JP2011059335A - Method and device for adjusting light beam - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウエハ等の欠陥を検査する検査装置に関する。 The present invention relates to an inspection apparatus for inspecting a defect such as a semiconductor wafer.
従来技術におけるディスク原盤用露光装置のレーザ光源のビーム調整方法の一例が特許文献1に記載されている。特許文献1に記載されているように、異なる光ディスクを露光するためビーム径を変化させている。そして、ビームの照射位置等を調整する必要があるが、光路中にビームエキスパンダー、複数のミラー、レンズ、反射板等を用いてビームの照射位置ずれ等を観察していた。
An example of a beam adjustment method of a laser light source of an exposure apparatus for a disk master in the prior art is described in
欠陥検査装置でも試料に安定したビームを照射することが、装置の性能に大きく影響するため、ビーム調整は必須となっている。このため、試料にビームを照射するまでの照明光学系により、ビームずれを観察する必要があった。 Even in a defect inspection apparatus, irradiating a sample with a stable beam greatly affects the performance of the apparatus. Therefore, beam adjustment is essential. For this reason, it is necessary to observe the beam shift by the illumination optical system until the beam is irradiated onto the sample.
上述したように、従来の技術では、撮像装置(例えばセンサやカメラ)によりビーム照射位置をモニタするまでの光路中に、ビームエキスパンダー、複数のミラー、レンズ、反射板等を有し、レーザ光源から撮像装置までに使用する部品数が非常に多くなっていた。 As described above, the conventional technique has a beam expander, a plurality of mirrors, a lens, a reflector, and the like in the optical path until the beam irradiation position is monitored by an imaging device (for example, a sensor or a camera). The number of parts used up to the imaging device has been very large.
使用する部品数が多くなると、光路の構成が複雑になり調整工程が多くなることや、光路長が長くなり装置が大きくなってしまうことがあった。 When the number of parts to be used increases, the configuration of the optical path becomes complicated and the adjustment process increases, and the optical path length becomes long and the apparatus may become large.
このような従来技術では、部品数が多いことにより、ビームの調整工程が多くなることや、光路長が長くなることにより装置が大型化してしまっていた。 In such a conventional technique, since the number of parts is large, the number of beam adjustment processes is increased, and the length of the optical path is increased, resulting in an increase in the size of the apparatus.
本発明の目的は、部品数の増加及び装置の大型化を伴うことなく、短時間でビーム照射位置の調整が可能な光ビーム調整方法及び光ビーム調整装置を実現することである。 An object of the present invention is to realize a light beam adjusting method and a light beam adjusting apparatus capable of adjusting a beam irradiation position in a short time without increasing the number of parts and increasing the size of the apparatus.
上記目的を達成するため、本発明は次のように構成される。 In order to achieve the above object, the present invention is configured as follows.
本発明の光ビーム調整方法及び光ビーム調整装置は、反射ミラーから反射された光ビームを、集光レンズを介して撮像手段を照射させ、光ビームの照射位置に基づいて、反射ミラーの反射角度を調整し、反射ミラーから反射された光ビームを、集光レンズを介することなく、撮像手段を照射させ、光ビームの照射位置に基づいて、反射ミラーへの光ビームの照射位置を調整し、上記反射ミラーによる上記光ビームの反射方向を調整する。 The light beam adjusting method and the light beam adjusting apparatus according to the present invention irradiate the imaging unit with the light beam reflected from the reflecting mirror via the condenser lens, and the reflection angle of the reflecting mirror based on the irradiation position of the light beam. And adjusting the irradiation position of the light beam to the reflection mirror based on the irradiation position of the light beam based on the irradiation position of the light beam. The reflection direction of the light beam by the reflection mirror is adjusted.
また、上記光ビーム調整装置を用いて、欠陥検査装置が構成される。 Further, a defect inspection apparatus is configured using the light beam adjusting apparatus.
本発明によれば、部品数の増加及び装置の大型化を伴うことなく、短時間でビーム照射位置の調整が可能な光ビーム調整方法及び光ビーム調整装置を実現することができる。 According to the present invention, it is possible to realize a light beam adjustment method and a light beam adjustment apparatus capable of adjusting a beam irradiation position in a short time without increasing the number of components and increasing the size of the apparatus.
以下、本発明の実施例について、添付図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
図1は、本発明が適用される欠陥検査装置の全体概略構成図である。ここで、欠陥検査装置とは、半導体デバイスの製造工程で半導体ウエハの異物や傷等(欠陥)を検査する装置である。 FIG. 1 is an overall schematic configuration diagram of a defect inspection apparatus to which the present invention is applied. Here, the defect inspection apparatus is an apparatus that inspects a semiconductor wafer for foreign matters, scratches, or the like (defects) in a semiconductor device manufacturing process.
図1において、欠陥検査装置は、試料5を搭載し、試料5上にスリット状に照射したスリット状照明領域であるビームスポット103及びイメージセンサの検出領域104、試料5内の検査領域をXY方向に走査し光学系に対し相対移動ができるXステージ301、Yステージ302、試料5表面にピントを合わせることができるZステージ303、シータステージ304およびステージコントローラ305を備えるステージ部300を有する。
In FIG. 1, the defect inspection apparatus has a
また、欠陥検査装置は、レーザ光源、光学フィルタ群及びミラー、ガラス板と切換可能な光学分岐要素(またはミラー)、ビームスポット結像部から構成される照明光学系100を有する。
Further, the defect inspection apparatus includes an illumination
さらに、欠陥検査装置は、検出レンズ201、空間フィルタ202、結像レンズ203、ズームレンズ群204、イメージセンサ(撮像手段)205、イメージセンサの検出領域を観察できる観察光学系206、偏光ビームスプリッタ209、2つのセンサを同時に検査するための分岐検出光学系210を備える検出光学系200を有する。
Further, the defect inspection apparatus includes a
また、欠陥検査装置は、分岐検出光学系210で得た画像を処理する画像処理部406、異物等の欠陥検出結果を記憶する記憶部405を備える。
In addition, the defect inspection apparatus includes an
また、欠陥検査装置は、A/D変換部、遅延させることができるデータメモリ、チップ間の信号の差をとる差分処理回路、チップ間の差信号を一時記憶するメモリ、パターン閾値を設定する閾値算出処理部、比較回路より構成される信号処理部402、記憶部405と共に欠陥検出結果を出力する出力手段、モータ等の駆動、座標、センサを制御する制御CPU部401、表示部403および入力部404を備える制御系400を有する。
In addition, the defect inspection apparatus includes an A / D converter, a data memory that can be delayed, a difference processing circuit that takes a signal difference between chips, a memory that temporarily stores a difference signal between chips, and a threshold that sets a pattern threshold A calculation processing unit, a
イメージセンサ205は、CCDまたはTDI(Time Delay Integration:遅延積算)センサを適用することができる。CCDの場合は画素サイズが10マイクロメートル程度であるため線状検出と考えてよく、走査方向にピントが合ってない画像を取り込むことによる感度低下がない。
The
一方、TDIでは走査方向に一定画素分の画像の積算があるため照明幅を小さくする又はTDIセンサを傾けるなどの対策によってピントが合ってない画像を取り込む量を低減することが望ましい。 On the other hand, in TDI, since images for a certain number of pixels are accumulated in the scanning direction, it is desirable to reduce the amount of images that are not in focus by taking measures such as reducing the illumination width or tilting the TDI sensor.
図1の左下に座標系を示す。平面上にXY軸をとり、垂直上方にZ軸をとる。検出光学系200の光軸はZ軸に沿って配置されている。
The coordinate system is shown in the lower left of FIG. The XY axis is taken on the plane, and the Z axis is taken vertically upward. The optical axis of the detection
図2は、図1に示した欠陥検査装置におけるビーム調整機構の構成図である。 FIG. 2 is a configuration diagram of a beam adjustment mechanism in the defect inspection apparatus shown in FIG.
図2において、搬送系3の走査部として検査ステージ4(ステージ301〜304)を含み、検査ステージ4に試料5が配置される。レーザ光源1より光ビームを出力して、光量調整機構9により光量を調整する。
In FIG. 2, an inspection stage 4 (
光量調整機構9を通過した光ビームはビーム調整機構10により、ビームのチルト方向、シフト方向を調整する。つまり、互いに対向する2つの反射鏡の位置を調整することによりビームのチルト、シフト方向を調整する。
The light beam that has passed through the light amount adjustment mechanism 9 is adjusted by the
次に、ハーフミラー11に照射されたビームのうち、透過光はビーム調整用に用いられ、反射光は試料5に照射する光に分岐される。集光レンズ12を集光レンズ移動機構121で移動させて、ビーム調整用の光が集光レンズ12を透過してCCDカメラ13に照射させたり、ビーム調整用の光が集光レンズ12を透過しないでCCDカメラ13に照射させたりを行う。そして、ビームのチルト、シフト方向をCCDカメラ13に照射した光で調整する。詳細については、図3、図4を参照して後述する。例えば、集光レンズ移動機構121はモータやステージを用いることができる。
Next, among the beams irradiated on the half mirror 11, the transmitted light is used for beam adjustment, and the reflected light is branched into light irradiated on the
CCDカメラ13で撮像された画像は、ビーム画像解析部14に取り込まれ、画像解析を行ない、正しく調整された状態からのビームのずれに関する情報(例えば、ビームの水平方向のずれを示すシフト量、ビームの傾きのずれを示すチルト量)を算出し、調整用ミラー移動機構(反射手段移動機構)500(チルト調整機構101及びシフト調整機構102を備える)を介してビーム調整機構10に調整量15を指令する。詳細については図6を参照して後述する。
The image captured by the
ビーム調整機構10により調整されたビームは、ハーフミラー11により反射された後、ミラー16を反射して、試料5に照射される。ビーム調整機構10によりビームが調整されることによって、ビームが試料5の所定位置に照射される。
The beam adjusted by the
試料5に照射された反射光は検出光学系6を通り、検出器17で検出され、画像処理系7にて画像処理を行ない、試料5の欠陥情報が表示部403に表示される。
The reflected light applied to the
図3は、ビーム調整機構10の動作説明図である。図3において、調整用ミラー19a(第1のミラー)、19b(第2のミラー)は、チルト(回転)機構101により回転され、シフト機構102により直線的に移動される。例えば、チルト機構101、シフト機構102は、モータやステージを用いることができる。
FIG. 3 is an explanatory diagram of the operation of the
チルト機構101は、第1のミラー19aのチルト調整を行う第1のチルト機構と、第2のミラー19bのチルト調整を行う第2のチルト機構とを備えている。
The
また、シフト機構102は、第1のミラー19aのシフト調整を行う第1のシフト機構と、第2のミラー19bのシフト調整を行う第2のシフト機構とを備えている。
The
光18は、ビーム調整機構10で調整した後に集光レンズ移動機構121で集光レンズ12を移動させて、光レンズ12を通過した後の光及び光レンズ12を通過しない光が、CCDカメラ13に照射され、観察される機構となっている。調整用ミラー19a、19bのチルト方向、シフト方向の詳細については図6を参照して後述する。
The
図4は、集光レンズ12を用いたビーム調整方法についての説明図である。図4において、集光レンズ12とCCDカメラ受光面20との距離が、焦点距離22となるように配置する。また、あらかじめ集光レンズ中心25とCCDカメラ中心21の位置とを合せておく。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a beam adjustment method using the
集光レンズ12に平行光24(無限遠からの光)が入射されると、集光レンズ12のどの位置に入射しても光はCCDカメラ中心21に集光される。一方、斜光23が集光レンズ12に入射されると、CCDカメラ中心21からずれた位置に光が照射される。
When parallel light 24 (light from infinity) is incident on the
上述した原理を用いて、ビームのチルト調整量を算出して、ビーム調整機構10で平行光24となるように補正を行なう。平行光24に調整した後に集光レンズ12を通過させずにCCDカメラ受光面20に、光を入射させて、ビームのシフト調整量を算出する。そして、ビーム調整機構10でCCDカメラ中心21に光が収束されるように補正することにより、ビームのシフト、チルトを補正することが可能となる。
The beam tilt adjustment amount is calculated using the principle described above, and correction is performed by the
図5は、照射光学系の調整動作フローチャートを示す図である。図5において、ビーム補正動作を開始すると(ステップ26)、まず、光学条件を設定して(ステプ27)、集光レンズ12が光路外にある場合は光路中に移動する。
FIG. 5 is a flowchart showing the adjustment operation of the irradiation optical system. In FIG. 5, when the beam correction operation is started (step 26), first, optical conditions are set (step 27), and when the
そして、CCDカメラ13でチルト量を確認する(ステップ28)。ステップ28において、ズレが有る場合はビーム調整機構10でチルト調整を行なう(ステップ29)。
Then, the tilt amount is confirmed by the CCD camera 13 (step 28). If there is a deviation in
ステップ28において、ズレが無い場合はビームチルト量調整を行なわずに集光レンズ12を光路外へ移動する(ステップ30)。
If there is no deviation in
集光レンズ12を光路外へ移動した後にCCDカメラ13でシフト量を確認する(ステップ31)。
After the
ステップ31において、ズレが有る場合はビーム調整機構10でシフト調整を行ない(ステップ32)、ズレが無い場合はビームシフト量調整を行なわずにビーム補正動作終了(ステップ33)となる。
In
上述のように、本発明に一実施例においては、集光レンズ移動機構121により、ビームを集光レンズ12を通過させて、ビームが平行光となるようにチルト量を調整した後に、ビームを集光レンズ12を通過することなく、CCDカメラ13で検出して、シフト補正を行うように構成したので、従来技術にように、複数のレンズの移動や、複数のミラー切替を行なうことが無く、ビームの照射位置の調整を行うことができ、調整工程が少なくなる。
As described above, in one embodiment of the present invention, the beam is passed through the
また、本発明の実施例においては、従来技術のようなビーム補正動作フローの後戻り作業、つまり、一度、ビーム位置調整した場合、複数のレンズの相対位置関係等が変化する場合があるため、再度、ビーム照射位置の調整を行う作業を行う必要がなく、容易に、かつ、短時間にビーム照射位置の調整を行なうことができる。 Further, in the embodiment of the present invention, since the beam correction operation flow as in the prior art, that is, when the beam position is adjusted once, the relative positional relationship of a plurality of lenses may change. Therefore, it is not necessary to adjust the beam irradiation position, and the beam irradiation position can be adjusted easily and in a short time.
図6は、画像表示部403に表示されるチルト量確認画像34、シフト量確認画像35を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a tilt
図6の(A)において、チルト量確認画像34は、一方向のチルト量(第1のチルト量)をX軸36として、第1のチルト量に対して垂直なチルト量(第2のチルト量)をY軸37としてチルト量を表示する。
6A, the tilt
さらに、チルト量確認画像34の中心に第1のチルト量のX軸に対して平行な線(第1の線)38、および垂直な線(第2の線)39を用いて、画面を4分割表示する。
Further, the screen is displayed on the screen by using a line (first line) 38 parallel to the X axis of the first tilt amount and a perpendicular line (second line) 39 at the center of the tilt
第1の線と、第2の線の交点40付近がチルト量のずれがない画像341となる。チルト量のX軸方向にずれている画像342の場合はX軸方向に調整し、チルト量のY軸方向にずれている画像343の場合はY軸方向に調整すれば、チルト量のずれが調整することが可能となる。
The vicinity of the
このように、交点40付近にビーム位置が調整された画像を表示することで、作業者は容易にビームのチルト量が正しく調整されたことを知ることができる。
Thus, by displaying the image with the beam position adjusted near the
図6の(B)において、シフト量確認画像35についてもチルト量確認画像34と同様のことが言える。シフト量確認画像35は、一方向のシフト量(シフト量X)をX軸41として、シフト量Xに対して垂直なシフト量(シフト量Y)をY軸42としてシフト量を表示する。
In FIG. 6B, the same can be said for the shift
さらに、シフト量確認画像35の中心にシフト量Xの軸41に対して平行な線(第1の線)43、および垂直な線(第2の線)44を用いて、画面を4分割表示する。
Further, the screen is divided into four parts by using a line (first line) 43 parallel to the axis 41 of the shift amount X and a vertical line (second line) 44 at the center of the shift
第1の線と、第2の線の交点40の付近がシフト量のずれがない画像351となる。シフト量のX軸方向にずれている画像352の場合はX軸方向に調整し、シフト量のY軸方向にずれている画像353の場合はY軸方向に調整すれば、シフト量のずれが調整することが可能となる。
The vicinity of the
このように、交点40付近にビーム位置が調整された画像を表示することで、作業者は容易にビームのシフト量が正しく調整されたことを知ることができる。例えば、ビーム位置の重心を計算して画像の中心とのずれを算出してチルト量、シフト量を求めれば、作業者がいなくても自動でビームずれを調整することが可能となるので、ビームの状態を常時監視することができる。
Thus, by displaying the image with the beam position adjusted in the vicinity of the
図7は、集光レンズ12を用いたビーム調整機構702と、ビームエキスパンダーを用いたビーム調整機構701との比較図を示す。
FIG. 7 shows a comparative view of a beam adjustment mechanism 702 using the
ビームエキスパンダーを用いたビーム調整機構701について詳細に説明する。図7の(A)において、光703は光軸調整用固定レンズ704を透過して、ビームエキスパンダー7067入射する。ビームエキスパンダー707は切替レンズ705a、705bが有り、任意のビーム径に切替るために切替レンズ移動機構706a、706bにより、切替を行なう。
The
ビームエキスパンダー707により光703は拡大され、集光レンズ12により光703が集光され、CCDカメラ13によって、ビームを観察する。
The light 703 is expanded by the
本発明である集光レンズ12を用いたビーム調整機構の構成702を詳細に説明する。図7の(B)において、光703は集光レンズ移動機構121により、集光レンズ12の出し入れ(光703が集光レンズ12を通過させるか、させないかの選択)を行なうことにより、CCDカメラ13によって、上述したように、チルト量、シフト量両方のビームを観察することが出来る。
The configuration 702 of the beam adjusting mechanism using the
このように、集光レンズ12を用いたビーム調整機構702の場合、部品数を少なくすることが出来、調整工程も少なくすることが可能となる。また、集光レンズ12を出し入れすることにより、シフト量の平面的な光軸ずれだけでなく、チルト量の光軸の傾きも観察することが可能となる。
Thus, in the case of the beam adjustment mechanism 702 using the condensing
また、ビームのチルト量とシフト量とを自動的に調整することで、安定した装置状態を実現することができる。さらに、従来では、照射光学系2の調整に多くの時間を必要としていたが、本発明の実施例では、チルト量とシフト量の2つの調整項目に対して、図5に示したフローチャートのように多くても処理4回で調整することが可能である。 In addition, a stable apparatus state can be realized by automatically adjusting the beam tilt amount and the shift amount. Furthermore, conventionally, a lot of time is required for the adjustment of the irradiation optical system 2, but in the embodiment of the present invention, the two adjustment items of the tilt amount and the shift amount are as shown in the flowchart of FIG. It is possible to adjust the number of processes four times at most.
また、試料5に光を照射する前であれば、CCDカメラ13をどの位置に配置しても構わないので、機構設計の自由度が大きくなる。また、試料5に光を照射した反射光を用いてビーム調整を行なうことも可能であるが、試料5は例えばパターン付ウエハやガラス基板等、試料5が平面とは限らないので、試料5からの検出光が常に同じ位置で検出されることはない。
In addition, the
このように、反射光を用いてビーム調整する場合には、試料5に応じて視野を広げなければならない。一方、試料5に光を照射する前にビーム調整する場合には試料5に影響されないので、試料5の同じ位置に光を照射することが出来る。
Thus, when the beam is adjusted using the reflected light, the field of view must be expanded according to the
例えば、部品の精度、部品の搭載誤差、レンズ収差、レーザ光源1の照射光位置バラツキ等の影響を受けずに試料5の同じ位置に光を照射することが出来る。
For example, it is possible to irradiate light on the same position of the
なお、本発明は、ウエハ以外の、ハードディスク、液晶基板等の基板検査に適用できる。 The present invention can be applied to inspection of substrates other than wafers such as hard disks and liquid crystal substrates.
さらに、本発明は楕円球を用いて散乱光を集光する方式のウエハ検査装置にも適用できるし、パターンの形成されたウエハの欠陥を検査するパターン付きウエハ検査装置や、ハードディスクの欠陥を検査するハードディスク検査装置にも適用可能である。 Furthermore, the present invention can be applied to a wafer inspection apparatus that collects scattered light using an ellipsoidal sphere, and a wafer inspection apparatus with a pattern that inspects a defect of a wafer on which a pattern is formed, or an inspection of a defect of a hard disk. It can also be applied to a hard disk inspection device.
また、上述した例は、欠陥検査装置の例であるが、図2に示したレーザ光源1、光量調整機構9、ビーム調整機構10、集光レンズ12、集光レンズ移動機構121、CCDカメラ13、ビーム画像解析部14、反射手段移動機構500は、光ビーム調整装置として構成可能である。
Moreover, although the example mentioned above is an example of a defect inspection apparatus, the
そして、上記光ビーム調整装置として、構成される場合は、図6に示した画像等を表示する画像表示手段403を備えることができる。 And when comprised as said light beam adjustment apparatus, the image display means 403 which displays the image etc. which were shown in FIG. 6 can be provided.
1・・・レーザ光源、2・・・照射光学系、3・・・搬送系、4・・・検査ステージ、5・・・試料(ウエハ)、6・・・検出光学系、7・・・画像処理系、9・・・光量調整機構、10・・・ビーム調整機構、11・・・ハーフミラー、12・・・集光レンズ、13・・・CCDカメラ、14・・・ビーム画像解析部、15・・・調整量、16・・・ミラー、17・・・検出器、18・・・光、19・・・調整用ミラー、20・・・CCDカメラ受光面、21・・・CCDカメラ中心、22・・・焦点距離、23・・・斜光、24・・・平行光、25・・・集光レンズ中心、26・・・ビーム補正動作開始、27・・・光学条件設定、28・・・CCDカメラチルト量確認、29・・・ビーム調整機構でビームチルト量調整、30・・・集光レンズを光路外へ移動、31・・・CCDカメラシフト量確認、32・・・ビーム調整機構でビームシフト量調整、33・・・ビーム補正動作終了、34・・・チルト量確認画像、35・・・シフト量確認画像、36・・・一方向のチルト量(第1のチルト量)のX軸、37・・・第1のチルト量に対して垂直なチルト量(第2のチルト量)のY軸、38・・・第1のチルト量の軸に対して平行な線(第1の線)、39・・・第1のチルト量の軸に対して垂直な線(第2の線)、40・・・交点、41・・・シフト量X、42・・・シフト量Y、43・・・シフト量Xの軸に対して平行な線(第1の線)、44・・・シフト量Xの軸に対して垂直な線(第2の線)、100・・・照明光学系、101・・・チルト(回転)機構、102・・・シフト機構、103・・・ビームスポット(照明領域)、104・・・イメージセンサの検出領域、121・・・集光レンズ移動機構、200・・・検出光学系、201・・・検出レンズ(対物レンズ)、202・・・空間フィルタ、203・・・結像レンズ、204・・・ズームレンズ群、205・・・イメージセンサ、206・・・観察光学系、209・・・偏光ビームスプリッタ、210・・・分岐検出光学系、300・・・ステージ部、301・・・Xステージ、302・・・Yステージ、303・・・Zステージ、304・・・シータステージ、305・・・ステージコントローラ、341・・・チルト量のずれがない画像、342・・・チルト量のX軸方向にずれている画像、343・・・チルト量のY軸方向にずれている画像、351・・・シフト量のずれがない画像、352・・・シフト量のX軸方向にずれている画像、353・・・シフト量のY軸方向にずれている画像、400・・・制御系、401・・・制御CPU部、402・・・信号処理部、403・・・表示部、404・・・入力部、405・・・記憶部、406・・・画像処理部、500・・・調整用ミラー移動機構、701・・・ビームエキスパンダーを用いたビーム調整機構、702・・・集光レンズを用いたビーム調整機構、703・・・光、704・・・光軸調整用固定レンズ、705・・・切替レンズ、706・・・切替レンズ移動機構、707・・・ビームエキスパンダー
DESCRIPTION OF
Claims (11)
上記反射ミラーから反射された光ビームを、集光レンズを介して上記撮像手段を照射させ、光ビームの照射位置に基づいて、上記反射ミラーの反射角度を調整し、
上記反射ミラーから反射された光ビームを、集光レンズを介することなく、上記撮像手段を照射させ、光ビームの照射位置に基づいて、上記反射ミラーへの上記光ビームの照射位置を調整し、
上記反射ミラーによる上記光ビームの反射方向を調整することを特徴とする光ビーム調整方法。 A light beam adjustment method in which a light beam from a light source is reflected by a reflection mirror to irradiate an imaging unit, and a reflection direction of the light beam by the reflection mirror is adjusted based on an irradiation position of the imaging unit of the light beam. There,
The light beam reflected from the reflection mirror is irradiated on the imaging means through a condenser lens, and the reflection angle of the reflection mirror is adjusted based on the irradiation position of the light beam,
The light beam reflected from the reflection mirror is irradiated on the imaging means without going through a condenser lens, and the irradiation position of the light beam on the reflection mirror is adjusted based on the irradiation position of the light beam,
A method of adjusting a light beam, comprising adjusting a reflection direction of the light beam by the reflection mirror.
上記反射ミラーから反射された光ビームを、集光レンズを介して上記撮像手段を照射させ、上記撮像手段への上記光ビームの照射位置が所定の位置となるように、上記反射ミラーの反射角度を調整するチルト調整を行い、
上記集光レンズを移動させ、上記反射ミラーから反射された光ビームを、集光レンズを介することなく、上記撮像手段を照射させ、上記撮像手段への上記光ビームの照射位置が所定の位置となるように、上記反射ミラーへの上記光ビームの照射位置を調整するシフト調整を行い、
上記反射ミラーによる上記光ビームの反射方向を調整することを特徴とする光ビーム調整方法。 A light beam adjusting method for reflecting a light beam from a light source by a reflecting mirror, irradiating an imaging unit, and adjusting a reflection direction of the light beam by the reflecting mirror based on an irradiation position of the light beam to the imaging unit Because
The reflection angle of the reflection mirror is such that the light beam reflected from the reflection mirror irradiates the imaging means via a condenser lens, and the irradiation position of the light beam to the imaging means becomes a predetermined position. Adjust the tilt to adjust
The condensing lens is moved, the light beam reflected from the reflecting mirror is irradiated to the imaging means without passing through the condensing lens, and the irradiation position of the light beam to the imaging means is a predetermined position. So that the shift adjustment to adjust the irradiation position of the light beam to the reflection mirror,
A method of adjusting a light beam, comprising adjusting a reflection direction of the light beam by the reflection mirror.
上記光源から発生された光ビームを反射する光ビーム反射手段と、
上記光ビーム反射手段によって反射された光ビームが照射される撮像手段と、
集光レンズと、
上記集光レンズを、上記光ビーム反射手段から上記撮像手段に至る光路中と、上記光路外とに移動させる集光レンズ移動手段と、
上記光ビームの上記撮像手段への照射位置を判断するビーム画像解析手段と、
上記ビーム画像解析手段の判断に基づいて、上記光ビーム反射手段の反射角度を調整するチルト調整を行うとともに、上記光ビーム反射手段への上記光ビームの照射位置を調整するシフト調整を行う反射手段移動機構と、
を備えることを特徴とする光ビーム調整装置。 A light source that generates a light beam;
A light beam reflecting means for reflecting the light beam generated from the light source;
Imaging means to which the light beam reflected by the light beam reflecting means is irradiated;
A condenser lens;
Condensing lens moving means for moving the condensing lens in the optical path from the light beam reflecting means to the imaging means and out of the optical path;
Beam image analysis means for determining an irradiation position of the light beam to the imaging means;
Reflecting means for performing tilt adjustment for adjusting the reflection angle of the light beam reflecting means and shift adjustment for adjusting the irradiation position of the light beam to the light beam reflecting means based on the determination of the beam image analyzing means. A moving mechanism;
A light beam adjusting device comprising:
光ビームを発生する光源と、
上記光源から発生された光ビームを反射する光ビーム反射手段と、
上記光ビーム反射手段によって反射された光ビームが照射される撮像手段と、
集光レンズと、
上記集光レンズを、上記光ビーム反射手段から上記撮像手段に至る光路中と、上記光路外とに移動させる集光レンズ移動手段と、
上記光ビームの上記撮像手段への照射位置を判断するビーム画像解析手段と、
上記ビーム画像解析手段の判断に基づいて、上記光ビーム反射手段の反射角度を調整するチルト調整を行うとともに、上記光ビーム反射手段への上記光ビームの照射位置を調整するシフト調整を行う反射手段移動機構と、
上記光ビーム反射手段により反射された光ビームの一部を上記撮像手段に向けて透過し、上記光ビームの他の部分を反射するハーフミラーと、
上記ハーフミラーにより反射された光ビームを、上記検査ステージに配置された試料の所定の位置に照射する反射鏡と、
上記試料表面から反射された光を検出して試料表面の欠陥を検査する画像処理部と、
上記画像処理部により処理された画像を表示する画像表示部と、
を備えることを特徴とする欠陥検査装置。 In a defect inspection apparatus for inspecting a defect on the sample surface by irradiating a predetermined position of the sample arranged on the inspection stage with a light beam and detecting the light reflected from the sample surface,
A light source that generates a light beam;
A light beam reflecting means for reflecting the light beam generated from the light source;
Imaging means to which the light beam reflected by the light beam reflecting means is irradiated;
A condenser lens;
Condensing lens moving means for moving the condensing lens in the optical path from the light beam reflecting means to the imaging means and out of the optical path;
Beam image analysis means for determining an irradiation position of the light beam to the imaging means;
Reflecting means for performing tilt adjustment for adjusting the reflection angle of the light beam reflecting means and shift adjustment for adjusting the irradiation position of the light beam to the light beam reflecting means based on the determination of the beam image analyzing means. A moving mechanism;
A half mirror that transmits part of the light beam reflected by the light beam reflecting means toward the imaging means and reflects the other part of the light beam;
A reflecting mirror that irradiates the light beam reflected by the half mirror to a predetermined position of the sample disposed on the inspection stage;
An image processing unit that detects light reflected from the sample surface and inspects for defects on the sample surface;
An image display unit for displaying an image processed by the image processing unit;
A defect inspection apparatus comprising:
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