JP2004170091A - Current sensor - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、外部磁場を遮断する包囲シールド壁より成る磁気シールド内に配設された測定対象である被検出電線を流れる電流により生じる磁場内において、作用している磁場の大きさから前記被検出電線を流れる電流に対応する電圧信号を出力するマグネト−インダクティブ磁気検出器より成る電流センサに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の電流センサは、図14に示されるように外乱磁場を遮断するための上下2分割構造の磁気シールドDS内に載置された被検出電線Wが通電されることにより周囲に生じる磁界の強さに応じて電圧を発生する磁気インピーダンス素子Mと、該磁気インピーダンス素子Mを駆動する駆動回路DCからなる磁気センサを配設することにより、前記磁気インピーダンス素子Mの電圧に基づいて計測し被検出電線を流れる電流値を求めるものであった(例えば、特許文献1参照。)。
【0003】
【特許文献1】
特開2000−258464号公報 (第5〜6頁、第8図)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の電流センサの原理は、図3に示されるように測定対象である前記被検出電線Wを流れる電流により右ねじの法則にしたがって該被検出電線を中心に同心円状に磁場が発生し、その強さが電線からの距離Lと共に減衰する磁場Bを磁気センサSにより検出するものである。また磁場の方向は前記同心円の各接線方向であるので磁気センサはその感度が最大となる軸を接線方向となるようすなわち検出電線と直交するように配設される。
【0005】
一方、前記シールドは、前記磁場B以外の外乱磁場その他の外部磁場を遮断して磁気センサにノイズとして影響することを防いでいる。
図15は、例えば高透磁率材料からなる磁気シールド2の中に円で示される円形横断面形状の検出用電線Wが配置されており、この電線を流れる被検出電流により発生する磁場強さの分布をコンピュータにより解析した結果を示している。
【0006】
この解析結果は、電線のごく近傍で最も強い磁場のレベルを10とし、実用的に磁場が0とみなせるレベルを0として階段的に磁場の強さ分布を表しており、数値が同じであれば磁場強さは同じである。これによると電線を取り巻くごく近傍が最も磁場が強く磁場レベルを表す数値は10、そこから遠ざかるにしたがってほぼ検出用電線Wの軸心を中心とする同心円状に磁場が緩やかに減衰しシールドの壁面22のごく近傍ではレベルは6、そしてさらにレベルが減衰するのはシールドの外でも磁場レベルを表す数値が5であることが表されている。
【0007】
磁気検出器としてアモルファス素子を利用する場合は高感度であるため、通常0から数(2〜3)ガウス程度の磁場強さの範囲で精度の良い測定が可能であるがそれ以上では飽和し出力が非線形になる特性を有する。したがって計測対象の電流による磁場が強すぎてマグネト−インダクティブ磁気検出器の出力が飽和したり、あるいは小さすぎてノイズに埋もれたりしないよう、適切な磁場強さとなる位置に前記マグネト−インダクティブ磁気検出器を配置する必要がある。
【0008】
しかしながら計測する電流が例えば数十A以上の大電流の場合には磁場が強くなり過ぎるため高透磁率材料による磁気シールドが磁気飽和し、本来の目的である外乱磁場を遮断することができなくなり精度の高い電流センサの実現が不可能になるという問題があった。
【0009】
さらにマグネト−インダクティブ磁気検出器が精度よく電流を検出できる所定の磁場強さとなる位置が図15のa点に示すようにシールド壁面に非常に接近した場所となってマグネト−インダクティブ磁気検出器とシールドが機械的に干渉して実際には配設が不可能になるか、あるいは所定の磁場強さとなる位置がb点のようにシールドの外側となってしまうことが生じる。その結果マグネト−インダクティブ磁気検出器をこのような適切な磁場強さとなる位置に配設する必要から磁気シールドの寸法を大きくせざるを得ず、小型の電流センサを実現することが不可能になるという問題があった。
【0010】
これとは逆に微小電流を計測する場合は前記電線の電流が発する磁場が微弱であるから、該磁場を精度良く検出するためには磁場減衰が小さい最も電線に近い領域に、マグネト−インダクティブ磁気検出器を配設する必要がある。すなわち図15に示されるごとく前記検出電線にごく近接した点、例えばc点付近の極めて狭い領域にマグネト−インダクティブ磁気検出器を配設する必要があるが、機械的な干渉が生じるので、事実上配設が困難であるという問題があった。
【0011】
すなわち、微小電流から大電流までを計測可能にするためには、磁気シールド内において機械的干渉無くマグネト−インダクティブ磁気検出器を安定に配設できる位置において、磁場の強さを適切な値に設定できるようにしなければならないという技術課題があった。
【0012】
そこで本発明者は、外部磁場を遮断する包囲シールド壁より成る磁気シールド内に配設された測定対象である被検出電線を流れる電流により生じる前記磁気シールド内の磁場内において、作用している磁場の大きさから前記被検出電線を流れる電流に対応する電圧信号を出力する電流センサであって、前記被検出電線を流れる電流により生じる磁場内に配設され、周囲の磁場に対応して内部磁場が変化するアモルファス素子に巻回された検出コイルにより該内部磁場変化を電磁誘導により電圧に変換することによりマグネト−インダクティブ磁気検出器を構成し、前記検出コイルの電圧を前記被検出電線を流れる電流に対応した電圧信号に変換する信号変換回路を備え、前記包囲シールド壁に形成された空隙により制御された磁気分布が形成されている前記磁気シールド内において、前記被検出電線を流れる電流による磁場に対応する前記アモルファス素子の内部磁場変化を電磁誘導により電圧に変換して電圧信号として検出するという本発明の技術的思想に着眼し、更に研究開発を重ねた結果、前記包囲シールド壁に形成された空隙により磁気シールド内部の磁場分布を制御することによってマグネト−インダクティブ磁気検出器に最適な磁場強さを所望の位置に実現可能にすることでこの課題を解決するとともに、大電流もしくは微小電流の計測を可能にする電流センサを実現するという目的を達成する本発明に到達した。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明(請求項1に記載の第1発明)の電流センサは、
外部磁場を遮断する包囲シールド壁より成る磁気シールド内に配設された測定対象である被検出電線を流れる電流により生じる前記磁気シールド内の磁場内において、作用している磁場の大きさから前記被検出電線を流れる電流に対応する電圧信号を出力する電流センサであって、
前記被検出電線を流れる電流により生じる磁場に対して出力の線形関係が保持される位置に配設され、周囲の磁場に対応して内部磁場が変化するアモルファス素子と、
該アモルファス素子に巻回されアモルファス素子の内部磁場変化を電磁誘導により電圧に変換することによりマグネト−インダクティブ磁気検出器を構成する検出コイルおよび
前記検出コイルの電圧を前記被検出電線を流れる電流に対応した電圧信号に変換する信号変換回路とから成り、
前記磁気シールド内に形成される磁気分布を制御するための空隙が、該磁気シールドの前記包囲シールド壁に形成されている
ものである。
【0014】
本発明(請求項2に記載の第2発明)の電流センサは、
前記第1発明において、
前記検出コイルが巻回されたアモルファス素子と前記信号変換回路が、前記磁気シールド内に配設されたパッケージ内に配置されている
ものである。
【0015】
本発明(請求項3に記載の第3発明)の電流センサは、
前記第2発明において、
前記被検出電線が、前記パッケージの平坦面に平坦面が当接して前記磁気シールド内に配設された絶縁材料より成るスペーサ内に配設され、
前記マグネト−インダクティブ磁気検出器が、前記被検出電線と前記磁気シールドの前記空隙が形成された壁面または前記空隙が形成された壁面に対向する壁面との間に配設されている
ものである。
【0016】
【発明の作用および効果】
上記構成より成る第1発明の電流センサは、前記包囲シールド壁に形成された空隙により制御された磁気分布が形成されている前記磁気シールド内において、前記被検出電線を流れる電流による磁場に対応する前記アモルファス素子の内部磁場変化を電磁誘導により前記検出コイルによって電圧に変換して電圧信号として検出するものであるので、前記包囲シールド壁に形成された前記空隙により磁気シールド内部の磁場分布が制御されることによって、マグネト−インダクティブ磁気検出器に最適な磁場強さを所望の位置に実現可能にするとともに、大電流もしくは微小電流の計測を可能にする電流センサを実現するという効果を奏する。
【0017】
上記構成より成る第2発明の電流センサは、前記第1発明において、前記検出コイルが巻回されたアモルファス素子と前記信号変換回路が、前記磁気シールド内に配設されたパッケージ内に配置されているので、前記アモルファス素子と前記被検出電線との距離が精度良く保持されるため、安定且つ精度の高い大電流を測定可能にするとともに、前記磁気シールド内において検出した電圧信号が変換されるので安定な信号変換を可能にするという効果を奏する。
【0018】
上記構成より成る第3発明の電流センサは、前記第2発明において、前記被検出電線が、前記パッケージの平坦面に平坦面が当接して前記磁気シールド内に配設された絶縁材料より成るスペーサ内に配設され、前記マグネト−インダクティブ磁気検出器が、前記被検出電線と前記磁気シールドの前記空隙が形成された壁面または前記空隙が形成された壁面に対向する壁面との間に配設されているので、前記アモルファス素子と前記被検出電線との距離が精度良く保持されるため、安定且つ精度の高い大電流もしくは微小電流の測定を可能にするという効果を奏する。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態につき、図面を用いて説明する。
【0020】
(第1実施形態)
本第1実施形態の電流センサは、図1ないし図4に示されるように外部磁場を遮断する包囲シールド壁20より成る磁気シールド2内に配設された測定対象である被検出電線1を流れる電流により生じる前記磁気シールド2内の磁場内において、作用している磁場の大きさから前記被検出電線1を流れる電流に対応する電圧信号を出力する電流センサであって、前記被検出電線1を流れる電流により生じる磁場に対して出力の線形関係が保持される位置に配設され、周囲の磁場に対応して内部磁場が変化するアモルファス素子31と、該アモルファス素子31に巻回されアモルファス素子31の内部磁場変化を電磁誘導により電圧に変換することによりマグネト−インダクティブ磁気検出器3を構成する検出コイル32および前記検出コイル32の電圧を前記被検出電線を流れる電流に対応した電圧信号に変換する信号変換回路33とから成り、前記磁気シールド2内に形成される磁気分布を制御するための空隙21が、該磁気シールド2の上壁面201の前記包囲シールド壁20にスリット状に形成されているとともに、前記マグネト−インダクティブ磁気検出器3が、前記被検出電線1と前記磁気シールド2の前記空隙21が形成された壁面に対向する下壁面202との間に配設されているものである。
【0021】
前記磁気シールド2は、図1および図2に示されるように外部磁場を遮断する上壁面201、下壁面202、両側壁面203、204の矩形断面形状の4面より成るパーマロイのような高透磁率材料によって構成された包囲シールド壁20から成り、前記磁気シールド2内に形成される磁気分布を制御するための空隙21が、該磁気シールド2の前記包囲シールド壁20の上壁面201の長手方向全長に亘りスリット状に形成されている。
【0022】
前記包囲シールド壁20は、例えば厚さ0.5mmで、前記上面201および前記下面202の内壁の幅は4mm、左右両側面203、204の内壁の高さは4mmであり、前記上面201の長手方向全長に亘りスリット状に形成された前記空隙21すなわち間隙の図2中左右方向の幅は0.5mmである。
【0023】
前記空隙21が形成された上記磁気シールド2内に配置された電流センサの原理を説明するために、磁気シールド2内に形成される磁場分布を明らかにするために行ったコンピュータによる磁場解析によって、図2に示される磁場分布が明らかになったので、図2を用いて説明する。
【0024】
図2から明らかなように前記空隙21の中心と前記被検出電線1の軸心とを結ぶ直線に対して線対称となる磁場分布を示し、磁場強さが10から8までの磁場分布は前記空隙21が形成された上壁面201に対して開口するとともに前記被検出電線1を内包する略U字状となり、前記被検出電線1と前記シールド2の前記空隙21に対向する下壁面202とによって挟まれる空間の磁場が、磁場強さが10である前記被検出電線1から前記シールド2の下壁面202の方へ遠ざかるにしたがって図15に示される従来の場合に比べて磁場の強さが大きく減衰し、シールド壁面近傍の磁場が実用上0ガウス近くになる。
【0025】
本第1実施形態においては、この大きく磁場が減衰する様子が、図2において前記被検出電線1から前記シールド2の下壁面202までの間の磁場強さが10から1まで分布していることからも理解することが出来る。
【0026】
本第1実施形態の電流センサは、図3に示されるように測定対象である被検出電線1を流れる電流により生じる前記被検出電線1の軸心からの距離Lに位置する磁場内において、作用している磁場Bの大きさから前記被検出電線1を流れる電流に対応する電圧信号を出力する電流センサである。
【0027】
前記シールド2に対して電流による磁気飽和を抑制するための空隙21を形成し、断面が略矩形で筒状の高透磁率材料からなる磁気シールド2の内部に収納され、前記被検出電線1を流れる電流により生じる磁場内の出力の線形関係が保持され所定の磁場強さの範囲内となる位置であって磁場の方向に平行に配設され、被検出電流による周囲の磁場に対応して内部磁場が変化する例えば直径30μmおよび長さ3mm以下のアモルファス素子31からなり、該アモルファス素子31に巻回されアモルファス素子の内部磁場変化を電磁誘導により電圧に変換することによりマグネト−インダクティブ磁気検出器3を構成する検出コイル32および前記検出コイルの電圧を前記被検出電線1を流れる電流に対応した電圧信号に変換する信号変換回路33とから成るものである。
【0028】
本第1実施形態の電流センサは、図1に示されるように前記被検出電線1と、該被検出電線1の下方において磁場を最大の感度で検出できるよう軸が検出電線の軸方向と直交する向きに配設された前記検出コイル32を巻回したアモルファスワイヤ31および前記検出コイル32に接続された前記信号変換回路33とから成り、前記検出コイル32によりアモルファスワイヤ31の内部磁場変化を電磁誘導により電圧に変換するマグネト−インダクティブ磁気検出器3を構成するものである。
【0029】
本第1実施形態の電流センサにおける信号変換回路33は、図4に示されるようにロジック回路からなるパルス発生器310が、前記アモルファス素子31と、検波回路320のアナログスイッチ321にそれぞれP1、P2の同期したパルスを出力する。この二つのパルスはP1、 P2の順で発生し、たとえば1MHzの周波数で繰り返すので磁場の測定は1MHzの頻度で行われる。
【0030】
パルスP1が発生し前記アモルファス素子31にパルス電流P1 が印加されると、前記アモルファス素子31にはパルス電流P1ならびに前記アモルファス素子31が置かれている前記被検出電線1を流れる電流により生じる周辺磁場に対応して内部磁場変化が生じる。このとき電磁誘導作用により前記検出コイル32には、該内部磁場変化に対応する電圧が発生する。
【0031】
この電圧を、前記信号変換回路33を構成する前記検波回路320の前記アナログスイッチ321が瞬間的に閉になることで、サンプルホールド回路を構成するコンデンサC321がホールドする。オペレーショナルアンプからなる増幅器330は、前記検波回路320の電圧を増幅するとともに、測定するべき電流に対応する電圧信号を出力端子に出力する。
【0032】
上記作用を奏する本第1実施形態の電流センサは、前記シールド2の前記包囲シールド壁20に形成された前記空隙21により制御された磁気分布が形成されている前記磁気シールド2内において、前記被検出電線1を流れる電流による磁場に対応する前記アモルファス素子31の内部磁場変化を電磁誘導により前記検出コイル32によって電圧に変換して電圧信号として検出するものであるので、前記包囲シールド壁20に形成された前記空隙21により前記磁気シールド2の内部の磁場分布が制御されることによって、マグネト−インダクティブ磁気検出器3に最適な磁場強さを所望の位置に実現可能にするとともに、大電流もしくは微小電流の計測を可能にする電流センサを実現するという効果を奏する。
【0033】
また本第1実施形態の電流センサは、前記シールド2に前記空隙21を形成したので、前記空隙21により前記被検出電線1に大電流を流しても前記磁気シールド2が磁気飽和することを抑制することができるため、シールド本来の目的である外乱磁気を遮断してノイズの混入を防ぐことを可能にするという効果(第1の効果)を奏する。
【0034】
さらに本第1実施形態の電流センサは、前記空隙21が設けられた前記シールド2の上壁面201に対向する側の下壁面(辺)202と前記被検出電線1によって挟まれる空間の磁場が、前記電線1からシールド下壁面202の方へ遠ざかるにしたがって従来の場合に比べて磁場の強さが大きく減衰しシールド壁面近傍の磁場を実用上0ガウス近くにすることができるので、この大きく磁場が減衰する様子が図2において電線1とシールド壁面202との間の磁場強さが10から1まで分布していることから分かるように、従来の空隙をもたない図15のa点のようにシールド壁面近傍の最も弱い磁場のレベルを表す数値が6であることに対して、本第1実施形態における磁場分布を示す図2においてはさらに低く磁場のレベルがその数値を1にできるという効果(第2の効果)を奏する。
【0035】
上述の第2の効果により、前記磁気シールド2の寸法を大きくすること無く、所定の大きさのシールド内において所定の磁場強さを得ることができるので、小型の大電流センサを実現することを可能にするものである。
【0036】
また本第1実施形態の電流センサは、図2におけるd点の周辺、すなわち電線1と前記磁気シールドの空隙21との間の空間に最も強い磁場の領域を広く作り出すことができるので、図15の空隙を持たない従来のシールドの場合には磁場が最も強い領域は被検出電線Wの周囲のごく近傍に限られることに対して図2ではd点を含んで被検出電線1からシールド2の空隙までの全領域の1/4以上の広い領域が最も磁場強さのレベルが高い10であることから理解できるようにマグネト−インダクティブ磁気検出器3を前記電線1に近接させることなく機械的な干渉が無い位置に強い磁場の領域を分布させることができるようになり微小電流センサを実現可能にするという効果(第3の効果)を奏する。
【0037】
本第1実施形態の電流センサは、上述のごとく前記磁気シールド2の前記空隙21による上述の第1の効果により、前記被検出電線1が電流を流しても前記磁気シールド2が磁気飽和しないので、外乱磁場その他の外部磁場を遮断することが出来、また上述の第2の効果により前記磁気シールド2の寸法を大きくすること無く、前記磁気シールド2の内部にマグネト−インダクティブ磁気検出器3が非線形となることの無い所定の強さの磁場を実現するため、小型で、高精度の電流センサを実現するという効果を奏する。
【0038】
(第2実施形態)
本第2実施形態の電流センサは、図5ないし図8に示されるようにマグネト−インダクティブ磁気検出器3をパッケージ40に収蔵配置し、該パッケージ40の上面の平坦面と絶縁材料によるスペーサを挟んで被検出電線14を当接する構造とし、該被検出電線14と前記磁気検出器24とを所定の距離に安定かつ精度良く設定するとともに、前記磁気検出器3および前記被検出電線14の周囲を高透磁率材料で被覆することからなる空隙を有する磁気シールド2を構成し前記磁気検出器3が前記被検出電線1と空隙の無い磁気シールド2の内壁面との間に配設されている点に特徴がある。
【0039】
アモルファス素子が検出する被測定電流による磁場の大きさは、上述の図2を用いた記載から明らかなように被検出電線から遠ざかるにしたがって減衰する。
すなわち被検出電線とアモルファス素子との距離が変動すると電流センサとしての感度がばらつくことになる。
【0040】
本第2実施形態においては、図5および図6に示されるように検出コイルを巻回したアモルファス素子34と信号変換回路35からなるマグネト−インダクティブ磁気検出器3を収納した小型の直方体のパッケージ40の上面の平坦面S40に対して当接する絶縁体のスペーサ141を挟んで被検出電線14を配置するための該スペーサと一体構造をなすホールダ142により被検出電線14とマグネト−インダクティブ磁気検出器3とを所定の距離に容易に安定かつ精度良く配置でき、かつ前述のごとく高透磁率材料からなる空隙を有する磁気シールドで周囲を被覆することにより、ノイズ混入がなく高精度でかつ機械的にも安定な電流センサを安価な製品とするものである。
【0041】
すなわち本第2実施形態における磁気検出器は、図5に示されるように検出コイルを巻回したアモルファスワイヤ34と信号変換回路35とをIC化して複数のIC用電極55を備えた小型のパッケージ40内に収納したIC型マグネト−インダクティブ磁気検出器3によって構成されるものである。
【0042】
なお図6において、当接するべきスペーサ141の当接面S141を説明しやすくするためにパッケージ40の面S40と分離して描いている。
また図6の断面図において上側部分201と下側部分202の二つに分けて示される磁気シールド2の上側部分201には被検出電線14の真上に該検出電線と平行に図示されていないが空隙21が形成されている。図7はこの空隙の位置を示すために図8における検出電線14の軸方向から見た横断面図を示す。
【0043】
図8は、IC型マグネト−インダクティブ磁気検出器3の具体的な信号変換器の電気回路であり基本的には前記第1実施形態における回路と同様であるが、自動車で使用するために増幅器330を単極電源で動作できるように設けた抵抗器R331およびR332による基準電位発生回路を追加したところが異なる。
【0044】
上記構成より成る本第2実施形態の電流センサは、前記被検出電線14と前記IC型マグネト−インダクティブ磁気検出器3とに挟着されるスペーサ141は被検出電線14を把持するホールダ142と一体構造をなし該スペーサ141の当接面S141を前記IC型磁気検出器24のひとつの面S40に当接することで被検出電線14と前記IC型磁気検出器24に内蔵されたアモルファスワイヤ34との距離を容易に安定かつ精度良く設定することを可能にするという効果を奏する。
【0045】
また本第2実施形態の電流センサは、前記IC型磁気検出器3および前記ホールダ142をともに高透磁率材料からなる板143で被覆して固定し、かつ高透磁率材料の作用により磁気シールドするとともにノイズとなる地磁気などの磁場を排除して高精度化するので、ノイズ混入のない高精度な電流センサを実現するという効果を奏する。
【0046】
さらに本第2実施形態の電流センサは、上述のようにIC型マグネト−インダクティブ磁気検出器3を利用するので、ノイズ混入のない高精度かつ安定な大電流センサを安価に製作することができるという効果を奏する。
【0047】
(第3実施形態)
本第3実施形態の電流センサは、図9および図10に示されるように前記第2実施形態において磁気シールド2の上側部分201に設けた空隙21を下側部分202に設けることにより、前記マグネト−インダクティブ磁気検出器3が前記被検出電線14と空隙を有する磁気シールド壁面との間に配設されていることと、マグネト−インダクティブ磁気検出器3のアモルファス素子31に磁気フィードバックを施す手段335を設けたところが、上述の実施形態とは異なる。
【0048】
図9は、前記被検出電線14の軸方向から見た断面図であり、磁気シールド2の下面部202に形成されている空隙21と前記検出電線14との間、すなわち前記検出電線14が発生する磁場が最も強く分布する領域において前記IC化されたマグネト−インダクティブ磁気検出器3を収納配置した小型の直方体のパッケージ40の1つの平坦面S40に対して絶縁体のスペーサ141を挟んで被検出電線14を当接するための該スペーサと一体構造をなすホールダ142により被検出電線14とマグネト−インダクティブ磁気検出器3とを所定の距離に保持されている。
【0049】
図10は、IC型マグネト−インダクティブ磁気検出器3の信号変換回路35の電気回路であり、基本的には図8に示される回路と同じであるが、磁場測定をさらに高精度化するために前記アモルファスワイヤ31に新たに巻回した負帰還コイル32a を含むフィードバック回路335を追加したところが異なる。
【0050】
本第3実施形態の電流センサは、前記パッケージ40の平坦面S40に当接する絶縁体のスペーサ141を挟んで被検出電線14を当接するための該スペーサと一体構造をなすホールダ142により被検出電線14とマグネト−インダクティブ磁気検出器24とを所定の距離に保持されているので、容易に安定かつ精度良く設定でき、かつ前述のごとく第3の効果により微小電流を強い磁場として捉えることで高感度でかつノイズ混入がなく高精度でしかも機械的にも安定な電流センサを安価な製品とすることが出来るという効果を奏する。
【0051】
また本第3実施形態の電流センサは、図10に示されるように増幅器330の出力端子に接続された抵抗器R335と前記負帰還コイル32a からなるフィードバック回路335は、いかなる磁場が印加されても前記アモルファスワイヤ31の内部磁場がつねにゼロとなるように負帰還電流を流すので、この負帰還により前記アモルファス素子31の動作点を変化させないため、非線形性のない非常に高精度な微小電流測定を可能にするという効果を奏する。
【0052】
上述の実施形態は、説明のために例示したもので、本発明としてはそれらに限定されるものでは無く、特許請求の範囲、発明の詳細な説明および図面の記載から当業者が認識することができる本発明の技術的思想に反しない限り、変更および付加が可能である。
【0053】
たとえば上記の実施形態では電線位置をシールド内のほぼ中央部に配設し、また磁気シールドの断面形状を正方形とする図を示しているが、本発明ではこれらに限らず、測定する電流の大きさおよび電流センサとして要求される形状に応じて楕円形、長円形、波状他の凹凸外形を有する花びら形状、多角形その他の任意の断面形状に変更できるとともに、シールド内における被検出電線の配設位置も中央および中心に限らず必要に応じて中心から偏心した位置または周縁に近い位置に配置することも可能である。
【0054】
上述の第2実施形態に関する第1の変形例は、測定できる電流の領域を拡大するために電流のレンジ切り換えを設けたもので、横断面を示す図11および縦断面図12に示されるように測定する3段階の電流の大きさに対応して通電する被検出電線14a、14b、14cを選択して使用するものである。
【0055】
前記電線14a、14b、14cを流れる各電流が、マグネト−インダクティブ磁気検出器に与える磁場の強さを所定の値とするために、前記電線14a、14b、14cの各被検出電線をホールダ142およびスペーサ141によりマグネト−インダクティブ磁気検出器から所定の距離離れた位置に安定に配設することを可能にするとともに、大電流になるにしたがってパッケージ40に収納されているマグネト−インダクティブ磁気検出器と電線の距離は大である。
【0056】
上述の第2実施形態に関する第2変形例は、図13に示されるように通電されている既設の電線すなわち被検出電線を切断することなく簡便に電流の測定ができる装置として具体化した例である。
【0057】
すなわち、シールド2を相対的に揺動し得る222と223の二部材に2分割し、空隙221を有する一方のシールド222と粘弾性材料からなるホールダ142とを非磁性材料からなるピンチ機構150の一方の腕151a に取り付けるとともにもう一方のシールド223の上に配設されるプリント基板145に電気的に配線されたマグネト−インダクティブ磁気検出器を含んだパッケージ40およびスペーサ141が前記ピンチ機構のもう一方の腕151bに配設される。前記スペーサ141は断面が凹字状の溝を持つ絶縁体であり、該溝部141a は前記被検出電線14を常に安定した位置で当接させるためのものである。
【0058】
前記ピンチ機構150のハンドル152a 、152b の間に挿入したばね153の反発力により前記ピンチ機構の揺動腕151a 、151bが互いに近づき、前記粘弾性のホールダ142により力を受けた前記被検出電線14が前記スペーサの溝部141a に当接する。これにより電線とマグネト−インダクティブ磁気検出器が常に安定に所定の距離に保たれる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の本第1実施形態の電流センサを示す斜視図である。
【図2】本第1実施形態の電流センサの磁気シールド内における磁場分布を説明するための説明図である。
【図3】本第1実施形態の電流センサにおける磁場測定の原理を説明するための説明図である。
【図4】本第1実施形態の電流センサにおける電気回路を示す回路図である。
【図5】本発明の本第2実施形態の電流センサにおけるIC型マグネト−インダクティブ磁気検出器3を収納したパッケージを示す平面図である。
【図6】本第2実施形態の電流センサを示す縦断面図である。
【図7】本第2実施形態の電流センサを示す横断面図である。
【図8】本第2実施形態の電流センサにおける電気回路を示す回路図である。
【図9】本発明の第3実施形態の電流センサを示す横断面図である。
【図10】本第3実施形態の電流センサにおける電気回路を示す回路図である。
【図11】本第2実施形態の第1変形例の電流センサを示す横断面図である。
【図12】本第2実施形態の第1変形例の電流センサを示す縦断面図である。
【図13】本第2実施形態の第2変形例の電流センサを示す要部断面図である。
【図14】従来の電流センサを示す断面図である。
【図15】従来の電流センサの磁気シールド内における磁場分布を説明するための説明図である。
【符号の説明】
1 被検出電線
2 磁気シールド
20 包囲シールド壁
21 空隙
201 上壁面
202 下壁面
3 マグネト−インダクティブ磁気検出器
31 アモルファス素子
32 検出コイル
33 信号変換回路[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention is directed to a magnetic field generated by a current flowing through a detection target wire, which is a measurement target disposed in a magnetic shield including a surrounding shield wall that blocks an external magnetic field, from the magnitude of a magnetic field acting on the detection target wire. The present invention relates to a current sensor including a magneto-inductive magnetic detector that outputs a voltage signal corresponding to a current flowing through an electric wire.
[0002]
[Prior art]
In the conventional current sensor, as shown in FIG. 14, the strength of the magnetic field generated around the wire when the electric wire W to be detected placed in the magnetic shield DS having the upper and lower two-part structure for interrupting the disturbance magnetic field is energized. By providing a magnetic sensor comprising a magnetic impedance element M for generating a voltage in accordance with the voltage and a drive circuit DC for driving the magnetic impedance element M, measurement and detection based on the voltage of the magnetic impedance element M are performed. The value of the current flowing through the electric wire is determined (for example, see Patent Document 1).
[0003]
[Patent Document 1]
JP-A-2000-258644 (
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
The principle of the above-described conventional current sensor is that, as shown in FIG. 3, a magnetic field is generated concentrically around the detected wire according to the right-handed screw rule by a current flowing through the detected wire W to be measured, The magnetic sensor S detects the magnetic field B whose strength attenuates with the distance L from the electric wire. Further, since the direction of the magnetic field is the tangential direction of the concentric circle, the magnetic sensor is disposed so that the axis at which the sensitivity is maximum is tangential, that is, orthogonal to the detection wire.
[0005]
On the other hand, the shield blocks a disturbance magnetic field other than the magnetic field B and other external magnetic fields to prevent the magnetic sensor from being affected as noise.
FIG. 15 shows a case where a detection wire W having a circular cross section indicated by a circle is arranged in a
[0006]
The analysis results show that the level of the strongest magnetic field in the immediate vicinity of the electric wire is 10, and the level where the magnetic field is practically regarded as 0 is 0, and the strength distribution of the magnetic field is expressed stepwise. The magnetic field strength is the same. According to this figure, the magnetic field is strongest in the immediate vicinity of the electric wire, and the numerical value indicating the magnetic field level is 10. The magnetic field gradually attenuates concentrically about the axis of the detection wire W as the distance from the shield wall increases. It is shown that the level is 6 in the immediate vicinity of 22, and that the level attenuates even further outside the shield with a numerical value of 5 outside the shield.
[0007]
When an amorphous element is used as a magnetic detector, the sensitivity is high, so that accurate measurement can be normally performed in the range of a magnetic field strength of about 0 to several (2 to 3) gauss. Has the property of becoming non-linear. Therefore, the magnetic-inductive magnetic detector is located at a position having an appropriate magnetic field strength so that the magnetic field due to the current to be measured is not too strong and the output of the magneto-inductive magnetic detector does not saturate or is too small to be buried in noise. Need to be placed.
[0008]
However, when the current to be measured is a large current of, for example, several tens of amperes or more, the magnetic field becomes too strong, so that the magnetic shield made of a material having high magnetic permeability is magnetically saturated, and the disturbance magnetic field, which is the original purpose, cannot be cut off. However, there is a problem that it is impossible to realize a current sensor having a high current.
[0009]
Further, the position at which the predetermined magnetic field strength at which the magneto-inductive magnetic detector can accurately detect the current is located very close to the shield wall as shown by point a in FIG. 15 and the magneto-inductive magnetic detector and the shield May mechanically interfere with each other, making it impossible to actually dispose them, or a position having a predetermined magnetic field strength may be outside the shield as at point b. As a result, the size of the magnetic shield must be increased due to the necessity of disposing the magneto-inductive magnetic detector at such a position having an appropriate magnetic field strength, and it becomes impossible to realize a small-sized current sensor. There was a problem.
[0010]
Conversely, when measuring a very small current, the magnetic field generated by the electric current of the electric wire is weak. Therefore, in order to detect the magnetic field with high accuracy, a magnetic-inductive magnetic field is applied to an area where the magnetic field attenuation is small and closest to the electric wire. A detector needs to be provided. That is, as shown in FIG. 15, it is necessary to dispose a magneto-inductive magnetic detector in a point very close to the detection wire, for example, in a very narrow area near point c. There was a problem that installation was difficult.
[0011]
In other words, in order to enable measurement from a very small current to a large current, the strength of the magnetic field is set to an appropriate value at a position where the magneto-inductive magnetic detector can be stably arranged without mechanical interference in the magnetic shield. There was a technical problem that had to be made possible.
[0012]
Therefore, the present inventor has proposed a magnetic field acting in a magnetic field in the magnetic shield generated by a current flowing through a detection target wire which is a measurement target disposed in a magnetic shield formed of a surrounding shield wall for blocking an external magnetic field. A current sensor that outputs a voltage signal corresponding to the current flowing through the detected wire from the size of the current sensor, the current sensor being disposed in a magnetic field generated by the current flowing through the detected wire, and an internal magnetic field corresponding to a surrounding magnetic field. A magneto-inductive magnetic detector is configured by converting the internal magnetic field change into a voltage by electromagnetic induction using a detection coil wound around an amorphous element in which the voltage of the detection coil changes. A signal conversion circuit that converts the voltage into a voltage signal corresponding to the above, and a magnetic distribution controlled by a gap formed in the surrounding shield wall is formed. Within the magnetic shield, the internal magnetic field change of the amorphous element corresponding to the magnetic field due to the current flowing through the detected electric wire is converted into a voltage by electromagnetic induction and detected as a voltage signal. Focused and further research and development, as a result of controlling the magnetic field distribution inside the magnetic shield by the air gap formed in the surrounding shield wall, the optimum magnetic field strength for the magneto-inductive magnetic detector was realized at the desired position The present invention solves this problem by making it possible, and attains the present invention that achieves the object of realizing a current sensor capable of measuring a large current or a small current.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
The current sensor according to the present invention (first invention according to claim 1)
In the magnetic field in the magnetic shield generated by the current flowing through the electric wire to be measured disposed in the magnetic shield formed of the surrounding shield wall for blocking the external magnetic field, the magnetic field in the magnetic shield is determined by the magnitude of the acting magnetic field. A current sensor that outputs a voltage signal corresponding to a current flowing through a detection wire,
An amorphous element is disposed at a position where a linear relationship of output is maintained with respect to a magnetic field generated by a current flowing through the detected wire, and an internal magnetic field changes in accordance with a surrounding magnetic field;
A detection coil forming a magneto-inductive magnetic detector by converting a change in internal magnetic field of the amorphous element into a voltage by electromagnetic induction wound around the amorphous element;
A signal conversion circuit that converts the voltage of the detection coil into a voltage signal corresponding to a current flowing through the detected wire,
A gap for controlling magnetic distribution formed in the magnetic shield is formed in the surrounding shield wall of the magnetic shield.
Things.
[0014]
The current sensor according to the present invention (the second invention according to claim 2)
In the first invention,
The amorphous element around which the detection coil is wound and the signal conversion circuit are disposed in a package disposed in the magnetic shield.
Things.
[0015]
The current sensor according to the present invention (third invention according to claim 3)
In the second invention,
The detected wire is disposed in a spacer made of an insulating material disposed in the magnetic shield with a flat surface abutting on a flat surface of the package,
The magneto-inductive magnetic detector is disposed between the detected electric wire and a wall surface of the magnetic shield where the air gap is formed or a wall surface facing the wall surface where the air gap is formed.
Things.
[0016]
Function and Effect of the Invention
The current sensor according to the first invention having the above-described configuration corresponds to a magnetic field caused by a current flowing through the detected electric wire in the magnetic shield in which the magnetic distribution controlled by the gap formed in the surrounding shield wall is formed. Since the change in the internal magnetic field of the amorphous element is converted into a voltage by the detection coil by electromagnetic induction and detected as a voltage signal, the magnetic field distribution inside the magnetic shield is controlled by the gap formed in the surrounding shield wall. This makes it possible to achieve an optimum magnetic field strength at a desired position for the magneto-inductive magnetic detector, and to realize a current sensor that can measure a large current or a small current.
[0017]
A current sensor according to a second aspect of the present invention is the current sensor according to the first aspect, wherein the amorphous element around which the detection coil is wound and the signal conversion circuit are disposed in a package disposed in the magnetic shield. Since the distance between the amorphous element and the detected electric wire is accurately maintained, a stable and highly accurate large current can be measured, and the voltage signal detected in the magnetic shield is converted. This has the effect of enabling stable signal conversion.
[0018]
A current sensor according to a third aspect of the present invention is the spacer according to the second aspect, wherein the wire to be detected is made of an insulating material disposed in the magnetic shield with a flat surface abutting against a flat surface of the package. And the magneto-inductive magnetic detector is disposed between the detected electric wire and a wall surface of the magnetic shield in which the gap is formed or a wall surface facing the wall surface in which the gap is formed. Since the distance between the amorphous element and the detected electric wire is accurately maintained, an effect of enabling a stable and highly accurate measurement of a large current or a small current is achieved.
[0019]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0020]
(1st Embodiment)
As shown in FIGS. 1 to 4, the current sensor according to the first embodiment flows through a detected
[0021]
As shown in FIGS. 1 and 2, the
[0022]
The surrounding
[0023]
In order to explain the principle of the current sensor arranged in the
[0024]
As is clear from FIG. 2, a magnetic field distribution which is axisymmetric with respect to a straight line connecting the center of the
[0025]
In the first embodiment, the state in which the magnetic field is greatly attenuated is that the magnetic field strength from the detected
[0026]
As shown in FIG. 3, the current sensor according to the first embodiment operates in a magnetic field located at a distance L from the axis of the detected
[0027]
A
[0028]
As shown in FIG. 1, the current sensor according to the first embodiment has an axis perpendicular to the axial direction of the
[0029]
As shown in FIG. 4, the
[0030]
When a pulse P1 is generated and a pulse current P1 is applied to the
[0031]
When the
[0032]
The current sensor according to the first embodiment having the above-described operation is provided in the
[0033]
Further, in the current sensor of the first embodiment, since the
[0034]
Further, in the current sensor of the first embodiment, the magnetic field in the space between the lower wall surface (side) 202 facing the
[0035]
According to the above-described second effect, a predetermined magnetic field strength can be obtained in a shield of a predetermined size without increasing the size of the
[0036]
In addition, the current sensor of the first embodiment can widely create a region of the strongest magnetic field around point d in FIG. 2, that is, in the space between the
[0037]
In the current sensor according to the first embodiment, as described above, the
[0038]
(2nd Embodiment)
In the current sensor according to the second embodiment, as shown in FIGS. 5 to 8, the magneto-inductive
[0039]
The magnitude of the magnetic field due to the measured current detected by the amorphous element is attenuated as the distance from the detected wire increases, as is apparent from the description using FIG.
That is, if the distance between the detected electric wire and the amorphous element fluctuates, the sensitivity as a current sensor will vary.
[0040]
In the second embodiment, as shown in FIGS. 5 and 6, a small
[0041]
That is, the magnetic detector according to the second embodiment is a small package provided with a plurality of
[0042]
In FIG. 6, the contact surface S141 of the
In the sectional view of FIG. 6, the
[0043]
FIG. 8 is an electric circuit of a specific signal converter of the IC type magneto-inductive
[0044]
In the current sensor according to the second embodiment having the above configuration, the
[0045]
In the current sensor according to the second embodiment, both the IC type
[0046]
Furthermore, since the current sensor of the second embodiment uses the IC-type magneto-inductive
[0047]
(Third embodiment)
As shown in FIGS. 9 and 10, the current sensor according to the third embodiment provides the
[0048]
FIG. 9 is a cross-sectional view of the detected
[0049]
FIG. 10 shows an electric circuit of the
[0050]
In the current sensor according to the third embodiment, the electric wire to be detected is formed by a
[0051]
Further, in the current sensor according to the third embodiment, as shown in FIG. 10, the
[0052]
The above-described embodiment has been described by way of example, and the present invention is not limited to the embodiment. It will be recognized by those skilled in the art from the claims, the detailed description of the invention, and the drawings. Modifications and additions are possible without violating the technical idea of the present invention.
[0053]
For example, in the above embodiment, the position of the electric wire is arranged substantially at the center of the shield, and the cross-sectional shape of the magnetic shield is shown as a square. The shape can be changed to an elliptical shape, an oval shape, a petal shape having a wavy or other irregular shape, a polygonal shape, or any other cross-sectional shape according to the shape required for the current sensor, and the arrangement of the detected electric wire in the shield. The position is not limited to the center and the center, but may be arranged at a position eccentric from the center or a position near the periphery as necessary.
[0054]
The first modification of the second embodiment described above is provided with current range switching in order to expand the range of current that can be measured. As shown in FIG. 11 showing a cross section and FIG. The detected
[0055]
In order for each current flowing through the
[0056]
The second modification of the above-described second embodiment is an example embodied as a device that can easily measure a current without cutting an existing electric wire that is energized, that is, an electric wire to be detected, as shown in FIG. is there.
[0057]
That is, the
[0058]
The resilient force of the
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a current sensor according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining a magnetic field distribution in a magnetic shield of the current sensor according to the first embodiment.
FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining the principle of magnetic field measurement in the current sensor according to the first embodiment.
FIG. 4 is a circuit diagram showing an electric circuit in the current sensor according to the first embodiment.
FIG. 5 is a plan view showing a package containing an IC-type magneto-inductive
FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing a current sensor according to the second embodiment.
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a current sensor according to the second embodiment.
FIG. 8 is a circuit diagram showing an electric circuit in the current sensor according to the second embodiment.
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a current sensor according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a circuit diagram showing an electric circuit in the current sensor according to the third embodiment.
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a current sensor according to a first modification of the second embodiment.
FIG. 12 is a longitudinal sectional view showing a current sensor according to a first modification of the second embodiment.
FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating a main part of a current sensor according to a second modification of the second embodiment.
FIG. 14 is a sectional view showing a conventional current sensor.
FIG. 15 is an explanatory diagram for explaining a magnetic field distribution in a magnetic shield of a conventional current sensor.
[Explanation of symbols]
1 Electric wire to be detected
2 Magnetic shield
20 Siege shield wall
21 void
201 Upper wall
202 Lower wall
3 magneto-inductive magnetic detector
31 Amorphous element
32 detection coil
33 signal conversion circuit
Claims (3)
前記被検出電線を流れる電流により生じる磁場に対して出力の線形関係が保持される位置に配設され、周囲の磁場に対応して内部磁場が変化するアモルファス素子と、
該アモルファス素子に巻回されアモルファス素子の内部磁場変化を電磁誘導により電圧に変換することによりマグネト−インダクティブ磁気検出器を構成する検出コイルおよび
前記検出コイルの電圧を前記被検出電線を流れる電流に対応した電圧信号に変換する信号変換回路とから成り、
前記磁気シールド内に形成される磁気分布を制御するための空隙が、該磁気シールドの前記包囲シールド壁に形成されている
ことを特徴とする電流センサ。In the magnetic field in the magnetic shield generated by the current flowing through the electric wire to be measured disposed in the magnetic shield formed of the surrounding shield wall for blocking the external magnetic field, the magnetic field in the magnetic shield is determined by the magnitude of the acting magnetic field. A current sensor that outputs a voltage signal corresponding to a current flowing through a detection wire,
An amorphous element is disposed at a position where a linear relationship of output is maintained with respect to a magnetic field generated by a current flowing through the detected wire, and an internal magnetic field changes in accordance with a surrounding magnetic field;
A detection coil which forms a magneto-inductive magnetic detector by converting a change in the internal magnetic field of the amorphous element into a voltage by electromagnetic induction by winding the amorphous element, and the voltage of the detection coil corresponds to the current flowing through the electric wire to be detected. And a signal conversion circuit that converts the voltage signal into
A current sensor, wherein a gap for controlling a magnetic distribution formed in the magnetic shield is formed in the surrounding shield wall of the magnetic shield.
前記検出コイルが巻回されたアモルファス素子と前記信号変換回路が、前記磁気シールド内に配設されたパッケージ内に配置されている
ことを特徴とする電流センサ。In claim 1,
A current sensor, wherein the amorphous element around which the detection coil is wound and the signal conversion circuit are disposed in a package disposed in the magnetic shield.
前記被検出電線が、前記パッケージの平坦面に平坦面が当接して前記磁気シールド内に配設された絶縁材料より成るスペーサ内に配設され、
前記マグネト−インダクティブ磁気検出器が、前記被検出電線と前記磁気シールドの前記空隙が形成された壁面または前記空隙が形成された壁面に対向する壁面との間に配設されている
ことを特徴とする電流センサ。In claim 2,
The detected wire is disposed in a spacer made of an insulating material disposed in the magnetic shield with a flat surface abutting on a flat surface of the package,
Wherein the magneto-inductive magnetic detector is disposed between the detected electric wire and a wall surface of the magnetic shield in which the gap is formed or a wall surface facing the wall in which the gap is formed. Current sensor.
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