JP2000174326A - Detection device - Google Patents
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- G11B15/00—Driving, starting or stopping record carriers of filamentary or web form; Driving both such record carriers and heads; Guiding such record carriers or containers therefor; Control thereof; Control of operating function
- G11B15/02—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing
- G11B15/05—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing by sensing features present on or derived from record carrier or container
- G11B15/06—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing by sensing features present on or derived from record carrier or container by sensing auxiliary features on record carriers or containers, e.g. to stop machine near the end of a tape
- G11B15/08—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing by sensing features present on or derived from record carrier or container by sensing auxiliary features on record carriers or containers, e.g. to stop machine near the end of a tape by photoelectric sensing
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- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、検知対象空間に
照射した光が検知対象空間を透過するか否かあるいは検
知対象空間で反射されるか否かに従って、前記検知対象
空間に検知対象物体があるか否かを検知する光透過型ま
たは光反射型の検知装置に関し、特に磁気記録再生装置
に用いられる検知装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a method for detecting an object to be detected in a space to be detected in accordance with whether or not light emitted to the space to be detected is transmitted through the space to be detected or reflected by the space to be detected. The present invention relates to a light transmission type or light reflection type detection device for detecting whether or not there is, and particularly to a detection device used for a magnetic recording / reproducing device.
【0002】[0002]
【従来の技術】図8は磁気記録再生装置に装備されてい
る従来の検知装置の構成図である。図8の検知装置は、
磁気テープ送り機構の磁気テープ走路に磁気テープ4が
あるか否か、また磁気テープ4がある場合にそれが磁性
体部であるか透明のリード部であるかを検知する検知装
置である。また、図9は図8の検知装置の検知動作を示
すフローチャートである。また、図10は磁気記録再生
装置における図8の検知装置の配置例を示す図である。2. Description of the Related Art FIG. 8 is a block diagram of a conventional detecting device provided in a magnetic recording / reproducing device. The detection device of FIG.
This is a detection device for detecting whether or not the magnetic tape 4 is present in the magnetic tape running path of the magnetic tape feeding mechanism, and when the magnetic tape 4 is present, whether or not it is a magnetic material portion or a transparent lead portion. FIG. 9 is a flowchart showing the detecting operation of the detecting device of FIG. FIG. 10 is a diagram showing an example of the arrangement of the detection device of FIG. 8 in a magnetic recording and reproducing device.
【0003】図8の検知装置は、赤外波長の検知光を発
する赤外発光ダイオード2と、発光部固定抵抗3と、赤
外発光ダイオード2からの検知光を受光する赤外フォト
トランジスタ6と、受光部固定抵抗7と、マイクロコン
ピュータ20とを備えている。赤外発光ダイオード2と
赤外フォトトランジスタ6とは、磁気テープ走路の両側
に配置されている。この赤外発光ダイオード2と赤外フ
ォトトランジスタ6の間の赤外光伝送空間(検知対象空
間)に磁気テープ4の磁性体部分が介在すると、赤外発
光ダイオード2からの赤外光は、上記の磁性体部分によ
り遮光され、赤外フォトトランジスタ6で受光されな
い。また、上記の赤外光伝送空間に磁気テープ4の磁性
体部分が介在していなければ、赤外発光ダイオード2か
らの赤外光は、赤外光フォトトランジスタ6によって受
光される。図8の検知装置は、図10においては、磁気
テープ4の始端部および終端部を検知するスタート/エ
ンドセンサとして配置されている。なお、図10におい
て、21は磁気記録再生装置の機構制御部およびキャプ
スタンモータ・ドライブアンプ、22は磁気テープ4の
供給リール、23は磁気テープ4の巻き取りリール、2
4はキャプスタン、25はピンチローラである。[0003] The detecting device shown in FIG. 8 includes an infrared light emitting diode 2 for emitting detection light of an infrared wavelength, a light emitting unit fixed resistor 3, and an infrared phototransistor 6 for receiving detection light from the infrared light emitting diode 2. , A light-receiving unit fixed resistor 7 and a microcomputer 20. The infrared light emitting diode 2 and the infrared phototransistor 6 are arranged on both sides of the magnetic tape track. If the magnetic portion of the magnetic tape 4 is interposed in the infrared light transmission space (detection target space) between the infrared light emitting diode 2 and the infrared phototransistor 6, the infrared light from the infrared light emitting diode 2 , And is not received by the infrared phototransistor 6. If the magnetic part of the magnetic tape 4 does not intervene in the infrared light transmission space, the infrared light from the infrared light emitting diode 2 is received by the infrared light phototransistor 6. 8 is arranged as a start / end sensor for detecting the start and end of the magnetic tape 4 in FIG. In FIG. 10, reference numeral 21 denotes a mechanism control unit and a capstan motor / drive amplifier of the magnetic recording / reproducing apparatus; 22, a supply reel for the magnetic tape 4; 23, a take-up reel for the magnetic tape 4;
4 is a capstan, 25 is a pinch roller.
【0004】次に、検知動作について説明する。発光部
固定抵抗3により、一定の発光量で赤外発光ダイオード
2を駆動させ、赤外フォトトランジスタ6の出力電流
(検知電流)を受光部固定抵抗7で検知電圧VINに変換
し、この検知電圧VINをマイクロコンピュータ20に送
る。そして、検知電圧VINは、受光部固定抵抗7によ
り、磁気テープ4の磁性体部分による遮光が行われない
ときはHレベル(ほぼ電源電圧VCC2)となり、逆に
磁性体部分で遮光されるときはLレベル(ほぼ0
[V])となる。この検知電圧VINをマイクロコンピュ
ータ20にて、図9に示すフローチャートの手順で処理
することにより、磁気テープ4の磁性体部が上記の検知
対象空間に介在するか否かを判別している。つまり、電
源電圧VCC2の1/2の値に固定されているしきい値
電圧VTHを用い(ステップS20)、検知電圧VINを測
定し(ステップS21)、この検知電圧VINを上記のし
きい値電圧VTHと比較し(ステップS22)、VIN>
VTHであれば磁性体部でないと判別し(ステップS2
3)、VIN≦VTHであれば磁性体部であると判別する
(ステップS24)。Next, the detection operation will be described. The infrared light emitting diode 2 is driven at a constant light emission amount by the light emitting unit fixed resistor 3, and the output current (detection current) of the infrared phototransistor 6 is converted into the detection voltage V IN by the light receiving unit fixed resistor 7. The voltage V IN is sent to the microcomputer 20. The detection voltage V IN becomes the H level (substantially the power supply voltage VCC2) by the light receiving section fixed resistor 7 when the light is not blocked by the magnetic portion of the magnetic tape 4, and when the light is blocked by the magnetic portion. Is the L level (almost 0
[V]). The detection voltage V IN is processed by the microcomputer 20 according to the procedure of the flowchart shown in FIG. 9 to determine whether or not the magnetic body portion of the magnetic tape 4 is interposed in the above-mentioned detection target space. In other words, using a threshold voltage V TH, which is fixed to 1/2 of the supply voltage VCC2 (step S20), and measures the detected voltage V IN (step S21), and the teeth of the detection voltage V IN of the Compare with the threshold voltage VTH (step S22), and V IN >
If V TH , it is determined that it is not a magnetic part (step S2).
3) If V IN ≦ V TH , it is determined that the part is a magnetic part (step S24).
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記構成の従来の検知
装置においては、赤外フォトトランジスタ6の出力電流
(検知電流)に含まれる、種々のバラツキ要素を全て加
味して設計する必要がある。種々のバラツキ要素とは、
例えば、それぞれの素子の出力特性・寿命・取付け位置
・角度・暗電流、磁気テープの透過率、電源電圧バラツ
キなどであり、多岐に渡る。このような種々のバラツキ
を吸収させるために、素子のバラツキをランク分けし、
使用する素子を制限したり、素子の取付け位置や角度の
規格を厳しくする等の対策がなされている。しかしなが
ら、使用する素子のランクを制限することにより、コス
トが上昇するなどの問題があった。また、取付け位置や
角度の規格を厳しくすることにより、製造しにくくなっ
たり、ときには設計不可能になってしまう場合があるな
どの問題があった。In the conventional detecting device having the above-mentioned structure, it is necessary to design the device taking into consideration all the various factors included in the output current (detection current) of the infrared phototransistor 6. The various variation elements are
For example, the output characteristics, life, mounting position, angle, dark current, magnetic tape transmittance, power supply voltage variation, etc. of each element are various. In order to absorb such various variations, the device variations are ranked,
Measures have been taken to limit the elements used, and to stricter the specifications for the mounting position and angle of the elements. However, there is a problem that the cost is increased by limiting the rank of the element to be used. In addition, strict specifications for the mounting position and the angle make it difficult to manufacture and sometimes make it impossible to design.
【0006】この発明は、上記のような従来の問題を解
決するためになされたものであり、検知信号に含まれる
種々のバラツキを吸収できる検知装置を提供することを
目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described conventional problems, and has as its object to provide a detection device capable of absorbing various variations contained in a detection signal.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の請求項1記載の検知装置は、検知対象空
間に検知光を発する発光手段と、前記検知光を受光し、
この受光量に応じたレベルの検知信号を出力する受光手
段と、前記検知信号のレベルをしきい値と比較すること
により、前記検知対象空間に前記検知対象物体があるか
否かを判別する判別手段と、前記受光手段が前記検知光
を受光する位置に前記検知対象物体を配置したときの前
記検知信号のレベルに応じて、前記しきい値をあらかじ
め設定しておく設定手段と、前記設定されたしきい値を
記憶しておく記憶手段とを備えたものである。In order to achieve the above object, a detecting device according to claim 1 of the present invention comprises: a light emitting means for emitting detection light to a detection target space;
A light-receiving means for outputting a detection signal having a level corresponding to the amount of received light, and a determination for determining whether or not the detection target object is present in the detection target space by comparing the level of the detection signal with a threshold value Means, and setting means for setting the threshold value in advance according to a level of the detection signal when the detection target object is arranged at a position where the light receiving means receives the detection light; Storage means for storing the threshold value.
【0008】本発明の請求項2記載の検知装置は、請求
項1において、前記設定手段が、前記受光手段が前記検
知光を受光する位置に前記検知対象物体を配置したとき
の前記検知信号のレベルと、前記受光手段が前記検知光
を受光しない位置に前記検知対象物体を配置したときの
前記検知信号のレベルとに応じて、前記しきい値をあら
かじめ設定しておくようにしたものである。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the setting means detects the detection signal of the detection signal when the detection target object is arranged at a position where the light receiving means receives the detection light. The threshold value is set in advance according to a level and a level of the detection signal when the detection target object is arranged at a position where the light receiving unit does not receive the detection light. .
【0009】本発明の請求項3記載の検知装置は、検知
対象空間に検知光を発する発光手段と、前記検知光を受
光し、この受光量に応じたレベルの検知信号を出力する
受光手段と、前記検知信号のレベルに従って、前記検知
対象空間に前記検知対象物体があるか否かを判別する判
別手段と、前記受光手段が前記検知光を受光する位置に
前記検知対象物体を配置したときに、前記検知信号のレ
ベルが所定値になるように、前記受光手段または前記発
光手段をあらかじめ設定しておく設定手段とを備えたも
のである。According to a third aspect of the present invention, there is provided a detecting device for emitting a detection light to a detection target space, and a light receiving means for receiving the detection light and outputting a detection signal having a level corresponding to the amount of the received light. According to a level of the detection signal, determining means for determining whether or not the detection target object is present in the detection target space, and when the light receiving means arranges the detection target object at a position where the detection light is received. Setting means for setting the light receiving means or the light emitting means in advance so that the level of the detection signal becomes a predetermined value.
【0010】本発明の請求項4記載の検知装置は、請求
項3において、前記受光手段が、同じ受光量に対する検
知信号のレベルを可変する手段を有し、前記設定手段
が、前記受光手段が前記検知光を受光する位置に前記検
知対象物体を配置したときに、前記検知信号のレベルが
所定値になるように、前記受光手段の検知信号レベルを
あらかじめ設定しておくようにしたものである。According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect, the light receiving means has a means for varying a level of a detection signal for the same amount of received light, and the setting means includes a light receiving means. The detection signal level of the light receiving means is set in advance so that the level of the detection signal becomes a predetermined value when the detection target object is arranged at a position where the detection light is received. .
【0011】本発明の請求項5記載の検知装置は、請求
項3において、前記発光手段が、発光量を可変する手段
を有し、前記設定手段が、前記受光手段が前記検知光を
受光する位置に前記検知対象物体を配置したときに、前
記検知信号のレベルが所定値になるように、前記発光手
段の発光量をあらかじめ設定しておくようにしたもので
ある。According to a fifth aspect of the present invention, in the third aspect, the light emitting means has means for varying the amount of light emission, and the setting means includes a light receiving means for receiving the detection light. The light emission amount of the light emitting means is set in advance so that the level of the detection signal becomes a predetermined value when the detection target object is arranged at a position.
【0012】本発明の請求項6記載の検知装置は、検知
対象空間に検知光を発する発光手段と、前記検知光を受
光し、この受光量に応じたレベルの検知信号を出力する
受光手段と、前記検知信号のレベルを所定のしきい値と
比較することにより、前記検知対象空間に検知対象物体
があるか否かを判別する判別手段と、前記受光手段が前
記検知光を受光する位置に前記検知対象物体を配置した
ときの前記検知信号のレベルと、前記受光手段が前記検
知光を受光しない位置に前記検知対象物体を配置したと
きの前記検知信号のレベルとの中間値が、前記しきい値
に一致するように、前記発光手段または前記受光手段あ
るいはその両方をあらかじめ設定しておく設定手段とを
備えたものである。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a detecting device, comprising: a light emitting means for emitting detection light in a detection target space; and a light receiving means for receiving the detection light and outputting a detection signal having a level corresponding to the amount of received light. Determining means for determining whether there is an object to be detected in the detection target space by comparing the level of the detection signal with a predetermined threshold value, and determining whether or not the light receiving means receives the detection light. An intermediate value between the level of the detection signal when the detection target object is arranged and the level of the detection signal when the detection object is arranged at a position where the light receiving unit does not receive the detection light is the following. Setting means for setting the light-emitting means and / or the light-receiving means in advance so as to match a threshold value.
【0013】本発明の請求項7記載の検知装置は、請求
項6において、前記受光手段が、同じ受光量に対する検
知信号のレベルを可変する手段を有し、前記設定手段
が、前記受光手段が前記検知光を受光する位置に前記検
知対象物体を配置したときの前記検知信号のレベルと、
前記受光手段が前記検知光を受光しない位置に前記検知
対象物体を配置したときの前記検知信号のレベルとの中
間値が、前記しきい値に一致するように、前記受光手段
の検知信号レベルをあらかじめ設定しておくようにした
ものである。According to a seventh aspect of the present invention, in the sixth aspect, the light receiving means has means for varying a level of a detection signal for the same amount of received light, and the setting means includes a light receiving means. The level of the detection signal when the detection target object is arranged at a position to receive the detection light,
The detection signal level of the light receiving unit is adjusted so that an intermediate value between the detection signal level when the detection target object is arranged at a position where the light receiving unit does not receive the detection light and the detection signal level matches the threshold value. This is set in advance.
【0014】本発明の請求項8記載の検知装置は、請求
項6において、前記発光手段が、発光量を可変する手段
を有し、前記設定手段が、前記受光手段が前記検知光を
受光する位置に前記検知対象物体を配置したときの前記
検知信号のレベルと、前記受光手段が前記検知光を受光
しない位置に前記検知対象物体を配置したときの前記検
知信号のレベルとの中間値が、前記しきい値に一致する
ように、前記発光手段の発光量をあらかじめ設定してお
くようにしたものである。According to an eighth aspect of the present invention, in the sixth aspect, the light emitting means has means for changing a light emission amount, and the setting means, wherein the light receiving means receives the detection light. The intermediate value between the level of the detection signal when the detection target object is arranged at a position and the level of the detection signal when the detection object is arranged at a position where the light receiving unit does not receive the detection light, The light emission amount of the light emitting means is set in advance so as to match the threshold value.
【0015】本発明の請求項9記載の検知装置は、請求
項6において、前記受光手段が、同じ受光量に対する検
知信号のレベルを可変する手段を有し、前記発光手段
が、発光量を可変する手段を有し、前記設定手段が、前
記受光手段が前記検知光を受光する位置に前記検知対象
物体を配置したときの前記検知信号のレベルと、前記受
光手段が前記検知光を受光しない位置に前記検知対象物
体を配置したときの前記検知信号のレベルとの中間値
が、前記しきい値に一致するように、前記発光手段の発
光量および前記受光手段の検知信号レベルをあらかじめ
設定しておくようにしたものである。According to a ninth aspect of the present invention, in the sixth aspect, the light receiving means has means for varying a level of a detection signal for the same amount of received light, and the light emitting means varies the amount of emitted light. A level of the detection signal when the detection target object is arranged at a position where the light receiving unit receives the detection light, and a position where the light receiving unit does not receive the detection light. The light emission amount of the light emitting unit and the detection signal level of the light receiving unit are set in advance so that an intermediate value between the detection signal level when the detection target object is arranged and the threshold value coincides with the threshold value. It is something to keep.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】実施の形態1.図1は磁気記録再
生装置に導入した本発明の実施の形態1の検知装置の構
成図である。実施の形態1の検知装置は、赤外発光ダイ
オード2と、発光部固定抵抗3と、赤外フォトトランジ
スタ6と、受光部固定抵抗7と、マイクロコンピュータ
9とを備えている。この実施の形態1の検知装置は、磁
気記録再生装置の磁気テープ走路中の検知対象空間に磁
気テープ4があるか否か、また磁気テープ4がある場合
にそれが磁性体部であるか透明のリード部であるかを検
知する検知動作の他に、検知条件の設定動作をする。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 FIG. 1 is a configuration diagram of a detection device according to a first embodiment of the present invention introduced into a magnetic recording / reproducing device. The detection device according to the first embodiment includes an infrared light emitting diode 2, a light emitting unit fixed resistor 3, an infrared phototransistor 6, a light receiving unit fixed resistor 7, and a microcomputer 9. The detection device according to the first embodiment determines whether or not the magnetic tape 4 is present in the detection target space in the magnetic tape running path of the magnetic recording / reproducing device. In addition to the detection operation of detecting whether the read portion is a lead portion, an operation of setting detection conditions is performed.
【0017】赤外発光ダイオード2と赤外フォトトラン
ジスタ6とは、磁気テープ走路の両側にあり、磁気テー
プを挟んで対向する位置に配置されている。赤外発光ダ
イオード2のアノード電極は、電源VCC1に接続され、
カソード電極は、発光部固定抵抗3を介して接地されて
いる。この赤外発光ダイオード2は、赤外波長の検知光
を発する。発光部固定抵抗3は、赤外発光ダイオード2
に流れる電流を制限し、赤外発光ダイオード2の発光量
を決める。また、赤外フォトトランジスタ6のコレクタ
電極は、電源VCC2に接続され、エミッタ電極は、受光
部固定抵抗7を介して接地されるとともに、マイクロコ
ンピュータ9の入力端子INに接続されている。この赤
外フォトトランジスタ6は、上記の検知光を受光し、受
光量に応じた電流(検知電流)をエミッタ電極から出力
する。また、受光部固定抵抗7は、上記の検知電流を検
知電圧VINに変換する。The infrared light emitting diode 2 and the infrared phototransistor 6 are disposed on both sides of the magnetic tape running path and at positions facing each other across the magnetic tape. The anode electrode of the infrared light emitting diode 2 is connected to the power supply V CC1 ,
The cathode electrode is grounded via the light emitting unit fixed resistor 3. The infrared light emitting diode 2 emits detection light having an infrared wavelength. The light emitting unit fixed resistor 3 is an infrared light emitting diode 2
Of the infrared light emitting diode 2 is determined. The collector electrode of the infrared phototransistor 6 is connected to the power supply V CC2 , and the emitter electrode is grounded via the light receiving section fixed resistor 7 and connected to the input terminal IN of the microcomputer 9. The infrared phototransistor 6 receives the detection light and outputs a current (detection current) corresponding to the amount of received light from the emitter electrode. Further, the light receiving section fixed resistor 7 converts the above detection current into a detection voltage V IN .
【0018】赤外発光ダイオード2と発光部固定抵抗3
は、発光手段を構成しており、検知対象空間に赤外検知
光を発する。また、赤外フォトトランジスタ6と受光部
固定抵抗7は、受光手段を構成しており、上記の赤外検
知光を受光し、この受光量に応じた検知電圧VINを出力
する。Infrared light emitting diode 2 and light emitting unit fixed resistor 3
Constitutes a light emitting means, and emits infrared detection light in a detection target space. The infrared phototransistor 6 and the light receiving section fixed resistor 7 constitute light receiving means, receive the infrared detection light, and output a detection voltage V IN according to the amount of received light.
【0019】赤外発光ダイオード2と赤外フォトトラン
ジスタ6の間の赤外光伝送空間(検知対象空間)に磁気
テープ4の磁性体部分が介在すると、赤外発光ダイオー
ド2からの赤外検知光は、上記の磁性体部分により遮光
され、赤外フォトトランジスタ6で受光されない。ま
た、上記の赤外光伝送空間に磁気テープ4の磁性体部分
が介在していなければ、赤外発光ダイオード2からの赤
外検知光は、赤外光フォトトランジスタ6によって受光
される。When the magnetic portion of the magnetic tape 4 is interposed in the infrared light transmission space (detection target space) between the infrared light emitting diode 2 and the infrared phototransistor 6, the infrared light from the infrared light emitting diode 2 is detected. Is shielded by the above-described magnetic material portion and is not received by the infrared phototransistor 6. If the magnetic portion of the magnetic tape 4 is not interposed in the infrared light transmission space, the infrared light from the infrared light emitting diode 2 is received by the infrared light phototransistor 6.
【0020】マイクロコンピュータ9は、A−D変換器
10と、CPU11と、メモリ13と、検知電圧VINの
入力端子INとを有する。A−D変換器10は、検知電
圧V INをディジタルデータに変換する。メモリ13に
は、しきい値電圧VTHのディジタルデータが記憶されて
いる。CPU11は、検知動作において、検知電圧VIN
(ディジタルデータ)をメモリ13に記憶されているし
きい値電圧VTH(ディジタルデータ)と比較することに
より、上記の赤外光伝送空間に磁気テープ4の磁性体部
があるか否かを判別する。また、CPU11は、設定動
作において、上記の赤外光伝送空間に磁気テープ4の磁
性体部がない場合の検知電圧VINHのレベルに応じて、
しきい値電圧VTHを演算し、このしきい値電圧VTHをメ
モリ13に記憶させる。The microcomputer 9 is an A / D converter
10, the CPU 11, the memory 13, and the detection voltage VINof
And an input terminal IN. The AD converter 10 detects the
Pressure V INIs converted into digital data. In memory 13
Is the threshold voltage VTHDigital data is stored
I have. The CPU 11 detects the detection voltage VIN
(Digital data) is stored in the memory 13.
Threshold voltage VTH(Digital data)
The magnetic part of the magnetic tape 4 is located in the infrared light transmission space.
It is determined whether or not there is. Further, the CPU 11 performs a setting operation.
In the operation, the magnetic tape 4
Detection voltage V when there is no body partINHDepending on the level of
Threshold voltage VTHAnd calculate the threshold voltage VTHTo
It is stored in the memory 13.
【0021】A−D変換器10とCPU11は、判別手
段を構成しており、検知電圧VINのレベルをしきい値電
圧VTHと比較することにより、検知対象空間に磁気テー
プ4の磁性体部があるか否かを判別する。また、A−D
変換器10とCPU11は、設定手段を構成しており、
上記の受光手段が赤外検知光を受光する位置に検知対象
物体を配置したとき、つまり検知対象空間に磁気テープ
4の磁性体部がないようにしたときの検知電圧VINHの
レベルに応じて、しきい値電圧VTHをあらかじめ設定し
ておく。The A / D converter 10 and the CPU 11 constitute a discriminating means. By comparing the level of the detection voltage V IN with the threshold voltage V TH , the magnetic material of the magnetic tape 4 is placed in the detection target space. It is determined whether or not there is a copy. Also, A-D
The converter 10 and the CPU 11 constitute a setting unit.
According to the level of the detection voltage V INH when the detection target object is placed at a position where the light receiving means receives the infrared detection light, that is, when there is no magnetic portion of the magnetic tape 4 in the detection target space. And the threshold voltage V TH are set in advance.
【0022】次に、しきい値電圧VTHの設定動作につい
て説明する。図2は本発明の実施の形態1の検知装置に
よる設定動作のフローチャートである。最初の設定動作
以前には、メモリ13には、しきい値電圧VTHの初期値
が記憶されている。この初期値は、例えば電源電圧V
CC2の1/2の値である(ステップS1)。Next, the operation of setting the threshold voltage V TH will be described. FIG. 2 is a flowchart of a setting operation by the detection device according to the first embodiment of the present invention. Before the first setting operation, the memory 13 stores an initial value of the threshold voltage V TH . This initial value is, for example, the power supply voltage V
This value is 1/2 of CC2 (step S1).
【0023】まず、実施の形態1の検知装置が導入され
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ9は、磁気テープ4が磁気記録再生装置に装填さ
れてない場合(磁気テープ4の磁性体部が赤外光伝送空
間にない場合)の検知電圧VINHを発光手段および受光
手段によって測定する(ステップS2)。このとき、検
知電圧VINHは、A−D変換器10にてディジタルデー
タに変換され、CPU11に送られる。First, when power is supplied to the main body of the magnetic recording / reproducing apparatus in which the detecting device of the first embodiment is installed and the system of the magnetic recording / reproducing apparatus is started, the microcomputer 9 causes the magnetic tape 4 to record the magnetic recording data. The detection voltage V INH is measured by the light emitting means and the light receiving means when it is not loaded in the reproducing apparatus (when the magnetic part of the magnetic tape 4 is not in the infrared light transmission space) (step S2). At this time, the detection voltage V INH is converted into digital data by the AD converter 10 and sent to the CPU 11.
【0024】CPU11は、 VTH=VIN×KT…(1) により、しきい値電圧VTHを演算し(ステップS3)、
このしきい値電圧VTHをメモリ13に記憶させる(ステ
ップS4)。上記のKTは、KT<1なる係数であり、
例えば0.5である。また、演算したしきい値電圧VTH
をメモリ13に記憶すると、以前のしきい値電圧は消去
される。ステップS3およびS4により設定されたしき
い値電圧VTHは、次に設定動作をするまで、検知動作に
用いられる。The CPU 11 calculates the threshold voltage V TH from V TH = V IN × KT (1) (step S3),
This threshold voltage V TH is stored in the memory 13 (step S4). The above KT is a coefficient such that KT <1.
For example, 0.5. Also, the calculated threshold voltage V TH
Is stored in the memory 13, the previous threshold voltage is erased. The threshold voltage V TH set in steps S3 and S4 is used for the detection operation until the next setting operation.
【0025】次に、検知動作について説明する。図3は
本発明の実施の形態1の検知装置による検知動作のフロ
ーチャートである。上記の設定動作によって上記の検知
電圧VINHに応じて設定されたしきい値電圧VTHを用い
(ステップS5)、発光手段および受光手段によって検
知電圧VINを測定し(ステップS6)、この検知電圧V
INを上記のしきい値電圧VTHと比較し(ステップS
7)、VIN>VTHであれば磁性体部でないと判別し(ス
テップS8)、VIN≦VTHであれば磁性体部であると判
別する(ステップS9)。Next, the detection operation will be described. FIG. 3 is a flowchart of a detecting operation by the detecting device according to the first embodiment of the present invention. Using the threshold voltage V TH set according to the detection voltage V INH by the above setting operation (step S5), the detection voltage V IN is measured by the light emitting means and the light receiving means (step S6), and this detection is performed. Voltage V
IN is compared with the above threshold voltage V TH (step S
7) If V IN > V TH , it is determined that it is not a magnetic part (step S8), and if V IN ≦ V TH , it is determined that it is a magnetic part (step S9).
【0026】電源電圧VCC2が5.0[V]であり、上
記の設定動作において、例えば検知電圧VINHがほぼ
5.0[V]であった場合には、設定されるしきい値電
圧VTHは2.5[V]となる。また、例えば、赤外発光
ダイオード2の劣化によりその発光量が初期の1/2に
低下し、あるいは赤外フォトトランジスタ6の劣化によ
り同じ受光量に対する検知電流が初期の1/2に低下
し、検知電圧VINHがほぼ2.5[V]であった場合に
は、設定されるしきい値電圧VTHは1.25[V]とな
る。When the power supply voltage V CC2 is 5.0 [V] and the detection voltage V INH is approximately 5.0 [V] in the above setting operation, for example, the set threshold voltage is set. V TH is 2.5 [V]. Further, for example, the light emission amount is reduced to half of the initial value due to the deterioration of the infrared light emitting diode 2, or the detection current for the same light reception amount is reduced to half of the initial value due to the deterioration of the infrared phototransistor 6, When the detection voltage V INH is approximately 2.5 [V], the set threshold voltage V TH is 1.25 [V].
【0027】検知動作において、赤外発光ダイオード2
の発光量が初期の1/2に低下している、あるいは赤外
フォトトランジスタ6の検知電流が初期の1/2に低下
している場合には、検知電圧VINは、磁気テープ4の磁
性体部であれば、ほぼ0[V]となり、磁性体部でなけ
れば、ほぼ2.5[V]となる。従来の検知装置では、
しきい値電圧VTHは2.5[V]に固定されているの
で、磁性体部でないのに磁性体部であると誤判別してし
まう場合がある。しかし、実施の形態1の検知装置で
は、設定動作によってあらかじめ設定されたしきい値電
圧を用いるので、赤外発光ダイオード2の発光量が初期
の1/2に低下している場合のしきい値電圧VTHとして
は1.25[V]が用いられ、磁気テープ4の磁性体部
か否かを正確に判別することができる。In the detecting operation, the infrared light emitting diode 2
If the light emission amount of the magnetic tape 4 is reduced to 初期 of the initial value, or the detection current of the infrared phototransistor 6 is reduced to 初期 of the initial value, the detection voltage V IN In the case of a body part, the voltage is almost 0 [V]. In the conventional detection device,
Since the threshold voltage V TH is fixed at 2.5 [V], the threshold voltage V TH may be erroneously determined to be a magnetic part even though it is not a magnetic part. However, in the detection device of the first embodiment, since the threshold voltage set in advance by the setting operation is used, the threshold value when the light emission amount of the infrared light emitting diode 2 is reduced to half of the initial value is used. As the voltage V TH , 1.25 [V] is used, and it can be accurately determined whether or not the magnetic tape 4 is a magnetic part.
【0028】このように実施の形態1によれば、磁気テ
ープ4の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
VINHのレベルに応じて、しきい値電圧VTHをあらかじ
め設定しておくことにより、赤外フォトトランジスタ6
の検知電流に含まれる種々のバラツキを吸収することが
でき、検知動作を長期間に渡り安定させることができ
る。As described above, according to the first embodiment, the threshold voltage V TH is set in advance according to the level of the detection voltage V INH when the magnetic portion of the magnetic tape 4 is not in the detection target space. The infrared phototransistor 6
Various variations included in the detection current can be absorbed, and the detection operation can be stabilized for a long period of time.
【0029】なお、上記実施の形態1では、しきい値電
圧VTHを設定するための係数KTを0.5としたが、こ
の係数KTは、赤外フォトトランジスタ6の検知電流に
含まれる種々のバラツキを吸収するのに最適な値にすれ
ばよい。In the first embodiment, the coefficient KT for setting the threshold voltage V TH is set to 0.5. However, the coefficient KT may be different from that contained in the detection current of the infrared phototransistor 6. May be set to an optimum value for absorbing the variation of the above.
【0030】実施の形態2.実施の形態2の検知装置
は、上記実施の形態1の検知装置において、磁気テープ
4の磁性体部が検知対象空間に介在しないときの検知電
圧VINHのレベルと、磁性体部が検知対象空間に介在す
るときの検知電圧VINLのレベルとに応じて、しきい値
電圧VTHをあらかじめ設定するようにしたものである。
なお、実施の形態2の検知装置の構成および検知動作
は、上記実施の形態1の検知装置の構成(図1参照)お
よび検知動作(図3参照)と同様であるので、その説明
を省略する。Embodiment 2 FIG. The detection device according to the second embodiment is the same as the detection device according to the first embodiment, except that the level of the detection voltage V INH when the magnetic part of the magnetic tape 4 does not intervene in the detection target space and the magnetic substance part is the detection target space The threshold voltage V TH is set in advance according to the level of the detection voltage V INL at the time of intervening.
Note that the configuration and the detection operation of the detection device according to the second embodiment are the same as the configuration (see FIG. 1) and the detection operation (see FIG. 3) of the detection device according to the first embodiment, and thus description thereof will be omitted. .
【0031】実施の形態2の検知装置においては、CP
U11は、設定動作において、赤外光伝送空間(検知対
象空間)に磁気テープ4の磁性体部がない場合の検知電
圧V INHのレベルと、赤外光伝送空間(検知対象空間)
に磁気テープ4の磁性体部がある場合の検知電圧VINL
のレベルとに応じて、しきい値電圧VTHを演算し、この
しきい値電圧VTHをメモリ13に記憶させる。In the detecting device according to the second embodiment, the CP
In the setting operation, U11 detects the infrared light transmission space (detection pair).
Detected when there is no magnetic part of the magnetic tape 4 in the elephant space)
Pressure V INHLevel and infrared light transmission space (detection target space)
Voltage when there is a magnetic part of the magnetic tape 4INL
And the threshold voltage VTHAnd calculate this
Threshold voltage VTHIs stored in the memory 13.
【0032】次に、しきい値電圧VTHの設定動作につい
て説明する。図4は本発明の実施の形態2の検知装置に
よる設定動作のフローチャートである。最初の設定動作
以前には、メモリ13には、しきい値電圧VTHの初期値
が記憶されている。この初期値は、例えば電源電圧V
CC2の1/2の値である(ステップS11)。Next, the operation of setting the threshold voltage V TH will be described. FIG. 4 is a flowchart of a setting operation by the detection device according to the second embodiment of the present invention. Before the first setting operation, the memory 13 stores an initial value of the threshold voltage V TH . This initial value is, for example, the power supply voltage V
This value is 1/2 of CC2 (step S11).
【0033】まず、実施の形態2の検知装置が導入され
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ9は、磁気テープ4が磁気記録再生装置に装填さ
れてない場合(磁気テープ4の磁性体部が赤外光伝送空
間にない場合)の検知電圧VINHを発光手段および受光
手段によって測定する。この検知電圧VINHは、CPU
11に送られ、メモリ13に一時的に記憶される(ステ
ップS12)。First, when power is supplied to the main body of the magnetic recording / reproducing apparatus in which the detecting device of the second embodiment is installed and the system of the magnetic recording / reproducing apparatus is started, the microcomputer 9 causes the magnetic tape 4 to record the magnetic recording. The detection voltage V INH when it is not loaded in the reproducing apparatus (when the magnetic part of the magnetic tape 4 is not in the infrared light transmission space) is measured by the light emitting means and the light receiving means. This detection voltage V INH is
11 and temporarily stored in the memory 13 (step S12).
【0034】次に、マイクロコンピュータ9は、磁気テ
ープ4が磁気記録再生装置に装填され、赤外光伝送空間
(検知対象空間)が磁気テープ4の磁性体部で遮光され
ている場合の検知電圧VINLを発光手段および受光手段
によって測定する(ステップS13)。この検知電圧V
INLは、CPU11に送られる。Next, the microcomputer 9 detects the detection voltage when the magnetic tape 4 is loaded in the magnetic recording / reproducing apparatus and the infrared light transmission space (detection target space) is shielded from light by the magnetic portion of the magnetic tape 4. V INL is measured by the light emitting means and the light receiving means (step S13). This detection voltage V
INL is sent to the CPU 11.
【0035】CPU11は、メモリ13から検知電圧V
INHを読み出し、検知電圧VINHおよびVINLを用い、 VTH=(VINH+VINL)/2…(2) により、しきい値電圧VTHを演算し(ステップS1
4)、このしきい値電圧VTHをメモリ13に記憶させる
(ステップS15)。演算したしきい値電圧VTHをメモ
リ13に記憶すると、以前のしきい値電圧は消去され
る。ステップS14およびS15により設定されたしき
い値電圧VTHは、次に設定動作をするまで、検知動作に
用いられる。The CPU 11 reads the detected voltage V from the memory 13.
INH is read out, and the threshold voltage V TH is calculated using V TH = (V INH + V INL ) / 2 (2) using the detection voltages V INH and V INL (step S1).
4) The threshold voltage V TH is stored in the memory 13 (step S15). When the calculated threshold voltage V TH is stored in the memory 13, the previous threshold voltage is erased. The threshold voltage V TH set in steps S14 and S15 is used for the detection operation until the next setting operation.
【0036】従って、実施の形態2の検知装置では、し
きい値電圧VTHは、常に検知電圧V INHとVINLの中間に
設定されることになり、赤外発光ダイオード2の発光量
または赤外フォトダイオード6の検知電流が変動して
も、磁気テープ4の磁性体部が介在するか否かを確実に
判別できる。Therefore, in the detection device according to the second embodiment,
Threshold voltage VTHIs always the detection voltage V INHAnd VINLIn between
The light emission amount of the infrared light emitting diode 2 will be set.
Or the detection current of the infrared photodiode 6 fluctuates.
Also ensure that the magnetic part of the magnetic tape 4 is interposed.
Can be determined.
【0037】このように実施の形態2によれば、磁気テ
ープ4の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
VINHのレベルと、上記の磁性体部が検知対象空間にあ
るときの検知電圧VINLのレベルに応じて、しきい値電
圧VTHをあらかじめ設定しておくことにより、赤外フォ
トトランジスタ6の検知電流に含まれる種々のバラツキ
を吸収することができ、検知動作を長期間に渡り安定さ
せることができる。As described above, according to the second embodiment, the level of the detection voltage V INH when the magnetic portion of the magnetic tape 4 is not in the detection target space and the level of the detection voltage V INH when the magnetic portion is in the detection target space are described. By setting the threshold voltage V TH in advance according to the level of the detection voltage V INL , various variations included in the detection current of the infrared phototransistor 6 can be absorbed, and the detection operation can be lengthened. Can be stabilized over time.
【0038】なお、上記実施の形態2では、(2)式に
よりしきい値電圧VTHを検知電圧V INHとVINLの中間に
設定したが、しきい値電圧VTHの算式は、赤外フォトト
ランジスタ6の検知電流に含まれる種々のバラツキを吸
収するのに最適な算式であれば(2)式でなくてもよ
い。In the second embodiment, the expression (2)
More threshold voltage VTHIs the detection voltage V INHAnd VINLIn between
Set, but the threshold voltage VTHThe formula is
Absorbs various variations included in the detection current of transistor 6.
Formula (2) does not have to be the most suitable formula to fit
No.
【0039】実施の形態3.図5は磁気記録再生装置に
導入した本発明の実施の形態3の検知装置の構成図であ
る。なお、図5において、図1と同じものには同じ符号
を付してある。実施の形態3の検知装置は、赤外発光ダ
イオード2と、発光部固定抵抗3と、赤外フォトトラン
ジスタ6と、受光部可変抵抗器14と、マイクロコンピ
ュータ9Aとを備えている。この実施の形態3の検知装
置は、上記実施の形態1の検知装置において、受光部固
定抵抗7の位置に受光部可変抵抗器14を設け、マイク
ロコンピュータ9をマイクロコンピュータ9Aにしたも
のである。なお、実施の形態3の検知装置の検知動作
は、上記実施の形態1の検知装置の検知動作(図3参
照)と同様であるので、その説明を省略する。Embodiment 3 FIG. 5 is a configuration diagram of a detection device according to the third embodiment of the present invention introduced into a magnetic recording / reproducing device. In FIG. 5, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. The detecting device according to the third embodiment includes an infrared light emitting diode 2, a light emitting unit fixed resistor 3, an infrared phototransistor 6, a light receiving unit variable resistor 14, and a microcomputer 9A. The detection device according to the third embodiment is the same as the detection device according to the first embodiment except that a light receiving unit variable resistor 14 is provided at the position of the light receiving unit fixed resistor 7, and the microcomputer 9 is replaced by a microcomputer 9A. Note that the detection operation of the detection device of the third embodiment is the same as the detection operation of the detection device of the first embodiment (see FIG. 3), and a description thereof will be omitted.
【0040】受光部可変抵抗器14は、端子T1,T
2,CNT,FBを有し、端子T1と端子T2の間に可
変抵抗を設けたものである。端子T1および端子FBは
検知電圧VINが生成される赤外フォトトランジスタ6の
エミッタ電極に接続され、端子T2は接地され、端子C
NTにはマイクロコンピュータ9Aからの受光部制御信
号16が入力される。この受光部可変抵抗器14は、受
光部制御信号16が第1の値(ある範囲内の任意の値)
であるときには、端子FBの電圧(検知電圧VIN)がこ
の第1の値を追従するように抵抗値を変化させる(可変
抵抗動作)。また、受光部可変抵抗器14は、受光部制
御信号16が第1の値の範囲から外れた第2の値(固定
値)に変化すると、第1の値に変化する直前の抵抗値
を、次に第1の値になるまで保持する(固定抵抗動
作)。受光部可変抵抗器14と赤外フォトトランジスタ
6は受光手段を構成している。The light-receiving unit variable resistor 14 has terminals T1, T
2, CNT and FB, and a variable resistor is provided between the terminal T1 and the terminal T2. The terminal T1 and the terminal FB are connected to the emitter electrode of the infrared phototransistor 6 where the detection voltage V IN is generated, the terminal T2 is grounded, and the terminal C
The light receiving unit control signal 16 from the microcomputer 9A is input to NT. The light-receiving unit variable resistor 14 has a light-receiving unit control signal 16 having a first value (an arbitrary value within a certain range).
, The resistance value is changed so that the voltage at the terminal FB (detection voltage V IN ) follows this first value (variable resistance operation). Further, when the light receiving unit control signal 16 changes to a second value (fixed value) out of the range of the first value, the light receiving unit variable resistor 14 changes the resistance value immediately before changing to the first value. Next, the value is held until it reaches the first value (fixed resistance operation). The light receiving section variable resistor 14 and the infrared phototransistor 6 constitute light receiving means.
【0041】マイクロコンピュータ9Aは、A−D変換
器10と、CPU11Aと、メモリ13と、検知電圧V
INの入力端子INと、受光部制御信号16の出力端子C
NTSとを有する。メモリ13には、赤外発光ダイオー
ド2と赤外フォトトランジスタ6の間の赤外光伝送空間
(検知対象空間)に磁気テープ4の磁性体部がない場合
の検知電圧VINHの標準値VrefHおよびしきい値電圧V
THのディジタルデータが記憶されている。The microcomputer 9A includes an A / D converter 10, a CPU 11A, a memory 13, a detection voltage V
IN input terminal IN and output terminal C of light receiving unit control signal 16
NTS. The memory 13 has a standard value V refH of the detection voltage V INH when there is no magnetic portion of the magnetic tape 4 in the infrared light transmission space (detection target space) between the infrared light emitting diode 2 and the infrared phototransistor 6. And threshold voltage V
TH digital data is stored.
【0042】CPU11Aは、受光部制御信号16を生
成し、受光部可変抵抗器14の動作を制御する。このC
PU11Aは、設定動作において、受光部制御信号16
を上記第1の値の範囲内で変化させることにより受光部
可変抵抗器14の抵抗値を変化させ、上記の検知電圧V
INHが標準値VrefHになるように受光部可変抵抗器14
の抵抗値を設定し、そのあと受光部制御信号16を上記
第2の値に変化させることにより受光部可変抵抗器14
の抵抗値を上記の設定値に固定する。また、CPU11
Aは、検知動作において、受光部制御信号16を上記第
2の値に保持することにより受光部可変抵抗器14を上
記設定した抵抗値に固定し、検知電圧V IN(ディジタル
データ)をメモリ13に記憶されているしきい値電圧V
TH(ディジタルデータ)と比較することにより、上記の
赤外光伝送空間に磁気テープ4の磁性体部があるか否か
を判別する。The CPU 11A generates the light receiving section control signal 16
Then, the operation of the light receiving section variable resistor 14 is controlled. This C
The PU 11A controls the light receiving unit control signal 16
Is changed within the range of the first value.
By changing the resistance value of the variable resistor 14, the detection voltage V
INHIs the standard value VrefHVariable resistor 14
And then set the light receiver control signal 16 to the above value.
The light-receiving unit variable resistor 14
Is fixed at the above set value. The CPU 11
A indicates that the light-receiving unit control signal 16
2, the light-receiving unit variable resistor 14 is raised.
Fixed to the set resistance value, and the detection voltage V IN(digital
Data) with the threshold voltage V stored in the memory 13.
TH(Digital data)
Whether there is a magnetic part of the magnetic tape 4 in the infrared light transmission space
Is determined.
【0043】次に、設定動作(受光部可変抵抗器14の
抵抗値の設定動作)について説明する。しきい値電圧V
TH(固定値)は2.5[V]に、検知電圧VINHの標準
値Vr efH(固定値)は5.0[V]にそれぞれ設定され
ているものとする。Next, the setting operation (setting operation of the resistance value of the light receiving section variable resistor 14) will be described. Threshold voltage V
TH (fixed value) to 2.5 [V], the standard value V r EFh (fixed value) of the detection voltage V INH is assumed to be set for 5.0 [V].
【0044】まず、実施の形態3の検知装置が導入され
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ9AのCPU11Aは、受光部制御信号16によ
り受光部可変抵抗器14を可変動作させるとともに、受
光部制御信号16を第1の値の範囲内のある値に設定
し、発光手段および受光手段により磁気テープ4の磁性
体部が赤外光伝送空間にない場合の検知電圧VINHを測
定する。First, power is supplied to the main body of the magnetic recording / reproducing apparatus in which the detecting device of the third embodiment is installed, and when the system of the magnetic recording / reproducing apparatus is started, the CPU 11A of the microcomputer 9A sends a light receiving section control signal. The variable resistor 14 of the light receiving unit is variably operated by the control unit 16 and the control signal 16 of the light receiving unit is set to a certain value within the first value range. The detection voltage V INH when not in the optical transmission space is measured.
【0045】次に、測定した検知電圧VINHが標準値V
refH=5.0[V]に一致していれば、受光部制御信号
16を第2の値に変化させ、受光部可変抵抗器14を固
定抵抗動作に切り換える。また、測定した検知電圧V
INHが標準値VrefH=5.0[V]に一致していなけれ
ば、受光部制御信号16の値を第1の値の範囲内で変化
させ、検知電圧VINHを再度測定する。そして、この検
知電圧VINHの再測定を、検知電圧VINHが標準値VrefH
=5.0[V]に一致するまで繰り返し、一致したら受
光部制御信号16を第2の値に変化させ、受光部可変抵
抗器14を固定抵抗動作に切り換える。以上により、検
知電圧VINHが標準値VrefH=5.0[V]に一致する
ように、受光部可変抵抗14の抵抗値が設定される。C
PU11Aは、次の設定動作まで受光部制御信号16を
第2の値に固定し、これにより、受光部可変抵抗14は
次の設定動作まで、上記設定された抵抗値に固定され
る。Next, the measured detection voltage V INH is set to the standard value V
If refH = 5.0 [V], the light receiving unit control signal 16 is changed to the second value, and the light receiving unit variable resistor 14 is switched to the fixed resistance operation. In addition, the measured detection voltage V
If INH does not match the standard value V refH = 5.0 [V], the value of the light receiving section control signal 16 is changed within the first value range, and the detection voltage V INH is measured again. Then, the re-measurement of the detection voltage V INH, the detection voltage V INH standard value V refH
= 5.0 [V], and when they match, the light receiving unit control signal 16 is changed to the second value, and the light receiving unit variable resistor 14 is switched to the fixed resistance operation. As described above, the resistance value of the light-receiving unit variable resistor 14 is set so that the detection voltage V INH matches the standard value V refH = 5.0 [V]. C
The PU 11A fixes the light receiving unit control signal 16 to the second value until the next setting operation, whereby the light receiving unit variable resistor 14 is fixed at the set resistance value until the next setting operation.
【0046】従って、実施の形態3の検知装置では、上
記の設定動作により、赤外発光ダイオード2の発光量ま
たは赤外フォトダイオード6の検知電流が変動しても、
この変動分は受光部可変抵抗器14により吸収され、磁
気テープ4の磁性体部が検知対象空間にない場合の検知
電圧VINHは、常に標準値VrefH=5.0[V]に一致
することになり、常にしきい値電圧VTH=2.5[V]
よりも大きくなるので、磁気テープ4の磁性体部が検知
対象空間に介在するか否かを確実に判別できる。Therefore, in the detection device of the third embodiment, even if the light emission amount of the infrared light emitting diode 2 or the detection current of the infrared photodiode 6 fluctuates due to the above setting operation,
This variation is absorbed by the light receiving unit variable resistor 14, the detection voltage V INH when the magnetic body of the magnetic tape 4 is not in the detection space is always matched to the standard value V refH = 5.0 [V] That is, the threshold voltage V TH = 2.5 [V]
Therefore, it is possible to reliably determine whether the magnetic portion of the magnetic tape 4 is interposed in the detection target space.
【0047】このように実施の形態3によれば、磁気テ
ープ4の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
VINHのレベルが、標準値VrefHに一致するように、受
光部可変抵抗器14の抵抗値をあらかじめ設定しておく
ことにより、赤外フォトトランジスタ6の検知電流に含
まれる種々のバラツキを吸収することができ、検知動作
を長期間に渡り安定させることができる。As described above, according to the third embodiment, the light-receiving unit can be adjusted so that the level of the detection voltage V INH when the magnetic material portion of the magnetic tape 4 is not in the detection target space matches the standard value V refH. By setting the resistance value of the resistor 14 in advance, various variations included in the detection current of the infrared phototransistor 6 can be absorbed, and the detection operation can be stabilized for a long time.
【0048】実施の形態4.図6は磁気記録再生装置に
導入した本発明の実施の形態4の検知装置の構成図であ
る。なお、図6において、図1と同じものには同じ符号
を付してある。実施の形態4の検知装置は、赤外発光ダ
イオード2と、発光部可変抵抗器15と、赤外フォトト
ランジスタ6と、受光部固定抵抗7と、マイクロコンピ
ュータ9Bとを備えている。この実施の形態4の検知装
置は、上記実施の形態1の検知装置において、発光部固
定抵抗3の位置に発光部可変抵抗器15を設け、マイク
ロコンピュータ9をマイクロコンピュータ9Bにしたも
のである。なお、実施の形態4の検知装置の検知動作
は、上記実施の形態1の検知装置の検知動作(図3参
照)と同様であるので、その説明を省略する。Embodiment 4 FIG. 6 is a configuration diagram of a detection device according to a fourth embodiment of the present invention introduced into a magnetic recording / reproducing device. In FIG. 6, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. The detection device according to the fourth embodiment includes an infrared light emitting diode 2, a light emitting unit variable resistor 15, an infrared phototransistor 6, a light receiving unit fixed resistor 7, and a microcomputer 9B. The detection device according to the fourth embodiment differs from the detection device according to the first embodiment in that a light emitting unit variable resistor 15 is provided at the position of the light emitting unit fixed resistor 3, and the microcomputer 9 is replaced by a microcomputer 9B. Note that the detection operation of the detection device according to the fourth embodiment is the same as the detection operation of the detection device according to the first embodiment (see FIG. 3), and thus description thereof is omitted.
【0049】発光部可変抵抗器15は、端子T1,T
2,CNT,FBを有し、端子T1と端子T2の間に可
変抵抗を設けたものである。端子T1は赤外発光ダイオ
ード2のカソード電極に接続され、端子T2は接地さ
れ、端子FBには検知電圧VINが入力され、端子CNT
にはマイクロコンピュータ9Bからの発光部制御信号1
7が入力される。この発光部可変抵抗器15は、発光部
制御信号17が第1の値(ある範囲内の任意の値)であ
るときには、端子FBの電圧が発光部制御信号17を追
従するように抵抗値を変化させる(可変抵抗動作)。ま
た、発光部可変抵抗器15は、発光部制御信号17が第
1の値の範囲から外れた第2の値(固定値)に変化する
と、第2の値に変化する直前の抵抗値を、次に第1の値
になるまで保持する(固定抵抗動作)。発光部可変抵抗
器15と赤外発光ダイオード2は発光手段を構成してい
る。The light emitting section variable resistor 15 has terminals T1 and T
2, CNT and FB, and a variable resistor is provided between the terminal T1 and the terminal T2. The terminal T1 is connected to the cathode electrode of the infrared light emitting diode 2, the terminal T2 is grounded, the detection voltage V IN is input to the terminal FB, and the terminal CNT
Is a light emitting unit control signal 1 from the microcomputer 9B.
7 is input. When the light emitting unit control signal 17 has the first value (an arbitrary value within a certain range), the light emitting unit variable resistor 15 changes the resistance value so that the voltage of the terminal FB follows the light emitting unit control signal 17. Change (variable resistance operation). When the light emitting unit control signal 17 changes to a second value (fixed value) out of the range of the first value, the light emitting unit variable resistor 15 changes the resistance value immediately before changing to the second value, Next, the value is held until it reaches the first value (fixed resistance operation). The light emitting section variable resistor 15 and the infrared light emitting diode 2 constitute light emitting means.
【0050】マイクロコンピュータ9Bは、A−D変換
器10と、CPU11Bと、メモリ13と、検知電圧V
INの入力端子INと、発光部制御信号17の出力端子C
NTEとを有する。メモリ13には、赤外発光ダイオー
ド2と赤外フォトトランジスタ6の間の赤外光伝送空間
(検知対象空間)に磁気テープ4の磁性体部がない場合
の検知電圧VINHの標準値VrefHおよびしきい値電圧V
THのディジタルデータが記憶されている。The microcomputer 9B includes an A / D converter 10, a CPU 11B, a memory 13, a detection voltage V
IN input terminal IN and output terminal C of light emitting unit control signal 17
NTE. The memory 13 has a standard value V refH of the detection voltage V INH when there is no magnetic portion of the magnetic tape 4 in the infrared light transmission space (detection target space) between the infrared light emitting diode 2 and the infrared phototransistor 6. And threshold voltage V
TH digital data is stored.
【0051】CPU11Bは、発光部制御信号17を生
成し、発光部可変抵抗器15の動作を制御する。このC
PU11Bは、設定動作において、発光部制御信号17
を上記第1の値の範囲内で変化させることにより発光部
可変抵抗器15の抵抗値を変化させ、上記の検知電圧V
INHが標準値VrefHになるように発光部可変抵抗器15
の抵抗値を設定し、そのあと発光部制御信号17を上記
第2の値に変化させることにより発光部可変抵抗器15
の抵抗値を上記の設定値に固定する。また、CPU11
Bは、検知動作において、発光部制御信号17を上記第
2の値に保持することにより発光部可変抵抗器15を上
記設定した抵抗値に固定し、検知電圧V IN(ディジタル
データ)をメモリ13に記憶されているしきい値電圧V
TH(ディジタルデータ)と比較することにより、上記の
赤外光伝送空間に磁気テープ4の磁性体部があるか否か
を判別する。The CPU 11B generates the light emitting section control signal 17
Then, the operation of the light emitting unit variable resistor 15 is controlled. This C
The PU 11B controls the light emitting unit control signal 17 in the setting operation.
Is changed within the range of the first value.
By changing the resistance value of the variable resistor 15, the detection voltage V
INHIs the standard value VrefHLight emitting unit variable resistor 15
And then set the light emitting unit control signal 17 as described above.
By changing to the second value, the light emitting section variable resistor 15
Is fixed at the above set value. The CPU 11
B detects the light emitting unit control signal 17 during the detection operation.
2, the light emitting unit variable resistor 15 is raised.
Fixed to the set resistance value, and the detection voltage V IN(digital
Data) with the threshold voltage V stored in the memory 13.
TH(Digital data)
Whether there is a magnetic part of the magnetic tape 4 in the infrared light transmission space
Is determined.
【0052】次に、設定動作(発光部可変抵抗器15の
抵抗値の設定動作)について説明する。しきい値電圧V
TH(固定値)は2.5[V]に、検知電圧VINHの標準
値Vr efH(固定値)は5.0[V]にそれぞれ設定され
ているものとする。Next, the setting operation (setting operation of the resistance value of the light emitting section variable resistor 15) will be described. Threshold voltage V
TH (fixed value) to 2.5 [V], the standard value V r EFh (fixed value) of the detection voltage V INH is assumed to be set for 5.0 [V].
【0053】まず、実施の形態4の検知装置が導入され
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ9BのCPU11Bは、発光部制御信号17によ
り発光部可変抵抗器15を可変動作させるとともに、発
光部制御信号17を第1の値の範囲内のある値に設定
し、発光手段および受光手段により磁気テープ4の磁性
体部が赤外光伝送空間にない場合の検知電圧VINHを測
定する。First, power is supplied to the main body of the magnetic recording / reproducing apparatus in which the detecting device of the fourth embodiment is installed, and when the system of the magnetic recording / reproducing apparatus is started, the CPU 11B of the microcomputer 9B sends a light emitting section control signal. 17, the light-emitting unit variable resistor 15 is variably operated, and the light-emitting unit control signal 17 is set to a certain value within the first value range. The detection voltage V INH when not in the optical transmission space is measured.
【0054】次に、測定した検知電圧VINHが標準値V
refH=5.0[V]に一致していれば、発光部制御信号
17を第2の値に変化させ、発光部可変抵抗器15を固
定抵抗動作に切り換える。また、測定した検知電圧V
INHが標準値VrefH=5.0[V]に一致していなけれ
ば、発光部制御信号17の値を第1の値の範囲内で変化
させ、検知電圧VINHを再度測定する。そして、この検
知電圧VINHの再測定を、検知電圧VINHが標準値VrefH
=5.0[V]に一致するまで繰り返し、一致したら発
光部制御信号17を第2の値に変化させ、発光部可変抵
抗器15を固定抵抗動作に切り換える。以上により、検
知電圧VINHが標準値VrefH=5.0[V]に一致する
ように、発光部可変抵抗15の抵抗値が設定される。C
PU11Bは、次の設定動作まで発光部制御信号17を
第2の値に固定し、これにより、発光部可変抵抗15は
次の設定動作まで、上記設定された抵抗値に固定され
る。Next, the measured detection voltage V INH is set to the standard value V
If refH = 5.0 [V], the light emitting unit control signal 17 is changed to the second value, and the light emitting unit variable resistor 15 is switched to the fixed resistance operation. In addition, the measured detection voltage V
If INH does not match the standard value V refH = 5.0 [V], the value of the light emitting unit control signal 17 is changed within the first value range, and the detection voltage V INH is measured again. Then, the re-measurement of the detection voltage V INH, the detection voltage V INH standard value V refH
= 5.0 [V], and when it matches, the light emitting unit control signal 17 is changed to the second value, and the light emitting unit variable resistor 15 is switched to the fixed resistance operation. As described above, the resistance value of the light emitting section variable resistor 15 is set such that the detection voltage V INH matches the standard value V refH = 5.0 [V]. C
The PU 11B fixes the light emitting unit control signal 17 to the second value until the next setting operation, whereby the light emitting unit variable resistor 15 is fixed at the set resistance value until the next setting operation.
【0055】従って、実施の形態4の検知装置では、上
記の設定動作により、赤外発光ダイオード2の発光量ま
たは赤外フォトダイオード6の検知電流が変動しても、
この変動分は発光部可変抵抗器15により吸収され、磁
気テープ4の磁性体部が検知対象空間にない場合の検知
電圧VINHは、常に標準値VrefH=5.0[V]に一致
することになり、常にしきい値電圧VTH=2.5[V]
よりも大きくなるので、磁気テープ4の磁性体部が検知
対象空間に介在するか否かを確実に判別できる。Therefore, in the detection device of the fourth embodiment, even if the light emission amount of the infrared light emitting diode 2 or the detection current of the infrared photodiode 6 fluctuates due to the above setting operation,
This variation is absorbed by the light emitting section variable resistor 15, and the detection voltage V INH when the magnetic body section of the magnetic tape 4 is not in the detection target space always coincides with the standard value V refH = 5.0 [V]. That is, the threshold voltage V TH = 2.5 [V]
Therefore, it is possible to reliably determine whether the magnetic portion of the magnetic tape 4 is interposed in the detection target space.
【0056】このように実施の形態4によれば、磁気テ
ープ4の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
VINHのレベルが、標準値VrefHに一致するように、発
光部可変抵抗器15の抵抗値をあらかじめ設定しておく
ことにより、赤外フォトトランジスタ6の検知電流に含
まれる種々のバラツキを吸収することができ、検知動作
を長期間に渡り安定させることができる。As described above, according to the fourth embodiment, the light emitting unit is variable so that the level of the detection voltage V INH when the magnetic portion of the magnetic tape 4 is not in the detection target space matches the standard value V refH. By setting the resistance value of the resistor 15 in advance, various variations included in the detection current of the infrared phototransistor 6 can be absorbed, and the detection operation can be stabilized for a long time.
【0057】実施の形態5.実施の形態5の検知装置
は、上記実施の形態3の検知装置において、磁気テープ
4の磁性体部が検知対象空間に介在しないときの検知電
圧VINHのレベルと、磁性体部が検知対象空間に介在す
るときの検知電圧VINLのレベルの中間値が、しきい値
電圧VTHに一致するように、受光部可変抵抗器14の抵
抗値をあらかじめ設定するようにしたものである。な
お、実施の形態5の検知装置の構成および検知動作は、
上記実施の形態3の検知装置の構成(図5参照)および
検知動作と同様であるので、その説明を省略する。Embodiment 5 The detection device according to the fifth embodiment is the same as the detection device according to the third embodiment described above, except that the level of the detection voltage V INH when the magnetic portion of the magnetic tape 4 is not interposed in the detection target space and the magnetic portion is the detection target space The resistance value of the light-receiving unit variable resistor 14 is set in advance so that the intermediate value of the level of the detection voltage V INL at the time of intervening with the threshold voltage V TH coincides with the threshold voltage V TH . The configuration and the detection operation of the detection device according to the fifth embodiment are as follows.
Since the configuration (see FIG. 5) and the detection operation of the detection device according to the third embodiment are the same as those described above, the description thereof will be omitted.
【0058】実施の形態5の検知装置においては、CP
U11Aは、設定動作において、受光部制御信号16を
第1の値の範囲内で変化させることにより受光部可変抵
抗器14の抵抗値を変化させ、上記の検知電圧VINHの
レベルと、上記の検知電圧VI NLのレベルの中間値が、
しきい値電圧VTHに一致するように受光部可変抵抗器1
4の抵抗値を設定し、そのあと受光部制御信号16を第
2の値に変化させることにより受光部可変抵抗器14の
抵抗値を上記の設定値に固定する。In the detecting device according to the fifth embodiment, the CP
In the setting operation, U11A changes the resistance value of the light-receiving unit variable resistor 14 by changing the light-receiving unit control signal 16 within the range of the first value, and sets the level of the detection voltage V INH and intermediate value of the level of the detection voltage V I NL is,
The variable resistor 1 in the light receiving section is set to match the threshold voltage V TH
Then, the resistance value of the light-receiving unit variable resistor 14 is fixed to the above-mentioned setting value by setting the resistance value of the variable No. 4 and then changing the light-receiving unit control signal 16 to the second value.
【0059】次に、設定動作(受光部可変抵抗器14の
抵抗値の設定動作)について説明する。しきい値電圧V
TH(固定値)は2.5[V]に設定されているものとす
る。Next, the setting operation (setting operation of the resistance value of the light receiving section variable resistor 14) will be described. Threshold voltage V
It is assumed that TH (fixed value) is set to 2.5 [V].
【0060】まず、実施の形態5の検知装置が導入され
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ9AのCPU11Aは、受光部制御信号16によ
り受光部可変抵抗器14を可変動作させるとともに、受
光部制御信号16を赤外フォトトランジスタ6が飽和し
ないような第1の値の範囲内のある値に設定し、発光手
段および受光手段により磁気テープ4の磁性体部が赤外
光伝送空間にない場合の検知電圧VINHを測定し、この
検知電圧VINHをメモリ13に一時的に記憶させる。そ
のあと、受光部制御信号16を第2の値に変化させ、受
光部可変抵抗器14の抵抗値を固定する。そして、検知
電圧VINHを測定したときの抵抗値に受光部可変抵抗器
14を固定したままで、磁気テープ4の磁性体部により
赤外光伝送空間が遮光されている場合の検知電圧VINL
を測定する。First, when power is supplied to the main body of the magnetic recording / reproducing apparatus in which the detecting device of the fifth embodiment is installed and the system of the magnetic recording / reproducing apparatus is started, the CPU 11A of the microcomputer 9A sends the light receiving section control signal. The variable resistor 14 of the light receiving section is operated by 16 and the control signal 16 of the light receiving section is set to a certain value within a first value range so that the infrared phototransistor 6 does not saturate. The detection voltage V INH when the magnetic portion of the magnetic tape 4 is not in the infrared light transmission space is measured, and the detection voltage V INH is temporarily stored in the memory 13. After that, the light receiving unit control signal 16 is changed to the second value, and the resistance value of the light receiving unit variable resistor 14 is fixed. Then, the detection voltage V INL when the infrared light transmission space is shielded by the magnetic body of the magnetic tape 4 with the light receiving section variable resistor 14 fixed at the resistance value when the detection voltage V INH is measured.
Is measured.
【0061】次に、測定した検知電圧VINHと検知電圧
VINLの中間値VINMを、 VINM=(VINH+VINL)/2…(3) により計算する。この中間値VINMが、しきい値電圧V
TH=2.5[V]に一致していれば、受光部制御信号1
6を第2の値に保持し、受光部可変抵抗器14の抵抗値
を上記の設定に固定したまま設定動作を終了する。ま
た、上記の中間値V INMが、しきい値電圧VTH=2.5
[V]に一致していなければ、受光部制御信号16の値
を第1の値の範囲内で変化させ、検知電圧VINHおよび
VINLを再度測定し、中間値VINMを再度計算する。そし
て、この検知電圧VINHおよびVINLの再測定および中間
値VINMの再計算を、受光部制御信号16の値を変化さ
せながら、中間値VINMがしきい値電圧VTH=2.5
[V]に一致するまで繰り返し、一致したら受光部制御
信号16を第2の値に保持し、受光部可変抵抗器14の
抵抗値を、中間値VINMがしきい値電圧VTH=2.5
[V]に一致したときの設定に固定したまま設定動作を
終了する。Next, the measured detection voltage VINHAnd detection voltage
VINLIntermediate value V ofINMAnd VINM= (VINH+ VINL) / 2 ... (3) This intermediate value VINMIs the threshold voltage V
TH= 2.5 [V], the light receiving unit control signal 1
6 is maintained at the second value, and the resistance value of the variable resistor 14
The setting operation is ended while fixing the above to the above setting. Ma
The intermediate value V INMIs the threshold voltage VTH= 2.5
If it does not match [V], the value of the light receiving unit control signal 16
Within the range of the first value, and the detection voltage VINHand
VINLIs measured again, and the intermediate value VINMIs calculated again. Soshi
The detection voltage VINHAnd VINLRemeasurement and intermediate
Value VINMIs recalculated, and the value of the light receiver control signal 16 is changed.
Mean value VINMIs the threshold voltage VTH= 2.5
Repeat until [V] is matched, and if matched, control the light receiving unit
The signal 16 is held at the second value,
The resistance value is set to the intermediate value VINMIs the threshold voltage VTH= 2.5
The setting operation is performed with the setting when [V] is matched.
finish.
【0062】従って、実施の形態5の検知装置では、上
記の設定動作により、赤外発光ダイオード2の発光量ま
たは赤外フォトダイオード6の検知電流が変動しても、
この変動分は受光部可変抵抗器14により吸収され、磁
気テープ4の磁性体部が検知対象空間にない場合の検知
電圧VINHと磁性体部が検知対象空間にある場合の検知
電圧VINLの中間値VINMは、常にしきい値電圧VTH=
2.5[V]に一致することになり、検知電圧V
INHは、常にしきい値電圧VTH=2.5[V]よりも大
きくなり、検知電圧VINLは、常にしきい値電圧VTH
=2.5[V]よりも小さくなるので、磁気テープ4の
磁性体部が検知対象空間に介在するか否かを確実に判別
できる。Therefore, in the detection device of the fifth embodiment, even if the light emission amount of the infrared light emitting diode 2 or the detection current of the infrared photodiode 6 fluctuates due to the above setting operation,
This variation is absorbed by the light receiving section variable resistor 14, and the detection voltage V INH when the magnetic material portion of the magnetic tape 4 is not in the detection target space and the detection voltage V INL when the magnetic material portion is in the detection target space are reduced . The intermediate value V INM is always equal to the threshold voltage V TH =
2.5 [V], and the detection voltage V
INH is always higher than the threshold voltage V TH = 2.5 [V], and the detection voltage V INL is always the threshold voltage VTH.
= 2.5 [V], it is possible to reliably determine whether or not the magnetic body portion of the magnetic tape 4 is interposed in the detection target space.
【0063】このように実施の形態5によれば、磁気テ
ープ4の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
VINHのレベルと、磁性体部が検知対象空間にあるとき
の検知電圧VINLのレベルの中間値VINMが、しきい値電
圧VTHに一致するように、受光部可変抵抗器14の抵抗
値をあらかじめ設定しておくことにより、赤外フォトト
ランジスタ6の検知電流に含まれる種々のバラツキを吸
収することができ、検知動作を長期間に渡り安定させる
ことができる。As described above, according to the fifth embodiment, the level of the detection voltage V INH when the magnetic part of the magnetic tape 4 is not in the detection target space and the detection voltage when the magnetic part is in the detection target space are different. intermediate value V INM level V INL is, to match the threshold voltage V TH, by setting the resistance value of the light receiving unit variable resistor 14 in advance, the detection current of the infrared phototransistor 6 Various contained variations can be absorbed, and the detection operation can be stabilized for a long period of time.
【0064】実施の形態6.実施の形態6の検知装置
は、上記実施の形態4の検知装置において、磁気テープ
4の磁性体部が検知対象空間に介在しないときの検知電
圧VINHのレベルと、磁性体部が検知対象空間に介在す
るときの検知電圧VINLのレベルの中間値が、しきい値
電圧VTHに一致するように、発光部可変抵抗器15の抵
抗値をあらかじめ設定するようにしたものである。な
お、実施の形態6の検知装置の構成および検知動作は、
上記実施の形態4の検知装置の構成(図6参照)および
検知動作と同様であるので、その説明を省略する。Embodiment 6 FIG. The detection device according to the sixth embodiment is the same as the detection device according to the fourth embodiment, except that the level of the detection voltage V INH when the magnetic part of the magnetic tape 4 does not intervene in the detection target space and the magnetic part is the detection target space The resistance value of the light-emitting section variable resistor 15 is set in advance so that the intermediate value of the level of the detection voltage V INL at the time of intervening with the threshold voltage V TH coincides with the threshold voltage V TH . The configuration and the detection operation of the detection device according to the sixth embodiment are as follows.
Since the configuration (see FIG. 6) and the detection operation of the detection device according to the fourth embodiment are the same as those of the fourth embodiment, description thereof will be omitted.
【0065】実施の形態6の検知装置においては、CP
U11Bは、設定動作において、発光部制御信号17を
第1の値の範囲内で変化させることにより発光部可変抵
抗器15の抵抗値を変化させ、上記の検知電圧VINHの
レベルと、上記の検知電圧VI NLのレベルの中間値が、
しきい値電圧VTHに一致するように発光部可変抵抗器1
5の抵抗値を設定し、そのあと発光部制御信号17を第
2の値に変化させることにより発光部可変抵抗器15の
抵抗値を上記の設定値に固定する。In the detecting device according to the sixth embodiment, the CP
In the setting operation, U11B changes the resistance value of the light emitting unit variable resistor 15 by changing the light emitting unit control signal 17 within the range of the first value, and sets the level of the detection voltage V INH and the above intermediate value of the level of the detection voltage V I NL is,
Light emitting unit variable resistor 1 to match threshold voltage V TH
The resistance value of the light emitting unit variable resistor 15 is fixed to the above-mentioned set value by setting the resistance value of the light emitting unit 5 and then changing the light emitting unit control signal 17 to the second value.
【0066】次に、設定動作(発光部可変抵抗器15の
抵抗値の設定動作)について説明する。しきい値電圧V
TH(固定値)は2.5[V]に設定されているものとす
る。Next, the setting operation (operation of setting the resistance value of the light emitting section variable resistor 15) will be described. Threshold voltage V
It is assumed that TH (fixed value) is set to 2.5 [V].
【0067】まず、実施の形態6の検知装置が導入され
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ9BのCPU11Bは、発光部制御信号17によ
り発光部可変抵抗器15を可変動作させるとともに、発
光部制御信号17を赤外発光ダイオード2が飽和しない
ような第1の値の範囲内のある値に設定し、発光手段お
よび受光手段により磁気テープ4の磁性体部が赤外光伝
送空間にない場合の検知電圧VINHを測定し、この検知
電圧VINHをメモリ13に一時的に記憶させる。そのあ
と、発光部制御信号17を第2の値に変化させ、発光部
可変抵抗器15の抵抗値を固定する。そして、検知電圧
VINHを測定したときの抵抗値に発光部可変抵抗器15
を固定したままで、磁気テープ4の磁性体部により赤外
光伝送空間が遮光されている場合の検知電圧VINLを測
定する。First, when power is supplied to the main body of the magnetic recording / reproducing apparatus in which the detecting device of the sixth embodiment is installed and the system of the magnetic recording / reproducing apparatus is started, the CPU 11B of the microcomputer 9B sends a light-emitting section control signal. 17, the light emitting unit variable resistor 15 is variably operated, and the light emitting unit control signal 17 is set to a certain value within a first value range so that the infrared light emitting diode 2 is not saturated. The detection voltage V INH when the magnetic portion of the magnetic tape 4 is not in the infrared light transmission space is measured, and the detection voltage V INH is temporarily stored in the memory 13. After that, the light emitting unit control signal 17 is changed to the second value, and the resistance value of the light emitting unit variable resistor 15 is fixed. Then, the light emitting unit variable resistor 15 is added to the resistance value when the detection voltage V INH is measured.
Is measured, the detection voltage V INL is measured when the infrared light transmission space is shielded by the magnetic material portion of the magnetic tape 4 while keeping.
【0068】次に、測定した検知電圧VINHと検知電圧
VINLの中間値VINMを、上記の(3)式により計算す
る。この中間値VINMが、しきい値電圧VTH=2.5
[V]に一致していれば、発光部制御信号17を第2の
値に保持し、発光部可変抵抗器15の抵抗値を上記の設
定に固定したまま設定動作を終了する。また、上記の中
間値VINMが、しきい値電圧VTH=2.5[V]に一致
していなければ、発光部制御信号17の値を第1の値の
範囲内で変化させ、検知電圧VINHおよびVINLを再度測
定し、中間値VINMを再度計算する。そして、この検知
電圧VINHおよびVIN Lの再測定および中間値VINMの再
計算を、発光部制御信号17の値を変化させながら、中
間値VINMがしきい値電圧VTH=2.5[V]に一致す
るまで繰り返し、一致したら発光部制御信号17を第2
の値に保持し、発光部可変抵抗器15の抵抗値を、中間
値VINMがしきい値電圧VTH=2.5[V]に一致した
ときの設定に固定したまま設定動作を終了する。Next, an intermediate value V INM of the measured detection voltage V INH and the sensing voltage V INL, calculated by the above equation (3). This intermediate value V INM is equal to the threshold voltage V TH = 2.5.
If the value matches [V], the light emitting unit control signal 17 is held at the second value, and the setting operation is terminated while the resistance value of the light emitting unit variable resistor 15 is fixed at the above setting. If the intermediate value V INM does not match the threshold voltage V TH = 2.5 [V], the value of the light emitting section control signal 17 is changed within the first value range, and the detection is performed. The voltages V INH and V INL are measured again, and the intermediate value V INM is calculated again. Then, the re-measurement and recalculating the intermediate value V INM of the detection voltage V INH and V IN L, while changing the values of the light emission unit control signal 17, an intermediate value V INM threshold voltage V TH = 2. It repeats until it reaches 5 [V].
And the setting operation is terminated while the resistance value of the light emitting section variable resistor 15 is fixed to the setting when the intermediate value V INM matches the threshold voltage V TH = 2.5 [V]. .
【0069】従って、実施の形態6の検知装置では、上
記の設定動作により、赤外発光ダイオード2の発光量ま
たは赤外フォトダイオード6の検知電流が変動しても、
この変動分は発光部可変抵抗器15により吸収され、磁
気テープ4の磁性体部が検知対象空間にない場合の検知
電圧VINHと磁性体部が検知対象空間にある場合の検知
電圧VINLの中間値VINMは、常にしきい値電圧VTH=
2.5[V]に一致することになり、検知電圧V
INHは、常にしきい値電圧VTH=2.5[V]よりも大
きくなり、検知電圧VINLは、常にしきい値電圧VTH=
2.5[V]よりも小さくなるので、磁気テープ4の磁
性体部が検知対象空間に介在するか否かを確実に判別で
きる。Therefore, in the detecting device of the sixth embodiment, even if the light emission amount of the infrared light emitting diode 2 or the detection current of the infrared photodiode 6 fluctuates due to the above setting operation,
This variation is absorbed by the light emitting section variable resistor 15, and the detection voltage V INH when the magnetic material portion of the magnetic tape 4 is not in the detection target space and the detection voltage V INL when the magnetic material portion is in the detection target space are reduced . The intermediate value V INM is always equal to the threshold voltage V TH =
2.5 [V], and the detection voltage V
INH is always higher than threshold voltage V TH = 2.5 [V], and detection voltage V INL is always threshold voltage V TH =
Since it is smaller than 2.5 [V], it can be reliably determined whether or not the magnetic body portion of the magnetic tape 4 is interposed in the detection target space.
【0070】このように実施の形態6によれば、磁気テ
ープ4の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
VINHのレベルと、磁性体部が検知対象空間にあるとき
の検知電圧VINLのレベルの中間値VINMが、しきい値電
圧VTHに一致するように、発光部可変抵抗器15の抵抗
値をあらかじめ設定しておくことにより、赤外フォトト
ランジスタ6の検知電流に含まれる種々のバラツキを吸
収することができ、検知動作を長期間に渡り安定させる
ことができる。As described above, according to the sixth embodiment, the level of the detection voltage V INH when the magnetic portion of the magnetic tape 4 is not in the detection target space, and the detection voltage when the magnetic portion is in the detection target space. intermediate value V INM level of V INL is, to match the threshold voltage V TH, by setting the resistance value of the light emitting portion a variable resistor 15 in advance, the detection current of the infrared phototransistor 6 Various contained variations can be absorbed, and the detection operation can be stabilized for a long period of time.
【0071】実施の形態7.図7は磁気記録再生装置に
導入した本発明の実施の形態7の検知装置の構成図であ
る。なお、図7において、図5または図6と同じものに
は同じ符号を付してある。実施の形態7の検知装置は、
赤外発光ダイオード2と、発光部可変抵抗器15と、赤
外フォトトランジスタ6と、受光部可変抵抗器14と、
マイクロコンピュータ9Cとを備えている。この実施の
形態7の検知装置は、上記実施の形態5の検知装置にお
いて、発光部固定抵抗3の位置に発光部可変抵抗器15
を設け、マイクロコンピュータ9Aをマイクロコンピュ
ータ9Cにしたものであり、また上記実施の形態6の検
知装置において、受光部固定抵抗7の位置に受光部可変
抵抗器14を設け、マイクロコンピュータ9Bをマイク
ロコンピュータ9Cにしたものである。なお、実施の形
態7の検知装置の検知動作は、上記実施の形態1の検知
装置の検知動作(図3参照)と同様であるので、その説
明を省略する。Embodiment 7 FIG. FIG. 7 is a configuration diagram of a detection device according to a seventh embodiment of the present invention introduced into a magnetic recording / reproducing device. In FIG. 7, the same components as those in FIG. 5 or FIG. 6 are denoted by the same reference numerals. The detection device according to the seventh embodiment includes:
An infrared light emitting diode 2, a light emitting section variable resistor 15, an infrared phototransistor 6, a light receiving section variable resistor 14,
And a microcomputer 9C. The detecting device according to the seventh embodiment is the same as the detecting device according to the fifth embodiment, except that the light emitting unit variable resistor 15
And the microcomputer 9A is replaced by a microcomputer 9C. In the detection device according to the sixth embodiment, the light receiving section variable resistor 14 is provided at the position of the light receiving section fixed resistor 7, and the microcomputer 9B is replaced by the microcomputer. 9C. Note that the detection operation of the detection device of the seventh embodiment is the same as the detection operation of the detection device of the first embodiment (see FIG. 3), and a description thereof will be omitted.
【0072】マイクロコンピュータ9Cは、A−D変換
器10と、CPU11Cと、メモリ13と、検知電圧V
INの入力端子INと、受光部制御信号16の出力端子C
NTSと、発光部制御信号17の出力端子CNTEとを
有する。メモリ13には、しきい値電圧VTHのディジタ
ルデータが記憶されており、また設定動作において測定
した、赤外発光ダイオード2と赤外フォトトランジスタ
6の間の赤外光伝送空間(検知対象空間)に磁気テープ
4の磁性体部がない場合の検知電圧VINHが一時的に記
憶される。The microcomputer 9C includes an A / D converter 10, a CPU 11C, a memory 13, a detection voltage V
IN input terminal IN and output terminal C of light receiving unit control signal 16
It has an NTS and an output terminal CNTE of a light emitting unit control signal 17. Digital data of the threshold voltage V TH is stored in the memory 13, and an infrared light transmission space (detection target space) between the infrared light emitting diode 2 and the infrared phototransistor 6 measured in the setting operation. ) Temporarily stores the detection voltage V INH when there is no magnetic portion of the magnetic tape 4.
【0073】CPU11Cは、受光部制御信号16およ
び発光部制御信号17を生成し、受光部可変抵抗器14
および発光部可変抵抗器15の動作を制御する。このC
PU11Cは、設定動作において、受光部制御信号16
を第1の値の範囲内で変化させることにより受光部可変
抵抗器14の抵抗値を変化させるとともに、発光部制御
信号17を第1の値の範囲内で変化させることにより発
光部可変抵抗器15の抵抗値を変化させ、上記の検知電
圧VINHのレベルと、磁気テープ4の磁性体部により上
記の赤外光伝送空間(検知対象空間)遮光されている場
合の検知電圧V INLのレベルとの中間値が、しきい値電
圧VTHに一致するように、受光部可変抵抗器14および
発光部可変抵抗器15の抵抗値を設定し、そのあと受光
部制御信号16および発光部制御信号17を第2の値に
変化させることにより受光部可変抵抗器14および発光
部可変抵抗器15の抵抗値を上記の設定値に固定する。
また、CPU11Bは、検知動作において、受光部制御
信号16および発光部制御信号17を上記第2の値に保
持することにより、受光部可変抵抗器14および発光部
可変抵抗器15を上記設定した抵抗値に固定し、検知電
圧VIN(ディジタルデータ)をメモリ13に記憶されて
いるしきい値電圧VTH(ディジタルデータ)と比較する
ことにより、上記の赤外光伝送空間に磁気テープ4の磁
性体部があるか否かを判別する。The CPU 11C receives the light receiving section control signal 16 and
And a light emitting unit control signal 17 are generated.
Further, the operation of the light emitting section variable resistor 15 is controlled. This C
In the setting operation, the PU 11C controls the light receiving unit control signal 16
Variable within the range of the first value
Changing the resistance value of the resistor 14 and controlling the light emitting unit
The signal 17 is generated by changing the signal 17 within the range of the first value.
The resistance value of the optical section variable resistor 15 is changed,
Pressure VINHLevel and the magnetic part of the magnetic tape 4
Infrared light transmission space (detection target space)
Detection voltage V INLValue between the threshold level and the threshold
Pressure VTH, The light-receiving unit variable resistor 14 and
Set the resistance value of the light emitting section variable resistor 15, and then
Unit control signal 16 and light emitting unit control signal 17 to the second value
The light receiving section variable resistor 14 and the light emission
The resistance value of the section variable resistor 15 is fixed at the above set value.
Further, the CPU 11B controls the light receiving unit in the detecting operation.
The signal 16 and the light emitting section control signal 17 are maintained at the second value.
By holding, the light receiving section variable resistor 14 and the light emitting section
The variable resistor 15 is fixed at the set resistance value, and
Pressure VIN(Digital data) stored in the memory 13
Threshold voltage VTH(Digital data)
As a result, the magnetic tape 4
It is determined whether there is a sex part.
【0074】次に、設定動作(受光部可変抵抗器14お
よび発光部可変抵抗器15の抵抗値の設定動作)につい
て説明する。しきい値電圧VTH(固定値)は2.5
[V]に設定されているものとする。Next, the setting operation (operation of setting the resistance values of the light-receiving unit variable resistor 14 and the light-emitting unit variable resistor 15) will be described. The threshold voltage V TH (fixed value) is 2.5
It is assumed that [V] is set.
【0075】まず、実施の形態7の検知装置が導入され
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ9CのCPU11Cは、受光部制御信号16およ
び発光部制御信号17をそれぞれ第1の値の範囲内のあ
る値に設定し、磁気テープ4の磁性体部が赤外光伝送空
間にない場合の検知電圧VINHを測定し、この検知電圧
VINHをメモリ13に一時的に記憶させる。そのあと、
受光部制御信号16および発光部制御信号17を第2の
値に変化させる。そして、検知電圧VINHを測定したと
きの抵抗値に受光部可変抵抗器14および発光部可変抵
抗器15を固定したままで、磁気テープ4の磁性体部に
より赤外光伝送空間が遮光されている場合の検知電圧V
INLを測定する。First, power is supplied to the main body of the magnetic recording / reproducing apparatus in which the detecting device of the seventh embodiment is installed, and when the system of the magnetic recording / reproducing apparatus is started, the CPU 11C of the microcomputer 9C issues a light receiving section control signal. 16 and the light emitting unit control signal 17 are respectively set to certain values within the range of the first value, and the detection voltage V INH when the magnetic material portion of the magnetic tape 4 is not in the infrared light transmission space is measured. The voltage V INH is temporarily stored in the memory 13. after that,
The light receiving unit control signal 16 and the light emitting unit control signal 17 are changed to the second value. Then, while the light-receiving unit variable resistor 14 and the light-emitting unit variable resistor 15 are fixed at the resistance value when the detection voltage V INH is measured, the infrared light transmission space is shielded by the magnetic body of the magnetic tape 4. Detection voltage V when
Measure INL .
【0076】次に、測定した検知電圧VINHと検知電圧
VINLの中間値VINMを、上記の(3)式により計算す
る。上記の中間値VINMが、しきい値電圧VTH=2.5
[V]に一致していなければ、受光部制御信号16の値
または発光部制御信号17の値あるいはその両方を第1
の値の範囲内で変化させ、検知電圧VINHおよびVINLを
再度測定し、中間値VINMを再度計算する。そして、中
間値VINMがしきい値電圧VTH=2.5[V]に一致し
たら、受光部制御信号16および発光部制御信号17を
第2の値に保持し、受光部可変抵抗器14および発光部
可変抵抗器15の抵抗値を、中間値VINMがしきい値電
圧VTH=2.5[V]に一致したときの設定に固定した
まま設定動作を終了する。Next, the intermediate value V INM between the measured detection voltage V INH and the detection voltage V INL is calculated by the above equation (3). The above intermediate value V INM is equal to the threshold voltage V TH = 2.5.
If it does not match [V], the value of the light receiving unit control signal 16 and / or the value of the light emitting unit control signal 17 are changed to the first value.
, The detection voltages V INH and V INL are measured again, and the intermediate value V INM is calculated again. When the intermediate value V INM matches the threshold voltage V TH = 2.5 [V], the light receiving unit control signal 16 and the light emitting unit control signal 17 are held at the second value, and the light receiving unit variable resistor 14 The setting operation is terminated while the resistance value of the light emitting section variable resistor 15 is fixed at the value when the intermediate value VINM matches the threshold voltage V TH = 2.5 [V].
【0077】従って、実施の形態7の検知装置では、上
記の設定動作により、赤外発光ダイオード2の発光量ま
たは赤外フォトダイオード6の検知電流が変動しても、
この変動分は受光部可変抵抗器14および発光部可変抵
抗器15により吸収され、磁気テープ4の磁性体部が検
知対象空間にない場合の検知電圧VINHと磁性体部が検
知対象空間にある場合の検知電圧VINLの中間値V
INMは、常にしきい値電圧V TH=2.5[V]に一致す
ることになり、検知電圧VINHは、常にしきい値電圧V
TH=2.5[V]よりも大きくなり、検知電圧V
INLは、常にしきい値電圧VT H=2.5[V]よりも小
さくなるので、磁気テープ4の磁性体部が検知対象空間
に介在するか否かを確実に判別できる。Therefore, in the detection device of the seventh embodiment,
By the above setting operation, the light emission amount of the infrared light emitting diode 2 is reduced.
Or even if the detection current of the infrared photodiode 6 fluctuates,
This variation is reflected by the light receiving section variable resistor 14 and the light emitting section variable resistor.
The magnetic material portion of the magnetic tape 4 is detected by the
Detection voltage V when not in sensing target spaceINHAnd the magnetic part
Detected voltage V when in sensing target spaceINLIntermediate value V of
INMIs always the threshold voltage V TH= 2.5 [V]
The detection voltage VINHIs always the threshold voltage V
TH= 2.5 [V], and the detection voltage V
INLIs always the threshold voltage VT H= Less than 2.5 [V]
The magnetic material part of the magnetic tape 4 is
It is possible to reliably determine whether or not there is any intervening.
【0078】このように実施の形態7によれば、磁気テ
ープ4の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
VINHのレベルと、磁性体部が検知対象空間にあるとき
の検知電圧VINLのレベルの中間値VINMが、しきい値電
圧VTHに一致するように、受光部可変抵抗器14および
発光部可変抵抗器15の抵抗値をあらかじめ設定してお
くことにより、赤外フォトトランジスタ6の検知電流に
含まれる種々のバラツキを吸収することができ、検知動
作を長期間に渡り安定させることができる。また、受光
部可変抵抗器14の抵抗値と発光部可変抵抗器15の抵
抗値を個別に設定することができるので、赤外発光ダイ
オード2と赤外フォトトランジスタ6の経時変化特性に
相違がある場合にも、それぞれの経時変化を個別に吸収
することができる。As described above, according to the seventh embodiment, the level of the detection voltage V INH when the magnetic portion of the magnetic tape 4 is not in the detection target space, and the detection voltage when the magnetic portion is in the detection target space. intermediate value V INM level V INL is, to match the threshold voltage V TH, by setting the resistance value of the light receiving unit variable resistor 14 and a light emitting portion a variable resistor 15 in advance, infrared Various variations included in the detection current of the phototransistor 6 can be absorbed, and the detection operation can be stabilized for a long period of time. In addition, since the resistance value of the light-receiving unit variable resistor 14 and the resistance value of the light-emitting unit variable resistor 15 can be set individually, there is a difference in the temporal change characteristics of the infrared light emitting diode 2 and the infrared phototransistor 6. In such a case, the respective changes over time can be individually absorbed.
【0079】なお、上記実施の形態3、5、または7に
おいては、同じ受光量に対する検知電圧VINのレベルを
変える手段として、可変抵抗(受光部可変抵抗14)を
用いたが、可変電圧源などを用いてもよい。同様に、上
記実施の形態4、6、または7においては、発光量を変
える手段として、可変抵抗(発光部可変抵抗15)を用
いたが、可変電圧源などを用いてもよい。In the third, fifth, or seventh embodiment, a variable resistor (light-receiving unit variable resistor 14) is used as a means for changing the level of the detection voltage V IN with respect to the same amount of received light. Or the like may be used. Similarly, in the fourth, sixth, or seventh embodiment, a variable resistor (light emitting unit variable resistor 15) is used as a means for changing the light emission amount, but a variable voltage source or the like may be used.
【0080】また、上記実施の形態1ないし7では、磁
気記録再生装置の本体電源が入ったとき(ユーザが本体
電源を入れたとき)に設定動作をするようにしていた
が、磁気記録再生装置の本体の電源が切れたとき(ユー
ザが本体電源を切ったとき)、あるいはユーザが所定の
手動操作をしたとき、あるいは録画再生動作をしていな
い場合の決まった時刻、等に設定動作をするようにして
もよい。また、設定動作の開始は、マイクロコンピュー
タにて管理されていてもよいし、外部制御(磁気記録再
生装置による管理)であってもよい。In the first to seventh embodiments, the setting operation is performed when the power of the magnetic recording / reproducing apparatus is turned on (when the user turns on the power of the main body). The setting operation is performed when the power of the main body is turned off (when the user turns off the main body), when the user performs a predetermined manual operation, or at a fixed time when the recording / reproducing operation is not performed. You may do so. The start of the setting operation may be managed by a microcomputer or may be external control (management by a magnetic recording / reproducing device).
【0081】また、上記実施の形態1ないし7におい
て、メモリ13は、電源が切れてもデータが消去されな
いタイプのものでも、そうでなくてもよく、またマイク
ロコンピュータの外部に設けられていてもよい。In the first to seventh embodiments, the memory 13 may be of a type in which data is not erased even when the power is turned off, may or may not be provided, and may be provided outside the microcomputer. Good.
【0082】また、上記実施の形態1ないし7では、設
定動作において、磁気テープ4の磁性体部が赤外光伝送
空間(検知対象空間)の赤外光を遮光しないように、あ
るいは遮光するように磁気テープ4を操作するのは磁気
記録再生装置であるが、上記の磁気テープ4の操作は、
磁気テープカセットを装填またはイジェクトする操作で
あってもよいし、あるいは装填されている磁気テープ
を、磁気テープ送り機構によって早送りおよび巻き戻し
することにより、磁性体部または磁気テープの始めや終
わりに設けられている透明のリーダ部を赤外光伝送空間
に配置する操作であってもよい。In the first to seventh embodiments, in the setting operation, the magnetic portion of the magnetic tape 4 does not block or shields the infrared light in the infrared light transmission space (detection target space). It is the magnetic recording / reproducing device that operates the magnetic tape 4 during the operation.
A magnetic tape cassette may be loaded or ejected, or the loaded magnetic tape may be fast-forwarded and rewound by a magnetic tape feed mechanism to provide a magnetic material portion or a magnetic tape at the beginning or end of the magnetic tape. The operation may be to arrange a transparent reader unit in the infrared light transmission space.
【0083】また、上記実施の形態1ないし7では、検
知対象物体を磁気テープ4の磁性体部とし、本発明の検
知装置を磁気記録再生装置の磁気テープセンサとした例
を説明したが、本発明の検知装置は、例えば磁気記録再
生装置に設けられている、磁気テープカセットのグレー
ド識別穴を検知するモードセンサ、磁気テープカセット
のリールの回転を検知するリール回転センサ、磁気テー
プカセットの誤記録防止つめの有無を検知する誤記録防
止センサなどの種々の光センサに適用可能であることは
言うまでもない。In the first to seventh embodiments, an example has been described in which the object to be detected is the magnetic portion of the magnetic tape 4 and the detecting device of the present invention is a magnetic tape sensor of a magnetic recording / reproducing device. The detection device of the present invention is provided, for example, in a magnetic recording / reproducing device, a mode sensor for detecting a grade identification hole of a magnetic tape cassette, a reel rotation sensor for detecting rotation of a reel of the magnetic tape cassette, and erroneous recording of the magnetic tape cassette. It is needless to say that the present invention can be applied to various optical sensors such as an erroneous recording prevention sensor that detects the presence or absence of a prevention pawl.
【0084】また、上記実施の形態1ないし7では、赤
外フォトトランジスタをNPNタイプとしているが、逆
論理としてPNPタイプを採用してもよいのは言うまで
もない。さらに、赤外発光ダイオードを直流点灯させて
いるが、これにこだわらず、いかなる周期あるいはデュ
ーティー比のパルス点灯であってもよい。In the first to seventh embodiments, the infrared phototransistor is of the NPN type. However, it goes without saying that the PNP type may be employed as the reverse logic. Furthermore, although the infrared light emitting diode is DC-lit, pulse lighting of any cycle or duty ratio may be used without being limited to this.
【0085】[0085]
【発明の効果】以上のように本発明の請求項1記載の検
知装置によれば、発光手段が検知光を受光する位置に検
知対象物体を配置したときの検知信号のレベル(以下、
第1の検知信号レベルと称する)に応じて、しきい値を
あらかじめ設定しておくことにより、検知信号に含まれ
る種々のバラツキを吸収することができるので、高精度
および長寿命の検知装置を低コストで実現できるという
効果がある。As described above, according to the detecting device of the first aspect of the present invention, the level of the detection signal (hereinafter, referred to as "the detection signal" when the light-emitting means places the detection target object at the position where the detection light is received).
By setting a threshold value in advance in accordance with the first detection signal level), various variations included in the detection signal can be absorbed, so that a high-precision and long-life detection device can be provided. There is an effect that it can be realized at low cost.
【0086】請求項2記載の検知装置によれば、上記第
1の検知信号レベルと、発光手段が検知光を受光しない
位置に検知対象物体を配置したときの検知信号のレベル
(以下、第2の検知信号レベルと称する)とに応じて、
しきい値をあらかじめ設定しておくことにより、検知信
号に含まれる種々のバラツキを吸収することができるの
で、高精度および長寿命の検知装置を低コストで実現で
きるという効果がある。According to the second aspect of the present invention, the first detection signal level and the level of the detection signal when the light-emitting means arranges the detection target object at a position where the light-emitting means does not receive the detection light (hereinafter referred to as the second detection signal level). Of the detection signal level).
By setting the threshold value in advance, various variations included in the detection signal can be absorbed, so that a high-accuracy and long-life detection device can be realized at low cost.
【0087】請求項3または4に記載の検知装置によれ
ば、上記第1の検知信号レベルが所定値に一致するよう
に、受光手段の検知信号レベルを可変する手段をあらか
じめ設定しておくことにより、検知信号に含まれる種々
のバラツキを吸収することができるので、高精度および
長寿命の検知装置を実現できるという効果がある。According to a third aspect of the present invention, the means for changing the detection signal level of the light receiving means is set in advance so that the first detection signal level matches a predetermined value. Accordingly, various variations included in the detection signal can be absorbed, and thus there is an effect that a detection device with high accuracy and long life can be realized.
【0088】請求項3または5に記載の検知装置によれ
ば、上記第1の検知信号レベルが所定値に一致するよう
に、発光手段の発光量を可変する手段をあらかじめ設定
しておくことにより、検知信号に含まれる種々のバラツ
キを吸収することができるので、高精度および長寿命の
検知装置を実現できるという効果がある。According to the third or fifth aspect of the present invention, the means for varying the light emission amount of the light emitting means is set in advance so that the first detection signal level matches a predetermined value. Since various variations contained in the detection signal can be absorbed, there is an effect that a detection device with high accuracy and long life can be realized.
【0089】請求項6または7に記載の検知装置によれ
ば、上記第1の検知信号レベルと、上記第2の検知信号
レベルの中間値がしきい値に一致するように、受光手段
の検知信号レベルを可変する手段をあらかじめ設定して
おくことにより、検知信号に含まれる種々のバラツキを
吸収することができるので、高精度および長寿命の検知
装置を実現できるという効果がある。[0089] According to the detecting device of the sixth or seventh aspect, the light detecting means detects the light so that an intermediate value between the first detection signal level and the second detection signal level matches a threshold value. By setting the means for varying the signal level in advance, it is possible to absorb various variations included in the detection signal, so that there is an effect that a detection device with high accuracy and long life can be realized.
【0090】請求項6または8に記載の検知装置によれ
ば、上記第1の検知信号レベルと、上記第2の検知信号
レベルの中間値がしきい値に一致するように、発光手段
の発光量を可変する手段をあらかじめ設定しておくこと
により、検知信号に含まれる種々のバラツキを吸収する
ことができるので、高精度および長寿命の検知装置を実
現できるという効果がある。According to the detecting device of the sixth or eighth aspect, the light emitting means emits light so that an intermediate value between the first detection signal level and the second detection signal level matches a threshold value. By setting the means for changing the amount in advance, various variations included in the detection signal can be absorbed, and therefore, there is an effect that a detection device with high accuracy and long life can be realized.
【0091】請求項6または9に記載の検知装置によれ
ば、上記第1の検知信号レベルと、上記第2の検知信号
レベルの中間値がしきい値に一致するように、発光手段
の発光量を可変する手段および受光手段の検知信号レベ
ルを可変する手段をあらかじめ設定しておくことによ
り、検知信号に含まれる種々のバラツキを吸収すること
ができるので、高精度および長寿命の検知装置を実現で
きるという効果がある。[0091] According to the detecting device of the sixth or ninth aspect, the light emitting means emits light so that an intermediate value between the first detection signal level and the second detection signal level matches a threshold value. By setting in advance the means for varying the amount and the means for varying the detection signal level of the light receiving means, it is possible to absorb various variations included in the detection signal. There is an effect that it can be realized.
【図1】 本発明の実施の形態1および2の検知装置の
構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a detection device according to Embodiments 1 and 2 of the present invention.
【図2】 本発明の実施の形態1の検知装置によるしき
い値電圧設定動作のフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart of a threshold voltage setting operation by the detection device according to the first embodiment of the present invention.
【図3】 本発明の実施の形態1および2の検知装置に
よる検知動作のフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart of a detection operation by the detection devices according to the first and second embodiments of the present invention.
【図4】 本発明の実施の形態2の検知装置によるしき
い値電圧設定動作のフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart of a threshold voltage setting operation by the detection device according to the second embodiment of the present invention.
【図5】 本発明の実施の形態3および5の検知装置の
構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram of a detection device according to Embodiments 3 and 5 of the present invention.
【図6】 本発明の実施の形態4および6の検知装置の
構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram of a detection device according to Embodiments 4 and 6 of the present invention.
【図7】 本発明の実施の形態7の検知装置の構成図で
ある。FIG. 7 is a configuration diagram of a detection device according to a seventh embodiment of the present invention.
【図8】 従来の検知装置の構成図である。FIG. 8 is a configuration diagram of a conventional detection device.
【図9】 従来の検知装置における検知動作を示すフロ
ーチャートである。FIG. 9 is a flowchart showing a detecting operation in a conventional detecting device.
【図10】 磁気記録再生装置における検知装置の配置
例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an arrangement example of a detection device in a magnetic recording / reproducing device.
2 赤外発光ダイオード、 3 発光部固定抵抗、 6
赤外フォトトランジスタ、 7 受光部固定抵抗、
9,9A,9B,9C マイクロコンピュータ、 10
A−D変換器、 11,11A,11B,11C C
PU、 13メモリ、 14 受光部可変抵抗器、 1
5 発光部可変抵抗器。2 Infrared light emitting diode, 3 Light emitting unit fixed resistor, 6
Infrared phototransistor, 7 fixed resistance of light receiving section,
9, 9A, 9B, 9C microcomputer, 10
A / D converter, 11, 11A, 11B, 11C C
PU, 13 memories, 14 light receiving section variable resistor, 1
5 Light emitting unit variable resistor.
Claims (9)
と、 前記検知光を受光し、この受光量に応じたレベルの検知
信号を出力する受光手段と、 前記検知信号のレベルをしきい値と比較することによ
り、前記検知対象空間に前記検知対象物体があるか否か
を判別する判別手段と、 前記受光手段が前記検知光を受光する位置に前記検知対
象物体を配置したときの前記検知信号のレベルに応じ
て、前記しきい値をあらかじめ設定しておく設定手段
と、 前記設定されたしきい値を記憶しておく記憶手段とを備
えたことを特徴とする検知装置。1. A light emitting means for emitting detection light to a detection target space; a light receiving means for receiving the detection light and outputting a detection signal of a level corresponding to the amount of received light; Determining means for determining whether or not the detection target object is present in the detection target space; and detecting the detection when the light receiving means arranges the detection target object at a position where the detection light is received. A detection device comprising: setting means for setting the threshold value in advance in accordance with a signal level; and storage means for storing the set threshold value.
知光を受光する位置に前記検知対象物体を配置したとき
の前記検知信号のレベルと、前記受光手段が前記検知光
を受光しない位置に前記検知対象物体を配置したときの
前記検知信号のレベルとに応じて、前記しきい値をあら
かじめ設定しておくことを特徴とする請求項1記載の検
知装置。2. The method according to claim 1, wherein the setting unit is configured to determine a level of the detection signal when the detection target object is arranged at a position where the light receiving unit receives the detection light, and a position of the detection signal when the light receiving unit does not receive the detection light. The detection device according to claim 1, wherein the threshold value is set in advance according to a level of the detection signal when the detection target object is arranged.
と、 前記検知光を受光し、この受光量に応じたレベルの検知
信号を出力する受光手段と、 前記検知信号のレベルに従って、前記検知対象空間に前
記検知対象物体があるか否かを判別する判別手段と、 前記受光手段が前記検知光を受光する位置に前記検知対
象物体を配置したときに、前記検知信号のレベルが所定
値になるように、前記受光手段または前記発光手段をあ
らかじめ設定しておく設定手段とを備えたことを特徴と
する検知装置。3. A light emitting means for emitting detection light to a detection target space; a light receiving means for receiving the detection light and outputting a detection signal having a level corresponding to the amount of received light; Determining means for determining whether or not the detection target object is present in the target space; and when the light receiving means arranges the detection target object at a position where the detection light is received, the level of the detection signal becomes a predetermined value. And a setting means for setting the light receiving means or the light emitting means in advance.
知信号のレベルを可変する手段を有し、 前記設定手段は、前記受光手段が前記検知光を受光する
位置に前記検知対象物体を配置したときに、前記検知信
号のレベルが所定値になるように、前記受光手段の検知
信号レベルをあらかじめ設定しておくことを特徴とする
請求項3記載の検知装置。4. The light receiving means has means for varying the level of a detection signal for the same amount of received light, and the setting means arranges the detection target object at a position where the light receiving means receives the detection light. 4. The detection device according to claim 3, wherein the detection signal level of the light receiving unit is set in advance so that the level of the detection signal becomes a predetermined value.
を有し、 前記設定手段は、前記受光手段が前記検知光を受光する
位置に前記検知対象物体を配置したときに、前記検知信
号のレベルが所定値になるように、前記発光手段の発光
量をあらかじめ設定しておくことを特徴とする請求項3
記載の検知装置。5. The light-emitting means has means for varying a light emission amount, and the setting means is configured to output the detection signal when the light-receiving means arranges the detection target object at a position where the detection light is received. The light emission amount of the light emitting means is set in advance so that the level of the light emission becomes a predetermined value.
The detecting device according to the above.
と、 前記検知光を受光し、この受光量に応じたレベルの検知
信号を出力する受光手段と、 前記検知信号のレベルを所定のしきい値と比較すること
により、前記検知対象空間に検知対象物体があるか否か
を判別する判別手段と、 前記受光手段が前記検知光を受光する位置に前記検知対
象物体を配置したときの前記検知信号のレベルと、前記
受光手段が前記検知光を受光しない位置に前記検知対象
物体を配置したときの前記検知信号のレベルとの中間値
が、前記しきい値に一致するように、前記発光手段また
は前記受光手段あるいはその両方をあらかじめ設定して
おく設定手段とを備えたことを特徴とする検知装置。6. A light emitting means for emitting detection light to a detection target space; a light receiving means for receiving the detection light and outputting a detection signal having a level corresponding to the amount of received light; By comparing with a threshold value, determining means for determining whether there is a detection target object in the detection target space, and the light receiving means when the detection target object is arranged at a position to receive the detection light The light emission is performed such that an intermediate value between the level of the detection signal and the level of the detection signal when the detection target object is arranged at a position where the light receiving unit does not receive the detection light matches the threshold value. And a setting means for setting the light receiving means or the light receiving means or both in advance.
知信号のレベルを可変する手段を有し、 前記設定手段は、前記受光手段が前記検知光を受光する
位置に前記検知対象物体を配置したときの前記検知信号
のレベルと、前記受光手段が前記検知光を受光しない位
置に前記検知対象物体を配置したときの前記検知信号の
レベルとの中間値が、前記しきい値に一致するように、
前記受光手段をあらかじめ設定しておくことを特徴とす
る請求項6記載の検知装置。7. The light receiving means has means for varying the level of a detection signal for the same amount of received light, and the setting means arranges the detection target object at a position where the light receiving means receives the detection light. And the intermediate value between the level of the detection signal at the time and the level of the detection signal when the detection target object is arranged at a position where the light receiving unit does not receive the detection light is equal to the threshold value. ,
7. The detecting device according to claim 6, wherein the light receiving unit is set in advance.
を有し、 前記設定手段は、前記受光手段が前記検知光を受光する
位置に前記検知対象物体を配置したときの前記検知信号
のレベルと、前記受光手段が前記検知光を受光しない位
置に前記検知対象物体を配置したときの前記検知信号の
レベルとの中間値が、前記しきい値に一致するように、
前記発光手段をあらかじめ設定しておくことを特徴とす
る請求項6記載の検知装置。8. The light emitting means has means for varying the amount of light emitted, and the setting means is configured to detect the detection signal when the light receiving means arranges the detection target object at a position where the detection light is received. A level and an intermediate value between the level of the detection signal when the detection target object is arranged at a position where the light receiving unit does not receive the detection light, so as to match the threshold value,
7. The detecting device according to claim 6, wherein the light emitting means is set in advance.
知信号のレベルを可変する手段を有し、 前記発光手段は、発光量を可変する手段を有し、 前記設定手段は、前記受光手段が前記検知光を受光する
位置に前記検知対象物体を配置したときの前記検知信号
のレベルと、前記受光手段が前記検知光を受光しない位
置に前記検知対象物体を配置したときの前記検知信号の
レベルとの中間値が、前記しきい値に一致するように、
前記発光手段および前記受光手段をあらかじめ設定して
おくことを特徴とする請求項6記載の検知装置。9. The light receiving means has means for varying the level of a detection signal for the same light receiving amount, the light emitting means has means for varying the light emitting amount, and the setting means comprises: The level of the detection signal when the detection target object is disposed at a position where the detection light is received, and the level of the detection signal when the detection target object is disposed at a position where the light receiving unit does not receive the detection light. So that the intermediate value of
7. The detecting device according to claim 6, wherein the light emitting unit and the light receiving unit are set in advance.
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GB (1) | GB2344650B (en) |
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