JP2015506591A5

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Publication number: JP2015506591A5
Application number: JP2014553547A
Authority: JP
Filing date: 2013-01-24
Publication date: 2016-02-12

Description

これらおよび他の目的は、本発明の利点および特徴とともに、以下の説明、付随の図面、および請求項の参照を通して、より明白となるであろう。さらに、本明細書に説明される種々の実施形態の特徴は、相互に排他的ではなく、種々の組み合わせおよび順列で存在することができることを理解されたい。本明細書を通して、「一実施例」、「ある実施例」、「一実施形態」、または「ある実施形態」という言及は、実施例に関連して説明される特定の特徴、構造、または特性が、本技術の少なくとも一実施例に含まれることを意味する。したがって、本明細書全体を通した種々の場所における、語句「一実施例では」、「ある実施例では」、「一実施形態」、または「ある実施形態」の表出は、必ずしも、全て同一の実施例を参照するわけでは、ない。さらに、特定の特徴、構造、ルーチン、ステップ、または特性は、本技術の１つ以上の実施例において、任意の好適な様式で組み合わせられてもよい。用語「光」は、限定ではないが、可視光、紫外線放射、および赤外線放射を含む、電磁スペクトル内の任意の波長または波長帯域を広く含意する。同様に、「照度」、「光束」、および「光度」等の測光用語は、「放射照度」、「放射束」、および「放射強度」等のその放射測定均等物まで拡張し、かつそれらを含む。本明細書で使用されるように、用語「実質的に」、「およそ」、および「約」は、±１０％、いくつかの実施形態では、±５％を意味する。用語「本質的に成る」は、本明細書に別様に定義されない限り、機能に寄与する他の材料を除外することを意味する。それでもなお、そのような他の材料は、集合的または個々に、微量に存在し得る。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
硬化された結合剤中に懸下された複数の個別の半導体ダイを備える複合ウエハを形成する方法であって、前記方法は、
前記複数の個別の半導体ダイを型基板上に配置することであって、各半導体ダイは、前記型基板に隣接する少なくとも２つの離間された接点を有する、ことと、
前記複数の半導体ダイを結合剤でコーティングすることと、
前記結合剤を硬化させることにより、前記複合ウエハを形成することと
を含み、各半導体ダイの前記接点は、少なくとも部分的に、前記結合剤によってコーティングされないままである、方法。
（項目２）
前記複合ウエハを、複数の個別の部分に分離することをさらに含み、前記複数の個別の部分はそれぞれ、硬化された結合剤でコーティングされた少なくとも１つの半導体ダイを備える、項目１に記載の方法。
（項目３）
分離後、各半導体ダイを囲繞する結合剤の体積は、実質的に等しい、項目２に記載の方法。
（項目４）
前記複合ウエハを分離することは、レーザ切断、ナイフ切断、回転式ナイフ切断、剪断、水ジェット切断、アブレシブ水ジェット切断、型抜き、または鋸切断のうちの少なくとも１つを含む、項目２に記載の方法。
（項目５）
前記複合ウエハの各個別の部分は、１つのみの半導体ダイを含む、項目２に記載の方法。
（項目６）
前記複合ウエハの各個別の部分は、隣接する面間に約９０°の角を有する長方形固体である、項目２に記載の方法。
（項目７）
前記複合ウエハの形成後、（ｉ）前記半導体ダイのうちの少なくともいくつかを電気的に試験することと、（ｉｉ）前記電気的試験に基づいて、前記分離された部分を区分化することとをさらに含む、項目２に記載の方法。
（項目８）
前記個別の部分のうちの１つにおける前記少なくとも１つの半導体ダイの接点を基板上の離間された伝導性トレースに電気的に結合することをさらに含む、項目２に記載の方法。
（項目９）
前記接点を前記伝導性トレースに電気的に結合することは、伝導性接着剤で前記接点を前記伝導性トレースに接着することを含む、項目８に記載の方法。
（項目１０）
前記少なくとも１つの半導体ダイを前記少なくとも１つの半導体ダイに給電するための回路に電気的に接続することをさらに含む、項目８に記載の方法。
（項目１１）
前記複合ウエハを分離後、前記個別の部分のそれぞれから付加的材料を除去することをさらに含み、それによって、各部分は、その後、所望の形状を有する、項目２に記載の方法。
（項目１２）
前記複合ウエハを前記型基板から分離することをさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目１３）
結合剤でコーティングされた前記複数の半導体ダイと第２の基板とを接触させて配置することと、
結合剤でコーティングされた前記複数の半導体ダイから前記型基板を取り外すことであって、結合剤でコーティングされた前記複数の半導体ダイは、前記第２の基板に取着されたままである、ことと
をさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目１４）
前記複合ウエハを前記第２の基板から分離することをさらに含む、項目１３に記載の方法。
（項目１５）
前記結合剤を硬化させる前に、前記複数の半導体ダイの接点は、前記型基板内に少なくとも部分的に埋め込まれる、項目１に記載の方法。
（項目１６）
前記複数の半導体ダイの接点は、少なくとも２μｍだけ、前記型基板内に埋め込まれる、項目１５に記載の方法。
（項目１７）
前記結合剤を硬化させた後、前記複数の半導体ダイの接点のそれぞれの少なくとも一部は、前記硬化された結合剤から突出する、項目１に記載の方法。
（項目１８）
前記結合剤を硬化させた後、その接点に近接する各半導体ダイの少なくとも一部は、前記硬化された結合剤から突出する、項目１に記載の方法。
（項目１９）
各半導体ダイの接点は、実質的に、結合剤によって全体的にコーティングされないままである、項目１に記載の方法。
（項目２０）
前記結合剤は、シリコーンまたはエポキシのうちの少なくとも１つを備える、項目１に記載の方法。
（項目２１）
前記複数の半導体ダイを前記結合剤でコーティングすることは、
前記結合剤を型内に分配することと、
前記型を覆って前記型基板を配置することであって、それによって、前記複数の半導体ダイは、前記結合剤中に懸下される、ことと
を含む、項目１に記載の方法。
（項目２２）
前記結合剤を硬化させることは、
少なくとも部分的に、前記結合剤を硬化させることと、
その後、前記型基板を前記型から取り外すことと
を含む、項目２１に記載の方法。
（項目２３）
（ｉ）前記型基板と対向する型の表面は、テクスチャ処理を備え、（ｉｉ）前記硬化された結合剤の少なくとも一部は、前記型基板が前記型から取り外された後、前記テクスチャ処理を備え、（ｉｉｉ）前記テクスチャ処理は、前記硬化された結合剤からの光抽出を向上させるように構成されている、項目２２に記載の方法。
（項目２４）
前記型基板を前記型から取り外した後、前記硬化された結合剤からの光抽出を向上させるためのテクスチャ処理を前記型基板と対向する結合剤の表面の少なくとも一部に適用することをさらに含む、項目２２に記載の方法。
（項目２５）
（ｉ）前記型は、前記結合剤が配置される複数の個別の区画を備え、（ｉｉ）１つ以上の半導体ダイは、前記結合剤を硬化させる前に、各区画内または各区画の上方に懸下される、項目２１に記載の方法。
（項目２６）
各区画は、補完形状を前記結合剤の一部に付与し、前記補完形状は、実質的に、相互に同じである、項目２５に記載の方法。
（項目２７）
前記型基板は、前記型基板を通る１つ以上の開口部を画定している、項目２１に記載の方法。
（項目２８）
前記結合剤の少なくとも一部は、少なくとも１つの前記開口部を通して前記型内に分配される、項目２７に記載の方法。
（項目２９）
前記結合剤の一部は、前記型基板が前記型を覆って配置されるとき、少なくとも１つの前記開口部を通して流動する、項目２７に記載の方法。
（項目３０）
前記複数の半導体ダイを前記結合剤でコーティングすることは、前記結合剤を前記型基板の上に分配することを含み、前記結合剤は、前記型基板の表面の上方に延在する１つ以上の障壁によって、前記型基板の上に含まれる、項目１に記載の方法。
（項目３１）
前記硬化された結合剤からの光抽出を向上させるためのテクスチャ処理を前記型基板と対向する結合剤の表面の少なくとも一部に適用することをさらに含み、それによって、前記硬化された結合剤は、前記テクスチャ処理を保持する、項目３０に記載の方法。
（項目３２）
前記結合剤を硬化させることは、
少なくとも部分的に、前記結合剤を硬化させることと、
その後、前記型基板を前記複数の半導体ダイから取り外すことと
を含む、項目３０に記載の方法。
（項目３３）
前記結合剤の少なくとも一部を覆って、かつ、前記結合剤の少なくとも一部に接触させて、型カバーを配置することをさらに含む、項目３０に記載の方法。
（項目３４）
（ｉ）前記型カバーは、複数の個別の区画を備え、（ｉｉ）１つ以上の半導体ダイは、前記結合剤を硬化させる前に、各区画内または各区画の下に懸下される、項目３３に記載の方法。
（項目３５）
各区画は、補完形状を前記結合剤の一部に付与し、前記補完形状は、実質的に、相互に同じである、項目３４に記載の方法。
（項目３６）
前記結合剤は、波長変換材料を含む、項目１に記載の方法。
（項目３７）
前記波長変換材料は、燐光体または量子ドットのうちの少なくとも１つを備える、項目３６に記載の方法。
（項目３８）
各半導体ダイは、発光半導体ダイを備える、項目１に記載の方法。
（項目３９）
前記結合剤は、前記発光半導体ダイによって放出される光の波長に対して透過性である、項目３８に記載の方法。
（項目４０）
各発光半導体ダイは、ベアダイ発光ダイオードを備える、項目３８に記載の方法。
（項目４１）
前記発光半導体ダイはそれぞれ、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＰ、ＺｎＯ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、シリコン、あるいは、それらの合金または混合物のうちの少なくとも１つを備える半導体材料を備える、項目３８に記載の方法。
（項目４２）
前記結合剤は、前記発光半導体ダイから放出される光の少なくとも一部の吸収、および、異なる波長を有する変換された光の放出のための波長変換材料を含み、前記発光半導体ダイによって放出される変換された光および変換されていない光は、組み合わさることにより、実質的白色光を形成する、項目３８に記載の方法。
（項目４３）
前記実質的白色光は、２０００Ｋ〜１０，０００Ｋの範囲内の相関色温度を有する、項目４２に記載の方法。
（項目４４）
前記実質的白色光は、前記複合ウエハにわたって、４マクアダム楕円未満の色温度変動を有する、項目４２に記載の方法。
（項目４５）
前記実質的白色光は、前記複合ウエハにわたって、２マクアダム楕円未満の色温度変動を有する、項目４２に記載の方法。
（項目４６）
前記複合ウエハは、第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有し、前記第１の表面および第２の表面は、実質的に、平坦かつ平行である、項目１に記載の方法。
（項目４７）
前記複合ウエハは、厚さ変動１０％未満を伴う、実質的に均一な厚さを有する、項目４６に記載の方法。
（項目４８）
前記複合ウエハは、厚さ変動５％未満を伴う、実質的に均一な厚さを有する、項目４６に記載の方法。
（項目４９）
前記複合ウエハは、５μｍ〜４０００μｍの実質的に均一な厚さを有する、項目４６に記載の方法。
（項目５０）
前記厚さに垂直な前記複合ウエハの寸法は、５ｍｍ〜１０００ｍｍである、項目４６に記載の方法。
（項目５１）
隣接する半導体ダイ間の間隔は、前記複合ウエハにわたって、実質的に一定である、項目１に記載の方法。
（項目５２）
前記間隔は、約２５μｍ〜約１０，０００μｍの範囲内である、項目５１に記載の方法。
（項目５３）
前記半導体ダイのそれぞれの上方の前記結合剤の厚さは、約２５μｍ〜約４０００μｍの範囲内である、項目１に記載の方法。
（項目５４）
前記半導体ダイのそれぞれの上方の前記結合剤の厚さは、５％以内まで同一である、項目１に記載の方法。
（項目５５）
前記複数の半導体ダイは、少なくとも１００個の半導体ダイを備える、項目１に記載の方法。
（項目５６）
前記複数の半導体ダイは、少なくとも１０００個の半導体ダイを備える、項目１に記載の方法。
（項目５７）
前記半導体ダイは、少なくとも第１の方向において、実質的に等しい半導体ダイ間距離を有するアレイ内に配列される、項目１に記載の方法。
（項目５８）
前記アレイは、前記第１の方向と異なる少なくとも第２の方向において、実質的に等しい半導体ダイ間距離を有する、項目５７に記載の方法。
（項目５９）
前記半導体ダイは、規則的周期的アレイに配列される、項目１に記載の方法。
（項目６０）
剥離材料が、前記結合剤の少なくとも一部を覆って配置される、項目１に記載の方法。
（項目６１）
前記剥離材料は、離型膜を備える、項目６０に記載の方法。
（項目６２）
前記離型膜は、前記硬化された結合剤からの光抽出を向上させるためのテクスチャ処理でテクスチャ処理される、項目６１に記載の方法。
（項目６３）
前記型基板は、ガラス、金属、シリコーン、ファイバガラス、セラミック、水溶性テープ、熱剥離テープ、ＵＶ剥離テープ、テレフタル酸ポリエチレン、ポリエチレンナフタレート、プラスチック膜、テープ、接着剤、アクリル、ポリカーボネート、ポリマー、またはポリテトラフルオロエチレンのうちの少なくとも１つを備える、項目１に記載の方法。
（項目６４）
前記結合剤を硬化させることは、熱、空気、湿気、超大気圧、または紫外線放射のうちの少なくとも１つへの暴露を含む、項目１に記載の方法。
（項目６５）
前記複数の個別の半導体ダイを前記型基板上に配置することは、（ｉ）接着力、（ｉｉ）磁力、または（ｉｉｉ）真空のうちの少なくとも１つの印加を含む、項目１に記載の方法。
（項目６６）
前記複数の個別の半導体ダイを前記型基板上に配置する前に、（ｉ）半導体ダイ群を試験し、実質的に等しい特性を有する半導体ダイを識別することと、（ｉｉ）前記複数の半導体ダイを前記識別された半導体ダイから選択することとをさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目６７）
前記複数の半導体ダイは、前記型基板内のくぼみの中に配置される、項目１に記載の方法。
（項目６８）
（ｉ）前記型基板は、真空チャックまたは静電チャックのうちの少なくとも１つを備え、（ｉｉ）前記半導体ダイの位置は、真空または静電気力によって少なくとも部分的に維持される、項目１に記載の方法。
（項目６９）
前記複数の半導体ダイを前記結合剤でコーティングすることは、フィードバック信号に応答して、前記半導体ダイの上に分配される結合剤の量を制御することを含む、項目１に記載の方法。
（項目７０）
熱または紫外線放射のうちの少なくとも１つへの暴露によって、前記複合ウエハを前記型基板から取り外すことをさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目７１）
前記結合剤は、その内部に、（ｉ）ヒュームドシリカ、（ｉｉ）ヒュームドアルミナ、または（ｉｉｉ）ＴｉＯ _２のうちの少なくとも１つを含む、項目１に記載の方法。
（項目７２）
前記結合剤は、複数の個別の領域を備え、そのうちの少なくとも１つは、前記結合剤と少なくとも１つの波長変換材料とを備える、項目１に記載の方法。
（項目７３）
（ｉ）少なくとも１つの半導体ダイは、基板の上の１つ以上の活性層を備え、（ｉｉ）前記基板は、前記結合剤でコーティングする前に、部分的または完全に取り外される、項目１に記載の方法。
（項目７４）
前記少なくとも１つの半導体ダイの基板は、前記少なくとも１つの半導体ダイを前記型基板に配置した後、部分的または完全に取り外される、項目７３に記載の方法。
（項目７５）
前記半導体ダイのそれぞれは、光検出半導体ダイを備える、項目１に記載の方法。
（項目７６）
前記結合剤は、前記光検出半導体ダイによって検出される光の波長に対して透過性である、項目７５に記載の方法。
（項目７７）
光学要素を前記半導体ダイのうちの１つ以上と関連付けることをさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目７８）
硬化の前に、光学要素のアレイを前記結合剤上に配置することをさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目７９）
前記結合剤を硬化させることは、前記光学要素のアレイを前記硬化された結合剤に接着させる、項目７８に記載の方法。
（項目８０）
前記複合ウエハは、前記光学要素のアレイを備え、前記方法は、前記複合ウエハを、それぞれが少なくとも１つの光学要素を備える個別の部分に分離することをさらに含む、項目７８に記載の方法。
（項目８１）
前記複合ウエハの少なくとも一部を覆って、または前記複合ウエハの少なくとも一部の中に、反射層を形成することをさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目８２）
前記反射層は、反射膜を備える、項目８１に記載の方法。
（項目８３）
前記反射層は、複数の粒子を備える、項目８１に記載の方法。
（項目８４）
前記複数の粒子は、ヒュームドシリカ粒子、ヒュームドアルミナ粒子、またはＴｉＯ _２粒子のうちの少なくとも１つを備える、項目８３に記載の方法。
（項目８５）
硬化された結合剤中に懸下された複数の個別の半導体ダイを備える複合ウエハを形成する方法であって、前記方法は、
前記複数の個別の半導体ダイを型基板上に配置することであって、各半導体ダイは、前記型基板と対向する少なくとも２つの離間された接点を有する、ことと、
前記複数の半導体ダイを第１の結合剤でコーティングすることであって、各半導体ダイの接点は、少なくとも部分的に、コーティングされないままである、ことと、
少なくとも部分的に、前記第１の結合剤を硬化させることと、
少なくとも部分的に硬化された第１の結合剤でコーティングされた前記複数の半導体ダイと第２の基板とを接触させて配置することと、
その後、前記型基板を前記複数の半導体ダイから取り外し、それによって、前記第１の結合剤によってコーティングされていない各半導体ダイの一部を暴露することであって、前記複数の半導体ダイは、前記第２の基板に取着されたままである、ことと、
前記複数の半導体ダイのそれぞれの少なくとも前記コーティングされない部分を第２の結合剤でコーティングすることと、
前記第２の結合剤を硬化させることにより、前記複合ウエハを形成することと
を含む、方法。
（項目８６）
前記第１の結合剤および前記第２の結合剤は、同一の材料を備える、項目８５に記載の方法。
（項目８７）
前記複合ウエハを、複数の個別の部分に分離することをさらに含み、複数の個別の部分のそれぞれは、硬化された第１の結合剤および硬化された第２の結合剤でコーティングされた少なくとも１つの半導体ダイを備える、項目８５に記載の方法。
（項目８８）
前記複合ウエハを前記第２の基板から分離することをさらに含む、項目８５に記載の方法。
（項目８９）
前記複合ウエハの前記複数の半導体ダイの接点のそれぞれの少なくとも一部は、硬化された第１の結合剤または硬化された第２の結合剤のうちの少なくとも１つから突出する、項目８５に記載の方法。
（項目９０）
各半導体ダイの接点に近接する各半導体ダイの少なくとも一部は、硬化された第１の結合剤または硬化された第２の結合剤のうちの少なくとも１つから突出する、項目８５に記載の方法。
（項目９１）
前記第１の結合剤または前記第２の結合剤のうちの少なくとも１つは、シリコーンまたはエポキシのうちの少なくとも１つを備える、項目８５に記載の方法。
（項目９２）
前記複数の半導体ダイのそれぞれの少なくとも前記コーティングされない部分を前記第２の結合剤でコーティングすることは、
前記第２の結合剤を型内に分配することと、
前記型基板を前記型の上に配置することであって、それによって、前記複数の半導体ダイは、前記第２の結合剤と接触して配置される、ことと
を含む、項目８５に記載の方法。
（項目９３）
前記第２の結合剤を硬化させることは、
少なくとも部分的に、前記第２の結合剤を硬化させることと、
その後、前記型基板を前記型から取り外すことと
を含む、項目９２に記載の方法。
（項目９４）
（ｉ）前記型基板と対向する型の表面は、テクスチャ処理を備え、（ｉｉ）前記硬化された第２の結合剤の少なくとも一部は、前記型基板が前記型から取り外された後、前記テクスチャ処理を備え、（ｉｉｉ）前記テクスチャ処理は、前記硬化された第２の結合剤からの光抽出を向上させるように構成されている、項目９３に記載の方法。
（項目９５）
前記型基板を前記型から取り外した後、前記硬化された第２の結合剤からの光抽出を向上させるためのテクスチャ処理を前記型基板と対向する前記第２の結合剤の表面の少なくとも一部に適用することをさらに含む、項目９３に記載の方法。
（項目９６）
（ｉ）前記型は、前記第２の結合剤が配置される複数の個別の区画を備え、（ｉｉ）１つ以上の半導体ダイは、前記第２の結合剤の硬化の前に、各区画内または各区画の上方に懸下される、項目９２に記載の方法。
（項目９７）
各区画は、補完形状を前記第２の結合剤の一部に付与し、前記補完形状は、実質的に、相互に同じである、項目９６に記載の方法。
（項目９８）
前記複数の半導体ダイのそれぞれの少なくとも前記コーティングされない部分を前記第２の結合剤でコーティングすることは、前記第２の結合剤を前記型基板の上に分配することを含み、前記第２の結合剤は、前記型基板の表面の上方に延在する１つ以上の障壁によって、前記型基板の上に含まれる、項目８５に記載の方法。
（項目９９）
前記硬化された第２の結合剤からの光抽出を向上させるためのテクスチャ処理を前記型基板と対向する前記第２の結合剤の表面の少なくとも一部に適用することをさらに含み、それによって、前記硬化された第２の結合剤は、前記テクスチャ処理を保持する、項目９８に記載の方法。
（項目１００）
前記第２の結合剤を硬化させることは、
少なくとも部分的に、前記第２の結合剤を硬化させることと、
その後、前記型基板を前記複数の半導体ダイから取り外すことと
を含む、項目９８に記載の方法。
（項目１０１）
前記第２の結合剤の少なくとも一部を覆って、かつ、前記第２の結合剤の少なくとも一部に接着させて、型カバーを配置することをさらに含む、項目９８に記載の方法。
（項目１０２）
（ｉ）前記型カバーは、複数の個別の区画を備え、（ｉｉ）１つ以上の半導体ダイは、前記第２の結合剤を硬化させる前に、各区画内または各区画の下に懸下される、項目１０１に記載の方法。
（項目１０３）
各区画は、補完形状を前記第２の結合剤の一部に付与し、前記補完形状は、実質的に、相互に同じである、項目１０２に記載の方法。
（項目１０４）
前記第１の結合剤または前記第２の結合剤のうちの少なくとも１つは、波長変換材料を含む、項目８５に記載の方法。
（項目１０５）
各半導体ダイは、発光半導体ダイを備える、項目８５に記載の方法。
（項目１０６）
前記第１の結合剤または前記第２の結合剤のうちの少なくとも１つは、前記発光半導体ダイによって放出される光の波長に対して透過性である、項目１０５に記載の方法。
（項目１０７）
前記第１の結合剤または前記第２の結合剤のうちの少なくとも１つは、前記発光半導体ダイから放出される光の少なくとも一部の吸収、および、異なる波長を有する変換された光の放出のための波長変換材料を含み、前記発光半導体ダイによって放出される変換された光および変換されていない光は、組み合わさることにより、実質的白色光を形成する、項目１０５に記載の方法。
（項目１０８）
前記実質的白色光は、前記複合ウエハにわたって、４マクアダム楕円未満の色温度変動を有する、項目１０７に記載の方法。
（項目１０９）
前記実質的白色光は、前記複合ウエハにわたって、２マクアダム楕円未満の色温度変動を有する、項目１０７に記載の方法。
（項目１１０）
電子素子を形成する方法であって、前記方法は、
複数の個別の半導体ダイを型基板上に配置することであって、各半導体ダイは、前記型基板に隣接する少なくとも２つの離間された接点を有する、ことと、
前記複数の半導体ダイを結合剤でコーティングすることと、
前記結合剤を硬化させることにより、前記硬化された結合剤中に懸下された前記複数の半導体ダイを備える複合ウエハを形成することであって、各半導体ダイの接点は、少なくとも部分的に、結合剤でコーティングされないままである、ことと、
前記複合ウエハを、複数の個別の部分に分離することであって、前記複数の個別の部分はそれぞれ、硬化された結合剤中に懸下された少なくとも１つの半導体ダイを備える、ことと、
その後、前記複合ウエハの前記個別の部分を前記型基板から取り外すことと
を含む、方法。
（項目１１１）
（ａ）前記結合剤は、（ｉ）シリコーンまたはエポキシのうちの少なくとも１つと、（ｉｉ）波長変換材料とを備え、（ｂ）前記半導体ダイのそれぞれは、発光ダイオードを備える、項目１１０に記載の方法。
（項目１１２）
前記波長変換材料は、発光半導体ダイから放出される光の少なくとも一部を吸収し、異なる波長を有する変換された光を放出し、前記発光半導体ダイによって放出される変換された光および変換されていない光は、組み合わさることにより、実質的白色光を形成する、項目１１１に記載の方法。
（項目１１３）
前記結合剤を硬化させた後、前記複数の半導体ダイの接点のそれぞれの少なくとも一部は、前記硬化された結合剤から突出する、項目１１０に記載の方法。
（項目１１４）
前記結合剤を硬化させた後、各半導体ダイの接点に近接する各半導体ダイの少なくとも一部は、前記硬化された結合剤から突出する、項目１１０に記載の方法。
（項目１１５）
電子素子を形成する方法であって、前記方法は、
複数の個別の半導体ダイを型基板上に配置することであって、各半導体ダイは、前記型基板と対向する少なくとも２つの離間された接点を有する、ことと、
前記複数の半導体ダイを第１の結合剤でコーティングすることであって、各半導体ダイの接点は、少なくとも部分的に、コーティングされないままである、ことと、
少なくとも部分的に、前記第１の結合剤を硬化させることと、
少なくとも部分的に硬化された第１の結合剤でコーティングされた前記複数の半導体ダイと第２の基板とを接触させて配置することと、
その後、前記型基板を前記複数の半導体ダイから取り外し、それによって、前記第１の結合剤によってコーティングされない各半導体ダイの一部を暴露することであって、前記複数の半導体ダイは、前記第２の基板に取着されたままである、ことと、
前記複数の半導体ダイのそれぞれの少なくとも前記コーティングされない部分を第２の結合剤でコーティングすることと、
前記第２の結合剤を硬化させることにより、前記複数の半導体ダイと、硬化された第１および第２の結合剤とを備える複合ウエハを形成することと、
前記複合ウエハを、複数の個別の部分に分離することであって、前記複数の個別の部分はそれぞれ、少なくとも１つの半導体ダイと、硬化された第１および第２の結合剤とを備える、ことと、
その後、前記複合ウエハの前記個別の部分を前記型基板から取り外すことと
を含む、方法。
（項目１１６）
前記第１の結合剤および前記第２の結合剤は、同一の材料を備える、項目１１５に記載の方法。
（項目１１７）
（ａ）前記第１の結合剤または前記第２の結合剤のうちの少なくとも１つは、（ｉ）シリコーンまたはエポキシのうちの少なくとも１つと、（ｉｉ）波長変換材料とを備え、（ｂ）前記半導体ダイはそれぞれ、発光ダイオードを備える、項目１１５に記載の方法。
（項目１１８）
前記波長変換材料は、発光半導体ダイから放出される光の少なくとも一部を吸収し、異なる波長を有する変換された光を放出し、前記発光半導体ダイによって放出される変換された光および変換されていない光は、組み合わさることにより、実質的白色光を形成する、項目１１７に記載の方法。
（項目１１９）
前記第２の結合剤を硬化させた後、前記複数の半導体ダイの接点のそれぞれの少なくとも一部は、硬化された第１の結合剤または硬化された第２の結合剤のうちの少なくとも１つから突出する、項目１１５に記載の方法。
（項目１２０）
前記第２の結合剤を硬化させた後、各半導体ダイの接点に近接する各半導体ダイの少なくとも一部は、硬化された第１の結合剤または硬化された第２の結合剤のうちの少なくとも１つから突出する、項目１１５に記載の方法。
（項目１２１）
硬化された結合剤中に懸下された複数の個別の半導体ダイを備える複合ウエハを形成する方法であって、前記方法は、
前記複数の個別の半導体ダイを型基板上に配置することであって、各半導体ダイは、少なくとも２つの離間された接点を有する、ことと、
前記複数の半導体ダイを結合剤でコーティングすることと、
前記結合剤を硬化させることにより、前記複合ウエハを形成することと、
前記少なくとも２つの接点に近接する前記結合剤の少なくとも一部を除去することにより、前記少なくとも２つの接点のそれぞれの少なくとも一部を暴露させることと
を含む、方法。
（項目１２２）
前記複合ウエハを、複数の個別の部分に分離することであって、前記複数の個別の部分はそれぞれ、硬化された結合剤中に懸下された少なくとも１つの半導体ダイを備える、ことと、
その後、前記複合ウエハの前記個別の部分を前記型基板から取り外すことと
をさらに含む、項目１２１に記載の方法。
（項目１２３）
電子素子であって、前記電子素子は、
固形体積のポリマー結合剤と、
前記結合剤中に懸下された半導体ダイであって、前記半導体ダイは、第１の面と、前記第１の面と反対の第２の面と、前記第１の面および第２の面に及ぶ少なくとも１つの側壁とを有する、半導体ダイと、
前記半導体ダイの第１の面上に配置された少なくとも２つの離間された接点であって、前記接点はそれぞれ、（ｉ）前記結合剤によって被覆されず、（ｉｉ）電気接続のために利用可能である自由端子端を有する、少なくとも２つの離間された接点と
を備える、電子素子。
（項目１２４）
前記接点の少なくとも一部は、前記結合剤から突出する、項目１２３に記載の電子素子。
（項目１２５）
各側壁の少なくとも一部は、前記結合剤から突出する、項目１２３に記載の電子素子。
（項目１２６）
前記結合剤は、長方形固体を画定し、前記長方形固体は、その隣接する面間に約９０°の角を有する、項目１２３に記載の電子素子。
（項目１２７）
前記結合剤は、シリコーンまたはエポキシのうちの少なくとも１つを備える、項目１２３に記載の電子素子。
（項目１２８）
前記結合剤中に懸下された１つ以上の付加的半導体ダイをさらに備える、項目１２３に記載の電子素子。
（項目１２９）
前記結合剤は、その中に波長変換材料を含む、項目１２３に記載の電子素子。
（項目１３０）
前記波長材料は、燐光体または量子ドットのうちの少なくとも１つを備える、項目１２９に記載の電子素子。
（項目１３１）
前記半導体ダイは、発光要素を備える、項目１２３に記載の電子素子。
（項目１３２）
前記結合剤は、前記発光要素によって放出される光の波長に対して透過性である、項目１３１に記載の電子素子。
（項目１３３）
前記半導体ダイは、ベアダイ発光ダイオードを備える、項目１３１に記載の電子素子。
（項目１３４）
前記発光要素は、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＰ、ＺｎＯ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、シリコン、あるいは、それらの合金または混合物のうちの少なくとも１つを含む半導体材料を備える、項目１３１に記載の電子素子。
（項目１３５）
前記結合剤は、前記発光要素から放出される光の少なくとも一部の吸収、および、異なる波長を有する変換された光の放出のための波長変換材料を含み、前記発光要素によって放出される変換された光および変換されていない光は、組み合わさることにより、実質的白色光を形成する、項目１３１に記載の電子素子。
（項目１３６）
前記実質的白色光は、２０００Ｋ〜１０，０００Ｋの範囲内の相関色温度を有する、項目１３５に記載の電子素子。
（項目１３７）
前記結合剤は、５μｍ〜４０００μｍの厚さを有する、項目１２３に記載の電子素子。
（項目１３８）
前記厚さに垂直な前記結合剤の寸法は、２５μｍ〜５０ｍｍである、項目１２３に記載の電子素子。
（項目１３９）
前記結合剤の表面の少なくとも一部は、前記結合剤からの光の抽出を向上させるためのテクスチャ処理を備える、項目１２３に記載の電子素子。
（項目１４０）
前記半導体ダイは、光検出要素を備える、項目１２３に記載の電子素子。
（項目１４１）
前記結合剤は、前記光検出要素によって検出される光の波長に対して透過性である、項目１４０に記載の電子素子。
（項目１４２）
前記半導体ダイからの光を受光し、前記半導体ダイに光を送光するように位置決めされた光学要素をさらに備える、項目１２３に記載の電子素子。
（項目１４３）
前記結合剤の少なくとも一部を覆って、または、前記結合剤の中に反射層をさらに備える、項目１２３に記載の電子素子。
（項目１４４）
前記反射層は、（ｉ）反射膜、または（ｉｉ）複数の粒子のうちの少なくとも１つを備える、項目１４３に記載の電子素子。
（項目１４５）
（ａ）前記半導体ダイは、発光要素または光検出要素を備え、（ｂ）前記反射層は、（ｉ）前記半導体ダイによって放出または検出される光、あるいは（ｉｉ）前記結合剤によって放出される光の波長に対して少なくとも２５％の反射率を有する、項目１４３に記載の電子素子。
（項目１４６）
前記結合剤は、複数の個別の領域を備え、そのうちの少なくとも１つは、前記結合剤と少なくとも１つの波長変換材料とを備える、項目１２３に記載の電子素子。
（項目１４７）
前記半導体ダイは、半導体基板上に配置されない１つ以上の活性半導体層を備える、項目１２３に記載の電子素子。
（項目１４８）
前記半導体ダイの整列または配向のうちの少なくとも１つのために、前記結合剤の表面上に１つ以上の整列マークをさらに備える、項目１２３に記載の電子素子。
（項目１４９）
複合ウエハであって、前記複合ウエハは、
第１の表面と、前記第１の表面と反対の第２の表面とを有する固体体積のポリマー結合剤と、
前記結合剤中に懸下された複数の半導体ダイであって、前記複数の半導体ダイはそれぞれ、第１の面と、前記第１の面と反対の第２の面と、前記第１の面および第２の面に及ぶ少なくとも１つの側壁とを有する、複数の半導体ダイと、
各半導体ダイの前記第１の面上に配置された少なくとも２つの離間された接点であって、前記接点はそれぞれ、（ｉ）前記結合剤によって被覆されず、（ｉｉ）電気接続のために利用可能である自由端子端を有する、少なくとも２つの離間された接点と
を備える、複合ウエハ。
（項目１５０）
前記半導体ダイの前記接点の少なくとも一部は、前記結合剤から突出する、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１５１）
前記半導体ダイのそれぞれの各側壁の少なくとも一部は、前記結合剤の前記第１の表面から突出する、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１５２）
前記結合剤は、シリコーンまたはエポキシのうちの少なくとも１つを備える、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１５３）
前記結合剤は、その中に波長変換材料を含む、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１５４）
波長材料は、燐光体または量子ドットのうちの少なくとも１つを備える、項目１５３に記載の複合ウエハ。
（項目１５５）
各半導体ダイは、発光要素を備える、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１５６）
前記結合剤は、前記半導体ダイによって放出される光の波長に対して透過性である、項目１５５に記載の複合ウエハ。
（項目１５７）
各半導体ダイは、ベアダイ発光ダイオードを備える、項目１５５に記載の複合ウエハ。
（項目１５８）
各半導体ダイは、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＰ、ＺｎＯ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、シリコン、あるいは、それらの合金または混合物のうちの少なくとも１つを含む半導体材料を備える、項目１５５に記載の複合ウエハ。
（項目１５９）
前記結合剤は、前記発光要素から放出される光の少なくとも一部の吸収、および、異なる波長を有する変換された光の放出のための波長変換材料を含み、前記発光要素によって放出される変換された光および変換されていない光は、組み合わさることにより、実質的白色光を形成する、項目１５５に記載の複合ウエハ。
（項目１６０）
前記実質的白色光は、２０００Ｋ〜１０，０００Ｋの範囲内の相関色温度を有する、項目１５９に記載の複合ウエハ。
（項目１６１）
前記実質的白色光は、前記複合ウエハにわたって、４マクアダム楕円未満の色温度の変動を有する、項目１５９に記載の複合ウエハ。
（項目１６２）
前記実質的白色光は、前記複合ウエハにわたって、２マクアダム楕円未満の色温度の変動を有する、項目１５９に記載の複合ウエハ。
（項目１６３）
前記結合剤の前記第１の表面および第２の表面は、実質的に、平坦かつ平行である、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１６４）
前記結合剤は、厚さ変動１０％未満を伴う、実質的に均一な厚さを有する、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１６５）
前記結合剤は、厚さ変動５％未満を伴う、実質的に均一な厚さを有する、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１６６）
前記結合剤は、１５μｍ〜４０００μｍの厚さを有する、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１６７）
前記厚さに垂直な前記結合剤の寸法は、１００μｍ〜１０００ｍｍである、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１６８）
前記複数の半導体ダイの各対の間の間隔は、実質的に同一である、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１６９）
前記複数の半導体ダイの各対の間の間隔は、約２５μｍ〜約１０，０００μｍの範囲内である、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１７０）
前記複数の半導体ダイのそれぞれの上方の前記結合剤の厚さは、実質的に同一である、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１７１）
前記複数の半導体ダイのそれぞれの上方の前記結合剤の厚さは、５％以内まで同一である、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１７２）
前記複数の半導体ダイは、少なくとも５００個の半導体ダイを備える、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１７３）
前記複数の半導体ダイは、少なくとも２０００個の半導体ダイを備える、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１７４）
前記半導体ダイは、少なくとも第１の方向において、実質的に等しい半導体ダイ間距離を有するアレイ内に配列される、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１７５）
前記半導体ダイのアレイは、前記第１の方向と異なる第２の方向において、実質的に等しい半導体ダイ間距離を有する、項目１７４に記載の複合ウエハ。
（項目１７６）
前記半導体ダイは、規則的周期的アレイに配列される、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１７７）
前記結合剤の表面の少なくとも一部は、前記結合剤からの光抽出を向上させるためのテクスチャ処理でテクスチャ処理される、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１７８）
各半導体ダイは、光検出要素を備える、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１７９）
前記結合剤は、前記半導体ダイによって検出された光の波長に対して透過性である、項目１７８に記載の複合ウエハ。
（項目１８０）
各光検出要素は、光起電性ダイを備える、項目１７８に記載の複合ウエハ。
（項目１８１）
前記半導体ダイのうちの少なくとも１つから光を受光し、前記半導体ダイのうちの少なくとも１つに光を送光するように位置決めされた少なくとも１つの光学要素をさらに備える、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１８２）
前記少なくとも１つの光学要素は、複数の個別の光学要素を備え、前記複数の個別の光学要素はそれぞれ、少なくとも１つの半導体ダイと関連付けられる、項目１８１に記載の複合ウエハ。
（項目１８３）
前記結合剤の少なくとも一部を覆って、または、前記結合剤の少なくとも一部の中に反射層をさらに備える、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１８４）
前記反射層は、（ｉ）反射膜、または（ｉｉ）複数の粒子のうちの少なくとも１つを備える、項目１８３に記載の複合ウエハ。
（項目１８５）
（ａ）各半導体ダイは、発光要素または光検出要素を備え、（ｂ）前記反射層は、（ｉ）前記半導体ダイによって放出または検出される光、または（ｉｉ）前記結合剤によって放出される光の波長に対して少なくとも２５％の反射率を有する、項目１８３に記載の複合ウエハ。
（項目１８６）
前記結合剤は、複数の個別の領域を備え、そのうちの少なくとも１つは、前記結合剤と少なくとも１つの波長変換材料とを備える、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１８７）
各半導体ダイは、半導体基板上に配置されない１つ以上の活性半導体層を備える、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１８８）
前記結合剤の前記第１の表面または前記第２の表面上に１つ以上の整列マークをさらに備える、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１８９）
前記結合剤は、複数の造形された領域を備え、各造形された領域は、（ｉ）少なくとも１つの半導体ダイと関連付けられ、（ｉｉ）他の造形された領域の形状と実質的に同じ形状を有する、項目１４９に記載の複合ウエハ。
（項目１９０）
電子素子であって、前記電子素子は、
上に第１の伝導性トレースおよび第２の伝導性トレースを有する基板であって、前記第１の伝導性トレースおよび第２の伝導性トレースは、その間の間隙によって、前記基板上で分離されている、基板と、
前記間隙を覆って配置された半導体ダイであって、前記半導体ダイは、第１の面と、前記第１の面と反対の第２の面と、前記第１の面および第２の面に及ぶ少なくとも１つの側壁と、前記第１の面上の２つの離間された接点とを有し、前記接点はそれぞれ、異なる伝導性トレースに電気的に結合されている、半導体ダイと、
前記第２の面と前記半導体ダイの各側壁の少なくとも一部とを封入する固体ポリマー結合剤であって、前記固体ポリマー結合剤は、長方形固体を画定し、前記長方形固体は、その隣接する面間に約９０°の角を有する、固体ポリマー結合剤と
を備え、前記接点のそれぞれの少なくとも一部は、前記結合剤によって被覆されない、電子素子。
（項目１９１）
前記接点のそれぞれの少なくとも一部は、前記結合剤から突出する、項目１９０に記載の電子素子。
（項目１９２）
各側壁の少なくとも一部は、前記結合剤から突出する、項目１９０に記載の電子素子。
（項目１９３）
前記結合剤は、シリコーンまたはエポキシのうちの少なくとも１つを備える、項目１９０に記載の電子素子。
（項目１９４）
前記結合剤は、その中に波長変換材料を含む、項目１９０に記載の電子素子。
（項目１９５）
波長材料は、燐光体または量子ドットのうちの少なくとも１つを備える、項目１９４に記載の電子素子。
（項目１９６）
前記基板と対向する前記結合剤の上部表面は、前記上部表面からの光抽出を助長するためのテクスチャ処理を有する、項目１９０に記載の電子素子。
（項目１９７）
前記半導体ダイは、発光要素を備える、項目１９０に記載の電子素子。
（項目１９８）
前記結合剤は、前記半導体ダイによって放出される光の波長に対して透過性である、項目１９７に記載の電子素子。
（項目１９９）
前記半導体ダイは、ベアダイ発光ダイオードを備える、項目１９７に記載の電子素子。
（項目２００）
前記半導体ダイは、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＰ、ＺｎＯ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、シリコン、あるいは、それらの合金または混合物のうちの少なくとも１つを含む半導体材料を備える、項目１９７に記載の電子素子。
（項目２０１）
前記結合剤は、前記半導体ダイから放出される光の少なくとも一部の吸収、および、異なる波長を有する変換された光の放出のための波長変換材料を含み、前記半導体ダイによって放出される変換された光および変換されていない光は、組み合わさることにより、実質的白色光を形成する、項目１９７に記載の電子素子。
（項目２０２）
前記実質的白色光は、２０００Ｋ〜１０，０００Ｋの範囲内の相関色温度を有する、項目２０１に記載の電子素子。
（項目２０３）
前記半導体ダイは、光検出要素を備える、項目１９０に記載の電子素子。
（項目２０４）
前記結合剤は、前記半導体ダイによって検出された光の波長に対して透過性である、項目２０３に記載の電子素子。
（項目２０５）
前記半導体ダイと関連付けられた光学要素をさらに備える、項目１９０に記載の電子素子。
（項目２０６）
前記結合剤の少なくとも一部を覆って、または、前記結合剤の少なくとも一部の中に反射層をさらに備える、項目１９０に記載の電子素子。
（項目２０７）
前記結合剤は、複数の個別の領域を備え、そのうちの少なくとも１つは、前記結合剤と少なくとも１つの波長変換材料とを備える、項目１９０に記載の電子素子。
（項目２０８）
前記半導体ダイは、半導体基板上に配置されない１つ以上の活性半導体層を備える、項目１９０に記載の電子素子。
（項目２０９）
前記接点は、伝導性接着剤で前記伝導性トレースに電気的に結合される、項目１９０に記載の電子素子。
（項目２１０）
前記伝導性接着剤は、実質的等方伝導性接着剤を備え、前記実質的等方伝導性接着剤は、第１の接点を前記第１のトレースのみに電気的に接続し、第２の接点を前記第２のトレースのみに電気的に接続し、前記電子素子は、前記間隙内に配置される非伝導性接着剤材料をさらに備える、項目２０９に記載の電子素子。
（項目２１１）
前記伝導性接着剤は、異方伝導性接着剤（ＡＣＡ）を備え、前記異方伝導性接着剤（ＡＣＡ）は、第１の接点を前記第１のトレースのみに電気的に接続し、第２の接点を前記第２のトレースのみに電気的に接続する、項目２０９に記載の電子素子。
（項目２１２）
前記ＡＣＡの一部は、前記間隙内に配置され、前記第１の接点を前記第２の接点から実質的に隔離する、項目２１１に記載の電子素子。
（項目２１３）
前記接点は、ワイヤ接合またははんだのうちの少なくとも１つによって、前記伝導性トレースに電気的に結合される、項目１９０に記載の電子素子。
（項目２１４）
前記伝導性トレースは、銀、金、アルミニウム、クロム、銅、または炭素のうちの少なくとも１つを備える、項目１９０に記載の電子素子。
（項目２１５）
前記基板は、ポリエチレンナフタレート、テレフタル酸ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、ポリイミド、ポリエチレン、または紙のうちの少なくとも１つを備える、項目１９０に記載の電子素子。
（項目２１６）
（ｉ）前記半導体ダイは、発光要素を備え、（ｉｉ）前記発光要素または前記結合剤のうちの少なくとも１つによって放出される波長に対する前記基板の反射率は、８０％よりも大きい、項目１９０に記載の電子素子。
（項目２１７）
（ｉ）前記半導体ダイは、発光要素を備え、（ｉｉ）前記発光要素または前記結合剤のうちの少なくとも１つによって放出される波長に対する前記基板の透過率は、８０％よりも大きい、項目１９０に記載の電子素子。
（項目２１８）
前記半導体ダイに電気的に接続された前記半導体ダイを給電するための回路をさらに備える、項目１９０に記載の電子素子。

Claims

電子素子であって、前記電子素子は、
固形体積のポリマー結合剤と、
前記ポリマー結合剤中に懸下された半導体ダイであって、前記半導体ダイは、第１の面と、前記第１の面と反対の第２の面と、前記第１の面および第２の面に及ぶ少なくとも１つの側壁とを有し、前記半導体ダイは、協働的に光を放出する複数の活性半導体層を含むベアダイ発光要素である、半導体ダイと、
前記ポリマー結合剤の表面上に配置された、または前記半導体ダイに近接する前記ポリマー結合剤の少なくとも一部内に配置された反射層と、
前記半導体ダイの前記第１の面上に配置された少なくとも２つの離間された接点であって、前記接点はそれぞれ、（ｉ）前記ポリマー結合剤によって被覆されない自由端子端を有し、（ｉｉ）電気接続のために利用可能であり、（ｉｉｉ）前記半導体ダイの異なる活性半導体層に接触している、接点と
を備え、（ｉ）前記ポリマー結合剤の少なくとも一部は、前記発光要素によって放出される光の波長に対して透過性であり、（ｉｉ）前記反射層は、前記ポリマー結合剤内の前記発光要素によって放出される光の波長に対して少なくとも５０％の反射率を有する、電子素子。
前記ポリマー結合剤は、その中に、前記半導体ダイから放出される光の少なくとも一部の吸収、および、異なる波長を有する変換された光の放出のための波長変換材料を含み、前記発光要素によって放出される変換された光および変換されていない光は、組み合わさることにより、混合光を形成する、請求項１に記載の電子素子。
前記反射層は、前記波長変換材料によって放出される光の波長に対して少なくとも５０％の反射率を有する、請求項２に記載の電子素子。
前記波長変換材料は、燐光体または量子ドットのうちの少なくとも１つを含む、請求項２に記載の電子素子。
前記混合光は、実質的白色光である、請求項２に記載の電子素子。
前記実質的白色光は、２０００Ｋ〜１０，０００Ｋの範囲内の相関色温度を有する、請求項５に記載の電子素子。
前記ポリマー結合剤は、複数の個別の領域を備え、そのうちの少なくとも１つは、その中に前記波長変換材料を有しない前記ポリマー結合剤を備える、請求項２に記載の電子素子。
前記反射層は、前記発光要素または前記波長変換材料のうちの少なくとも１つによって放出される光の波長に対して、少なくとも７５％の反射率を有する、請求項１に記載の電子素子。
前記反射層は、実質的に拡散反射体である、請求項１に記載の電子素子。
前記反射層は、実質的に鏡面反射体である、請求項１に記載の電子素子。
前記接点の少なくとも一部は、前記ポリマー結合剤から突出する、請求項１に記載の電子素子。
前記ポリマー結合剤および前記半導体ダイは、略長方形固体を集合的に画定し、前記略長方形固体は、その隣接する面間に約９０°の角を有する、請求項１に記載の電子素子。
前記ポリマー結合剤は、シリコーンまたはエポキシのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の電子素子。
前記ポリマー結合剤中に懸下された１つ以上の付加的半導体ダイをさらに備える、請求項１に記載の電子素子。
前記発光要素は、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＰ、ＺｎＯ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、シリコン、あるいは、それらの合金または混合物のうちの少なくとも１つを含む半導体材料を含む、請求項１に記載の電子素子。
前記半導体ダイから光を受けるように位置決めされた光学要素をさらに備える、請求項１に記載の電子素子。
前記半導体ダイの前記活性半導体層は、半導体基板上に配置されない、請求項１に記載の電子素子。
前記ポリマー結合剤は、前記半導体ダイの前記第２の面、前記少なくとも１つの側壁、および前記半導体ダイの前記第１の面の少なくとも一部をコーティングする、請求項１に記載の電子素子。
前記ポリマー結合剤の前記表面の少なくとも一部は、前記ポリマー結合剤からの光抽出を向上させるように構成されたテクスチャを備える、請求項１に記載の電子素子。
前記発光要素は、発光ダイオードを含む、請求項１に記載の電子素子。
前記半導体ダイの前記第１の面は、少なくとも２つの非同一平面部分を備え、前記少なくとも２つの非同一平面部分はそれぞれ、その上に少なくとも１つの前記接点を有する、請求項１に記載の電子素子。
前記ポリマー結合剤の上部表面の少なくとも一部は、湾曲している、請求項１に記載の電子素子。
前記ポリマー結合剤中に少なくとも部分的に懸下された少なくとも１つの付加的半導体ダイをさらに備え、前記付加的半導体ダイは、第１の面と、前記第１の面と反対の第２の面と、前記第１の面および第２の面に及ぶ少なくとも１つの側壁とを有し、前記半導体ダイは、協働的に光を放出する複数の活性半導体層を含むベアダイ発光要素である、請求項１に記載の電子素子。
複合ウエハであって、前記複合ウエハは、
第１の表面と、前記第１の表面と反対の第２の表面とを有する固体体積のポリマー結合剤と、
前記結合剤中に懸下された複数の半導体ダイであって、前記複数の半導体ダイはそれぞれ、（ｉ）第１の面と、前記第１の面と反対の第２の面と、前記第１の面および第２の面に及ぶ少なくとも１つの側壁とを有し、（ｉｉ）協働的に光を放出する複数の活性半導体層を含むベアダイ発光要素である、複数の半導体ダイと、
前記ポリマー結合剤の表面上に配置された、または少なくとも１つの半導体ダイに近接する前記ポリマー結合剤の少なくとも一部内に配置された反射層と、
各半導体ダイの前記第１の面上に配置された少なくとも２つの離間された接点であって、前記接点はそれぞれ、自由端子端であって、（ｉ）その少なくとも一部が前記ポリマー結合剤によって被覆されず、（ｉｉ）電気接続のために利用可能である自由端子端を有し、前記接点はそれぞれ、前記半導体ダイの異なる活性半導体層に接触している、接点と
を備え、（ｉ）前記ポリマー結合剤の少なくとも一部は、前記半導体ダイの少なくとも１つによって放出される光の波長に対して透過性であり、（ｉｉ）前記反射層は、少なくとも１つの半導体ダイによって放出される光の波長に対して少なくとも５０％の反射率を有する、複合ウエハ。
前記ポリマー結合剤は、その中に、前記半導体ダイの少なくとも１つから放出される光の少なくとも一部の吸収、および、異なる波長を有する変換された光の放出のための波長変換材料を含み、少なくとも１つの半導体ダイによって放出される変換された光および変換されていない光は、組み合わさることにより、実質的白色光を形成し、前記実質的白色光は、２０００Ｋ〜１０，０００Ｋの範囲内の相関色温度を有する、請求項２４に記載の複合ウエハ。
各半導体ダイが個々に励起されるときに放出される前記白色光の色温度変動は、５００Ｋ未満である、請求項２５に記載の複合ウエハ。
前記波長変換材料は、燐光体または量子ドットのうちの少なくとも１つを含む、請求項２５に記載の複合ウエハ。
前記実質的白色光は、前記複合ウエハにわたって、４マクアダム楕円未満の色温度変動を有する、請求項２５に記載の複合ウエハ。
前記ポリマー結合剤は、複数の個別の領域を備え、そのうちの少なくとも１つは、前記波長変換材料を有しない前記ポリマー結合剤を備える、請求項２５に記載の複合ウエハ。
前記波長変換材料によって放出される光の波長に対する前記反射層の反射率は、少なくとも５０％である、請求項２５に記載の複合ウエハ。
各半導体ダイが個々に励起されるときに放出される前記白色光の色温度変動は、２５０Ｋ未満である、請求項２５に記載の複合ウエハ。
前記半導体ダイの少なくともいくつかの前記接点の少なくとも一部は、前記ポリマー結合剤から突出する、請求項２４に記載の複合ウエハ。
前記半導体ダイの少なくともいくつかの各側壁の少なくとも一部は、前記ポリマー結合剤の前記第１の表面から突出する、請求項２４に記載の複合ウエハ。
前記ポリマー結合剤は、シリコーンまたはエポキシのうちの少なくとも１つを含む、請求項２４に記載の複合ウエハ。
各半導体ダイは、ベアダイ発光ダイオードを含む、請求項２４に記載の複合ウエハ。
前記ポリマー結合剤は、１０％未満の厚さ変動を伴う、実質的に均一な厚さを有する、請求項２４に記載の複合ウエハ。
前記複数の半導体ダイのそれぞれの上方の前記ポリマー結合剤の厚さは、５％以内まで同一である、請求項２４に記載の複合ウエハ。
前記半導体ダイは、少なくとも第１の方向において、実質的に等しい半導体ダイ間距離を有するアレイ内に配列される、請求項２４に記載の複合ウエハ。
前記半導体ダイのアレイは、前記第１の方向と異なる第２の方向において、実質的に等しい半導体ダイ間距離を有する、請求項３８に記載の複合ウエハ。
前記ポリマー結合剤の前記表面の少なくとも一部は、前記ポリマー結合剤からの光抽出を向上させるためのテクスチャでテクスチャ処理されている、請求項２４に記載の複合ウエハ。
前記半導体ダイの少なくとも１つからの光を受けるように位置決めされた少なくとも１つの光学要素をさらに備える、請求項２４に記載の複合ウエハ。
前記少なくとも１つの光学要素は、複数の光学要素を含み、各光学要素は、少なくとも１つの半導体ダイと関連付けられている、請求項４１に記載の複合ウエハ。
前記少なくとも１つの半導体ダイの活性半導体層は、半導体基板上に配置されない、請求項２４に記載の複合ウエハ。
前記ポリマー結合剤は、複数の造形された領域を備え、各造形された領域は、（ｉ）少なくとも１つの半導体ダイと関連付けられ、（ｉｉ）他の造形された領域の形状と実質的に同じ形状を有する、請求項２４に記載の複合ウエハ。
少なくとも１つの半導体ダイによって放出される光の波長に対する前記反射層の反射率は、少なくとも７５％である、請求項２４に記載の複合ウエハ。
第１の半導体ダイの上方の前記ポリマー結合剤の厚さは、前記第１の半導体ダイとは異なる第２の半導体ダイの上方の前記ポリマー結合剤の厚さとは異なる、請求項２４に記載の複合ウエハ。
前記ポリマー結合剤は、その中に、前記半導体ダイの少なくとも１つから放出される光の少なくとも一部の吸収、および、異なる波長を有する変換された光の放出のための波長変換材料を含む、請求項２４に記載の複合ウエハ。
電子素子であって、前記電子素子は、
固形体積のポリマー結合剤と、
前記ポリマー結合剤中に懸下された半導体ダイであって、前記半導体ダイは、第１の面と、前記第１の面と反対の第２の面と、前記第１の面および第２の面に及ぶ少なくとも１つの側壁とを有し、前記半導体ダイは、少なくとも１つの半導体層を備えるベアダイ光検出要素であり、前記半導体層は、検出される波長範囲にわたって光を吸収して前記半導体層から電荷を生成するように構成されている、半導体ダイと、
前記半導体ダイの前記第１の面上に配置された少なくとも２つの離間された接点であって、前記接点はそれぞれ、（ｉ）前記ポリマー結合剤によって被覆されない自由端子端を有し、（ｉｉ）電気接続のために利用可能であり、（ｉｉｉ）前記半導体ダイの活性半導体層に接触している、接点と
を備え、前記ポリマー結合剤の少なくとも一部は、前記検出される波長範囲内の光の波長に対して透過性である、電子素子。
前記ポリマー結合剤は、その中に、前記電子素子に入射する光の少なくとも一部の吸収、および、異なる波長を有する変換された光の放出のための波長変換材料を含む、請求項４８に記載の電子素子。
前記光検出要素によって吸収される前記光の実質的に全ては、変換された光である、請求項４９に記載の電子素子。
前記変換された光の前記異なる波長は、前記検出される波長範囲内にある、請求項４９に記載の電子素子。
前記波長変換材料は、燐光体または量子ドットのうちの少なくとも１つを含む、請求項４９に記載の電子素子。
前記ポリマー結合剤は、複数の個別の領域を備え、そのうちの少なくとも１つは、その中に波長変換材料を有しない前記ポリマー結合剤を備える、請求項４９に記載の電子素子。
前記ポリマー結合剤は、その中に、前記電子素子に入射する光のスペクトルの少なくとも一部の吸収のための吸収材料を含む、請求項４８に記載の電子素子。
前記ポリマー結合剤は、複数の個別の領域を備え、そのうちの少なくとも１つは、その中に前記吸収材料を有しない前記ポリマー結合剤を備える、請求項５４に記載の電子素子。
前記ポリマー結合剤は、その中に、電子素子に入射する光のスペクトルの少なくとも一部の反射のための反射材料を含む、請求項４８に記載の電子素子。
前記ポリマー結合剤は、複数の個別の領域を備え、そのうちの少なくとも１つは、その中に前記反射材料を有しない前記ポリマー結合剤を備える、請求項５６に記載の電子素子。
前記接点の少なくとも一部は、前記ポリマー結合剤から突出する、請求項４８に記載の電子素子。
前記ポリマー結合剤は、シリコーンまたはエポキシのうちの少なくとも１つを含む、請求項４８に記載の電子素子。
前記半導体ダイは、ベアダイ光電池を含む、請求項４８に記載の電子素子。
前記半導体ダイは、ベアダイ光電池、ベアダイ赤外検出器、ベアダイ紫外検出器、ベアダイ可視光検出器、またはベアダイＸ線検出器のうちの少なくとも１つを含む、請求項４８に記載の電子素子。
前記半導体ダイは、ｐ−ｎ接合、ショトキー接合、光電検出器、光電セル、フォトレジスタ、フォトダイオード、フォトトランジスタ、電荷結合素子、またはベアダイ撮像チップのうちの少なくとも１つを含む、請求項４８に記載の電子素子。
光を前記半導体ダイに結合するように位置決めされた光学要素をさらに備える、請求項４８に記載の電子素子。
前記半導体ダイの前記少なくとも１つの半導体層は、半導体基板上に配置されない、請求項４８に記載の電子素子。
前記ポリマー結合剤中に懸下された１つ以上の付加的半導体ダイをさらに備える、請求項４８に記載の電子素子。
前記ポリマー結合剤の上部表面の少なくとも一部は、湾曲している、請求項４８に記載の電子素子。
光を前記ポリマー結合剤に結合するように位置決めされた光学要素をさらに備える、請求項４８に記載の電子素子。
前記半導体ダイは、複数の半導体層を備えるベアダイ光検出要素であり、前記半導体層は、検出される波長範囲にわたって光を吸収して前記半導体層から電荷を生成するように構成されている、請求項４８に記載の電子素子。
前記ポリマー結合剤の表面上に配置された、または前記半導体ダイに近接する前記ポリマー結合剤の少なくとも一部内に配置された反射層をさらに備え、前記反射層は、前記検出される波長範囲内の光の波長に対して少なくとも５０％の反射率を有する、請求項４８に記載の電子素子。
前記ポリマー結合剤は、その中に、前記電子素子に入射する光の少なくとも一部の吸収、および、異なる波長を有する変換された光の放出のための波長変換材料を含む、請求項６９に記載の電子素子。
前記反射層は、前記波長変換材料によって放出される光の波長に対して少なくとも５０％の反射率を有する、請求項７０に記載の電子素子。
前記検出される波長範囲内の光の波長に対する前記反射層の反射率は、少なくとも７５％である、請求項６９に記載の電子素子。
硬化されたポリマー結合剤中に懸下された複数の個別の半導体ダイを備える複合ウエハを形成する方法であって、前記方法は、
前記複数の個別の半導体ダイを型基板上に配置することであって、各半導体ダイは、（ｉ）前記型基板に隣接する少なくとも２つの離間された接点を有し、（ｉｉ）１つ以上の近隣の半導体ダイから離間されており、（ｉｉｉ）ベアダイ発光要素である、ことと、
前記複数の半導体ダイをポリマー結合剤でコーティングすることと、
前記ポリマー結合剤を硬化させることにより、前記複合ウエハを形成することと
を含み、各半導体ダイの前記接点は、少なくとも部分的に、前記ポリマー結合剤によってコーティングされないままであり、（ｉ）前記ポリマー結合剤は、前記半導体ダイによって放出される光の波長に対して透過性であり、（ｉｉ）前記ポリマー結合剤は、前記半導体ダイから放出される光の少なくとも一部の吸収、および、異なる波長を有する変換された光の放出のための波長変換材料を含み、前記半導体ダイによって放出される変換された光および変換されていない光は、組み合わさることにより、実質的白色光を形成し、前記実質的白色光は、２０００Ｋ〜１０，０００Ｋの範囲内の相関色温度を有する、方法。
前記複合ウエハを複数の個別の部分に分離することをさらに含み、前記複数の個別の部分はそれぞれ、硬化されたポリマー結合剤でコーティングされた少なくとも１つの半導体ダイを備える、請求項７３に記載の方法。
分離後、各半導体ダイを囲むポリマー結合剤の体積は、実質的に等しい、請求項７４に記載の方法。
前記複合ウエハの各個別の部分は、１つのみの半導体ダイを含む、請求項７４に記載の方法。
前記複合ウエハの各個別の部分は、隣接する面間に約９０°の角を有する長方形固体である、請求項７４に記載の方法。
前記個別の部分のうちの１つにおける前記少なくとも１つの半導体ダイの前記接点を基板上の離間された伝導性トレースに電気的に結合することをさらに含む、請求項７４に記載の方法。
前記接点を前記伝導性トレースに電気的に結合することは、伝導性接着剤、異方伝導性接着剤、またははんだのうちの少なくとも１つで前記接点を前記伝導性トレースに接着することを含む、請求項７８に記載の方法。
前記複合ウエハを前記型基板から分離することをさらに含む、請求項７３に記載の方法。
ポリマー結合剤でコーティングされた前記複数の半導体ダイと接触させて第２の基板を配置することと、
ポリマー結合剤でコーティングされた前記複数の半導体ダイから前記型基板を取り外すことであって、ポリマー結合剤でコーティングされた前記複数の半導体ダイは、前記第２の基板に取着されたままである、ことと
をさらに含む、請求項７３に記載の方法。
前記複合ウエハを前記第２の基板から分離することをさらに含む、請求項８１に記載の方法。
前記ポリマー結合剤を硬化させた後、前記複数の半導体ダイの前記接点のそれぞれの少なくとも一部は、前記硬化された結合剤から突出する、請求項７３に記載の方法。
前記ポリマー結合剤は、シリコーンまたはエポキシのうちの少なくとも１つを含む、請求項７３に記載の方法。
前記複数の半導体ダイを前記ポリマー結合剤でコーティングすることは、
前記ポリマー結合剤を型内に分配することと、
前記型を覆って前記型基板を配置することであって、それによって、前記複数の半導体ダイは、前記ポリマー結合剤中に懸下される、ことと
を含む、請求項７３に記載の方法。
（ｉ）前記型は、前記ポリマー結合剤が配置される複数の個別の区画を備え、（ｉｉ）１つ以上の半導体ダイは、前記ポリマー結合剤を硬化させる前に、各区画内または各区画の上方に懸下される、請求項８５に記載の方法。
各区画は、補完形状を前記ポリマー結合剤の一部に付与し、前記補完形状は、実質的に、相互に同じである、請求項８６に記載の方法。
各半導体ダイが個々に励起されるときに放出される前記実質的白色光の前記色温度変動は、前記複合ウエハにわたって、４マクアダム楕円未満である、請求項７３に記載の方法。
前記複合ウエハの少なくとも一部を覆って、または前記複合ウエハの少なくとも一部の中に反射層を形成することをさらに含み、前記反射層は、前記ポリマー結合剤内の前記半導体ダイによって放出される光または前記波長変換材料によって放出される光の波長に対して少なくとも５０％の反射率を有する、請求項７３に記載の方法。
前記複合ウエハは、第１の表面と、前記第１の表面と反対の第２の表面とを有し、前記第１の表面と第２の表面との間の厚さ変動は、１０％未満である、請求項７３に記載の方法。
近隣半導体ダイ間の間隔は、前記複合ウエハにわたって、実質的に一定である、請求項７３に記載の方法。
前記ポリマー結合剤は、複数の個別の領域を備え、そのうちの少なくとも１つは、前記波長変換材料を有しない前記ポリマー結合剤を備える、請求項７３に記載の方法。
（ｉ）少なくとも１つの半導体ダイは、基板の上の１つ以上の活性層を備え、（ｉｉ）前記基板は、前記ポリマー結合剤でコーティングする前に、部分的または完全に取り外される、請求項７３に記載の方法。
前記少なくとも１つの半導体ダイの前記基板は、前記少なくとも１つの半導体ダイを前記型基板に配置した後、部分的または完全に取り外される、請求項９３に記載の方法。
光学要素を前記半導体ダイのうちの１つ以上と関連付けることをさらに含む、請求項７３に記載の方法。
硬化の前に、光学要素のアレイを前記結合剤上に配置することをさらに含む、請求項７３に記載の方法。
前記複合ウエハは、前記光学要素のアレイを備え、前記方法は、前記複合ウエハを、それぞれが少なくとも１つの光学要素を備える個別の部分に分離することをさらに含む、請求項９６に記載の方法。
複数の半導体ダイを形成する方法であって、各半導体ダイは、硬化されたポリマー結合剤中に懸下され、前記方法は、
複数の半導体ダイを基板ウエハ上に形成することと、
前記基板ウエハを型基板上に配置することであって、各半導体ダイは、（ｉ）前記型基板に隣接する少なくとも２つの離間された接点を有し、（ｉｉ）ベアダイ発光要素である、ことと、
前記基板ウエハの少なくとも一部を前記半導体ダイから取り外すことと、
前記半導体ダイをポリマー結合剤でコーティングすることと、
前記ポリマー結合剤を硬化させることと、
前記コーティングされた半導体ダイを前記型基板から分離することと
を含み、（ｉ）各半導体ダイの前記接点は、少なくとも部分的に、前記ポリマー結合剤によってコーティングされないままであり、（ｉｉ）前記ポリマー結合剤は、前記半導体ダイによって放出される光の波長に対して透過性である、方法。
前記ポリマー結合剤は、前記半導体ダイから放出される光の少なくとも一部の吸収、および、異なる波長を有する変換された光の放出のための波長変換材料を含み、前記半導体ダイによって放出される変換された光および変換されていない光は、組み合わさることにより、混合光を形成する、請求項９８に記載の方法。
前記ポリマー結合剤の少なくとも一部を覆って、または前記ポリマー結合剤の少なくとも一部の中に反射層を形成することをさらに含み、前記反射層は、前記ポリマー結合剤内の前記半導体ダイによって放出される光または前記波長変換材料によって放出される光の波長に対して少なくとも５０％の反射率を有する、請求項９９に記載の方法。
前記混合光は、実質的白色光を含む、請求項９９に記載の方法。
各半導体ダイが個々に励起されるときに放出される前記実質的白色光の色温度変動は、前記複数のコーティングされた半導体ダイにわたって、４マクアダム楕円未満である、請求項１０１に記載の方法。
前記ポリマー結合剤は、複数の個別の領域を備え、そのうちの少なくとも１つは、前記波長変換材料を有しない前記ポリマー結合剤を備える、請求項９９に記載の方法。
前記コーティングされた半導体ダイを前記型基板から分離することは、（ｉ）前記硬化されたポリマー結合剤を前記型基板から分離することと、（ｉｉ）前記硬化されたポリマー結合剤を複数の個別の部分に分割することであって、前記複数の個別の部分の少なくとも１つは、硬化されたポリマー結合剤でコーティングされた少なくとも１つの半導体ダイを備える、こととを含む、請求項９８に記載の方法。
前記硬化されたポリマー結合剤を前記複数の個別の部分に分割した後、各部分を囲むポリマー結合剤の体積は、実質的に等しい、請求項１０４に記載の方法。
各個別の部分は、１つのみの半導体ダイを含む、請求項１０４に記載の方法。
各個別の部分は、隣接する面間に約９０°の角を有する長方形固体である、請求項１０４に記載の方法。
前記個別の部分のうちの１つにおける前記少なくとも１つの半導体ダイの前記接点を基板上の離間された伝導性トレースに電気的に結合することをさらに含む、請求項１０４に記載の方法。
前記接点を前記伝導性トレースに電気的に結合することは、伝導性接着剤、異方伝導性接着剤、またははんだのうちの少なくとも１つで前記接点を前記伝導性トレースに接着することを含む、請求項１０８に記載の方法。
前記少なくとも１つの半導体ダイに給電するための回路に前記少なくとも１つの半導体ダイを電気的に接続することをさらに含む、請求項１０８に記載の方法。
前記基板ウエハの少なくとも一部を前記半導体ダイから取り外すことは、前記半導体ダイが前記ポリマー結合剤でコーティングされる前に前記半導体ダイを相互から分離することを含む、請求項９８に記載の方法。
前記基板ウエハの少なくとも一部が前記半導体ダイから取り外される前に前記基板ウエハを個別の基板ウエハ部分に分割することをさらに含み、前記基板ウエハ部分の少なくとも１つは、少なくとも１つの半導体ダイを備える、請求項９８に記載の方法。
前記基板ウエハの少なくとも一部が前記半導体ダイから取り外された後に前記基板ウエハを個別の基板ウエハ部分に分割することをさらに含み、前記基板ウエハ部分の少なくとも１つは、少なくとも１つの半導体ダイを備える、請求項９８に記載の方法。
前記基板ウエハの少なくとも一部を前記半導体ダイから取り外すことは、前記基板ウエハの実質的に全てを前記半導体ダイから取り外すことを含む、請求項９８に記載の方法。
各半導体ダイは、集合的に発光要素を画定する複数の半導体層を含む、請求項９８に記載の方法。
前記基板ウエハの少なくとも一部を前記半導体ダイから取り外すことは、前記基板ウエハの実質的に全てを前記複数の半導体層から取り外すことを含む、請求項１１５に記載の方法。
前記ポリマー結合剤の少なくとも一部を覆って、または前記ポリマー結合剤の少なくとも一部の中に反射層を形成することをさらに含み、前記反射層は、前記ポリマー結合剤内の前記半導体ダイによって放出される光の波長に対して少なくとも５０％の反射率を有する、請求項９８に記載の方法。
近隣半導体ダイ間の間隔は、前記硬化されたポリマー結合剤にわたって、実質的に一定である、請求項９８に記載の方法。
光学要素を前記半導体ダイのうちの１つ以上と関連付けることをさらに含む、請求項９８に記載の方法。
（Ａ）硬化の前に、光学要素のアレイを前記結合剤上に配置することと、（Ｂ）前記硬化されたポリマー結合剤を複数の個別の部分に分割することであって、前記複数の個別の部分の少なくとも１つは、（ｉ）硬化されたポリマー結合剤でコーティングされた少なくとも１つの半導体ダイと、（ｉｉ）少なくとも１つの光学要素とを備える、こととをさらに含む、請求項９８に記載の方法。
前記コーティングされた半導体ダイを前記型基板から分離する前に、ポリマー結合剤でコーティングされた前記複数の半導体ダイと接触させて第２の基板を配置することをさらに含み、前記コーティングされた半導体ダイが前記型基板から分離されたとき、前記コーティングされた半導体ダイは、前記第２の基板に接触したままである、請求項９８に記載の方法。
前記コーティングされた半導体ダイを前記第２の基板から分離することをさらに含む、請求項１２１に記載の方法。
前記ポリマー結合剤を硬化させた後、前記複数の半導体ダイの前記接点の各々の少なくとも一部は、前記硬化された結合剤から突出する、請求項９８に記載の方法。
前記ポリマー結合剤は、シリコーンまたはエポキシのうちの少なくとも１つを含む、請求項９８に記載の方法。
前記複数の半導体ダイを前記ポリマー結合剤でコーティングすることは、
前記ポリマー結合剤を型内に分配することと、
前記型を覆って前記型基板を配置することであって、それによって、前記複数の半導体ダイは、前記ポリマー結合剤中に懸下される、ことと
を含む、請求項９８に記載の方法。
前記ポリマー結合剤を硬化させることは、
前記ポリマー結合剤を少なくとも部分的に硬化させることと、
その後、前記型基板を前記型から取り外すことと
を含む、請求項１２５に記載の方法。
（ｉ）前記型は、前記ポリマー結合剤が配置される複数の個別の区画を備え、（ｉｉ）１つ以上の半導体ダイは、前記ポリマー結合剤を硬化させる前に、各区画内または各区画の上方に懸下される、請求項１２５に記載の方法。
各区画は、補完形状を前記ポリマー結合剤の一部に付与し、前記補完形状は、実質的に、相互に同じである、請求項１２７に記載の方法。
前記複数の半導体ダイを前記ポリマー結合剤でコーティングすることは、前記ポリマー結合剤を前記型基板の上に分配することを含み、前記ポリマー結合剤は、前記型基板の表面の上方に延在する１つ以上の障壁によって、前記型基板の上に含まれる、請求項９８に記載の方法。
前記ポリマー結合剤を硬化させることは、
前記ポリマー結合剤を少なくとも部分的に硬化させることと、
その後、前記型基板を前記複数の半導体ダイから取り外すことと
を含む、請求項１２９に記載の方法。
前記ポリマー結合剤の少なくとも一部を覆って、かつ、前記ポリマー結合剤の少なくとも一部に接触させて、型カバーを配置することをさらに含む、請求項１２９に記載の方法。
（ｉ）前記型カバーは、複数の個別の区画を備え、（ｉｉ）１つ以上の半導体ダイは、前記ポリマー結合剤を硬化させる前に、各区画内または各区画の下に懸下される、請求項１３１に記載の方法。
各区画は、補完形状を前記ポリマー結合剤の一部に付与し、前記補完形状は、実質的に、相互に同じである、請求項１３２に記載の方法。