JP2008287212A - Mask pattern data generation method, information processing apparatus, photomask fabrication system, and imaging device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent dot pattern symmetry from degrading. <P>SOLUTION: A method for generating mask pattern data of a photomask used to form microlenses 1003 includes: dividing the pattern formation surface of a mask pattern to be formed on the photomask into a plurality of grid cells and acquiring data which represents transmitted light distribution of the mask pattern to be formed on the photomask (S10 to S12); determining whether or not to place a shield on each of the plurality of grid cells by binarizing the plurality of grid cells in order of increasing or decreasing distance from the center of the pattern formation surface using an error diffusion method to acquire the transmitted light distribution (S13); and generating mask pattern data where the plurality of shields are arranged according to results from the determining process (S14). <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、フォトマスクの作製に関するものであり、特に、CCDやCMOS等の撮像装置の光電変換を行う受光部上方に存在するマイクロレンズを形成するためのフォトマスクの作製に関する。   The present invention relates to the production of a photomask, and more particularly to the production of a photomask for forming a microlens that exists above a light receiving portion that performs photoelectric conversion of an imaging device such as a CCD or CMOS.

従来、撮像装置には、受光部への集光効率を高めるために、画素毎に集光用のマイクロレンズが設けられている。   2. Description of the Related Art Conventionally, in an imaging apparatus, a condensing microlens is provided for each pixel in order to increase the light condensing efficiency to the light receiving unit.

マイクロレンズは、フォトリソグラフィ法を用いて感光性樹脂を各画素に対応するように島状に形成し、この島状の樹脂パターンを加熱して軟化させ、その表面張力によって樹脂表面を球面化することによって形成されている。   The microlens is formed by using a photolithographic method to form a photosensitive resin in an island shape so as to correspond to each pixel. The island-shaped resin pattern is heated and softened, and the resin surface is made spherical by its surface tension. It is formed by.

画素の微細化に伴い、撮像装置の感度の低下が生じている。そこで、集光効率を高めるために、マイクロレンズの間隔に入射する光も集光するためにマイクロレンズ同士の間隔を狭めることが望まれている。しかしながら、樹脂パターンを加熱によって軟化させる方法を用いた場合、マイクロレンズ間隔を狭めることが難しい。これは、加熱処理で樹脂を軟化させることによって隣接するレンズ同士が接触することを防ぐために、レンズ間にある程度の隙間を設ける必要があるからである。   With the miniaturization of the pixels, the sensitivity of the imaging device is reduced. Therefore, in order to improve the light collection efficiency, it is desired to reduce the interval between the microlenses in order to collect the light incident on the interval between the microlenses. However, when the method of softening the resin pattern by heating is used, it is difficult to narrow the microlens interval. This is because it is necessary to provide a certain gap between the lenses in order to prevent the adjacent lenses from contacting each other by softening the resin by heat treatment.

これに対し、微細なドットが複数個配置されたドットパターンによって露光光の透過光量を制御可能なフォトマスクを用いて感光性樹脂を露光し、現像処理を行って、マイクロレンズを形成する方法が提案されている(特許文献1及び特許文献2)。
特開2004−145319号公報 特開2004−700875号公報
On the other hand, there is a method of forming a microlens by exposing a photosensitive resin using a photomask capable of controlling the amount of exposure light transmitted by a dot pattern in which a plurality of fine dots are arranged, and performing development processing. It has been proposed (Patent Document 1 and Patent Document 2).
JP 2004-145319 A Japanese Patent Laid-Open No. 2004-700875

しかしながら、特許文献1及び特許文献2の技術では、ドットパターンの配置が画素中心に対して同心円状ではなく、画素中心に対する対称性も低い。このようなドットパターンの配置では、透過光量分布が球面分布にはならず、画素中心に対する透過光量分布が非対称性となる。その結果、マイクロレンズの形状が所望の形状とならず、光学的な特性(焦点距離やFnoの比例性等)の設計値からのずれが生ずる可能性がある。   However, in the techniques of Patent Document 1 and Patent Document 2, the arrangement of the dot pattern is not concentric with respect to the pixel center, and the symmetry with respect to the pixel center is low. In such a dot pattern arrangement, the transmitted light amount distribution is not a spherical distribution, and the transmitted light amount distribution with respect to the pixel center is asymmetric. As a result, the shape of the microlens does not become a desired shape, and there is a possibility that a deviation from the design value of optical characteristics (focal length, proportionality of Fno, etc.) may occur.

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、ドットパターンの対称性の劣化を抑えることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to suppress the deterioration of the symmetry of the dot pattern.

本発明の第1の側面は、マイクロレンズを形成するためのフォトマスクのマスクパターンデータを生成する方法に係り、前記フォトマスクに形成すべきマスクパターンのパターン形成面を複数の格子に分割する工程と、前記フォトマスクに形成すべきマスクパターンの透過光量分布を示すデータを取得する工程と、前記透過光量分布が得られるように、前記複数の格子のうち前記パターン形成面の中心からの距離が近い格子から順に誤差分散法による二値化処理を行って、前記複数の格子の各々に遮蔽部を配置するか否かを決定する工程と、前記決定する工程での結果に基づいて前記複数の遮蔽部が配置されたマスクパターンデータを生成する工程と、を含むことを特徴とする。   A first aspect of the present invention relates to a method of generating mask pattern data of a photomask for forming a microlens, and a step of dividing a pattern formation surface of a mask pattern to be formed on the photomask into a plurality of lattices A step of acquiring data indicating a transmitted light amount distribution of a mask pattern to be formed on the photomask, and a distance from a center of the pattern forming surface of the plurality of lattices so as to obtain the transmitted light amount distribution. Performing binarization processing by an error dispersion method in order from the nearest grid, determining whether or not to arrange a shielding part in each of the plurality of grids, and based on the results of the determining step Generating mask pattern data in which the shielding part is arranged.

本発明の第2の側面は、マイクロレンズを形成するためのフォトマスクのマスクパターンデータを生成する方法に係り、前記フォトマスクに形成すべきマスクパターンのパターン形成面を複数の格子に分割する工程と、前記フォトマスクに形成すべきマスクパターンの透過光量分布を示すデータを取得する工程と、前記透過光量分布が得られるように、前記複数の格子のうち前記パターン形成面の中心からの距離が遠い格子から順に誤差分散法による二値化処理を行って、前記複数の格子の各々に遮蔽部を配置するか否かを決定する工程と、前記決定する工程での結果に基づいて前記複数の遮蔽部が配置されたマスクパターンデータを生成する工程と、を含むことを特徴とする。   A second aspect of the present invention relates to a method of generating mask pattern data of a photomask for forming a microlens, and a step of dividing a pattern formation surface of a mask pattern to be formed on the photomask into a plurality of lattices A step of acquiring data indicating a transmitted light amount distribution of a mask pattern to be formed on the photomask, and a distance from a center of the pattern forming surface of the plurality of lattices so as to obtain the transmitted light amount distribution. Performing binarization processing by an error dispersion method in order from a distant lattice, determining whether or not to arrange a shielding portion in each of the plurality of lattices, and based on the results of the determining step Generating mask pattern data in which the shielding part is arranged.

本発明の第3の側面は、情報処理装置に係り、フォトマスクに形成すべきマスクパターンのパターン形成面を複数の格子に分割する手段と、マイクロレンズを形成するための前記フォトマスクに形成すべきマスクパターンの透過光量分布を示すデータを取得する手段と、前記透過光量分布が得られるように、前記複数の格子のうち前記パターン形成面の中心からの距離が近い格子から順に誤差分散法による二値化処理を行って、前記複数の格子の各々に遮蔽部を配置するか否かを決定する手段と、前記決定する手段での結果に基づいて前記複数の遮蔽部が配置されたマスクパターンデータを生成する手段と、を備えることを特徴とする。   A third aspect of the present invention relates to an information processing apparatus, and is formed on the photomask for forming a microlens and means for dividing a pattern formation surface of a mask pattern to be formed on a photomask into a plurality of lattices. Means for obtaining data indicating the transmitted light amount distribution of the power mask pattern, and the error dispersion method in order from the lattice having the closest distance from the center of the pattern forming surface among the plurality of lattices so as to obtain the transmitted light amount distribution. Means for performing binarization processing to determine whether or not to arrange a shielding portion on each of the plurality of lattices, and a mask pattern in which the plurality of shielding portions are arranged based on a result of the determining means; Means for generating data.

本発明の第4の側面は、情報処理装置に係り、フォトマスクに形成すべきマスクパターンのパターン形成面を複数の格子に分割する手段と、マイクロレンズを形成するための前記フォトマスクに形成すべきマスクパターンの透過光量分布を示すデータを取得する手段と、前記透過光量分布が得られるように、前記複数の格子のうち前記パターン形成面の中心からの距離が遠い格子から順に誤差分散法による二値化処理を行って、前記複数の格子の各々に遮蔽部を配置するか否かを決定する手段と、前記決定する手段での結果に基づいて前記複数の遮蔽部が配置されたマスクパターンデータを生成する手段と、を備えることを特徴とする。   A fourth aspect of the present invention relates to an information processing apparatus, and is formed on the photomask for forming a microlens and means for dividing a pattern formation surface of a mask pattern to be formed on a photomask into a plurality of lattices. Means for acquiring data indicating the transmitted light amount distribution of the power mask pattern, and the error dispersion method in order from the lattice having a distance from the center of the pattern formation surface among the plurality of lattices so as to obtain the transmitted light amount distribution. Means for performing binarization processing to determine whether or not to arrange a shielding portion on each of the plurality of lattices, and a mask pattern in which the plurality of shielding portions are arranged based on a result of the determining means; Means for generating data.

本発明の第5の側面は、フォトマスク作製システムに係り、上記の情報処理装置と、前記情報処理装置により生成されたマスクパターンデータに基づいてフォトマスクを作製する描画装置と、を備えることを特徴とする。   A fifth aspect of the present invention relates to a photomask manufacturing system, comprising: the information processing apparatus described above; and a drawing apparatus that manufactures a photomask based on mask pattern data generated by the information processing apparatus. Features.

本発明の第6の側面は、撮像素子に係り、光を信号電荷に変換する光電変換手段と、上記のフォトマスク作製システムにより作製されたフォトマスクを用いて形成された、光を前記光電変換手段に集光するためのマイクロレンズと、を備えることを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an imaging device, wherein photoelectric conversion means for converting light into signal charge and a photomask manufactured by the above-described photomask manufacturing system are used to convert light to the photoelectric conversion. And a microlens for condensing on the means.

本発明によれば、ドットパターンの対称性の劣化を抑えることができる。   According to the present invention, it is possible to suppress the deterioration of the symmetry of the dot pattern.

以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described in detail with reference to the drawings.

(第1の実施形態)
図1は、本発明の好適な第1の実施形態に係るフォトマスク作製システムの構成を示すブロック図である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a photomask manufacturing system according to a preferred first embodiment of the present invention.

図1において、フォトマスク作製システム100は、情報処理装置101と、描画装置102と、検査装置103と、欠陥修正装置104と、を備える。情報処理装置101は、取得した後述する各種データに基づいてマスクパターンデータ105を生成する。さらに、情報処理装置101は、生成したマスクパターンデータ105を描画装置102に対応した描画データに変換する。描画装置102は、情報処理装置101で作成された描画データに基づいて、縮小転写方式又は直接描画方式によりフォトマスクを作製する。検査装置103は、フォトマスクの欠陥を検査し、ドットパターンが設計通りに形成されたかどうかを調べる。検査方法としては種々の方法があり、特定の検査方法に限定されないが、例えばマスクパターンデータ105とフォトマスクの光学像の電気信号とを比較して検査を行う方法を用いることができる。欠陥修正装置104は、検査装置103によって検出された欠陥を修正する。修正方法としては種々の方法があり、特定の限定に限定されないが、例えばレーザビーム法やイオンビーム法を用いることができる。なお、マスクパターンデータ105とは、描画装置102でマスクパターンを描画するための設計データをいう。また、描画データとは、マスクパターンを描画装置102に対応するデータ形式に変換したデータをいう。   In FIG. 1, a photomask manufacturing system 100 includes an information processing apparatus 101, a drawing apparatus 102, an inspection apparatus 103, and a defect correction apparatus 104. The information processing apparatus 101 generates mask pattern data 105 based on the acquired various data described later. Further, the information processing apparatus 101 converts the generated mask pattern data 105 into drawing data corresponding to the drawing apparatus 102. The drawing apparatus 102 produces a photomask by a reduction transfer method or a direct drawing method based on the drawing data created by the information processing apparatus 101. The inspection apparatus 103 inspects the defect of the photomask and checks whether the dot pattern is formed as designed. There are various inspection methods, and the inspection method is not limited to a specific inspection method. For example, a method of performing inspection by comparing the mask pattern data 105 with an electrical signal of an optical image of a photomask can be used. The defect correcting device 104 corrects the defect detected by the inspection device 103. There are various correction methods, which are not limited to specific limitations. For example, a laser beam method or an ion beam method can be used. Note that the mask pattern data 105 refers to design data for drawing a mask pattern by the drawing apparatus 102. The drawing data refers to data obtained by converting the mask pattern into a data format corresponding to the drawing apparatus 102.

図2は、フォトマスク作製システム100を用いたフォトマスク作製方法を示すフローチャートである。   FIG. 2 is a flowchart showing a photomask manufacturing method using the photomask manufacturing system 100.

ステップS10では、各種データを準備する。各種データには、微小なレンズ(以下「マイクロレンズ」という。)形成用の感光性樹脂の感度曲線及び所望のレンズ形状データが含まれる。マイクロレンズ形成用の感光性樹脂の感度曲線は、露光量に対する感光性樹脂の残膜厚の変化を示す曲線である。通常、ポジ型感光性樹脂の感度曲線は図3のようになる。なお、図3においては、露光量、残膜厚ともに正規化して図示してある。   In step S10, various data are prepared. The various data includes a sensitivity curve of photosensitive resin for forming a minute lens (hereinafter referred to as “microlens”) and desired lens shape data. The sensitivity curve of the photosensitive resin for forming a microlens is a curve showing a change in the remaining film thickness of the photosensitive resin with respect to the exposure amount. Usually, the sensitivity curve of the positive photosensitive resin is as shown in FIG. In FIG. 3, both the exposure amount and the remaining film thickness are normalized.

ステップS11では、情報処理装置101は、ステップS10で準備した各種データに基づいて、フォトマスクに形成すべきマスクパターンの透過光量分布を表現する関数z=F(x、y)を決定する。ステップS10で準備した感度曲線を用いれば、所望のレンズ形状を形成するための透過光量(被照射体への露光量)を、フォトマスクのパターンが形成されるX−Y平面(パターン形成面)上の位置に対する関数として表現することができる。ここで、あるレンズ形状を図3の感度曲線を用いて作製する例を挙げる。X−Y平面上の位置を画素中心からの距離とすると、画素中心からの距離と透過光量(透過率ともいう)の関係は図4のようになり、この関係は図4に示したような2次関数で近似することができる。情報処理装置101は、フォトマスクのパターンを形成するx−y平面をピッチWを持つ複数の格子に分割したときの各格子の座標値x、yに対し、z座標上の透過光量z値を算出する。すると、上記で求めた画素中心からの距離に対する透過光量の関係を表した2次関数はz=F(x、y)となる。 In step S11, the information processing apparatus 101 determines a function z = F (x, y) representing the transmitted light amount distribution of the mask pattern to be formed on the photomask based on the various data prepared in step S10. If the sensitivity curve prepared in step S10 is used, the transmitted light amount (exposure amount to the irradiated object) for forming a desired lens shape is changed to an XY plane (pattern forming surface) on which a photomask pattern is formed. It can be expressed as a function of the upper position. Here, an example in which a certain lens shape is produced using the sensitivity curve of FIG. If the position on the XY plane is the distance from the pixel center, the relationship between the distance from the pixel center and the amount of transmitted light (also referred to as transmittance) is as shown in FIG. 4, and this relationship is as shown in FIG. It can be approximated by a quadratic function. The information processing apparatus 101, to coordinates x, y of each grid when dividing the the x-y plane to form a pattern of the photomask to the plurality of grid with pitch W 1, transmitted light quantity z value on z-coordinate Is calculated. Then, a quadratic function representing the relationship between the amount of transmitted light and the distance from the pixel center determined above is z = F (x, y).

ステップS11で算出した2次関数を用いて座標値x、yに対するz値を算出し、所望のレンズ形状を得るための1画素の透過光量分布を表したものが図5(a)である。また、図5(b)は、図5(a)に示した透過光量分布の一部を抜粋し、座標値x、yに対する透過光量z値を示した一覧表である。透過光量z値を算出する際のピッチWは、マイクロレンズ形成に用いる露光装置の解像限界長さ(解像度に対応)よりも小さなサイズとする。例えば、露光光の波長が365nmで4倍レチクル(フォトマスク)を用いた場合には、フォトマスク上でのドットの一辺の寸法が0.96μm(=960nm)以上であると、フォトマスク上のドットパターンが感光性樹脂に解像してしまう。その結果、滑らかな所望のレンズ形状を形成できないことが実験で確かめられている。また、下限はフォトマスクを形成する際の描画装置102の解像限界長さを基準に定まる。一方、フォトマスク上でのドットの一辺の寸法が0.24μm(=240nm)〜0.72μm(=720nm)μmである場合には、露光光の波長365nmで解像しないことが確かめられている。従って、描画装置102上の格子のピッチWは、60nm〜180nm(フォトマスク上で240nm〜720nm)の範囲内にあることが好ましい。ここで、「ドット」とは、上記の格子と同一形状の遮蔽部を意味し、各格子の重心点一つに対し一つ配置される。また、ドット(遮蔽部)は、鋭角を持たない形状であることが好ましく、正方格子であることがより好ましい。 FIG. 5A shows a transmitted light amount distribution of one pixel for obtaining a desired lens shape by calculating z values for the coordinate values x and y using the quadratic function calculated in step S11. FIG. 5B is a list showing a part of the transmitted light amount distribution shown in FIG. 5A and showing the transmitted light amount z value with respect to the coordinate values x and y. The pitch W 1 when calculating the transmitted light amount z value is smaller than the resolution limit length (corresponding to the resolution) of the exposure apparatus used for forming the microlens. For example, when the wavelength of exposure light is 365 nm and a quadruple reticle (photomask) is used, if the size of one side of the dot on the photomask is 0.96 μm (= 960 nm) or more, The dot pattern is resolved in the photosensitive resin. As a result, it has been confirmed by experiments that a smooth desired lens shape cannot be formed. The lower limit is determined based on the resolution limit length of the drawing apparatus 102 when forming the photomask. On the other hand, when the size of one side of the dot on the photomask is 0.24 μm (= 240 nm) to 0.72 μm (= 720 nm) μm, it is confirmed that no resolution is obtained at the wavelength of exposure light of 365 nm. . Therefore, it is preferable that the pitch W 1 of the grating on the drawing apparatus 102 is in the range of 60 nm to 180 nm (240 nm to 720 nm on the photomask). Here, the “dot” means a shielding part having the same shape as the above-described grid, and one dot is arranged for each barycentric point of each grid. Moreover, it is preferable that a dot (shielding part) is a shape which does not have an acute angle, and it is more preferable that it is a square lattice.

ステップS12では、X−Y平面を所定のピッチで区切った格子の座標(x,y)の画素中心(x0,y0)からの距離rを数式1に基づいて算出する。   In step S12, the distance r from the pixel center (x0, y0) of the coordinates (x, y) of the grid obtained by dividing the XY plane at a predetermined pitch is calculated based on the equation (1).

r=((x−x02+(y−y021/2…(数式1)。 r = ((x−x 0 ) 2 + (y−y 0 ) 2 ) 1/2 (Formula 1).

ステップS13では、情報処理装置101は、露光光の透過光量を制御するために、算出したz座標上の透過光量z値に対し、後述する順序で誤差分散法(誤差拡散法)による二値化処理を実施する。そして、情報処理装置101は、分割した各格子におけるクロム遮光(遮蔽部)の配置の有無を決定し、一辺がWの長さを持つドットのパターンを生成する。 In step S13, the information processing apparatus 101 binarizes the calculated transmitted light amount z value on the z coordinate by an error dispersion method (error diffusion method) in the order described later in order to control the transmitted light amount of exposure light. Perform the process. Then, the information processing apparatus 101 determines whether or not the chrome light shielding (shielding portion) is disposed in each divided grid, and generates a dot pattern having a length of W 1 on one side.

ステップS14では、情報処理装置101は、ステップS13で生成されたドットパターンをCAD等の描画装置でのX−Y平面上に配置した、マスクパターンデータを生成する(図9(b)に対応)。さらに、情報処理装置101は、生成したマスクパターンデータを描画装置102に対応した描画データに変換する。   In step S14, the information processing apparatus 101 generates mask pattern data in which the dot pattern generated in step S13 is arranged on the XY plane in a drawing apparatus such as CAD (corresponding to FIG. 9B). . Further, the information processing apparatus 101 converts the generated mask pattern data into drawing data corresponding to the drawing apparatus 102.

ステップS15では、描画装置102は、ステップS14で生成した描画データを用いて、フォトマスクを作製する。   In step S15, the drawing apparatus 102 produces a photomask using the drawing data generated in step S14.

ステップS16では、検査装置103は、パターンが設計通りに形成されたかどうかを検査する。   In step S16, the inspection apparatus 103 inspects whether or not the pattern is formed as designed.

ステップS17では、欠陥修正装置104は、検査装置103によって検出された欠陥を修正する。   In step S <b> 17, the defect correction device 104 corrects the defect detected by the inspection device 103.

次に、図2のステップS13における誤差分散法による二値化処理の手順について図6を用いて説明する。   Next, the procedure of binarization processing by the error variance method in step S13 of FIG. 2 will be described using FIG.

図6では、横方向をX座標、縦方向をY座標とし、所定のピッチで分割された格子に座標(x,y)に対する透過光量zが配列されているものとする。図6では、5×5の格子に分割したものを例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されない。ここで、二値化とは、閾値よりも透過光量の値が大きい場合には1を割り振り、閾値よりも透過光量の値が小さい場合には0を割り振ることを意味する。また、本実施形態では、透過光量の中間値である0.5を閾値として二値化を行うが、本発明はこれに限定されない。1が割り振られた格子は、開口部(クロム遮光膜無し)、0が割り振られた格子は遮光部(クロム遮光膜有り、すなわちドット)となる。二値化処理は、画素中心の格子から開始し、画素中心からの距離rの値が小さい格子から順に反時計回りに処理を行う。   In FIG. 6, it is assumed that the horizontal direction is the X coordinate and the vertical direction is the Y coordinate, and the transmitted light quantity z with respect to the coordinates (x, y) is arranged in a grid divided at a predetermined pitch. In FIG. 6, an example in which the grid is divided into 5 × 5 grids will be described, but the present invention is not limited to this. Here, binarization means that 1 is assigned when the value of the transmitted light amount is larger than the threshold value, and 0 is assigned when the value of the transmitted light amount is smaller than the threshold value. Further, in this embodiment, binarization is performed with an intermediate value of the transmitted light amount of 0.5 as a threshold value, but the present invention is not limited to this. A grid assigned 1 is an opening (no chrome light shielding film), and a grid assigned 0 is a light shielding part (with a chrome light shielding film, that is, a dot). The binarization processing starts from a lattice at the pixel center, and performs processing counterclockwise in order from a lattice having a smaller value of the distance r from the pixel center.

まず、図6(a)に示すように、画素中心の格子では、中間値である0.5を閾値として二値化を行い、透過光量が0.1から0となる。   First, as shown in FIG. 6A, in the lattice at the pixel center, binarization is performed with an intermediate value of 0.5 as a threshold value, and the transmitted light amount becomes 0.1 to 0.

次いで、図6(b)に示すように、二値化によって生じた誤差(0.1−0=0.1)を、二値化された格子に隣接する8つの格子に重み付け加算(又は減算)する。図7は、重み付けの一例を示す図である。図7では、上下左右の格子に対しては1の重み付けを割り振り、左上、右上、左下、右下の格子に対し、0.5の重み付けを割り振っている。従って、上の格子の透過光量は(図6(b)では(1))、0.2+0.1/(1+1+1+1+0.5+0.5+0.5+0.5)=0.22となる。以下同様に、図7の重み付けに基づいて、隣接する格子の透過光量に対し、重み付けがなされる。   Next, as shown in FIG. 6B, the error (0.1-0 = 0.1) caused by the binarization is weighted and added (or subtracted) to eight grids adjacent to the binarized grid. ) FIG. 7 is a diagram illustrating an example of weighting. In FIG. 7, a weight of 1 is assigned to the upper, lower, left, and right grids, and a weight of 0.5 is assigned to the upper left, upper right, lower left, and lower right grids. Therefore, the amount of light transmitted through the upper grid ((1) in FIG. 6B) is 0.2 + 0.1 / (1 + 1 + 1 + 1 + 0.5 + 0.5 + 0.5 + 0.5) = 0.22. Similarly, weighting is performed on the transmitted light amount of the adjacent grating based on the weighting of FIG.

次いで、図6(c)に示すように、隣接する格子に移動し、上述の二値化を行う。図6(c)では、移動後の格子において、中間値である0.5を閾値として二値化を行い、透過光量が0.22から0となる。   Next, as shown in FIG. 6 (c), it moves to an adjacent lattice and performs the above binarization. In FIG. 6C, binarization is performed with the intermediate value 0.5 as a threshold value in the lattice after movement, and the transmitted light amount is changed from 0.22 to 0.

次いで、図6(d)に示すように、二値化によって生じた誤差(0.22−0=0.22)を、図7の重み付けに基づいて二値化された格子に隣接する8つの格子に重み付け加算(又は減算)する。図6(d)では、上に位置する格子の透過光量は、0.21+0.22/(1+1+1+0.5+0.5+0.5+0.5)=0.22となる。以下同様に、図7の重み付けに基づいて、隣接する格子の透過光量に対し、重み付けがなされる。なお、二値化処理が終了した格子に対しては、誤差を重み付け加算(又は減算)しない。   Next, as shown in FIG. 6 (d), the error (0.22-0 = 0.22) caused by the binarization is reduced to eight adjacent to the binarized grid based on the weighting of FIG. Weighted addition (or subtraction) to the grid. In FIG. 6D, the amount of light transmitted through the upper grating is 0.21 + 0.22 / (1 + 1 + 1 + 0.5 + 0.5 + 0.5 + 0.5) = 0.22. Similarly, weighting is performed on the transmitted light amount of the adjacent grating based on the weighting of FIG. It should be noted that the error is not weighted (or subtracted) from the lattice after the binarization processing is completed.

図6(e)では、矢印で示した順序で同様の処理を行っている。すなわち、画素中心の格子から開始した後は、右、上、左、下、右上、左上、左下、右下の順序で各格子を処理し、更にその外側の格子のうち画素中心からの距離rが近い格子の順で処理する。このように、中心画素から等距離の画素毎に渦巻き状に二値化処理を行うため、画素中心に対して同心円状かつ対称性の高いドットのパターン配置を得ることができる。   In FIG. 6E, the same processing is performed in the order indicated by the arrows. That is, after starting from the pixel center grid, each grid is processed in the order of right, top, left, bottom, top right, top left, bottom left, bottom right, and the distance r from the pixel center of the grids outside the grid. Process in the order of the closest grids. As described above, since the binarization process is performed in a spiral manner for each pixel equidistant from the center pixel, it is possible to obtain a concentric and highly symmetric dot pattern arrangement with respect to the pixel center.

図9は、図6に示す二値化処理よって得られたドットパターンを示す図である。図9(a)は、枠Aで囲まれた範囲で開口した格子の割合(開口率)を算出したものである。図9(b)は、0を遮光部(ドット)、1を開口部としたときのドットパターンを表している。図9(a)に示すように、右上の領域では開口率が26%、左上の領域では開口率が27%、左下の領域では開口率が25%、右下の領域では開口率が26%であった。   FIG. 9 is a diagram showing a dot pattern obtained by the binarization process shown in FIG. FIG. 9A shows the calculated ratio (aperture ratio) of the lattices opened in the range surrounded by the frame A. FIG. FIG. 9B shows a dot pattern when 0 is a light shielding portion (dot) and 1 is an opening. As shown in FIG. 9A, the aperture ratio is 26% in the upper right area, the aperture ratio is 27% in the upper left area, the aperture ratio is 25% in the lower left area, and the aperture ratio is 26% in the lower right area. Met.

図10は、比較例として、特許文献2(図10(a)(ハ)を参照)に記載された、画素中心から四隅方向に誤差分散法による二値化処理を行ったときのドットパターンを示す図である。図10(a)は、枠Bで囲まれた範囲で開口した格子の割合(開口率)を算出したものである。図10(b)は、0を遮光部(ドット)、1を開口部としたときのドットパターンを表している。図10(a)に示すように、右上の領域では開口率が31%、左上の領域では開口率が33%、左下の領域では開口率が31%、右下の領域では開口率が28%であった。   FIG. 10 shows, as a comparative example, dot patterns obtained by performing binarization processing by the error dispersion method from the pixel center to the four corner directions described in Patent Document 2 (see FIGS. 10A and 10C). FIG. FIG. 10A shows the calculated ratio (aperture ratio) of the lattices opened in the range surrounded by the frame B. FIG. FIG. 10B shows a dot pattern when 0 is a light shielding portion (dot) and 1 is an opening. As shown in FIG. 10A, the aperture ratio is 31% in the upper right region, 33% in the upper left region, 31% in the lower left region, and 28% in the lower right region. Met.

このように、図9に示すドットパターンは、開口率のずれが2%しかなく、ほぼ対称な配置となった。一方、図10に示すドットパターンは、開口率のずれが5%あり、その配置の対称性も図9のドットパターンより低かった。   As described above, the dot pattern shown in FIG. 9 has an aperture ratio shift of only 2% and has a substantially symmetrical arrangement. On the other hand, the dot pattern shown in FIG. 10 has a deviation of 5% in the aperture ratio, and its arrangement symmetry is also lower than that of the dot pattern of FIG.

以上のように、本実施形態に係る二値化処理によって、ドットパターンの対称性の劣化を抑えることができた。これにより、レンズ形状の歪みが少ない品質のよいマイクロレンズを作製することができる。   As described above, the binarization processing according to the present embodiment can suppress the deterioration of the symmetry of the dot pattern. Thereby, a good quality microlens with less distortion of the lens shape can be produced.

なお、本実施形態の説明においては、フォトマスクに形成すべきマスクパターンの透過光量分布を示すデータを用いる場合について説明した。しかしながら、例えば、フォトマスクに形成すべきマスクパターンの透過光量分布を示すデータを予め取得し、これを用いる場合にも本発明は適用可能である。   In the description of the present embodiment, the case where data indicating the transmitted light amount distribution of the mask pattern to be formed on the photomask is used. However, for example, the present invention can also be applied to the case where data indicating the transmitted light amount distribution of a mask pattern to be formed on a photomask is acquired in advance and used.

また、本実施形態の説明においては、フォトマスクに形成すべきマスクパターンの透過光量分布を用いる場合について説明したが、フォトマスクに形成すべきマスクパターンの遮蔽量分布を用いる場合も本発明に含まれる。   In the description of the present embodiment, the case where the transmitted light amount distribution of the mask pattern to be formed on the photomask is used. However, the present invention includes the case where the masking amount distribution of the mask pattern to be formed on the photomask is used. It is.

(第2の実施形態)
第1の実施形態では、図2のステップS13において、誤差分散法による二値化処理を図8(a)に示すように、渦巻き状の方向で実施したが、誤差分散法による二値化処理を他の方向で行ってもよい。このような二値化処理としては、図8(b)に示すように、中心画素から距離rが近い順に時計回りの方向で二値化処理を行ってもよい。また、図8(c)又は図8(d)に示すように、中心画素から距離rが遠い順に二値化処理を行ってもよい。ただし、対称性の劣化を抑えるために、画素中心からの距離rが近い格子の順に処理するか、画素中心からの距離rが遠い格子の順に処理するかのいずれかで処理を行わなければならない。
(Second Embodiment)
In the first embodiment, the binarization process by the error dispersion method is performed in the spiral direction as shown in FIG. 8A in step S13 of FIG. 2, but the binarization process by the error dispersion method is performed. May be performed in other directions. As such binarization processing, as shown in FIG. 8B, the binarization processing may be performed in the clockwise direction in the order of the distance r from the center pixel. Further, as shown in FIG. 8C or FIG. 8D, the binarization process may be performed in the order of the distance r from the center pixel. However, in order to suppress the deterioration of symmetry, the processing must be performed in either order of the grids with the distance r from the pixel center closer or processing in the order of the grids with the distance r away from the pixel center. .

(第3の実施形態)
第1の実施形態及び第2の実施形態では、図2のステップS13において1画素を所定のピッチWで分割した格子を用いて二値化処理を行った。この手法は生成するドットパターンの対称性の劣化を抑えることができるものの、所望のレンズ形状を得るための透過光量分布を再現することができない場合がある。これは、画素の内部に存在する格子は図12(a)のように多方向(8方向)に誤差を重み付け加算(又は減算)できるのに対し、最外周の格子は図12(b)のように少数の方向(2方向)でしか誤差を重み付け加算(又は減算)できないからである。このため、誤差を重み付け加算(又は減算)できる格子数が減少し、他の格子と同等な重み付け加算(又は減算)ができなくなりうる。すなわち、最外周の格子を二値化処理する際に適切な二値化が行われていない可能性がある。
(Third embodiment)
In the first embodiment and the second embodiment was conducted binarization processing using a grid obtained by dividing one pixel in step S13 in FIG. 2 at a predetermined pitch W 1. Although this method can suppress the deterioration of symmetry of the generated dot pattern, it may not be able to reproduce the transmitted light amount distribution for obtaining a desired lens shape. This is because the grid existing inside the pixel can add (or subtract) errors in multiple directions (8 directions) as shown in FIG. 12A, whereas the outermost grid is shown in FIG. This is because the error can be weighted and added (or subtracted) only in a small number of directions (two directions). For this reason, the number of grids capable of weighted addition (or subtraction) of errors decreases, and weighted addition (or subtraction) equivalent to other grids may not be possible. That is, there is a possibility that appropriate binarization is not performed when binarizing the outermost periphery grid.

上記の課題を解決するため、画素の最外周に存在する格子に隣接するように図13(a)のように付加的な格子(ダミー格子)を最外周の格子の外側に追加する。そして、最外周の格子の誤差を重み付け加算(又は減算)できる格子数を増やした上で二値化処理を行うと良い。すなわち、最外周の格子の誤差を重み付け加算(又は減算)できる格子の数と、画素の内部に存在する格子の誤差を重み付け加算(又は減算)できる格子の数と一致させることが可能となる。ダミー格子は二値化処理を行う際に誤差を重み付け加算(又は減算)する時のみ用いる格子であり、ダミー格子の二値化処理結果を図2のステップS14では用いない。このように、ダミー格子を追加して二値化処理を行うことによって適切なクロム遮光の配置を行うことができ、結果として所望のレンズ形状を得るための透過光量分布を再現できるドットパターン配置を作製することができる。図12(c)はダミー格子を用いなかった場合における最外周格子の誤差分散処理の結果を示す図である。処理格子に隣接する格子の重み付け加算(又は減算)後の値は、ダミー格子を用いた場合の図13(b)とは異なる値となる。この値の差が、所望のレンズ形状を得るための透過光量分布からのずれに相当する。   In order to solve the above problem, an additional lattice (dummy lattice) is added outside the outermost periphery lattice as shown in FIG. 13A so as to be adjacent to the lattice existing on the outermost periphery of the pixel. Then, the binarization process may be performed after increasing the number of grids that can be weighted (or subtracted) from the error of the outermost grid. That is, it is possible to match the number of grids that can be weighted (or subtracted) with errors in the outermost grid and the number of grids that can be weighted (or subtracted) with errors in the grid existing inside the pixel. The dummy grid is a grid used only when the error is weighted and added (or subtracted) when performing the binarization process, and the binarization process result of the dummy grid is not used in step S14 of FIG. In this way, by adding a dummy lattice and performing binarization processing, it is possible to perform appropriate chrome shading arrangement, and as a result, a dot pattern arrangement that can reproduce the transmitted light amount distribution to obtain a desired lens shape Can be produced. FIG. 12C is a diagram showing a result of error dispersion processing of the outermost periphery lattice when no dummy lattice is used. The value after the weighted addition (or subtraction) of the grid adjacent to the processing grid is different from that in FIG. 13B when the dummy grid is used. This difference in value corresponds to a deviation from the transmitted light amount distribution for obtaining a desired lens shape.

上記のダミー格子を追加した二値化処理方法は、第1の実施形態及び第2の実施形態に示した二値化処理方向に限らず、画素の最外周に存在する格子の二値化処理時に適切な結果を出すことができる方法である。第1の実施形態及び第2の実施形態と併せて用いることにより、対称性の劣化が抑えられた、所望のレンズ形状を得るためのドットパターン配置を得ることができる。特に、レンズ(曲率)が画素の最外周まで及ぶ場合に、所望のレンズ形状を得るためのドットパターン配置を得ることが可能となる。   The binarization processing method to which the dummy lattice is added is not limited to the binarization processing direction shown in the first embodiment and the second embodiment, and the binarization processing of the lattice existing on the outermost periphery of the pixel It is a method that can sometimes give appropriate results. By using in combination with the first embodiment and the second embodiment, it is possible to obtain a dot pattern arrangement for obtaining a desired lens shape in which deterioration of symmetry is suppressed. In particular, when the lens (curvature) extends to the outermost periphery of the pixel, it is possible to obtain a dot pattern arrangement for obtaining a desired lens shape.

(応用例)
図11は、本発明の好適な実施形態に係るフォトマスク作製システム100を用いて作製したマイクロレンズを備える撮像素子の構成を示す図である。撮像素子には、複数の画素が2次元配列され、各画素にマイクロレンズが配置される。フォトマスク(レチクル)上には、図9(又は図13)のようにして得られたマスクパターンを複数配列することが好ましい。なお、図13に示すダミー格子を用いる場合には、1画素目のマスクパターンを形成した後に、ダミー格子を除いた部分のマスクパターンを複数配列し、複数画素に対応したマスクパターンを形成することができる。このようなフォトマスク(レチクル)を用いて、複数のマイクロレンズ(マイクロレンズアレイ)が、周知のリソグラフィー技術により基板1001上に形成される。撮像素子は、基板1001に形成された光電変換手段1002と、フォトマスク作製システム100を用いて2次元配列されたマイクロレンズ1003と、カラーフィルタ1004とを備える。光電変換手段1002は、光を信号電荷に変換して蓄積するフォトダイオードなどの光電変換手段である。マイクロレンズ1003は、光電変換手段1002に光を集光する。カラーフィルタ1004は、マイクロレンズ1003と光電変換手段1002との間に配置される。
(Application examples)
FIG. 11 is a diagram illustrating a configuration of an image sensor including a microlens manufactured using a photomask manufacturing system 100 according to a preferred embodiment of the present invention. In the imaging device, a plurality of pixels are two-dimensionally arranged, and a microlens is disposed in each pixel. A plurality of mask patterns obtained as shown in FIG. 9 (or FIG. 13) are preferably arranged on the photomask (reticle). When the dummy grid shown in FIG. 13 is used, after the mask pattern for the first pixel is formed, a plurality of mask patterns excluding the dummy grid are arranged to form a mask pattern corresponding to the plurality of pixels. Can do. Using such a photomask (reticle), a plurality of microlenses (microlens array) are formed on the substrate 1001 by a known lithography technique. The imaging device includes photoelectric conversion means 1002 formed on a substrate 1001, microlenses 1003 that are two-dimensionally arrayed using a photomask manufacturing system 100, and a color filter 1004. The photoelectric conversion means 1002 is a photoelectric conversion means such as a photodiode that converts light into signal charges and accumulates them. The micro lens 1003 condenses light on the photoelectric conversion means 1002. The color filter 1004 is disposed between the microlens 1003 and the photoelectric conversion unit 1002.

従来のマイクロレンズは、樹脂材料を加熱して、軟化させることによって形成されている。そのため、隣接するマイクロレンズが連結しないように、マイクロレンズ間に隙間を設ける必要があった。   Conventional microlenses are formed by heating and softening a resin material. Therefore, it is necessary to provide a gap between the microlenses so that adjacent microlenses are not connected.

これに対し、本発明の好適な実施形態では、フォトマスク作製システム100を用いて作製されたフォトマスクを用いてマイクロレンズ1003を作製することにより、レンズ形状の歪みが低減される。そのため、樹脂材料を加熱する工程が不要であり、マイクロレンズ間の隙間を大幅に低減することができる。   In contrast, in a preferred embodiment of the present invention, the distortion of the lens shape is reduced by manufacturing the microlens 1003 using a photomask manufactured using the photomask manufacturing system 100. Therefore, the process of heating the resin material is unnecessary, and the gap between the microlenses can be greatly reduced.

本発明の好適な第1の実施形態に係るフォトマスク作製システムの構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing a configuration of a photomask manufacturing system according to a preferred first embodiment of the present invention. フォトマスク作製システムを用いたフォトマスク作製方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the photomask manufacturing method using the photomask manufacturing system. ポジ型感光性樹脂の感度曲線を示す図である。It is a figure which shows the sensitivity curve of positive type photosensitive resin. 図3の感度曲線を用いて画素中心からの距離と透過光量(露光量)との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the distance from a pixel center, and the transmitted light amount (exposure amount) using the sensitivity curve of FIG. (a)は、所望のレンズ形状を得るための1画素内の透過光量分布を示す図である。(b)は、(a)に示した透過光量分布の一部における座標値x、yに対する透過光量z値を表す一覧表を示す図である。(A) is a figure which shows the transmitted light amount distribution in 1 pixel for obtaining a desired lens shape. (B) is a figure which shows the list showing the transmitted light quantity z value with respect to the coordinate values x and y in a part of transmitted light quantity distribution shown to (a). 本発明の好適な第1の実施形態に係る誤差分散法による二値化処理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the binarization process by the error dispersion method which concerns on the suitable 1st Embodiment of this invention. 重み付けの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of weighting. 本発明の好適な第2の実施形態に係る誤差分散法による二値化処理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the binarization process by the error dispersion method which concerns on the suitable 2nd Embodiment of this invention. 本発明の好適な第1の実施形態に係る誤差分散法による二値化処理により得られたドットパターンを示す図である。It is a figure which shows the dot pattern obtained by the binarization process by the error dispersion method which concerns on suitable 1st Embodiment of this invention. 従来の誤差分散法による二値化処理により得られたドットパターンを示す図である。It is a figure which shows the dot pattern obtained by the binarization process by the conventional error dispersion method. 本発明の好適な実施形態に係るフォトマスク作製システムを用いて作製したマイクロレンズを備える撮像素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of an image pick-up element provided with the micro lens produced using the photomask production system which concerns on suitable embodiment of this invention. (a)は、第1の実施形態に係る画素内部の格子の二値化処理時に誤差を重み付け加算(又は減算)する方向を示した図である。(b)は、第1の実施形態に係る画素最外周の格子の二値化処理時に誤差を重み付け加算(又は減算)する方向を示した図である。(c)は、(b)の二値化処理後の結果を示した図である。(A) is the figure which showed the direction which carries out weighting addition (or subtraction) of an error at the time of the binarization process of the lattice inside a pixel which concerns on 1st Embodiment. FIG. 6B is a diagram illustrating a direction in which an error is weighted (or subtracted) during binarization processing of the outermost pixel grid according to the first embodiment. (C) is the figure which showed the result after the binarization process of (b). (a)は、第3の実施形態に係る画素最外周の格子の二値化処理時に誤差を重み付け加算(又は減算)する方向を示した図である。(b)は、(a)の二値化処理後の結果を示した図である。(A) is the figure which showed the direction which carries out weight addition (or subtraction) of an error at the time of the binarization process of the outermost pixel grid according to the third embodiment. (B) is the figure which showed the result after the binarization process of (a).

符号の説明Explanation of symbols

1001 基板
1002 光電変換手段
1003 マイクロレンズ
1004 カラーフィルタ
1001 Substrate 1002 Photoelectric conversion means 1003 Micro lens 1004 Color filter

Claims (11)

マイクロレンズを形成するためのフォトマスクのマスクパターンデータを生成する方法であって、
前記フォトマスクに形成すべきマスクパターンのパターン形成面を複数の格子に分割する工程と、
前記フォトマスクに形成すべきマスクパターンの透過光量分布を示すデータを取得する工程と、
前記透過光量分布が得られるように、前記複数の格子のうち前記パターン形成面の中心からの距離が近い格子から順に誤差分散法による二値化処理を行って、前記複数の格子の各々に遮蔽部を配置するか否かを決定する工程と、
前記決定する工程での結果に基づいて前記複数の遮蔽部の配置を示すマスクパターンデータを生成する工程と、
を含むことを特徴とするマスクパターンデータの生成方法。
A method of generating mask pattern data of a photomask for forming a microlens,
Dividing a pattern forming surface of a mask pattern to be formed on the photomask into a plurality of lattices;
Obtaining data indicating a transmitted light amount distribution of a mask pattern to be formed on the photomask;
In order to obtain the transmitted light amount distribution, binarization processing by error dispersion method is sequentially performed from the plurality of grids with a distance from the center of the pattern formation surface in order to shield each of the plurality of grids. Determining whether to place a part;
Generating mask pattern data indicating the arrangement of the plurality of shielding portions based on the result of the determining step;
A method of generating mask pattern data, comprising:
マイクロレンズを形成するためのフォトマスクのマスクパターンデータを生成する方法であって、
前記フォトマスクに形成すべきマスクパターンのパターン形成面を複数の格子に分割する工程と、
前記フォトマスクに形成すべきマスクパターンの透過光量分布を示すデータを取得する工程と、
前記透過光量分布が得られるように、前記複数の格子のうち前記パターン形成面の中心からの距離が遠い格子から順に誤差分散法による二値化処理を行って、前記複数の格子の各々に遮蔽部を配置するか否かを決定する工程と、
前記決定する工程での結果に基づいて前記複数の遮蔽部が配置されたマスクパターンデータを生成する工程と、
を含むことを特徴とするマスクパターンデータの生成方法。
A method of generating mask pattern data of a photomask for forming a microlens,
Dividing a pattern forming surface of a mask pattern to be formed on the photomask into a plurality of lattices;
Obtaining data indicating a transmitted light amount distribution of a mask pattern to be formed on the photomask;
In order to obtain the transmitted light amount distribution, binarization processing is performed by an error dispersion method in order from a lattice far from the center of the pattern formation surface among the plurality of lattices, thereby shielding each of the plurality of lattices. Determining whether to place a part;
Generating mask pattern data in which the plurality of shielding portions are arranged based on a result of the determining step;
A method of generating mask pattern data, comprising:
前記決定する工程では、前記複数の格子の各々に対し時計回りで前記二値化処理を行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のマスクパターンデータの生成方法。   3. The method of generating mask pattern data according to claim 1, wherein, in the determining step, the binarization processing is performed clockwise for each of the plurality of lattices. 前記決定する工程では、前記複数の格子の各々に対し反時計回りで前記二値化処理を行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のマスクパターンデータの生成方法。   3. The method of generating mask pattern data according to claim 1, wherein, in the determining step, the binarization processing is performed counterclockwise for each of the plurality of grids. 前記複数の格子の各々の一辺の長さは、前記フォトマスクの露光装置の解像限界長さ以下であることを請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のマスクパターンデータの生成方法。   5. The generation of mask pattern data according to claim 1, wherein a length of each side of each of the plurality of gratings is equal to or less than a resolution limit length of an exposure apparatus for the photomask. Method. 前記複数の格子は、正方格子であることを請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のマスクパターンデータの生成方法。   The mask pattern data generation method according to claim 1, wherein the plurality of lattices are square lattices. 前記決定する工程では、前記複数の格子のうち最外周に存在する格子の外側に付加的な格子を追加し、前記付加的な格子と合わせて前記二値化処理を行うことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のマスクパターンデータの生成方法。   The determining step includes adding an additional grid outside a grid existing on the outermost periphery of the plurality of grids, and performing the binarization process together with the additional grid. The method for generating mask pattern data according to any one of claims 1 to 6. フォトマスクに形成すべきマスクパターンのパターン形成面を複数の格子に分割する手段と、
マイクロレンズを形成するための前記フォトマスクに形成すべきマスクパターンの透過光量分布を示すデータを取得する手段と、
前記透過光量分布が得られるように、前記複数の格子のうち前記パターン形成面の中心からの距離が近い格子から順に誤差分散法による二値化処理を行って、前記複数の格子の各々に遮蔽部を配置するか否かを決定する手段と、
前記決定する手段での結果に基づいて前記複数の遮蔽部が配置されたマスクパターンデータを生成する手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
Means for dividing a pattern forming surface of a mask pattern to be formed on a photomask into a plurality of lattices;
Means for obtaining data indicating a transmitted light amount distribution of a mask pattern to be formed on the photomask for forming a microlens;
In order to obtain the transmitted light amount distribution, binarization processing by error dispersion method is sequentially performed from the plurality of grids with a distance from the center of the pattern formation surface in order to shield each of the plurality of grids. Means for deciding whether to place a part;
Means for generating mask pattern data in which the plurality of shielding portions are arranged based on the result of the determining means;
An information processing apparatus comprising:
フォトマスクに形成すべきマスクパターンのパターン形成面を複数の格子に分割する手段と、
マイクロレンズを形成するための前記フォトマスクに形成すべきマスクパターンの透過光量分布を示すデータを取得する手段と、
前記透過光量分布が得られるように、前記複数の格子のうち前記パターン形成面の中心からの距離が遠い格子から順に誤差分散法による二値化処理を行って、前記複数の格子の各々に遮蔽部を配置するか否かを決定する手段と、
前記決定する手段での結果に基づいて前記複数の遮蔽部が配置されたマスクパターンデータを生成する手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
Means for dividing a pattern forming surface of a mask pattern to be formed on a photomask into a plurality of lattices;
Means for obtaining data indicating a transmitted light amount distribution of a mask pattern to be formed on the photomask for forming a microlens;
In order to obtain the transmitted light amount distribution, binarization processing is performed by an error dispersion method in order from a lattice far from the center of the pattern formation surface among the plurality of lattices, thereby shielding each of the plurality of lattices. Means for deciding whether to place a part;
Means for generating mask pattern data in which the plurality of shielding portions are arranged based on the result of the determining means;
An information processing apparatus comprising:
請求項8又は請求項9に記載の情報処理装置と、
前記情報処理装置により生成されたマスクパターンデータに基づいてフォトマスクを作製する描画装置と、
を備えることを特徴とするフォトマスク作製システム。
An information processing apparatus according to claim 8 or claim 9,
A drawing device for producing a photomask based on the mask pattern data generated by the information processing device;
A photomask manufacturing system comprising:
光を信号電荷に変換する光電変換手段と、
請求項10に記載のフォトマスク作製システムにより作製されたフォトマスクを用いて形成された、光を前記光電変換手段に集光するためのマイクロレンズと、
を備えることを特徴とする撮像素子。
Photoelectric conversion means for converting light into signal charge;
A microlens for condensing light on the photoelectric conversion means, formed using a photomask produced by the photomask production system according to claim 10;
An image pickup device comprising:
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