JP2002025970A - Substrate cleaning method and its apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜デバイス製造
工程、特に成膜時に膜厚の精密な制御が要求される半導
体製造工程に必要な、基板の乾燥方法ならびにその装置
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for drying a substrate required for a thin film device manufacturing process, particularly for a semiconductor manufacturing process which requires precise control of the film thickness during film formation.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体ウェハの洗浄は、従来はバッチ式
と呼ばれる複数枚の基板を処理する方式(以下、第1の従
来技術という)で行われてきた。この方式ではある基板
から除去された汚染が他の基板に付着するという問題が
避けられず、ウェハを1枚ずつ処理する枚葉式処理の要
求が高まっている。例えば、特開平4−287922号公報記
載の、ウェハを回転手段に固定するとともに、機械的に
回転させながらウェハ表面に流体を噴射して表面処理を
行う方法(以下、第2の従来技術という)である。2. Description of the Related Art Semiconductor wafers have been conventionally cleaned by a method of processing a plurality of substrates called a batch method (hereinafter, referred to as a first conventional technique). In this method, the problem that contamination removed from one substrate adheres to another substrate is inevitable, and there is an increasing demand for single wafer processing in which wafers are processed one by one. For example, a method of performing surface treatment by jetting a fluid onto a wafer surface while mechanically rotating the wafer while fixing the wafer to rotating means described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-287922 (hereinafter, referred to as a second prior art) It is.
【０００３】シリコン基板では、成膜前洗浄で自然酸化
膜の除去を行うと、乾燥時にウォータマークと呼ばれる
乾燥しみが発生することが知られている。これはシリコ
ンが酸素と水に接することで生じるもので、酸化したシ
リコンが水に溶解し、乾燥後に残渣として析出するとい
うメカニズムが提示されている(Material Science and
Engineering B4, 401 (1989)、電子情報通信学会技術研
究報告(1987))。このメカニズムより、ウォータマーク
の発生を抑制するには、シリコン基板の水及び酸素との
接触を遮断することが有効であり、第1の従来技術にお
いてはアルコールで速やかに水を置換して除去する方法
や、減圧下で乾燥処理を行う方法などが実用化されてい
る。[0003] It is known that, when a natural oxide film is removed by cleaning before film formation on a silicon substrate, a drying stain called a watermark is generated during drying. This occurs when silicon comes into contact with oxygen and water, and a mechanism has been proposed in which oxidized silicon dissolves in water and precipitates as a residue after drying (Material Science and
Engineering B4, 401 (1989), IEICE Technical Report (1987)). From this mechanism, in order to suppress the generation of the watermark, it is effective to cut off the contact of the silicon substrate with water and oxygen, and in the first prior art, the water is promptly replaced with alcohol and removed. A method and a method of performing a drying treatment under reduced pressure have been put to practical use.
【０００４】しかし、第2の従来技術においては大気中
で濡れたウェハを回転するためにウォータマークが多発
する。ウォータマークの生成を抑制するためには、たと
えば特開昭61−42918号公報、特開昭60−74438号公報、
特開平8−78368号公報、特開平8−130202号公報、特開
平9−7939号公報等に記載(以下、第3の従来技術という)
のように、ウェハと対向する面との間に不活性気体を流
しながら、ウェハを回転して遠心力によって水を除去す
る方法が提案されている。However, in the second conventional technique, a watermark is frequently generated because a wafer wet in the atmosphere is rotated. In order to suppress the generation of a watermark, for example, JP-A-61-42918, JP-A-60-74438,
JP-A-8-78368, JP-A-8-130202, JP-A-9-7939, and the like (hereinafter, referred to as a third prior art)
As described above, there has been proposed a method of removing water by centrifugal force by rotating a wafer while flowing an inert gas between the wafer and a surface facing the wafer.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記した第3の従来技
術では、ウェハの中心付近と周辺とでは乾燥性能が異な
るという問題が発生する。第1の従来技術を用いて大気
中で乾燥処理を行った場合に比べて、第3の従来技術を
用いた乾燥ではウェハ中心付近のウォータマークは大幅
に低減されるが、周辺数mmの領域では逆にウォータマー
クが増加する。このため、第3の従来技術は実用化され
るにいたっていない。In the third prior art, there is a problem that the drying performance is different between the vicinity of the center of the wafer and the periphery. Compared with the case where the drying process is performed in the air using the first conventional technology, the drying using the third conventional technology significantly reduces the watermark near the center of the wafer, but the area of several mm around the wafer. On the contrary, the watermark increases. For this reason, the third prior art has not been put to practical use.
【０００６】本発明が解決しようとする課題は、上記し
たような第3の従来技術の有する問題点、すなわち、ウ
ェハ周辺部でウォータマークが増加するという点であ
る。The problem to be solved by the present invention is the problem of the third prior art as described above, that is, an increase in the number of watermarks at the peripheral portion of the wafer.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】従来のウェハの洗浄方法
について、図２を用いて説明する。ウェハ101はウェハ
チャック102によって保持され、ウェハチャック支持円
筒102aは図には記載していないモータによって回転可能
である。ウェハ101の上下両面に対向するように洗浄板1
11、121が設けられ、流体噴射口115、125より、ウェハ1
01と対向面112、122の間に形成される処理空間113、123
に流体を供給して、基板表面の処理を行う。流体として
洗浄液を供給して洗浄し、続いて超純水を供給してリン
スを行い、続いて不活性気体を供給して乾燥を行う。乾
燥開始時、処理空間113、123に存在している水は不活性
気体によって処理空間外へ排出される。対向面112、122
に付着している水滴は、大きさはウェハと対向面との距
離d以下であり、処理空間内の不活性気体の気流によっ
て速やかに蒸発する。しかし、洗浄板側面117、127に付
着している水滴は径が1.5mm以上の大きいものが多く蒸
発が遅いため、通常のウェハ乾燥処理時間内には蒸発し
ない。ここで枚葉式洗浄でのウェハの乾燥処理時間には
以下のような要求がある。たとえば枚葉式酸化の前洗浄
として行う場合には、酸化のスループットと洗浄のスル
ープットが一致しなければならない。枚葉式酸化の1枚
あたりの処理時間が4分前後であるので、洗浄も1枚あた
り4分前後で処理する必要がある。発明者らが実験を行
ったところ、直径が1.5mmを越える水滴は乾燥に4分以上
かかり、従って洗浄板側面117、127はウェハの乾燥処理
時間内には乾燥しない。そのため、付着している水滴
は、ウェハの回転に伴う気流によってミスト化するなど
してウェハ上に容易に到達する。また、処理空間外部の
雰囲気もウェハの回転に伴う気流によってウェハ上に到
達する。処理空間外部の雰囲気が大気である場合にはウ
ェハが水及び大気中の酸素と接することになり、ウォー
タマークが生成する。ウォータマークの生成する領域は
図3に示すようにウェハ端から距離rの帯状の領域であ
る。rの値は乾燥条件によって変わるが、発明者らの検
討の結果、実用的な条件の範囲内でrを6mm以下にするこ
とは不可能であった。このとき洗浄板の端は、ウェハチ
ャックとの接触を避けるためにウェハ端から3mmに位置
しており(図３)、従って洗浄板端から3mm内側までの領
域ではウォータマークが多数生成する。A conventional wafer cleaning method will be described with reference to FIG. The wafer 101 is held by a wafer chuck 102, and the wafer chuck supporting cylinder 102a can be rotated by a motor (not shown). Cleaning plate 1 facing both upper and lower surfaces of wafer 101
11 and 121 are provided, and the fluid 1
01 and processing space 113, 123 formed between facing surfaces 112, 122
Is supplied to the substrate to process the surface of the substrate. Cleaning is performed by supplying a cleaning liquid as a fluid, followed by rinsing by supplying ultrapure water, and then drying by supplying an inert gas. At the start of drying, water existing in the processing spaces 113 and 123 is discharged out of the processing space by the inert gas. Opposing surfaces 112, 122
The size of the water droplets adhering to the wafer is less than or equal to the distance d between the wafer and the facing surface, and quickly evaporates due to the flow of the inert gas in the processing space. However, since water droplets adhering to the cleaning plate side surfaces 117 and 127 have a large diameter of 1.5 mm or more and evaporate slowly, they do not evaporate within the normal wafer drying processing time. Here, there are the following requirements for the drying time of a wafer in single wafer cleaning. For example, in the case of performing as pre-cleaning of single-wafer oxidation, the throughput of oxidation and the throughput of cleaning must match. Since the processing time per sheet in single-wafer oxidation is about 4 minutes, it is necessary to perform cleaning in about 4 minutes per sheet. According to the experiments performed by the inventors, water droplets having a diameter exceeding 1.5 mm take more than 4 minutes to dry, and therefore, the cleaning plate side surfaces 117 and 127 do not dry within the drying processing time of the wafer. For this reason, the attached water droplets easily reach the wafer by being mist-formed by an air current accompanying the rotation of the wafer. In addition, the atmosphere outside the processing space reaches the wafer by the airflow accompanying the rotation of the wafer. When the atmosphere outside the processing space is the atmosphere, the wafer comes into contact with water and oxygen in the atmosphere, and a watermark is generated. The region where the watermark is generated is a band-like region at a distance r from the wafer edge as shown in FIG. Although the value of r varies depending on the drying conditions, as a result of the studies by the inventors, it was impossible to reduce r to 6 mm or less within the range of practical conditions. At this time, the edge of the cleaning plate is located 3 mm from the edge of the wafer in order to avoid contact with the wafer chuck (FIG. 3). Therefore, a large number of watermarks are generated in a region 3 mm inside the edge of the cleaning plate.
【０００８】以上から、ウェハ周辺部でのウォータマー
ク増加を抑制する方法として、洗浄板をウェハより大き
くして、水滴が付着する洗浄板側面をウェハから遠ざけ
ることが有効である(図４)。上記の検討から、洗浄板を
ウェハより3mm以上大きくすることが有効であることが
わかる。As described above, as a method of suppressing the increase of the watermark in the peripheral portion of the wafer, it is effective to make the cleaning plate larger than the wafer and to keep the side of the cleaning plate to which the water droplet adheres away from the wafer (FIG. 4). The above study shows that it is effective to make the cleaning plate 3 mm or more larger than the wafer.
【０００９】また、ウェハ径より3mm以上大きな洗浄板
と、洗浄板からウェハ把持部品までの距離d1が洗浄板か
らウェハまでの距離d2以下になるように配置されたウェ
ハ把持部品を用いることも有効である。これは以下の理
由によるものである。洗浄板上のウェハと対向している
領域・においては、乾燥開始後すみやかに不活性気体の
流れによって水は押し出され、ウェハチャックの回転領
域と対向している領域・では、ウェハチャックがワイパ
ーとして作用する(図５(a))。領域・、および・では付
着している水滴の径はたかだかウェハと洗浄板の距離d2
である。この水滴は処理時間内に十分蒸発することがで
きる。一方、領域・の外側の領域・(図５(a))ならびに
洗浄板の有する段差・(図５(b))では、d2以上の径を有
する水滴が存在することがある。この水滴が処理時間内
に乾燥しない場合には、洗浄板側面に付着した水滴と同
様、ウォータマークの原因となりうる。領域・に残留す
る水滴の乾燥時間を領域・と同程度にするには、領域・
とウェハチャックの距離（図６， ｄＡ）を、領域・と
ウェハの距離d2程度にすればよい。また、洗浄板の段差
・に残留する水滴の乾燥時間を領域・と同程度にするに
は、この領域のウェハ把持部品との距離(図６, dB)をd2
程度にすればよい。ここで、洗浄板上のある点のウェハ
把持部品との距離とは、ウェハ回転時における洗浄板上
の点の、ウェハ把持部品との最短距離を指すものとす
る。即ち、図６において、点Aとウェハ把持部品との距
離はdA、点Bとウェハ把持部品との距離はdBとなる。こ
のように定義された距離は、洗浄板のその点において付
着しうる水滴の径の指標となる。図７は、ウェハと洗浄
板の距離dに対する、洗浄板に付着した水滴の乾燥時間
を示すものである。dが小さいほど乾燥時間は短くな
る。すなわち、洗浄板の、領域Xの外側においても対向
するウェハ把持部品との距離を小さくすることで残留水
滴の径を小さくし、乾燥時間を短縮することが可能であ
る。その結果、ウォータマークの発生が低減される。Further, the use of a more significant cleaning plate 3mm from the wafer diameter, the placed wafer gripping part such that the distance d 1 from the cleaning plate to the wafer gripping part is a distance d 2 or less from the cleaning plate to the wafer Is also effective. This is for the following reason. In the area facing the wafer on the cleaning plate, water is pushed out by the flow of the inert gas immediately after the start of drying, and in the area facing the rotating area of the wafer chuck, the wafer chuck acts as a wiper. It works (FIG. 5 (a)). The diameter of the attached water droplets in the area and at most is the distance d 2 between the wafer and the cleaning plate
It is. These water droplets can evaporate sufficiently within the processing time. On the other hand, in the region-of the outer area, (FIG. 5 (a)) as well as step-a of the cleaning plate (FIG. 5 (b)), may be water droplets having a d 2 or more diameter are present. If the water droplets do not dry within the processing time, they may cause a watermark, like water droplets attached to the side surface of the cleaning plate. To make the drying time of water droplets remaining in the area
The distance between the wafer and the wafer chuck (FIG. 6, d A ) may be set to about the distance d 2 between the region and the wafer. Also, to the same extent the drying time and space-water droplet remaining on the step-cleaning plate, the distance between the wafer gripping part of this region (Fig. 6, d B) d 2
It should just be about. Here, the distance between a certain point on the cleaning plate and the wafer gripping component indicates the shortest distance between the point on the cleaning plate and the wafer gripping component when the wafer rotates. That is, in FIG. 6, the distance between the point A and the wafer gripping part is the distance between d A, point B and the wafer gripping part becomes d B. The distance defined in this way is an indicator of the diameter of a water droplet that can adhere at that point on the cleaning plate. FIG. 7 shows the drying time of water droplets attached to the cleaning plate with respect to the distance d between the wafer and the cleaning plate. The smaller d is, the shorter the drying time is. That is, it is possible to reduce the diameter of the remaining water droplets and shorten the drying time by reducing the distance between the cleaning plate and the wafer gripping component facing the outside even in the region X. As a result, the occurrence of watermarks is reduced.
【００１０】さらに、図８に示すような環状のウェハ把
持部品を用い、環状部分と洗浄板の距離dCを、ウェハと
洗浄板の距離dW以下に保って洗浄することも有効であ
る。環状のウェハ把持部品を用いることでウェハ把持部
品の回転によって発生する気流が抑制され、処理空間外
からウェハ上へ到達する大気の量を低減することができ
る。また、仮想的にウェハの径が大きくなる、すなわち
処理空間が大きくなることに相当し、処理空間外の雰囲
気がウェハに到達してウォータマークを生成することを
低減できる。Further, it is also effective to use an annular wafer gripping component as shown in FIG. 8 and perform cleaning while maintaining the distance d C between the annular portion and the cleaning plate to be equal to or less than the distance d W between the wafer and the cleaning plate. By using the annular wafer gripping component, the airflow generated by the rotation of the wafer gripping component is suppressed, and the amount of air reaching the wafer from outside the processing space can be reduced. In addition, it corresponds to virtually increasing the diameter of the wafer, that is, increasing the processing space, and it is possible to reduce the possibility that the atmosphere outside the processing space reaches the wafer and generates a watermark.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】(実施例1) <装置構成>図１に示すような、半径110mmの洗浄板を備
えた処理装置を、図９に示すように流体供給装置と接続
し、半径100mmの8インチシリコンウェハの洗浄処理を行
った。d1=0.2mm、d2=0.7mmとした。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (Embodiment 1) <Apparatus configuration> A processing apparatus having a cleaning plate having a radius of 110 mm as shown in FIG. 1 is connected to a fluid supply apparatus as shown in FIG. 8 inch silicon wafer was cleaned. d 1 = 0.2 mm and d 2 = 0.7 mm.
【００１２】上側洗浄板111ならびに下側洗浄板121は、
ウェハの中心に対向する位置の付近に上側流体噴出孔11
5ならびに下側流体噴出孔125をそれぞれ有し、上側流体
切替バルブ118、下側流体切替バルブ128にそれぞれ接続
されている。上側流体切替バルブ118および下側流体切
替バルブ128はいずれも、洗浄液供給機構181、リンス液
供給機構182、乾燥用気体供給機構183に接続されてい
る。ウェハ上側の処理は、洗浄液、超純水、乾燥用気体
のうち、流体切替バルブ118によって選択された流体
が、流体噴出孔115を通って処理空間113に供給され、ウ
ェハ101の上面の処理を行う。ウェハ下面についても同
様である。The upper cleaning plate 111 and the lower cleaning plate 121 are
The upper fluid ejection hole 11 is located near the position facing the center of the wafer.
5 and a lower fluid ejection hole 125, respectively, and are connected to the upper fluid switching valve 118 and the lower fluid switching valve 128, respectively. The upper fluid switching valve 118 and the lower fluid switching valve 128 are all connected to a cleaning liquid supply mechanism 181, a rinsing liquid supply mechanism 182, and a drying gas supply mechanism 183. In the processing on the upper side of the wafer, of the cleaning liquid, ultrapure water, and drying gas, the fluid selected by the fluid switching valve 118 is supplied to the processing space 113 through the fluid ejection hole 115, and the upper surface of the wafer 101 is processed. Do. The same applies to the lower surface of the wafer.
【００１３】処理は、はじめにウェハを100rpmで回転し
つつ洗浄液として0.5%フッ化水素酸を1.0L／minの流量
で60秒間供給した後、ウェハを100rpmで回転しつつリン
ス液として超純水を1.0L／minの流量で60秒間供給し
た。つづいて、ウェハを1000rpmで回転し、乾燥用気体
として乾燥窒素を90L／minの流量で90秒間流通した。処
理後に走査型電子顕微鏡を用いて半導体ウェハ表面を観
察し、処理によって生成したウォータマーク数を計測し
た。In the process, first, 0.5% hydrofluoric acid is supplied as a cleaning liquid at a flow rate of 1.0 L / min for 60 seconds while rotating the wafer at 100 rpm, and then ultrapure water is supplied as a rinsing liquid while rotating the wafer at 100 rpm. It was supplied at a flow rate of 1.0 L / min for 60 seconds. Subsequently, the wafer was rotated at 1000 rpm, and dry nitrogen was flowed as a drying gas at a flow rate of 90 L / min for 90 seconds. After the treatment, the surface of the semiconductor wafer was observed using a scanning electron microscope, and the number of watermarks generated by the treatment was counted.
【００１４】<性能評価>ウェハ端から10mmの領域に生成
したウォータマークの数を、図10に示す。ウェハより大
きい洗浄板を使用することで、ウェハ周辺部のウォータ
マークの生成を抑制できた。<Performance Evaluation> FIG. 10 shows the number of watermarks generated in a region 10 mm from the edge of the wafer. By using a cleaning plate larger than the wafer, it was possible to suppress generation of a watermark around the wafer.
【００１５】(実施例2) <装置構成>実施例1と同様の装置を用いて、半径75mmの6
インチシリコンウェハの洗浄処理を行った。ただしウェ
ハチャックには、図６の形状のものを用いた。d1= dA=
dB=0.2mm、d2=0.7mmとした。(Embodiment 2) <Apparatus configuration> Using the same apparatus as in Embodiment 1,
An inch silicon wafer was cleaned. However, a wafer chuck having the shape shown in FIG. 6 was used. d 1 = d A =
d B = 0.2 mm and d 2 = 0.7 mm.
【００１６】処理は、はじめにウェハを100rpmで回転し
つつ洗浄液として0.5%フッ化水素酸を1.0L／minの流量
で60秒間供給した後、ウェハを100rpmで回転しつつリン
ス液として超純水を1.0L／minの流量で60秒間供給し
た。つづいて、ウェハを１０００ｒｐｍで回転し、乾燥
用気体として乾燥窒素を９０Ｌ／minの流量で90秒間流
通した。処理後に走査型電子顕微鏡を用いて半導体ウェ
ハ表面を観察し、処理によって生成したウォータマーク
数を計測した。In the process, first, 0.5% hydrofluoric acid is supplied as a cleaning liquid at a flow rate of 1.0 L / min for 60 seconds while rotating the wafer at 100 rpm, and then ultrapure water is supplied as a rinsing liquid while rotating the wafer at 100 rpm. It was supplied at a flow rate of 1.0 L / min for 60 seconds. Subsequently, the wafer was rotated at 1000 rpm, and dry nitrogen was flowed at a flow rate of 90 L / min for 90 seconds as a drying gas. After the treatment, the surface of the semiconductor wafer was observed using a scanning electron microscope, and the number of watermarks generated by the treatment was counted.
【００１７】<性能評価>処理時間と、ウェハ端から10mm
の領域でのウォータマーク密度の相関を、図１１に示
す。洗浄板とウェハチャックとの距離を近づけること
で、水滴の除去効率を高め、高速乾燥が実現されてい
る。<Performance evaluation> Processing time and 10 mm from wafer edge
FIG. 11 shows the correlation between the watermark densities in the region of FIG. By reducing the distance between the cleaning plate and the wafer chuck, the efficiency of removing water droplets is increased, and high-speed drying is realized.
【００１８】(実施例3) <装置構成>図８に示すような、半径85mmの環状のウェハ
支持板ならびに半径85mmの洗浄板を備えた処理装置を、
図９に示すように流体供給装置と接続し、半径75mmの6
インチシリコンウェハの洗浄処理を行った。d1=0.7mm、
d2=0.2mmとした。(Embodiment 3) <Equipment Configuration> A processing apparatus provided with an annular wafer support plate having a radius of 85 mm and a cleaning plate having a radius of 85 mm as shown in FIG.
Connected to the fluid supply device as shown in FIG.
An inch silicon wafer was cleaned. d 1 = 0.7mm,
d 2 = 0.2 mm.
【００１９】処理は、まずウェハを100rpmで回転しつつ
洗浄液として0.5%フッ化水素酸を1.0L／minの流量で60
秒間供給した後、ウェハを100rpmで回転しつつリンス液
として超純水を1.0L／minの流量で60秒間供給した。そ
の後、ウェハを1000rpmで回転しつつ、乾燥用気体とし
て常温の乾燥窒素を基板洗浄板中央部の流体供給孔11
5、125から90L／minの流量で所定の時間供給した。処理
後に走査型電子顕微鏡を用いて半導体ウェハ表面を観察
し、処理によって生成したウォータマーク数を計測し
た。First, 0.5% hydrofluoric acid is used as a cleaning liquid at a flow rate of 1.0 L / min while rotating the wafer at 100 rpm.
After supplying the wafer for 100 seconds, ultrapure water was supplied as a rinse liquid at a flow rate of 1.0 L / min for 60 seconds while rotating the wafer at 100 rpm. Thereafter, while the wafer is rotated at 1000 rpm, dry nitrogen at room temperature is supplied as a drying gas to the fluid supply holes 11 at the center of the substrate cleaning plate.
5. It was supplied at a flow rate of 125 to 90 L / min for a predetermined time. After the treatment, the surface of the semiconductor wafer was observed using a scanning electron microscope, and the number of watermarks generated by the treatment was counted.
【００２０】<性能評価>乾燥時間と、ウェハ端から10mm
の領域に生成したウォータマークの密度との相関を、図
１１に示す。環状のウェハ支持板を用いることで水滴の
除去効率が向上し、乾燥時間を短縮できることが確認さ
れた。<Performance evaluation> Drying time and 10 mm from the edge of the wafer
FIG. 11 shows the correlation with the density of the watermark generated in the region of FIG. It was confirmed that the use of an annular wafer support plate improved the efficiency of removing water droplets and shortened the drying time.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明を実施することで、第3の従来技
術において基板周辺に生成するウォータマークを低減で
きる。According to the present invention, the watermark generated around the substrate in the third prior art can be reduced.
【図１】本発明による洗浄装置の断面を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a cross section of a cleaning apparatus according to the present invention.
【図２】第3の従来技術による洗浄装置の断面を示す図
である。FIG. 2 is a view showing a cross section of a cleaning apparatus according to a third conventional technique.
【図３】第3の従来技術によるウォータマーク生成を示
す図である。FIG. 3 is a diagram showing watermark generation according to a third conventional technique.
【図４】本発明におけるウェハ端付近の構造を示す図で
ある。FIG. 4 is a diagram showing a structure near a wafer edge according to the present invention.
【図５】本発明におけるウェハ端付近の構造を示す図で
ある。FIG. 5 is a diagram showing a structure near a wafer edge according to the present invention.
【図６】本発明におけるウェハ端付近の構造を示す図で
ある。FIG. 6 is a diagram showing a structure near a wafer edge according to the present invention.
【図７】洗浄板とウェハの間隔と、洗浄板の乾燥に要す
る時間を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an interval between a cleaning plate and a wafer and a time required for drying the cleaning plate.
【図８】本発明における、環状の基板把持部品の形状を
示す図である。FIG. 8 is a view showing the shape of an annular substrate holding component according to the present invention.
【図９】実施例1-2で用いた洗浄装置と流体供給装置の
接続を説明する図である。FIG. 9 is a diagram illustrating the connection between the cleaning device and the fluid supply device used in Example 1-2.
【図１０】実施例1における処理結果を説明する図であ
る。FIG. 10 is a diagram illustrating a processing result according to the first embodiment.
【図１１】実施例2および3における処理結果を説明する
図である。FIG. 11 is a diagram illustrating a processing result in Examples 2 and 3.
1…ボディ、2…流体供給孔、3…ピストン、7…ダイアフ
ラム、11…死容積、３１…主流路、４１…流体I入口、4
2…流体II入口、43…流体III入口、44…流体IV入口、51
…流体出口、101…半導体ウェハ、102…ウェハチャッ
ク、102a…ウェハアーム支持円筒、111…上側洗浄板、1
12…上側対向面、113…上側処理空間、115…上側流体噴
出孔、117…上側洗浄板側面、118…上側流体切替バル
ブ、121…下側洗浄板、122…下側対向面、123…下側処
理空間、125…下側流体噴出孔、127…下側洗浄板側面、
128…下側流体切替バルブ、181…洗浄液供給機構、182
…リンス液供給機構、183…乾燥用気体供給機構。1 ... body, 2 ... fluid supply hole, 3 ... piston, 7 ... diaphragm, 11 ... dead volume, 31 ... main channel, 41 ... fluid I inlet, 4
2… Fluid II inlet, 43… Fluid III inlet, 44… Fluid IV inlet, 51
... fluid outlet, 101 ... semiconductor wafer, 102 ... wafer chuck, 102a ... wafer arm support cylinder, 111 ... upper cleaning plate, 1
12 ... upper facing surface, 113 ... upper processing space, 115 ... upper fluid ejection hole, 117 ... upper cleaning plate side face, 118 ... upper fluid switching valve, 121 ... lower cleaning plate, 122 ... lower facing surface, 123 ... lower Side processing space, 125 ... lower fluid ejection hole, 127 ... lower cleaning plate side surface,
128: Lower fluid switching valve, 181: Cleaning liquid supply mechanism, 182
... Rinse liquid supply mechanism, 183 ... Dry gas supply mechanism.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大録 範行 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 田中 雄一郎 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 相内 進 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Noriyuki Dairoku, 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Research Institute of Production Technology, Hitachi, Ltd. (72) Yuichiro Tanaka 292, Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Address: Hitachi, Ltd., Production Technology Laboratory (72) Inventor Susumu Aiuchi, Kanagawa Prefecture, Yokohama, Totsuka-ku, Yoshida-cho, 292
Claims (6)
板状洗浄板との間に形成される処理空間に、液体を供給
して当該基板表面を処理したのち、当該処理空間に気体
を供給して当該基板表面をする洗浄方法において、 基板半径をD mmとするとき、(D+3) mm以上の半径の洗浄
板を用いることを特徴とする基板の洗浄方法。A liquid is supplied to a processing space formed between a substrate and a plate-like cleaning plate disposed opposite to the substrate to process the surface of the substrate, and then a gas is supplied to the processing space. And cleaning the substrate surface by using a cleaning plate having a radius of (D + 3) mm or more when the substrate radius is D mm.
置された板状洗浄板と、基板把持部品との距離をd1 m
m、前記洗浄板と基板との距離をd2 mmとするとき、洗浄
板上の、洗浄板中心からD〜(D+3) mmの領域においてd1
< d2が満たされている条件下で基板の洗浄を行うことを
特徴とする、請求項１記載の基板の洗浄方法。2. The substrate has a radius of D mm, and a distance between a plate-like cleaning plate disposed opposite to the substrate and a substrate gripping component is d 1 m.
m, when the distance between the cleaning plate and the substrate is d 2 mm, d 1 in an area of D to (D + 3) mm from the cleaning plate center on the cleaning plate.
2. The method for cleaning a substrate according to claim 1, wherein the substrate is cleaned under a condition satisfying <d2.
洗浄を行うことを特徴とする、請求項２記載の基板の洗
浄方法。3. The method for cleaning a substrate according to claim 2, wherein the cleaning is performed by gripping the substrate using an annular gripping component.
備え、当該基板と当該板状洗浄板との間に形成される処
理空間に流体を流すことで当該基板表面を処理する洗浄
装置において、 基板半径をD mmとするとき、(D+3) mm以上の半径の洗浄
板を有することを特徴とする基板の洗浄装置。4. A cleaning method comprising: providing a plate-like cleaning plate which can be arranged to face a substrate; and treating a surface of the substrate by flowing a fluid into a processing space formed between the substrate and the plate-like cleaning plate. An apparatus for cleaning a substrate, characterized in that the apparatus has a cleaning plate having a radius of (D + 3) mm or more, where the substrate radius is D mm.
置された板状洗浄板と、基板把持部品との距離をd1 m
m、前記洗浄板と基板との距離をd2 mmとするとき、洗浄
板上の、洗浄板中心からD〜(D+3) mmの領域においてd1
< d2が満たされていることを特徴とする、請求項４記載
の基板の洗浄装置。5. A substrate having a radius of D mm, and a distance between a plate-like cleaning plate disposed to face the substrate and a substrate gripping component being d 1 m.
m, when the distance between the cleaning plate and the substrate is d 2 mm, d 1 in an area of D to (D + 3) mm from the cleaning plate center on the cleaning plate.
<Characterized in that d 2 is satisfied, a substrate washing apparatus according to claim 4, wherein.
とする、請求項５記載の基板の洗浄装置。6. The apparatus for cleaning a substrate according to claim 5, wherein the gripping component of the substrate is annular.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000203054A JP2002025970A (en) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | Substrate cleaning method and its apparatus |
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| JP2002025970A true JP2002025970A (en) | 2002-01-25 |
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| JP (1) | JP2002025970A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9477990B1 (en) | 2013-10-18 | 2016-10-25 | State Farm Mutual Automobile Insurance Company | Creating a virtual model of a vehicle event based on sensor information |
-
2000
- 2000-06-30 JP JP2000203054A patent/JP2002025970A/en active Pending
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