JP2002323704A - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display deviceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、反射型あるいは半透過型と称される液晶表示
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device of a reflection type or a transflective type.
【0002】[0002]
【従来の技術】反射型あるいは半透過型と称される液晶
表示装置は、太陽等の外来光を常時あるいは一時的に利
用するもので、低消費電力の効果を有する。2. Description of the Related Art A liquid crystal display device called a reflection type or a transflective type uses external light such as the sun constantly or temporarily, and has a low power consumption effect.
【0003】そして、いわゆるアクティブ・マトリクス
型と称される液晶表示装置に、この反射型あるいは半透
過型を適用したものが知られている。There is known a liquid crystal display device of the so-called active matrix type in which the reflection type or the transflective type is applied.
【0004】ここで、アクティブ・マトリクス型の液晶
表示とは、液晶を介して対向配置される各基板のうち一
方の基板の液晶側の面に、一例としてそのx方向に延在
しy方向に並設されるゲート信号線とy方向に延在しx
方向に並設されるドレイン信号線とが形成され、これら
各信号線に囲まれた領域を画素領域としている。Here, the active matrix type liquid crystal display means that, for example, one of the substrates opposed to each other with the liquid crystal interposed therebetween extends on the liquid crystal side surface of the substrate and extends in the x direction and the y direction, for example. X extending in the y direction with the gate signal line
Drain signal lines arranged in parallel in the direction are formed, and a region surrounded by each of the signal lines is a pixel region.
【0005】そして、これら各画素領域において片側の
ゲート信号線からの走査信号によって作動される薄膜ト
ランジスタと、この薄膜トランジスタを介して片側のド
レイン信号線からの映像信号が供給される画素電極とが
形成されている。In each of these pixel regions, a thin film transistor activated by a scanning signal from one gate signal line and a pixel electrode to which a video signal from one drain signal line is supplied via the thin film transistor are formed. ing.
【0006】この画素電極は対向電極との間に電界を発
生せしめ、この電界によって液晶の光透過率を制御させ
るようにしている。The pixel electrode generates an electric field between the pixel electrode and the counter electrode, and the electric field controls the light transmittance of the liquid crystal.
【0007】そして、このような液晶表示装置におい
て、たとえば反射型のものを構成する場合、前記構成の
他に反射膜を形成する必要が生じる。この反射膜によっ
て外来光がいずれか一方の基板側から照射され、液晶を
通して再び前記基板側へ照射させる光路を形成させるた
めである。When a liquid crystal display device of this type is, for example, of a reflection type, it is necessary to form a reflection film in addition to the above structure. This is to form an optical path for irradiating extraneous light from one of the substrate sides by the reflection film and irradiating the substrate side again through the liquid crystal.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようにし
てたとえば反射型の液晶表示装置を構成した場合、たと
えばドレイン信号線からの電界が画素電極に影響を与え
画質の劣化が生じるということが指摘された。However, it is pointed out that, for example, when a reflection type liquid crystal display device is constructed in this manner, for example, an electric field from a drain signal line affects a pixel electrode and image quality is deteriorated. Was done.
【0009】また、反射型の場合、たとえば透過型の場
合と比較して観察者が目視できる光量は少なく、開口率
の向上が望まれていた。In the case of the reflection type, for example, the amount of light that can be seen by the observer is smaller than that in the case of the transmission type, and an improvement in the aperture ratio has been desired.
【0010】また、薄膜トランジスタへの外来光の照射
の回避が充分でなく、これにより該薄膜トラジスタの特
性が安定しないということも指摘された。It has also been pointed out that it is not sufficient to avoid external light irradiation on the thin film transistor, and that the characteristics of the thin film transistor are not stabilized.
【0011】さらに、液晶を介して対向配置される各透
明基板の合わせずれが大きく、これを小さくしたいとい
う要望もあった。Further, there has been a demand for reducing the misalignment of each of the transparent substrates disposed to face each other with the liquid crystal interposed therebetween, and reducing the misalignment.
【0012】本発明はこのような事情に基づいてなされ
たものであり、その目的は信号線からの画素電極に及ぼ
す電界の影響を防止した液晶表示装置を提供することに
ある。The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device in which the influence of an electric field from a signal line on a pixel electrode is prevented.
【0013】また、本発明の他の目的は、開口率の向上
を図った液晶表示装置を提供することにある。It is another object of the present invention to provide a liquid crystal display device having an improved aperture ratio.
【0014】また、本発明の他の目的は、薄膜トランジ
スタの特性の安定化を図った液晶表示装置を提供するこ
とにある。Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device in which the characteristics of the thin film transistor are stabilized.
【0015】さらに、本発明の他の目的は、液晶を介し
て対向配置される各基板の位置合わせに裕度をもたせる
ようにした液晶表示装置を提供することにある。Still another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which has a margin for alignment of the substrates arranged to face each other with a liquid crystal interposed therebetween.
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.
【0017】手段1.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面の各画素領域に、透光性の画素電極
と、その下層に有機材料からなる第1絶縁膜を介して配
置される光反射膜と、この光反射膜の下層に少なくとも
有機材料層を有してなる第2絶縁膜を介して配置される
薄膜トランジスタとを備え、前記光反射膜は隣接する他
の画素領域の光反射膜と共通に接続されて形成され、か
つ、前記画素電極は前記反射膜の開口部を通して前記第
1絶縁膜および第2絶縁膜に貫通して形成されたコンタ
クトホールによって前記薄膜トランジスタと電気的に接
続されていることを特徴とするものである。Means 1. The liquid crystal display device according to the present invention includes, for example, a light-transmitting pixel electrode in each pixel region on a liquid crystal side surface of one of the substrates disposed to face each other with a liquid crystal therebetween, and a lower layer made of an organic material. A light reflecting film disposed via a first insulating film; and a thin film transistor disposed via a second insulating film having at least an organic material layer below the light reflecting film; Is formed so as to be commonly connected to a light reflection film of another adjacent pixel region, and the pixel electrode is formed to penetrate the first insulation film and the second insulation film through an opening of the reflection film. The thin film transistor is electrically connected to the thin film transistor by a contact hole.
【0018】手段2.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面の各画素領域に、透光性の画素電極
と、その下層に有機材料からなる第1絶縁膜を介して配
置される導電膜と、この導電膜の下層に少なくとも有機
材料層を有してなる第2絶縁膜を介して配置される薄膜
トランジスタとを備え、前記導電膜は透光性の膜の領域
内に散在的に形成される光反射部を有し隣接する他の画
素領域の導電膜と共通に接続されて形成され、かつ、前
記画素電極は前記導電膜の開口部を通して前記第1絶縁
膜および第2絶縁膜に貫通して形成されたコンタクトホ
ールによって前記薄膜トランジスタと電気的に接続され
ていることを特徴とするものである。Means 2. The liquid crystal display device according to the present invention includes, for example, a light-transmitting pixel electrode in each pixel region on a liquid crystal side surface of one of the substrates disposed to face each other with a liquid crystal therebetween, and a lower layer made of an organic material. A conductive film disposed via a first insulating film; and a thin film transistor disposed via a second insulating film having at least an organic material layer below the conductive film, wherein the conductive film is transparent. Having a light reflection portion scatteredly formed in the region of the conductive film, formed in common with a conductive film of another adjacent pixel region, and the pixel electrode is formed through an opening of the conductive film. The thin film transistor is electrically connected to the thin film transistor through a contact hole formed through the first insulating film and the second insulating film.
【0019】手段3.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面の各画素領域に、反射膜を兼ねる画素
電極と、その下層に有機材料からなる第1絶縁膜を介し
て配置される導電膜と、この導電膜の下層に少なくとも
有機材料層を有してなる第2絶縁膜を介して配置される
薄膜トランジスタとを備え、前記導電膜は隣接する他の
画素領域の導電膜と共通に接続されて形成され、かつ、
前記画素電極は前記導電膜の開口部を通して前記第1絶
縁膜および第2絶縁膜に形成されたコンタクトホールに
よって前記薄膜トランジスタと電気的に接続されている
ことを特徴とするものである。Means 3. The liquid crystal display device according to the present invention includes, for example, a pixel electrode serving also as a reflective film in each pixel region on a liquid crystal side surface of one of the substrates disposed to face each other with a liquid crystal therebetween, and a lower layer made of an organic material. A conductive film disposed via a first insulating film; and a thin film transistor disposed via a second insulating film having at least an organic material layer below the conductive film, wherein the conductive film is adjacent to the conductive film. Formed in common with the conductive film of the other pixel region, and
The pixel electrode is electrically connected to the thin film transistor through a contact hole formed in the first insulating film and the second insulating film through an opening of the conductive film.
【0020】手段4.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面の各画素領域に、画素電極と、その下
層に有機材料からなる第1絶縁膜を介して配置される導
電膜と、この導電膜の下層に少なくとも有機材料層を有
してなる第2絶縁膜を介して配置される薄膜トランジス
タとを備え、前記導電膜は隣接する他の画素領域の導電
膜と共通に接続されて形成され、前記画素電極は、透光
性の膜の領域内に散在的に形成される光反射部あるいは
反射性の膜の領域内に散在的に形成される光透過部を有
して形成され、前記導電膜の開口部を通して前記第1絶
縁膜および第2絶縁膜に形成されたコンタクトホールに
よって前記薄膜トランジスタと電気的に接続されている
ことを特徴とするものである。Means 4 The liquid crystal display device according to the present invention includes, for example, a pixel electrode in each pixel region on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with the liquid crystal interposed therebetween, and a first insulating film made of an organic material below the pixel electrode. And a thin film transistor disposed via a second insulating film having at least an organic material layer below the conductive film, and the conductive film is disposed adjacent to another pixel region. The pixel electrodes are formed in common with the conductive film, and the pixel electrodes are formed in a light-reflecting portion or a reflective film region formed in a light-transmitting region. It is formed having a light transmitting portion, and is electrically connected to the thin film transistor through a contact hole formed in the first insulating film and the second insulating film through an opening of the conductive film. It is.
【0021】手段5.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面の各画素領域に、反射膜を兼ねる画素
電極と、その下層に有機材料からなる第1絶縁膜を介し
て配置される光透光性の導電膜と、この導電膜の下層に
少なくとも有機材料層を有してなる第2絶縁膜を介して
配置される薄膜トランジスタとを備え、前記導電膜は隣
接する他の画素領域の導電膜と共通に接続されて形成さ
れ、かつ、前記薄膜トランジスタを被うようにして形成
されているとともに、前記画素電極は、前記導電膜の開
口部を通して前記第1絶縁膜および第2絶縁膜に貫通し
て形成されたコンタクトホールによって前記薄膜トラン
ジスタと電気的に接続されていることを特徴とするもの
である。Means 5. The liquid crystal display device according to the present invention includes, for example, a pixel electrode serving also as a reflective film in each pixel region on a liquid crystal side surface of one of the substrates disposed to face each other with a liquid crystal therebetween, and a lower layer made of an organic material. A light-transmitting conductive film disposed via a first insulating film; and a thin film transistor disposed via a second insulating film having at least an organic material layer below the conductive film; The conductive film is formed so as to be commonly connected to a conductive film of another adjacent pixel region, and is formed so as to cover the thin film transistor. The pixel electrode is formed through an opening of the conductive film. The thin film transistor is electrically connected to the thin film transistor through a contact hole formed through the first insulating film and the second insulating film.
【0022】手段6.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面の各画素領域に、画素電極と、その下
層に有機材料からなる第1絶縁膜を介して配置される光
透光性の導電膜と、この導電膜の下層に少なくとも有機
材料層を有してなる第2絶縁膜を介して配置される薄膜
トランジスタとを備え、前記導電膜は隣接する他の画素
領域の導電膜と共通に接続されて形成され、かつ、前記
薄膜トランジスタを被うようにして形成されているとと
もに、前記画素電極は透光性の膜の領域内に散在的に形
成される光反射部あるいは反射性の膜の領域内に散在的
に形成される光透過部を有して形成され、前記導電膜の
開口部を通して前記第1絶縁膜および第2絶縁膜に貫通
して形成されたコンタクトホールによって前記薄膜トラ
ンジスタと電気的に接続されていることを特徴とするも
のである。Means 6. The liquid crystal display device according to the present invention includes, for example, a pixel electrode in each pixel region on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with the liquid crystal interposed therebetween, and a first insulating film made of an organic material below the pixel electrode. And a thin film transistor arranged via a second insulating film having at least an organic material layer below the conductive film, wherein the conductive film is adjacent to the conductive film. The pixel electrodes are formed so as to be commonly connected to the conductive films of other pixel regions, and are formed so as to cover the thin film transistors. Formed in a region of a light reflecting portion or a reflective film to be diffused, and penetrating the first insulating film and the second insulating film through an opening of the conductive film. Contact hole And it is characterized in that it is connected the TFT electrically.
【0023】手段7.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の
基板の液晶側の面の各画素領域に、一方向に延在され該
方向と交差する方向に並設される電極群からなる画素電
極と、その下層に有機材料からなる第1絶縁膜を介して
配置される非透光性の導電膜からなる対向電極と、この
対向電極の下層に少なくとも有機材料層を有してなる第
2絶縁膜を介して配置される薄膜トランジスタとを備
え、前記対向電極は隣接する他の画素領域の対向電極と
共通に接続されて形成され、かつ、前記薄膜トランジス
タを被うようにして形成されているとともに、前記画素
電極は、前記対向電極の開口部を通して前記第1絶縁膜
および第2絶縁膜に貫通して形成されたコンタクトホー
ルによって前記薄膜トランジスタと電気的に接続されて
いることを特徴とするものである。Means 7 The liquid crystal display device according to the present invention is, for example, arranged in each pixel region on a liquid crystal side surface of one of the substrates disposed to face each other with the liquid crystal interposed therebetween, in a direction extending in one direction and juxtaposed in a direction intersecting the direction. A pixel electrode composed of a group of electrodes to be formed, a counter electrode composed of a non-light-transmitting conductive film disposed under the first insulating film composed of an organic material, and at least an organic material layer disposed under the counter electrode And a thin film transistor disposed via a second insulating film having the same. The counter electrode is formed so as to be commonly connected to a counter electrode of another adjacent pixel region, and covers the thin film transistor. And the pixel electrode is electrically connected to the thin film transistor through a contact hole formed through the first insulating film and the second insulating film through an opening of the counter electrode. And it is characterized in that it is connected.
【0024】手段8.本発明による液晶表示装置によれ
ば、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、一方向に延在
され該方向と交差する方向に並設される電極群からなる
画素電極と、その下層に有機材料からなる第1絶縁膜を
介して配置される導電膜からなる対向電極と、この対向
電極の下層に少なくとも有機材料層を有してなる第2絶
縁膜を介して配置される薄膜トランジスタとを備え、前
記対向電極は隣接する他の画素領域の対向電極と共通に
接続されて形成され、かつ、前記薄膜トランジスタを被
うようにして形成されているとともに、前記対向電極
は、透光性の膜の領域内に散在的に形成される光反射部
あるいは反射性の膜の領域内に散在的に形成される光透
過部を有して形成されるとともに、前記画素電極は、前
記対向電極の開口部を通して前記第1絶縁膜および第2
絶縁膜に貫通して形成されたコンタクトホールによって
前記薄膜トランジスタと電気的に接続されていることを
特徴とするものである。Means 8. According to the liquid crystal display device according to the present invention, for example, one of the substrates opposed to each other with the liquid crystal interposed therebetween is extended in one direction in each pixel region on the liquid crystal side surface in a direction intersecting the direction. A pixel electrode composed of a group of electrodes arranged in parallel, a counter electrode composed of a conductive film disposed under the first insulating film composed of an organic material below the pixel electrode, and at least an organic material layer disposed under the counter electrode; And a thin film transistor disposed via a second insulating film, wherein the counter electrode is formed so as to be commonly connected to a counter electrode of another adjacent pixel region, and formed so as to cover the thin film transistor. In addition, the counter electrode has a light reflecting portion formed scatteredly in the region of the light-transmitting film or a light transmitting portion formed scatteredly in the region of the reflective film. Formed and the image Electrode, the first insulating film through the opening of the counter electrode and the second
The thin film transistor is electrically connected to the thin film transistor by a contact hole formed through the insulating film.
【0025】[0025]
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the liquid crystal display device according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0026】実施例1. 《全体構成図》図2は、本発明による液晶表示装置の全
体を示す平面図である。Embodiment 1 FIG. << Overall Configuration >> FIG. 2 is a plan view showing the entire liquid crystal display device according to the present invention.
【0027】液晶を介して互いに対向配置される一対の
透明基板SUB1、SUB2があり、該液晶は一方の透
明基板SUB1に対する他方の透明基板SUB2の固定
を兼ねるシール材SLによって封入されている。There are a pair of transparent substrates SUB1 and SUB2 which are arranged to face each other via a liquid crystal, and the liquid crystal is sealed by a sealing material SL which also serves to fix one transparent substrate SUB1 to the other transparent substrate SUB2.
【0028】シール材SLによって囲まれた前記一方の
透明基板SUB1の液晶側の面には、そのx方向に延在
しy方向に並設されたゲート信号線GLとy方向に延在
しy方向に並設されたドレイン信号線DLとが形成され
ている。On the liquid crystal side surface of the one transparent substrate SUB1 surrounded by the sealing material SL, a gate signal line GL extending in the x direction and juxtaposed in the y direction and y extending in the y direction. And drain signal lines DL arranged side by side in the direction.
【0029】各ゲート信号線GLと各ドレイン信号線D
Lとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部A
Rを構成するようになっている。Each gate signal line GL and each drain signal line D
L constitute a pixel region, and a matrix-like aggregate of these pixel regions is a liquid crystal display unit A.
R.
【0030】各画素領域には、図中、丸枠内に示される
ように、ゲート信号線GLからの走査信号によって作動
される薄膜トランジスタTFTと、この薄膜トランジス
タTFTを介してドレイン信号線DLからの映像信号が
供給される画素電極PXが形成されている。In each pixel area, as shown in a circle in the figure, a thin film transistor TFT activated by a scanning signal from a gate signal line GL, and an image from a drain signal line DL via the thin film transistor TFT. A pixel electrode PX to which a signal is supplied is formed.
【0031】この画素電極PXは、他方の透明基板SU
B2側に形成した対向電極(図示されていない)との間に
電界を発生させ、この電界によって液晶の光透過率を制
御させるようになっている。This pixel electrode PX is connected to the other transparent substrate SU.
An electric field is generated between the electrode and a counter electrode (not shown) formed on the B2 side, and the light transmittance of the liquid crystal is controlled by the electric field.
【0032】前記ゲート信号線GLのそれぞれの一端は
前記シール材SLを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Vの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Vの入
力端子は液晶表示装置の外部に配置されたプリント基板
からの信号が入力されるようになっている。One end of each of the gate signal lines GL extends beyond the sealing material SL, and the extending end forms a terminal to which an output terminal of the vertical scanning drive circuit V is connected. . The input terminal of the vertical scanning drive circuit V is adapted to receive a signal from a printed circuit board arranged outside the liquid crystal display device.
【0033】垂直走査駆動回路Vは複数個の半導体装置
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線GL同士
がグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体
装置があてがわれるようになっている。The vertical scanning drive circuit V includes a plurality of semiconductor devices, and a plurality of gate signal lines GL adjacent to each other are grouped, and one semiconductor device is assigned to each group. .
【0034】同様に、前記ドレイン信号線DLのそれぞ
れの一端は前記シール材SLを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Heの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Heの入力端子は液晶表示装置の外部に配置され
たプリント基板からの信号が入力されるようになってい
る。Similarly, one end of each of the drain signal lines DL extends beyond the sealing material SL, and the extending end forms a terminal to which an output terminal of the video signal driving circuit He is connected. Has become. The input terminal of the video signal drive circuit He is adapted to receive a signal from a printed circuit board arranged outside the liquid crystal display device.
【0035】この映像信号駆動回路Heも複数個の半導
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
DL同士がグループ化され、これら各グループ毎に一個
の映像信号駆動回路Heがあてがわれるようになってい
る。The video signal driving circuit He also includes a plurality of semiconductor devices, and a plurality of drain signal lines DL adjacent to each other are grouped, and one video signal driving circuit He is assigned to each of these groups. It has become.
【0036】前記各ゲート信号線GLは、垂直走査回路
Vによって該ゲート信号線の一つを走査信号によって順
次選択するようになっている。Each of the gate signal lines GL is sequentially selected by a vertical scanning circuit V according to a scanning signal.
【0037】また、前記各ドレイン信号線DLは、映像
信号駆動回路によって前記ゲート信号線GLの選択のタ
イミングに合わせて、それぞれのドレイン信号線DLに
映像信号を供給するようになっている。Each drain signal line DL supplies a video signal to each drain signal line DL in accordance with the selection timing of the gate signal line GL by a video signal drive circuit.
【0038】なお、この実施例では、垂直走査回路Vお
よび映像信号駆動回路Heは透明基板SUB1に直接実
装される半導体装置(チップ)としたものであるが、こ
れに限定されることなく、たとえばいわゆるフィルムキ
ャリア方式で形成された半導体装置であってもよく、ま
た、これらの回路は透明基板SUB1に対して外付けさ
れる構成であってもよい。あるいは、透明基板SUB1
上に形成されるものであってもよい。 《画素の構成》図1は、前記画素領域(図2の丸枠内に
示す領域)における平面図を示したものである。また、
図1のIII−III線における断面を図3に、IV−IV線にお
ける断面を図4に示している。In this embodiment, the vertical scanning circuit V and the video signal driving circuit He are semiconductor devices (chips) directly mounted on the transparent substrate SUB1, but are not limited to this. Semiconductor devices formed by a so-called film carrier method may be used, and these circuits may be configured to be externally attached to the transparent substrate SUB1. Alternatively, the transparent substrate SUB1
It may be formed on top. << Configuration of Pixel >> FIG. 1 is a plan view of the pixel area (the area shown in a circle in FIG. 2). Also,
A cross section taken along line III-III in FIG. 1 is shown in FIG. 3, and a cross section taken along line IV-IV is shown in FIG.
【0039】まず、透明基板SUB1の表面にそのx方
向に延在されy方向に並設されるゲート信号線GLが形
成されている。First, a gate signal line GL extending in the x direction and juxtaposed in the y direction is formed on the surface of the transparent substrate SUB1.
【0040】ゲート信号線GLが形成された透明基板S
UB1の表面には該ゲート信号線GLをも被って絶縁膜
GIが形成されている。The transparent substrate S on which the gate signal lines GL are formed
An insulating film GI is formed on the surface of UB1 so as to cover the gate signal line GL.
【0041】この絶縁膜GIは、後述のドレイン信号線
DLの形成領域においてゲート信号線GLとの層間絶縁
膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタTFTの形
成領域においてそのゲート絶縁膜としての機能を、後述
の容量素子Caddの形成領域においてその誘電体膜と
しての機能を有するようになっている。The insulating film GI functions as an interlayer insulating film with the gate signal line GL in a later-described drain signal line DL forming region, and functions as a gate insulating film in a later-described thin film transistor TFT forming region. In a region where a capacitor Cadd described later is formed, the capacitor Cadd has a function as a dielectric film.
【0042】この絶縁膜GIの表面における薄膜トラン
ンジスタTFTの形成領域にはたとえはアモルファスS
iからなる半導体層ASが形成されている。The region where the thin film transistor TFT is formed on the surface of the insulating film GI is, for example, amorphous S
A semiconductor layer AS made of i is formed.
【0043】この半導体層ASはその上面にドレイン電
極SD1およびソース電極SD2が形成されることによ
って、前記ゲート信号線GLの一部をゲート電極とする
逆スタガ構造のMIS型トランジスタが形成されるよう
になっている。By forming a drain electrode SD1 and a source electrode SD2 on the upper surface of the semiconductor layer AS, an MIS transistor having an inverted staggered structure using a part of the gate signal line GL as a gate electrode is formed. It has become.
【0044】ここで、前記ドレイン電極SD1およびソ
ース電極SD2はドレイン信号線DLの形成と同時に形
成されるようになっている。Here, the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 are formed simultaneously with the formation of the drain signal line DL.
【0045】すなわち、前記絶縁膜GIの表面において
そのy方向に延在しx方向に並設されるドレイン信号線
DLが形成され、その一部が前記半導体層ASの表面に
まで延在されることによってドレイン電極SD1が形成
されている。また、前記半導体層ASの表面において前
記ドレイン電極SD1と薄膜トランジスタTFTのチャ
ネル長に相当する距離だけ離間されてソース電極SD2
が形成されている。That is, a drain signal line DL extending in the y direction and juxtaposed in the x direction is formed on the surface of the insulating film GI, and a part thereof extends to the surface of the semiconductor layer AS. This forms the drain electrode SD1. The source electrode SD2 is separated from the drain electrode SD1 by a distance corresponding to the channel length of the thin film transistor TFT on the surface of the semiconductor layer AS.
Are formed.
【0046】このソース電極SD2は後述の画素電極P
Xと接続される電極であり、そのコンタクト部は該ソー
ス電極SD2が半導体層ASの表面から画素領域側へ延
在されることにより形成されている。This source electrode SD2 is connected to a pixel electrode P described later.
The contact portion is formed by extending the source electrode SD2 from the surface of the semiconductor layer AS to the pixel region side.
【0047】この場合、ソース電極SD2の延在部は前
記コンタクト部をも超えて前記薄膜トランジスタTFT
を駆動させるためのゲート信号線GLと隣接する他のゲ
ート信号線GLの形成領域にまで及んで形成され、該ゲ
ート信号線GLの一部に重畳するようにして形成されて
いる。In this case, the extending portion of the source electrode SD2 extends beyond the contact portion and the thin film transistor TFT
Is formed so as to reach a formation region of another gate signal line GL adjacent to a gate signal line GL for driving the gate signal line GL, and is formed so as to overlap a part of the gate signal line GL.
【0048】すなわち、このようにすることにより、画
素電極PXとそれに重畳される前記ゲート信号線GLと
の間に絶縁膜GIを誘電体膜とする容量素子Caddが
形成され、この容量素子Caddによってたとえば画素
電極PXに供給される映像信号を比較的長い時間蓄積で
きるようにしている。That is, by doing so, a capacitive element Cadd using the insulating film GI as a dielectric film is formed between the pixel electrode PX and the gate signal line GL superimposed on the pixel electrode PX. For example, a video signal supplied to the pixel electrode PX can be stored for a relatively long time.
【0049】なお、半導体層ASの表面におけるドレイ
ン電極SD1およびソース電極SD2との界面には、前
記半導体層ASの表面に高濃度の不純物がドープされた
コンタクト層d0が形成されている。At the interface between the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 on the surface of the semiconductor layer AS, a contact layer d0 in which the surface of the semiconductor layer AS is doped with a high concentration of impurities is formed.
【0050】このコンタクト層d0は、たとえば、前記
半導体層ASの表面に高濃度の不純物をドープした後、
パターン化されたドレイン電極SD1およびソース電極
SD2を形成し、それらドレイン電極SD1およびソー
ス電極SD2をマスクとして、このマスクから露出され
ている前記不純物の層をエッチングすることによって形
成される。むろん必要な領域に直接ドープすることによ
り形成してもよい。The contact layer d0 is formed, for example, by doping the surface of the semiconductor layer AS with a high concentration impurity.
The drain electrode SD1 and the source electrode SD2 are patterned, and the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 are used as a mask, and the impurity layer exposed from the mask is etched. Of course, it may be formed by directly doping a necessary region.
【0051】このように薄膜トランジスタTFTが形成
された透明基板SUB1の表面には該薄膜トランジスタ
TFTをも被ってたとえばSiNからなる保護膜PSV
1が形成されている。On the surface of the transparent substrate SUB1 on which the thin film transistor TFT is formed as described above, a protective film PSV made of, for example, SiN covers the thin film transistor TFT.
1 is formed.
【0052】この保護膜PSV1は前記薄膜トランジス
タTFTと後述の液晶LCとの直接の接触を回避し該薄
膜トランジスタTFTの特性劣化を防止するために形成
されている。なお、保護膜PSV1は省略できる場合も
ある。特に、チャネルストッパ型TFTはストッパ部に
SiNがあり、また、あるいはp−SiはTFT特性が
a−Siより安定しているため、省略することができ
る。なお、この実施例では、この保護膜PSV1上にお
いて、さらに形成される後述の保護膜PSV2およびP
SV3とともに保護膜としての機能を強化しているとと
もに、該保護膜PSV2、PSV3の材料をたとえば樹
脂等の有機材料とすることにより保護膜全体の誘電率が
高くなることを回避している。This protective film PSV1 is formed in order to avoid direct contact between the thin film transistor TFT and a liquid crystal LC, which will be described later, and to prevent deterioration in characteristics of the thin film transistor TFT. In some cases, the protective film PSV1 can be omitted. In particular, a channel stopper type TFT has SiN in a stopper portion, and p-Si can be omitted because TFT characteristics are more stable than a-Si. In this embodiment, the protection films PSV2 and PV, which will be described later, are further formed on the protection film PSV1.
The function of the protective film is strengthened together with the SV3, and the material of the protective films PSV2 and PSV3 is made of, for example, an organic material such as a resin, thereby preventing the dielectric constant of the entire protective film from increasing.
【0053】前記保護膜PSV2は、保護膜PSV1上
に形成され、その表面にはたとえばAl等の金属からな
る反射膜RLが形成されている。この反射膜RLは、透
明基板SUB2側からの外来光を反射するようになって
いる。この反射膜はゲート信号線GLおよびドレイン信
号線DLにも重畳するようにして隣接する他の画素領域
にも及ぶようにして形成されている。各画素領域毎に独
立させて形成する場合と比較して開口率を大幅に向上さ
せることができるようになるからである。The protective film PSV2 is formed on the protective film PSV1, and a reflective film RL made of a metal such as Al is formed on the surface thereof. This reflection film RL reflects external light from the transparent substrate SUB2 side. The reflection film is formed so as to overlap the gate signal line GL and the drain signal line DL and to extend to other adjacent pixel regions. This is because the aperture ratio can be significantly improved as compared with the case where the pixel regions are formed independently for each pixel region.
【0054】そして、この反射膜RLは少なくとも前記
薄膜トランジスタTFTのソース電極SD2の後述の画
素電極PXとの接続を図るコンタクト部と重畳する部分
において開口が設けられている。この反射膜RLの開口
は、この部分を通して画素電極PXと前記薄膜トランジ
スタTFTのソース電極SD2との接続を図るようにな
っている。The reflective film RL is provided with an opening at least in a portion overlapping with a contact portion for connecting to a pixel electrode PX of the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT described later. The opening of the reflection film RL is designed to connect the pixel electrode PX and the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT through this portion.
【0055】また、このように反射膜RLが形成された
保護膜PSV2の表面には該保護膜PSV2をも被って
たとえば樹脂からなる保護膜PSV3が形成されてい
る。A protective film PSV3 made of, for example, a resin is formed on the surface of the protective film PSV2 on which the reflective film RL is formed as described above so as to cover the protective film PSV2.
【0056】そして、この保護膜PSV3は前記薄膜ト
ランジスタTFTのソース電極SD2のコンタクト部の
一部を露出させるために該保護膜PSV3の下層にある
保護膜PSV2、保護膜PSV1をも順次貫通させたコ
ンタクトホールCHが形成されている。The protective film PSV3 is formed by contacting the protective film PSV2 and the protective film PSV1 under the protective film PSV3 in order to expose a part of the contact portion of the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT. Hole CH is formed.
【0057】そして、この保護膜PSV3の上面にはた
とえばITO(Indium Tin Oxide)膜からなる透光性の
画素電極PXが形成されている。この画素電極PXは各
画素毎に電気的に独立して形成され、その周辺は開口率
を向上させるためゲート信号線GL側およびドレイン信
号線DL側に近接して位置づけられている。A translucent pixel electrode PX made of, for example, an ITO (Indium Tin Oxide) film is formed on the upper surface of the protective film PSV3. This pixel electrode PX is formed electrically independently for each pixel, and its periphery is positioned close to the gate signal line GL side and the drain signal line DL side to improve the aperture ratio.
【0058】画素間のPX同士は分離していればよく、
その境界はドレイン信号線DLあるいはゲート信号線G
L上に位置づけても別の場所に位置づけてもよい。ドレ
イン信号線DL、ゲート信号線GLからの影響は反射膜
RLで遮蔽されているため、PXの境界位置によるドレ
イン信号線DL、ゲート信号線GLへの影響が解消され
ているためである。It is sufficient that PX between pixels is separated from each other.
The boundary is the drain signal line DL or the gate signal line G
It may be positioned on L or another location. This is because the influence from the drain signal line DL and the gate signal line GL is shielded by the reflection film RL, so that the influence on the drain signal line DL and the gate signal line GL due to the boundary position of PX is eliminated.
【0059】また、この画素電極PXの形成によって、
その形成領域に形成されている前記コンタクトホールC
Hを通して前記薄膜トランジスタTFTのソース電極S
D2と電気的に接続されるようになっている。Further, by the formation of the pixel electrode PX,
The contact hole C formed in the formation region
H through the source electrode S of the thin film transistor TFT
D2 is electrically connected.
【0060】なお、この画素電極PXは、その材料とし
てITO膜としたものであるが、非透光性の材料である
金属等で形成してもよいことはいうまでもない。この場
合、この金属をたとえばAl等の反射率の高いものを用
いることが好ましい。Although the pixel electrode PX is formed of an ITO film as a material, it goes without saying that the pixel electrode PX may be formed of a non-translucent material such as metal. In this case, it is preferable to use a metal having a high reflectance, such as Al, for example.
【0061】このようにした場合、この画素電極PXは
透明基板SUB2側からの外来光を反射させる反射膜と
しての機能を有するようになる。In this case, the pixel electrode PX has a function as a reflection film for reflecting external light from the transparent substrate SUB2.
【0062】そして、このように画素電極PXが形成さ
れた透明基板SUB1の表面には該画素電極PXをも被
って配向膜ORI1が形成されている。この配向膜OR
I1は液晶LCと直接に接触する膜で該液晶の分子の初
期配向方向を決定するようになっている。Then, an alignment film ORI1 is formed on the surface of the transparent substrate SUB1 on which the pixel electrode PX is formed so as to cover the pixel electrode PX. This alignment film OR
I1 is a film that is in direct contact with the liquid crystal LC and determines the initial alignment direction of the molecules of the liquid crystal.
【0063】このように形成された透明基板SUB1に
は、液晶LCを介して透明基板SUB2が配置されてい
る。The transparent substrate SUB2 is disposed on the transparent substrate SUB1 thus formed via the liquid crystal LC.
【0064】透明基板SUB2の液晶側の面にはブラッ
クマトリクスBMが形成されていない構成となってい
る。このブラックマトリクスBMは、通常、前記薄膜ト
ランジスタTFTを被うようにして形成され、かつ隣接
する各画素領域を画するようにして形成されるが、これ
らの機能は透明基板SUB1側に形成された反射膜RL
が果たすように構成されるからである。The structure is such that the black matrix BM is not formed on the liquid crystal side surface of the transparent substrate SUB2. The black matrix BM is usually formed so as to cover the thin film transistor TFT and to define each adjacent pixel region. These functions are performed by the reflection formed on the transparent substrate SUB1 side. Membrane RL
Is configured to fulfill.
【0065】ブラックマトリクスBMを構成しないこと
によって、透明基板SUB1と透明基板SUB2との対
向配置におけるそれらの合わせずれの裕度を大きくとる
ことができるようになる。By not forming the black matrix BM, it is possible to increase the tolerance of misalignment between the transparent substrate SUB1 and the transparent substrate SUB2 in the opposed arrangement.
【0066】このことから、透明基板SUB2の液晶側
の面には、まず、カラーフィルタFILが形成されてい
る。このカラーフィルタFILは赤(R)、緑(G)、
青(B)の3色からなり、それぞれ液晶表示部ARのy
方向に並設される各画素領域に共通に形成され、x方向
にたとえばR、G、B、R、G、……の順に配列されて
いる。For this reason, a color filter FIL is first formed on the liquid crystal side surface of the transparent substrate SUB2. This color filter FIL has red (R), green (G),
It consists of three colors of blue (B), each of which is y
Are formed in common in the respective pixel regions arranged side by side in the direction, and are arranged in the x direction in the order of, for example, R, G, B, R, G,....
【0067】そして、透明基板SUB2の表面には、こ
れらカラーフィルタFILをも被って平坦化膜OCが形
成されている。この平坦化膜はたとえば樹脂膜から構成
され、これによりカラーフィルタFILによる段差を顕
在化させないようにしている。Then, on the surface of the transparent substrate SUB2, a flattening film OC is formed so as to cover these color filters FIL. This flattening film is made of, for example, a resin film, so that a step due to the color filter FIL is not made obvious.
【0068】この平坦化膜OCの表面には、たとえば各
画素ITO膜からなる対向電極CTが各画素領域に共通
に形成されている。On the surface of the flattening film OC, for example, a counter electrode CT formed of, for example, each pixel ITO film is formed in common for each pixel region.
【0069】また、この対向電極CTの表面にはそのほ
ぼ全域にわたって配向膜ORI2が形成されている。こ
の配向膜ORI2は液晶LCと直接に接触する膜で該液
晶の分子の初期配向方向を決定するようになっている。On the surface of the counter electrode CT, an alignment film ORI2 is formed over almost the entire area. This alignment film ORI2 is a film that directly contacts the liquid crystal LC and determines the initial alignment direction of the liquid crystal molecules.
【0070】このように構成された液晶表示装置は、前
記対向電極CTに印加された基準信号に対して画素電極
PXに映像信号が供給されると、それらの間の電圧によ
って液晶LCの光透過率を制御するようになる。In the liquid crystal display device configured as described above, when a video signal is supplied to the pixel electrode PX in response to the reference signal applied to the counter electrode CT, the light transmission of the liquid crystal LC is caused by a voltage between the pixels. Control the rate.
【0071】そして、透明基板SUB2側から入射され
る外来光は光透過率が制御された前記液晶を透過し、前
記反射膜RLに反射され、さらに前記液晶を透過して透
明基板SUB2を介して観察者に目視されることにな
る。Then, extraneous light incident from the transparent substrate SUB2 side passes through the liquid crystal whose light transmittance is controlled, is reflected by the reflection film RL, passes through the liquid crystal, and passes through the transparent substrate SUB2. It will be visible to the observer.
【0072】このように構成された液晶表示装置は、前
記反射膜RLがドレイン信号線DLおよびゲート信号線
GLを被った構成となっていることから、該ドレイン信
号線DLあるいはゲート信号線GLからのノイズとなる
電気力線が画素電極PXに終端するのを防止できるよう
になる。In the liquid crystal display device configured as described above, since the reflection film RL covers the drain signal line DL and the gate signal line GL, the liquid crystal display device is connected to the drain signal line DL or the gate signal line GL. Can be prevented from being terminated at the pixel electrode PX.
【0073】すなわち、ドレイン信号線DLあるいはゲ
ート信号線GLからの電気力線は反射膜RLに終端さ
れ、画素電極PXに至るのを回避することができる。That is, the lines of electric force from the drain signal line DL or the gate signal line GL are terminated at the reflection film RL and can be prevented from reaching the pixel electrode PX.
【0074】このことから、前記反射膜RLには、この
効果を奏させるための適当な電位を付加させることが好
ましく、たとえば対向電極CTに供給される基準信号を
供給させることによって回路を複雑にしないようにでき
る。For this reason, it is preferable to apply an appropriate potential to the reflective film RL for achieving this effect. For example, a circuit is complicated by supplying a reference signal supplied to the counter electrode CT. Can not be.
【0075】また、同様の理由で、薄膜トランジスタT
FTも前記反射膜RLによって被われる構成となること
から、該薄膜トランジスタTFTの特性安定化を図るこ
とができるようになる。For the same reason, the thin film transistor T
Since the FT is also covered by the reflection film RL, the characteristics of the thin film transistor TFT can be stabilized.
【0076】また、上述のようにした構成では、ドレイ
ン信号線DLあるいはゲート信号線GLの線幅を画素の
開口率に影響されることなく大きくすることができる。
このため、ドレイン信号線DLに供給する映像信号、あ
るいはゲート信号線GLに供給する走査信号の波形の歪
みによる悪影響を回避することができる。In the configuration described above, the line width of the drain signal line DL or the gate signal line GL can be increased without being affected by the aperture ratio of the pixel.
For this reason, it is possible to avoid adverse effects due to distortion of the waveform of the video signal supplied to the drain signal line DL or the scanning signal supplied to the gate signal line GL.
【0077】なお、上述した実施例では、その一例とし
て画素電極PXを透光性の材料で形成することを示した
が、このような構成において、カラーフィルタFILを
透明基板SUB1側に設けるようにしてもよい。たとえ
ば図に示した保護膜PSV3の形成に換えてこの部分に
カラーフィルタFILを形成することもできる。In the above-described embodiment, the pixel electrode PX is formed of a translucent material as an example. In such a configuration, the color filter FIL is provided on the transparent substrate SUB1. You may. For example, instead of forming the protective film PSV3 shown in the figure, a color filter FIL can be formed in this portion.
【0078】実施例2.図5は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す平面図で、図1に対応した図と
なっている。Embodiment 2 FIG. FIG. 5 is a plan view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and corresponds to FIG.
【0079】図1と異なる部分は画素電極PXを一方の
電極とする容量素子Cstgにあり、その他方の電極は
ゲート信号線GLとは異なる容量信号線CLとしたこと
にある。図6はその等価回路を示したものである。The difference from FIG. 1 resides in that the capacitance element Cstg having the pixel electrode PX as one electrode and the other electrode being a capacitance signal line CL different from the gate signal line GL. FIG. 6 shows an equivalent circuit thereof.
【0080】図5において、容量信号線CLは画素領域
のほぼ中央をゲート信号線GLと平行に形成されてい
る。このり容量信号線CLはたとえばゲート信号線GL
の形成の際に同時に形成されるもので、該ゲート信号線
GLと同層かつ同材料で形成されている。In FIG. 5, the capacitance signal line CL is formed substantially at the center of the pixel region in parallel with the gate signal line GL. This capacitance signal line CL is, for example, a gate signal line GL.
Are formed at the same time as the gate signal line GL, and are formed of the same layer and the same material as the gate signal line GL.
【0081】そして、薄膜トランジスタTFTのソース
電極SD2は絶縁膜GI上を延在し、その延在端が前記
容量信号線CLに重畳するようにして形成されている。The source electrode SD2 of the thin film transistor TFT extends on the insulating film GI, and is formed such that its extending end overlaps the capacitance signal line CL.
【0082】これにより、容量信号線CLと薄膜トラン
ジスタTFTのソース電極SD2との重畳部は前記絶縁
膜GIを誘電体膜とする容量素子Cstgが形成される
ようになっている。As a result, a capacitive element Cstg using the insulating film GI as a dielectric film is formed at the overlapping portion of the capacitive signal line CL and the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT.
【0083】なお、この容量信号線CLはたとえば対向
電極CTに供給される基準電圧信号と同じ信号が供給さ
れ、その電位を安定化させるようになっている。Incidentally, for example, the same signal as the reference voltage signal supplied to the counter electrode CT is supplied to the capacitance signal line CL, so that the potential is stabilized.
【0084】また、前記容量信号線CLは反射膜RLと
コンタクトホールCH(保護膜PSV2、PSV1、絶
縁膜GIの順次貫通孔)を通して接続されており、これ
により該反射膜RLもその電位が安定化されている。Further, the capacitance signal line CL is connected to the reflection film RL and the contact hole CH (sequential through holes of the protection films PSV2, PSV1, and the insulating film GI). Has been
【0085】なお、図5において、図中III−III線にお
ける断面図およびIV−IV線における断面図は、それぞれ
図3および図4と同様となっている。In FIG. 5, a cross-sectional view taken along the line III-III and a cross-sectional view taken along the line IV-IV are the same as FIGS. 3 and 4, respectively.
【0086】実施例3.上述した各実施例では、前記反
射膜RLはたとえばAlからなり、画素領域の全域に及
んで形成されたものである。しかし、この反射膜の部分
を図7に示すように構成してもよい。Embodiment 3 FIG. In each of the embodiments described above, the reflective film RL is made of, for example, Al and formed over the entire pixel region. However, this reflective film portion may be configured as shown in FIG.
【0087】図7は、前記反射膜RLに相当する部分を
抜き出して示した図で、その(a)は平面図、(b)は
(a)のb−b線における断面図である。FIGS. 7A and 7B are diagrams showing a portion corresponding to the reflection film RL, wherein FIG. 7A is a plan view and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along the line bb of FIG.
【0088】図7において、前記反射膜RLに相当する
膜を二層構造とし、その一層目をたとえばITO膜のよ
うな透光性の膜10として、二層目をたとえばドット状
のパターンを散在させた非透光性のたとえばAlからな
る金属膜11で形成するようにしてもよい。In FIG. 7, a film corresponding to the reflection film RL has a two-layer structure, the first layer of which is a light-transmitting film 10 such as an ITO film, and the second layer of which a dot-like pattern is scattered. It may be formed of the non-light-transmitting metal film 11 made of, for example, Al.
【0089】このように構成した場合、いわゆる部分透
過型の液晶表示装置を構成することができる。With such a configuration, a so-called partial transmission type liquid crystal display device can be configured.
【0090】すなわち、前記金属膜11が形成されてい
る部分において透明基板SUB2側からの外来光を反射
させ、該金属膜11が形成されていない透光性の膜10
が形成されている部分において透明基板SUB1側から
バックライトからの外来光を透過させるようにしてい
る。That is, in the portion where the metal film 11 is formed, the external light from the transparent substrate SUB2 is reflected, and the light transmitting film 10 on which the metal film 11 is not formed is reflected.
Is formed so that extraneous light from the backlight is transmitted from the transparent substrate SUB1 side in the portion where is formed.
【0091】また、同様の趣旨から、図8(図7に対応す
る)に示すように、一層目をたとえばドット状のパター
ンを散在させた非透光性のたとえばAlからなる金属膜
11、二層目を画素領域の全域に及んで形成されたたと
えばITO膜のような透光性の膜10で形成してもよい
ことはもちろんである。For the same purpose, as shown in FIG. 8 (corresponding to FIG. 7), the first layer is made of a non-light-transmitting metal film 11, for example, made of Al, in which dot-like patterns are scattered. Needless to say, the layer may be formed of a light-transmitting film 10 such as an ITO film formed over the entire pixel region.
【0092】また、逆に、非透光性の金属膜中にITO
膜のような透光性の膜を形成し、少なくとも該部分で金
属膜を部分的に除去した構成としてもよいことはもちろ
んである。On the other hand, on the contrary, ITO is formed in the non-translucent metal film.
It goes without saying that a light-transmitting film such as a film may be formed, and at least the metal film may be partially removed at least at the portion.
【0093】実施例4.図9は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す平面図で、図1と対応した図と
なっている。また、図9のX−X線における断面を図1
0に、XI−XI線における断面を図11に示している。Embodiment 4 FIG. FIG. 9 is a plan view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, and corresponds to FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view taken along line XX of FIG.
FIG. 11 shows a cross section taken along line XI-XI of FIG.
【0094】図9において、図1と異なる構成は、ま
ず、反射膜RLとして形成した層をたとえばITO膜の
ような透光性の膜としていることにある。この膜は反射
膜としての機能は失せるが、たとえば対向電極CTに供
給される基準電圧信号と同じ信号を供給することによ
り、薄膜トランジスタTFTの電界による特性不安定を
回避することができる。9 differs from FIG. 1 in that the layer formed as the reflection film RL is a light-transmitting film such as an ITO film. Although this film can lose its function as a reflection film, for example, by supplying the same signal as the reference voltage signal supplied to the counter electrode CT, it is possible to avoid unstable characteristics due to the electric field of the thin film transistor TFT.
【0095】そして、次に、画素電極PXをたとえばA
lのような非透光性の金属で構成し、この画素電極PX
に反射膜としての機能をもたせている。Next, the pixel electrode PX is connected to, for example, A
The pixel electrode PX is made of a non-translucent metal such as
Has a function as a reflective film.
【0096】そして、画素電極PXは隣接する他の画素
領域の画素電極PXと物理的に分離させることにより電
気的に独立しているが、この実施例の場合、一方のゲー
ト信号線GLを被うようにして形成されている。The pixel electrode PX is electrically independent from the pixel electrode PX of another adjacent pixel region by being physically separated. In this embodiment, one gate signal line GL is covered. It is formed like this.
【0097】すなわち、画素電極PXは、そのゲート信
号線GL側の各辺のうち一方の辺(この実施例では、当
該画素領域の薄膜トランジスタTFTが重畳するゲート
信号線GL側の辺)が隣接する画素領域にまで及んで形
成されている。That is, the pixel electrode PX is adjacent to one of the sides on the side of the gate signal line GL (in this embodiment, the side on the side of the gate signal line GL on which the thin film transistor TFT of the pixel region overlaps). It is formed over the pixel area.
【0098】このようにすることによって、薄膜トラン
ジスタTFTは、該画素電極PXによって被われた構成
となり、隣接する他の画素領域の画素電極PXとの物理
的な分離は該薄膜トランジスタTFTの近傍にてなされ
るようになっている。In this manner, the thin film transistor TFT has a configuration in which the thin film transistor TFT is covered by the pixel electrode PX, and physical separation from the pixel electrode PX of another adjacent pixel region is performed in the vicinity of the thin film transistor TFT. It has become so.
【0099】このため、薄膜トランジスタTFTは画素
電極PXによって透明基板SUB2側からの光の照射を
遮蔽でき、その特性の劣化を防止することができるよう
になる。Therefore, the thin film transistor TFT can block the irradiation of light from the transparent substrate SUB2 side by the pixel electrode PX, and can prevent the deterioration of the characteristics.
【0100】実施例5.図12は、前記実施例6に示し
た構成において、その容量素子Cstgを容量素子線C
Lと画素電極PXとの間に設けるようにしたものであ
る。Embodiment 5 FIG. FIG. 12 shows that the capacitance element Cstg is replaced with the capacitance element line C in the configuration shown in the sixth embodiment.
This is provided between L and the pixel electrode PX.
【0101】このような構成においても、画素電極PX
は、たとえばAlのような非透光性の金属で構成され、
この画素電極PXに反射膜としての機能をもたせている
とともに一方のゲート信号線GLを被うようにして形成
されている。Even in such a configuration, the pixel electrode PX
Is made of a non-translucent metal such as Al,
The pixel electrode PX has a function as a reflection film and is formed so as to cover one gate signal line GL.
【0102】これにより、実施例6と同様に、薄膜トラ
ンジスタTFTを電界および外来光から保護できる構成
となっている。As a result, similarly to the sixth embodiment, the thin film transistor TFT can be protected from an electric field and external light.
【0103】なお、図12におけるX−X線における断
面図およびXI−XI線における断面図はそれぞれ前記図1
0および図11と同様となっている。The sectional view taken along the line XX and the sectional view taken along the line XI-XI in FIG.
0 and FIG.
【0104】実施例6.前記実施例4および5におい
て、反射膜として機能させた画素電極PXは、それに代
えてたとえば図7あるいは図8に示したような二層構造
膜としてもよいことはいうまでもない。Embodiment 6 FIG. In the fourth and fifth embodiments, it goes without saying that the pixel electrode PX functioning as a reflection film may be replaced with a two-layer structure film as shown in FIG. 7 or FIG.
【0105】このようにした場合、半透過型の液晶表示
装置を構成することができる。In this case, a transflective liquid crystal display device can be constructed.
【0106】実施例7.図13は本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す平面図であり、そのXIV−XIV線
における断面を図14に、XV−XV線における断面を図1
5に示している。Embodiment 7 FIG. FIG. 13 is a plan view showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention. FIG. 14 shows a cross section taken along line XIV-XIV, and FIG.
It is shown in FIG.
【0107】この実施例では、上述した実施例1あるい
は実施例4において、反射膜に対向電極CTの機能を併
せ持たせるようにするともに、画素電極PXを前記反射
膜に重畳させた状態でたとえば図中x方向に延在させy
方向に並設させた複数の電極群から構成させたものとな
っている。むろんy方向に延在させてx方向に並設して
もよい。その他にもPXの形状は細線部を有すれば、種
々の構成が可能である。In this embodiment, the reflection film is provided with the function of the counter electrode CT in the first or fourth embodiment, and the pixel electrode PX is overlapped with the reflection film. Extend in the x direction in the figure and y
It consists of a plurality of electrode groups arranged side by side in the direction. Of course, they may be extended in the y direction and juxtaposed in the x direction. Various other configurations are possible as long as the shape of the PX has a thin line portion.
【0108】前記反射膜は、隣接される他の画素領域の
反射膜と互いに接続されて形成されているため、それに
対向電極CTの機能を持たせる場合には液晶表示部AR
の領域外にも延在させた部分(端子)から対向電圧信号
を供給するようにできる。Since the reflection film is formed so as to be connected to the reflection film of another adjacent pixel region, the liquid crystal display unit AR is provided when it has the function of the counter electrode CT.
The counter voltage signal can be supplied from a portion (terminal) extending outside the region.
【0109】この場合、液晶LCは複屈折モードのもの
を用い、該対向電極CTと画素電極PXとの間に生じる
透明基板SUB1と平行な成分を有する電界によって液
晶LCの分子の配向方向を制御するようにしている。In this case, the liquid crystal LC is of a birefringence mode, and the orientation of molecules of the liquid crystal LC is controlled by an electric field having a component parallel to the transparent substrate SUB1 generated between the counter electrode CT and the pixel electrode PX. I am trying to do it.
【0110】複数の電極からなる画素電極PXは、図示
するようにその下端において共通に接続されるパターン
として形成され、その共通接続された部分の一部にて保
護膜PSV3、PSV2、PSV1の下層に形成された
薄膜トランジスタTFTのソース電極SD2とコンタク
トホールCHを通して接続されている。The pixel electrode PX composed of a plurality of electrodes is formed as a pattern commonly connected at its lower end as shown in FIG. Is connected through a contact hole CH to the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT formed in the above.
【0111】また、保護膜PSV3を誘電体膜とする容
量素子Cstgが画素電極PXと前記対向電極CTとの
間に形成されている。Further, a capacitive element Cstg having the protective film PSV3 as a dielectric film is formed between the pixel electrode PX and the counter electrode CT.
【0112】このように構成された液晶表示装置は、対
向電極CTが、画素電極PXの形成されている透明基板
SUB1側に形成されているため、透明電極SUB2側
に形成されていない構成となっている。In the liquid crystal display device thus configured, the counter electrode CT is not formed on the transparent electrode SUB2 side because the counter electrode CT is formed on the transparent substrate SUB1 side on which the pixel electrode PX is formed. ing.
【0113】なお、この場合においても、対向電極CT
である反射膜をそれに代えてたとえば図7あるいは図8
に示したような二層構造膜としてもよいことはいうまで
もない。すなわち半透過型の液晶表示装置を構成できる
からである。Note that, in this case as well, the counter electrode CT
7 or 8 instead of the reflective film
Needless to say, a two-layer structure film as shown in FIG. That is, a transflective liquid crystal display device can be configured.
【0114】[0114]
【発明の効果】以上、説明したことから明らかなよう
に、本発明による液晶表示装置によれば、信号線からの
画素電極に及ぼす電界の影響を防止できるようになる。As is apparent from the above description, according to the liquid crystal display device of the present invention, it is possible to prevent the influence of the electric field from the signal line on the pixel electrode.
【0115】また、開口率の向上を図ることができるよ
うになる。Also, the aperture ratio can be improved.
【0116】また、薄膜トランジスタの特性の安定化を
図ることができるようになる。In addition, the characteristics of the thin film transistor can be stabilized.
【0117】さらに、液晶を介して対向配置される各基
板の位置合わせに裕度をもたせることができるようにな
る。Further, it is possible to provide a margin for the positioning of the substrates arranged to face each other via the liquid crystal.
【図1】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing one embodiment of a pixel of a liquid crystal display device according to the present invention.
【図2】本発明による液晶表示装置の全体の一実施例を
示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing one embodiment of the entire liquid crystal display device according to the present invention.
【図3】図1のIII−III線における断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III in FIG.
【図4】図1のIV−IV線における断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG.
【図5】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図6】画素電極と容量線との間に容量素子を形成する
場合の等価回路を示した図である。FIG. 6 is a diagram showing an equivalent circuit when a capacitance element is formed between a pixel electrode and a capacitance line.
【図7】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図8】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図9】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図10】図9のX−X線における断面図である。FIG. 10 is a sectional view taken along line XX of FIG. 9;
【図11】図9のXI−XI線における断面図である。FIG. 11 is a sectional view taken along line XI-XI in FIG. 9;
【図12】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。FIG. 12 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図13】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図14】図14のXIV−XIV線における断面図である。FIG. 14 is a sectional view taken along line XIV-XIV in FIG. 14;
【図15】図15のXV−XV線における断面図である。FIG. 15 is a sectional view taken along line XV-XV in FIG. 15;
SUB…透明基板、GL…ゲート信号線、DL…ドレイ
ン信号線、PX…画素電極、TFT…薄膜トランジス
タ、SD1…ドレイン電極、SD2…ソース電極、Ca
dd,Cstg…容量素子、CL…容量信号線、CT…
対向電極。SUB: transparent substrate, GL: gate signal line, DL: drain signal line, PX: pixel electrode, TFT: thin film transistor, SD1: drain electrode, SD2: source electrode, Ca
dd, Cstg: capacitance element, CL: capacitance signal line, CT:
Counter electrode.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/30 349 G09F 9/30 349D 9/35 9/35 Fターム(参考) 2H090 HA04 LA01 LA04 2H091 FA16Y FD06 GA02 GA07 GA13 LA19 2H092 GA12 HA03 JA24 JA45 JB56 NA07 PA12 5C094 AA09 AA10 AA48 BA03 BA43 CA19 DA13 EA04 EA05 EA06 ED11 ED13 FA01 FA02 FB01 FB12 FB15 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G09F 9/30 349 G09F 9/30 349D 9/35 9/35 F-term (Reference) 2H090 HA04 LA01 LA04 2H091 FA16Y FD06 GA02 GA07 GA13 LA19 2H092 GA12 HA03 JA24 JA45 JB56 NA07 PA12 5C094 AA09 AA10 AA48 BA03 BA43 CA19 DA13 EA04 EA05 EA06 ED11 ED13 FA01 FA02 FB01 FB12 FB15
Claims (8)
一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、透光性の画素
電極と、その下層に有機材料からなる第1絶縁膜を介し
て配置される光反射膜と、この光反射膜の下層に少なく
とも有機材料層を有してなる第2絶縁膜を介して配置さ
れる薄膜トランジスタとを備え、 前記光反射膜は隣接する他の画素領域の光反射膜と共通
に接続されて形成され、かつ、前記画素電極は前記反射
膜の開口部を通して前記第1絶縁膜および第2絶縁膜に
貫通して形成されたコンタクトホールによって前記薄膜
トランジスタと電気的に接続されていることを特徴とす
る液晶表示装置。1. A light-transmitting pixel electrode, and a first insulating film made of an organic material below the pixel electrode are formed in each pixel region on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. And a thin film transistor arranged via a second insulating film having at least an organic material layer below the light reflecting film, wherein the light reflecting film is adjacent to another light reflecting film. The thin film transistor is formed by being connected in common with a light reflection film in a pixel region, and the pixel electrode is formed through a contact hole formed through the first insulation film and the second insulation film through an opening of the reflection film. A liquid crystal display device electrically connected to the liquid crystal display device.
一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、透光性の画素
電極と、その下層に有機材料からなる第1絶縁膜を介し
て配置される導電膜と、この導電膜の下層に少なくとも
有機材料層を有してなる第2絶縁膜を介して配置される
薄膜トランジスタとを備え、 前記導電膜は透光性の膜の領域内に散在的に形成される
光反射部を有し隣接する他の画素領域の導電膜と共通に
接続されて形成され、かつ、前記画素電極は前記導電膜
の開口部を通して前記第1絶縁膜および第2絶縁膜に貫
通して形成されたコンタクトホールによって前記薄膜ト
ランジスタと電気的に接続されていることを特徴とする
液晶表示装置。2. A light-transmitting pixel electrode and a first insulating film made of an organic material beneath a pixel electrode in each pixel region on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. And a thin film transistor arranged via a second insulating film having at least an organic material layer below the conductive film, wherein the conductive film is a region of a light-transmitting film. A light-reflecting portion that is scatteredly formed in the first insulating film; the pixel electrode is formed so as to be commonly connected to a conductive film of another adjacent pixel region; And a liquid crystal display device electrically connected to the thin film transistor by a contact hole formed through the second insulating film.
一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、反射膜を兼ね
る画素電極と、その下層に有機材料からなる第1絶縁膜
を介して配置される導電膜と、この導電膜の下層に少な
くとも有機材料層を有してなる第2絶縁膜を介して配置
される薄膜トランジスタとを備え、 前記導電膜は隣接する他の画素領域の導電膜と共通に接
続されて形成され、かつ、前記画素電極は前記導電膜の
開口部を通して前記第1絶縁膜および第2絶縁膜に形成
されたコンタクトホールによって前記薄膜トランジスタ
と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装
置。3. A pixel electrode serving also as a reflective film, and a first insulating film made of an organic material below the pixel electrode is formed in each pixel region on the liquid crystal side of one of the substrates opposed to each other with the liquid crystal interposed therebetween. And a thin film transistor arranged via a second insulating film having at least an organic material layer below the conductive film, wherein the conductive film is formed of another adjacent pixel region. The pixel electrode is formed so as to be commonly connected to a conductive film, and the pixel electrode is electrically connected to the thin film transistor through a contact hole formed in the first insulating film and the second insulating film through an opening of the conductive film. A liquid crystal display device.
一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、画素電極と、
その下層に有機材料からなる第1絶縁膜を介して配置さ
れる導電膜と、この導電膜の下層に少なくとも有機材料
層を有してなる第2絶縁膜を介して配置される薄膜トラ
ンジスタとを備え、 前記導電膜は隣接する他の画素領域の導電膜と共通に接
続されて形成され、前記画素電極は、透光性の膜の領域
内に散在的に形成される光反射部あるいは反射性の膜の
領域内に散在的に形成される光透過部を有して形成さ
れ、前記導電膜の開口部を通して前記第1絶縁膜および
第2絶縁膜に形成されたコンタクトホールによって前記
薄膜トランジスタと電気的に接続されていることを特徴
とする液晶表示装置。4. A pixel electrode is provided in each pixel region on a liquid crystal side surface of one of the substrates arranged to face each other with a liquid crystal interposed therebetween.
A conductive film disposed below the first insulating film made of an organic material via a first insulating film; and a thin film transistor disposed below the conductive film via a second insulating film having at least an organic material layer. The conductive film is formed so as to be commonly connected to a conductive film of another adjacent pixel region, and the pixel electrode is formed of a light-reflecting portion or a reflective portion which is scattered in a light-transmitting film region. The thin film transistor is formed to have a light transmitting portion scatteredly formed in a region of the film, and is electrically connected to the thin film transistor through contact holes formed in the first insulating film and the second insulating film through openings of the conductive film. A liquid crystal display device connected to a liquid crystal display.
一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、反射膜を兼ね
る画素電極と、その下層に有機材料からなる第1絶縁膜
を介して配置される光透光性の導電膜と、この導電膜の
下層に少なくとも有機材料層を有してなる第2絶縁膜を
介して配置される薄膜トランジスタとを備え、 前記導電膜は隣接する他の画素領域の導電膜と共通に接
続されて形成され、かつ、前記薄膜トランジスタを被う
ようにして形成されているとともに、前記画素電極は、
前記導電膜の開口部を通して前記第1絶縁膜および第2
絶縁膜に貫通して形成されたコンタクトホールによって
前記薄膜トランジスタと電気的に接続されていることを
特徴とする液晶表示装置。5. A pixel electrode serving also as a reflective film, and a first insulating film made of an organic material below the pixel electrode is provided in each pixel region on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. A light-transmissive conductive film disposed through the conductive film, and a thin film transistor disposed through a second insulating film having at least an organic material layer below the conductive film, wherein the conductive film is adjacent to the conductive film. The pixel electrode is formed so as to be commonly connected to the conductive film of another pixel region, and covers the thin film transistor.
The first insulating film and the second insulating film pass through an opening of the conductive film.
A liquid crystal display device, wherein the liquid crystal display device is electrically connected to the thin film transistor by a contact hole formed through the insulating film.
一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、画素電極と、
その下層に有機材料からなる第1絶縁膜を介して配置さ
れる光透光性の導電膜と、この導電膜の下層に少なくと
も有機材料層を有してなる第2絶縁膜を介して配置され
る薄膜トランジスタとを備え、 前記導電膜は隣接する他の画素領域の導電膜と共通に接
続されて形成され、かつ、前記薄膜トランジスタを被う
ようにして形成されているとともに、 前記画素電極は透光性の膜の領域内に散在的に形成され
る光反射部あるいは反射性の膜の領域内に散在的に形成
される光透過部を有して形成され、前記導電膜の開口部
を通して前記第1絶縁膜および第2絶縁膜に貫通して形
成されたコンタクトホールによって前記薄膜トランジス
タと電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示
装置。6. A pixel electrode in each pixel region on a liquid crystal side surface of one of substrates opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween.
A light-transmitting conductive film is disposed under the first insulating film made of an organic material, and a second insulating film having at least an organic material layer is formed under the conductive film. The conductive film is formed so as to be commonly connected to a conductive film of another adjacent pixel region, and is formed so as to cover the thin film transistor. A light reflecting portion formed scatteredly in the region of the reflective film or a light transmitting portion formed scatteredly in the region of the reflective film, and the light-transmitting portion is formed through the opening of the conductive film. A liquid crystal display device, wherein the liquid crystal display device is electrically connected to the thin film transistor through a contact hole formed through the first insulating film and the second insulating film.
一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、一方向に延在
され該方向と交差する方向に並設される電極群からなる
画素電極と、その下層に有機材料からなる第1絶縁膜を
介して配置される非透光性の導電膜からなる対向電極
と、この対向電極の下層に少なくとも有機材料層を有し
てなる第2絶縁膜を介して配置される薄膜トランジスタ
とを備え、 前記対向電極は隣接する他の画素領域の対向電極と共通
に接続されて形成され、かつ、前記薄膜トランジスタを
被うようにして形成されているとともに、前記画素電極
は、前記対向電極の開口部を通して前記第1絶縁膜およ
び第2絶縁膜に貫通して形成されたコンタクトホールに
よって前記薄膜トランジスタと電気的に接続されている
ことを特徴とする液晶表示装置。7. An electrode group extending in one direction and juxtaposed in a direction intersecting with the liquid crystal side surface of one of the substrates disposed opposite to each other with the liquid crystal interposed therebetween. A pixel electrode, a counter electrode formed of a non-light-transmitting conductive film disposed under the first insulating film formed of an organic material below the pixel electrode, and at least an organic material layer formed below the counter electrode. A thin film transistor disposed via a second insulating film, wherein the counter electrode is formed so as to be commonly connected to a counter electrode of another adjacent pixel region, and formed so as to cover the thin film transistor. And the pixel electrode is electrically connected to the thin film transistor through a contact hole formed through the first insulating film and the second insulating film through an opening of the counter electrode. A liquid crystal display device.
一方の基板の液晶側の面の各画素領域に、一方向に延在
され該方向と交差する方向に並設される電極群からなる
画素電極と、その下層に有機材料からなる第1絶縁膜を
介して配置される導電膜からなる対向電極と、この対向
電極の下層に少なくとも有機材料層を有してなる第2絶
縁膜を介して配置される薄膜トランジスタとを備え、 前記対向電極は隣接する他の画素領域の対向電極と共通
に接続されて形成され、かつ、前記薄膜トランジスタを
被うようにして形成されているとともに、 前記対向電極は、透光性の膜の領域内に散在的に形成さ
れる光反射部あるいは反射性の膜の領域内に散在的に形
成される光透過部を有して形成されるとともに、前記画
素電極は、前記対向電極の開口部を通して前記第1絶縁
膜および第2絶縁膜に貫通して形成されたコンタクトホ
ールによって前記薄膜トランジスタと電気的に接続され
ていることを特徴とする液晶表示装置。8. An electrode group extending in one direction and juxtaposed in a direction intersecting with the pixel region on a liquid crystal side surface of one of the substrates opposed to each other with the liquid crystal interposed therebetween. A pixel electrode, a counter electrode made of a conductive film disposed under the first insulating film made of an organic material under the pixel electrode, and a second insulating film having at least an organic material layer under the counter electrode. And a thin film transistor that is disposed through the thin film transistor. The counter electrode is formed so as to be commonly connected to a counter electrode of another adjacent pixel region, and is formed so as to cover the thin film transistor. The electrode is formed having a light reflecting portion formed scatteredly in the region of the light-transmitting film or a light transmitting portion formed scatteredly in the region of the reflective film. The electrode is an opening of the counter electrode. The liquid crystal display device characterized by being electrically connected to the thin film transistor by said first insulating film and a second contact hole which is formed through the insulating film through.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001126131A JP2002323704A (en) | 2001-04-24 | 2001-04-24 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2001126131A JP2002323704A (en) | 2001-04-24 | 2001-04-24 | Liquid crystal display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2002323704A true JP2002323704A (en) | 2002-11-08 |
Family
ID=18975219
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001126131A Pending JP2002323704A (en) | 2001-04-24 | 2001-04-24 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
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