JP2000088868A - Revolution number sensor - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は主に自動車用Ａ／Ｔ
ミッションやエンジンに用いられる回転数センサに関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates mainly to A / Ts for automobiles.
The present invention relates to a rotation speed sensor used for a mission or an engine.
【０００２】[0002]
【従来の技術】以下、従来の回転数センサについて図面
を参照しながら説明する。2. Description of the Related Art A conventional rotational speed sensor will be described below with reference to the drawings.
【０００３】図４は従来の回転数センサの側断面図、図
５は同回転数センサにおける磁石にＳｉ基板およびＴＡ
Ｂ基板からなるフィルムを固着した状態を示す側断面図
である。FIG. 4 is a side sectional view of a conventional rotation speed sensor, and FIG.
It is a sectional side view which shows the state which fixed the film which consists of B substrates.
【０００４】図４、図５において、１は電気的に直列に
接続されたＩｎＳｂからなる一対の磁気抵抗素子であ
る。２は一対のＳｉ基板で、このＳｉ基板２の一方の面
には前記磁気抵抗素子１を設けている。３はＴＡＢ基板
からなるフィルムで、このフィルム３には銅箔からなる
接続層４を設けており、この接続層４を介して絶縁フィ
ルム３を前記Ｓｉ基板２に固着するとともに、この接続
層４を前記磁気抵抗素子１に電気的に接続している。５
はリード部材で、このリード部材５は一端を前記絶縁層
４と電気的に接続している。６は磁石で、この磁石６は
前記Ｓｉ基板２の他方の面に固着されている。７は樹脂
製の基体で、この基体７は一端に金属製の基体端子８を
設けるとともに前記磁石６を保持しており、そしてこの
基体端子８は前記リード部材５と電気的に接続されてい
る。また、前記基体７の側面にはポリイミドフィルムか
らなるフレキシブル配線板９を設けており、かつこのフ
レキシブル配線板９の上面には電子部品からなる処理回
路９ａを設けている。そしてこの処理回路９ａは前記リ
ード部材５と電気的に接続されているとともに前記磁気
抵抗素子１の出力信号をパルス信号に変換している。そ
してまた、前記基体７の他端には金属製のリード端子１
０を設けており、このリード端子１０は一端を前記処理
回路９ａと電気的に接続するとともに、他端を上方へ向
かって突出させている。１１は有底円筒状に構成された
樹脂製のケースで、このケース１１は前記基体７を内側
に収納するとともに、外側面から外方へ突出するように
コネクタ部１２を設けている。また、前記ケース１１の
コネクタ部１２の内側には一体にコネクタ端子１３を設
けており、このコネクタ端子１３に前記リード端子１０
の他端を電気的に接続している。１４は樹脂製の蓋で、
この蓋１４は前記ケース１１の上面開口部を閉塞してい
る。１５は密封樹脂で、この密封樹脂１５は前記ケース
１１と前記蓋１４との当接部の近傍を封止しているもの
である。In FIGS. 4 and 5, reference numeral 1 denotes a pair of magnetoresistive elements made of InSb which are electrically connected in series. Reference numeral 2 denotes a pair of Si substrates, on one surface of which the magnetoresistive element 1 is provided. Reference numeral 3 denotes a film made of a TAB substrate. The film 3 is provided with a connection layer 4 made of a copper foil. The insulating film 3 is fixed to the Si substrate 2 via the connection layer 4, and the connection layer 4 Are electrically connected to the magnetoresistive element 1. 5
Is a lead member, and one end of the lead member 5 is electrically connected to the insulating layer 4. Reference numeral 6 denotes a magnet, which is fixed to the other surface of the Si substrate 2. Reference numeral 7 denotes a resin base. The base 7 has a metal base terminal 8 at one end and holds the magnet 6. The base terminal 8 is electrically connected to the lead member 5. . A flexible wiring board 9 made of a polyimide film is provided on a side surface of the base 7, and a processing circuit 9a made of an electronic component is provided on an upper surface of the flexible wiring board 9. The processing circuit 9a is electrically connected to the lead member 5 and converts an output signal of the magnetoresistive element 1 into a pulse signal. The other end of the base 7 is provided with a metal lead terminal 1.
The lead terminal 10 has one end electrically connected to the processing circuit 9a and the other end protruding upward. Reference numeral 11 denotes a resin case formed in a cylindrical shape with a bottom. The case 11 accommodates the base 7 inside and has a connector portion 12 protruding outward from an outer surface. A connector terminal 13 is integrally provided inside the connector portion 12 of the case 11, and the connector terminal 13 is connected to the lead terminal 10.
Are electrically connected to each other. 14 is a resin lid,
This lid 14 closes the upper opening of the case 11. Reference numeral 15 denotes a sealing resin, which seals the vicinity of the contact portion between the case 11 and the lid 14.
【０００５】以上のように構成された従来の回転数セン
サについて、次にその動作を図面を参照しながら説明す
る。Next, the operation of the conventional rotation speed sensor having the above-described structure will be described with reference to the drawings.
【０００６】図６は従来の回転数センサの動作状態を示
す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram showing an operation state of a conventional rotation speed sensor.
【０００７】図４〜図６において、前記ケース１１の下
部に対向する側には、相手側の車のギア（図示せず）が
設けられており、このギア（図示せず）の凹凸の回転に
より、前記一対の磁気抵抗素子１に対する磁束密度が変
化し、そしてこの磁束密度の変化を図６に示すように、
一対の磁気抵抗素子１の中点電位を前記リード部材５を
介して正弦波形の出力電圧として出力する。一対の磁気
抵抗素子１の抵抗値をそれぞれ、Ｒj1［Ω］、Ｒ
j2［Ω］とし、電源電圧をＥ［Ｖ］とすると、中点電位
Ｅm［Ｖ］は、In FIGS. 4 to 6, a gear (not shown) of the other vehicle is provided on a side facing the lower portion of the case 11, and the unevenness of the gear (not shown) is rotated. As a result, the magnetic flux density with respect to the pair of magnetoresistive elements 1 changes, and the change in the magnetic flux density changes as shown in FIG.
The midpoint potential of the pair of magnetoresistive elements 1 is output as a sinusoidal output voltage via the lead member 5. The resistance values of the pair of magnetoresistive elements 1 are R j1 [Ω] and R j1 , respectively.
j2 [Ω] and the power supply voltage is E [V], the midpoint potential Em [V] is
【０００８】[0008]
【数１】 (Equation 1)
【０００９】で表せられる。そして、この正弦波形の出
力電圧を前記処理回路９ａで矩形波の出力電圧に変換
し、前記リード端子１０を介して、前記コネクタ端子１
３より相手側コンピュータ（図示せず）に出力し、回転
数を検出するものである。## EQU1 ## The output voltage of the sine waveform is converted into an output voltage of a rectangular wave by the processing circuit 9a, and the output voltage of the connector terminal 1 is connected via the lead terminal 10.
3 to a counterpart computer (not shown) to detect the number of revolutions.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の回転数センサにおいては、周囲の温度が約８０℃以
上になると、Ｓｉ基板２が真性伝導領域となり、図７に
示すようにＳｉ基板２の抵抗値が低下するため、磁気抵
抗素子１を流れる電流が図８に示すようにＳｉ基板２内
を介して、抵抗値の極めて低い磁石６の内部を流れてし
まう。ここで、一対の磁気抵抗素子１の抵抗値を、それ
ぞれＲj1［Ω］、Ｒj2［Ω］、一対のＳｉ基板２の抵抗
値を、それぞれＲs1［Ω］、Ｒs2［Ω］、磁石６の抵抗
値をＲｍ［Ω］とすると中点電位Ｅｍは、However, in the above-mentioned conventional rotation speed sensor, when the ambient temperature becomes about 80 ° C. or higher, the Si substrate 2 becomes an intrinsic conduction region, and as shown in FIG. Since the resistance value decreases, the current flowing through the magnetoresistive element 1 flows inside the magnet 6 having an extremely low resistance value via the inside of the Si substrate 2 as shown in FIG. Here, the resistance values of the pair of magnetoresistive elements 1 are R j1 [Ω] and R j2 [Ω], respectively, and the resistance values of the pair of Si substrates 2 are R s1 [Ω] and R s2 [Ω], respectively. If the resistance value of the magnet 6 is Rm [Ω], the midpoint potential Em is
【００１１】[0011]
【数２】 (Equation 2)
【００１２】で表せられる。すなわち、従来の回転数セ
ンサにおいては、一対の磁気抵抗素子１の中点電位が変
動するため、回転数センサの出力信号が不安定になると
いう課題を有していた。## EQU1 ## That is, the conventional rotation speed sensor has a problem that the output signal of the rotation speed sensor becomes unstable because the midpoint potential of the pair of magnetoresistive elements 1 fluctuates.
【００１３】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、高温時にＳｉ基板の抵抗値が低下しても、磁気抵抗
素子を流れる電流がＳｉ基板内を介して磁石に流れると
いうことはなく、出力信号の安定化が図れる回転数セン
サを提供することを目的とするものである。The present invention solves the above-mentioned conventional problems. Even if the resistance value of the Si substrate decreases at a high temperature, the current flowing through the magnetoresistive element does not flow to the magnet through the inside of the Si substrate. It is an object of the present invention to provide a rotation speed sensor capable of stabilizing an output signal.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の回転数センサは、一方の面にＩｎＳｂからな
る磁気抵抗素子を設けた一対のＳｉ基板と、前記磁気抵
抗素子にこの磁気抵抗素子と電気的に接続される接続層
を介して設けたフィルムと、前記接続層と電気的に接続
されるリード部材と、前記Ｓｉ基板の他方の面に固着さ
れた磁石と、前記磁気抵抗素子の出力信号をパルス信号
に変換する処理回路とこの処理回路と一端が電気的に接
続されるとともに他端が前記リード部材と電気的に接続
された基体端子と前記処理回路と電気的に接続されたリ
ード端子とを有し、かつ前記磁石を保持した基体と、こ
の基体を内側に収納するとともに前記基体のリード端子
と電気的に接続されるコネクタ端子を有するコネクタ部
を設けたケースとを備え、前記磁石とＳｉ基板との間に
絶縁層を設けたもので、この構成によれば、高温時にＳ
ｉ基板の抵抗値が低下しても、磁気抵抗素子を流れる電
流がＳｉ基板内を介して磁石に流れるということはな
く、出力信号の安定化が図れる回転数センサを提供する
ことができるものである。In order to achieve the above object, a rotation speed sensor according to the present invention comprises: a pair of Si substrates provided with a magnetoresistive element made of InSb on one surface; A film provided through a connection layer electrically connected to the resistance element; a lead member electrically connected to the connection layer; a magnet fixed to the other surface of the Si substrate; A processing circuit for converting an output signal of the element into a pulse signal; a base terminal having one end electrically connected to the processing circuit and the other end electrically connected to the lead member; and electrically connected to the processing circuit. And a case having a connector portion having a connector terminal which has a lead terminal provided therein, and which holds the magnet, and which accommodates the base inside and has a connector terminal electrically connected to the lead terminal of the base. Wherein the one provided with the insulating layer between the magnet and the Si substrate, according to this configuration, S at a high temperature
Even if the resistance value of the i-substrate decreases, the current flowing through the magnetoresistive element does not flow to the magnet via the inside of the Si substrate, and it is possible to provide a rotation speed sensor capable of stabilizing an output signal. is there.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、一方の面にＩｎＳｂからなる磁気抵抗素子を設けた
一対のＳｉ基板と、前記磁気抵抗素子にこの磁気抵抗素
子と電気的に接続される接続層を介して設けたフィルム
と、前記接続層と電気的に接続されるリード部材と、前
記Ｓｉ基板の他方の面に固着された磁石と、前記磁気抵
抗素子の出力信号をパルス信号に変換する処理回路とこ
の処理回路と一端が電気的に接続されるとともに他端が
前記リード部材と電気的に接続された基体端子と前記処
理回路と電気的に接続されたリード端子とを有し、かつ
前記磁石を保持した基体と、この基体を内側に収納する
とともに前記基体のリード端子と電気的に接続されるコ
ネクタ端子を有するコネクタ部を設けたケースとを備
え、前記磁石とＳｉ基板との間に絶縁層を設けたもの
で、この構成によれば、磁石とＳｉ基板との間に絶縁層
を設けているため、周囲の温度が約８０℃以上になっ
て、一対のＳｉ基板の抵抗値が低下しても、前記絶縁層
が障害となり、これにより、一対の磁気抵抗素子を流れ
る電流がＳｉ基板内を介して磁石に流れるということは
なくなるため、前記一対の磁気抵抗素子の中点電位の変
動もなくなって出力信号の安定化が図れるという作用を
有するものである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS According to the first aspect of the present invention, there is provided a pair of Si substrates having one surface provided with a magnetoresistive element made of InSb, A film provided via a connection layer connected to the substrate, a lead member electrically connected to the connection layer, a magnet fixed to the other surface of the Si substrate, and an output signal of the magnetoresistive element. A processing circuit for converting to a pulse signal, a base terminal electrically connected to the processing circuit at one end and the other end electrically connected to the lead member, and a lead terminal electrically connected to the processing circuit; And a case provided with a connector portion having a connector terminal that accommodates the base and holds the base inside and a connector terminal that is electrically connected to a lead terminal of the base. Si group According to this configuration, since the insulating layer is provided between the magnet and the Si substrate, the surrounding temperature becomes about 80 ° C. or more, and the pair of Si substrates Even if the resistance value of the pair of magnetoresistive elements decreases, the insulating layer becomes a hindrance, whereby the current flowing through the pair of magnetoresistive elements does not flow through the magnet through the inside of the Si substrate. This has an effect that the output signal can be stabilized without fluctuation of the midpoint potential.
【００１６】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の絶縁層を熱硬化性樹脂で構成したもので、この構成に
よれば、熱硬化性樹脂を加熱により硬化させるだけで絶
縁層を形成することができるため、容易に絶縁層を設け
ることができるという作用を有するものである。According to a second aspect of the present invention, the insulating layer according to the first aspect is formed of a thermosetting resin. According to this configuration, the insulating layer can be formed only by curing the thermosetting resin by heating. Can be formed, so that an insulating layer can be easily provided.
【００１７】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の磁石のＳｉ基板と対向する面に予め電気泳動電着法に
より絶縁層を形成したもので、この構成によれば、電気
泳動電着法によって絶縁層を形成するようにしているた
め、容易に絶縁層を設けることができるという作用を有
するものである。According to a third aspect of the present invention, an insulating layer is previously formed on the surface of the magnet according to the first aspect facing the Si substrate by an electrophoretic electrodeposition method. Since the insulating layer is formed by the electrodeposition method, it has an effect that the insulating layer can be easily provided.
【００１８】以下、本発明の一実施の形態における回転
数センサについて、図面を参照しながら説明する。Hereinafter, a rotation speed sensor according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１９】図１は本発明の一実施の形態における回転
数センサの側断面図、図２は同回転数センサにおける磁
石にＳｉ基板およびＴＡＢ基板からなるフィルムを固着
した状態を示す側断面図である。FIG. 1 is a side sectional view of a rotation speed sensor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side cross sectional view showing a state in which a film made of a Si substrate and a TAB substrate is fixed to a magnet in the rotation speed sensor. is there.
【００２０】図１、図２において、２１は電気的に直列
に接続されたＩｎＳｂからなる一対の磁気抵抗素子であ
る。２２は一対のＳｉ基板で、このＳｉ基板２２の一方
の面には前記磁気抵抗素子２１を設けている。２３はＴ
ＡＢ基板からなるフィルムで、このフィルム２３には銅
箔からなる接続層２４を設けており、この接続層２４を
介して前記フィルム２３を前記Ｓｉ基板２２に固着する
とともに、この接続層２４を前記磁気抵抗素子２１に電
気的に接続している。２５はリード部材で、このリード
部材２５は一端を前記接続層２４と電気的に接続してい
る。２６は磁石で、この磁石２６は前記Ｓｉ基板２２の
他方の面にポリイミド樹脂製のテープからなる絶縁層２
７を介して固着されている。２８は樹脂製の基体で、こ
の基体２８は一端に金属製の基体端子２９を設けるとと
もに前記磁石２６を保持しており、そしてこの基体端子
２９は前記リード部材２５と電気的に接続されている。
また、前記基体２８の側面にはポリイミドフィルムから
なるフレキシブル配線板３０を設けており、かつこのフ
レキシブル配線板３０の上面には電子部品からなる処理
回路３０ａを設けている。そしてこの処理回路３０ａは
前記リード部材２５と電気的に接続されているとともに
前記磁気抵抗素子２１の出力信号をパルス信号に変換し
ている。そしてまた、前記基体２８の他端には金属製の
リード端子３１を設けており、このリード端子３１は一
端を前記処理回路３０ａと電気的に接続するとともに、
他端を上方へ向かって突出させている。３２は有底円筒
状に構成された樹脂製のケースで、このケース３２は前
記基体２８を内側に収納するとともに、外側面から外方
へ突出するようにコネクタ部３３を設けている。また、
前記ケース３２のコネクタ部３３の内側には一体にコネ
クタ端子３４を設けており、このコネクタ端子３４に前
記リード端子３１の他端を電気的に接続している。３５
は樹脂製の蓋で、この蓋３５は前記ケース３２の上面開
口部を閉塞している。３６は密封樹脂で、この密封樹脂
３６は前記ケース３２と前記蓋３５との当接部の近傍を
封止しているものである。1 and 2, reference numeral 21 denotes a pair of magnetoresistive elements made of InSb which are electrically connected in series. Reference numeral 22 denotes a pair of Si substrates. The magnetoresistive element 21 is provided on one surface of the Si substrate 22. 23 is T
The film 23 is provided with a connection layer 24 made of copper foil. The film 23 is fixed to the Si substrate 22 via the connection layer 24, and the connection layer 24 is It is electrically connected to the magnetoresistive element 21. A lead member 25 has one end electrically connected to the connection layer 24. Reference numeral 26 denotes a magnet. The magnet 26 is formed on the other surface of the Si substrate 22 by an insulating layer 2 made of a polyimide resin tape.
7 is fixed. Reference numeral 28 denotes a resin base. The base 28 is provided with a metal base terminal 29 at one end and holds the magnet 26. The base terminal 29 is electrically connected to the lead member 25. .
A flexible wiring board 30 made of a polyimide film is provided on a side surface of the base 28, and a processing circuit 30a made of an electronic component is provided on an upper surface of the flexible wiring board 30. The processing circuit 30a is electrically connected to the lead member 25 and converts an output signal of the magnetoresistive element 21 into a pulse signal. Further, a metal lead terminal 31 is provided at the other end of the base 28, and this lead terminal 31 has one end electrically connected to the processing circuit 30a,
The other end protrudes upward. Reference numeral 32 denotes a resin case formed in a cylindrical shape with a bottom. The case 32 accommodates the base 28 inside and has a connector portion 33 protruding outward from an outer surface. Also,
A connector terminal 34 is integrally provided inside the connector portion 33 of the case 32, and the other end of the lead terminal 31 is electrically connected to the connector terminal 34. 35
Is a resin lid, and the lid 35 closes the upper opening of the case 32. Numeral 36 denotes a sealing resin, which seals the vicinity of the contact portion between the case 32 and the lid 35.
【００２１】以上のように構成された本発明の一実施の
形態における回転数センサについて、次にその組立方法
を説明する。Next, a method of assembling the rotational speed sensor according to the embodiment of the present invention configured as described above will be described.
【００２２】まず、一対のＳｉ基板２２の下面にＩｎＳ
ｂからなる磁気抵抗素子２１を蒸着により形成する。First, InS is applied to the lower surfaces of a pair of Si substrates 22.
b is formed by vapor deposition.
【００２３】次に、前記磁気抵抗素子２１の下面に、予
め前記フィルム２３に一体に設けられた接続層２４を介
して前記フィルム２３を熱溶着する。Next, the film 23 is thermally welded to the lower surface of the magnetoresistive element 21 via a connection layer 24 previously provided integrally with the film 23.
【００２４】次に、前記磁石２６の下面にポリイミド樹
脂製のテープからなる絶縁層２７を固着した後、前記磁
石２６を基体２８の下部に固着する。Next, an insulating layer 27 made of a polyimide resin tape is fixed to the lower surface of the magnet 26, and then the magnet 26 is fixed to a lower portion of the base 28.
【００２５】次に、前記磁石２６に設けた絶縁層２７の
下面に、前記フィルム２３に接続層２４および磁気抵抗
素子２１を介して設けたＳｉ基板２２を樹脂（図示せ
ず）により固着する。Next, an Si substrate 22 provided on the film 23 with the connection layer 24 and the magnetoresistive element 21 interposed therebetween is fixed to a lower surface of the insulating layer 27 provided on the magnet 26 by a resin (not shown).
【００２６】次に、前記磁気抵抗素子２１と前記基体２
８の基体端子２９とを前記リード部材２５により電気的
に接続する。Next, the magnetoresistive element 21 and the base 2
8 are electrically connected to the base terminal 29 by the lead member 25.
【００２７】次に、電子部品からなる処理回路３０ａを
表面に実装したフレキシブル配線板３０の一端が前記基
体２８の基体端子２９と電気的に接続され、かつ他端が
前記リード端子３１と電気的に接続されるように、前記
基体２８の側面に前記フレキシブル配線板３０を装着す
る。Next, one end of a flexible wiring board 30 having a processing circuit 30a made of electronic components mounted on the surface is electrically connected to the base terminal 29 of the base 28, and the other end is electrically connected to the lead terminal 31. The flexible wiring board 30 is mounted on the side surface of the base 28 so as to be connected to the base.
【００２８】次に、前記磁石２６、磁気抵抗素子２１お
よび処理回路３０ａを設けた前記基体２８を前記ケース
３２の内部に収納した後、前記リード端子３１と前記ケ
ース３２のコネクタ端子３４とを半田付けにより電気的
に接続する。Next, after the base 28 provided with the magnet 26, the magnetoresistive element 21 and the processing circuit 30a is accommodated in the case 32, the lead terminals 31 and the connector terminals 34 of the case 32 are soldered. Electrical connection.
【００２９】最後に、前記基体２８を内部に収納した前
記ケース３２の上面開口部を前記蓋３５により閉塞した
後、前記蓋３５と前記ケース３２との当接部の近傍を前
記密封樹脂３６により封止する。Finally, the upper surface opening of the case 32 in which the base 28 is housed is closed by the lid 35, and the vicinity of the contact portion between the lid 35 and the case 32 is sealed by the sealing resin 36. Seal.
【００３０】以上のように構成された本発明の一実施の
形態における回転数センサについて、次にその動作を図
３を用いて説明する。Next, the operation of the rotation speed sensor according to the embodiment of the present invention configured as described above will be described with reference to FIG.
【００３１】前記ケース３２の下部に対向する側には、
相手側の車のギア（図示せず）が設けられており、この
ギアの凹凸の回転により、前記磁気抵抗素子２１に対す
る磁束密度が変化し、そしてこの磁束密度の変化を前記
磁気抵抗素子２１が正弦波形の出力電圧として出力す
る。この正弦波形の出力電圧は前記処理回路３０ａによ
り矩形波の出力電圧に変換され、そして前記リード端子
３１を介してコネクタ端子３４により相手側コンピュー
タ（図示せず）に出力し、回転数を検出するものであ
る。On the side facing the lower part of the case 32,
A gear (not shown) of the other vehicle is provided, and the rotation of the unevenness of the gear changes the magnetic flux density with respect to the magnetoresistive element 21. Output as a sine waveform output voltage. The output voltage of this sine waveform is converted into an output voltage of a rectangular wave by the processing circuit 30a, and is output to the other computer (not shown) by the connector terminal 34 through the lead terminal 31 to detect the rotation speed. Things.
【００３２】このとき、図７に示すように、周囲の温度
が約８０℃以上になると、Ｓｉ基板２２が真性伝導領域
となり、Ｓｉ基板２２の抵抗値が低下するが、本発明の
一実施の形態における回転数センサにおいては、前記磁
石２６とＳｉ基板２２との間に絶縁層２７を設けている
ため、周囲の温度が約８０℃以上になって、一対の前記
Ｓｉ基板２２の抵抗値が低下しても、前記絶縁層２７が
障害となり、これにより、一対の磁気抵抗素子２１を流
れる電流が前記Ｓｉ基板２２内を介して前記磁石２６に
流れるということはなくなるため、前記一対の磁気抵抗
素子２１の中点電位の変動もなくなって出力信号の安定
化が図れる回転数センサを提供することができるという
作用効果を有するものである。At this time, as shown in FIG. 7, when the ambient temperature rises to about 80 ° C. or higher, the Si substrate 22 becomes an intrinsic conduction region and the resistance value of the Si substrate 22 decreases. In the rotation speed sensor according to the embodiment, since the insulating layer 27 is provided between the magnet 26 and the Si substrate 22, the ambient temperature becomes about 80 ° C. or more, and the resistance value of the pair of Si substrates 22 becomes lower. Even if it decreases, the insulating layer 27 becomes an obstacle, so that the current flowing through the pair of magnetoresistive elements 21 does not flow to the magnet 26 through the inside of the Si substrate 22. This has the effect of providing a rotation speed sensor capable of stabilizing the output signal without fluctuation of the midpoint potential of the element 21.
【００３３】なお、本発明の一実施の形態における回転
数センサにおいては、絶縁層２７をポリイミド樹脂製の
テープで構成したものについて説明したが、これ以外の
例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で絶縁層２７を
構成しても良いものである。絶縁層２７を熱硬化性樹脂
で構成した場合は、熱硬化性樹脂を加熱により硬化させ
るだけで絶縁層２７を形成することができるため、容易
に絶縁層２７を設けることができるという作用効果を有
するものである。In the rotation speed sensor according to one embodiment of the present invention, the insulating layer 27 is formed of a polyimide resin tape. However, other than this, for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin may be used. May constitute the insulating layer 27. When the insulating layer 27 is made of a thermosetting resin, the insulating layer 27 can be formed only by curing the thermosetting resin by heating. Have
【００３４】また、本発明の一実施の形態における回転
数センサにおいては、絶縁層２７をポリイミド樹脂製の
テープで構成したものについて説明したが、磁石２６の
Ｓｉ基板２２と対向する面に予め電気泳動電着法により
Ｍｇ（ＯＨ)2，ＭｇＣＯ3またはＭｇＯからなる絶縁層
２７を形成しても良いものである。このように絶縁層２
７を電気泳動電着法により磁石２６に形成した場合は、
容易に絶縁層２７を設けることができるという作用効果
を有するものである。In the rotation speed sensor according to the embodiment of the present invention, the insulating layer 27 is formed of a polyimide resin tape. The insulating layer 27 made of Mg (OH) 2 , MgCO 3 or MgO may be formed by electrophoresis. Thus, the insulating layer 2
7 is formed on the magnet 26 by the electrophoretic electrodeposition method,
This has the function and effect that the insulating layer 27 can be easily provided.
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上のように本発明の回転数センサは、
一方の面にＩｎＳｂからなる磁気抵抗素子を設けた一対
のＳｉ基板と、前記磁気抵抗素子にこの磁気抵抗素子と
電気的に接続される接続層を介して設けたフィルムと、
前記接続層と電気的に接続されるリード部材と、前記Ｓ
ｉ基板の他方の面に固着された磁石と、前記磁気抵抗素
子の出力信号をパルス信号に変換する処理回路とこの処
理回路と一端が電気的に接続されるとともに他端が前記
リード部材と電気的に接続された基体端子と前記処理回
路と電気的に接続されたリード端子とを有し、かつ前記
磁石を保持した基体と、この基体を内側に収納するとと
もに前記基体のリード端子と電気的に接続されるコネク
タ端子を有するコネクタ部を設けたケースとを備え、前
記磁石とＳｉ基板との間に絶縁層を設けたもので、この
構成によれば、磁石とＳｉ基板との間に絶縁層を設けて
いるため、周囲の温度が約８０℃以上になって、一対の
Ｓｉ基板の抵抗値が低下しても、前記絶縁層が障害とな
り、これにより、一対の磁気抵抗素子を流れる電流がＳ
ｉ基板内を介して磁石に流れるということはなくなるた
め、前記一対の磁気抵抗素子の中点電位の変動もなくな
り、その結果、出力信号の安定化が図れる回転数センサ
を提供することができるという効果を有するものであ
る。As described above, the rotation speed sensor of the present invention is
A pair of Si substrates provided with a magnetoresistive element made of InSb on one surface, and a film provided on the magnetoresistive element via a connection layer electrically connected to the magnetoresistive element;
A lead member electrically connected to the connection layer;
a magnet fixed to the other surface of the i-substrate, a processing circuit for converting an output signal of the magnetoresistive element into a pulse signal, and one end electrically connected to the processing circuit and the other end electrically connected to the lead member. A base having electrically connected base terminals and a lead terminal electrically connected to the processing circuit, and holding the magnet; housing the base inside; and electrically connecting the lead terminals of the base to the base. And a case provided with a connector part having connector terminals connected to the magnet, and an insulating layer provided between the magnet and the Si substrate. According to this configuration, the insulation between the magnet and the Si substrate is provided. Even if the ambient temperature rises to about 80 ° C. or more and the resistance value of the pair of Si substrates decreases due to the provision of the layer, the insulating layer becomes an obstacle, thereby causing a current flowing through the pair of magnetoresistive elements. Is S
Since the magnet does not flow through the inside of the i-substrate, the midpoint potential of the pair of magnetoresistive elements does not fluctuate. As a result, it is possible to provide a rotation speed sensor capable of stabilizing the output signal. It has an effect.
【図１】本発明の一実施の形態における回転数センサの
側断面図FIG. 1 is a side sectional view of a rotation speed sensor according to an embodiment of the present invention.
【図２】同回転数センサにおける磁石にＳｉ基板および
ＴＡＢ基板からなるフィルムを固着した状態を示す側断
面図FIG. 2 is a side sectional view showing a state in which a film made of a Si substrate and a TAB substrate is fixed to a magnet in the rotation speed sensor.
【図３】同回転数センサの動作状態を示す回路図FIG. 3 is a circuit diagram showing an operation state of the rotation speed sensor.
【図４】従来の回転数センサの側断面図FIG. 4 is a side sectional view of a conventional rotation speed sensor.
【図５】同回転数センサにおける磁石にＳｉ基板および
ＴＡＢ基板からなるフィルムを固着した状態を示す側断
面図FIG. 5 is a side sectional view showing a state in which a film made of a Si substrate and a TAB substrate is fixed to a magnet in the rotation speed sensor.
【図６】同回転数センサの動作状態を示す回路図FIG. 6 is a circuit diagram showing an operation state of the rotation speed sensor.
【図７】従来および本発明の一実施の形態における回転
数センサにおけるＳｉ基板および磁気抵抗素子の抵抗値
の温度特性を示す特性図FIG. 7 is a characteristic diagram showing temperature characteristics of resistance values of a Si substrate and a magnetoresistive element in a rotation speed sensor according to the related art and one embodiment of the present invention.
【図８】従来の回転数センサの周囲の温度が約８０℃以
上になってＳｉ基板の抵抗値が低下した状態における回
転数センサの動作状態を示す回路図FIG. 8 is a circuit diagram showing an operation state of the rotation speed sensor in a state in which the temperature around the conventional rotation speed sensor is about 80 ° C. or more and the resistance value of the Si substrate is reduced
２１ 磁気抵抗素子 ２２ Ｓｉ基板 ２３ フィルム ２４ 接続層 ２５ リード部材 ２６ 磁石 ２７ 絶縁層 ２８ 基体 ２９ 基体端子 ３０ フレキシブル配線板 ３１ リード端子 ３２ ケース ３３ コネクタ部 ３４ コネクタ端子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 Magnetoresistive element 22 Si substrate 23 Film 24 Connection layer 25 Lead member 26 Magnet 27 Insulating layer 28 Base 29 Base terminal 30 Flexible wiring board 31 Lead terminal 32 Case 33 Connector 34 Connector terminal
フロントページの続き (72)発明者 鍋谷 公志 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 朝日 輝幸 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小川 孝昭 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2F077 AA41 PP14 QQ17 TT31 VV11 WW03 WW09 Continuing on the front page (72) Inventor Koji Nabeya 1006 Kadoma Kadoma, Osaka Pref.Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Person Takaaki Ogawa 1006 Kadoma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture F-term in Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 2F077 AA41 PP14 QQ17 TT31 VV11 WW03 WW09
Claims (3)
子を設けた一対のＳｉ基板と、前記磁気抵抗素子にこの
磁気抵抗素子と電気的に接続される接続層を介して設け
たフィルムと、前記接続層と電気的に接続されるリード
部材と、前記Ｓｉ基板の他方の面に固着された磁石と、
前記磁気抵抗素子の出力信号をパルス信号に変換する処
理回路とこの処理回路と一端が電気的に接続されるとと
もに他端が前記リード部材と電気的に接続された基体端
子と前記処理回路と電気的に接続されたリード端子とを
有し、かつ前記磁石を保持した基体と、この基体を内側
に収納するとともに前記基体のリード端子と電気的に接
続されるコネクタ端子を有するコネクタ部を設けたケー
スとを備え、前記磁石とＳｉ基板との間に絶縁層を設け
た回転数センサ。1. A pair of Si substrates each provided with a magnetoresistive element made of InSb on one surface, a film provided on the magnetoresistive element via a connection layer electrically connected to the magnetoresistive element, A lead member electrically connected to the connection layer, a magnet fixed to the other surface of the Si substrate,
A processing circuit for converting an output signal of the magnetoresistive element into a pulse signal; a base terminal having one end electrically connected to the processing circuit and the other end electrically connected to the lead member; And a connector part having a lead terminal connected to the base and holding the magnet, and a connector part having the connector housed inside the base and electrically connected to the lead terminal of the base. A rotation speed sensor comprising a case and an insulating layer provided between the magnet and the Si substrate.
１記載の回転数センサ。2. The rotation speed sensor according to claim 1, wherein the insulating layer is made of a thermosetting resin.
泳動電着法により絶縁層を形成した請求項１記載の回転
数センサ。3. The rotation speed sensor according to claim 1, wherein an insulating layer is previously formed on a surface of the magnet facing the Si substrate by electrophoretic electrodeposition.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP10255004A JP2000088868A (en) | 1998-09-09 | 1998-09-09 | Revolution number sensor |
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| JP10255004A JP2000088868A (en) | 1998-09-09 | 1998-09-09 | Revolution number sensor |
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|---|---|---|---|
| JP2007041903A Division JP2007127673A (en) | 2007-02-22 | 2007-02-22 | Rotation speed sensor |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000088868A true JP2000088868A (en) | 2000-03-31 |
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| JP10255004A Pending JP2000088868A (en) | 1998-09-09 | 1998-09-09 | Revolution number sensor |
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| JP (1) | JP2000088868A (en) |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5810879A (en) * | 1981-07-10 | 1983-01-21 | Kangiyou Denki Kiki Kk | Semiconductor magneto-resistance element |
| JPS5851580A (en) * | 1981-09-24 | 1983-03-26 | Hitachi Ltd | Magnetic detection sensor |
| JPS61120967A (en) * | 1984-11-16 | 1986-06-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic sensor |
| JPH01110215A (en) * | 1987-10-23 | 1989-04-26 | Nippon Autom:Kk | Angle of rotation sensor |
| JPH0314276A (en) * | 1989-06-13 | 1991-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic sensor and manufacture thereof |
| JPH0438484A (en) * | 1990-06-04 | 1992-02-07 | Fujitsu Ltd | Magnetic sensor and preparation thereof |
| JPH051903A (en) * | 1991-06-24 | 1993-01-08 | Tdk Corp | Magnetometric sensor |
| JPH06160427A (en) * | 1992-11-18 | 1994-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Revolution sensor and method for detecting its fault |
| JPH074988A (en) * | 1993-03-11 | 1995-01-10 | Fujitsu Ltd | Magnetic sensor and signal conversion circuit |
| JPH07283459A (en) * | 1994-04-06 | 1995-10-27 | Fuji Electric Co Ltd | Magnetism sensor |
| WO1997004318A1 (en) * | 1995-07-21 | 1997-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic rotational speed sensor |
| JPH09162459A (en) * | 1995-12-06 | 1997-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Differential semiconductor thin film magnetoresistive device |
-
1998
- 1998-09-09 JP JP10255004A patent/JP2000088868A/en active Pending
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5810879A (en) * | 1981-07-10 | 1983-01-21 | Kangiyou Denki Kiki Kk | Semiconductor magneto-resistance element |
| JPS5851580A (en) * | 1981-09-24 | 1983-03-26 | Hitachi Ltd | Magnetic detection sensor |
| JPS61120967A (en) * | 1984-11-16 | 1986-06-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic sensor |
| JPH01110215A (en) * | 1987-10-23 | 1989-04-26 | Nippon Autom:Kk | Angle of rotation sensor |
| JPH0314276A (en) * | 1989-06-13 | 1991-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic sensor and manufacture thereof |
| JPH0438484A (en) * | 1990-06-04 | 1992-02-07 | Fujitsu Ltd | Magnetic sensor and preparation thereof |
| JPH051903A (en) * | 1991-06-24 | 1993-01-08 | Tdk Corp | Magnetometric sensor |
| JPH06160427A (en) * | 1992-11-18 | 1994-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Revolution sensor and method for detecting its fault |
| JPH074988A (en) * | 1993-03-11 | 1995-01-10 | Fujitsu Ltd | Magnetic sensor and signal conversion circuit |
| JPH07283459A (en) * | 1994-04-06 | 1995-10-27 | Fuji Electric Co Ltd | Magnetism sensor |
| WO1997004318A1 (en) * | 1995-07-21 | 1997-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic rotational speed sensor |
| JPH09162459A (en) * | 1995-12-06 | 1997-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Differential semiconductor thin film magnetoresistive device |
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