JP2011127199A - Transparent body and method for producing it - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基材上にハードコート構造を備えた透明体に関し、特に、紫外線遮蔽機能をもつハードコート構造を備えた透明体に関する。 The present invention relates to a transparent body having a hard coat structure on a substrate, and particularly to a transparent body having a hard coat structure having an ultraviolet shielding function.
従来、レンズ等の透明部材は、表面の傷や割れを防止するためにハードコート層が設けられる。ハードコート層としては、一般的に酸化珪素(SiOx)薄膜が用いられる。 Conventionally, a transparent member such as a lens is provided with a hard coat layer in order to prevent scratches and cracks on the surface. As the hard coat layer, a silicon oxide (SiOx) thin film is generally used.
また、透明部材の基材がポリカーボネート(以下PCと記す)からなる場合、PCが波長250〜360nmの紫外線によって黄変する性質があるため、ハードコート層とは別に、紫外線を遮蔽する層を設け、黄変を防止する必要がある。紫外線を遮蔽する層としては、酸化亜鉛(ZnO)等の金属酸化物薄膜からなる紫外線吸収層が用いられる。ZnOは、約3.3eVのバンドギャップを持つ半導体で380nm付近以下の紫外線を吸収し、数千オングストロームの膜厚でPCの黄変を防止できる。他にITO(酸化インウム・スズ)膜やTiO2膜等を用いることができる。ZnO膜はイオンプレーティングやスパッタ等の真空蒸着又は塗布によって成膜する。 In addition, when the base material of the transparent member is made of polycarbonate (hereinafter referred to as PC), since the PC has a property of yellowing by ultraviolet rays having a wavelength of 250 to 360 nm, a layer for shielding ultraviolet rays is provided separately from the hard coat layer. Need to prevent yellowing. As the layer for shielding ultraviolet rays, an ultraviolet absorbing layer made of a metal oxide thin film such as zinc oxide (ZnO) is used. ZnO is a semiconductor having a band gap of about 3.3 eV and absorbs ultraviolet rays of about 380 nm or less, and can prevent yellowing of PC with a film thickness of several thousand angstroms. In addition, an ITO (indium tin oxide) film, a TiO 2 film, or the like can be used. The ZnO film is formed by vacuum deposition or coating such as ion plating or sputtering.
紫外線吸収層とハードコート層とを組み合わせて用いる場合、透明基材上に紫外線吸収層を配置し、最上層にハードコート層を設ける。このような二層構造で紫外線遮蔽機能を持つハードコートは、例えば特許文献1に開示されている。しかし、紫外線吸収層(ZnO膜)とハードコート層の2層からなるハードコート構造をPC基材上に設けた場合、PC基材とZnO膜との界面からハードコート構造が剥離しやすい。そこで、特許文献2には、PC基材とZnO膜との間にバッファ層を挿入し、ハードコート構造を3層にすることが提案されている。バッファ層としては、例えば酸化珪素(SiOx)膜が開示されている。
When the ultraviolet absorbing layer and the hard coat layer are used in combination, the ultraviolet absorbing layer is disposed on the transparent substrate, and the hard coat layer is provided as the uppermost layer. A hard coat having such a two-layer structure and an ultraviolet shielding function is disclosed in, for example,
また、特許文献3には、所定の割合で炭素を含有する酸化チタン層を保護膜として透明基材上に形成することにより、透明で紫外線を遮断し、かつ、耐候性の高い透光性積層体が提供できると開示されている。特許文献3において、酸化チタン層に所定割合で炭素を含有させているのは、酸化チタンに備わる光触媒能により基材が変質し、基材の透明性が劣化したり、酸化チタン層が剥離しやすくなるのを防止するためである。
紫外線吸収層とハードコート層の2層からなるハードコート構造は、例えば自動車用ヘッドランプに用いられる。ヘッドランプの構造は、特許文献4に記載されているようにランプが固定されたハウジングの前面にPC製のレンズが密封接着されている。レンズの内壁への入射光はランプからの光に限られ、PC製のレンズを黄変させる波長は含まれないため、レンズの内壁には紫外線吸収層は不要である。そこで、太陽光等が入射するレンズの外壁には、紫外線吸収層とハードコート層の積層構造を設けることにより、レンズ基材がPCであっても傷や損傷を防止でき、しかも黄変を防止することができる。
A hard coat structure composed of two layers of an ultraviolet absorbing layer and a hard coat layer is used, for example, in an automobile headlamp. The structure of the headlamp is such that a PC lens is hermetically bonded to the front surface of the housing to which the lamp is fixed as described in
自動車用ヘッドランプは酸性雨に曝される可能性があるため、レンズには耐酸性が求められる。しかしながら、紫外線吸収層として用いられる酸化亜鉛(ZnO)膜は酸に弱いという性質がある。紫外線吸収層は、その上をハードコート層である酸化珪素(SiOx)膜に覆われてはいるが、酸化珪素膜には若干の水浸透性があり、酸の一部は酸化亜鉛膜まで達することがある。この場合、酸が到達した部分は、酸化亜鉛膜が溶解して消失し、PC基材の黄変防止能力を失ってしまう。一方、酸化亜鉛膜に酸が到達しないように水浸透性のない透明ハードコート層を形成することは現時点の技術では非常に困難である。 Since automobile headlamps may be exposed to acid rain, the lenses are required to have acid resistance. However, a zinc oxide (ZnO) film used as an ultraviolet absorbing layer has a property of being weak against acids. Although the ultraviolet absorbing layer is covered with a silicon oxide (SiOx) film, which is a hard coat layer, the silicon oxide film has a slight water permeability, and part of the acid reaches the zinc oxide film. Sometimes. In this case, the portion where the acid has reached disappears as the zinc oxide film dissolves, and loses the yellowing prevention ability of the PC substrate. On the other hand, it is very difficult to form a transparent hard coat layer having no water permeability so that an acid does not reach the zinc oxide film.
また、特許文献3のように所定の割合で炭素を含有する酸化チタン層を形成するためには、有機チタン化合物を原料としてプラズマCVD法で成膜する必要がある。しかしながら、有機チタン化合物は高価であるため、低コストなハードコート構造を実現することが困難である。
Further, in order to form a titanium oxide layer containing carbon at a predetermined ratio as in
ヘッドランプは、自動車の使用場所により、高温多湿、あるいは低温乾燥といった環境に曝されることがある。そのような環境に繰り返し曝される可能性もある。このため、ヘッドランプ用のハードコートとしては、温度変化に対する耐性も望まれている。 The headlamp may be exposed to an environment such as high temperature and high humidity or low temperature drying depending on the place of use of the automobile. There is also the possibility of repeated exposure to such an environment. For this reason, as a hard coat for headlamps, resistance to temperature changes is also desired.
本発明の目的は、紫外線遮蔽機能をもち、酸性雨および温度変化に対する耐性に優れたハードコート構造を備えた透明体を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a transparent body having a hard coat structure having an ultraviolet shielding function and excellent resistance to acid rain and temperature change.
上記目的を達成するために、本発明の第1の態様によれば、以下のような透明体が提供される。透明基材と、基材上に順に配置された、紫外線吸収層とハードコート層とを有する透明体であって、紫外線吸収層として、アモルファスなTiO2膜を用いる。紫外線吸収層とハードコート層との間には、アモルファスなTiO2と、ハードコート層を構成する材料との混合物からなる混合層が配置されている。TiO2膜は、耐酸性が高い性質を有し、しかも、アモルファスなTiO2膜は光触媒性能を備えないため、基材との密着性が高い。混合層は、紫外線吸収層とハードコート層との密着性を高め、冷熱サイクルを受けた場合の膜剥がれを防止する。 In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, the following transparent body is provided. A transparent body having a transparent substrate and an ultraviolet absorbing layer and a hard coat layer arranged in order on the substrate, and an amorphous TiO 2 film is used as the ultraviolet absorbing layer. A mixed layer made of a mixture of amorphous TiO 2 and a material constituting the hard coat layer is disposed between the ultraviolet absorbing layer and the hard coat layer. The TiO 2 film has high acid resistance, and the amorphous TiO 2 film does not have photocatalytic performance, and therefore has high adhesion to the substrate. The mixed layer improves adhesion between the ultraviolet absorbing layer and the hard coat layer, and prevents film peeling when subjected to a cooling and heating cycle.
アモルファスなTiO2膜は、微結晶を含まないことが望ましい。 It is desirable that the amorphous TiO 2 film does not contain microcrystals.
混合層の膜厚は、8000オングストローム以上であることが好ましい。これにより、所定の冷熱サイクルを受けた場合の膜剥がれを防止できる。 The thickness of the mixed layer is preferably 8000 angstroms or more. Thereby, film peeling when subjected to a predetermined cooling / heating cycle can be prevented.
本発明の第2の態様によれば、以下のような透明体の製造方法が提供される。すなわち、プラズマガンにて直流プラズマを発生させる工程と、坩堝に充填されたTiO2もしくはTiを加熱して蒸発させ、直流プラズマを通過させて透明基材上に堆積させることにより、アモルファスなTiO2層を成膜する工程と、坩堝に充填されたTiO2もしくはTiを加熱して蒸発させながら、直流プラズマにシロキサンを導入することにより、アモルファスなTiO2膜の上に、アモルファスなTiO2とSiOy(0<y)の混合物を含む混合層を成膜する工程と、混合層の上に、SiOx(0<x)層を形成する工程と、を有する透明体の製造方法である。このように、直流プラズマを用いてTiO2膜を形成することにより、TiO2を蒸発源として容易にアモルファスなTiO2膜と、混合膜を容易に成膜することができる。 According to the 2nd aspect of this invention, the manufacturing method of the following transparent bodies is provided. That is, the step of generating direct current plasma with a plasma gun, and heating and evaporating TiO 2 or Ti filled in the crucible, passing the direct current plasma and depositing it on the transparent substrate, thereby making amorphous TiO 2. The step of forming a layer and the introduction of siloxane into the DC plasma while heating and evaporating TiO 2 or Ti filled in the crucible, the amorphous TiO 2 and SiO on the amorphous TiO 2 film. a step of forming a mixed layer comprising a mixture of y (0 <y), on the mixed layer, a method for producing a transparent body having a step of forming a SiO x (0 <x) layer. Thus, by forming a TiO 2 film using DC plasma, an amorphous TiO 2 film and a mixed film can be easily formed using TiO 2 as an evaporation source.
上記混合層の成膜工程は、成膜速度を、15オングストローム/sec以上50オングストローム/sec以下に設定することが好ましい。 In the film formation step of the mixed layer, the film formation rate is preferably set to 15 angstrom / sec or more and 50 angstrom / sec or less.
上記アモルファスなTiO2層の成膜工程では、透明基材を150℃以下の温度に維持することが望ましい。 In the step of forming the amorphous TiO 2 layer, it is desirable to maintain the transparent substrate at a temperature of 150 ° C. or lower.
本発明によれば、アモルファスなTiO2膜を紫外線吸収層として用いることにより、酸性雨や紫外線や温度変化に対する耐性の高いハードコート構造を備えた透明体を提供することができる。 According to the present invention, by using an amorphous TiO 2 film as an ultraviolet absorption layer, it is possible to provide a transparent body having a hard coat structure highly resistant to acid rain, ultraviolet rays, and temperature changes.
本発明の一実施形態について図面を用いて説明する。 An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
まず、本実施形態の透明体の構造について図1を用いて説明する。本実施形態の透明体は、PC(ポリカーボネート)製の基材1と、これを傷や損傷から保護するためのハードコート構造5とを備えるものであり、ハードコート構造5は、PC製基材1を黄変させる紫外線を遮蔽する機能を備える。このような透明体の一例としては、ヘッドランプのPCレンズ、眼鏡のPCレンズ、PCを使用した窓等の建材、ならびに、PCを使用した自動車窓等が挙げられるが、本実施形態の透明体は、これらに限定されるものではなく、他の用途の透明体にも適用される。
First, the structure of the transparent body of this embodiment is demonstrated using FIG. The transparent body of the present embodiment includes a PC (polycarbonate)
具体的には、ハードコート構造5は、図1に示したように基材1の上に順に積層された紫外線吸収層2、混合層4、ハードコート層3の3層構造である。紫外線吸収層2の材質は、アモルファスなTiO2である。アモルファスなTiO2は、微結晶を含まないことが望ましい。アモルファスなTiO2膜を紫外線吸収層2として用いることにより、TiO2膜は光触媒性能を備えないため、PC基材1に対する密着性が高く、光触媒性能がPC基材1に劣化を生じさせる現象も抑制できる。
Specifically, the
紫外線吸収層(アモルファスなTiO2膜)2の膜厚は、1.0μmより大きい値に設定することが望ましい。発明者らは、PC基材1にTiO2膜を紫外線吸収層2として備えた場合に、PC基材1に黄変を生じさせないための紫外線吸収層2の透過率を予め測定した結果、波長350nmにおける透過率が30%より小さいと黄変が生じないことを目視にて確認している。一方、アモルファスなTiO2膜の膜厚と波長350nmにおける透過率とは、表1のような関係にある。表1より紫外線吸収層(アモルファスなTiO2膜)2の膜厚を1.0μmより大きい値に設定することにより、透過率を30%より小さくすることができるため望ましい。
The film thickness of the ultraviolet absorbing layer (amorphous TiO 2 film) 2 is desirably set to a value larger than 1.0 μm. We, when provided with a TiO 2 film in the
また、紫外線吸収層(アモルファスなTiO2膜)2の膜厚は、3.0μm以下であることが望ましい。その理由は、膜厚が3.0μmを超えると、波長350nmのTiO2の吸収率は2%付近で飽和するため、膜厚を3.0μmを超える厚さにしても紫外線吸収能力は高くならないためである。また、膜厚が3.0μmを超えた辺りからPC製基材1やハードコート層3との密着性が低下し、剥がれやすくなるため膜厚3.0μm以下であることが好ましい。
The film thickness of the ultraviolet absorbing layer (amorphous TiO 2 film) 2 is desirably 3.0 μm or less. The reason is that, when the film thickness exceeds 3.0 μm, the absorption rate of TiO 2 having a wavelength of 350 nm is saturated in the vicinity of 2%, so that even if the film thickness exceeds 3.0 μm, the ultraviolet absorption ability does not increase. Because. Moreover, since the adhesiveness with the
ハードコート層3の材質は、SiOxである。xは、1.5<x<2.0であることが望ましい。
The material of the
ハードコート層(SiOx膜)3の膜厚は、ハードコートとして機能しうる硬度を生じさせるために1000オングストローム以上であることが望ましく、5000オングストローム以上10μm以下であることがより望ましい。 The film thickness of the hard coat layer (SiOx film) 3 is preferably 1000 angstroms or more, and more preferably 5000 angstroms or more and 10 μm or less in order to generate hardness that can function as a hard coat.
混合層4は、紫外線吸収層2とハードコート層3との密着性を向上させ、冷熱サイクルが加わった場合にハードコート層3が紫外線吸収層2から剥がれるのを防止するために配置されている。混合層4は、TiO2とSiOyとの混合物で構成されている。混合層4を構成するTiO2は、アモルファスであることが望ましい。混合層4を構成するSiOyのy値は、y<2であることが好ましい。
The
混合層4を構成するTiO2とSiOyの割合は、1:1であることが望ましい。混合層4の膜厚は、8000オングストローム以上であることが望ましい。
The ratio of TiO 2 and SiO y constituting the
つぎに、ハードコート構造5の各層の機能について説明する。ハードコート層3は、基材1に傷や割れが生じるのを防止するために最表層に配置されている。紫外線吸収層2を構成するアモルファスなTiO2膜は、3.0〜3.3eVのバンドギャップを有し、380nm付近以下の紫外線を吸収する性質を有する。よって、アモルファスなTiO2膜を紫外線吸収層2としてハードコート層3と基材1との間に配置したことにより、PC基材1に黄変を生じさせる波長250〜360nmの紫外線を紫外線吸収層2に吸収させることができる。
Next, the function of each layer of the
微結晶を含まないアモルファスなTiO2膜からなる紫外線吸収層2は、光触媒性能を有さないため、PC基材1の上に直接配置しても、高い密着性を得ることができ、ハードコード構造5を基材1上に強固に配置することができる。また、光触媒性能を有していないため、光触媒性能によりPC基材を劣化させることもない。
Since the
また、アモルファスなTiO2膜である紫外線吸収層2は、ハードコート層3とも密着性が高いが、温度変化が加わった場合の両者の密着性をさらに向上させるために、紫外線吸収層2とハードコート層3との間に混合層4が配置されている。これにより、温度変化が加わった場合に、ハードコート層3が紫外線吸収層2から剥がれるのを防止することができる。
The
TiO2膜は、耐酸性が高いことが知られている。この性質は、アモルファスなTiO2膜であっても変わらない。よって、ハードコート層(SiOx膜)3に酸性雨が浸透した場合であっても、紫外線吸収層(アモルファスなTiO2膜)2や混合層4が溶解して消失することがなく、PC基材の黄変防止能力を継続して発揮することができる。
A TiO 2 film is known to have high acid resistance. This property does not change even with an amorphous TiO 2 film. Therefore, even when acid rain penetrates into the hard coat layer (SiOx film) 3, the ultraviolet absorbing layer (amorphous TiO 2 film) 2 and the
つぎに、本実施形態の透明体の製造方法について説明する。ここでは、直流プラズマを用いる図2の成膜装置を用いて、直流プラズマを用いた直流プラズマ・アシスト・イオンプレーティング法と化学的気相成長(CVD)法により透明体のハードコート構造5を連続して形成する。
Below, the manufacturing method of the transparent body of this embodiment is demonstrated. In this case, the transparent
図2の成膜装置は、プラズマガン31と成膜室7とを備えている。成膜室7には、プラズマガン31と対向する位置にアノード電極38が配置され、直流プラズマがプラズマガン31からアノード電極38に向かって生じる。これらの間には、反応ガス37を導入するための反応ガス導入管8と坩堝33が備えられている。反応ガス導入管8および坩堝33と向かい合う位置には、基材1を保持する基材ホルダー36が備えられている。坩堝33は、電子銃133を備え、電子ビーム(EB)により蒸発源34を加熱する。プラズマガン31とアノード電極38には、それぞれ電源10が接続されている。プラズマガン31の外側、ならびに、成膜室7の外側にはそれぞれ中心軸が一致するように電磁石12が配置されている。電磁石12は、プラズマガン31が発生したプラズマ35をビーム状に収束する作用をする。
The film forming apparatus shown in FIG. 2 includes a
透明体の製造方法について説明する。まず、紫外線吸収層(TiO2膜)2を直流プラズマ・アシスト・イオンプレーティング法により形成する。坩堝33には、Tiを充填しておく。基材1を基材ホルダー36にセットし、成膜室7を所定の圧力まで排気した後、プラズマガン31にキャリアガス32を導入し、アノード電極38との間にプラズマ35を発生させる。この状態で、坩堝33の電子銃133から電子線をTi34に照射し、加熱して蒸発させる。また、反応ガス導入管37からは酸素ガスを導入し、プラズマ35をキャリアガスと酸素の混合プラズマにする。これにより、坩堝33から蒸発したTiは、混合プラズマを通過することにより酸化され、基材1上に堆積し、TiO2膜を形成する(直流プラズマ・アシスト・イオンプレーティング法)。
The manufacturing method of a transparent body is demonstrated. First, an ultraviolet absorbing layer (TiO 2 film) 2 is formed by a direct current plasma assist ion plating method. The
この直流プラズマ・アシスト・イオンプレーティング法は、基板温度を150℃以下に維持することにより、アモルファスなTiO2膜(紫外線吸収層)2を、Tiを蒸発源として容易に形成できる。他の成膜条件は、例えば、成膜速度5000オングストローム/min以下、直流放電電力10kW以下に設定することが好ましい。しかしながら、基板温度を除き成膜条件は、この成膜条件に限定されるものではない。 In the DC plasma assist ion plating method, the amorphous TiO 2 film (ultraviolet absorption layer) 2 can be easily formed using Ti as an evaporation source by maintaining the substrate temperature at 150 ° C. or lower. The other film formation conditions are preferably set to, for example, a film formation speed of 5000 angstrom / min or less and a DC discharge power of 10 kW or less. However, the film formation conditions except for the substrate temperature are not limited to these film formation conditions.
続けて、混合層4を成膜する。紫外線吸収層2の成膜後、成膜室7を開放することなく、坩堝33内のTi34の電子銃133による加熱およびプラズマ35の発生を継続する。この状態で、反応ガス導入管8から酸素ガスに加えて、シロキサンを導入する。これにより、イオンプレーティングと重合反応とを同時に進行させ、TiO2とSiOyの混合層4を成膜する。
Subsequently, the
このとき、混合層4全体の成膜速度は、15〜50オングストローム/secであることが望ましい。このような成膜速度にて成膜することにより、一定圧力下で混合層4を成膜した場合に、混合層4におけるTiO2とSiOyの比率をほぼ1:1にすることができる。酸素ガスの導入量は、70sccmよりも少なく設定することが望ましい。これにより、混合層4のSiOyのyの値をy<2にすることができる。基板温度は、150℃以下であることが望ましい。これにより、混合層4のTiO2をアモルファスにすることができる。
At this time, the film formation rate of the entire
なお、蒸着源としては、TiO2を用いることも可能であるが、Tiを蒸着源とした方が、Tiの蒸発速度の制御が容易となる。 As the vapor deposition source, TiO 2 can be used. However, when Ti is used as the vapor deposition source, the Ti evaporation rate can be easily controlled.
続けて、ハードコート層3を成膜する。混合層4の成膜後、成膜室7を開放することなく、電子銃133の電子ビームの発生を停止し、プラズマ35の発生を継続させる。そこに反応ガス37としてシロキサンを反応ガス導入管8から導入し、重合反応を生じさせ、基材1にSiOxを所定の厚さまで堆積させる。いわゆるプラズマCVD法である。これにより、ハードコート層(SiOx層)3を形成する。ただし、ハードコート層3は、ハードコートとして機能を発揮させるために上述した所定の膜厚に成膜する。
Subsequently, a
また、ハードコート層3の硬さをより向上させるならば反応ガスとしてシロキサンと共に酸素を導入し、酸化反応を促進させることが好ましい。ただし、本実施形態のように樹脂基材1の上に成膜した場合においては、基材1に比べてハードコート層3が硬すぎると、耐冷熱サイクル性が劣る。図3は、ヘキサメチルジシロキサンを用いて同一条件にてハードコート層3のみを成膜したときの、ハードコート層3の分光透過率の測定結果である。酸素を導入せずにヘキサメチルジシロキサンのみを成膜したときには200nmから300nmの波長域の光を殆ど透過せず、430nmから800nmの長波長域において90%以上の透過率を示す。反応ガスとして酸素を300sccm導入して成膜した場合には200nmから800nmの広い波長域で透過率90%以上の透過率の平坦域を示す。また、硬さについては酸素を導入しないものに比べて、酸素を導入したものの方が硬さが大きかった。すなわち、少なくとも300sccm以上の酸素を導入した場合にはSiO2になっているものと推察される。本実施形態では、耐冷熱サイクル性を重視し、ハードコート層3の成膜時に酸素を導入せず、SiOx膜(x<2)とする条件で成膜とする。
Further, if the hardness of the
以上により、図1のように基材1上に三層構造のハードコート構造5を備えた透明体を連続成膜より効率よく製造できる。
By the above, the transparent body provided with the
なお、ここでは、図2の成膜装置を用いて、紫外線吸収層2、混合層4、ハードコート層3を成膜したが、本発明はこの成膜方法に限定されるものではない。例えば、図4に示す成膜装置を用いて、真空蒸着法と化学的気相成長(CVD)法により成膜を行った場合でも同じ結果が得られる。図4の成膜装置では、図2の装置の電子銃133を備えず、坩堝33に電圧を印加し、直流プラズマの一部を坩堝33に導いて蒸発源34を加熱する。図4の装置の場合、蒸発源34としてはTiO2を用いる。また、同一成膜装置における連続成膜の点では劣るが、例えば、塗布法や他の気相成長法により、各々の層を順に成膜することも可能であろう。
Here, although the
このように本実施形態の透明体は、紫外線吸収層2として、TiO2膜を用いることにより耐酸性を向上させ、しかも、TiO2を微結晶を含まないアモルファスな構造とすることにより光触媒性能を生じさせず、PC基材との密着性を高め、光触媒性能によるPC基材の劣化を防止できる。したがって、紫外線吸収層2によってPC基材1の黄変を防ぎつつ、ハードコート層3によって基材1の傷や損傷を防ぐことができる。
As described above, the transparent body of the present embodiment improves the acid resistance by using a TiO 2 film as the
また、紫外線吸収層2とハードコート層3との間に、混合層4を配置したことにより、温度変化の大きな環境で使用された場合にも、ハードコート層3が紫外線吸収層2から剥離することなく耐久性を高めることができる。
Further, since the
しかも、本実施形態では、直流プラズマを用いることにより、アモルファスなTiO2膜(紫外線吸収層2)および混合層4をTiもしくはTiO2を蒸発源として容易に成膜することができるため、高価な材料を用いる必要がなく、耐酸性に優れたハードコート構造5を低コストで形成することができる。
In addition, in this embodiment, by using DC plasma, the amorphous TiO 2 film (ultraviolet absorption layer 2) and the
本実施形態の透明体の構造は、ヘッドランプのPCレンズ、眼鏡のPCレンズ、PCを使用した窓等の建材、ならびに、自動車のPCを使用した窓等に適用することができる。例えば、自動車用ヘッドランプに用いる場合、ランプが固定されたハウジングの前面に密封接着されたPC製レンズに、本実施形態のハードコート構造5を適用することができる。すなわち、PC製レンズを基材1として、その表面にハードコート構造5を設けることができる。PC製レンズの内壁への入射光はランプからの光に限られ、PC製のレンズを黄変させる紫外波長は含まれないため、レンズの内壁には紫外線吸収層は不要である。そこで、太陽光等が入射するレンズの外壁に、本実施形態ハードコート構造5を設ける。これにより、レンズ基材がPCであっても傷や損傷を防止でき、しかも黄変を防止することができる。
The structure of the transparent body of this embodiment can be applied to building materials such as a PC lens for a headlamp, a PC lens for spectacles, a window using a PC, and a window using a PC of an automobile. For example, when used in an automobile headlamp, the
以下、本発明の一実施例について説明する。
本実施例では、図1の構造の透明体を製造した。紫外線吸収層2の材質は、微結晶を含まないアモルファスなTiO2である。ハードコート層3の材質は、SiOx(1.5<x<2.0)である。混合層4の材質は、アモルファスなTiO2とSiOy(y<2.0)である。基材1はPCであり、厚さ3mmの板状である。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.
In this example, a transparent body having the structure shown in FIG. 1 was produced. The material of the
各層の成膜は、実施形態で説明した製造手順の通り、図2の成膜装置を用いて行った。キャリアガス32としてはHeを用いた。キャリアガス32としてArを用いる場合に比べて電子銃まわりでの異常放電を抑止することが可能だからである。蒸発源はTiを用いた。紫外線吸収層2の成膜時は酸素ガスを50sccm導入し、成膜装置の圧力は3×10−1Paとした。混合層4の成膜時には、酸素ガスを50sccm導入したままの状態で、ヘキサメチルジシロキサンをニードルバルブにて制御しながら導入した。ヘキサメチルジシロキサンの導入量は、キャリアガス(He)32と酸素ガスとヘキサメチルジシロキサンとを導入したときの成膜装置の圧力が1.3〜2.0Paとなるように調整した。紫外線吸収層2の成膜速度は4000オングストローム/min、直流放電電力は4.5KWとした。混合層4の成膜速度は実際の成膜速度が15〜50オングストローム/secとなるように、Tiの蒸発量およびヘキサメチルジシロキサンの導入量を調整した。また、混合層4の成膜の際にはTi:Siの割合がほぼ1:1の条件となるようにTiの蒸発量およびヘキサメチルジシロキサンの導入量の割合を調整した。紫外線吸収層2および混合層4の成膜時には、基板1は加熱せず、基板1の温度が150℃以下になるように制御した。ハードコート層3の成膜時には酸素ガスの供給を停止して、ヘキサメチルジシロキサンを導入した。ヘキサメチルジシロキサンの導入量はキャリアガス(He)とヘキサメチルジシロキサンとを導入したときの成膜装置の圧力が1.3〜2.0Paとなるように調整した。
Film formation of each layer was performed using the film formation apparatus of FIG. 2 according to the manufacturing procedure described in the embodiment. He was used as the
本実施例と同じ成膜条件により形成した紫外線吸収層(TiO2膜)2の結晶構造をX線回折により測定したところ、図5に示すように、回折強度はブロードであり、アモルファスであることが確認された。この紫外線吸収層2の膜を600℃で30分間加熱処理したのち、X線回折により測定したところ、アナターゼ型TiO2結晶のピークが確認された。このことから加熱処理していない紫外線吸収層2のTiO2はアモルファスであることが確認された。同様に、混合層4の結晶構造をX線回折により測定したところ、紫外線吸収層2と同様に回折強度はブロードであった。よって、混合層4のTiO2も紫外線吸収層2の成膜条件と同様であるからアモルファスと推察される。また、後述する耐冷熱サイクル性評価を行なった8000オングストロームの膜厚の混合層4と同一条件にて成膜した混合層4について、X線光電子分光法(X−ray photoelectron spectroscopy)にて分析した結果、TiO2とSiOyの割合は1:1であった。
When the crystal structure of the ultraviolet absorbing layer (TiO 2 film) 2 formed under the same film forming conditions as in this example was measured by X-ray diffraction, the diffraction intensity was broad and amorphous as shown in FIG. Was confirmed. The film of the
<評価>
(耐酸性)
本実施例の透明体の紫外線吸収層2の耐酸性を確認するために、混合層4を備えず、基材1上に紫外線吸収層(アモルファスなTiO2)2とハードコート層(SiOx)3のみを備えた評価用試料を作製した。紫外線吸収層2の膜厚は、2μmとし、ハードコート層3の膜厚は、表2に示すように、0.5μm、1μm、1.5μm、2.0μm、2.5μmとした。
<Evaluation>
(Acid resistance)
In order to confirm the acid resistance of the transparent
比較例として、ハードコート層3を備えず、紫外線吸収層2のみを備えた試料を製造した。表2にハードコート層3の膜厚が0μmの試料として示す。
As a comparative example, a sample having only the
さらに比較例として、紫外線吸収層をIn2O3膜(厚さ0.5μm)とし、ハードコート層3としてSiOx膜(膜厚:0μm、0.5μm、1μm、1.5μm、2.0μm、2.5μm)とした比較例試料を製造した。
Further, as a comparative example, the ultraviolet absorbing layer is an In 2 O 3 film (thickness 0.5 μm), and the
さらに別の比較例として、PC基材1上にバッファー層としてSiOx層(厚さ0.5〜1μm)を配置した後、紫外線吸収層としてZnO膜(厚さ0.2μm)を形成し、さらにハードコート層3としてSiOx膜(膜厚:0μm、0.5μm、1μm、1.5μm、2.0μm、2.5μm)を形成した比較例試料を製造した。なお、ZnO膜の下にバッファー層を配置したのは、PC基材1上にZnO膜を直接形成すると後述する表3のように剥離しやすく、耐酸性試験を行うことが困難になるためである。
As yet another comparative example, a SiOx layer (thickness 0.5 to 1 μm) is disposed as a buffer layer on the
上記比較例試料の製造は、図2の成膜装置を用いて、本実施例と同様に行った。 The comparative sample was manufactured in the same manner as in this example using the film forming apparatus shown in FIG.
耐酸性試験は、実施例および比較例の試料のハードコート構造5の上に0.1NのH2SO4溶液0.2mlを滴下し、24時間放置後水洗いし、さらに1時間放置することにより行った。試験後、目視にて、基板の状態を観察し、評価した。その結果を表2に示す。
The acid resistance test was performed by dropping 0.2 ml of a 0.1 N H 2 SO 4 solution onto the
表2より、紫外線吸収層としてZnO膜を用いた比較例は、ハードコート層(SiOx膜)3がどのような膜厚であっても、ZnO膜がすべて消失しており、0.1NのH2SO4に対して耐酸性がないことがわかった。 From Table 2, in the comparative example using the ZnO film as the ultraviolet absorbing layer, all the ZnO film disappeared regardless of the film thickness of the hard coat layer (SiOx film) 3, and 0.1N H 2 it was found that there is no acid resistance against SO 4.
紫外線吸収層としてIn2O3膜を用いた比較例は、ハードコート層(SiOx膜)3の厚さが2μm以上であれば、In2O3膜が消失しないが、2μmよりも薄い場合には、In2O3膜が消失してしまうことがわかる。 Comparative examples using In 2 O 3 film as the ultraviolet absorbing layer, a hard coat layer as long as the thickness of the (SiOx film) 3 is 2μm or more, but In 2 O 3 film is not lost, if thinner than 2μm Shows that the In 2 O 3 film disappears.
これに対し、本実施例の紫外線吸収層2としてアモルファスなTiO2膜を用いた試料は、ハードコート層(SiOx膜)3どのような膜厚であってもアモルファスなTiO2膜が消失しないことがわかる。さらに、ハードコート層(SiOx膜)3を備えない(0μm)比較例であっても、アモルファスなTiO2膜は消失してしない。
In contrast, in the sample using the amorphous TiO 2 film as the
このことから、紫外線吸収層2としてアモルファスなTiO2膜は、In2O3膜やZnO膜と比較し、耐酸性に非常に優れ、ハードコート層3の水浸透性に関わらず溶解しないことが確認された。よって、酸性雨にさらされた場合でも、消失することなく、紫外線吸収性能を発揮し続けることができ、PC基材1の黄変を防止できる。
From this, the amorphous TiO 2 film as the
(密着性)
本実施例の透明体の紫外線吸収層2とPC製基材との密着性を測定するために、基材1上に紫外線吸収層(アモルファスなTiO2)2のみを備えた評価用試料を作製した。紫外線吸収層2の膜厚は、2000オングストロームとした。
(Adhesion)
In order to measure the adhesion between the transparent
比較例として、PC基材の上にIn2O3膜(膜厚2000オングストローム)を配置した試料、PC基材の上にZnO膜(膜厚2000オングストローム)を配置した試料をそれぞれ蒸着法により形成し、同様に密着性を測定した。 As a comparative example, a sample in which an In 2 O 3 film (film thickness 2000 angstrom) is disposed on a PC substrate and a sample in which a ZnO film (film thickness 2000 angstrom) is disposed on a PC substrate are formed by vapor deposition. In the same manner, the adhesion was measured.
密着性の測定は、JIS D0202 8.12に準ずるゴバン目試験により行った。 The adhesion was measured by a gobang eye test according to JIS D0202 8.12.
その結果、表3に示すように実施例のPC製基材1とアモルファスなTiO2膜(紫外線吸収層2)との密着性、および、比較例のPC基材とIn2O3膜とのゴバン目試験結果は、いずれも1であり、これらの密着性は良好であることがわかった。これに対し、比較例のPC基材とZnO膜のゴバン目試験の結果は4であり、密着性は低かった。これにより、アモルファスなTiO2膜(紫外線吸収層2)は、PC基材への密着性が高く、膜剥がれを生じないことが確認できた。よって、PC基材とTiO2との間にバッファ層等を配置する必要がなく、製造工程を簡略化できる。
As a result, as shown in Table 3, the adhesion between the
(耐冷熱サイクル性)
本実施例の透明体の紫外線吸収層2の耐冷熱サイクル性を確認するために、紫外線吸収層2、混合層4、ハードコート層3の三層構造で、混合層4の膜厚を複数種類に変えた評価用試料を作製した。紫外線吸収層2の膜厚は、1.0μmとし、ハードコート層3の膜厚は、2.0μmとした。
(Cool and heat cycle resistance)
In order to confirm the heat and heat cycle resistance of the
これらの評価用試料に、図6のような−40℃から80℃(湿度90%)まで8時間かけて変化する熱サイクルを10サイクル加える試験を行った後、目視にて膜の状態を観察した。
These samples for evaluation were subjected to a test in which 10 cycles of thermal cycles varying from −40 ° C. to 80 ° C. (
表4のように、混合層4の膜厚を8000オングストローム以上にすることにより、耐冷熱サイクル性試験において剥離することのないハードコートを得られることが確認された。
As shown in Table 4, it was confirmed that when the thickness of the
(分光透過性)
さらに、本実施例のハードコート構造5(アモルファスなTiO2膜(厚さ2.0μm)と、混合層4(厚さ8000オングストローム)と、SiOx膜(厚さ1.0μm)の積層体)の分光透過率を測定したところ、図7のグラフのように350nmの透過率が20%以下であり、PC基材1を黄変させないための350nmの透過率30%以下の条件を満たしていた。図7のグラフから明らかなように、実施例のハードコート構造は、紫外線吸収層2としてZnO膜を形成した試料よりも紫外線透過率が高いが、十分な黄変防止性能が得られる。
(Spectral transmission)
Furthermore, the
なお、アモルファスなTiO2膜が、ZnO膜よりも紫外線透過率が高くても十分な黄変防止性能が得られる理由は現時点では明らかではないが、黄変防止性能が十分であることは、本実施例のアモルファスなTiO2膜を用いた試料に促進紫外線照射試験(波長295〜450nm、100mw/cm2の強度の光を72時間照射する試験)を施し、黄変が生じないことにより確認している。 The reason why an amorphous TiO 2 film can provide sufficient yellowing prevention performance even if its ultraviolet transmittance is higher than that of a ZnO film is not clear at this time. The sample using the amorphous TiO 2 film of the example was subjected to an accelerated ultraviolet irradiation test (a test in which light having a wavelength of 295 to 450 nm and an intensity of 100 mw / cm 2 was irradiated for 72 hours), and confirmed that yellowing did not occur. ing.
1…PC基材、2…紫外線防止層、3…ハードコート層、4…混合層、5…ハードコート構造、7…成膜室、8…反応ガス導入管、10…電源、12…電磁石、31…プラズマガン、32…キャリアガス、33…坩堝、34…蒸発源TiO2、35…プラズマ、36…基板ホルダー、37…反応ガス、38…アノード電極。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記紫外線吸収層は、アモルファスなTiO2膜であり、
前記紫外線吸収層とハードコート層との間には、アモルファスなTiO2と、前記ハードコート層を構成する材料との混合物からなる混合層が配置されていることを特徴とする透明体。 A transparent base material, and an ultraviolet absorbing layer and a hard coat layer disposed in order on the base material;
The ultraviolet absorbing layer is an amorphous TiO 2 film,
A transparent body, wherein a mixed layer made of a mixture of amorphous TiO 2 and a material constituting the hard coat layer is disposed between the ultraviolet absorbing layer and the hard coat layer.
坩堝に充填されたTiO2もしくはTiを加熱して蒸発させ、前記直流プラズマを通過させて透明基材上に堆積させることにより、アモルファスなTiO2層を成膜する工程と、
前記坩堝に充填されたTiO2もしくはTiを加熱して蒸発させながら、前記直流プラズマにシロキサンを導入することにより、前記アモルファスなTiO2膜の上に、アモルファスなTiO2とSiOy(0<y)の混合物を含む混合層を成膜する工程と、
前記混合層の上に、SiOx(0<x)層を形成する工程と、を有することを特徴とする透明体の製造方法。 Generating DC plasma with a plasma gun;
A step of forming an amorphous TiO 2 layer by heating and evaporating TiO 2 or Ti filled in the crucible, passing the DC plasma, and depositing it on a transparent substrate;
By introducing siloxane into the DC plasma while heating and evaporating TiO 2 or Ti filled in the crucible, amorphous TiO 2 and SiO y (0 <y) are formed on the amorphous TiO 2 film. A step of forming a mixed layer containing a mixture of
Forming a SiO x (0 <x) layer on the mixed layer.
前記アモルファスなTiO2層の成膜工程では、前記透明基材を150℃以下の温度に維持することを特徴とする透明体の製造方法。 In the manufacturing method of the transparent body according to claim 4 or 5,
In the film formation step of the amorphous TiO 2 layer, the transparent substrate is maintained at a temperature of 150 ° C. or lower.
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