JP2007088099A - 照明器具 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 85
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 85
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 28
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 20
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 50
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007116 SnPb Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
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Abstract
【課題】
LEDチップの温度上昇を抑制でき光出力の高出力化を図れる照明器具を提供することにある。
【解決手段】
照明器具は、金属製の器具本体100と、器具本体100に半田90を用いて電気的且つ伝熱的に接続された状態で固定されるとともにLEDチップ10が搭載される金属板21、及び該金属板21のLEDチップ10が搭載される面にLEDチップ10を露出するように積層され、LEDチップ10の両電極それぞれと電気的に接続される一対のリードパターン23を有する絶縁性基材22からなる実装基板20と、LEDチップ10と金属板21との間に介在されて、LEDチップ10と金属板21との線膨張率の差に起因してLEDチップ10に働く応力を緩和する絶縁性及び伝熱性を有するサブマウント部材30とを備える。
【選択図】図1
LEDチップの温度上昇を抑制でき光出力の高出力化を図れる照明器具を提供することにある。
【解決手段】
照明器具は、金属製の器具本体100と、器具本体100に半田90を用いて電気的且つ伝熱的に接続された状態で固定されるとともにLEDチップ10が搭載される金属板21、及び該金属板21のLEDチップ10が搭載される面にLEDチップ10を露出するように積層され、LEDチップ10の両電極それぞれと電気的に接続される一対のリードパターン23を有する絶縁性基材22からなる実装基板20と、LEDチップ10と金属板21との間に介在されて、LEDチップ10と金属板21との線膨張率の差に起因してLEDチップ10に働く応力を緩和する絶縁性及び伝熱性を有するサブマウント部材30とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、LEDを用いた照明器具に関するものである。
従来から、LEDチップとLEDチップから放射された光によって励起されてLEDチップとは異なる発光色の光を放射する波長変換材料としての蛍光体(蛍光顔料、蛍光染料など)とを組み合わせてLEDチップの発光色とは異なる色合いの光を出す発光装置の研究開発が各所で行われている。この種の発光装置としては、例えば、青色光あるいは紫外光を放射するLEDチップと蛍光体とを組み合わせて白色の光(白色光の発光スペクトル)を得る白色発光装置(一般的に白色LEDと呼ばれている)の商品化がなされている。
また、最近の白色LEDの高出力化に伴い、白色LEDを照明用途に展開する研究開発が盛んになってきているが、上述の白色LEDを一般照明などのように比較的大きな光出力を必要とする用途に用いる場合、1つの白色LEDでは所望の光出力を得ることができないので、複数個の白色LEDを1枚の回路基板上に搭載したLEDユニットを構成し、LEDユニット全体で所望の光出力を確保するようにしているのが一般的である(例えば、特許文献1)。
また、従来から、複数のLEDチップと各LEDチップを実装する回路基板とを備えるLEDユニットにおいて、各LEDチップのジャンクション温度の上昇を抑制して入力電力を大きくすることで光出力の高出力化を図るために、各LEDチップの発光部で発生した熱を効率良く外部に放熱させるための構造が提案されている(例えば、特許文献2,3参照)。
上記特許文献2に開示されたLEDユニットでは、回路基板として、金属板上に絶縁樹脂層を介して導体パターンが形成された金属基板を採用しており、各LEDチップで発生した熱が熱伝達部材を介して金属板に伝熱されるようになっている。ここにおいて、各LEDチップは、GaN系化合物半導体材料からなる発光部が絶縁体であるサファイア基板からなる結晶成長用基板の一表面側に形成されたGaN系青色LEDチップであり、回路基板にフリップチップ実装されており、結晶成長用基板の他表面が光取り出し面となっている。
また、上記特許文献3に開示されたLEDユニットでは、上記特許文献2の構成と同様に回路基板として、金属板上に絶縁樹脂層を介して導体パターンが形成された金属基板を採用しており、各LEDチップで発生した熱が金属板に伝熱されるようになっている。ここにおいて、各LEDチップは、一表面側にアノード電極が形成されるとともに他表面側にカソード電極が形成されたものであり、アノード電極とカソード電極とのうち回路基板に近い側の電極が第1の導体板に電気的に接続されるとともに、回路基板から遠い側の電極が第2の導体板に金属細線からなるボンディングワイヤを介して電気的に接続されており、第1の導体板及び第2の導体板それぞれが回路基板の回路パターンと接合されている。
特開2003−59332号公報
特開2003−168829号公報(第6図)
特開2001−203396号公報(第6図)
ところで、上述したような従来構成のLEDユニットを照明器具に用いる場合、器具本体として金属製のものを用い、LEDユニットの回路基板における金属板を、器具本体に熱的に結合させることでLEDユニットの放熱性を向上させることが従来から行われている。
しかしながら、上述したように器具本体と回路基板の金属板とを熱的に結合させてLEDユニットの放熱性を向上させようとした際には、LEDチップの発光部と器具本体との間に回路基板が介在されることになり、このような回路基板は比較的厚みの厚いものであるから、結果としてLEDチップの発光部から器具本体までの熱抵抗が大きくなっていた。
加えて、上記の場合、耐雷サージ性を確保するために、器具本体と回路基板の金属板との間を絶縁しなければならず、例えばシート状の絶縁層を介在させた際には、このような絶縁層によっても、LEDチップの発光部から器具本体までの熱抵抗が大きくなっていた。
結局、従来構成のLEDユニットを照明器具に用いた際には、LEDチップの発光部から器具本体までの熱抵抗が大きくなって十分な放熱性能を得ることができなくなる場合が多く、そのため、LEDチップのジャンクション温度が最大ジャンクション温度を超えないようにLEDチップへの入力電力を制限する必要が生じ、光出力の高出力化が難しいという問題があった。
また、上記特許文献2に開示されたLEDユニットでは、LEDチップの発光部で発生した熱をLEDチップのサイズよりも小さな熱伝達部材を介して金属板へ伝熱させるのでLEDチップから金属板までの熱抵抗が比較的大きく、結晶成長用基板であるサファイア基板を金属板に熱結合させるように実装した場合には、サファイア基板の熱抵抗が大きくなってしまうという不具合もあった。
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、LEDチップの温度上昇を抑制でき光出力の高出力化を図れる照明器具を提供することにある。
上記の課題を解決するために、請求項1の照明器具の発明では、金属製の器具本体と、器具本体に固定される金属板と、金属板に搭載されるLEDチップと、金属板のLEDチップが搭載される面にLEDチップを露出するように積層され、LEDチップの両電極それぞれと電気的に接続される一対のリードパターンを有する絶縁性基材と、金属板におけるLEDチップの実装面側でLEDチップを囲む透光性を有する枠体と、枠体の内側に透明樹脂材料を充填して形成されてLEDチップ及び当該LEDチップに接続されたボンディングワイヤを封止する封止部と、封止部に重ねて配置されるレンズと、LEDチップから放射された光によって励起されてLEDチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を透明材料とともに成形した成形品であって前記実装面側でレンズ及び枠体を覆いレンズの光出射面及び枠体との間に空気層が形成される形で配設されるドーム状の色変換部材とを備え、LEDチップと金属板との間には、絶縁性及び伝熱性を有し、LEDチップと金属板との線膨張率の差に起因してLEDチップに働く応力を緩和するサブマウント部材が介在され、金属板は器具本体に、電気的且つ伝熱的に接続された状態で固定されていることを特徴とする。
請求項2の照明器具の発明では、請求項1の構成に加えて、金属板を器具本体に機械的に固定する固定手段を備えていることを特徴とする。
本発明は、従来に比べてLEDチップの発光部から器具本体までの熱抵抗を小さくできて放熱性が向上し、LEDチップのジャンクション温度の温度上昇を抑制できるから、入力電力を大きくでき、光出力の高出力化を図れるという効果がある。
以下に、本発明の実施形態について図1〜図5を用いて説明する。尚、以下の実施形態では、図1の上方を照明器具の上方、図1の下方を照明器具の下方とする。
(実施形態1)
本実施形態の照明器具は、例えばスポットライトとして用いられるものであり、図4に示すように、図示しない支持台上に固定された回転基台のアームに結合される金属製の器具本体100と、器具本体100内に収納される複数個(本実施形態では3個)の発光装置(LEDユニット)1とを備えている。
本実施形態の照明器具は、例えばスポットライトとして用いられるものであり、図4に示すように、図示しない支持台上に固定された回転基台のアームに結合される金属製の器具本体100と、器具本体100内に収納される複数個(本実施形態では3個)の発光装置(LEDユニット)1とを備えている。
まず、器具本体100について説明する。器具本体100は、例えばAl、Cuなどの熱伝導率の高い金属を用いて図4に示すように一面が開口した有底円筒状に形成されており、3個の発光装置1と、これら発光装置1が電気的に接続される配線基板(図示せず)とが収納されている。ここにおいて、器具本体100の底壁100aには、各発光装置1が金属板21(図1参照)を半田90により底壁100aに半田付けすることで実装され、開口部分100bが前カバー(図示せず)により閉塞されている。
また、配線基板は、例えば3個の発光装置1を直列接続するとともに、図示しない電源回路からの電力を発光装置1にそれぞれ供給するためのものである。尚、電源回路としては、例えば、商用電源のような交流電源の交流出力を整流平滑するダイオードブリッジからなる整流回路と、整流回路の出力を平滑する平滑コンデンサとを備えた構成のものを採用すればよい。また尚、上記の例では、発光装置1を直列接続するとしたが、発光装置1の接続関係は特に限定するものではなく、例えば、並列接続するようにしてもよいし、直列接続と並列接続とを組み合わせてもよい。
一方、前カバーは、例えば、円板状のガラス板からなる透光板と、透光板を保持する円環状の窓枠とからなり、窓枠が器具本体100に対して取り付けられている。尚、前カバーの透光板は、ガラス基板に限らず、透光性を有する材料により形成されていればよく、また尚、透光板に各発光装置1から放射された光の配光を制御するレンズを一体に設けてもよい。
次に、器具本体100に収納される発光装置1について説明する。発光装置1は、図2に示すように、LEDチップ10と、LEDチップ10が搭載される金属板21、及び該金属板21のLEDチップ10が搭載される面(図2における上面)にLEDチップ10を露出するように積層され、LEDチップ10の両電極それぞれと電気的に接続される一対のリードパターン23を有する絶縁性基材22からなる実装基板20と、LEDチップ10のチップサイズよりも大きく且つLEDチップ10と金属板21との間に介在してLEDチップ10と金属板21との線膨張率の差に起因してLEDチップ10に働く応力を緩和する絶縁性及び伝熱性を有するサブマウント部材30と、実装基板20におけるLEDチップ10の実装面側(図2における上面側)でLEDチップ10を囲む枠体40と、枠体40の内側に透明樹脂材料を充填して形成されてLEDチップ10及び当該LEDチップ10に接続されたボンディングワイヤ14,14を封止し且つ弾性を有する封止部50と、封止部50に重ねて配置されるレンズ60と、LEDチップ10から放射された光によって励起されてLEDチップ10の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を透明材料(例えば、シリコーン樹脂など)とともに成形した成形品であってレンズ60の光出射面60b側にレンズ60を覆い光出射面60b及び枠体40との間に空気層80が形成される形で配設されるドーム状の色変換部材70とを備えている。
実装基板20は、器具本体100に半田90を用いて電気的且つ伝熱的に接続された状態で固定されるとともに、LEDチップ10が搭載される金属板21と、金属板21に積層されたガラスエポキシ基板からなる絶縁性基材22とで構成されており、当該絶縁性基材22における金属板21側とは反対側の表面(上面)にLEDチップ10の図示しない両電極それぞれと電気的に接続される一対のリードパターン23が設けられるとともに、絶縁性基材22においてLEDチップ10に対応する部位に窓孔24が設けられており、LEDチップ10で発生した熱が絶縁性基材22を介さずに金属板21に伝熱できるようになっている。ここにおいて、金属板21の材料としてはCuを採用しているが、熱伝導率の比較的高い金属材料であればよく、Cuに限らず、Alなどを採用してもよい。尚、金属板21と絶縁性基材22とは、絶縁性を有するシート状の接着フィルムからなる固着材25により固着されている。また、各リードパターン23は、Ni膜とAu膜との積層膜により構成されており、色変換部材70により覆われていない部位がアウターリード部23bとなっている。
LEDチップ10は、青色光を放射するGaN系青色LEDチップであり、結晶成長用基板としてサファイア基板に比べて格子定数や結晶構造がGaNに近く且つ導電性を有するn形のSiC基板からなる導電性基板11を用いており、導電性基板11の主表面側にGaN系化合物半導体材料により形成されて例えばダブルへテロ構造を有する積層構造部からなる発光部12がエピタキシャル成長法(例えば、MOVPE法など)により成長され、導電性基板11の裏面に図示しないカソード側の電極であるカソード電極(n電極)が形成され、発光部12の表面(導電性基板11の主表面側の最表面)に図示しないアノード側の電極であるアノード電極(p電極)が形成されている。要するに、LEDチップ10は、一表面側にアノード電極が形成されるとともに他表面側にカソード電極が形成されている。上記カソード電極及び上記アノード電極は、Ni膜とAu膜との積層膜により構成してあるが、上記カソード電極及び上記アノード電極の材料は特に限定するものではなく、良好なオーミック特性が得られる材料であればよく、例えば、Alなどを採用してもよい。
尚、本実施形態では、LEDチップ10の発光部12が導電性基板11よりも金属板21から離れた側となるように金属板21に実装されているが、LEDチップ10の発光部12が導電性基板11よりも金属板21に近い側となるように金属板21に実装するようにしてもよい。光取り出し効率を考えた場合には、発光部12を金属板21から離れた側に配置することが望ましいが、本実施形態では導電性基板11と発光部12とが同程度の屈折率を有しているので、発光部12を金属板21に近い側に配置しても光の取り出し損失が大きくなりすぎることはない。
ところで、実施形態では、LEDチップ10として、発光色が青色の青色LEDチップを採用しており、導電性基板11としてSiC基板を採用しているが、SiC基板の代わりにGaN基板を用いてもよく、SiC基板やGaN基板を用いた場合には下記表1から分かるように、上記特許文献2のように結晶成長用基板として絶縁体であるサファイア基板を用いている場合に比べて、結晶成長用基板の熱伝導率が高く結晶成長用基板の熱抵抗を小さくできる。また、LEDチップ10の発光色は青色に限らず、例えば、赤色、緑色などでもよい。すなわち、LEDチップ10の発光部12の材料はGaN系化合物半導体材料に限らず、LEDチップ10の発光色に応じて、GaAs系化合物半導体材料やGaP系化合物半導体材料などを採用してもよい。また、導電性基板11もSiC基板に限らず、発光部12の材料に応じて、例えば、GaAs基板、GsP基板などから適宜選択すればよい。
また、LEDチップ10は、上述の金属板21に、LEDチップ10のチップサイズよりも大きなサイズの矩形板状に形成されLEDチップ10と金属板21との線膨張率の差に起因してLEDチップ10に働く応力を緩和する絶縁材料製のサブマウント部材30を介して実装されている。
サブマウント部材30は、上記応力を緩和する機能だけでなく、LEDチップ10で発生した熱を金属板21においてLEDチップ10のチップサイズよりも広い範囲に伝熱させる熱伝導機能を有しており、金属板21におけるLEDチップ10側の表面の面積はLEDチップにおける金属板21側の表面の面積よりも十分に大きいことが望ましい。例えば、0.3〜1.0mm角のLEDチップから排熱を効率良く行うためには、金属板21と器具本体100の底壁100aとの接触面積を大きくし、且つ、LEDチップ10の熱が広範囲に亘って均一に熱伝導するようにして熱抵抗を小さくすることが好ましく、金属板21におけるLEDチップ10側の表面の面積をLEDチップ10における金属板21側の表面の面積の10倍以上とすることが望ましい。ここにおいて、サブマウント部材30は、上記応力を緩和する機能を有していればよく、厚み寸法を上記特許文献1〜3に記載されたLEDユニットにおける回路基板の厚み寸法に比べて小さくすることができるから、熱伝導率が比較的大きな材料を採用することにより、熱抵抗を小さくすることができる。
本実施形態では、サブマウント部材30の材料として絶縁性を有する材料、例えばAlNや、アルミナ(Al2O3)などのセラミック材料を採用しており、LEDチップ10は、上記カソード電極がサブマウント部材30におけるLEDチップ10側の表面に設けられ上記カソード電極と接続される導体パターン31(図4参照)及び金属細線(例えば、金細線、アルミニウム細線など)からなるボンディングワイヤ14を介して一方のリードパターン23と電気的に接続され、上記アノード電極がボンディングワイヤ14を介して他方のリードパターン23と電気的に接続されている。また、サブマウント部材30は、導体パターン31の周囲に、LEDチップ10から放射された光を反射する反射膜(例えば、Ni膜とAg膜との積層膜)が形成されている。
ところで、サブマウント部材30の材料は、線膨張率が導電性基板11の材料である6H−SiCに比較的近く且つ熱伝導率が比較的高い材料が好ましいため、下記表2から分かるように、アルミナを採用するよりもAlNを採用するほうがよい。
尚、LEDチップ10とサブマウント部材30とは、例えば、SnPb、AuSn、SnAgCuなどの半田や、銀ペーストなどを用いて接合すればよいが、AuSn、SnAgCuなどの鉛フリー半田を用いて接合することが好ましい。また尚、金属板21の材料がCuであり、サブマウント部材30の材料としてAlNなどを採用した場合には、金属板21とサブマウント部材30とは、AuSn、SnAgCuなどの鉛フリー半田を用いて接合すればよい。
一方、上述の封止部50の透明樹脂材料としては、シリコーン樹脂を用いているが、シリコーン樹脂に限らず、アクリル樹脂などを用いてもよい。
これに対して、枠体40は、円筒状の形状であって、透明樹脂の成形品により構成されているが、当該成形品に用いる透明樹脂としては、シリコーン樹脂を採用している。要するに、本実施形態では、封止部50の透明樹脂材料の線膨張率と同等の線膨張率を有する透光性材料により枠体40を形成してある。ここに、本実施形態では、枠体40を実装基板20に固着した後で枠体40の内側に上記透明樹脂材料を充填(ポッティング)して熱硬化させることで封止部50を形成してある。尚、上記透明樹脂材料としてシリコーン樹脂に代えてアクリル樹脂を用いている場合には、枠体40をアクリル樹脂の成形品により構成することが望ましい。
レンズ60は、封止部50側の光入射面60a及び光出射面60bそれぞれが凸曲面状に形成された両凸レンズにより構成されている。ここにおいて、レンズ60は、シリコーン樹脂の成形品により構成してあり、封止部50と屈折率が同じ値となっているが、レンズ60は、シリコーン樹脂の成形品に限らず、例えば、アクリル樹脂の成形品により構成してもよい。
ところで、レンズ60は、光出射面60bが、光入射面60aから入射した光を光出射面60bと上述の空気層80との境界で全反射させない凸曲面状に形成されている。ここで、レンズ60は、当該レンズ60の光軸がLEDチップ10の厚み方向に沿った発光部12の中心線上に位置するように配置されている。尚、LEDチップ10の側面から放射された光は封止部50及び空気層80を伝搬して色変換部材70まで到達し色変換部材70の蛍光体を励起したり蛍光体には衝突せずに色変換部材70を透過したりする。
色変換部材70は、シリコーン樹脂のような透明材料とLEDチップ10から放射された青色光によって励起されてブロードな黄色系の光を放射する粒子状の黄色蛍光体とを混合した混合物の成形品により構成されている。したがって、本実施形態の発光装置1は、LEDチップ10から放射された青色光と黄色蛍光体から放射された光とが色変換部材70の外面70bを通して放射されることとなり、白色光を得ることができる。尚、色変換部材70の材料として用いる透明材料は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ガラスなどを採用してもよい。また、色変換部材70の材料として用いる透明材料に混合する蛍光体も黄色蛍光体に限らず、例えば、赤色蛍光体と緑色蛍光体とを混合しても白色光を得ることができる。
加えて、色変換部材70は、内面70aがレンズ60の光出射面60bに沿った形状に形成されている。したがって、レンズ60の光出射面60bの位置によらず法線方向における光出射面60bと色変換部材70の内面70aとの間の距離が略一定値となっている。尚、色変換部材70は、位置によらず法線方向に沿った肉厚が一様となるように成形されている。色変換部材70は、開口部の周縁を実装基板20に対して、例えば接着剤(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など)を用いて接着すればよい。
本実施形態の照明器具は、上記の部材から次のようにして製造される。まず、器具本体100の底壁100aの所定箇所(本実施形態では3箇所)に、実装基板20を固定するのであるが、この作業は半田90を用いて実装基板20の金属板21と器具本体100の底壁100aとを接合することで行う。この後に、予めLEDチップ10を接合しておいたサブマウント部材30を、窓孔24から露出する金属板21の面に、リフロー半田付けなどにより実装する。尚、上記の半田付けに用いる半田としては、AuSn、SnAgCuなどの鉛フリー半田を用いることが好ましい。
そして、ワイヤボンディングにより、LEDチップ10の上記アノード電極及びサブマウント部材30の導体パターン31と、実装基板20のリードパターン23,23とをそれぞれボンディングワイヤWにより電気的に接続する。次に、接着剤などを用いて枠体40を実装基板20の絶縁性基材22に固着し、この後に、枠体40の内側にシリコーン樹脂などの透明樹脂材料を充填(ポッティング)して熱硬化させることで封止部50を形成する。そして、レンズ60を枠体40の開口を閉塞するようにして枠体40に固着し、最後に色変換部材70を、その開口部の周縁を絶縁性基材22に対して、例えば接着剤(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など)を用いて接着する。
これにより図4に示す状態の照明器具が得られ、この後に上述した配線基板、及び透光板を器具本体100に取り付けることで、本実施形態の照明器具が完成する。
以上説明した本実施形態の照明器具では、絶縁性及び伝熱性を有するサブマウント部材30を備えるので、従来のように耐雷サージ性能を確保するためにシート状の絶縁層を器具本体100と発光装置1との間に介在させる必要がなくなり、これによりLEDチップ10の発光部12から器具本体100までの熱抵抗を小さくできる。加えて、点灯時に各発光装置1で発生した熱を、上記の従来例とは異なり回路基板及び導電性の悪い絶縁層を通すことなく導電性及び伝熱性のよい半田90を介して金属製の器具本体100へ伝熱して放熱することができるので、LEDユニットの回路基板を器具本体の底壁に絶縁層を介して熱結合させるような従来の照明器具の構成に比べて、LEDチップ10の発光部12から器具本体100までの距離及び熱抵抗をさらに小さくできて放熱性が向上し、LEDチップ10の発光部12のジャンクション温度の温度上昇を抑制できるから、入力電力を大きくでき、光出力の高出力化を図れる。
また、従来の照明器具の構成と同じ光出力で使用する場合には従来の照明器具の構成に比べてLEDチップ10のジャンクション温度を低減できてLEDチップ10の寿命が長くなるという利点がある。さらに、従来のような回路基板を用意する必要がなく低コスト化を図れるという利点や、発光装置1の配置の自由度が高く発光装置1の個数の変更やレイアウト変更が容易になるという利点もある。
さらに、LEDチップ10と金属板21との間にサブマウント部材30を介在させているので、LEDチップ10の導電性基板11と金属板21との線膨張率の差に起因してLEDチップ10が破損するのを防止することができ、信頼性を高めることができる。
加えて、枠体40の内側に透明樹脂材料を充填して形成されてLEDチップ10及び当該LEDチップ10に接続されたボンディングワイヤ14,14を封止し且つ弾性を有する封止部50を備え、枠体40が透明樹脂の成形品からなるので、枠体を金属材料により形成する場合に比べて枠体40と封止部50との線膨張率差を小さくすることができ、ヒートサイクル試験の低温時に封止部50にボイドが発生するのを抑制することができるから、信頼性を高めることができ、しかも、枠体40で光の反射損失が生じるのを抑制することができるから、光出力の向上を図れる。
尚、上記の例では、発光装置1の実装基板20と器具本体100とを半田90により接合しているが、この他、溶接、圧接などの導電性を損なわない接合方法によって接合することで、実装基板20を器具本体100に固定するようにしてもよい。
また、発光装置1では、色変換部材70はレンズ60の光出射面60b及び枠体40との間に空気層80が形成される形で配設すればよく、色変換部材70をレンズ60及び枠体40に密着させる必要がないので、色変換部材70の寸法精度や位置決め精度に起因した歩留まりの低下を抑制できる。しかも、発光装置1では、組立時に色変換部材70の組付けが最終工程となるので、LEDチップ10の発光波長に応じて透明材料に対する蛍光体の配合を調整した色変換部材70を用いることで色ばらつきを低減することもできる。
さらに、発光装置1では、上述のように色変換部材70とレンズ60との間に空気層80が形成されているので、色変換部材70に外力が作用したときに色変換部材70が変形してレンズ60に当接する可能性が低くなって上記外力により色変換部材70に発生した応力がレンズ60及び封止部50を通してLEDチップ10や各ボンディングワイヤ14,14に伝達されるのを抑制でき、上記外力によるLEDチップ10の発光特性の変動や各ボンディングワイヤ14,14の断線が起こりにくくなるから、信頼性が向上するという利点がある。また、色変換部材70とレンズ60との間に上記空気層80が形成されていることにより、外部雰囲気中の水分がLEDチップ10に到達しにくくなるという利点がある。
加えて、色変換部材70とレンズ60との間に上記空気層80が形成されていることにより、LEDチップ10から放射され封止部50及びレンズ60を通して色変換部材70に入射し当該色変換部材70中の黄色蛍光体の粒子により散乱された光のうちレンズ60側へ散乱されてレンズ60を透過する光の光量を低減できて装置全体としての外部への光取り出し効率を向上できるという利点がある。
一方、枠体40の代わりに、LEDチップ10の光を反射するリフレクタを用いるようにしてもよい。このようなリフレクタとしては、円形状に開口した枠状の形状であって、LEDチップ10の厚み方向においてLEDチップ10から離れるに従って開口面積が大きくなる形状に形成したものを用いることができる。ここにおいて、リフレクタの材料としては、LEDチップ10から放射される光(ここでは、青色光)に対する反射率が比較的大きな材料(例えば、Alなど)を採用すればよい。また、リフレクタの内側に、枠体40同様、LEDチップ10を封止する透明な封止樹脂(例えば、シリコーン樹脂など)をポッティングしてもよい。
(実施形態2)
上記実施形態1では、半田90を用いて器具本体100に発光装置1の金属板21を固定しているが、本実施形態では、機械的な固定手段により発光装置1の金属板21を器具本体100に固定していることに特徴がある。尚、その他の構成については、上記実施形態1と同様であるから、同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
上記実施形態1では、半田90を用いて器具本体100に発光装置1の金属板21を固定しているが、本実施形態では、機械的な固定手段により発光装置1の金属板21を器具本体100に固定していることに特徴がある。尚、その他の構成については、上記実施形態1と同様であるから、同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
すなわち、本実施形態の器具本体100には、その底壁100aに図5に示すように固定ねじ91用のねじ挿通孔100cが複数設けられており、発光装置1の金属板21の底面には、固定ねじ91用のねじ孔21aが、器具本体100の複数のねじ挿通孔100cにそれぞれ対応して設けられているのである。
そして、本実施形態の照明器具では、器具本体100の底壁100aの所定箇所(本実施形態では3箇所)に、底壁100aに設けたねじ挿通孔100cと、金属板21のねじ孔21aとをそれぞれ対応させた状態で、実装基板20を配置した後に、固定ねじ91を底壁100aのねじ挿通孔100cを介して金属板21のねじ孔21aに螺入することで、実装基板21を器具本体100に固定するのである。
以上説明した本実施形態の照明器具では、上記実施形態1と同様の利点の他、実装基板20の金属板21を器具本体100にねじ止めのような機械的な固定手段によって固定しているので、上記実施形態1のように導電性接着剤や、半田、溶接、圧接などによって金属板21と器具本体100とを固定する場合に比べて固定作業が容易になり、その結果、製造工程を簡略化できる。
尚、機械的な固定手段としては、上述したようなねじ止めに限られるものではなく、例えば、金属板21と器具本体100のいずれか一方に設けた係止爪を残る他方に設けた係止孔等に挿入し、係止孔の縁部に係止爪を係止させるような構成としてもよい。この他、金属板21における底壁100aに対向する面に外周面にねじ溝を有する円筒部を突設するとともに、器具本体100の底壁100aの上記ねじ溝に対応するねじ溝を内周面に有する穴部を凹設して、金属板21の円筒部を器具本体100の穴部にねじ込む構成としてもよい。或いは、器具本体100の底壁100aに、金属板21と嵌合する嵌合部を設けて、金属板21を器具本体100に嵌め込む構成としてもよい。
また尚、本実施形態の場合、金属板21と器具本体100の底壁100aとの間に、金属板21と器具本体100とを隙間無く密着させて伝熱性を向上させるために、導電性及び熱伝導性に優れるシート状の部材を介在させるようにしてもよい。
10 LEDチップ
20 実装基板
21 金属板
22 絶縁性基材
23 リードパターン
30 サブマウント部材
90 半田
100 器具本体
20 実装基板
21 金属板
22 絶縁性基材
23 リードパターン
30 サブマウント部材
90 半田
100 器具本体
Claims (2)
- 金属製の器具本体と、器具本体に固定される金属板と、金属板に搭載されるLEDチップと、金属板のLEDチップが搭載される面にLEDチップを露出するように積層され、LEDチップの両電極それぞれと電気的に接続される一対のリードパターンを有する絶縁性基材と、金属板におけるLEDチップの実装面側でLEDチップを囲む透光性を有する枠体と、枠体の内側に透明樹脂材料を充填して形成されてLEDチップ及び当該LEDチップに接続されたボンディングワイヤを封止する封止部と、封止部に重ねて配置されるレンズと、LEDチップから放射された光によって励起されてLEDチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を透明材料とともに成形した成形品であって前記実装面側でレンズ及び枠体を覆いレンズの光出射面及び枠体との間に空気層が形成される形で配設されるドーム状の色変換部材とを備え、LEDチップと金属板との間には、絶縁性及び伝熱性を有し、LEDチップと金属板との線膨張率の差に起因してLEDチップに働く応力を緩和するサブマウント部材が介在され、金属板は器具本体に、電気的且つ伝熱的に接続された状態で固定されていることを特徴とする照明器具。
- 金属板を器具本体に機械的に固定する固定手段を備えていることを特徴とする請求項1に記載の照明器具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005272879A JP2007088099A (ja) | 2005-09-20 | 2005-09-20 | 照明器具 |
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JP2007088099A true JP2007088099A (ja) | 2007-04-05 |
Family
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009135306A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
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-
2005
- 2005-09-20 JP JP2005272879A patent/JP2007088099A/ja not_active Withdrawn
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