlN layer 3 further includes a first AlN crystal 31 that covers the one plane 21 and the plurality of protrusions 22 of the single crystal substrate 2 so that the tips of the plurality of protrusions 22 are exposed. The first AlN crystal 31 is interposed between the single crystal substrate 2 and the side surface 3211 of the end 321 on the single crystal substrate 2 side in each of the plurality of second AlN crystals 32. From the observation result of the cross-sectional TEM image of the epitaxial substrate 1, it is inferred that the first AlN crystal 31 is an AlN crystal formed by overlapping a plurality of polycrystalline AlN. In the epitaxial substrate 1, the tensile stress generated in the AlN layer 3 due to the difference in thermal expansion coefficient between the single crystal substrate 2 and the AlN layer 3 is alleviated by the plurality of cavities 37, so that the AlN layer 3 is made relatively thick. However, the occurrence of cracks in the AlN layer 3 can be suppressed.

以下、エピタキシャル基板１の製造方法について図３に基づいて説明した後、エピタキシャル基板１について更に説明する。なお、以下では、ＭＯＶＰＥ装置の反応炉内に配置されている単結晶基板２の温度を基板温度という。「基板温度」は、ＭＯＶＰＥ装置の反応炉内において単結晶基板２を保持するサセプタ（susceptor）の温度を熱電対により測定した温度であるが、これに限らない。   Hereinafter, after describing the manufacturing method of epitaxial substrate 1 based on Drawing 3, epitaxial substrate 1 is further explained. Hereinafter, the temperature of the single crystal substrate 2 arranged in the reaction furnace of the MOVPE apparatus is referred to as a substrate temperature. The “substrate temperature” is a temperature obtained by measuring the temperature of the susceptor holding the single crystal substrate 2 in the reaction furnace of the MOVPE apparatus using a thermocouple, but is not limited thereto.

〔１〕単結晶基板２を前処理する工程
この工程では、一平面２１に当該一平面２１の法線方向に突出する複数の突起２２がアレイ状に並んでいる単結晶基板２を準備して、薬品及び純水による前処理を行うことにより、単結晶基板２の一平面２１及び複数の突起２２の表面を含む下地面２０を清浄化し、乾燥させる。単結晶基板２を構成するサファイア基板は、所謂ＰＳＳである。 [1] Step of pre-processing the single crystal substrate 2 In this step, a single crystal substrate 2 is prepared in which a plurality of protrusions 22 protruding in the normal direction of the one plane 21 are arranged in an array on one plane 21. The base surface 20 including the surface of the one plane 21 and the plurality of protrusions 22 of the single crystal substrate 2 is cleaned and dried by pretreatment with chemicals and pure water. The sapphire substrate constituting the single crystal substrate 2 is so-called PSS.

〔２〕単結晶基板２をＭＯＶＰＥ装置の反応炉内に配置する工程（初期工程）
この工程では、前処理の終わった単結晶基板２をＭＯＶＰＥ装置の反応炉内に配置する。要するに、初期工程では、一平面２１に当該一平面２１の法線方向に突出する複数の突起２２がアレイ状に並んでいる単結晶基板２をＭＯＶＰＥ装置の反応炉内に配置する。より詳細には、初期工程では、単結晶基板２をＭＯＶＰＥ装置の反応炉内に導入し、その後、反応炉の内部の真空引きを行い、続いて、窒素ガス等を反応炉内へ流すことによって反応炉内を窒素ガスで満たしてから、排気する。なお、単結晶基板２は、エピタキシャル基板１を複数形成することが可能な単結晶ウェハであるのが好ましい。 [2] Step of placing the single crystal substrate 2 in the reactor of the MOVPE apparatus (initial step)
In this step, the pre-processed single crystal substrate 2 is placed in the reactor of the MOVPE apparatus. In short, in the initial step, the single crystal substrate 2 in which a plurality of projections 22 projecting in the normal direction of the one plane 21 are arranged in an array on the one plane 21 is placed in the reactor of the MOVPE apparatus. More specifically, in the initial step, the single crystal substrate 2 is introduced into the reaction furnace of the MOVPE apparatus, and then the inside of the reaction furnace is evacuated, followed by flowing nitrogen gas or the like into the reaction furnace. The reactor is filled with nitrogen gas and then evacuated. Single crystal substrate 2 is preferably a single crystal wafer on which a plurality of epitaxial substrates 1 can be formed.

〔３〕単結晶基板２を加熱して単結晶基板２の下地面２０を清浄化する工程
この工程は、ＭＯＶＰＥ装置の反応炉内に配置された単結晶基板２の基板温度を、規定温度まで昇温し、さらに、この規定温度での加熱により単結晶基板２の下地面２０を清浄化する。 [3] Step of heating the single crystal substrate 2 to clean the lower ground 20 of the single crystal substrate 2 This step is performed to bring the substrate temperature of the single crystal substrate 2 disposed in the reactor of the MOVPE apparatus to a specified temperature. The temperature is raised, and the lower ground 20 of the single crystal substrate 2 is cleaned by heating at the specified temperature.

より具体的に説明すれば、この工程では、反応炉内の圧力を規定圧力に減圧した後、反応炉内を規定圧力に保ちながら基板温度を規定温度まで上昇させてから、規定温度で規定時間の加熱を行うことにより単結晶基板２の下地面２０を清浄化する。規定圧力は、一例として４０ｋＰａとしてあるが、１ｋＰａ〜７０ｋＰａの範囲で適宜設定すればよい。規定温度は、一例として１１００℃としてあるが、１０００℃〜１２００℃の範囲で適宜設定すればよい。規定時間は、一例として１０分としてあるが、５分〜１５分の範囲で適宜設定すればよい。この工程では、反応炉内へＨ2ガスを供給した状態で単結晶基板２を加熱することにより、清浄化を効果的に行うことが可能となる。 More specifically, in this process, after reducing the pressure in the reactor to a specified pressure, the substrate temperature is raised to a specified temperature while maintaining the specified pressure in the reactor, and then at a specified temperature for a specified time. The lower ground 20 of the single crystal substrate 2 is cleaned by performing the above heating. The specified pressure is 40 kPa as an example, but may be set as appropriate within the range of 1 kPa to 70 kPa. The specified temperature is 1100 ° C. as an example, but may be set as appropriate within a range of 1000 ° C. to 1200 ° C. The specified time is 10 minutes as an example, but may be set as appropriate within a range of 5 to 15 minutes. In this step, the cleaning can be effectively performed by heating the single crystal substrate 2 in a state where H 2 gas is supplied into the reaction furnace.

〔４〕島状の複数のＡｌＮ結晶核３４を形成する工程（第１工程）
この工程では、ＭＯＶＰＥ装置の反応炉内へＡｌの原料ガス（tri-methyl aluminum：ＴＭＡｌ）とＮの原料ガス（ＮＨ3）とを供給することによって単結晶基板２の下地面２０上に島状の複数のＡｌＮ結晶核３４（図３Ａ参照）を形成する。要するに、第１工程は、単結晶基板２を加熱した状態で、Ａｌの原料ガスとＮの原料ガスとを反応炉内に供給することによって、単結晶基板２の一平面２１及び複数の突起２２の表面を含む下地面２０上に島状の複数のＡｌＮ結晶核３４を形成する。ここにおいて、島状の複数のＡｌＮ結晶核３４は、ＡｌＮ層３の一部となる。ＡｌＮ結晶核３４は、この工程よりも後の工程での結晶成長の種結晶（seed crystal）として機能すると推考される。島状の複数のＡｌＮ結晶核３４は、Ａｌ極性のＡｌＮ結晶核であるのが好ましい。第１工程におけるＶ／III比は、Ａｌ極性のＡｌＮ結晶核の形成がＮ極性のＡｌＮ結晶核の形成よりも優先されやすい値である。よって、第１工程において複数のＡｌＮ結晶核３４それぞれとしてＡｌ極性のＡｌＮ結晶核を形成し、かつ、Ｎ極性のＡｌＮ結晶核の形成を抑制することが可能となる。これにより、第２ＡｌＮ結晶３２及び第３ＡｌＮ結晶３３それぞれの成長時にＮ極性のＡｌＮ結晶が成長するのを抑制することが可能となる。 [4] Step of forming a plurality of island-shaped AlN crystal nuclei 34 (first step)
In this process, an Al source gas (tri-methyl aluminum: TMAl) and an N source gas (NH 3 ) are supplied into the reactor of the MOVPE apparatus to form islands on the lower ground 20 of the single crystal substrate 2. A plurality of AlN crystal nuclei 34 (see FIG. 3A) are formed. In short, the first step is to supply the Al source gas and the N source gas into the reaction furnace in a state where the single crystal substrate 2 is heated, so that the one plane 21 and the plurality of protrusions 22 of the single crystal substrate 2 are supplied. A plurality of island-shaped AlN crystal nuclei 34 are formed on the base surface 20 including the surface of the substrate. Here, the plurality of island-shaped AlN crystal nuclei 34 become a part of the AlN layer 3. It is presumed that the AlN crystal nucleus 34 functions as a seed crystal for crystal growth in a later process. The plurality of island-shaped AlN crystal nuclei 34 are preferably Al-polar AlN crystal nuclei. The V / III ratio in the first step is a value at which formation of Al polar AlN crystal nuclei is more preferred than formation of N polar AlN crystal nuclei. Therefore, in the first step, Al polar AlN crystal nuclei can be formed as each of the plurality of AlN crystal nuclei 34, and formation of N polar AlN crystal nuclei can be suppressed. Thereby, it is possible to suppress the growth of N-polar AlN crystals during the growth of the second AlN crystal 32 and the third AlN crystal 33.

この工程では、複数の島状のＡｌＮ結晶核３４を形成する第１過程と、第１過程にて形成した複数の島状のＡｌＮ結晶核３４のサイズを大きくする第２過程と、を行う。   In this step, a first process for forming a plurality of island-shaped AlN crystal nuclei 34 and a second process for increasing the size of the plurality of island-shaped AlN crystal nuclei 34 formed in the first process are performed.

第１過程では、反応炉内の圧力を第１所定圧力とし基板温度を第１所定温度とした状態でＴＭＡｌとＮＨ3とを反応炉内に供給することで島状のＡｌＮ結晶核３４を形成する。ＴＭＡｌ及びＮＨ3それぞれのキャリアガスとしては、Ｈ2ガスを採用することが好ましい。第１所定圧力は、例えば、４０ｋＰａである。第１所定温度は、例えば、１１００℃、１２００℃、１２８０℃の順に段階的に変化させる。第１過程におけるＶ／III比は、例えば、８である。「Ｖ／III比」とは、III族元素であるＡｌの原料ガスのモル供給量［μmol/min］に対するＶ族元素であるＮの原料ガスのモル供給量［μmol/min］との比である。第１過程におけるＶ／III比は、Ａｌ極性のＡｌＮ結晶核の形成がＮ極性のＡｌＮ結晶核の形成よりも優先される値である。また、第１過程におけるプロセスパラメータは、突起の形成されていないサファイア基板上に同条件でＡｌＮ結晶核を成長させたときに、ＡｌＮ結晶核の直径が１０ｎｍ〜３０ｎｍ、高さが１０ｎｍ〜３０ｎｍ、ＡｌＮ結晶核３４の密度が１５０〜２５０個／μｍ2程度となるときのプロセスパラメータと同じであるのが好ましい。これらの値は、評価用に作製したサンプルの表面を原子間力顕微鏡（atomic force microscopy：ＡＦＭ）により観察して評価して得られた値である。 In the first step, island-like AlN crystal nuclei 34 are formed by supplying TMAl and NH 3 into the reaction furnace in a state where the pressure in the reaction furnace is the first predetermined pressure and the substrate temperature is the first predetermined temperature. To do. As the carrier gas for TMAl and NH 3 , it is preferable to employ H 2 gas. The first predetermined pressure is, for example, 40 kPa. The first predetermined temperature is changed stepwise in the order of 1100 ° C., 1200 ° C., and 1280 ° C., for example. The V / III ratio in the first process is, for example, 8. The “V / III ratio” is the ratio of the molar supply amount [μmol / min] of the source gas of N which is a group V element to the molar supply amount [μmol / min] of the source gas of Al which is a group III element. is there. The V / III ratio in the first process is a value in which the formation of Al polar AlN crystal nuclei is prioritized over the formation of N polar AlN crystal nuclei. The process parameters in the first step are as follows: when an AlN crystal nucleus is grown on a sapphire substrate on which no protrusion is formed under the same conditions, the diameter of the AlN crystal nucleus is 10 nm to 30 nm, the height is 10 nm to 30 nm, The process parameters are preferably the same as those when the density of the AlN crystal nuclei 34 is about 150 to 250 / μm 2 . These values are values obtained by observing and evaluating the surface of a sample prepared for evaluation with an atomic force microscope (AFM).

第２過程では、反応炉内の圧力を第２所定圧力として基板温度を第２所定温度とした状態でＴＭＡｌとＮＨ3とを反応炉内に供給することで島状のＡｌＮ結晶核３４のサイズを大きくする。ＴＭＡｌ及びＮＨ3それぞれのキャリアガスとしては、Ｈ2ガスを採用することが好ましい。第２過程では、第１過程よりもＡｌ原子の拡散を促進させるように第２所定圧力、第２所定温度及びＶ／III比を設定するのが好ましい。これにより、Ａｌ原子をＡｌＮ結晶核３４に優先的に付着させることが可能になると推考される。第２所定圧力は、第１所定圧力よりも低圧であるのが好ましい。第２所定圧力は、例えば、２０ｋＰａである。第２所定温度は、第１所定温度よりも高いのが好ましい。第２所定温度は、例えば、１３５０℃である。第２過程におけるＶ／III比は、第１過程におけるＶ／III比よりも大きいのが好ましい。第２過程におけるＶ／III比は、例えば、１０６である。第２過程におけるプロセスパラメータは、突起の形成されていないサファイア基板上のＡｌＮ結晶核を同条件で大きくしたときに、ＡｌＮ結晶核３４の直径が２０ｎｍ〜５０ｎｍ、高さが２０ｎｍ〜４０ｎｍ、ＡｌＮ結晶核３４の密度が１５０〜２５０個／μｍ2程度となるときのプロセスパラメータと同じであるのが好ましい。これらの値は、評価用に作製したサンプルの表面を原子間力顕微鏡により観察して評価して得られた値である。 In the second step, the size of the island-like AlN crystal nuclei 34 is supplied by supplying TMAl and NH 3 into the reaction furnace in a state where the pressure in the reaction furnace is the second predetermined pressure and the substrate temperature is the second predetermined temperature. Increase As the carrier gas for TMAl and NH 3 , it is preferable to employ H 2 gas. In the second process, it is preferable to set the second predetermined pressure, the second predetermined temperature, and the V / III ratio so as to promote the diffusion of Al atoms more than in the first process. It is assumed that this makes it possible to preferentially attach Al atoms to the AlN crystal nucleus 34. The second predetermined pressure is preferably lower than the first predetermined pressure. The second predetermined pressure is, for example, 20 kPa. The second predetermined temperature is preferably higher than the first predetermined temperature. The second predetermined temperature is 1350 ° C., for example. The V / III ratio in the second process is preferably larger than the V / III ratio in the first process. The V / III ratio in the second process is, for example, 106. The process parameters in the second step are as follows: when the AlN crystal nuclei on the sapphire substrate on which no protrusion is formed are enlarged under the same conditions, the diameter of the AlN crystal nuclei 34 is 20 nm to 50 nm, the height is 20 nm to 40 nm, and the AlN crystal The process parameters are preferably the same as the density when the density of the nuclei 34 is about 150 to 250 / μm 2 . These values are values obtained by observing and evaluating the surface of a sample prepared for evaluation with an atomic force microscope.

〔５〕単結晶基板２の下地面２０上に第１ＡｌＮ結晶３１及び柱状の複数の第２ＡｌＮ結晶３２（図３Ｂ参照）を形成する工程
本明細書では、この工程において形成する第１ＡｌＮ結晶３１と複数の第２ＡｌＮ結晶３２とを含む層を、第１ＡｌＮ層３０１と称する。よって、この工程（第２工程）では、単結晶基板２を加熱した状態で、Ａｌの原料ガスとＮの原料ガスとをＭＯＶＰＥ装置の反応炉内に供給することによって、複数のＡｌＮ結晶核３４を元に単結晶基板２の下地面２０上に第１ＡｌＮ層３０１を形成する。エピタキシャル基板１の製造方法では、第１ＡｌＮ層３０１と、その一部となるＡｌＮ結晶核３４とで材質が同じであるので、最終生成物のエピタキシャル基板１においてＡｌＮ結晶核３４を区別するのは難しい。 [5] Step of forming first AlN crystal 31 and a plurality of columnar second AlN crystals 32 (see FIG. 3B) on lower ground 20 of single crystal substrate 2 In this specification, first AlN crystal 31 formed in this step A layer including the plurality of second AlN crystals 32 is referred to as a first AlN layer 301. Therefore, in this step (second step), a plurality of AlN crystal nuclei 34 are supplied by supplying the Al source gas and the N source gas into the reactor of the MOVPE apparatus while the single crystal substrate 2 is heated. The first AlN layer 301 is formed on the lower ground 20 of the single crystal substrate 2 based on the above. In the manufacturing method of the epitaxial substrate 1, the first AlN layer 301 and the AlN crystal nucleus 34 that is a part thereof are made of the same material, so it is difficult to distinguish the AlN crystal nucleus 34 in the final product epitaxial substrate 1. .

この工程では、ＭＯＶＰＥ装置の反応炉内の圧力を所定圧力に保ち単結晶基板２を加熱した状態で反応炉内にＡｌの原料ガス（ＴＭＡｌ）とＮの原料ガス（ＮＨ3）とを供給することによって単結晶基板２の下地面２０上に、第１ＡｌＮ結晶３１と柱状の複数の第２ＡｌＮ結晶３２とを成長させる。この工程における所定圧力は、例えば、２０ｋＰａである。この工程におけるＶ／III比は、単結晶基板２の一平面２１の法線方向に直交するファセット（facet）を有するＡｌＮ結晶の縦方向成長が促進される値であるのが好ましい。言い換えれば、この工程におけるＶ／III比は、第２ＡｌＮ結晶３２の成長が促進される値であるのが好ましい。これにより、柱状の複数の第２ＡｌＮ結晶３２それぞれのファセットが単結晶基板２の一平面２１の法線方向に直交しやすくなり、結果的に第３ＡｌＮ結晶３３の表面の平坦性を向上させることが可能となる。この工程におけるＶ／III比は、例えば、５１よりも大きいのが好ましい。より詳細には、この工程におけるＶ／III比は、５２〜８７０であるのが好ましく、５２〜１４０であるのがより好ましい。「ファセット」とは、結晶成長の際に選択的に現れる小さい結晶面を意味し、他の結晶面に比べてエネルギー的に安定であり結晶成長しやすい面を意味する。この工程における基板温度は、例えば、１３５０℃である。この工程における基板温度は、１３００℃よりも高く１３９０℃よりも低いのが好ましい。なお、Ｖ／III比が８７０よりも大きいと、ＴＭＡｌとＮＨ3との寄生反応が支配的となり、結晶品質の悪化を招くと考えられる。「寄生反応」とは、ＴＭＡｌとＮＨ3との輸送中に発生するＴＭＡｌとＮＨ3との反応を意味している。 In this step, Al source gas (TMAl) and N source gas (NH 3 ) are supplied into the reaction furnace while maintaining the pressure in the reaction furnace of the MOVPE apparatus at a predetermined pressure and heating the single crystal substrate 2. Thus, the first AlN crystal 31 and a plurality of columnar second AlN crystals 32 are grown on the lower ground 20 of the single crystal substrate 2. The predetermined pressure in this step is, for example, 20 kPa. The V / III ratio in this step is preferably a value that promotes the vertical growth of the AlN crystal having a facet perpendicular to the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2. In other words, the V / III ratio in this step is preferably a value that promotes the growth of the second AlN crystal 32. Thereby, each facet of the plurality of columnar second AlN crystals 32 is likely to be orthogonal to the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2, and as a result, the flatness of the surface of the third AlN crystal 33 can be improved. It becomes possible. The V / III ratio in this step is preferably greater than 51, for example. More specifically, the V / III ratio in this step is preferably 52 to 870, more preferably 52 to 140. “Facet” means a small crystal plane that selectively appears during crystal growth, and means a plane that is more stable in energy and easier to grow than other crystal planes. The substrate temperature in this step is 1350 ° C., for example. The substrate temperature in this step is preferably higher than 1300 ° C. and lower than 1390 ° C. When the V / III ratio is larger than 870, it is considered that the parasitic reaction between TMAl and NH 3 becomes dominant and the crystal quality is deteriorated. The "parasitic reaction" means a reaction between TMAl and NH 3 that occur during transportation of TMAl and NH 3.

この工程において反応炉内にＡｌの原料ガスとＮの原料ガスとを供給している時間（成長時間）は、サファイア基板のｃ面上に同条件でＡｌＮ層を成長させたときに当該ＡｌＮ層の厚さが２μｍ以上となる時間であるのが好ましい。本願発明者らは、成長時間を当該ＡｌＮ層の厚さが０．２μｍとなる時間とした場合、ＡｌＮ層３の表面３０の一部が異常成長部の表面により構成されＡｌＮ層３の表面３０の平坦性がよくないことを確認している。本願発明者らは、断面ＳＥＭ像（cross-sectional scanning electron microscope image）により、異常成長部が、単結晶基板２の一平面２１の法線方向に直交しない柱状のＡｌＮ結晶であることを確認している。また、本願発明者らは、異常成長部の表面については、ＴＥＭによる電子回折像からＡｌＮ結晶のｃ面であることを確認している。また、本願発明者らは、ＡｌＮ層３の表面３０の一部が異常成長部の表面により構成されている場合、そのＡｌＮ層３を含むエピタキシャル基板を用いた紫外線発光ダイオードでは、リーク電流が比較的大きくなり、電気的特性の信頼性が低いことを確認している。エピタキシャル基板１の製造方法では、第３ＡｌＮ結晶３３の表面３０の一部が、単結晶基板２の一平面２１の法線方向に直交しない柱状の異常成長部の表面により構成されるのを抑制することが可能となり、ＡｌＮ層３の表面３０の平坦性を向上させることが可能となる。柱状の複数の第２ＡｌＮ結晶３２は、それぞれ、単結晶基板２の複数の突起２２の先端から成長している。第２ＡｌＮ結晶３２は、単結晶基板２の一平面２１の法線方向に直交するファセットを有するＡｌＮ結晶であると考えられる。これに対して、単結晶基板２の複数の突起２２の表面のうち先端を除く側面から成長している部分が第１ＡｌＮ結晶３１を構成している。第１ＡｌＮ結晶３１は、単結晶ではなく、多結晶であると考えられる。この工程では、ＴＭＡｌのキャリアガスとしてＨ2ガスのみを使用し、かつ、ＮＨ3のキャリアガスとしてＨ2ガスのみを使用するのが好ましい。 In this step, the time during which the Al source gas and the N source gas are supplied into the reactor (growth time) is the AlN layer grown on the c-plane of the sapphire substrate under the same conditions. It is preferable that the thickness be 2 μm or more. When the growth time is set to a time when the thickness of the AlN layer is 0.2 μm, the inventors of the present application form a part of the surface 30 of the AlN layer 3 by the surface of the abnormally grown portion, and the surface 30 of the AlN layer 3. It has been confirmed that the flatness of the is not good. The inventors of the present application confirmed that the abnormally grown portion is a columnar AlN crystal that is not orthogonal to the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2 by a cross-sectional scanning electron microscope image (SEM). ing. The inventors of the present application have confirmed that the surface of the abnormally grown portion is the c-plane of the AlN crystal from the electron diffraction image by TEM. Further, the inventors of the present application have compared the leakage current in the ultraviolet light emitting diode using the epitaxial substrate including the AlN layer 3 when a part of the surface 30 of the AlN layer 3 is constituted by the surface of the abnormally grown portion. It is confirmed that the reliability of the electrical characteristics is low. In the manufacturing method of epitaxial substrate 1, it is suppressed that a part of surface 30 of third AlN crystal 33 is constituted by the surface of a columnar abnormally grown portion that is not orthogonal to the normal direction of one plane 21 of single crystal substrate 2. Thus, the flatness of the surface 30 of the AlN layer 3 can be improved. Each of the plurality of columnar second AlN crystals 32 grows from the tips of the plurality of protrusions 22 of the single crystal substrate 2. The second AlN crystal 32 is considered to be an AlN crystal having facets orthogonal to the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2. On the other hand, the portion growing from the side surface excluding the tip of the surface of the plurality of protrusions 22 of the single crystal substrate 2 constitutes the first AlN crystal 31. It is considered that the first AlN crystal 31 is not a single crystal but a polycrystal. In this step, using only H 2 gas as a carrier gas for TMAl, and is preferred to use only H 2 gas as a carrier gas for NH 3.

〔６〕第３ＡｌＮ結晶３３（図３Ｃ参照）を形成する工程
本明細書では、この工程において形成する第３ＡｌＮ結晶３３を、第２ＡｌＮ層３０２と称する。よって、この工程（第３工程）では、単結晶基板２を加熱した状態で、Ａｌの原料ガスとＮの原料ガスとをＭＯＶＰＥ装置の反応炉内に供給することによって、第１ＡｌＮ層３０１上に第２ＡｌＮ層３０２を形成する。エピタキシャル基板１の製造方法では、第１ＡｌＮ層３０１の第２ＡｌＮ結晶３２と第２ＡｌＮ層３０２の第３ＡｌＮ結晶３３とで材質及び結晶構造が同じであるので、最終生成物のエピタキシャル基板１において第１ＡｌＮ層３０１と第２ＡｌＮ層３０２とを区別するのは難しい。 [6] Step of Forming Third AlN Crystal 33 (see FIG. 3C) In this specification, the third AlN crystal 33 formed in this step is referred to as a second AlN layer 302. Therefore, in this step (third step), the Al source gas and the N source gas are supplied into the reactor of the MOVPE apparatus while the single crystal substrate 2 is heated, so that the first AlN layer 301 is formed on the first AlN layer 301. A second AlN layer 302 is formed. In the manufacturing method of the epitaxial substrate 1, since the material and the crystal structure are the same between the second AlN crystal 32 of the first AlN layer 301 and the third AlN crystal 33 of the second AlN layer 302, the first AlN layer in the epitaxial substrate 1 of the final product. It is difficult to distinguish 301 from the second AlN layer 302.

この工程では、ＭＯＶＰＥ装置の反応炉内の圧力を所定圧力に保ち単結晶基板２を加熱した状態で反応炉内にＡｌの原料ガス（ＴＭＡｌ）とＮの原料ガス（ＮＨ3）とを供給することによって、第２ＡｌＮ層３０２を構成する第３ＡｌＮ結晶３３を形成する。第３ＡｌＮ結晶３３の表面３３０がＡｌＮ層３の表面３０を構成する。この工程における所定圧力は、例えば、２０ｋＰａである。この工程におけるＶ／III比は、ＡｌＮ結晶の横方向成長が促進される値であるのが好ましい。これにより、第３ＡｌＮ結晶３３と単結晶基板２との距離を短くすることが可能となり、ＡｌＮ層３の厚さをより薄くすることが可能となる。この工程におけるＶ／III比は、例えば、５１よりも小さいのが好ましい。この工程におけるＶ／III比は、２〜５０であるのが好ましく、４〜５０であるのがより好ましい。この工程における基板温度は、例えば、１３５０℃である。この工程における基板温度は、１３００℃よりも高く１３９０℃よりも低いのが好ましい。第２ＡｌＮ層３０２の成長時間は、平坦な表面を有するサファイア基板上に同条件で成長させたときに厚さが１０μｍとなる時間であるが、この時間に限定されない。この工程では、ＴＭＡｌのキャリアガスとしてＨ2ガスのみを使用し、かつ、ＮＨ3のキャリアガスとしてＨ2ガスのみを使用するのが好ましい。これにより、この工程では、ＴＭＡｌのキャリアガスとＮＨ3のキャリアガスとの少なくとも一方がＮ2ガス、あるいはＮ2ガスとＨ2ガスとの混合ガスである場合と比べて、ＡｌＮ結晶の横方向成長を促進させることが可能となり、ＡｌＮ層３の表面３０の平坦性の向上を図ることが可能となる。この工程では、反応炉内に供給されるキャリアガスがＮ2ガスを含まないようにすることにより、ＡｌＮ層３の表面３０を平坦化するために必要な第２ＡｌＮ層３０２の厚さをより薄くすることが可能となる。これにより、エピタキシャル基板１の製造方法では、生産性の向上を図れ、低コスト化を図れる。第３工程では、ＡｌＮ結晶をａ1軸、ａ2軸及びａ3軸それぞれに沿った方向に横方向成長させやすい。その結果、第３工程では、第３ＡｌＮ結晶３３の厚さを過度に厚くすることなく、複数の第２ＡｌＮ結晶３２のうち隣り合う２つの第２ＡｌＮ結晶３２同士を空洞３７の上方で結合することが可能となる。 In this step, Al source gas (TMAl) and N source gas (NH 3 ) are supplied into the reaction furnace while maintaining the pressure in the reaction furnace of the MOVPE apparatus at a predetermined pressure and heating the single crystal substrate 2. As a result, the third AlN crystal 33 constituting the second AlN layer 302 is formed. The surface 330 of the third AlN crystal 33 constitutes the surface 30 of the AlN layer 3. The predetermined pressure in this step is, for example, 20 kPa. The V / III ratio in this step is preferably a value that promotes the lateral growth of the AlN crystal. As a result, the distance between the third AlN crystal 33 and the single crystal substrate 2 can be shortened, and the thickness of the AlN layer 3 can be further reduced. The V / III ratio in this step is preferably smaller than 51, for example. The V / III ratio in this step is preferably 2 to 50, more preferably 4 to 50. The substrate temperature in this step is 1350 ° C., for example. The substrate temperature in this step is preferably higher than 1300 ° C. and lower than 1390 ° C. The growth time of the second AlN layer 302 is a time for which the thickness becomes 10 μm when grown on the sapphire substrate having a flat surface under the same conditions, but is not limited to this time. In this step, using only H 2 gas as a carrier gas for TMAl, and is preferred to use only H 2 gas as a carrier gas for NH 3. As a result, in this step, the lateral direction of the AlN crystal compared to the case where at least one of the carrier gas of TMAl and the carrier gas of NH 3 is N 2 gas or a mixed gas of N 2 gas and H 2 gas. Growth can be promoted, and the flatness of the surface 30 of the AlN layer 3 can be improved. In this step, the thickness of the second AlN layer 302 required for planarizing the surface 30 of the AlN layer 3 is made thinner by preventing the carrier gas supplied into the reactor from containing N 2 gas. It becomes possible to do. Thereby, in the manufacturing method of the epitaxial substrate 1, productivity can be improved and cost reduction can be achieved. In the third step, the AlN crystal is easily grown in the lateral direction along the a 1 axis, the a 2 axis, and the a 3 axis. As a result, in the third step, two adjacent second AlN crystals 32 among the plurality of second AlN crystals 32 can be bonded together above the cavity 37 without excessively increasing the thickness of the third AlN crystal 33. It becomes possible.

〔１〕〜〔６〕までの工程が終了した後、エピタキシャル基板１は、基板温度を例えば室温付近まで降温させた後にＭＯＶＰＥ装置から取り出せばよい。ＭＯＶＰＥ装置から取り出したエピタキシャル基板１は、エピタキシャル基板１の状態で保管してもよいし、ＭＯＶＰＥ装置以外の結晶成長装置によりIII族窒化物半導体層を成長するためのテンプレート基板（template substrate）として利用してもよい。ここでいう結晶成長装置は、例えば、ＭＢＥ（molecular beam epitaxy）装置等である。また、ＭＯＶＰＥ装置により製造したエピタキシャル基板１を直ちに窒化物半導体素子の製造に供する場合には、ＭＯＶＰＥ装置からエピタキシャル基板１を取り出さずに、エピタキシャル基板１上にIII族窒化物半導体層を成長させ、その後、基板温度を室温付近まで降温させ、ＭＯＶＰＥ装置から取り出すようにすればよい。   After the steps [1] to [6] are completed, the epitaxial substrate 1 may be taken out of the MOVPE apparatus after the substrate temperature is lowered to, for example, around room temperature. The epitaxial substrate 1 taken out from the MOVPE apparatus may be stored in the state of the epitaxial substrate 1 or used as a template substrate for growing a group III nitride semiconductor layer by a crystal growth apparatus other than the MOVPE apparatus. May be. The crystal growth apparatus here is, for example, an MBE (molecular beam epitaxy) apparatus or the like. Further, when the epitaxial substrate 1 manufactured by the MOVPE apparatus is immediately subjected to the manufacture of a nitride semiconductor element, a group III nitride semiconductor layer is grown on the epitaxial substrate 1 without taking out the epitaxial substrate 1 from the MOVPE apparatus, Thereafter, the substrate temperature may be lowered to around room temperature and taken out from the MOVPE apparatus.

エピタキシャル基板１は、例えば、窒化物半導体素子の結晶層を成長するためのテンプレート基板として利用することができる。ここで、エピタキシャル基板１のＡｌＮ層３は、例えば発光素子（発光ダイオード、レーザダイオード等）のバッファ層として利用することができる。エピタキシャル基板１のＡｌＮ層３を発光素子のバッファ層として利用する場合、ＭＯＶＰＥ装置の反応炉内に配置された単結晶基板２上にＡｌＮ層３を形成した後（つまり、エピタキシャル基板１を形成した後）、ＡｌＮ層３をバッファ層として、例えば、ｎ型ＡｌＧａＮ層、発光層、電子ブロック層及びｐ型ＡｌＧａＮ層を順次成長させればよい。この場合、発光素子では、エピタキシャル基板１として比較例２のエピタキシャル基板を採用している場合と比べて、ｎ型ＡｌＧａＮ層、発光層、電子ブロック層及びｐ型ＡｌＧａＮ層の結晶性を向上させることができる。発光素子では、発光層から放射される光（例えば、紫外線）を単結晶基板２の第２面２０２から放射させることが可能となる。   The epitaxial substrate 1 can be used as a template substrate for growing a crystal layer of a nitride semiconductor element, for example. Here, the AlN layer 3 of the epitaxial substrate 1 can be used as a buffer layer of a light emitting element (light emitting diode, laser diode, etc.), for example. When the AlN layer 3 of the epitaxial substrate 1 is used as a buffer layer of a light emitting element, the AlN layer 3 is formed on the single crystal substrate 2 disposed in the reactor of the MOVPE apparatus (that is, the epitaxial substrate 1 is formed). After), for example, an n-type AlGaN layer, a light emitting layer, an electron block layer, and a p-type AlGaN layer may be grown sequentially using the AlN layer 3 as a buffer layer. In this case, in the light-emitting element, the crystallinity of the n-type AlGaN layer, the light-emitting layer, the electron block layer, and the p-type AlGaN layer is improved as compared with the case where the epitaxial substrate of Comparative Example 2 is adopted as the epitaxial substrate 1. Can do. In the light emitting element, light (for example, ultraviolet rays) emitted from the light emitting layer can be emitted from the second surface 202 of the single crystal substrate 2.

本実施形態のエピタキシャル基板１の製造方法は、初期工程と、第１工程と、第２工程と、第３工程と、を含む。初期工程では、一平面２１に当該一平面２１の法線方向に突出する複数の突起２２がアレイ状に並んでいる単結晶基板２をＭＯＶＰＥ装置の反応炉内に配置する。第１工程では、単結晶基板２を加熱した状態で、Ａｌの原料ガスとＮの原料ガスとを反応炉内に供給することによって、単結晶基板２の一平面２１及び複数の突起２２の表面を含む下地面２０上に島状の複数のＡｌＮ結晶核３４を形成する。第２工程では、単結晶基板２を加熱した状態で、Ａｌの原料ガスとＮの原料ガスとを反応炉内に供給することによって、複数のＡｌＮ結晶核３４を元に単結晶基板の下地面２０上に第１ＡｌＮ層３０１を形成する。第３工程では、単結晶基板２を加熱した状態でＡｌの原料ガスとＮの原料ガスとを反応炉内に供給することによって、第１ＡｌＮ層３０１上に第２ＡｌＮ層３０２を形成する。第１工程におけるＶ／III比は、Ａｌ極性のＡｌＮ結晶核がＮ極性のＡｌＮ結晶核よりも優先して形成される値である。第２工程におけるＶ／III比は、単結晶基板２の一平面２１の法線方向に直交するファセットを有するＡｌＮ結晶の縦方向成長が促進される値であり、第３工程におけるＶ／III比は、ＡｌＮ結晶の横方向成長が促進される値である。第１ＡｌＮ層３０１の厚さは２μｍ以上である。よって、本実施形態のエピタキシャル基板１の製造方法では、エピタキシャル基板１の結晶性（単結晶基板２上に結晶成長されたＡｌＮ層３の結晶性）の更なる向上を図ることが可能となる。より詳細には、第２工程では、複数の突起２２の先端が露出するように一平面２１及び複数の突起２２を覆う第１ＡｌＮ結晶３１と、複数の突起２２の先端から法線方向に沿って突出し、前記複数の突起のうちの対応する突起の先端からの距離が長くなるにつれて断面積が大きくなる柱状の複数の第２ＡｌＮ結晶３２と、を含む第１ＡｌＮ層３０１を形成する。また、第３工程では、複数の第２ＡｌＮ結晶３２における単結晶基板２とは反対側の端部３２１を連結する層状の第３ＡｌＮ結晶３３を形成する。本実施形態のエピタキシャル基板１の製造方法では、第２ＡｌＮ層３０２の表面の平坦性を向上させ、かつ、第２ＡｌＮ層３０２の転位密度を低減することが可能となり、結晶性を向上させることが可能となる。   The manufacturing method of the epitaxial substrate 1 of this embodiment includes an initial process, a first process, a second process, and a third process. In the initial step, the single crystal substrate 2 in which a plurality of projections 22 projecting in the normal direction of the one plane 21 are arranged in an array on the one plane 21 is placed in a reactor of the MOVPE apparatus. In the first step, while the single crystal substrate 2 is heated, an Al source gas and an N source gas are supplied into the reaction furnace, whereby the surface of the one plane 21 and the plurality of protrusions 22 of the single crystal substrate 2 are supplied. A plurality of island-like AlN crystal nuclei 34 are formed on the base surface 20 including In the second step, an Al source gas and an N source gas are supplied into the reaction furnace while the single crystal substrate 2 is heated, so that the lower ground of the single crystal substrate is based on the plurality of AlN crystal nuclei 34. A first AlN layer 301 is formed on 20. In the third step, a second AlN layer 302 is formed on the first AlN layer 301 by supplying an Al source gas and an N source gas into the reactor while the single crystal substrate 2 is heated. The V / III ratio in the first step is a value in which Al-polar AlN crystal nuclei are formed with priority over N-polar AlN crystal nuclei. The V / III ratio in the second step is a value that promotes the vertical growth of the AlN crystal having facets perpendicular to the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2, and the V / III ratio in the third step. Is a value that promotes the lateral growth of the AlN crystal. The thickness of the first AlN layer 301 is 2 μm or more. Therefore, in the method for manufacturing the epitaxial substrate 1 of the present embodiment, it is possible to further improve the crystallinity of the epitaxial substrate 1 (the crystallinity of the AlN layer 3 grown on the single crystal substrate 2). More specifically, in the second step, the first AlN crystal 31 that covers the one plane 21 and the plurality of protrusions 22 so that the tips of the plurality of protrusions 22 are exposed, and the normal direction from the tips of the plurality of protrusions 22. A first AlN layer 301 that protrudes and includes a plurality of columnar second AlN crystals 32 that increase in cross-sectional area as the distance from the tip of the corresponding protrusion of the plurality of protrusions becomes longer is formed. In the third step, a layered third AlN crystal 33 that connects end portions 321 opposite to the single crystal substrate 2 in the plurality of second AlN crystals 32 is formed. In the manufacturing method of the epitaxial substrate 1 of this embodiment, it is possible to improve the flatness of the surface of the second AlN layer 302 and to reduce the dislocation density of the second AlN layer 302, thereby improving the crystallinity. It becomes.

エピタキシャル基板１の製造方法において、第２工程におけるＶ／III比は、５１よりも大きく、第３工程におけるＶ／III比は、５１よりも小さいのが好ましい。これにより、エピタキシャル基板１の製造方法では、第２工程において単結晶基板２の一平面２１の法線方向に対して傾いた方向に直交するファセットを有する異常成長部が形成されるのを抑制することが可能となり、かつ、第３工程において第２ＡｌＮ層３０２の平坦性を向上させることが可能となる。   In the method for manufacturing the epitaxial substrate 1, the V / III ratio in the second step is preferably larger than 51, and the V / III ratio in the third step is preferably smaller than 51. Thereby, in the manufacturing method of epitaxial substrate 1, it is suppressed in the 2nd process that the abnormal growth part which has a facet orthogonal to the direction inclined to the normal line direction of one plane 21 of single crystal substrate 2 is formed. In addition, the flatness of the second AlN layer 302 can be improved in the third step.

エピタキシャル基板１の製造方法において、第２工程及び第３工程それぞれにおける単結晶基板２の温度は１３００℃よりも高くかつ１３９０℃未満であるのが好ましい。これにより、エピタキシャル基板１の製造方法では、第２ＡｌＮ層３０２の平坦性を向上させることが可能となる。第２工程及び第３工程それぞれにおいて、単結晶基板２の温度を１３９０℃以上とすると、Ａｌ原子及びＮ原子の脱離が支配的となって横方向に成長しにくくなると推考される。   In the method for manufacturing epitaxial substrate 1, the temperature of single crystal substrate 2 in each of the second step and the third step is preferably higher than 1300 ° C. and lower than 1390 ° C. Thereby, in the manufacturing method of the epitaxial substrate 1, the flatness of the second AlN layer 302 can be improved. If the temperature of the single crystal substrate 2 is set to 1390 ° C. or higher in each of the second step and the third step, it is presumed that the desorption of Al atoms and N atoms is dominant and it is difficult to grow in the lateral direction.

エピタキシャル基板１の製造方法において、第２工程及び第３工程では、Ａｌの原料ガスのキャリアガスはＨ2ガスのみであり、かつ、Ｎの原料ガスのキャリアガスはＨ2ガスのみであるのが好ましい。これにより、エピタキシャル基板１の製造方法では、第２ＡｌＮ層３０２の平坦性を向上させることが可能となる。より詳細には、第２工程及び第３工程でキャリアガスがＮ2ガスを含んでいる場合に比べて、Ａｌ原子の拡散を促進させることが可能となり、横方向成長が抑制されにくくなり、複数の第２ＡｌＮ結晶３２における単結晶基板２とは反対側の端部３２２を連結している層状の第３ＡｌＮ結晶３３を形成することが可能となる。これにより、エピタキシャル基板１の製造方法では、第２ＡｌＮ層３０２の表面の平坦性を向上させることが可能となる。 In the method of manufacturing the epitaxial substrate 1, in the second and third steps, the carrier gas of the Al source gas is only H 2 gas, and the carrier gas of the N source gas is only H 2 gas. preferable. Thereby, in the manufacturing method of the epitaxial substrate 1, the flatness of the second AlN layer 302 can be improved. More specifically, compared to the case where the carrier gas contains N 2 gas in the second step and the third step, it becomes possible to promote the diffusion of Al atoms, and it is difficult to suppress the lateral growth. It becomes possible to form the layered third AlN crystal 33 connecting the end portions 322 of the second AlN crystal 32 opposite to the single crystal substrate 2. Thereby, in the manufacturing method of the epitaxial substrate 1, the flatness of the surface of the 2nd AlN layer 302 can be improved.

エピタキシャル基板１の製造方法において、単結晶基板２は、サファイア基板に限らず、六方晶の単結晶基板であればよく、例えば、ＳｉＣ基板、ＡｌＮ基板又はＧａＮ基板でもよい。言い換えれば、エピタキシャル基板１の製造方法では、単結晶基板２は、サファイア基板、ＳｉＣ基板、ＡｌＮ基板又はＧａＮ基板であるのが好ましい。ここで、単結晶基板２における一平面２１の法線方向の結晶軸はｃ軸であるのが好ましい。これにより、エピタキシャル基板１の製造方法は、ＡｌＮ層３の更なる結晶性の向上を図れる。   In the method for manufacturing the epitaxial substrate 1, the single crystal substrate 2 is not limited to a sapphire substrate, but may be a hexagonal single crystal substrate, for example, a SiC substrate, an AlN substrate, or a GaN substrate. In other words, in the manufacturing method of the epitaxial substrate 1, the single crystal substrate 2 is preferably a sapphire substrate, a SiC substrate, an AlN substrate, or a GaN substrate. Here, the crystal axis in the normal direction of the one plane 21 in the single crystal substrate 2 is preferably the c-axis. Thereby, the manufacturing method of the epitaxial substrate 1 can further improve the crystallinity of the AlN layer 3.

エピタキシャル基板１の製造方法において、複数の突起２２は、それぞれ島状であり、２次元のアレイ状に並んでいるのが好ましい。これにより、エピタキシャル基板１の製造方法により製造されるエピタキシャル基板１を利用した紫外線発光ダイオードでは、発光層から放射された紫外線が複数の突起２２で散乱されやすくなり、光取り出し効率を向上させることが可能となる。   In the method for manufacturing the epitaxial substrate 1, the plurality of protrusions 22 are preferably island-shaped and arranged in a two-dimensional array. Thereby, in the ultraviolet light emitting diode using the epitaxial substrate 1 manufactured by the manufacturing method of the epitaxial substrate 1, the ultraviolet rays emitted from the light emitting layer are easily scattered by the plurality of protrusions 22, thereby improving the light extraction efficiency. It becomes possible.

以下、一実施例のエピタキシャル基板１の製造方法により製造したエピタキシャル基板１について説明する。   Hereinafter, the epitaxial substrate 1 manufactured by the manufacturing method of the epitaxial substrate 1 of one Example is demonstrated.

エピタキシャル基板１における単結晶基板２は、サファイア基板、より詳細には所謂ＰＳＳである。ここで、単結晶基板２の一平面２１は、（０００１）面である。単結晶基板２の一平面２１は、（０００１）面からのオフ角が、０．２°±０．１°である。単結晶基板２における突起２２は、円錐状である。突起２２の高さは、６００ｎｍである。また、突起２２の底面の直径は、９００ｎｍである。また、複数の突起２２において隣り合う突起２２間の距離は、１００ｎｍである。   The single crystal substrate 2 in the epitaxial substrate 1 is a sapphire substrate, more specifically a so-called PSS. Here, the one plane 21 of the single crystal substrate 2 is a (0001) plane. One plane 21 of single crystal substrate 2 has an off angle from the (0001) plane of 0.2 ° ± 0.1 °. The protrusion 22 in the single crystal substrate 2 has a conical shape. The height of the protrusion 22 is 600 nm. The diameter of the bottom surface of the protrusion 22 is 900 nm. Moreover, the distance between the adjacent protrusions 22 in the plurality of protrusions 22 is 100 nm.

一実施例のエピタキシャル基板１の製造方法は、ＭＯＶＰＥ装置の反応炉内において図４に示す成長シーケンスにより単結晶基板２上にＡｌＮ層３をエピタキシャル成長させる。   In the manufacturing method of the epitaxial substrate 1 of one embodiment, the AlN layer 3 is epitaxially grown on the single crystal substrate 2 by the growth sequence shown in FIG. 4 in the reactor of the MOVPE apparatus.

第１工程の第１過程では、反応炉内の圧力を４０ｋＰａとして、基板温度を１１００℃とした状態でＶ／III比を８とするようにＴＭＡｌ及びＮＨ3を反応炉内に４．５秒だけ供給し、その後、基板温度を１２００℃とした状態でＶ／III比を８とするようにＴＭＡｌ及びＮＨ3を反応炉内に３秒だけ供給し、その後、基板温度を１２８０℃とした状態でＶ／III比を８とするようにＴＭＡｌ及びＮＨ3を反応炉内に３秒だけ供給した。第１工程の第２過程では、反応炉内の圧力を２０ｋＰａとして、基板温度を１３５０℃とした状態でＶ／III比を１０６とするようにＴＭＡｌ及びＮＨ3を反応炉内に３秒だけ供給した。第１工程では、ＴＭＡｌ及びＮＨ3それぞれのキャリアガスとして、Ｈ2ガスを採用した。 In the first step of the first step, TMAl and NH 3 are placed in the reactor for 4.5 seconds so that the pressure in the reactor is 40 kPa, the substrate temperature is 1100 ° C., and the V / III ratio is 8. After that, TMAl and NH 3 were supplied into the reactor for 3 seconds so that the V / III ratio was 8 with the substrate temperature set at 1200 ° C., and then the substrate temperature was set at 1280 ° C. TMAl and NH 3 were fed into the reactor for 3 seconds so that the V / III ratio was 8. In the second process of the first step, TMAl and NH 3 are supplied into the reactor for 3 seconds so that the pressure in the reactor is 20 kPa, the substrate temperature is 1350 ° C., and the V / III ratio is 106. did. In the first step, H 2 gas was employed as the carrier gas for each of TMAl and NH 3 .

第２工程では、反応炉内の圧力を２０ｋＰａ、基板温度を１３５０℃とした状態で、Ｖ／III比を１４０とするようにＴＭＡｌ及びＮＨ3を反応炉内に供給した。第２工程では、突起２２なしの場合の同条件でのＡｌＮの成長速度に基づいて当該ＡｌＮの厚さが２μｍとなるように成長時間を設定した。第２工程では、ＴＭＡｌ及びＮＨ3それぞれのキャリアガスとして、Ｈ2ガスを採用した。 In the second step, TMAl and NH 3 were supplied into the reactor so that the V / III ratio was 140 while the pressure in the reactor was 20 kPa and the substrate temperature was 1350 ° C. In the second step, the growth time was set so that the thickness of the AlN was 2 μm based on the growth rate of AlN under the same conditions without the protrusions 22. In the second step, H 2 gas was employed as the carrier gas for each of TMAl and NH 3 .

第３工程では、反応炉内の圧力を２０ｋＰａ、基板温度を１３５０℃とした状態で、Ｖ／III比を４とするようにＴＭＡｌ及びＮＨ3を反応炉内に供給した。第３工程では、突起２２なしの場合の同条件でのＡｌＮの成長速度に基づいて当該ＡｌＮの厚さが１０μｍとなるように成長時間を設定した。第３工程では、ＴＭＡｌ及びＮＨ3それぞれのキャリアガスとして、Ｈ2ガスを採用した。 In the third step, TMAl and NH 3 were supplied into the reactor so that the V / III ratio was 4, with the pressure in the reactor being 20 kPa and the substrate temperature being 1350 ° C. In the third step, the growth time was set so that the thickness of the AlN was 10 μm based on the growth rate of AlN under the same conditions without the protrusions 22. In the third step, H 2 gas was employed as the carrier gas for each of TMAl and NH 3 .

一実施例のエピタキシャル基板１の製造方法により製造したエピタキシャル基板１の断面ＴＥＭ像を図５及び６に示す。図５及び６から、エピタキシャル基板１では、突起２２の先端付近から単結晶基板２の法線方向とは傾いた方向に延びた転位が空洞３７の箇所で消滅しており、第３ＡｌＮ結晶３３中の転位が低減されていることが確認された。   5 and 6 show cross-sectional TEM images of the epitaxial substrate 1 manufactured by the manufacturing method of the epitaxial substrate 1 of one embodiment. 5 and 6, in the epitaxial substrate 1, dislocations extending from the vicinity of the tip of the protrusion 22 in a direction inclined with respect to the normal direction of the single crystal substrate 2 disappear at the location of the cavity 37, and in the third AlN crystal 33. It has been confirmed that the dislocations of are reduced.

エピタキシャル基板１の結晶性については、ＡｌＮ層３の表面モフォロジー、ＡｌＮ層３の転位密度等によって評価した。ＡｌＮ層３の表面モフォロジーは、第２ＡｌＮ層３０２の表面モフォロジーである。ここでいう転位密度は、刃状転位（edge dislocation）と、螺旋転位（screw dislocation）と、混合転位（mixed dislocation）と、を含む転位（刃状転位が大部分を占めている）の密度を意味する。言い換えれば、ここでいう転位密度は、刃状転位と螺旋転位と混合転位とを区別せずにまとめて算出した値を意味する。転位密度は、断面ＴＥＭ像から算出した値である。   The crystallinity of the epitaxial substrate 1 was evaluated by the surface morphology of the AlN layer 3, the dislocation density of the AlN layer 3, and the like. The surface morphology of the AlN layer 3 is the surface morphology of the second AlN layer 302. The dislocation density here refers to the density of dislocations (edge dislocations occupying most) including edge dislocations, screw dislocations, and mixed dislocations. means. In other words, the dislocation density here means a value calculated collectively without distinguishing between edge dislocations, screw dislocations, and mixed dislocations. The dislocation density is a value calculated from a cross-sectional TEM image.

一実施例のエピタキシャル基板１の製造方法により製造したエピタキシャル基板１の表面の光学顕微鏡による観察像の写真を図７に示し、比較例１のエピタキシャル基板の製造方法により製造したエピタキシャル基板の表面の光学顕微鏡による観察像の写真を図８に示す。比較例１のエピタキシャル基板の製造方法は、一実施例のエピタキシャル基板１の製造方法と同様である。比較例１のエピタキシャル基板の製造方法では、第２工程において成長時間を突起２２なしの場合の同条件でのＡｌＮの成長速度に基づいて当該ＡｌＮの厚さが０．２μｍとなるように設定した点が一実施例のエピタキシャル基板１の製造方法とは相違する。また、比較例１のエピタキシャル基板の製造方法では、第３工程において成長時間を突起２２なしの場合の同条件でのＡｌＮの成長速度に基づいて当該ＡｌＮの厚さが１１．８μｍとなるように設定した点が一実施例のエピタキシャル基板の製造方法とは相違する。図７及び８から、一実施例のエピタキシャル基板１の製造方法により製造したエピタキシャル基板１では、比較例１のエピタキシャル基板の製造方法により製造したエピタキシャル基板と比べて、表面の平坦性が向上していることが分かる。   FIG. 7 shows a photograph of an observation image of the surface of the epitaxial substrate 1 manufactured by the manufacturing method of the epitaxial substrate 1 of one example by an optical microscope, and the optical surface of the epitaxial substrate manufactured by the manufacturing method of the epitaxial substrate of Comparative Example 1 is shown. A photograph of an image observed with a microscope is shown in FIG. The manufacturing method of the epitaxial substrate of the comparative example 1 is the same as the manufacturing method of the epitaxial substrate 1 of one Example. In the method for manufacturing the epitaxial substrate of Comparative Example 1, the growth time in the second step was set so that the thickness of the AlN was 0.2 μm based on the growth rate of AlN under the same conditions without the protrusions 22. This is different from the manufacturing method of the epitaxial substrate 1 of one embodiment. Also, in the epitaxial substrate manufacturing method of Comparative Example 1, the thickness of the AlN is 11.8 μm based on the growth rate of AlN under the same conditions when the growth time is not provided in the third step in the third step. The set point is different from the manufacturing method of the epitaxial substrate of one embodiment. 7 and 8, the epitaxial substrate 1 manufactured by the manufacturing method of the epitaxial substrate 1 of one embodiment has improved surface flatness compared to the epitaxial substrate manufactured by the manufacturing method of the epitaxial substrate of Comparative Example 1. I understand that.

また、一平面に突起のない単結晶基板上にＡｌＮ層を一実施例と同条件で成長させた参考例の製造方法により製造したエピタキシャル基板におけるＡｌＮ層の転位密度は、２．０×１０9ｃｍ-2であった。これに対し、エピタキシャル基板１におけるＡｌＮ層３の転位密度は、６．２×１０8ｃｍ-2であった。要するに、一実施例のエピタキシャル基板１の製造方法により製造したエピタキシャル基板１は、参考例のエピタキシャル基板の製造方法により製造したエピタキシャル基板よりも、結晶性が向上している。 Further, the dislocation density of the AlN layer in the epitaxial substrate manufactured by the manufacturing method of the reference example in which the AlN layer is grown on the single crystal substrate having no projection on one plane under the same conditions as in the example is 2.0 × 10 9. cm -2 . On the other hand, the dislocation density of the AlN layer 3 in the epitaxial substrate 1 was 6.2 × 10 8 cm −2 . In short, the epitaxial substrate 1 manufactured by the manufacturing method of the epitaxial substrate 1 of one embodiment has improved crystallinity than the epitaxial substrate manufactured by the manufacturing method of the epitaxial substrate of the reference example.

ところで、本願発明者らは、特許文献１に記載されている成長条件に準じてＡｌＮ層を成長しても、Ａｌの原料ガスの流量、Ｎの原料ガスの流量等を変更した場合に、ＡｌＮ層の表面の平坦性が低下してしまうことがあるという知見を得た。そこで、本願発明者らは、ＡｌＮ層の表面の平坦性が低くなる原因について鋭意研究を行った。そして、本願発明者らは、光学顕微鏡による表面の観察、ＳＥＭによる断面観察の結果から、表面がｃ面であっても当該ｃ面が単結晶基板２の一平面２１の法線方向から傾いた直線に直交している異常成長部が形成されていることにより、ＡｌＮ層の表面の平坦性が低下しているという知見を得た。   By the way, the inventors of the present application, when growing the AlN layer according to the growth conditions described in Patent Document 1, change the flow rate of the Al source gas, the flow rate of the N source gas, etc. The knowledge that the flatness of the surface of a layer may fall was acquired. Therefore, the inventors of the present application conducted intensive studies on the cause of the decrease in flatness of the surface of the AlN layer. The inventors of the present application found that the c-plane was inclined from the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2 even if the surface was a c-plane, based on the results of surface observation with an optical microscope and cross-sectional observation with SEM. The knowledge that the flatness of the surface of the AlN layer is reduced due to the formation of the abnormally grown portion orthogonal to the straight line was obtained.

そこで、本願発明者らは、成長条件を種々変化させた複数の比較例の製造方法それぞれにより製造したエピタキシャル基板について、光学顕微鏡による観察を行い、平坦性を評価した。一実施例のエピタキシャル基板１の製造方法の成長条件、比較例１〜６それぞれの製造方法の成長条件を下記の表１に示す。   Therefore, the inventors of the present application performed an observation with an optical microscope on the epitaxial substrate manufactured by each of the manufacturing methods of the plurality of comparative examples in which the growth conditions were variously changed, and evaluated the flatness. The growth conditions of the manufacturing method of the epitaxial substrate 1 of one Example and the growth conditions of the manufacturing methods of Comparative Examples 1 to 6 are shown in Table 1 below.

表１中において、「圧力」は、ＭＯＶＰＥ装置の反応炉内の圧力である。「ＴＭＡｌ［sccm］」は、反応炉内に供給するＴＭＡｌの流量である。「sccm」は、「standard cc per minute」の略語である。また、「ＮＨ3［sccm］」は、反応炉内に供給するＮＨ3の流量である。「slm」は、「standard liter per minute」の略語である。また、表１中において、第２工程の欄の「厚さ」は、成長厚さ（一実施例では、第１ＡｌＮ層３０１の厚さ）である。また、表１中において、第３工程の欄の「厚さ」は、成長厚さ（一実施例では、第２ＡｌＮ層３０２の厚さ）である。 In Table 1, “pressure” is the pressure in the reactor of the MOVPE apparatus. “TMAl [sccm]” is the flow rate of TMAl supplied into the reactor. “Sccm” is an abbreviation for “standard cc per minute”. “NH 3 [sccm]” is a flow rate of NH 3 supplied into the reaction furnace. “Slm” is an abbreviation for “standard liter per minute”. In Table 1, “thickness” in the column of the second step is the growth thickness (in one example, the thickness of the first AlN layer 301). In Table 1, “thickness” in the column of the third step is the growth thickness (in one example, the thickness of the second AlN layer 302).

一実施例と比較例１とは、第２工程での厚さ及び第３工程での厚さを異ならせてあるだけで、他の成長条件を同じとしてある。比較例１では、第２工程での厚さと第３工程での厚さとの合計厚さを一実施例における第２工程での厚さと第３工程での厚さとの合計厚さと同じにしてある。   The one example and the comparative example 1 are the same in other growth conditions except that the thickness in the second step and the thickness in the third step are different. In Comparative Example 1, the total thickness of the second step and the third step is the same as the total thickness of the second step and the third step in one embodiment. .

一実施例と比較例３とは、第２工程での厚さ及び第３工程での厚さを異ならせてあるだけで、他の成長条件を同じとしてある。比較例３では、第２工程での厚さ及び第３工程での厚さのいずれも一実施例よりも薄い。比較例２と比較例３と比較例４とは第３工程の成長温度を異ならせてあるだけで、他の成長条件を同じとしてある。   The one example and the comparative example 3 are the same in other growth conditions except that the thickness in the second step and the thickness in the third step are different. In Comparative Example 3, both the thickness in the second step and the thickness in the third step are thinner than in one example. The comparative example 2, the comparative example 3 and the comparative example 4 are different from each other only in the growth temperature of the third step, and other growth conditions are the same.

一実施例と比較例６とは、第２工程での厚さ及び第３工程での厚さを異ならせてあるだけで、他の成長条件を同じとしてある。比較例６では、第２工程での厚さを比較例１と同じにし、第３工程での厚さを比較例２よりも薄くしてある。比較例６では、第２工程での厚さと第３工程での厚さとの合計厚さを一実施例における第２工程での厚さと第３工程での厚さとの合計厚さの半分としてある。比較例５と比較例６とはキャリアガスが異なるだけで他の成長条件を同じとしてある。比較例６では、キャリアガスがＨ2ガスのみであるのに対して、比較例５では、キャリアガスがＨ2ガスとＮ2ガスとを含んでいる。Ｈ2ガスの流量とＮ2ガスの流量との合計流量に対するＨ2ガスの流量の割合は７５％である。なお、比較例３〜６では、単結晶基板２における突起２２の高さは、１．３μｍである。また、比較例３〜６では、単結晶基板２における突起２２の底面の直径は、１．８μｍである。また、比較例３〜６では、複数の突起２２において隣り合う突起２２間の距離は、０．２μｍである。 The one example and the comparative example 6 are the same in other growth conditions except that the thickness in the second step and the thickness in the third step are different. In Comparative Example 6, the thickness in the second step is the same as that in Comparative Example 1, and the thickness in the third step is made thinner than that in Comparative Example 2. In Comparative Example 6, the total thickness of the second process and the third process is half the total thickness of the second process and the third process in one embodiment. . Comparative Example 5 and Comparative Example 6 have the same growth conditions except that the carrier gas is different. In Comparative Example 6, the carrier gas is only H 2 gas, whereas in Comparative Example 5, the carrier gas contains H 2 gas and N 2 gas. Flow rate of H 2 gas to the total flow rate of the flow rate of H 2 gas flow rate and N 2 gas is 75%. In Comparative Examples 3 to 6, the height of the protrusion 22 in the single crystal substrate 2 is 1.3 μm. In Comparative Examples 3 to 6, the diameter of the bottom surface of the protrusion 22 in the single crystal substrate 2 is 1.8 μm. In Comparative Examples 3 to 6, the distance between the adjacent protrusions 22 in the plurality of protrusions 22 is 0.2 μm.

図７は、一実施例のエピタキシャル基板１の製造方法により製造したエピタキシャル基板１の表面に関し、光学顕微鏡による観察像の写真である。図８〜１３は、それぞれ、比較例１〜６のエピタキシャル基板の製造方法により製造したエピタキシャル基板の表面に関し、光学顕微鏡による観察像の写真である。   FIG. 7 is a photograph of an image observed by an optical microscope with respect to the surface of the epitaxial substrate 1 manufactured by the manufacturing method of the epitaxial substrate 1 of one embodiment. 8 to 13 are photographs of images observed by an optical microscope with respect to the surface of the epitaxial substrate manufactured by the epitaxial substrate manufacturing method of Comparative Examples 1 to 6, respectively.

図７〜１３から、一実施例のエピタキシャル基板１の製造方法により製造されたエピタキシャル基板１は、比較例１〜６のエピタキシャル基板の製造方法により製造されたエピタキシャル基板よりも良好な平坦性が得られていることが分かる。   7-13, the epitaxial substrate 1 manufactured by the manufacturing method of the epitaxial substrate 1 of one Example has better flatness than the epitaxial substrate manufactured by the manufacturing method of the epitaxial substrate of Comparative Examples 1-6. You can see that

また、図９〜１１から、比較例２〜４のエピタキシャル基板の製造方法それぞれにより製造されたエピタキシャル基板の比較では、基板温度が１３５０℃の比較例３のほうが、基板温度が１３００℃の比較例２及び基板温度が１３９０℃の比較例３の場合に比べて、柱状のＡｌＮ結晶同士の結合が促進されていることが分かる。   9-11, in the comparison of the epitaxial substrates manufactured by the respective epitaxial substrate manufacturing methods of Comparative Examples 2 to 4, Comparative Example 3 having a substrate temperature of 1350 ° C. is a comparative example having a substrate temperature of 1300 ° C. It can be seen that the bonding between the columnar AlN crystals is promoted as compared with the case of Comparative Example 3 in which 2 and the substrate temperature are 1390 ° C.

また、図１２〜１３から、比較例６〜７のエピタキシャル基板の製造方法それぞれにより製造されたエピタキシャル基板の比較では、キャリアガスをＨ2ガスのみとした比較例７のほうが、キャリアガスとしてＨ2ガスとＮ2ガスとがある比較例６と比べて、柱状のＡｌＮ結晶同士の結合が促進されていることが分かる。 Further, from 12-13, in the comparison of the epitaxial substrate manufactured by each method for producing an epitaxial substrate of Comparative Example 6-7, more carrier gas of Comparative Example 7 in which only the H 2 gas is, H 2 as a carrier gas It can be seen that the bonding between the columnar AlN crystals is promoted as compared with Comparative Example 6 in which the gas and N 2 gas are present.

実施形態及び実施例に記載した材料、数値等は、好ましい例を示しているだけであり、それに限定する主旨ではない。更に、本願発明は、その技術的思想の範囲を逸脱しない範囲で、構成に適宜変更を加えることが可能である。   The materials, numerical values, and the like described in the embodiments and examples are only preferable examples and are not intended to be limited thereto. Furthermore, the present invention can be appropriately modified in configuration without departing from the scope of its technical idea.

例えば、複数の突起２２の各々は、円錐状に限らず、例えば、角錐状でもよい。また、複数の突起２２の各々は、錐台状（円錐台状、角錐台状等）でもよいし、半球状でもよい。   For example, each of the plurality of protrusions 22 is not limited to a conical shape, and may be a pyramid shape, for example. Each of the plurality of protrusions 22 may have a frustum shape (conical frustum shape, truncated pyramid shape, etc.) or hemispherical shape.

また、複数の突起２２は、２次元のアレイ状に並んでいる例に限らず、例えば、１次元のアレイ状（例えば、ストライプ状）に並んでいてよい。   In addition, the plurality of protrusions 22 is not limited to the example of being arranged in a two-dimensional array, and may be arranged in a one-dimensional array (for example, a stripe).

なお、ＡｌＮ層３は、このＡｌＮ層３を成長させる際に不可避的に混入されるＨ、Ｃ、Ｏ、Ｓｉ、Ｆｅなどの不純物を含有していてもよい。また、ＡｌＮ層３は、このＡｌＮ層３を成長させる際に導電性制御のために意図的に導入されるＳｉ、Ｇｅ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃ等の不純物を含有していてもよい。   The AlN layer 3 may contain impurities such as H, C, O, Si, and Fe inevitably mixed when the AlN layer 3 is grown. In addition, the AlN layer 3 may contain impurities such as Si, Ge, Be, Mg, Zn, and C intentionally introduced for conductivity control when the AlN layer 3 is grown.

エピタキシャル基板１を利用して製造する窒化物半導体素子は、発光ダイオード（例えば、紫外線発光ダイオード等）、レーザダイオードに限らず、例えば、ＡｌＧａＮ系の高電子移動度トランジスタ等でもよい。   The nitride semiconductor device manufactured using the epitaxial substrate 1 is not limited to a light emitting diode (for example, an ultraviolet light emitting diode) or a laser diode, but may be, for example, an AlGaN-based high electron mobility transistor.

１ エピタキシャル基板
２ 単結晶基板
２０ 下地面
２１ 一平面
２２ 突起
３４ ＡｌＮ結晶核
３０１ 第１ＡｌＮ層
３０２ 第２ＡｌＮ層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Epitaxial substrate 2 Single crystal substrate 20 Lower ground 21 One plane 22 Protrusion 34 AlN crystal nucleus 301 1st AlN layer 302 2nd AlN layer

Claims (5)

一平面に前記一平面の法線方向に突出する複数の突起がアレイ状に並んでいる単結晶基板をＭＯＶＰＥ装置の反応炉内に配置する初期工程と、
前記単結晶基板を加熱した状態で、Ａｌの原料ガスとＮの原料ガスとを前記反応炉内に供給することによって、前記単結晶基板の前記一平面及び前記複数の突起の表面を含む下地面上に島状の複数のＡｌＮ結晶核を形成する第１工程と、
前記単結晶基板を加熱した状態で、前記Ａｌの原料ガスと前記Ｎの原料ガスとを前記反応炉内に供給することによって、前記複数のＡｌＮ結晶核を元に前記単結晶基板の前記下地面上に第１ＡｌＮ層を形成する第２工程と、
前記単結晶基板を加熱した状態で前記Ａｌの原料ガスと前記Ｎの原料ガスとを前記反応炉内に供給することによって、前記第１ＡｌＮ層上に第２ＡｌＮ層を形成する第３工程と、を含み、
前記第１工程におけるＶ／III比は、Ａｌ極性のＡｌＮ結晶核がＮ極性のＡｌＮ結晶核よりも優先して形成される値であり、
前記第２工程におけるＶ／III比は、前記単結晶基板の前記法線方向に直交するファセットを有するＡｌＮ結晶の縦方向成長が促進される値であり、
前記第３工程におけるＶ／III比は、ＡｌＮ結晶の横方向成長が促進される値であり、
前記第１ＡｌＮ層の厚さは２μｍ以上である、
ことを特徴とするエピタキシャル基板の製造方法。 An initial step of disposing a single crystal substrate in a reaction plane of a MOVPE apparatus, in which a plurality of protrusions protruding in a normal direction of the one plane are arranged in an array on one plane;
By supplying the Al source gas and the N source gas into the reactor while the single crystal substrate is heated, the ground plane including the one plane of the single crystal substrate and the surfaces of the plurality of protrusions A first step of forming a plurality of island-shaped AlN crystal nuclei thereon;
The base surface of the single crystal substrate based on the plurality of AlN crystal nuclei by supplying the Al source gas and the N source gas into the reactor while the single crystal substrate is heated. A second step of forming a first AlN layer thereon;
A third step of forming a second AlN layer on the first AlN layer by supplying the Al source gas and the N source gas into the reactor while the single crystal substrate is heated; Including
The V / III ratio in the first step is a value in which Al-polar AlN crystal nuclei are formed in preference to N-polar AlN crystal nuclei,
The V / III ratio in the second step is a value that promotes the vertical growth of the AlN crystal having facets perpendicular to the normal direction of the single crystal substrate,
The V / III ratio in the third step is a value that promotes lateral growth of the AlN crystal,
The thickness of the first AlN layer is 2 μm or more.
An epitaxial substrate manufacturing method characterized by the above. 前記第２工程におけるＶ／III比は、５１よりも大きく、
前記第３工程におけるＶ／III比は、５１よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１記載のエピタキシャル基板の製造方法。 The V / III ratio in the second step is greater than 51,
The V / III ratio in the third step is smaller than 51,
The method for manufacturing an epitaxial substrate according to claim 1. 前記第２工程及び前記第３工程それぞれにおける前記単結晶基板の温度は１３００℃よりも高くかつ１３９０℃未満である、
ことを特徴とする請求項１又は２記載のエピタキシャル基板の製造方法。 The temperature of the single crystal substrate in each of the second step and the third step is higher than 1300 ° C. and lower than 1390 ° C.,
The method for producing an epitaxial substrate according to claim 1 or 2, wherein: 前記第２工程及び前記第３工程では、前記Ａｌの原料ガスのキャリアガスはＨ2ガスのみであり、かつ、前記Ｎの原料ガスのキャリアガスはＨ2ガスのみである、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のエピタキシャル基板の製造方法。 In the second step and the third step, the carrier gas of the Al source gas is only H 2 gas, and the carrier gas of the N source gas is only H 2 gas.
The method for manufacturing an epitaxial substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein: 前記単結晶基板は、サファイア基板、ＳｉＣ基板、ＡｌＮ基板又はＧａＮ基板であり、
前記単結晶基板の前記法線方向の結晶軸は、ｃ軸である、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のエピタキシャル基板の製造方法。 The single crystal substrate is a sapphire substrate, a SiC substrate, an AlN substrate, or a GaN substrate,
A crystal axis in the normal direction of the single crystal substrate is a c-axis;
The method for manufacturing an epitaxial substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein:
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