DE2535156B2 - Verfahren zur herstellung einer schicht mit vorgegebenem muster von bereichen geringerer schichtdicke und verwendung der schicht als maske bei der dotierung - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer schicht mit vorgegebenem muster von bereichen geringerer schichtdicke und verwendung der schicht als maske bei der dotierung

Info

Publication number
DE2535156B2
DE2535156B2 DE19752535156 DE2535156A DE2535156B2 DE 2535156 B2 DE2535156 B2 DE 2535156B2 DE 19752535156 DE19752535156 DE 19752535156 DE 2535156 A DE2535156 A DE 2535156A DE 2535156 B2 DE2535156 B2 DE 2535156B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
areas
lacquer
lacquer layer
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19752535156
Other languages
English (en)
Other versions
DE2535156A1 (de
DE2535156C3 (de
Inventor
Hans Dipl.-Phys 8011 Pöring Friedrich
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19752535156 priority Critical patent/DE2535156C3/de
Publication of DE2535156A1 publication Critical patent/DE2535156A1/de
Publication of DE2535156B2 publication Critical patent/DE2535156B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2535156C3 publication Critical patent/DE2535156C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0277—Electrolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

4(1
30
W)
Die Erfindung betrifft ein wie im Oberbegriff des Patentanspruches 1 angegebenes Verfahren zur Her- b5 stellung einer auf einem Substrat befindlichen Schicht mit nach vorgegebenem Muster verteilten Schichtbereichen mit verringerter und zueinander abgestufter Schichtdicke sowie die Verwendung der Schicht als Maske bei der Dotierung.
In der Halbleitertechnik iritt häufig das Problem auf, daß eine Schicht, die sich auf einer Unterlage, z. B. einem Halbleiterkörper, befindet, mit Stufen bzw. stufenförmigen Vertiefungen versehen werden muß. Zur Herstellung von derartigen Mustern mit Bereichen mit verringerter und zueinander abgestufter Schichtdicke wird auf eine gleichmäßig dicke Ausgangsschicht eine Photolackschicht aufgebracht, durch eine erste Maske belichtet und entwickelt. Sodann erfolgt eine erste Ätzung der vom Photolack befreiten Gebiete der Schicht. Mit einem zweiten Photomaskenschritt und einer daran anschließenden Ätzung werden dann die weniger tiefen Bereiche in der Schicht erzeugt. Bei diesem Verfahren ist es notwendig, nacheinander zwei Bestrahlungsmasken zu verwenden. Die Lage dieser beiden Masken muß zueinander sehr genau justiert werden, wenn feine Strukturen erzeugt werden sollen.
Aus IBMTechn. Discl. Bull. Band 17, Nr. 7, 1974, Seiten 2168 bis 2169, ist ein Verfahren bekannt, bei dem mit Hilfe einer Photomaske, die Gebiete unterschiedlicher Absorption besitzt, in einer Photolackschicht bei Belichtung Gebiete unterschiedlicher Löslichkeit erzeugt werden. Bei der Entwicklung des Photolackes erhalten diese Gebiete unterschiedlicher Löslichkeit eine ihrer Löslichkeit entsprechend abgestufte Schichtdicke. Eine solche mit Gebieten unterschiedlicher Schichtdicke versehene Photolackschicht wird als Maske für eine Implantationsdotierung verwendet. Eine solche Photolackschicht mit Gebieten abgestufter Schichtdicke ist aber z. B. ungeeignet für die Durchführung von Hochtemperaturprozessen, beispielsweise einer lokalen Oxydation oder einer Hochtemperatur-Diffusionsdotierung, weil bei dem dazu notwendigen Hochtemperaturprozeß die Photolackschicht aufweichen und fließen würde. Aus IBM Techn. Discl. Bull. Band 17, Nr. 8, 1975, Seiten 2160 bis 2161, ist ein weiteres Verfahren bekannt, bei dem ein strahlungsempfindlicher Lack durch eine Bestrahlungsmaske unterschiedlich stark belichtet wird, bei dem die am stärksten belichteten Teile zunächst durch Entwicklung abgetragen werden und dadurch Teile einer darunterliegenden Oxidschicht freigelegt werden. Diese freigelegten Teile der Oxidschicht werden sodann durch Ätzen abgetragen, danach wird mit einem weiteren Entwicklungsschritt der Teil mit der nächst höheren Löslichkeit der Photolackschicht abgetragen. Bei diesem Verfahren wird die unter dem Photolack befindliche Oxidschicht beim Ätzvorgang entweder ganz entfernt, oder sie bleibt mit Photolack bedeckt und damit ungeätzt. Gebiete mit abgestufter Schichtdicke lassen sich nach diesem Verfahren in der unter dem Photolack befindlichen Oxidschicht nicht erreichen.
Aus der US-PS 3857041 sowie aus der DT-OS 2050763 sind Verfahren bekannt, nach denen ein elektronenstrahlempfindücher Photolack verwendet wird und die Belichtung dieses Photolackes dadurch erfolgt, daß ein Elektronenstrahl rasterförmig über die zu belichtende Fläche geführt wird. Ferner ist es aus diesen Druckschriften bekannt, derart hergestellte Schichten als Msske bei der Dotierun° von Halbleiterkörpern zu verwenden.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren anzugeben, bei dem unter Verwendung einer unterschiedlich stark belichteten Photolackschicht in einer darun-
tor befindlichen Schicht aus anderem Material, z. B. einer Oxidschicht, Stufen bzw. einzelne Gebiete mit zueinander abgestufter Schichtdicke erzeugt werden können.
Diese Aufgabe wird bei einem im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen Verfahren erfindungsgemäß in der im kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 angegebenen Weise gelöst.
Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, daß eine einzelne Photomaske ausreichend ist, und daß mit ihm die gewünschten Gebiete abgestufter Schichtdicke auch in temperaturfesten Materialien, wie z. B. in Oxidschichten, hergestellt werden können, wobei die jeweilige Schichtdicke durch die Dauer des Ätzens bestimmt werden kann.
Wie bei den bekannten Verfahren wird die Tatsache ausgenutzt, daß die Dosis der auftreffenden Strahlung die Löslichkeit des Lackes beim Entwickeln bestimmt. Bei Verwendung von Positiv-Lactcen steigt die Löslichkeit mit zunehmender Dosis, bei Negativ-Lack fällt sie mit zunehmender Strahlungsdosis ab. Unterschiedlich stark bestrahlte Bereiche des Photolackes werden dementsprechend beim Entwickeln verschieden schnell fortgelöst, so daß beispielsweise bei der Verwendung von Positiv-Lack der der größten Strahlungsdosis ausgesetzte Bereich bereits fortgelöst ist, während die weniger stark bestrahlten Bereiche noch stehenbleiben.
Dementsprechend hat die Erfindung den Vorteil, daß bereits eine Belichtung durch eine Photomaske zur Erzeugung einer nach vorgegebenem Muster strukturierten Schicht genügt.
Die Dicken der jeweiligen Bereiche verhalten sich zueinander wie die dort erzeugte Löslichkeit des Lakkes und damit entsprechend der aufgetroffenen Strahlungsdosis. Bei Verwendung von lichtempfindlichen Photolacken könnte man beispielsweise die jeweils auftreffende Strahlungsdosis dadurch festlegen, daß man eine Photomaske benutzt, die an den entsprechenden Stellen Grauzonen verschiedener Absorption besitzt.
Feine Strukturen im Photolack lassen sich jedoch genauer und einfacher erreichen, wenn man nach einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung einen elektronenempfindlichen Lack verwendet und die Bestrahlung mit einem Elektronenstrahl erfolgt. Der Elektronenstrahl wird dabei etwa gemäß den aus der US-PS 3857041 oder der DT-OS 2050763 bekannten Verfahren nach vorgegebenem Raster auf die Schicht aus strahlungsempfindlichem Lack gelenkt.
Die Strahlungsdosis wird dabei durch die Verweilzeit des Elektronenstrahles an dem jeweiligen Rasterpunkt bestimmt.
Nach dem Entwickeln weist die Lackschicht dann ein Muster mit Bereichen verschiedener Dicke auf, das dem Bestrahlungsmuster entspricht und bei dem der Bereich mit der größten Löslichkeit entfernt ist. Sodann wird die unter der Photolackschicht liegende Schicht an der von dem Photolack befreiten Stelle geätzt. Im Anschluß daran wird der Entwicklungsvorgang für die Photolackschicht wiederholt, so daß das Gebiet mit der nun höchsten Löslichkeit entfernt wird. Daran schließt sich wiederum ein Ätzvorgang, der un-
ter der Photolackschicht liegenden Schicht an, wobei das zuerst geätzte Gebiet nochmals geätzt und dadurch weiter vertieft wird. Das Weiterentwickeln des Photolackes und das nachfolgende Ätzen der darunterliegenden Schicht wird so lange wiederholt, bis in der unter dem Photolack liegenden Schicht die gewünschte Struktur von Gebieten mit unterschiedlicher Schichtdicke erreicht ist.
Eine so hergestellte Schicht kann gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung als Maske bei der Dotierung von Halbleiterkörpern mittels Diffusion und/oder Ionenimplantation verwendet werden.
Die Eindringtiefe der Dotierstoffteilchen hängt dabei von der jeweiligen Dicke der auf dem Halbleiterkörper befindlichen Schicht ab.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben.
Der Verfahrensgang wird schematisch durch die Fig. 1 bis 8 dargestellt.
Auf einem Silizium-Halbleiterkörper 1 befindet sich eine Siliziumdioxidschicht 2, die mit Schichtbereichen unterschiedlicher Dicke versehen werden soll. Dazu wird zunächst eine Schicht aus elektronenempfindlichem Lack 3 aufgebracht und sodann mittels eines Elektronenstrahles belichtet, der dabei in dem Lack ein rasterartiges Bild erzeugt. Die Lackschicht wird sodann entwickelt. Dabei entstehen entsprechend der Belichtung in der Lackschicht Schichtbereiche 4, 5, 6 mit verschiedener Dicke. Die Lackschicht wird dabei so lange entwickelt, bis der Schichtbereich 5 mit der größten Löslichkeit von der Siliziumdioxidschicht abgelöst ist. Der so freigelegte Schichtbereich der Siliziumdioxidschicht wird sodann mit einer Ätzflüssigkeit, z. B. Fluorwasserstoff, behandelt und abgeätzt. Nach diesem ersten Ätzvorgang wird die Lackschicht weiter entwickelt; es werden dadurch weitere Schichtbereiche 6 der Siliziumdioxidschicht freigelegt. An diesen Stellen und zugleich in dem bereits nach dem ersten Entwicklungsvorgang freigelegten Schichtbereich 5 wird sodann die Siliziumdioxidschicht geätzt. Auf Grund der verschiedenen Ätzdauer der Schichtbereiche 5 und 6 reicht nach Abbruch dieses Ätzvorganges der Schichtbereich 5 weiter in die Siliziumdioxidschicht hinein als die Schichtbereiche 6. Der Schichtbereich 5 kann bei genügend langer Ätzdauer auch die SiO2-Schicht durchsetzen, so daß der unter der SiO2-Schicht befindliche Halbleiter dort freigelegt ist (Fig. 7).
Dieser kombinierte Vorgang aus Entwickeln der Lackschicht und anschließender Ätzung des neu freigelegten Materials wird so lange fortgesetzt, bis in der Siliziumdioxidschicht das gewünschte Muster hergestellt ist. Mit diesem Verfahren lassen sich die in F i g. 8 dargestellten stufenförmigen Muster herstellen. Es ist weiterhin möglich, Bereiche mit kontinuierlich abnehmender Schichtdicke dadurch zu erhalten, daß die Lackschicht in diesen Bereichen mit einer entsprechend kontinuierlich zu- bzw. abnehmenden Dosis bestrahlt wird. Die so erhaltene Siliziumdioxidschicht kann dann als Diffusionsmaske für eine nachfolgende Dotierung des unter der Siliziumdioxidschicht befindlichen Halbleiters benutzt werden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

si 25 Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung einer auf einem Substrat befindlichen Schicht mit nach einem vorgegebenen Muster verteilten Schichtbereichen mit verringerter und zueinander abgestufter Schichtdicke, bei dem zuerst folgende Verfahrensschritte (a bis f) ausgeführt werden:
a) Aufbringen der Schicht auf das Substrat,
b) Aufbringen einer strahlungsempfindlichen Lackschicht auf die Schicht,
c) Bestrahlen der einzelnen Gebiete der Lackschicht, die jeweils über einen der nach dem vorgegebenen Muster vorgesehenen Schichtbereiche abgestufter Schichtdicke liegen mit einer voneinander verschiedenen Strahlungsdosis, so daß Lackschichtgebiete unterschiedlicher Löslichkeit beim Entwikkeln erzeugt werden,
d) Entwickeln der Lackschicht für eine solche Zeitspanne, bis das Lackschichtgebiet mit der größten Löslichkeit entfernt ist,
e) Abtragen der von der Lackschicht befreiten Bereiche der Schicht durch Ätzen bis zu einer vorgegebenen Tiefe,
f) Weiterentwickeln der Lackschicht, bis die Lackschichtgebiete mit der nunmehr vorliegenden höchsten Löslichkeit entfernt sind, gekennzeichnet durch den folgenden Ablauf der weiteren Verfahrensschritte:
g) Abätzen der während des Verfahrensschrittes f) von der Lackschicht befreiten Schichtbereiche (6) zugleich mit den bereits während des Verfahrensschrittes e) geätzten Schichtbereichen (5) bis zu vorgegebenen Ätztiefen, wobei in den erneut geätzten Schichtbereichen (5) eine größere Ätztiefe erzielt wird als in den erstmals geätzten Schichtbereichen (6),
h) Entfernen des Ätzmittels,
i) Wiederholung der Verfahrensschritte f) bis h), bis die bei der Entwicklung löslichen Gebiete der Lackschicht entfernt sind,
k) Entfernen der restlichen Teile der Lackschicht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine für elektronenstrahlempfindliche Lackschicht verwendet wird, daß die Bestrahlung mit einem Elektronenstrahl erfolgt, und daß der Elektronenstrahl nach vorgegebenem Raster auf die Schicht aus strahlungsempfindlichem Lack gelenkt wird.
3. Verwendung einer nach den Verfahren 1 oder 2 hergestellten Schicht als Maske bei der Dotierung von Halbleiterkörpern mittels Diffusion und/oder Ionenimplantation.
ι j
DE19752535156 1975-08-06 1975-08-06 Verfahren zur Herstellung einer Schicht mit vorgegebenem Muster von Bereichen geringerer Schichtdicke und Verwendung der Schicht als Maske bei der Dotierung Expired DE2535156C3 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19752535156 DE2535156C3 (de) 1975-08-06 1975-08-06 Verfahren zur Herstellung einer Schicht mit vorgegebenem Muster von Bereichen geringerer Schichtdicke und Verwendung der Schicht als Maske bei der Dotierung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19752535156 DE2535156C3 (de) 1975-08-06 1975-08-06 Verfahren zur Herstellung einer Schicht mit vorgegebenem Muster von Bereichen geringerer Schichtdicke und Verwendung der Schicht als Maske bei der Dotierung

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2535156A1 DE2535156A1 (de) 1977-02-10
DE2535156B2 true DE2535156B2 (de) 1977-12-29
DE2535156C3 DE2535156C3 (de) 1978-08-31

Family

ID=5953381

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19752535156 Expired DE2535156C3 (de) 1975-08-06 1975-08-06 Verfahren zur Herstellung einer Schicht mit vorgegebenem Muster von Bereichen geringerer Schichtdicke und Verwendung der Schicht als Maske bei der Dotierung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2535156C3 (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4309812A (en) * 1980-03-03 1982-01-12 International Business Machines Corporation Process for fabricating improved bipolar transistor utilizing selective etching
FR2526584A1 (fr) * 1982-05-04 1983-11-10 Thomson Csf Procede de realisation d'une structure metallique de forme complexe pour semi-conducteurs et circuits integres
US5622633A (en) * 1994-08-18 1997-04-22 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor sensor with suspended microstructure and method for fabricating same
US6066569A (en) * 1997-09-30 2000-05-23 Siemens Aktiengesellschaft Dual damascene process for metal layers and organic intermetal layers
KR100290852B1 (ko) * 1999-04-29 2001-05-15 구자홍 에칭 방법
US6420247B1 (en) * 2000-04-10 2002-07-16 Motorola, Inc. Method of forming structures on a semiconductor including doping profiles using thickness of photoresist
US7553770B2 (en) * 2007-06-06 2009-06-30 Micron Technology, Inc. Reverse masking profile improvements in high aspect ratio etch

Also Published As

Publication number Publication date
DE2535156A1 (de) 1977-02-10
DE2535156C3 (de) 1978-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2628099C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Maske
DE2624832C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Lackmustern
DE2460988C2 (de) Verfahren zum Niederschlagen eines Musters aus einem dünnen Film auf einem anorganischen Substrat
EP0120834B1 (de) Optisch strukturiertes Filter und Verfahren zu dessen Herstellung
DE69130389T2 (de) Lithographische Verfahren
DE2529054C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines zur Vorlage negativen Resistbildes
DE2302116C3 (de) Vorrichtung zur Herstellung einer maskierenden Schicht auf einem Träger mit Hilfe von weichen Röntgenstrahlen
EP0002795B1 (de) Verfahren zum Erzeugen von Masken für lithographische Prozesse unter Verwendung von Photolack
DE2429026A1 (de) Verfahren zum kopieren von duennfilmmustern auf einem substrat und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE3030653C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
DE3037876C2 (de)
DE3625340A1 (de) Verfahren zum silizieren der oberflaeche einer polymer-membran und herstellungsverfahren zum bilden von mustern oder masken unter anwendung des silizierungsverfahrens
DE4041409C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Reliefbildes
EP0212054A2 (de) Verfahren zur Herstellung von Masken für die Röntgentiefenlithographie
DE2535156C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Schicht mit vorgegebenem Muster von Bereichen geringerer Schichtdicke und Verwendung der Schicht als Maske bei der Dotierung
DE3337315A1 (de) Zweifach-lichtempfindliche zusammensetzungen und verfahren zur erzeugung bildmustergemaesser photoresistschichten
DE2143737A1 (de) Photoaetzverfahren
DE2643811A1 (de) Verfahren zur herstellung eines musters in einer photolackschicht und hierfuer geeignete maske
DE10309266B3 (de) Verfahren zum Bilden einer Öffnung einer Licht absorbierenden Schicht auf einer Maske
DE3337300A1 (de) Verfahren zum herstellen integrierter halbleiterschaltkreise
DE69125653T2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung einschliesslich eines Herstellungsschrittes für ein Muster eines Fotoresistfilms
DE69031153T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE60102376T2 (de) Verfahren zur herstellung einer schicht in einem integrierten schaltkreis mit feinen und breiten strukturen
DE2452326C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Ätzmaske mittels energiereicher Strahlung
DE3842481C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee