JP2000001463A - ４−シアノベンゼン誘導体の製造方法 - Google Patents
４−シアノベンゼン誘導体の製造方法Info
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- JP2000001463A JP2000001463A JP16504798A JP16504798A JP2000001463A JP 2000001463 A JP2000001463 A JP 2000001463A JP 16504798 A JP16504798 A JP 16504798A JP 16504798 A JP16504798 A JP 16504798A JP 2000001463 A JP2000001463 A JP 2000001463A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ｐ型液晶材料として有用な４−シアノベンゼ
ン誘導体類特に構造の複雑な誘導体の簡便かつ選択的な
製造方法を提供する。 【解決手段】 一般式（ＩＩ） 【化１】 の化合物を酸性脱水剤と反応させることを特徴とする一
般式（Ｉ） 【化２】
ン誘導体類特に構造の複雑な誘導体の簡便かつ選択的な
製造方法を提供する。 【解決手段】 一般式（ＩＩ） 【化１】 の化合物を酸性脱水剤と反応させることを特徴とする一
般式（Ｉ） 【化２】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電気光学的液晶表示
材料として有用な、４−シアノベンゼン誘導体である液
晶性化合物の新規製造方法に関する。
材料として有用な、４−シアノベンゼン誘導体である液
晶性化合物の新規製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は、時計、電卓をはじめと
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子
手帳、プリンター、パソコン、テレビ等に用いられるよ
うになっている。液晶表示方式としては、その代表的な
ものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマ
チック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホ
スト）型あるいは高速応答が可能なＦＬＣ（強誘電性液
晶）等を挙げることができるが現在のところＴＮ型及び
ＳＴＮ型が主流である。また駆動方式としても従来のス
タティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的にな
り、単純マトリックス駆動からさらにアクティブマトリ
ックス駆動が実用化されており、これら表示方式や駆動
方式の発展に伴い液晶材料においてもよりすぐれた特性
が要求されるようになっている。
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子
手帳、プリンター、パソコン、テレビ等に用いられるよ
うになっている。液晶表示方式としては、その代表的な
ものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマ
チック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホ
スト）型あるいは高速応答が可能なＦＬＣ（強誘電性液
晶）等を挙げることができるが現在のところＴＮ型及び
ＳＴＮ型が主流である。また駆動方式としても従来のス
タティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的にな
り、単純マトリックス駆動からさらにアクティブマトリ
ックス駆動が実用化されており、これら表示方式や駆動
方式の発展に伴い液晶材料においてもよりすぐれた特性
が要求されるようになっている。
【０００３】ところで上記ＴＮ型及びＳＴＮ型液晶表示
方式は電界応答型であり、液晶材料としては通常誘電率
異方性が正のいわゆるｐ型液晶が用いられる。ｐ型液晶
としてはこれまでにも非常に多くの化合物が開発されて
いるが、そのなかで最もよく用いられているものは例え
ば（Ａ）
方式は電界応答型であり、液晶材料としては通常誘電率
異方性が正のいわゆるｐ型液晶が用いられる。ｐ型液晶
としてはこれまでにも非常に多くの化合物が開発されて
いるが、そのなかで最もよく用いられているものは例え
ば（Ａ）
【０００４】
【化７】
【０００５】で表される１−（４−プロピルシクロヘキ
シル）−４−シアノベンゼンのような４−シアノベンゼ
ンの誘導体である。この（Ａ）の化合物は（４−プロピ
ル）シクロヘキシルベンゼンから、例えば（ｉ）アセチ
ル化、（ｉｉ）カルボン酸への酸化、（ｉｉｉ）酸クロ
リドへの塩素化、（ｉｖ）アミド化、次いで（ｖ）脱水
シアノ化といった工程を経て製造することができる。
（製法１）
シル）−４−シアノベンゼンのような４−シアノベンゼ
ンの誘導体である。この（Ａ）の化合物は（４−プロピ
ル）シクロヘキシルベンゼンから、例えば（ｉ）アセチ
ル化、（ｉｉ）カルボン酸への酸化、（ｉｉｉ）酸クロ
リドへの塩素化、（ｉｖ）アミド化、次いで（ｖ）脱水
シアノ化といった工程を経て製造することができる。
（製法１）
【０００６】
【化８】
【０００７】あるいは（ｉ）シュウ酸クロリドによるク
ロロホルミル化、（ｉｉ）アミド化、次いで（ｉｉｉ）
脱水シアノ化により製造することもできる。（製法２）
ロロホルミル化、（ｉｉ）アミド化、次いで（ｉｉｉ）
脱水シアノ化により製造することもできる。（製法２）
【０００８】
【化９】
【０００９】あるいは（ｉ）ヨウ素化、次いで（ｉｉ）
シアン化銅(I)によるシアノ化により短工程で製造する
こともできる。（製法３）
シアン化銅(I)によるシアノ化により短工程で製造する
こともできる。（製法３）
【００１０】
【化１０】
【００１１】上記の製法１〜３の各製法における最初の
工程（アセチル化、クロロホルミル化、ヨウ素化）では
いずれも望みの４−位に選択的に導入することが可能で
あり、製法１〜３いずれの製法においても（Ａ）の化合
物を選択的かつ高収率で製造することができる。
工程（アセチル化、クロロホルミル化、ヨウ素化）では
いずれも望みの４−位に選択的に導入することが可能で
あり、製法１〜３いずれの製法においても（Ａ）の化合
物を選択的かつ高収率で製造することができる。
【００１２】しかしながら、より複雑な構造を有する４
−シアノフェニルベンゼン誘導体、即ち分子内に他にも
芳香環を含有する化合物であって、３個以上の環構造を
含有するか、及び／あるいは連結基を含有するか、及び
／あるいは複素環を含有するか、及び／あるいはベンゼ
ン環が１個以上のフッ素原子により置換を受けているよ
うな化合物の製造に際しては、上記（Ａ）の化合物にお
ける各製法１〜３における最初の工程に相当する工程で
は必ずしも４−位への選択性は得られない。従って、精
製が面倒になり、収率が低下するなどその製造は容易で
なく高コスト化にもつながった。そのため、こうした構
造の複雑な４−シアノベンゼン誘導体はその使用に制限
を受けているのが現状である。
−シアノフェニルベンゼン誘導体、即ち分子内に他にも
芳香環を含有する化合物であって、３個以上の環構造を
含有するか、及び／あるいは連結基を含有するか、及び
／あるいは複素環を含有するか、及び／あるいはベンゼ
ン環が１個以上のフッ素原子により置換を受けているよ
うな化合物の製造に際しては、上記（Ａ）の化合物にお
ける各製法１〜３における最初の工程に相当する工程で
は必ずしも４−位への選択性は得られない。従って、精
製が面倒になり、収率が低下するなどその製造は容易で
なく高コスト化にもつながった。そのため、こうした構
造の複雑な４−シアノベンゼン誘導体はその使用に制限
を受けているのが現状である。
【００１３】従って、複雑な構造にも応用できるような
４−シアノベンゼン誘導体の選択的製造方法が望まれて
いる。
４−シアノベンゼン誘導体の選択的製造方法が望まれて
いる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、ｐ型液晶材料として有用な４−シアノベン
ゼン誘導体類特に構造の複雑な誘導体の簡便かつ選択的
な製造方法を提供することにある。
する課題は、ｐ型液晶材料として有用な４−シアノベン
ゼン誘導体類特に構造の複雑な誘導体の簡便かつ選択的
な製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、 １．一般式（ＩＩ）
するために、 １．一般式（ＩＩ）
【００１６】
【化１１】
【００１７】（式中、Ｒは炭素原子数１〜７のアルコキ
シル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜２０
のアルキル基、アルケニル基、アルコキシル基又はアル
ケニルオキシ基を表し、環Ａはフッ素原子により置換さ
れていてもよい１，４−フェニレン基、トランス−１，
４−シクロへキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル
基又はトランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイル
基を表し、環Ｂはフッ素置換されていてもよい１，４−
フェニレン基、フッ素原子により置換されていてもよい
ナフタレン−２，６−ジイル基、ピリミジン−２，５−
ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピラジン−
２，５−ジイル基又はピリダジン−３，６−ジイル基を
表し、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ
2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−
Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、ｍは０又は１を表し、Ｘa
及びＸbはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を
表し、Ｒa〜Ｒdはそれぞれ独立的に水素原子又は炭素原
子数１〜５のアルキル基を表す。）で表されるオキサゾ
リン誘導体を、酸性脱水剤と反応させることを特徴とす
る一般式（Ｉ）
シル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜２０
のアルキル基、アルケニル基、アルコキシル基又はアル
ケニルオキシ基を表し、環Ａはフッ素原子により置換さ
れていてもよい１，４−フェニレン基、トランス−１，
４−シクロへキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル
基又はトランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイル
基を表し、環Ｂはフッ素置換されていてもよい１，４−
フェニレン基、フッ素原子により置換されていてもよい
ナフタレン−２，６−ジイル基、ピリミジン−２，５−
ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピラジン−
２，５−ジイル基又はピリダジン−３，６−ジイル基を
表し、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ
2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−
Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、ｍは０又は１を表し、Ｘa
及びＸbはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を
表し、Ｒa〜Ｒdはそれぞれ独立的に水素原子又は炭素原
子数１〜５のアルキル基を表す。）で表されるオキサゾ
リン誘導体を、酸性脱水剤と反応させることを特徴とす
る一般式（Ｉ）
【００１８】
【化１２】
【００１９】（式中、Ｒ、環Ａ、環Ｂ、Ｌ、ｍ、Ｘa及
びＸbは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表す。）
で表される４−シアノベンゼン誘導体の製造方法。 ２．酸性脱水剤がオキシ塩化リンであることを特徴とす
る上記１記載の製造方法。 ３．一般式（ＩＩ）のオキサゾリン誘導体が、一般式
（ＩＩＩａ）
びＸbは一般式（ＩＩ）におけると同じ意味を表す。）
で表される４−シアノベンゼン誘導体の製造方法。 ２．酸性脱水剤がオキシ塩化リンであることを特徴とす
る上記１記載の製造方法。 ３．一般式（ＩＩ）のオキサゾリン誘導体が、一般式
（ＩＩＩａ）
【００２０】
【化１３】
【００２１】（式中、Ｒ、環Ａ、環Ｂ、Ｌ及びｍは一般
式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、Ｙは臭素、ヨウ
素、塩素等のハロゲン原子、あるいはトリフルオロメタ
ンスルホニルオキシ基、p-トルエンスルホニルオキシ基
等の脱離基を表す。）で表される化合物に、一般式(Ｉ
Ｖｂ)
式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、Ｙは臭素、ヨウ
素、塩素等のハロゲン原子、あるいはトリフルオロメタ
ンスルホニルオキシ基、p-トルエンスルホニルオキシ基
等の脱離基を表す。）で表される化合物に、一般式(Ｉ
Ｖｂ)
【００２２】
【化１４】
【００２３】（式中、Ｘa、Ｘb及びＲa〜Ｒdは一般式
（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、ＺはＭｇＢｒ、Ｍ
ｇＩ、ＭｇＣｌ、Ｌｉ、Ｂ（ＯＨ）2、ＳｉＲ1Ｆ2等の
金属原子又は金属原子を含む基を表し、Ｒ1は炭素原子
数１〜３のアルキル基を表す。）で表される有機金属反
応剤を、遷移金属触媒存在下に反応させて得られること
を特徴とする上記１又は２記載の製造方法。 ４．一般式（ＩＩ）のオキサゾリン誘導体が、一般式
（ＩＩＩｂ）
（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、ＺはＭｇＢｒ、Ｍ
ｇＩ、ＭｇＣｌ、Ｌｉ、Ｂ（ＯＨ）2、ＳｉＲ1Ｆ2等の
金属原子又は金属原子を含む基を表し、Ｒ1は炭素原子
数１〜３のアルキル基を表す。）で表される有機金属反
応剤を、遷移金属触媒存在下に反応させて得られること
を特徴とする上記１又は２記載の製造方法。 ４．一般式（ＩＩ）のオキサゾリン誘導体が、一般式
（ＩＩＩｂ）
【００２４】
【化１５】
【００２５】（式中、Ｒ、環Ａ、環Ｂ、Ｌ及びｍは一般
式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、ＺはＭｇＢｒ、
ＭｇＩ、ＭｇＣｌ、Ｌｉ、Ｂ（ＯＨ）2、ＳｉＲ1Ｆ2等
の金属原子又は金属原子を含む基を表し、Ｒ1は炭素原
子数１〜３のアルキル基を表す。）で表される有機金属
反応剤に、一般式（ＩＶａ）
式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、ＺはＭｇＢｒ、
ＭｇＩ、ＭｇＣｌ、Ｌｉ、Ｂ（ＯＨ）2、ＳｉＲ1Ｆ2等
の金属原子又は金属原子を含む基を表し、Ｒ1は炭素原
子数１〜３のアルキル基を表す。）で表される有機金属
反応剤に、一般式（ＩＶａ）
【００２６】
【化１６】
【００２７】（式中、Ｘa、Ｘb及びＲa〜Ｒdは一般式
（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、Ｙは臭素、ヨウ
素、塩素等のハロゲン原子、あるいはトリフルオロメタ
ンスルホニルオキシ基、p-トルエンスルホニルオキシ基
等の脱離基を表す。）で表される化合物を、遷移金属触
媒存在下に反応させて得られることを特徴する上記１又
は２記載の製造方法。 ５．遷移金属触媒がパラジウム(0)錯体であることを特
徴とする上記３又は４記載の製造方法。を前記課題を解
決するための手段として見出した。
（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、Ｙは臭素、ヨウ
素、塩素等のハロゲン原子、あるいはトリフルオロメタ
ンスルホニルオキシ基、p-トルエンスルホニルオキシ基
等の脱離基を表す。）で表される化合物を、遷移金属触
媒存在下に反応させて得られることを特徴する上記１又
は２記載の製造方法。 ５．遷移金属触媒がパラジウム(0)錯体であることを特
徴とする上記３又は４記載の製造方法。を前記課題を解
決するための手段として見出した。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の一例について説明
する。本発明は対応するオキサゾリン誘導体を酸性脱水
剤と反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）
する。本発明は対応するオキサゾリン誘導体を酸性脱水
剤と反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）
【００２９】
【化１７】
【００３０】で表される４−シアノベンゼン誘導体の新
規製造法を提供する。一般式（Ｉ）において、Ｒはアル
コキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜
２０のアルキル基、アルケニル基、アルコキシル基又は
アルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜１２のア
ルキル基又はアルコキシル基が好ましく、炭素原子数１
〜７の直鎖状アルキル基が特に好ましい。ｍは０又は１
を表し、ｍが０の場合に環Ａはフッ素原子により置換さ
れていてもよい１，４−フェニレン基、トランス−１，
４−シクロへキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル
基又はトランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイル
基を表すが、フッ素原子により置換されていてもよい
１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロへ
キシレン基が好ましく、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2
Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−Ｃ
Ｆ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、−ＣＨ2
ＣＨ2−又は単結合が好ましい。環Ｂはフッ素原子によ
り置換されていてもよい１，４−フェニレン基、フッ素
原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−
ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリジン−
２，５−ジイル基、ピラジン−２，５−ジイル基又はピ
リダジン−３，６−ジイル基を表すが、フッ素原子によ
り置換されていてもよい１，４−フェニレン基、フッ素
原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−
ジイル基又はピリミジン−２，５−ジイル基が好まし
く、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フ
ェニレン基、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン
基、ナフタレン−２，６−ジイル基又は１−フルオロナ
フタレン−２，６−ジイル基が特に好ましい。Ｘ a及び
Ｘbはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表
す。
規製造法を提供する。一般式（Ｉ）において、Ｒはアル
コキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜
２０のアルキル基、アルケニル基、アルコキシル基又は
アルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜１２のア
ルキル基又はアルコキシル基が好ましく、炭素原子数１
〜７の直鎖状アルキル基が特に好ましい。ｍは０又は１
を表し、ｍが０の場合に環Ａはフッ素原子により置換さ
れていてもよい１，４−フェニレン基、トランス−１，
４−シクロへキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル
基又はトランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイル
基を表すが、フッ素原子により置換されていてもよい
１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロへ
キシレン基が好ましく、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2
Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−Ｃ
Ｆ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、−ＣＨ2
ＣＨ2−又は単結合が好ましい。環Ｂはフッ素原子によ
り置換されていてもよい１，４−フェニレン基、フッ素
原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−
ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリジン−
２，５−ジイル基、ピラジン−２，５−ジイル基又はピ
リダジン−３，６−ジイル基を表すが、フッ素原子によ
り置換されていてもよい１，４−フェニレン基、フッ素
原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−
ジイル基又はピリミジン−２，５−ジイル基が好まし
く、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フ
ェニレン基、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン
基、ナフタレン−２，６−ジイル基又は１−フルオロナ
フタレン−２，６−ジイル基が特に好ましい。Ｘ a及び
Ｘbはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表
す。
【００３１】本発明の製造方法の第１は一般式（ＩＩ）
【００３２】
【化１８】
【００３３】（式中、Ｒは炭素原子数１〜７のアルコキ
シル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜２０
のアルキル基、アルケニル基、アルコキシル基又はアル
ケニルオキシ基を表し、環Ａはフッ素原子により置換さ
れていてもよい１，４−フェニレン基、トランス−１，
４−シクロへキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル
基又はトランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイル
基を表し、環Ｂはフッ素置換されていてもよい１，４−
フェニレン基、フッ素原子により置換されていてもよい
ナフタレン−２，６−ジイル基、ピリミジン−２，５−
ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピラジン−
２，５−ジイル基又はピリダジン−３，６−ジイル基を
表し、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ
2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−
Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、ｍは０又は１を表し、Ｘa
及びＸbはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を
表し、Ｒa〜Ｒdはそれぞれ独立的に水素原子又は炭素原
子数１〜５のアルキル基を表す。）で表される２−フェ
ニル−１，３−オキサゾリン誘導体を酸性脱水剤と反応
させることを特徴とするものである。
シル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜２０
のアルキル基、アルケニル基、アルコキシル基又はアル
ケニルオキシ基を表し、環Ａはフッ素原子により置換さ
れていてもよい１，４−フェニレン基、トランス−１，
４−シクロへキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル
基又はトランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイル
基を表し、環Ｂはフッ素置換されていてもよい１，４−
フェニレン基、フッ素原子により置換されていてもよい
ナフタレン−２，６−ジイル基、ピリミジン−２，５−
ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピラジン−
２，５−ジイル基又はピリダジン−３，６−ジイル基を
表し、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ
2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−
Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、ｍは０又は１を表し、Ｘa
及びＸbはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を
表し、Ｒa〜Ｒdはそれぞれ独立的に水素原子又は炭素原
子数１〜５のアルキル基を表す。）で表される２−フェ
ニル−１，３−オキサゾリン誘導体を酸性脱水剤と反応
させることを特徴とするものである。
【００３４】一般式（ＩＩ）においてＲa〜Ｒdは水素原
子又は低級アルキル基であれば特に制限はないが、１，
３−オキサゾリン環の形成における原料のアミノアルコ
ールの入手し易さの点から、Ｒa及びＲbはメチル基が好
ましく、Ｒc及びＲdは水素原子が好ましい。酸性脱水剤
としてはオキシ塩化リン、五塩化リン、三塩化リン等の
リン系化合物、あるいは塩化チオニル、塩化スルフリル
等のイオウ系化合物が使用できるが、特にオキシ塩化リ
ンが好ましい。
子又は低級アルキル基であれば特に制限はないが、１，
３−オキサゾリン環の形成における原料のアミノアルコ
ールの入手し易さの点から、Ｒa及びＲbはメチル基が好
ましく、Ｒc及びＲdは水素原子が好ましい。酸性脱水剤
としてはオキシ塩化リン、五塩化リン、三塩化リン等の
リン系化合物、あるいは塩化チオニル、塩化スルフリル
等のイオウ系化合物が使用できるが、特にオキシ塩化リ
ンが好ましい。
【００３５】溶媒としては、ジメチルホルムアミド（Ｄ
ＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）、ジメチルス
ルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭ
Ｐ）、ヘキサメチルリン酸トリアミド（ＨＭＰＡ）等の
非プロトン性極性溶媒、あるいはトリエチルアミン、ピ
リジン等のアミン類を用いることができ、これらは単独
で用いてもあるいはその複数を混合して用いてもよい
が、ピリジン等のアミン類が特に好ましい。
ＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）、ジメチルス
ルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭ
Ｐ）、ヘキサメチルリン酸トリアミド（ＨＭＰＡ）等の
非プロトン性極性溶媒、あるいはトリエチルアミン、ピ
リジン等のアミン類を用いることができ、これらは単独
で用いてもあるいはその複数を混合して用いてもよい
が、ピリジン等のアミン類が特に好ましい。
【００３６】反応は０℃付近から溶媒の沸点までの広い
温度範囲で実施が可能ではあるが、反応を迅速に進行さ
せるためには室温以上、特に加熱下で実施することが好
ましい。反応終了後は水中に注ぎ、析出した結晶を濾取
し、水洗を繰り返した後、減圧下乾燥させ、必要に応じ
カラムクロマトグラフィー、再結晶等により精製するこ
とにより目的物を得ることができる。
温度範囲で実施が可能ではあるが、反応を迅速に進行さ
せるためには室温以上、特に加熱下で実施することが好
ましい。反応終了後は水中に注ぎ、析出した結晶を濾取
し、水洗を繰り返した後、減圧下乾燥させ、必要に応じ
カラムクロマトグラフィー、再結晶等により精製するこ
とにより目的物を得ることができる。
【００３７】ここで一般式（ＩＩ）のオキサゾリン誘導
体は、一般式（ＩＩＩａ）
体は、一般式（ＩＩＩａ）
【００３８】
【化１９】
【００３９】（式中、Ｒ、環Ａ、環Ｂ、Ｌ及びｍは一般
式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、Ｙは臭素、ヨウ
素、塩素等のハロゲン原子、あるいはトリフルオロメタ
ンスルホニルオキシ基、p-トルエンスルホニルオキシ基
等の脱離基を表すが、ヨウ素又はトリフルオロメタンス
ルホニルオキシ基が好ましい。）で表される化合物に、
一般式(ＩＶｂ)
式（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、Ｙは臭素、ヨウ
素、塩素等のハロゲン原子、あるいはトリフルオロメタ
ンスルホニルオキシ基、p-トルエンスルホニルオキシ基
等の脱離基を表すが、ヨウ素又はトリフルオロメタンス
ルホニルオキシ基が好ましい。）で表される化合物に、
一般式(ＩＶｂ)
【００４０】
【化２０】
【００４１】（式中、Ｘa、Ｘb及びＲa〜Ｒdは一般式
（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、ＺはＭｇＢｒ、Ｍ
ｇＩ、ＭｇＣｌ、Ｌｉ、Ｂ（ＯＨ）2、ＳｉＲ1Ｆ2等の
金属原子又は金属原子を含む基を表し、Ｒ1は炭素原子
数１〜３のアルキル基を表すが、ＺとしてはＭｇＢｒ又
はＢ（ＯＨ）2が好ましい。）で表される有機金属反応
剤を、遷移金属触媒存在下に反応させることにより得る
ことができる。
（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、ＺはＭｇＢｒ、Ｍ
ｇＩ、ＭｇＣｌ、Ｌｉ、Ｂ（ＯＨ）2、ＳｉＲ1Ｆ2等の
金属原子又は金属原子を含む基を表し、Ｒ1は炭素原子
数１〜３のアルキル基を表すが、ＺとしてはＭｇＢｒ又
はＢ（ＯＨ）2が好ましい。）で表される有機金属反応
剤を、遷移金属触媒存在下に反応させることにより得る
ことができる。
【００４２】本発明はその製造方法の第２として、（Ｉ
ＩＩａ）の化合物と（ＩＶｂ）の化合物のカップリング
反応により、一般式（ＩＩ）のオキサゾリン誘導体を得
て、これを酸性脱水剤と反応させることを特徴とする一
般式（Ｉ）の化合物の製造方法を提供する。
ＩＩａ）の化合物と（ＩＶｂ）の化合物のカップリング
反応により、一般式（ＩＩ）のオキサゾリン誘導体を得
て、これを酸性脱水剤と反応させることを特徴とする一
般式（Ｉ）の化合物の製造方法を提供する。
【００４３】カップリングに際して、用いる遷移金属触
媒としてはテトラキストリフェニルホスフィンパラジウ
ム(0)等のパラジウム(0)錯体、ジクロロビス（トリフェ
ニルホスフィン）パラジウム(II)等のパラジウム(II)錯
体、塩化パラジウム(II)等のパラジウム(II)塩、ジクロ
ロビス（ジフェニルホスフィノエタン）ニッケル(II)等
のニッケル(II)錯体又はテトラキストリフェニルホスフ
ィンニッケル(0)等のニッケル(0)錯体が好ましく、パラ
ジウム(0)錯体が特に好ましい。
媒としてはテトラキストリフェニルホスフィンパラジウ
ム(0)等のパラジウム(0)錯体、ジクロロビス（トリフェ
ニルホスフィン）パラジウム(II)等のパラジウム(II)錯
体、塩化パラジウム(II)等のパラジウム(II)塩、ジクロ
ロビス（ジフェニルホスフィノエタン）ニッケル(II)等
のニッケル(II)錯体又はテトラキストリフェニルホスフ
ィンニッケル(0)等のニッケル(0)錯体が好ましく、パラ
ジウム(0)錯体が特に好ましい。
【００４４】反応は溶媒中で行われるが、溶媒としては
ヘキサン、トルエン等の炭化水素類、テトラヒドロフラ
ン（ＴＨＦ）、ジオキサン、ジメトキシエタン等のエー
テル類、エタノール、イソプロパノール、メチルセルソ
ルブ等のアルコール類、ジメチルホルムアミド（ＤＭ
Ｆ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）、ジメチルスル
ホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭ
Ｐ）、ヘキサメチルリン酸トリアミド（ＨＭＰＡ）等の
非プロトン性極性溶媒、あるいはトリエチルアミン、ピ
リジン等のアミン類を用いることができ、これらは単独
で用いてもあるいはその複数を混合して用いてもよい
が、ＴＨＦ等のエーテル類及びＤＭＦ等の非プロトン性
極性溶媒が好ましく、特にＺがＭｇＢｒ、ＭｇＩ、Ｍｇ
ＣｌあるいはＬｉの場合にはエーテル類が好ましい。
ヘキサン、トルエン等の炭化水素類、テトラヒドロフラ
ン（ＴＨＦ）、ジオキサン、ジメトキシエタン等のエー
テル類、エタノール、イソプロパノール、メチルセルソ
ルブ等のアルコール類、ジメチルホルムアミド（ＤＭ
Ｆ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）、ジメチルスル
ホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭ
Ｐ）、ヘキサメチルリン酸トリアミド（ＨＭＰＡ）等の
非プロトン性極性溶媒、あるいはトリエチルアミン、ピ
リジン等のアミン類を用いることができ、これらは単独
で用いてもあるいはその複数を混合して用いてもよい
が、ＴＨＦ等のエーテル類及びＤＭＦ等の非プロトン性
極性溶媒が好ましく、特にＺがＭｇＢｒ、ＭｇＩ、Ｍｇ
ＣｌあるいはＬｉの場合にはエーテル類が好ましい。
【００４５】反応は−８０℃付近から２００℃付近まで
の広い温度範囲で進行するが、通常は氷冷下から溶媒の
沸点までの加熱下に実施することが好ましく、室温付近
あるいは１００℃までの加熱下で実施することが好まし
い。反応終了後は必要に応じて中和して有機溶媒を加
え、水洗を繰り返した後、溶媒を留去することにより目
的物を得る。また、必要に応じカラムクロマトグラフィ
ーや再結晶により精製することもできる。
の広い温度範囲で進行するが、通常は氷冷下から溶媒の
沸点までの加熱下に実施することが好ましく、室温付近
あるいは１００℃までの加熱下で実施することが好まし
い。反応終了後は必要に応じて中和して有機溶媒を加
え、水洗を繰り返した後、溶媒を留去することにより目
的物を得る。また、必要に応じカラムクロマトグラフィ
ーや再結晶により精製することもできる。
【００４６】あるいは一般式（ＩＩ）のオキサゾリン誘
導体は、一般式（ＩＩＩｂ）
導体は、一般式（ＩＩＩｂ）
【００４７】
【化２１】
【００４８】（式中、Ｒ、環Ａ、環Ｂ、Ｌ及びｍは一般
式（ＩＩ）におけるとおなじ意味を表し、ＺはＭｇＢ
ｒ、ＭｇＩ、ＭｇＣｌ、Ｌｉ、Ｂ（ＯＨ）2、ＳｉＲ1Ｆ
2等の金属原子又は金属原子を含む基を表し、Ｒ1は炭素
原子数１〜３のアルキル基を表す。）で表される有機金
属反応剤を、一般式(ＩＶａ)
式（ＩＩ）におけるとおなじ意味を表し、ＺはＭｇＢ
ｒ、ＭｇＩ、ＭｇＣｌ、Ｌｉ、Ｂ（ＯＨ）2、ＳｉＲ1Ｆ
2等の金属原子又は金属原子を含む基を表し、Ｒ1は炭素
原子数１〜３のアルキル基を表す。）で表される有機金
属反応剤を、一般式(ＩＶａ)
【００４９】
【化２２】
【００５０】（式中、Ｘa、Ｘb及びＲa〜Ｒdは一般式
（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、Ｙは臭素、ヨウ
素、塩素等のハロゲン原子、あるいはトリフルオロメタ
ンスルホニルオキシ基、p-トルエンスルホニルオキシ基
等の脱離基を表す。）で表される化合物を遷移金属触媒
存在下に反応させることにより得ることができる。
（ＩＩ）におけると同じ意味を表し、Ｙは臭素、ヨウ
素、塩素等のハロゲン原子、あるいはトリフルオロメタ
ンスルホニルオキシ基、p-トルエンスルホニルオキシ基
等の脱離基を表す。）で表される化合物を遷移金属触媒
存在下に反応させることにより得ることができる。
【００５１】本発明はその製造方法の第３として、（Ｉ
ＩＩｂ）の化合物と（ＩＶａ）の化合物のカップリング
反応により、一般式（ＩＩ）のオキサゾリン誘導体を得
て、これを酸性脱水剤と反応させることを特徴とする一
般式（Ｉ）の化合物の製造方法を提供する。ここで遷移
金属触媒、反応温度、溶媒等の反応条件は第２の製造方
法の場合とほぼ同様である。
ＩＩｂ）の化合物と（ＩＶａ）の化合物のカップリング
反応により、一般式（ＩＩ）のオキサゾリン誘導体を得
て、これを酸性脱水剤と反応させることを特徴とする一
般式（Ｉ）の化合物の製造方法を提供する。ここで遷移
金属触媒、反応温度、溶媒等の反応条件は第２の製造方
法の場合とほぼ同様である。
【００５２】本発明の第２及び第３の製造方法における
一方の原料中間体であるオキサゾリン誘導体（ＩＶａ）
あるいは（ＩＶｂ）は対応するカルボン酸から容易に製
造することができる。
一方の原料中間体であるオキサゾリン誘導体（ＩＶａ）
あるいは（ＩＶｂ）は対応するカルボン酸から容易に製
造することができる。
【００５３】例えば、一般式（ＩＶａ）においてＹが臭
素、ヨウ素、塩素等のハロゲン原子を表す化合物は、一
般式（Ｖａ）
素、ヨウ素、塩素等のハロゲン原子を表す化合物は、一
般式（Ｖａ）
【００５４】
【化２３】
【００５５】（式中、Ｘa及びＸbは一般式（ＩＶａ）に
おけると同じ意味を表し、Ｈａｌは臭素、ヨウ素又は塩
素のハロゲン原子を表す。）で表される４−ハロ安息香
酸誘導体を酸クロリドとした後、一般式（ＶＩ）
おけると同じ意味を表し、Ｈａｌは臭素、ヨウ素又は塩
素のハロゲン原子を表す。）で表される４−ハロ安息香
酸誘導体を酸クロリドとした後、一般式（ＶＩ）
【００５６】
【化２４】
【００５７】（式中、Ｒa〜Ｒdは一般式（ＩＶａ）にお
けると同じ意味を表す。）で表される化合物と反応させ
て、アミドとし、これを脱水剤存在下に閉環させて得る
ことができる。
けると同じ意味を表す。）で表される化合物と反応させ
て、アミドとし、これを脱水剤存在下に閉環させて得る
ことができる。
【００５８】一般式（ＩＶａ）において、Ｙがトリフル
オロメタンスルホニルオキシ基あるいはp-トルエンスル
ホニルオキシ基等の脱離基を表す場合には、一般式（Ｖ
ｂ）
オロメタンスルホニルオキシ基あるいはp-トルエンスル
ホニルオキシ基等の脱離基を表す場合には、一般式（Ｖ
ｂ）
【００５９】
【化２５】
【００６０】（式中、Ｘa及びＸbは一般式（ＩＶｂ）に
おけると同じ意味を表す。）で表される４−ヒドロキシ
安息香酸誘導体のヒドロキシル基を保護した後、前記と
同様にアミド化し、保護基をはずした後、同様閉環さ
せ、次いで、塩基存在下にトリフルオロメタンスルホン
酸あるいはp-トルエンスルホン酸の酸無水物あるいは酸
クロリドと反応させることにより製造することができ
る。
おけると同じ意味を表す。）で表される４−ヒドロキシ
安息香酸誘導体のヒドロキシル基を保護した後、前記と
同様にアミド化し、保護基をはずした後、同様閉環さ
せ、次いで、塩基存在下にトリフルオロメタンスルホン
酸あるいはp-トルエンスルホン酸の酸無水物あるいは酸
クロリドと反応させることにより製造することができ
る。
【００６１】一般式（ＩＶｂ）において、ＺがＭｇＢ
ｒ、ＭｇＩ、ＭｇＣｌを表すグリニヤール反応剤は、一
般式（ＩＶａ）において、Ｙがハロゲン原子である化合
物とマグネシウムと反応させることにより得ることがで
き、ＺがＬｉを表すリチウム反応剤の場合には、金属リ
チウムあるいはアルキルリチウムと反応させることによ
り得ることができる。ＺがＢ（ＯＨ）2を表す場合に
は、上記のグリニヤール反応剤又はリチウム反応剤をホ
ウ酸トリアルキルエステルと反応させ、次いで、酸で加
水分解することにより得ることができる。ＺがＳｉＲ1
Ｆ2を表す場合には、上記のグリニヤール反応剤又はリ
チウム反応剤をアルキルトリクロロシランと反応させ、
次いで、フッ素化することにより得ることができる。
ｒ、ＭｇＩ、ＭｇＣｌを表すグリニヤール反応剤は、一
般式（ＩＶａ）において、Ｙがハロゲン原子である化合
物とマグネシウムと反応させることにより得ることがで
き、ＺがＬｉを表すリチウム反応剤の場合には、金属リ
チウムあるいはアルキルリチウムと反応させることによ
り得ることができる。ＺがＢ（ＯＨ）2を表す場合に
は、上記のグリニヤール反応剤又はリチウム反応剤をホ
ウ酸トリアルキルエステルと反応させ、次いで、酸で加
水分解することにより得ることができる。ＺがＳｉＲ1
Ｆ2を表す場合には、上記のグリニヤール反応剤又はリ
チウム反応剤をアルキルトリクロロシランと反応させ、
次いで、フッ素化することにより得ることができる。
【００６２】一方、一般式（ＩＩＩａ）あるいは（ＩＩ
Ｉｂ）の化合物は公知の化合物が多く、市販されている
かあるいは市販の化合物から容易に製造することができ
る。以上から明らかなように、本発明においてはオキサ
ゾリン環をカップリング反応に際してのカルボキシル基
の保護基として利用しているが、このオキサゾリン環を
直接シアノ基に変換することにより脱保護とシアノ化を
同時に実現できたことになり、シアノ基導入位置の完全
な選択性と製造工程の短縮化の達成が可能となったもの
である。
Ｉｂ）の化合物は公知の化合物が多く、市販されている
かあるいは市販の化合物から容易に製造することができ
る。以上から明らかなように、本発明においてはオキサ
ゾリン環をカップリング反応に際してのカルボキシル基
の保護基として利用しているが、このオキサゾリン環を
直接シアノ基に変換することにより脱保護とシアノ化を
同時に実現できたことになり、シアノ基導入位置の完全
な選択性と製造工程の短縮化の達成が可能となったもの
である。
【００６３】前記のように一般式（Ｉ）は多種類の化合
物を包含しており、本発明はこれらすべてについて使用
可能であるが、特に以下の式（Ｉａａ）〜（Ｉｉｄ）の
製造法として好ましいものである。（以下、式中Ｒは一
般式（ＩＩ）におけるとおなじ意味を表す。）
物を包含しており、本発明はこれらすべてについて使用
可能であるが、特に以下の式（Ｉａａ）〜（Ｉｉｄ）の
製造法として好ましいものである。（以下、式中Ｒは一
般式（ＩＩ）におけるとおなじ意味を表す。）
【００６４】
【化２６】
【００６５】
【化２７】
【００６６】
【化２８】
【００６７】
【化２９】
【００６８】
【化３０】
【００６９】
【化３１】
【００７０】
【化３２】
【００７１】
【化３３】
【００７２】
【化３４】
【００７３】
【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に
説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。
説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。
【００７４】なお、相転移温度の測定は温度調節ステー
ジを備えた偏光顕微鏡および示差走査熱量計（ＤＳＣ）
を併用して行った。また化合物の構造は核磁気共鳴スペ
クトル（1Ｈ−ＮＭＲ，13Ｃ−ＮＭＲ，19Ｆ−ＮＭ
Ｒ）、赤外共鳴スペクトル（ＩＲ）、質量スペクトル
（ＭＳ）等により確認した。 （実施例１） ４−（４−プロピルシクロヘキシル）−
４’−シアノビフェニルの合成 （１） ４，４−ジメチル−２−（４−ブロモフェニ
ル）−２−オキサゾリンの合成
ジを備えた偏光顕微鏡および示差走査熱量計（ＤＳＣ）
を併用して行った。また化合物の構造は核磁気共鳴スペ
クトル（1Ｈ−ＮＭＲ，13Ｃ−ＮＭＲ，19Ｆ−ＮＭ
Ｒ）、赤外共鳴スペクトル（ＩＲ）、質量スペクトル
（ＭＳ）等により確認した。 （実施例１） ４−（４−プロピルシクロヘキシル）−
４’−シアノビフェニルの合成 （１） ４，４−ジメチル−２−（４−ブロモフェニ
ル）−２−オキサゾリンの合成
【００７５】
【化３５】
【００７６】４−ブロモ安息香酸１５０ｇに１，２−ジ
クロロエタン４５０ｍｌ、ピリジン３ｇ、塩化チオニル
１３４ｇを加え６時間加熱還流させた。室温まで放冷
後、溶媒及び過剰の塩化チオニルを溜去し、ジクロロメ
タン３００ｍｌに再度溶解した。これを氷冷下、１０℃
を越えない速度で２−アミノ−２−メチル−３−プロパ
ノール１４６ｇのジクロロメタン３００ｍｌ溶液に滴下
し、室温でさらに２時間撹拌した。析出した結晶を濾過
し、少量のジクロロメタンで洗滌し、濾液を併せた。溶
媒を溜去後、再度ジクロロメタン４５０ｍｌを加え氷冷
下に撹拌した。これに１０℃を越えない速度で塩化チオ
ニル１０７ｇを滴下し、滴下終了後も室温でさらに２時
間撹拌した。溶媒を留去後、ジクロロメタン４５０ｍｌ
に再度溶解し、これを９００ｍｌの２０％水酸化ナトリ
ウム水溶液に滴下し、１時間撹拌した。有機層を分離
し、無水炭酸カリウムで乾燥し、減圧下に蒸留（１１０
〜１２５℃／０．７ｍｍＨｇ）し、４，４−ジメチル−
２−（４−ブロモフェニル）−２−オキサゾリン１６０
ｇを得た。 （２） ２−［４−［４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）フェニル］フェニル］−４，４−ジメチ
ル−１，３−オキサゾリンの合成
クロロエタン４５０ｍｌ、ピリジン３ｇ、塩化チオニル
１３４ｇを加え６時間加熱還流させた。室温まで放冷
後、溶媒及び過剰の塩化チオニルを溜去し、ジクロロメ
タン３００ｍｌに再度溶解した。これを氷冷下、１０℃
を越えない速度で２−アミノ−２−メチル−３−プロパ
ノール１４６ｇのジクロロメタン３００ｍｌ溶液に滴下
し、室温でさらに２時間撹拌した。析出した結晶を濾過
し、少量のジクロロメタンで洗滌し、濾液を併せた。溶
媒を溜去後、再度ジクロロメタン４５０ｍｌを加え氷冷
下に撹拌した。これに１０℃を越えない速度で塩化チオ
ニル１０７ｇを滴下し、滴下終了後も室温でさらに２時
間撹拌した。溶媒を留去後、ジクロロメタン４５０ｍｌ
に再度溶解し、これを９００ｍｌの２０％水酸化ナトリ
ウム水溶液に滴下し、１時間撹拌した。有機層を分離
し、無水炭酸カリウムで乾燥し、減圧下に蒸留（１１０
〜１２５℃／０．７ｍｍＨｇ）し、４，４−ジメチル−
２−（４−ブロモフェニル）−２−オキサゾリン１６０
ｇを得た。 （２） ２−［４−［４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）フェニル］フェニル］−４，４−ジメチ
ル−１，３−オキサゾリンの合成
【００７７】
【化３６】
【００７８】マグネシウム１３．０ｇをＴＨＦ２６ｍｌ
に懸濁させ、これに上記（１）で得た４，４−ジメチル
−２−（４−ブロモフェニル）−２−オキサゾリン１２
３ｇのＴＨＦ４９０ｍｌ溶液をＴＨＦが穏やかに還流す
る速さで滴下した。さらに、１時間撹拌した後室温に戻
し、過剰のマグネシウムを濾別した。これを４−（トラ
ンス−４−プロピルシクロヘキシル）−１−ヨードベン
ゼン１５８ｇ及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)
パラジウム(0)５．７ｇのＴＨＦ６３０ｍｌ溶液に室温
で滴下し、さらに３時間撹拌した。１０％塩化アンモニ
ウム水溶液１０００ｍｌを加え、トルエン１０００ｍｌ
で抽出し、飽和食塩水で２回洗滌し、無水炭酸カリウム
で乾燥した。溶媒を留去し、アルミナカラムクロマトグ
ラフィー（溶媒：トルエン）で精製し、２−［４−［４
−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニ
ル］フェニル］−４，４−ジメチル−１，３−オキサゾ
リン１７２ｇを得た。 （３） ４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニルの合成
に懸濁させ、これに上記（１）で得た４，４−ジメチル
−２−（４−ブロモフェニル）−２−オキサゾリン１２
３ｇのＴＨＦ４９０ｍｌ溶液をＴＨＦが穏やかに還流す
る速さで滴下した。さらに、１時間撹拌した後室温に戻
し、過剰のマグネシウムを濾別した。これを４−（トラ
ンス−４−プロピルシクロヘキシル）−１−ヨードベン
ゼン１５８ｇ及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)
パラジウム(0)５．７ｇのＴＨＦ６３０ｍｌ溶液に室温
で滴下し、さらに３時間撹拌した。１０％塩化アンモニ
ウム水溶液１０００ｍｌを加え、トルエン１０００ｍｌ
で抽出し、飽和食塩水で２回洗滌し、無水炭酸カリウム
で乾燥した。溶媒を留去し、アルミナカラムクロマトグ
ラフィー（溶媒：トルエン）で精製し、２−［４−［４
−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニ
ル］フェニル］−４，４−ジメチル−１，３−オキサゾ
リン１７２ｇを得た。 （３） ４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニルの合成
【００７９】
【化３７】
【００８０】上記（２）で得た２−［４−［４−（トラ
ンス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］フェニ
ル］−４，４−ジメチル−１，３−オキサゾリン１７２
ｇをピリジン５２０ｍｌに溶解し、オキシ塩化リン９２
ｇを滴下し、１時間加熱還流させた。室温まで放冷し、
氷水１０００ｍｌ中に注ぎ、析出した結晶を濾過し、水
で洗滌した。減圧下乾燥し、アルミナカラムクロマトグ
ラフィー（溶媒：トルエン）で精製し、さらにエタノー
ルから再結晶して、４−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）−４’−シアノビフェニルの精製物（融点
（Ｃ−Ｎ）：１３３．５℃， 透明点（Ｎ−Ｉ）：２３
１℃）１１２ｇを得た。 （実施例２） ４”−プロピル−３，２’，６’−トリ
フルオロ−４−シアノ−１，１’：４’，１”−テルフ
ェニルの合成 実施例１において４−ブロモ安息香酸に換えて、３−フ
ルオロ−４−ブロモ安息香酸を用い、４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）−１−ヨードベンゼンに
換えて、４’−プロピル−３，５−ジフルオロ−４−ヨ
ードビフェニル（この化合物は４’−プロピル−３，５
−ジフルオロビフェニルをＴＨＦ中n-ブチルリチウムで
リチオ化し、これをヨウ素と反応させることにより合成
した。）を用いた他は同様にして４”−プロピル−３，
２’，６’−トリフルオロ−４−シアノ−１，１’：
４’，１”−テルフェニル（融点（Ｃ−Ｎ）：１２４．
５℃，透明点（Ｎ−Ｉ）：１２５℃）を得た。
ンス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］フェニ
ル］−４，４−ジメチル−１，３−オキサゾリン１７２
ｇをピリジン５２０ｍｌに溶解し、オキシ塩化リン９２
ｇを滴下し、１時間加熱還流させた。室温まで放冷し、
氷水１０００ｍｌ中に注ぎ、析出した結晶を濾過し、水
で洗滌した。減圧下乾燥し、アルミナカラムクロマトグ
ラフィー（溶媒：トルエン）で精製し、さらにエタノー
ルから再結晶して、４−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）−４’−シアノビフェニルの精製物（融点
（Ｃ−Ｎ）：１３３．５℃， 透明点（Ｎ−Ｉ）：２３
１℃）１１２ｇを得た。 （実施例２） ４”−プロピル−３，２’，６’−トリ
フルオロ−４−シアノ−１，１’：４’，１”−テルフ
ェニルの合成 実施例１において４−ブロモ安息香酸に換えて、３−フ
ルオロ−４−ブロモ安息香酸を用い、４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）−１−ヨードベンゼンに
換えて、４’−プロピル−３，５−ジフルオロ−４−ヨ
ードビフェニル（この化合物は４’−プロピル−３，５
−ジフルオロビフェニルをＴＨＦ中n-ブチルリチウムで
リチオ化し、これをヨウ素と反応させることにより合成
した。）を用いた他は同様にして４”−プロピル−３，
２’，６’−トリフルオロ−４−シアノ−１，１’：
４’，１”−テルフェニル（融点（Ｃ−Ｎ）：１２４．
５℃，透明点（Ｎ−Ｉ）：１２５℃）を得た。
【００８１】同様にして以下の化合物を合成する。 ４’−プロピル−４−シアノビフェニル ４’−ペンチル−４−シアノビフェニル ４’−プロピル−３−フルオロ−４−シアノビフェニル ４’−ペンチル−３−フルオロ−４−シアノビフェニル ４’−プロピル−２’−フルオロ−４−シアノビフェニ
ル ４’−ペンチル−２’−フルオロ−４−シアノビフェニ
ル ４’−プロピル−３，２’−ジフルオロ−４−シアノビ
フェニル ２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピリミジン ２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピリミジン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−プロ
ピルピリミジン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−ペン
チルピリミジン ４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４’
−シアノビフェニル ４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−３’
−フルオロ−４’−シアノビフェニル ４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−３’
−フルオロ−４’−シアノビフェニル ２−フルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）−４’−シアノビフェニル ２−フルオロ−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）−４’−シアノビフェニル ２，３’−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）−４’−シアノビフェニル ２，３’−ジフルオロ−４−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）−４’−シアノビフェニル ２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）−４’−シアノビフェニル ２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）−４’−シアノビフェニル ２，６，３’−トリフルオロ−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−４’−シアノビフェニル ２，６，３’−トリフルオロ−４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）−４’−シアノビフェニル ４−［２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
エチル］−４’−シアノビフェニル ４−［２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
エチル］−４’−シアノビフェニル ３’−フルオロ−４−［２−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）エチル］−４’−シアノビフェニル ３’−フルオロ−４−［２−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）エチル］−４’−シアノビフェニル ２，３’−ジフルオロ−４−［２−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）エチル］−４’−シアノビフェ
ニル ２，３’−ジフルオロ−４−［２−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）エチル］−４’−シアノビフェ
ニル ２，６−ジフルオロ−４−［２−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）エチル］−４’−シアノビフェニ
ル ２，６−ジフルオロ−４−［２−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）エチル］−４’−シアノビフェニ
ル ２，６，３’−トリフルオロ−４−［２−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）エチル］−４’−シアノ
ビフェニル ２，６，３’−トリフルオロ−４−［２−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）エチル］−４’−シアノ
ビフェニル ４”−プロピル−４−シアノ−１，１’：４’，１”−
テルフェニル ４”−ペンチル−４−シアノ−１，１’：４’，１”−
テルフェニル ４”−プロピル−３−フルオロ−４−シアノ−１，
１’：４’，１”−テルフェニル ４”−ペンチル−３−フルオロ−４−シアノ−１，
１’：４’，１”−テルフェニル ４”−プロピル−２’−フルオロ−４−シアノ−１，
１’：４’，１”−テルフェニル ４”−ペンチル−２’−フルオロ−４−シアノ−１，
１’：４’，１”−テルフェニル ４”−プロピル−３，２”−ジフルオロ−４−シアノ−
１，１’：４’，１”−テルフェニル ４”−ペンチル−３，２”−ジフルオロ−４−シアノ−
１，１’：４’，１”−テルフェニル ４”−プロピル−２’，６’−ジフルオロ−４−シアノ
−１，１’：４’，１”−テルフェニル ４”−ペンチル−２’，６’−ジフルオロ−４−シアノ
−１，１’：４’，１”−テルフェニル ４”−ペンチル−３，２’，６’−トリフルオロ−４−
シアノ−１，１’：４’，１”−テルフェニル ４”−プロピル−２”−フルオロ−４−シアノ−１，
１’：４’，１”−テルフェニル ４”−ペンチル−２”−フルオロ−４−シアノ−１，
１’：４’，１”−テルフェニル ４”−プロピル−３，２”−ジフルオロ−４−シアノ−
１，１’：４’，１”−テルフェニル ４”−ペンチル−３，２”−ジフルオロ−４−シアノ−
１，１’：４’，１”−テルフェニル ２−（４−シアノフェニル）−５−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）ピリミジン ２−（４−シアノフェニル）−５−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）ピリミジン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（ト
ランス−４−プロピルシクロヘキシル）ピリミジン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（ト
ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ピリミジン ２−（４−シアノフェニル）−５−（４−プロピルフェ
ニル）ピリミジン ２−（４−シアノフェニル）−５−（４−ペンチルフェ
ニル）ピリミジン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（４
−プロピルフェニル）ピリミジン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（４
−ペンチルフェニル）ピリミジン ２−（４−シアノフェニル）−５−（２−フルオロ−４
−プロピルフェニル）ピリミジン ２−（４−シアノフェニル）−５−（２−フルオロ−４
−ペンチルフェニル）ピリミジン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（２
−フルオロ−４−プロピルフェニル）ピリミジン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（２
−フルオロ−４−ペンチルフェニル）ピリミジン ５−プロピル−２−（４’−シアノビフェニル−４−イ
ル）ピリミジン ５−ペンチル−２−（４’−シアノビフェニル−４−イ
ル）ピリミジン ５−プロピル−２−（３’−フルオロ−４’−シアノビ
フェニル−４−イル）ピリミジン ５−ペンチル−２−（３’−フルオロ−４’−シアノビ
フェニル−４−イル）ピリミジン ５−プロピル−２−（２−フルオロ−４’−シアノビフ
ェニル−４−イル）ピリミジン ５−ペンチル−２−（２−フルオロ−４’−シアノビフ
ェニル−４−イル）ピリミジン ５−プロピル−２−（２，３’−ジフルオロ−４’−シ
アノビフェニル−４−イル）ピリミジン ５−ペンチル−２−（２，３’−ジフルオロ−４’−シ
アノビフェニル−４−イル）ピリミジン ５−プロピル−２−（２，６−ジフルオロ−４’−シア
ノビフェニル−４−イル）ピリミジン ５−ペンチル−２−（２，６−ジフルオロ−４’−シア
ノビフェニル−４−イル）ピリミジン ５−プロピル−２−（２，６，３’−トリフルオロ−
４’−シアノビフェニル−４−イル）ピリミジン ５−ペンチル−２−（２，６，３’−トリフルオロ−
４’−シアノビフェニル−４−イル）ピリミジン ６−プロピル−２−（４−シアノフェニル）ナフタレン ６−ペンチル−２−（４−シアノフェニル）ナフタレン ６−プロピル−２−（３−フルオロ−４−シアノフェニ
ル）ナフタレン ６−ペンチル−２−（３−フルオロ−４−シアノフェニ
ル）ナフタレン １−フルオロ−６−プロピル−２−（４−シアノフェニ
ル）ナフタレン １−フルオロ−６−ペンチル−２−（４−シアノフェニ
ル）ナフタレン １−フルオロ−６−プロピル−２−（３−フルオロ−４
−シアノフェニル）ナフタレン １−フルオロ−６−ペンチル−２−（３−フルオロ−４
−シアノフェニル）ナフタレン １−フルオロ−６−（トランス−４−プロピル）シクロ
ヘキシル−２−（４−シアノフェニル）ナフタレン １−フルオロ−６−（トランス−４−ペンチル）シクロ
ヘキシル−２−（４−シアノフェニル）ナフタレン １−フルオロ−６−（トランス−４−プロピル）シクロ
ヘキシル−２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）
ナフタレン １−フルオロ−６−（トランス−４−ペンチル）シクロ
ヘキシル−２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）
ナフタレン
ル ４’−ペンチル−２’−フルオロ−４−シアノビフェニ
ル ４’−プロピル−３，２’−ジフルオロ−４−シアノビ
フェニル ２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピリミジン ２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピリミジン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−プロ
ピルピリミジン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−ペン
チルピリミジン ４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４’
−シアノビフェニル ４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−３’
−フルオロ−４’−シアノビフェニル ４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−３’
−フルオロ−４’−シアノビフェニル ２−フルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）−４’−シアノビフェニル ２−フルオロ−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）−４’−シアノビフェニル ２，３’−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）−４’−シアノビフェニル ２，３’−ジフルオロ−４−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）−４’−シアノビフェニル ２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）−４’−シアノビフェニル ２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）−４’−シアノビフェニル ２，６，３’−トリフルオロ−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−４’−シアノビフェニル ２，６，３’−トリフルオロ−４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）−４’−シアノビフェニル ４−［２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
エチル］−４’−シアノビフェニル ４−［２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
エチル］−４’−シアノビフェニル ３’−フルオロ−４−［２−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）エチル］−４’−シアノビフェニル ３’−フルオロ−４−［２−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）エチル］−４’−シアノビフェニル ２，３’−ジフルオロ−４−［２−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）エチル］−４’−シアノビフェ
ニル ２，３’−ジフルオロ−４−［２−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）エチル］−４’−シアノビフェ
ニル ２，６−ジフルオロ−４−［２−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）エチル］−４’−シアノビフェニ
ル ２，６−ジフルオロ−４−［２−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）エチル］−４’−シアノビフェニ
ル ２，６，３’−トリフルオロ−４−［２−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）エチル］−４’−シアノ
ビフェニル ２，６，３’−トリフルオロ−４−［２−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）エチル］−４’−シアノ
ビフェニル ４”−プロピル−４−シアノ−１，１’：４’，１”−
テルフェニル ４”−ペンチル−４−シアノ−１，１’：４’，１”−
テルフェニル ４”−プロピル−３−フルオロ−４−シアノ−１，
１’：４’，１”−テルフェニル ４”−ペンチル−３−フルオロ−４−シアノ−１，
１’：４’，１”−テルフェニル ４”−プロピル−２’−フルオロ−４−シアノ−１，
１’：４’，１”−テルフェニル ４”−ペンチル−２’−フルオロ−４−シアノ−１，
１’：４’，１”−テルフェニル ４”−プロピル−３，２”−ジフルオロ−４−シアノ−
１，１’：４’，１”−テルフェニル ４”−ペンチル−３，２”−ジフルオロ−４−シアノ−
１，１’：４’，１”−テルフェニル ４”−プロピル−２’，６’−ジフルオロ−４−シアノ
−１，１’：４’，１”−テルフェニル ４”−ペンチル−２’，６’−ジフルオロ−４−シアノ
−１，１’：４’，１”−テルフェニル ４”−ペンチル−３，２’，６’−トリフルオロ−４−
シアノ−１，１’：４’，１”−テルフェニル ４”−プロピル−２”−フルオロ−４−シアノ−１，
１’：４’，１”−テルフェニル ４”−ペンチル−２”−フルオロ−４−シアノ−１，
１’：４’，１”−テルフェニル ４”−プロピル−３，２”−ジフルオロ−４−シアノ−
１，１’：４’，１”−テルフェニル ４”−ペンチル−３，２”−ジフルオロ−４−シアノ−
１，１’：４’，１”−テルフェニル ２−（４−シアノフェニル）−５−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）ピリミジン ２−（４−シアノフェニル）−５−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）ピリミジン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（ト
ランス−４−プロピルシクロヘキシル）ピリミジン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（ト
ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ピリミジン ２−（４−シアノフェニル）−５−（４−プロピルフェ
ニル）ピリミジン ２−（４−シアノフェニル）−５−（４−ペンチルフェ
ニル）ピリミジン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（４
−プロピルフェニル）ピリミジン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（４
−ペンチルフェニル）ピリミジン ２−（４−シアノフェニル）−５−（２−フルオロ−４
−プロピルフェニル）ピリミジン ２−（４−シアノフェニル）−５−（２−フルオロ−４
−ペンチルフェニル）ピリミジン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（２
−フルオロ−４−プロピルフェニル）ピリミジン ２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−５−（２
−フルオロ−４−ペンチルフェニル）ピリミジン ５−プロピル−２−（４’−シアノビフェニル−４−イ
ル）ピリミジン ５−ペンチル−２−（４’−シアノビフェニル−４−イ
ル）ピリミジン ５−プロピル−２−（３’−フルオロ−４’−シアノビ
フェニル−４−イル）ピリミジン ５−ペンチル−２−（３’−フルオロ−４’−シアノビ
フェニル−４−イル）ピリミジン ５−プロピル−２−（２−フルオロ−４’−シアノビフ
ェニル−４−イル）ピリミジン ５−ペンチル−２−（２−フルオロ−４’−シアノビフ
ェニル−４−イル）ピリミジン ５−プロピル−２−（２，３’−ジフルオロ−４’−シ
アノビフェニル−４−イル）ピリミジン ５−ペンチル−２−（２，３’−ジフルオロ−４’−シ
アノビフェニル−４−イル）ピリミジン ５−プロピル−２−（２，６−ジフルオロ−４’−シア
ノビフェニル−４−イル）ピリミジン ５−ペンチル−２−（２，６−ジフルオロ−４’−シア
ノビフェニル−４−イル）ピリミジン ５−プロピル−２−（２，６，３’−トリフルオロ−
４’−シアノビフェニル−４−イル）ピリミジン ５−ペンチル−２−（２，６，３’−トリフルオロ−
４’−シアノビフェニル−４−イル）ピリミジン ６−プロピル−２−（４−シアノフェニル）ナフタレン ６−ペンチル−２−（４−シアノフェニル）ナフタレン ６−プロピル−２−（３−フルオロ−４−シアノフェニ
ル）ナフタレン ６−ペンチル−２−（３−フルオロ−４−シアノフェニ
ル）ナフタレン １−フルオロ−６−プロピル−２−（４−シアノフェニ
ル）ナフタレン １−フルオロ−６−ペンチル−２−（４−シアノフェニ
ル）ナフタレン １−フルオロ−６−プロピル−２−（３−フルオロ−４
−シアノフェニル）ナフタレン １−フルオロ−６−ペンチル−２−（３−フルオロ−４
−シアノフェニル）ナフタレン １−フルオロ−６−（トランス−４−プロピル）シクロ
ヘキシル−２−（４−シアノフェニル）ナフタレン １−フルオロ−６−（トランス−４−ペンチル）シクロ
ヘキシル−２−（４−シアノフェニル）ナフタレン １−フルオロ−６−（トランス−４−プロピル）シクロ
ヘキシル−２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）
ナフタレン １−フルオロ−６−（トランス−４−ペンチル）シクロ
ヘキシル−２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）
ナフタレン
【００８２】
【発明の効果】本発明の製造方法を用いることにより、
ｐ型液晶材料として有用の４−シアノベンゼン誘導体で
ある各種液晶化合物を、従来知られていた製造方法と比
較して（ｉ）高選択的にかつ、（ｉｉ）入手可能な原料
あるいは中間体から、（ｉｉｉ）簡便かつ安価に製造す
ることができる。従って本発明の製造方法は工業的に極
めて有用である。
ｐ型液晶材料として有用の４−シアノベンゼン誘導体で
ある各種液晶化合物を、従来知られていた製造方法と比
較して（ｉ）高選択的にかつ、（ｉｉ）入手可能な原料
あるいは中間体から、（ｉｉｉ）簡便かつ安価に製造す
ることができる。従って本発明の製造方法は工業的に極
めて有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０７Ｃ 253/20 Ｃ０７Ｃ 253/20 (72)発明者 高津 晴義 東京都東大和市仲原３−６−27 Ｆターム(参考） 4C022 GA09 4C055 AA01 BA02 BA07 BA08 BA35 CA02 CA07 CA08 CA35 DA01 FA03 4H006 AA02 AC54 BE54
Claims (5)
- 【請求項１】 一般式（ＩＩ） 【化１】 （式中、Ｒは炭素原子数１〜７のアルコキシル基により
置換されていてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル
基、アルケニル基、アルコキシル基又はアルケニルオキ
シ基を表し、環Ａはフッ素原子により置換されていても
よい１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロ
へキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基又はトラ
ンス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表し、
環Ｂはフッ素置換されていてもよい１，４−フェニレン
基、フッ素原子により置換されていてもよいナフタレン
−２，６−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、
ピリジン−２，５−ジイル基、ピラジン−２，５−ジイ
ル基又はピリダジン−３，６−ジイル基を表し、Ｌは−
ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＦ2Ｏ
−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単
結合を表し、ｍは０又は１を表し、Ｘa及びＸbはそれぞ
れ独立的に水素原子又はフッ素原子を表し、Ｒa〜Ｒdは
それぞれ独立的に水素原子又は炭素原子数１〜５のアル
キル基を表す。）で表されるオキサゾリン誘導体を、酸
性脱水剤と反応させることを特徴とする一般式（Ｉ） 【化２】 （式中、Ｒ、環Ａ、環Ｂ、Ｌ、ｍ、Ｘa及びＸbは一般式
（ＩＩ）におけると同じ意味を表す。）で表される４−
シアノベンゼン誘導体の製造方法。 - 【請求項２】 酸性脱水剤がオキシ塩化リンであること
を特徴とする請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 一般式（ＩＩ）のオキサゾリン誘導体
が、一般式（ＩＩＩａ） 【化３】 （式中、Ｒ、環Ａ、環Ｂ、Ｌ及びｍは一般式（ＩＩ）に
おけると同じ意味を表し、Ｙは臭素、ヨウ素、塩素等の
ハロゲン原子、あるいはトリフルオロメタンスルホニル
オキシ基、p-トルエンスルホニルオキシ基等の脱離基を
表す。）で表される化合物に、一般式(ＩＶｂ) 【化４】 （式中、Ｘa、Ｘb及びＲa〜Ｒdは一般式（ＩＩ）におけ
ると同じ意味を表し、ＺはＭｇＢｒ、ＭｇＩ、ＭｇＣ
ｌ、Ｌｉ、Ｂ（ＯＨ）2、ＳｉＲ1Ｆ2等の金属原子又は
金属原子を含む基を表し、Ｒ1は炭素原子数１〜３のア
ルキル基を表す。）で表される有機金属反応剤を、遷移
金属触媒存在下に反応させて得られることを特徴とする
請求項１又は２記載の製造方法。 - 【請求項４】 一般式（ＩＩ）のオキサゾリン誘導体
が、一般式（ＩＩＩｂ） 【化５】 （式中、Ｒ、環Ａ、環Ｂ、Ｌ及びｍは一般式（ＩＩ）に
おけると同じ意味を表し、ＺはＭｇＢｒ、ＭｇＩ、Ｍｇ
Ｃｌ、Ｌｉ、Ｂ（ＯＨ）2、ＳｉＲ1Ｆ2等の金属原子又
は金属原子を含む基を表し、Ｒ1は炭素原子数１〜３の
アルキル基を表す。）で表される有機金属反応剤に、一
般式（ＩＶａ） 【化６】 （式中、Ｘa、Ｘb及びＲa〜Ｒdは一般式（ＩＩ）におけ
ると同じ意味を表し、Ｙは臭素、ヨウ素、塩素等のハロ
ゲン原子、あるいはトリフルオロメタンスルホニルオキ
シ基、p-トルエンスルホニルオキシ基等の脱離基を表
す。）で表される化合物を、遷移金属触媒存在下に反応
させて得られることを特徴する請求項１又は２記載の製
造方法。 - 【請求項５】 遷移金属触媒がパラジウム(0)錯体であ
ることを特徴とする請求項３又は４記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16504798A JP2000001463A (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | ４−シアノベンゼン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16504798A JP2000001463A (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | ４−シアノベンゼン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000001463A true JP2000001463A (ja) | 2000-01-07 |
Family
ID=15804835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16504798A Pending JP2000001463A (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | ４−シアノベンゼン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000001463A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8329675B2 (en) | 2006-10-10 | 2012-12-11 | Infinity Pharmaceuticals, Inc. | Inhibitors of fatty acid amide hydrolase |
| US8541581B2 (en) | 2009-04-07 | 2013-09-24 | Infinity Pharmaceuticals, Inc. | Inhibitors of fatty acid amide hydrolase |
| US8546564B2 (en) | 2009-04-07 | 2013-10-01 | Infinity Pharmaceuticals, Inc. | Inhibitors of fatty acid amide hydrolase |
| US8957049B2 (en) | 2008-04-09 | 2015-02-17 | Infinity Pharmaceuticals, Inc. | Inhibitors of fatty acid amide hydrolase |
| US9034849B2 (en) | 2010-02-03 | 2015-05-19 | Infinity Pharmaceuticals, Inc. | Fatty acid amide hydrolase inhibitors |
-
1998
- 1998-06-12 JP JP16504798A patent/JP2000001463A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8329675B2 (en) | 2006-10-10 | 2012-12-11 | Infinity Pharmaceuticals, Inc. | Inhibitors of fatty acid amide hydrolase |
| US8349814B2 (en) | 2006-10-10 | 2013-01-08 | Infinity Pharmaceuticals, Inc. | Inhibitors of fatty acid amide hydrolase |
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