JP2006228475A - 導電性微粒子及び異方性導電材料 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基材微粒子の表面がニッケル及びリンを含有する金属メッキ被膜層と最表面を金層とする多層の導電性膜で被覆されており、前記導電性膜は表面に隆起した突起を有する導電性微粒子であって、前記金属メッキ被膜はリンを10重量%以上含有し、前記導電性膜の表面の隆起した突起は、導電性物質を芯物質とする導電性微粒子、好ましくは金属メッキ被膜の膜厚は、40〜150nmである導電性微粒子、該導電性微粒子が樹脂バインダーに分散されてなる異方性導電材料。
【選択図】なし
Description
これらの異方性導電材料は、例えば、液晶ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、携帯電話等の電子機器において、基板同士を電気的に接続したり、半導体素子等の小型部品を基板に電気的に接続したりするために、相対向する基板や電極端子の間に挟み込んで使用されている。
上記導電性微粒子の接続信頼性を向上させるためには、例えば表面に突起を有する導電性微粒子が報告されている(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。
また、特許文献2には、非導電性微粒子に、無電解ニッケルメッキ法におけるニッケルメッキ液の自己分解を利用して、ニッケルの微小突起とニッケル被膜を同時に形成させ、導電性無電解メッキ粉体を製造する方法が記載されている。しかしながら、この製造方法では、その突起部分はニッケル塊からなる突起であり、その大きさ、形状等を制御することは極めて困難であって、この突起による樹脂排除性は十分ではなかった。
本発明の導電性微粒子は、基材微粒子の表面がニッケル及びリンを含有する金属メッキ被膜層と最表面を金層とする多層の導電性膜で被覆されており、前記導電性膜は表面に隆起した突起を有する導電性微粒子であって、前記金属メッキ被膜はリンを10重量%以上含有し、前記導電性膜の表面の隆起した突起は、導電性物質を芯物質とするものである。
従って、本発明における突起は、導電性物質からなる芯物質と、上記導電性膜とから構成され、導電性膜の表面に隆起した突起として現れる。この突起の存在により、異方性導電フィルム等により電極間を熱圧着する際に、突起が絶縁性樹脂の排除効果等により、接続抵抗値が低く接続信頼性に優れた導電接続を得ることができる。
従って、本発明における導電性膜は、リンを10重量%以上含有したニッケル及びリンを含有する金属メッキ被膜を含むため、例えばニッケルメッキ被膜を含む場合等に比べて導電性膜が軟らかくなり、この導電性膜の表面に隆起した突起は、異方性導電フィルム等により電極に熱圧着した際に、電極との十分な接続面積増加が起こり、接続信頼性を向上させることができる。
また、上記金属メッキ被膜には、非金属成分であるリンが含有されていることが必要であり、その他にも非金属成分が含有されていてもよい。例えば、ホウ素等が含有されていてもよい。
金属メッキ被膜におけるリンの含有量は10重量%以上であることが必要である。リンの含有量が10重量%未満であると、金属メッキ被膜を含む導電性膜が軟らかくならず、電極に熱圧着した際に電極との十分な接続面積増加が起こらないことがある。
また、無電解メッキにより形成する場合は、ニッケルメッキ液にリン成分を含有させる方法等を用いることができ、金属メッキ被膜中の厚さ方向のリン含有量を制御するためにはニッケルメッキの前期工程と後期工程とで、ニッケルメッキ液のpH、温度、還元剤濃度等を制御する方法等を用いることができる。無電解メッキについては更に後述する。
上記金属被膜を構成する金属としては、特に限定されず、例えば、ニッケル、金、銅、銀、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、カドミウム等の金属;錫−鉛合金、錫−銅合金、錫−銀合金、錫−鉛−銀合金等の2種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。
従って、本発明における隆起した突起部分は、導電性微粒子の最表面の金層を突出させる。すなわち、導電性膜の表面に隆起した突起は、導電性微粒子の最表面の金層に隆起した突起部分として現れる。
芯物質が基材微粒子に接触しているか、又は基材微粒子から5nm以内の距離に存在することにより、芯物質が確実に導電性膜で覆われることになり、隆起した突起の基材微粒子に対する密着性が優れた導電性微粒子を得ることができ、また、隆起した突起の高さが揃った導電性微粒子を得ることができる。従って、上記導電性微粒子を異方性導電材料として用いた電極間の接続時には、導電性微粒子の導電性能のばらつきが小さくなり、接続信頼性に優れるという効果が得られる。
これらの樹脂微粒子は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記突起部分の平均高さは、芯物質の粒子径と導電性膜とに依存するが、導電性微粒子の平均粒子径の0.5%未満であると、突起の効果が得られにくく、25%を超えると、電極に深くめり込み電極を破損させる恐れがある。
上記突起部分の平均高さのより好ましい範囲は、導電性微粒子の平均粒子径の1〜20%である。
なお、突起部分の平均高さは、後述する電子顕微鏡による測定方法により求める。
本発明における導電性微粒子の各種特性、例えば、金属メッキ被膜の膜厚、金層の膜厚、基材微粒子の平均粒子径、導電性微粒子の平均粒子径、芯物質の形状、突起の形状、突起部分の平均高さ等は、電子顕微鏡による導電性微粒子の粒子観察又は断面観察により得ることができる。
上記導電性微粒子の平均粒子径は、無作為に選んだ20個の導電性微粒子について粒子径を測定し、それを算術平均したものとする。
本発明における金属メッキ被膜の形成は、例えば、無電解ニッケルメッキ法により形成することができる。上記無電解ニッケルメッキを行う方法としては、例えば、次亜リン酸ナトリウムを還元剤として構成される無電解ニッケルメッキ液を所定の方法にしたがって建浴、加温したところに、触媒付与された基材微粒子を浸漬し、Ni2++H2PO2 -+H2O→Ni+H2PO3 -+2H+ からなる還元反応でニッケル及びリンを含有する金属メッキ被膜を析出させる方法等が挙げられる。
次に、本発明の異方性導電材料は、上述した本発明の導電性微粒子が樹脂バインダーに分散されてなるものである。
(無電解メッキ前処理工程)
平均粒子径4μmのジビニルベンゼン系重合体からなる基材微粒子10gに、水酸化ナトリウム水溶液によるアルカリ脱脂、酸中和、二塩化スズ溶液におけるセンシタイジングを行った。その後、二塩化パラジウム溶液におけるアクチベイチングからなる無電解メッキ前処理を施し、濾過洗浄後、粒子表面にパラジウムを付着させた基材微粒子を得た。
得られた基材微粒子を脱イオン水300mlで攪拌により3分間分散させた後、その水溶液に芯物質としてニッケル粒子(三井金属社製「2020SUS」、平均粒子径200nm、ビッカース硬度500)1gを添加し、芯物質を付着させた基材微粒子を得た。
次に、得られた芯物質を付着させた基材微粒子10gの水性懸濁液に硫酸を添加してpH4の水性懸濁液に調製した。
得られた金属メッキ被膜が形成された導電性微粒子に、更に、置換金メッキを行い、金属メッキ被膜に金被膜が形成された導電性微粒子を得た。
得られた導電性微粒子について、断面を収束イオンビームで切り出し、20万倍の透過型電子顕微鏡で観察して、突起部分の高さ及び膜厚を調査した。また、以下のEDXによる成分測定方法により金属メッキ被膜中のニッケル及びリンの含有量を調査した。
これらの結果を表1に示した。
EDX(「エネルギー分散型X線分光機」、日本電子データム社製)を用い、導電性微粒子の断面を収束イオンビームにて切り出し、金属メッキ被膜中の各部位を成分分析することにより、ニッケル及びリンの検出値を測定した。得られた測定値から金属メッキ組成中のニッケル及びリンの含有量を算出した。
樹脂バインダーの樹脂としてエポキシ樹脂(油化シェルエポキシ社製、「エピコート828」)100重量部、トリスジメチルアミノエチルフェノール2重量部、及びトルエン100重量部に、得られた導電性微粒子を添加し、遊星式攪拌機を用いて充分に混合した後、離型フィルム上に乾燥後の厚さが7μmとなるように塗布し、トルエンを蒸発させて導電性微粒子を含有する接着フィルムを得た。なお、導電性微粒子の配合量は、フィルム中の含有量が5万個/cm2 とした。
その後、導電性微粒子を含有する接着フィルムを、導電性微粒子を含有させずに得た接着フィルムと常温で貼り合わせ厚さ17μmで2層構造の異方性導電フィルムを得た。
得られた異方性導電フィルムを5×5mmの大きさに切断した。また、一方に抵抗測定用の引き回し線を持つ、幅200μm、長さ1mm、高さ0.2μm、L/S20μmのアルミニウム電極が形成されたガラス基板を2枚用意した。異方性導電フィルムを一方のガラス基板のほぼ中央に貼り付けた後、他方のガラス基板を異方性導電フィルムが貼り付けられたガラス基板の電極パターンと重なるように位置あわせをして貼り合わせた。
2枚のガラス基板を、圧力10N、温度180℃の条件で熱圧着した後、電極間の抵抗値を測定した。
また、作製した試験片に対して信頼性試験(80℃、95%RHの高温高湿環境下で1000時間保持)を行った後、電極間の抵抗値を測定した。
評価結果を表1に示す。
実施例1における芯物質複合化工程において、ニッケル粒子(三井金属社製「2020SUS」、平均粒子径200nm、ビッカース硬度500)1gの代わりに、ニッケル粒子(三井金属社製「2007SUS」、平均粒子径50nm、ビッカース硬度500)1gを用いたこと以外は実施例1と同様にして、導電性微粒子を得た。
得られた導電性微粒子について、実施例1と同様にして導電性微粒子の評価を行った。
更に、得られた導電性微粒子について、実施例1と同様にして異方性導電フィルムの作製を行い、異方性導電フィルムの導電性評価を行った。
評価結果を表1に示す。
実施例1における無電解ニッケルメッキ工程において、前期工程用ニッケルメッキ液のpH7の代わりにpH9.3に調整したこと、後期工程用ニッケルメッキ液のpH11の代わりにpH12に調整したこと、並びに、前期工程及び後期工程の反応温度を共に27℃にしたこと以外は実施例1と同様にして、導電性微粒子を得た。
得られた導電性微粒子について、実施例1と同様にして導電性微粒子の評価を行った。
更に、得られた導電性微粒子について、実施例1と同様にして異方性導電フィルムの作製を行い、異方性導電フィルムの導電性評価を行った。
評価結果を表1に示す。
実施例1における芯物質複合化工程を行わなかったこと以外は実施例1と同様にして、導電性微粒子を得た。
得られた導電性微粒子について、実施例1と同様にして導電性微粒子の評価を行った。
更に、得られた導電性微粒子について、実施例1と同様にして異方性導電フィルムの作製を行い、異方性導電フィルムの導電性評価を行った。
評価結果を表1に示す。
Claims (8)
- 基材微粒子の表面がニッケル及びリンを含有する金属メッキ被膜層と最表面を金層とする多層の導電性膜で被覆されており、前記導電性膜は表面に隆起した突起を有する導電性微粒子であって、
前記金属メッキ被膜はリンを10重量%以上含有し、
前記導電性膜の表面の隆起した突起は、導電性物質を芯物質とすることを特徴とする導電性微粒子。 - 金属メッキ被膜の膜厚は、40〜150nmであることを特徴とする請求項1記載の導電性微粒子。
- 金属メッキ被膜中において、基材微粒子側から金属メッキ被膜膜厚の20%以下の領域で金属メッキ組成中に10〜20重量%のリンを含有し、金属メッキ被膜表面側から金属メッキ被膜膜厚の10%以下の領域で金属メッキ組成中に1〜10重量%のリンを含有することを特徴とする請求項1又は2記載の導電性微粒子。
- ビッカース硬度による、芯物質の硬度に対する導電性膜の硬度の硬度比が、0.2〜0.7であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電性微粒子。
- 芯物質は、ニッケル、銅、金、銀、及び亜鉛から選ばれる少なくとも1種の金属からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の導電性微粒子。
- 基材微粒子は、樹脂微粒子であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の導電性微粒子。
- 隆起した突起部分の平均高さが、導電性微粒子の平均粒子径の0.5%以上であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の導電性微粒子。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の導電性微粒子が樹脂バインダーに分散されてなることを特徴とする異方性導電材料。
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