JP2009175497A - Liquid crystal display device and method of manufacturing the same - Google Patents

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卓司 吉田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a liquid crystal display device that hardly causes corrosion due to entry of external water, deterioration in display performance, etc., by improving the adhesive strength of a seal material. <P>SOLUTION: The liquid crystal display device includes two transparent substrates 1 and 3 which are arranged opposite each other to hold liquid crystal therebetween, the seal material 2 which is arranged at peripheral portions of the two transparent substrates 1 and 3 to bond the two transparent substrates 1 and 3 to each other, and a black matrix 5 which is disposed between the one transparent substrate 1 and seal material 2, and has a pit- or slit-shaped first level difference structure 8 where it comes into contact with the seal material 2 and an uneven structure 9 on a bottom surface of the first level difference structure 8. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶表示装置、およびその製造方法に関し、特に対向する基板とシール材との密着強度を向上した液晶表示装置、およびその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof, and more particularly to a liquid crystal display device having improved adhesion strength between an opposing substrate and a sealing material, and a manufacturing method thereof.

液晶表示装置は、軽量、小型、低消費電力の表示装置として、パソコン用ディスプレイや携帯電話などに広く使用されている。しかし、広い範囲で使用されるために、特殊な状況で使用された場合などでは問題の起きる場合がある。この問題の1つに、ガラス基板を接着しているシール材の密着力に関する問題がある。例えば、基板とシール材との密着力の低下により、基板が剥がれたり、また剥離しないでも外気の水分がシール材を介してパネル内の液晶に侵入して表示不良を起こすこともある。   Liquid crystal display devices are widely used as display devices for personal computers and mobile phones as lightweight, compact, and low power consumption display devices. However, since it is used in a wide range, problems may occur when used in special situations. One of the problems is related to the adhesion of the sealing material that adheres the glass substrate. For example, due to a decrease in the adhesion between the substrate and the sealing material, the substrate may be peeled off, or even if the substrate does not peel off, moisture from the outside air may enter the liquid crystal in the panel through the sealing material and cause display defects.

これらの問題に対して改善効果があるものとして、下記特許文献1〜8にシール材の密着力が向上する技術が開示されている。これらは特に密着力が悪い樹脂製ブラックマトリクス(もしくは有機平坦化膜)とシール材との密着力を改善するためにシール材と接触する部分のブラックマトリクスにスリットやドットを入れたものである。これによりガラス面とシール材とが直接密着することができ、通常のシール材の密着力が得られる。例えば、下記特許文献1では、樹脂ブラックマトリクスを二重構造として、シール材が接触する部分を段差形状とすることで密着力を向上させている。   As techniques that have an improvement effect on these problems, the following Patent Documents 1 to 8 disclose techniques for improving the adhesion of the sealing material. In order to improve the adhesion between the resin black matrix (or the organic flattening film) and the sealing material with particularly poor adhesion, slits or dots are inserted into the black matrix at the portion in contact with the sealing material. As a result, the glass surface and the sealing material can be in direct contact with each other, and the adhesion strength of a normal sealing material can be obtained. For example, in Patent Document 1 below, the adhesive force is improved by forming a resin black matrix with a double structure and forming a stepped portion at a portion where the sealing material contacts.

特開2001−66609号公報JP 2001-66609 A 特開2002−229008号公報JP 2002-229008 A 特開2004−294799号公報JP 2004-294799 A 特開平5−72540号公報JP-A-5-72540 特開平10−282507号公報JP-A-10-282507 特開平11−109380号公報JP-A-11-109380 特開平11−264970号公報JP 11-264970 A 特開2002−258261号公報JP 2002-258261 A

一般的にブラックマトリクスには、酸化クロム膜とクロム膜との積層膜からなる金属遮光膜と、樹脂膜からなる樹脂遮光膜とが知られている。しかし、上述したように、上記特許文献に記載の発明は、樹脂製ブラックマトリクス(もしくは有機平坦化膜)とシール材との密着力を改善する方法であり、一般的に密着力が強く問題の少ないカーボンブラックマトリクス面とシール材、およびガラス面とシール材との密着力を向上させる方法については提案されていない。これは、密着力の不足による問題が少ないためと思われ、実際にカーボンブラックマトリクスで作られた液晶パネルに関して、シール材との密着力不足による不具合は少ない。   In general, a black matrix includes a metal light-shielding film made of a laminated film of a chromium oxide film and a chromium film and a resin light-shielding film made of a resin film. However, as described above, the invention described in the above-mentioned patent document is a method for improving the adhesion between the resin black matrix (or organic flattening film) and the sealing material. No method has been proposed for improving the adhesion between the carbon black matrix surface and the sealing material and the glass surface and the sealing material. This is presumably because there are few problems due to insufficient adhesion, and there are few problems due to insufficient adhesion with the sealing material for liquid crystal panels actually made of carbon black matrix.

しかしながら、このような液晶パネルでも、例えば高温高湿状態で連続表示などをしていると、外気の水分がシール材を介して液晶パネル内に侵入し、表示不良を引き起こすことがあるという問題があった。   However, even in such a liquid crystal panel, for example, when continuous display is performed in a high temperature and high humidity state, moisture in the outside air may enter the liquid crystal panel through the sealing material and cause a display defect. there were.

そこで本発明はかかる問題を解決するためになされたものであり、シール材との密着力を向上させ、外部からの水分の侵入による腐食や、表示性能の劣化等を引き起こしにくい液晶表示装置、およびその製造方法を得ることを目的とする。   Accordingly, the present invention has been made to solve such a problem, and improves the adhesion with a sealing material, and is unlikely to cause corrosion due to intrusion of moisture from the outside, display performance deterioration, etc., and It aims at obtaining the manufacturing method.

本発明における液晶表示装置は、対向して配設され、液晶を挟持する2枚の透明基板と、前記2枚の透明基板の周縁部に配設され、前記2枚の透明基板を接着するシール材と、一方の前記透明基板と前記シール材との間に配設され、前記シール材と接触する位置にピット状またはスリット状の第1の段差構造を有し、前記第1の段差構造の底面に凹凸構造を有するブラックマトリクスとを備える。   The liquid crystal display device according to the present invention includes two transparent substrates that are disposed to face each other and sandwich the liquid crystal, and a seal that is disposed on a peripheral portion of the two transparent substrates and bonds the two transparent substrates. A pit-shaped or slit-shaped first step structure is disposed between the material and one of the transparent substrate and the sealing material, and is in contact with the sealing material. A black matrix having an uneven structure on the bottom surface.

本発明における液晶表示装置の第1の製造方法は、対向して配設される2枚の透明基板の間に液晶を挟持する液晶表示装置の製造方法であって、一方の前記透明基板上にブラックマトリクスを形成する工程と、前記ブラックマトリクス上にピット状またはスリット状のレジストパタンを形成する工程と、前記レジストパタンをマスクとしてエッチングを行い、前記ブラックマトリクスにピット状またはスリット状の第1の段差構造、前記第1の段差構造の底面に凹凸構造を形成する工程と、を備える。   A first method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention is a method for manufacturing a liquid crystal display device in which a liquid crystal is sandwiched between two transparent substrates disposed opposite to each other, on one of the transparent substrates. A step of forming a black matrix; a step of forming a pit-shaped or slit-shaped resist pattern on the black matrix; and etching using the resist pattern as a mask to form a pit-shaped or slit-shaped first pattern on the black matrix. A step structure, and a step of forming an uneven structure on a bottom surface of the first step structure.

本発明における液晶表示装置の第2の製造方法は、対向して配設される2枚の透明基板の間に液晶を挟持する液晶表示装置の製造方法であって、一方の前記透明基板上にピット状またはスリット状のレジストパタンを形成する工程と、前記レジストパタンをマスクとしてエッチングを行い、前記透明基板にピット状またはスリット状の第2の段差構造、前記第2の段差構造の底面に凹凸構造を形成する工程と、前記透明基板上にブラックマトリクスを形成する工程と、を備える。   A second method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention is a method for manufacturing a liquid crystal display device in which a liquid crystal is sandwiched between two transparent substrates arranged opposite to each other, on one of the transparent substrates. A step of forming a pit-shaped or slit-shaped resist pattern, and etching using the resist pattern as a mask, the pit-shaped or slit-shaped second step structure on the transparent substrate, and an uneven surface on the bottom of the second step structure Forming a structure, and forming a black matrix on the transparent substrate.

本発明の液晶表示装置、およびその製造方法によれば、シール材と基板との接触面積が大きくなり、密着力を増すことができる。これにより、外部からの水の侵入を防ぐことができ、信頼性を向上させることができる。   According to the liquid crystal display device and the manufacturing method thereof of the present invention, the contact area between the sealing material and the substrate is increased, and the adhesion can be increased. Thereby, the penetration | invasion of the water from the outside can be prevented and reliability can be improved.

<実施の形態1>
図1は、本実施の形態における液晶表示装置20の構成を示した図である。図1は、液晶表示装置20をカラーフィルタ基板1側から見た図であり、この液晶表示装置20は、ガラス基板4(図2参照)上にカラーフィルタを形成したカラーフィルタ基板1と、ガラス基板6(図2参照)上に薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)を形成したアレイ基板3と、カラーフィルタ基板1とアレイ基板3とを接着するシール材2とを備えている。このカラーフィルタ基板1とアレイ基板3とをシール材2で張り合わせ、隙間の部分に液晶を注入して液晶パネルとなる。
<Embodiment 1>
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a liquid crystal display device 20 in the present embodiment. FIG. 1 is a diagram of a liquid crystal display device 20 viewed from the color filter substrate 1 side. The liquid crystal display device 20 includes a color filter substrate 1 in which a color filter is formed on a glass substrate 4 (see FIG. 2), a glass An array substrate 3 in which a thin film transistor (TFT) is formed on a substrate 6 (see FIG. 2), and a sealing material 2 for bonding the color filter substrate 1 and the array substrate 3 are provided. The color filter substrate 1 and the array substrate 3 are bonded to each other with a sealant 2, and liquid crystal is injected into the gap portion to form a liquid crystal panel.

図2は、図1に示す本実施の形態の液晶表示装置20をA−A’線に沿って切断した断面図である。図2を参照して液晶表示装置の断面構成を説明する。カラーフィルタ基板1は、ガラス基板4(透明基板)と、ガラス基板4上に複数配列された着色層(図示せず)と、着色層間に重鎮されたブラックマトリクス(図示せず)と、ガラス基板4の周縁部に配設され、シール材2と接触する位置にピット状またはスリット状の段差構造8(第1の段差構造)を有し、段差構造8の底面に凹凸構造9を有するブラックマトリクス5とを備えている。   FIG. 2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device 20 of the present embodiment shown in FIG. 1 cut along the line A-A ′. A cross-sectional configuration of the liquid crystal display device will be described with reference to FIG. The color filter substrate 1 includes a glass substrate 4 (transparent substrate), a plurality of colored layers (not shown) arranged on the glass substrate 4, a black matrix (not shown) weighted between the colored layers, and a glass substrate. 4. A black matrix that is disposed at the peripheral edge of 4 and has a pit-like or slit-like step structure 8 (first step structure) at a position in contact with the sealing material 2, and has a concavo-convex structure 9 on the bottom surface of the step structure 8. And 5.

一方アレイ基板3は、ガラス基板6(透明基板)と、ガラス基板6上に配設され、複数のTFT(図示せず)に電気的に接続される複数の信号線(ゲート信号線、ソース信号線、図示せず)と、信号線上を含めてガラス基板6上を覆うように配設され、シール材2と接触する位置にピット状またはスリット状の段差構造8(第3の段差構造)を有し、段差構造8の底面に凹凸構造9を有する絶縁膜7とを備えている。また、アレイ基板3は、ガラス基板6上に配設され、カラーフィルタ基板1の段差構造8と対向する位置に遮光パタン10を備えていてもよい。   On the other hand, the array substrate 3 includes a glass substrate 6 (transparent substrate) and a plurality of signal lines (gate signal lines, source signals) disposed on the glass substrate 6 and electrically connected to a plurality of TFTs (not shown). And a step structure 8 (third step structure) having a pit shape or a slit shape at a position in contact with the sealing material 2 so as to cover the glass substrate 6 including the signal line. And an insulating film 7 having an uneven structure 9 on the bottom surface of the step structure 8. The array substrate 3 may be provided on the glass substrate 6 and may include a light shielding pattern 10 at a position facing the step structure 8 of the color filter substrate 1.

次に、図2を参照して、本実施の形態における液晶表示装置20の製造方法について説明する。始めに、カラーフィルタ基板1の製造方法について説明する。本実施の形態のカラーフィルタ基板1は、クロム(Cr)系のブラックマトリクス5を使用する。まず、カラーフィルタ基板1の土台となるガラス基板4を準備し、ガラス基板4上に例えばスパッタリング法により、クロム酸化膜を20〜150nmの厚さに形成し、さらにその上にクロム膜を50〜200nmの厚さに形成する。次に、通常の写真製版法でレジストパタンを形成する。レジストパタン形成後は、硝酸第二セリウムアンモニウムと酸を含むエッチング液を用いてウエットエッチングを行う。この後レジストマスクを除去し、通常のブラックマトリクスのパタン形成が完了する。   Next, with reference to FIG. 2, the manufacturing method of the liquid crystal display device 20 in this Embodiment is demonstrated. First, a method for manufacturing the color filter substrate 1 will be described. The color filter substrate 1 of the present embodiment uses a chromium (Cr) black matrix 5. First, a glass substrate 4 serving as a base of the color filter substrate 1 is prepared, a chromium oxide film is formed on the glass substrate 4 by a sputtering method, for example, to a thickness of 20 to 150 nm, and a chromium film is further formed thereon by 50 to 50 nm. It is formed to a thickness of 200 nm. Next, a resist pattern is formed by a normal photolithography method. After the resist pattern is formed, wet etching is performed using an etching solution containing ceric ammonium nitrate and an acid. Thereafter, the resist mask is removed, and the normal black matrix pattern formation is completed.

次に、通常の写真製版法で、後にシール材2と接触する部分のみに、スリット状もしくはピット状に開口したレジストパタンを形成する。次に、硝酸第二セリウムアンモニウムと酸を含むエッチング液を用いて、開口したレジストパタンをマスクとしてハーフエッチング(ウエットエッチング)を行う。クロム膜の全膜をエッチングする時間(ジャストエッチング時間)に対して5〜95%、好ましくは、10〜50%の時間だけ基板を液に浸漬させる。   Next, a resist pattern opened in a slit shape or a pit shape is formed only in a portion that will later come into contact with the sealing material 2 by a normal photolithography method. Next, half etching (wet etching) is performed using an etching solution containing ceric ammonium nitrate and an acid with the opened resist pattern as a mask. The substrate is immersed in the liquid for a time of 5 to 95%, preferably 10 to 50% of the time for etching the entire chromium film (just etching time).

この様にハーフエッチングを行うことで、ブラックマトリクス部分で、後にシール材2と接触する部分に段差構造8が形成され、段差構造8の底面にクロムの結晶粒に沿った細かい凹凸構造9が形成される。この凹凸構造9は、金属が薬液に溶解する場合、一般にギブスの自由エネルギーの大きい結晶粒界が結晶部分より先に溶解するため形成される。段差構造8および凹凸構造9を有することにより、後にシール材2による接着を行う際、シール材2とカラーフィルタ基板1との接着面積が大きくなり、密着力が向上する。   By performing half-etching in this way, a step structure 8 is formed in a portion of the black matrix portion that will be in contact with the sealing material 2 later, and a fine uneven structure 9 along the crystal grains of chromium is formed on the bottom surface of the step structure 8. Is done. When the metal is dissolved in the chemical solution, the uneven structure 9 is generally formed because a crystal grain boundary having a large Gibbs free energy is dissolved before the crystal portion. By having the step structure 8 and the concavo-convex structure 9, when the sealing material 2 is bonded later, the bonding area between the sealing material 2 and the color filter substrate 1 is increased, and the adhesion is improved.

なお、この様な凹凸構造9を形成する場合、表示不良の発生を防ぐために、凹凸構造9の高さ(ガラス基板4を下にしたときの高さ)が段差構造8の深さよりも低くなるように形成することが好ましい。これは、凹凸の高さが周辺部より高くなると、シール材2中のスペーサの高さが不安定になり、シール材2の厚みが不均一になり、表示不良の原因となるからである。次に、通常の方法でレジストマスクを除去し、ブラックマトリクス5が形成される。   In the case where such a concavo-convex structure 9 is formed, the height of the concavo-convex structure 9 (the height when the glass substrate 4 is down) is lower than the depth of the step structure 8 in order to prevent the occurrence of display defects. It is preferable to form as follows. This is because if the height of the unevenness is higher than the peripheral portion, the height of the spacer in the sealing material 2 becomes unstable, the thickness of the sealing material 2 becomes non-uniform, and this causes display defects. Next, the resist mask is removed by a normal method, and the black matrix 5 is formed.

ブラックマトリクス5の形成が完了した後は、通常の方法で、カラーレジストを塗布し、露光して現像することで、R、G、Bの着色層が完成する。着色層形成後は、基板前面にITOなどの透明導電膜を形成して透明電極を形成し、オーバーコート層を形成し、カラーフィルタ基板1が完成する。   After the formation of the black matrix 5 is completed, a color resist is applied, exposed and developed by a normal method, thereby completing R, G, and B colored layers. After the colored layer is formed, a transparent conductive film such as ITO is formed on the front surface of the substrate to form a transparent electrode, an overcoat layer is formed, and the color filter substrate 1 is completed.

次に、アレイ基板3の製造方法について説明する。アレイ基板3は、通常のTFTアレイ基板3の形成プロセスにて作成されたものを使用する。例えば、ガラス基板6上に複数のTFT及び複数の信号線等を形成した後、これらの信号線およびガラス基板6上を覆うように、CVD(chemical vapar deposition)法等により、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等で絶縁膜7を形成する。また、アレイ基板3と、シール材2との密着力を向上させるために、上述したカラーフィルタ基板1と同様にアレイ基板3の絶縁膜7に段差構造8および凹凸構造9を形成することが望ましい。段差構造8及び凹凸構造9の形成方法は、上述した方法と同様のため説明を省略する。また、アレイ基板3は、配線パタンだけが形成されたSTN用のアレイ基板3でもよい。   Next, a method for manufacturing the array substrate 3 will be described. As the array substrate 3, one produced by a normal process for forming the TFT array substrate 3 is used. For example, after a plurality of TFTs and a plurality of signal lines are formed on the glass substrate 6, a silicon oxide film or silicon is formed by a CVD (chemical vapar deposition) method or the like so as to cover the signal lines and the glass substrate 6. The insulating film 7 is formed with a nitride film or the like. Further, in order to improve the adhesion between the array substrate 3 and the sealing material 2, it is desirable to form the step structure 8 and the concavo-convex structure 9 on the insulating film 7 of the array substrate 3 in the same manner as the color filter substrate 1 described above. . The method for forming the step structure 8 and the concavo-convex structure 9 is the same as the method described above, and a description thereof will be omitted. The array substrate 3 may be an STN array substrate 3 on which only wiring patterns are formed.

また、アレイ基板3は、好ましくはカラーフィルタ基板1の段差構造8(ハーフエッチパタン)と対向する領域に、遮光性を向上するためのダミーパタン(遮光パタン10)を形成したものが良い。ハーフエッチによりブラックマトリクス5の遮光性が低下しており、これが視認されると画質低下に繋がるためである。   The array substrate 3 is preferably formed by forming a dummy pattern (light shielding pattern 10) for improving light shielding properties in a region facing the step structure 8 (half-etched pattern) of the color filter substrate 1. This is because the light shielding property of the black matrix 5 is lowered by half-etching, and when this is visually recognized, the image quality is lowered.

このようにして形成されたカラーフィルタ基板1とアレイ基板3は、通常の液晶パネルの組み立て工程で組み立てられる。例えば、カラーフィルタ基板1とアレイ基板3が別々に洗浄、配向膜転写、配向、キュアベークを経てシール材2塗布後に重ね合わされる。この後、熱圧着、基板切断、液晶注入、封止の工程を経て液晶パネルが完成する。さらに、この液晶パネルに偏光板、駆動用の回路基板、バックライトなどが取り付けられ液晶表示装置20が完成する。   The color filter substrate 1 and the array substrate 3 thus formed are assembled in a normal liquid crystal panel assembly process. For example, the color filter substrate 1 and the array substrate 3 are separately stacked after being subjected to cleaning, alignment film transfer, alignment, and cure baking, and after application of the sealant 2. Thereafter, a liquid crystal panel is completed through steps of thermocompression bonding, substrate cutting, liquid crystal injection, and sealing. Further, a polarizing plate, a driving circuit board, a backlight, and the like are attached to the liquid crystal panel, and the liquid crystal display device 20 is completed.

以上のように形成された液晶表示装置20は、シール材2と基板(カラーフィルタ基板1およびアレイ基板3)との接触面積が大きいため、密着力が強く、高温高湿条件などにさらされても、外気中の水分が侵入することが少なく、高い品質を保つことができる。   Since the liquid crystal display device 20 formed as described above has a large contact area between the sealing material 2 and the substrate (the color filter substrate 1 and the array substrate 3), it has a strong adhesion and is exposed to high temperature and high humidity conditions. However, moisture in the outside air hardly enters and high quality can be maintained.

<実施の形態2>
本実施の形態における液晶表示装置20の構成は、実施の形態1と同様のため説明を省略する。以下、図2を参照して、本実施の形態における液晶表示装置20の製造方法について説明する。始めに、カラーフィルタ基板1の製造方法について説明する。本実施の形態のカラーフィルタ基板1は、有機樹脂系のブラックマトリクス5を使用する。まず、カラーフィルタ基板1の土台となるガラス基板4を準備し、ガラス基板4上に例えば写真製版法により、有機樹脂のブラックマトリクスを膜厚0.1〜10μm、好ましくは1〜3μmで形成する。
<Embodiment 2>
Since the configuration of the liquid crystal display device 20 in the present embodiment is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted. Hereinafter, a manufacturing method of the liquid crystal display device 20 in the present embodiment will be described with reference to FIG. First, a method for manufacturing the color filter substrate 1 will be described. The color filter substrate 1 of the present embodiment uses an organic resin black matrix 5. First, a glass substrate 4 serving as a base of the color filter substrate 1 is prepared, and a black matrix of an organic resin is formed on the glass substrate 4 with a film thickness of 0.1 to 10 μm, preferably 1 to 3 μm, for example, by photolithography. .

次に、通常の写真製版法で、後にシール材2と接する部分のみに、スリット状もしくはピット状に開口したポジ型レジストパタンを形成する。次に、通常のドライエッチング法でハーフエッチングする。エッチング時間は、ブラックマトリクス部の有機樹脂の残膜の膜厚が5〜95%、好ましくは、50〜99%になる程度の時間が望ましい。   Next, a positive resist pattern opened in a slit shape or a pit shape is formed only in a portion which will be in contact with the sealing material 2 later by an ordinary photolithography method. Next, half etching is performed by a normal dry etching method. The etching time is desirably such that the film thickness of the remaining organic resin film in the black matrix portion is 5 to 95%, preferably 50 to 99%.

この様にハーフエッチングを行うことで、ブラックマトリクス部分で、後にシール材2と接触する部分に段差構造8(第3の段差構造)が形成され、段差構造8の底面に細かい凹凸構造9が形成される。段差構造8および凹凸構造9を有することにより、後にシール材2による接着を行う際、シール材2とカラーフィルタ基板1の接着面積が大きくなり、密着力が向上する。   By performing half-etching in this way, a step structure 8 (third step structure) is formed in a portion where the black matrix portion will be in contact with the sealing material 2 later, and a fine uneven structure 9 is formed on the bottom surface of the step structure 8. Is done. By having the step structure 8 and the concavo-convex structure 9, when the sealing material 2 is bonded later, the bonding area between the sealing material 2 and the color filter substrate 1 is increased, and the adhesion is improved.

なお、この様な凹凸構造9を形成する場合、表示不良の発生を防ぐために、凹凸構造9の高さ(ガラス基板4を下にしたときの高さ)が段差構造8の深さよりも低くなるように形成することが好ましい。これは、凹凸の高さが周辺部より高くなると、シール材2中のスペーサの高さが不安定になり、シール材2の厚みが不均一になり、表示不良の原因となるからである。次に、通常の方法でレジストマスクを除去し、ブラックマトリクス5が形成される。以降の工程は実施の形態1と同様のため、説明を省略する。また、アレイ基板3の製造方法も実施の形態1と同様のため、説明を省略する。   In the case where such a concavo-convex structure 9 is formed, the height of the concavo-convex structure 9 (the height when the glass substrate 4 is down) is lower than the depth of the step structure 8 in order to prevent the occurrence of display defects. It is preferable to form as follows. This is because if the height of the unevenness is higher than the peripheral portion, the height of the spacer in the sealing material 2 becomes unstable, the thickness of the sealing material 2 becomes non-uniform, and this causes display defects. Next, the resist mask is removed by a normal method, and the black matrix 5 is formed. Since the subsequent steps are the same as those in the first embodiment, description thereof is omitted. Further, since the method for manufacturing the array substrate 3 is the same as that in the first embodiment, the description thereof is omitted.

以上のように形成された液晶表示装置20は、シール材2と基板(カラーフィルタ基板1およびアレイ基板3)との接触面積が大きいため、密着力が強く、高温高湿条件などにさらされても、外気中の水分が侵入することが少なく、高い品質を保つことができる。   Since the liquid crystal display device 20 formed as described above has a large contact area between the sealing material 2 and the substrate (the color filter substrate 1 and the array substrate 3), it has a strong adhesion and is exposed to high temperature and high humidity conditions. However, moisture in the outside air hardly enters and high quality can be maintained.

<実施の形態3>
図3は、図1に示す本実施の形態の液晶表示装置20をA−A’線に沿って切断した断面図である。図3を参照して液晶表示装置20の断面構成を説明する。カラーフィルタ基板1は、周縁部にピット状またはスリット状の段差構造11(第2の段差構造)を有し、段差構造11の底面に凹凸構造12を有するガラス基板4(透明基板)と、ガラス基板4上に複数配列された着色層(図示せず)と、着色層間に充填されたブラックマトリクス(図示せず)と、ガラス基板4の段差構造11上であって、シール材2と接触する位置にピット状またはスリット状の段差構造8を有し、段差構造8の底面に凹凸構造9を有するブラックマトリクス5とを備えている。
<Embodiment 3>
FIG. 3 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device 20 of the present embodiment shown in FIG. 1 cut along the line AA ′. A cross-sectional configuration of the liquid crystal display device 20 will be described with reference to FIG. The color filter substrate 1 includes a glass substrate 4 (transparent substrate) having a pit-shaped or slit-shaped step structure 11 (second step structure) at the peripheral portion and a concavo-convex structure 12 on the bottom surface of the step structure 11, glass A plurality of colored layers (not shown) arranged on the substrate 4, a black matrix (not shown) filled between the colored layers, and the step structure 11 of the glass substrate 4, which are in contact with the sealing material 2. A black matrix 5 having a pit-shaped or slit-shaped step structure 8 at a position and a concavo-convex structure 9 on the bottom surface of the step structure 8 is provided.

一方アレイ基板3は、周縁部にピット状またはスリット状の段差構造11(第4の段差構造)を有し、段差構造11の底面に凹凸構造12を有するガラス基板6(透明基板)と、ガラス基板6上に配設され、複数のTFT(図示せず)に電気的に接続される複数の信号線(ゲート信号線、ソース信号線、図示せず)と、信号線上を含めガラス基板6上を覆うように配設され、シール材2と接触する位置にピット状またはスリット状の段差構造8(第3の段差構造)を有し、段差構造8の底面に凹凸構造9を有する絶縁膜7とを備えている。また、アレイ基板3は、ガラス基板6上に配設され、カラーフィルタ基板1の段差構造8と対向する位置に遮光パタン10を備えていてもよい。   On the other hand, the array substrate 3 has a glass substrate 6 (transparent substrate) having a pit-shaped or slit-shaped step structure 11 (fourth step structure) at the peripheral portion and a concavo-convex structure 12 on the bottom surface of the step structure 11, and glass. A plurality of signal lines (gate signal lines, source signal lines, not shown) disposed on the substrate 6 and electrically connected to a plurality of TFTs (not shown), and on the glass substrate 6 including the signal lines An insulating film 7 having a pit-like or slit-like step structure 8 (third step structure) at a position in contact with the sealing material 2 and having a concavo-convex structure 9 on the bottom surface of the step structure 8. And. The array substrate 3 may be provided on the glass substrate 6 and may include a light shielding pattern 10 at a position facing the step structure 8 of the color filter substrate 1.

次に、図3を参照して、本実施の形態における液晶表示装置20の製造方法について説明する。始めに、カラーフィルタ基板1の製造方法について説明する。本実施の形態のカラーフィルタ基板1は、ブラックマトリクス5の形成前に段差構造11を形成する。まず、カラーフィルタ基板1の土台となるガラス基板4を準備し、ガラス基板4上に、通常の写真製版法で、後にシール材2と接触する部分のみに、スリット状もしくはピット状に開口したレジストパタンを形成する。次にドライエッチングまたはウェットエッチングにより、ガラス基板4に段差構造11、段差構造11の底面に凹凸構造12を形成する。段差構造11の深さは、0.01〜10μm、好ましくは0.03〜1μm程度である。スリットの幅やピットの直径はシール材2の幅(通常1mm)より小さければよい。具体的には写真製版技術の限界の3〜500μm程度が好ましい。次に、通常の方法でレジストマスクを除去し、ガラス基板4が形成される。ここでは、一般的な写真製版法で段差構造11を形成する方法を説明したが、段差構造11の形成法は、例えばレーザー光を用いたり、インクジェット法でエッチング液を直接塗布する方法でも構わない。   Next, with reference to FIG. 3, the manufacturing method of the liquid crystal display device 20 in this Embodiment is demonstrated. First, a method for manufacturing the color filter substrate 1 will be described. In the color filter substrate 1 of the present embodiment, the step structure 11 is formed before the black matrix 5 is formed. First, a glass substrate 4 that serves as a foundation for the color filter substrate 1 is prepared, and a resist that is opened in a slit shape or a pit shape on the glass substrate 4 only in a portion that will later come into contact with the sealing material 2 by a normal photolithography method. Form a pattern. Next, the step structure 11 is formed on the glass substrate 4 and the concavo-convex structure 12 is formed on the bottom surface of the step structure 11 by dry etching or wet etching. The depth of the step structure 11 is about 0.01 to 10 μm, preferably about 0.03 to 1 μm. The width of the slit and the diameter of the pits should be smaller than the width of the sealing material 2 (usually 1 mm). Specifically, it is preferably about 3 to 500 μm, which is the limit of photolithography technology. Next, the resist mask is removed by a normal method, and the glass substrate 4 is formed. Here, the method of forming the step structure 11 by a general photoengraving method has been described. However, the method of forming the step structure 11 may be, for example, a method using a laser beam or a method of directly applying an etching solution by an ink jet method. .

次に、通常の方法でブラックマトリクスを形成する。例えばブラックマトリクス方法は、ガラス基板4上にスパッタリング法により、クロム酸化膜を20〜150nmの厚さに形成し、さらにその上にクロム膜を50〜200nmの厚さに形成する。次に、通常の写真製版法でレジストパタンを形成する。レジストパタン形成後は、硝酸第二セリウムアンモニウムと酸を含むエッチング液を用いてウエットエッチングを行う。この後レジストマスクを除去し、通常のブラックマトリクス5のパタン形成が完了する。   Next, a black matrix is formed by a normal method. For example, in the black matrix method, a chromium oxide film is formed to a thickness of 20 to 150 nm on the glass substrate 4 by sputtering, and a chromium film is further formed to a thickness of 50 to 200 nm thereon. Next, a resist pattern is formed by a normal photolithography method. After the resist pattern is formed, wet etching is performed using an etching solution containing ceric ammonium nitrate and an acid. Thereafter, the resist mask is removed, and pattern formation of the normal black matrix 5 is completed.

この様にすることで、ブラックマトリクス5部分で、後にシール材2と接触する部分に、ガラス基板4の段差構造11および凹凸構造12が反映され、段差構造8および凹凸構造9が形成される。これにより、後にシール材2による接着を行う際、シール材2とカラーフィルタ基板1との接触面積が大きくなり、密着力が向上する。   By doing so, the step structure 11 and the concavo-convex structure 12 of the glass substrate 4 are reflected in the portion of the black matrix 5 that will be in contact with the sealing material 2 later, and the step structure 8 and the concavo-convex structure 9 are formed. Thereby, when adhesion | attachment by the sealing material 2 is performed later, the contact area of the sealing material 2 and the color filter substrate 1 becomes large, and adhesive force improves.

ここまでは、ブラックマトリクス5をクロムを用いて形成する方法について説明したが、有機樹脂を用いたブラックマトリクス5の形成でも適用できる。この場合、有機樹脂は下地の凹凸構造12を反映しにくいため、凹凸構造12部分には有機樹脂のパタンを形成しないことが好ましい。ブラックマトリクス5のパタン形成が完了した後は、実施の形態1と同様なので、説明を省略する。   Up to this point, the method of forming the black matrix 5 using chromium has been described, but the present invention can also be applied to the formation of the black matrix 5 using an organic resin. In this case, since the organic resin hardly reflects the underlying concavo-convex structure 12, it is preferable not to form an organic resin pattern in the concavo-convex structure 12 portion. After the pattern formation of the black matrix 5 is completed, the description is omitted because it is the same as that of the first embodiment.

次に、アレイ基板3の製造方法について説明する。まずアレイ基板3の土台となるガラス基板6を準備し、ガラス基板6上に、通常の写真製版法で、後にシール材2と接触する部分にスリット状、またはピット状に開口したレジストパタンを形成する。次にドライエッチングまたはウェットエッチングを行い、ガラス基板6に段差構造11、段差構造11の底面に凹凸構造12を形成する。段差構造11の深さは、0.01〜10μm、好ましくは0.03〜1μm程度である。スリットの幅やドットの直径はシールの幅(通常1mm)より小さければよい。具体的には写真製版技術の限界の3〜500μm程度が好ましい。エッチング後は通常の方法でレジスト除去し、段差構造11および凹凸構造12を有したガラス基板6が形成される。ここでは、一般的な写真製版法で段差構造11を形成する方法を説明したが、段差構造11の形成法は、例えばレーザー光を用いたり、インクジェット法でエッチング液を直接塗布する方法でも構わない。アレイ基板3のガラス基板6に段差構造11を形成する場合、配線部の断線を避けるため、配線部には段差構造11を形成しないことが好ましい。   Next, a method for manufacturing the array substrate 3 will be described. First, a glass substrate 6 as a base of the array substrate 3 is prepared, and a resist pattern opened in a slit shape or a pit shape is formed on the glass substrate 6 at a portion that will later come into contact with the sealing material 2 by a normal photolithography method. To do. Next, dry etching or wet etching is performed to form a step structure 11 on the glass substrate 6 and an uneven structure 12 on the bottom surface of the step structure 11. The depth of the step structure 11 is about 0.01 to 10 μm, preferably about 0.03 to 1 μm. The slit width and dot diameter should be smaller than the seal width (usually 1 mm). Specifically, it is preferably about 3 to 500 μm, which is the limit of photolithography technology. After the etching, the resist is removed by a normal method, and the glass substrate 6 having the step structure 11 and the concavo-convex structure 12 is formed. Here, the method of forming the step structure 11 by a general photoengraving method has been described. However, the method of forming the step structure 11 may be, for example, a method using a laser beam or a method of directly applying an etching solution by an ink jet method. . When the step structure 11 is formed on the glass substrate 6 of the array substrate 3, it is preferable not to form the step structure 11 in the wiring portion in order to avoid disconnection of the wiring portion.

ガラス基板6上に通常のアレイ基板3の製造工程を行うと、上述したカラーフィルタ基板1と同様に、絶縁膜7部分で、後にシール材2に接触する部分に、ガラス基板6の段差構造11および凹凸構造12が反映され、段差構造8および凹凸構造9が形成される。これにより、後にシール材2による接着を行う際、シール材2とアレイ基板3との接触面積が大きくなり、密着力が向上する。その他の工程は実施の形態1と同様のため、説明を省略する。   When the normal array substrate 3 manufacturing process is performed on the glass substrate 6, the step structure 11 of the glass substrate 6 is formed in the insulating film 7 portion and the portion that will be in contact with the sealing material 2 later, as in the color filter substrate 1 described above. And the uneven structure 12 is reflected, and the step structure 8 and the uneven structure 9 are formed. Thereby, when adhesion | attachment by the sealing material 2 is performed later, the contact area of the sealing material 2 and the array board | substrate 3 becomes large, and adhesive force improves. Other steps are the same as those in the first embodiment, and thus description thereof is omitted.

以上のように形成された液晶表示装置20は、シール材2と基板(カラーフィルタ基板1およびアレイ基板3)との接触面積が大きいため、密着力が強く、高温高湿条件などにさらされても、外気中の水分が侵入することが少なく、高い品質を保つことができる。   Since the liquid crystal display device 20 formed as described above has a large contact area between the sealing material 2 and the substrate (the color filter substrate 1 and the array substrate 3), it has a strong adhesion and is exposed to high temperature and high humidity conditions. However, moisture in the outside air hardly enters and high quality can be maintained.

本発明の実施の形態1における液晶表示装置の構成を示した図である。It is the figure which showed the structure of the liquid crystal display device in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1における液晶表示装置の構成を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the structure of the liquid crystal display device in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態3における液晶表示装置の構成を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the structure of the liquid crystal display device in Embodiment 3 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 カラーフィルタ基板、2 シール材、3 アレイ基板、4,6 ガラス基板、5 ブラックマトリクス、7 絶縁膜、8,11 段差構造、9,12 凹凸構造、10 遮光パタン。   1 color filter substrate, 2 sealing material, 3 array substrate, 4,6 glass substrate, 5 black matrix, 7 insulating film, 8, 11 step structure, 9, 12 uneven structure, 10 light shielding pattern.

Claims (10)

対向して配設され、液晶を挟持する2枚の透明基板と、
前記2枚の透明基板の周縁部に配設され、前記2枚の透明基板を接着するシール材と、
一方の前記透明基板と前記シール材との間に配設され、前記シール材と接触する位置にピット状またはスリット状の第1の段差構造を有し、前記第1の段差構造の底面に凹凸構造を有するブラックマトリクスと、を備える液晶表示装置。
Two transparent substrates disposed opposite to each other and holding the liquid crystal;
A sealing material disposed on a peripheral portion of the two transparent substrates and bonding the two transparent substrates;
One of the transparent substrate and the sealing material is disposed between the transparent material and has a pit-shaped or slit-shaped first step structure at a position in contact with the sealing material, and the bottom surface of the first step structure is uneven. And a black matrix having a structure.
前記一方の透明基板は、前記ブラックマトリクスの前記第1の段差構造の下部に、ピット状またはスリット状の第2の段差構造を有し、前記第2の段差構造の底面に凹凸構造を有する、請求項1に記載の液晶表示装置。   The one transparent substrate has a pit-shaped or slit-shaped second step structure below the first step structure of the black matrix, and has a concavo-convex structure on the bottom surface of the second step structure. The liquid crystal display device according to claim 1. 他方の前記透明基板上であって、前記ブラックマトリクスの前記第1の段差構造と対向する領域に配設される遮光パタンをさらに備える請求項1または2に記載の液晶表示装置。   3. The liquid crystal display device according to claim 1, further comprising a light shielding pattern disposed on a region of the other transparent substrate on the other transparent substrate and facing the first step structure of the black matrix. 他方の前記透明基板と前記シール材との間に配設され、前記シール材と接触する位置にピット状またはスリット状の第3の段差構造を有し、前記第3の段差構造の底面に凹凸構造を有する絶縁膜をさらに備える請求項1から3のいずれかに記載の液晶表示装置。   A third step structure having a pit shape or a slit shape is provided between the other transparent substrate and the sealing material, and is in contact with the sealing material, and the bottom surface of the third step structure is uneven. The liquid crystal display device according to claim 1, further comprising an insulating film having a structure. 前記他方の透明基板は、前記絶縁膜の前記第3の段差構造の下部に、ピット状またはスリット状の第4の段差構造を有し、前記第4の段差構造の底面に凹凸構造を有する、請求項4に記載の液晶表示装置。   The other transparent substrate has a pit-shaped or slit-shaped fourth step structure below the third step structure of the insulating film, and has a concavo-convex structure on the bottom surface of the fourth step structure. The liquid crystal display device according to claim 4. 前記凹凸構造は、凹凸の高さが段差構造の深さよりも低くなるように形成される、請求項1から5のいずれかに記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the concavo-convex structure is formed such that a height of the concavo-convex is lower than a depth of the step structure. 対向して配設される2枚の透明基板の間に液晶を挟持する液晶表示装置の製造方法であって、
一方の前記透明基板上にブラックマトリクスを形成する工程と、
前記ブラックマトリクス上にピット状またはスリット状のレジストパタンを形成する工程と、
前記レジストパタンをマスクとしてエッチングを行い、前記ブラックマトリクスにピット状またはスリット状の第1の段差構造、前記第1の段差構造の底面に凹凸構造を形成する工程と、を備える液晶表示装置の製造方法。
A method of manufacturing a liquid crystal display device in which a liquid crystal is sandwiched between two transparent substrates disposed opposite to each other,
Forming a black matrix on one of the transparent substrates;
Forming a pit-shaped or slit-shaped resist pattern on the black matrix;
Etching using the resist pattern as a mask, and forming a pit-shaped or slit-shaped first step structure on the black matrix, and forming a concavo-convex structure on the bottom surface of the first step structure. Method.
他方の前記透明基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上にピット状またはスリット状のレジストパタンを形成する工程と、
前記レジストパタンをマスクとしてエッチングを行い、前記絶縁膜にピット状またはスリット状の第3の段差構造、前記第3の段差構造の底面に凹凸構造を形成する工程と、をさらに備える請求項7に記載の液晶表示装置の製造方法。
Forming an insulating film on the other transparent substrate;
Forming a pit-like or slit-like resist pattern on the insulating film;
The method further comprises: etching using the resist pattern as a mask to form a pit-shaped or slit-shaped third step structure in the insulating film, and forming a concavo-convex structure on a bottom surface of the third step structure. The manufacturing method of the liquid crystal display device of description.
対向して配設される2枚の透明基板の間に液晶を挟持する液晶表示装置の製造方法であって、
一方の前記透明基板上にピット状またはスリット状のレジストパタンを形成する工程と、
前記レジストパタンをマスクとしてエッチングを行い、前記透明基板にピット状またはスリット状の第2の段差構造、前記第2の段差構造の底面に凹凸構造を形成する工程と、
前記透明基板上にブラックマトリクスを形成する工程と、を備える液晶表示装置の製造方法。
A method of manufacturing a liquid crystal display device in which a liquid crystal is sandwiched between two transparent substrates disposed opposite to each other,
Forming a pit-shaped or slit-shaped resist pattern on one of the transparent substrates;
Etching using the resist pattern as a mask, forming a pit-shaped or slit-shaped second step structure on the transparent substrate, and forming a concavo-convex structure on the bottom surface of the second step structure;
And a step of forming a black matrix on the transparent substrate.
他方の前記透明基板上にピット状またはスリット状のレジストパタンを形成する工程と、
前記レジストパタンをマスクとしてエッチングを行い、前記透明基板にピット状またはスリット状の第4の段差構造、前記第4の段差構造の底面に凹凸構造を形成する工程と、
前記透明基板上に絶縁膜を形成する工程と、をさらに備える請求項9に記載の液晶表示装置の製造方法。
Forming a pit-shaped or slit-shaped resist pattern on the other transparent substrate;
Etching using the resist pattern as a mask, forming a pit-shaped or slit-shaped fourth step structure on the transparent substrate, and forming a concavo-convex structure on the bottom surface of the fourth step structure;
The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 9, further comprising: forming an insulating film on the transparent substrate.
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