DE19608208B4 - Verfahren zur Herstellung von Metallzwischenverbindungen in Halbleitereinrichtungen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Metallzwischenverbindungen in Halbleitereinrichtungen Download PDF

Info

Publication number
DE19608208B4
DE19608208B4 DE19608208A DE19608208A DE19608208B4 DE 19608208 B4 DE19608208 B4 DE 19608208B4 DE 19608208 A DE19608208 A DE 19608208A DE 19608208 A DE19608208 A DE 19608208A DE 19608208 B4 DE19608208 B4 DE 19608208B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
titanium nitride
titanium
metal
deposited
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19608208A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19608208A1 (de
Inventor
Gyung-Su Ichon Cho
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MagnaChip Semiconductor Ltd
Original Assignee
MagnaChip Semiconductor Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MagnaChip Semiconductor Ltd filed Critical MagnaChip Semiconductor Ltd
Publication of DE19608208A1 publication Critical patent/DE19608208A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19608208B4 publication Critical patent/DE19608208B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76853Barrier, adhesion or liner layers characterized by particular after-treatment steps
    • H01L21/76861Post-treatment or after-treatment not introducing additional chemical elements into the layer
    • H01L21/76864Thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76843Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76843Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
    • H01L21/76846Layer combinations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Verfahren zur Ausbildung einer Metallzwischenverbindung bzw. eines Metallzwischenanschlusses für Halbleitereinrichtungen, mit den folgenden Schritten:
– ein Kontaktloch wird in einer isolierenden Schicht (2) ausgebildet, die auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet ist;
– eine Titanschicht (3) wird auf der isolierenden Schicht (2) und in dem Kontaktloch durch chemische Dampfabscheidung abgeschieden,
– eine Titannitridschicht (4) wird auf der Titanschicht (3) abgeschieden, wobei sich die Titannitridschicht im amorphen Zustand befindet;
– das Substrat (1, 2, 3, 4) wird unter einer Stickstoff- und/oder Helium-Umgebung bzw. Atmoshäre thermisch getempert bzw. geglüht, wobei ein Teil der amorphen Titannitridschicht (4) zu einer kristallinen Titannitridschicht (5, 6, 7) transformiert wird;
– eine Metallschicht (8) wird auf der getemperten Titannitridschicht (5, 6, 7) abgeschieden; und
– die Titanschicht, die getemperte Titannitridschicht und die Metallschicht, die auf bzw. über dem Kontaktloch und der isolierenden Schicht bislang ausgebildet sind, werden mit einem Muster versehen bzw....

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Ausbildung einer Halbleitereinrichtung und insbesondere auf ein Verfahren zur Ausbildung einer Metallzwischenverbindung bzw. eines Metallzwischenanschlusses in einer Halbleitereinrichtung, die eine Metallschicht als Diffusionsbarriere aufweist, gemäß dem Patentanspruch 1.
  • Da die Integration von Halbleitereinrichtungen erhöht wird, sind viele Verfahren geprüft worden, um die Anschluß- bzw. Zwischenanschlußkonstruktion frei und einfach zu gestalten, und um die Bestimmung des Widerstandes und der Stromkapazität veränderlich zu machen.
  • Im allgemeinen wird Aluminium als Material für Metallanschlüsses bzw. -zwischenverbindungen von Halbleitereinrichtungen verwendet. Wenn die Integration erhöht wird, wird die Breite der Zwischenverbindungen bzw. Zwischenanschlüsse geringer, so daß die Stromdichte gesteigert wird. Die Erhöhung der Stromdichte erzeugt jedoch Fehler aufgrund von Elektromigration, Antireflexion und der Bewegung von Spannungen, die eine Verringerung der Verläßlichkeit ergeben. Um die obigen Probleme zu lösen ist ein Verfahren zur Verfügung gestellt worden, das Kupfer (Cu) oder Titan (Ti) auf der Zwischenverbindung bzw. dem Zwischenanschluß aus Aluminium (Al) abscheidet, das jedoch zu ernsthaften Problemen führt, wie etwa Isolatorfehlern oder einem Kurzschluß der Zwischenverbindungen bzw. Zwischenanschlüsse aufgrund von Phänomenen, wie etwa Erhebungs- bzw. Hügelausbildungen (Hillock) und Haar- bzw. Nadelkristallen (Whisker).
  • Die 1 ist eine querschnittliche Ansicht einer Halbleitereinrichtung, bei der die Metallzwischenverbindung bzw. -anschlüsse nach der Ausbildung der Diffusionsbarriereschicht nach einer Ausführungsform des üblichen Standes der Technik hergestellt sind. Bei dem üblichen Verfahren wird eine isolierende Schicht 2 zunächst auf einem Halbleitersubstrat 1 ausgebildet. Danach werden Kontaktlöcher an vorbestimmten Abschnitten des Halbleitersubstrats 1 durch Ätzen einiger Abschnitte der isolierenden Schicht ausgebildet, bis die Oberfläche des Substrats 1 freigelegt ist. Als nächstes werden Diffusionsbarriereschichten aus Titan (Ti) 3 und Titannitrid (TiN) 4 der Reihe nach durch physikalische Dampfabscheidung ausgebildet. Zuletzt wird eine Metallzwischenverbindung bzw. -zwischenanschluß 8 unter Verwendung von Aluminiummetall oder einer Aluminiumlegierung auf der Titannitridschicht 4 ausgebildet. Dies wird in der EP 0448763 A1 erfindungsgemäß erläutert und in der US 5,525,543 als Stand der Technik gegeben.
  • Gegenwärtig wird jedoch die Größe des Kontaktloches mehr und mehr verringert, da die Integrationshöhe der Einrichtung voranschreitet. Im Verhältnis zu der Verringerung der Kontaktlochgröße wird der Verhältnisgesichtspunkt (Größe zu Tiefe) des Kontaktloches vergrößert. Folglich wird in einem Fall, in dem die Diffusionsbarriereschichten durch die obige phyiskalische Dampfabscheidung ausgebildet werden, die Stufen- bzw. Kantenbedeckung verringert, was eine ungleichmäßig abgeschiedene Diffusionsbarriereschicht ergibt. Darüber hinaus wird in einem Fall in dem die Dicke der Barriereschicht erhöht wird, ein Abschattungseffekt an der Ecke des oberen Abschnitts des Kontaktloches verursacht, der es unmöglich macht, mit dem nachfolgenden Verfahren voranzuschreiten. Zusätzlich gibt es in einem Fall, in dem das chemische Dampfabscheidungsverfahren verwendet wird, bei dem TiCl4 mit NH3 zur Reaktion gebracht wird, um die Stufen- bzw. Kantenbedeckung zu verstärken, durch die überschüssige Erzeugung von Teilchen ein Problem. Deshalb ergibt sich ein Abfall in der Ausbeute und der Verläßlichkeit der Halbleitereinrichtungen. Darüber hinaus gibt es in diesem Falle ein Problem, da sich die Betriebsgeschwindigkeit der Halbleitereinrichtung verringert, weil deren interner Widerstand durch den Phasenübergang zu der amorphen Phase während des Abscheidens von TiN erhöht ist.
  • Vorteilhafte Wärmebehandlung von CVD Ti-reichen TiN und eher stöchiometrischen TiN-Filmen lehrt die US 5,525,543.
  • Vorteilhafte Wärmebehandlung von CVD TiN mit Ammoniak (NH3) statt Argon oder Stickstoff lehrt die WO 93/04214 A1.
  • Es ist folglich eine bevorzugte Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Ausbildung einer Metallzwischenverbindung bzw. eines Metallzwischenanschlusses einer Halbleitereinrichtung zur Verfügung zu stellen, das die Ausbeute und die Verläßlichkeit einer Halbleitereinrichtung verbessern kann, indem die Stufen- bzw. Kantenbelegung bzw. -bedeckung der Diffusionsbarriereschicht erhöht und der innere bzw. interne Widerstand und dessen Teilchenerzeugung verringert wird.
  • Um insbesondere diese Aufgabe der Erfindung zu lösen, wird ein erstes Kontaktloch an dem vorbestimmten Abschnitt des Halbleitersubstrats ausgebildet, indem aktive Bereiche ausgebildet werden und auf dem dann eine isolierende Schicht ausgebildet wird. Danach werden der Reihe nach Titan- und Titannitridschichten auf dem Kontaktloch und der isolierenden Schicht durch chemische Dampfabscheidung abgeschieden. Als nächstes wird ein thermisches Erhitzen bzw. Glühen oder Tempern unter einer N2-Umgebung bzw. -Atmosphäre durchgeführt, um die Phase der abgeschiedenen Titannitridschicht zu ändern und den Gehalt an N2 in jeder Schicht übergehen zu lassen. Letztlich wird der Metallzwischenanschluß ausgebildet, um die aktiven Bereiche aneinander anzuschließen, indem ein Zwischenverbindung- bzw. Zwischenanschlußmetall mit niedrigem Widerstand auf den Diffusionsbarriereschichten abgeschieden wird, und anschließend sämtliche Schichten auf dem Kontaktloch und der isolierenden Schicht mit einem Muster bzw. einer Halbleiterstruktur ausgebildet werden.
  • Anstelle von Stickstoff kommt auch Helium infrage.
  • Alternativ ist es auch möglich, daß die vorliegende Erfindung ferner einen Schritt umfaßt, um eine Schicht abzuscheiden, die durchgangsdünn bzw. reflexionshemmend ist (arc-thin film), die die Reflexion von Licht an dem Zwischenverbindungs- bzw. Zwischenanschlußmetall verhindert, bevor die ausgebildete Schicht mit einem Muster bzw. einer Struktur versehen werden.
  • Gemäß der Erfindung können die hier aufgeführten Verfahrensschritte auch anders vorteilhaft miteinander kombiniert werden, um diverse Vorteile einzeln bzw. in Kombination zu erzielen.
  • Nachfolgend wird die vorliegende Erfindung anhand wenigstens eines Ausführungsbeispieles unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren näher erörtert, in welchen
  • 1 eine querschnittliche Ansicht ist, um ein Verfahren zur Ausbildung der Metallzwischenverbindung bzw. -anschlusses gemäß der üblichen Ausführungsform nach dem Stand der Technik auszubilden.
  • 2A2D querschnittliche Ansichten sind, die aufeinander folgende Prozessierungen zur Ausbildung der Metallzwischenverbindung bzw. -zwischenanschlusses gemäß jeweils einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • Im folgenden ergeben sich bei der Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform mit Merkmalen nach der Erfindung weitere wesentliche Merkmale, Vorteile, Merkmalskombinationen sowie Aufgabestellungen.
  • Im folgenden wird eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die 2A bis 2D beschrieben.
  • Die 2A bis 2D sind querschnittliche Ansichten, die aufeinanderfolgend Prozessierungen bzw. Verfahrensschritte zum Ausbilden eines Metallzwischenanschlusses bzw. -zwischenverbindung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen. Zunächst wird unter Bezugnahme auf 2A eine isolierende Schicht 2 auf einem Halbleitersubstrat 1 abgeschieden, das aktive Bereiche umfaßt. Ein Kontaktloch wird dann an dem vorbestimmten Abschnitt der isolierenden Schicht 2 durch ein photolithographisches Verfahren ausgebildet, welches die freigelegte isolierende Schicht ätzt, bis die Oberfläche des Halbleitersubstrats 1 freigelegt ist. Anschließend wird, wie in 2B gezeigt, eine Titanschicht 3 auf dem inneren Abschnitt. des Kontaktloches und der gesamten Oberfläche der isolierenden Schicht 2 abgeschieden. Die Titanschicht 3 ist sehr dünn bis zu einem Grad ausgebildet, der dazu in der Lage ist, die Form des Kontaktloches 2 durch chemische Dampfabscheidung (CVD) beizubehalten, die TiCl4 mit H2 zur Reaktion bringt. Das chemische Dampfabscheidungsverfahren bzw. CVD-Verfahren ist dazu da, die Stufen- bzw. Kantenbedeckung bzw. -beschichtung der Innenseite des Kontaktloches zu verbessern oder zu verstärken. Anschließend wird eine Titannitridschicht 4 auf der Titanschicht 3 ausgebildet. Die Titannitridschicht 4 wird durch chemische Dampfabscheidung ausgebildet, um die Erzeugung der Teilchen zu unterdrücken bzw. zu vermeiden. Mit anderen Worten verwendet das Verfahren nur das Rohmaterial Tetradimethylaminotitan [Ti{N(CH3)2}4] oder Tetradiethylaminotitan [Ti{N(CH3)4}] und zerlegt Titannitrid aus einer der besagten zwei Verbindungen bzw. Zusammensetzungen durch thermisches Glühen bzw. Erhitzen oder Tempern, bei dem das zugeführte Gas Stickstoff und/oder Helium ist. Die Abscheidungstemperatur des TiN liegt in dem Bereich von 300 bis 500°C und der Druck des Ofens bzw. Reaktors wird gesteuert, um in dem Bereich von etwa 5 bis 10 mTorr zu liegen. Was ausgebildet wird ist eine amorphe Schicht danach wird das Halbleitersubstrat mit den darauf ausgebildeten obigen Schichten thermisch unter einer N2-Umgebung bzw. -Atmosphäre über den Temperaturbereich von 400 bis 600°C geglüht bzw. erhitzt. Während des Glüh- bzw. Erhitzungsverfahrens wird die Titannitridschicht 4 in drei Titannitridschichten 5, 6, 7 überführt, deren physikalische Eigenschaften voneinander unterschiedlich sind. Die untere oder erste Schicht ist aus Titannitrid 5 zusammengesetzt, das als eine amorphe Schicht existiert, die mittlere oder zweite Schicht ist aus Titannitrid 6 zusammengesetzt, die als eine kristalline Schicht existiert, und die obere oder dritte Schicht ist aus Titannitrid 7 zusammengesetzt, das als eine stickstoffreiche bzw. stickstoffangereicherte kristalline Schicht vorkommt. Hier kann das schnelle thermische Glüh- bzw. Erhitzungsverfahren (RTA-Verfahren) ebenfalls anstelle des üblichen thermischen Glühens bzw. Erhitzens oder Temperns verwendet werden. Es wird bei dem Temperaturbereich von 700 bis 900°C und in dem Zeitbereich von 10 bis 30 Sekunden durchgeführt. Das Titannitrid 4 der einzelnen Schicht weist einen sehr hohen Widerstand auf, da es in einem amorphen Zustand ist, jedoch hat die Dreifachschicht aus Titannitrid 5, 6, 7 einen niedrigen Widerstand, verglichen mit der einzelnen Schicht aus Titannitrid 4, weil ihre physikalischen Eigenschaften voneinander unterschiedlich sind. Die Titanschicht 3 und die Titannitridschichten 5, 6, 7 wirken als Diffusionsbarrieremetall, um die Diffusion von Metallatomen zu verhindern, die ohne das Vorhandensein der Barriere auftreten würde. Danach wird, wie in 2C gezeigt, ein Zwischenanschluß- bzw. Zwischenverbindungsmetall, wie etwa Aluminium, Kupfer oder eine Legierung aus Aluminium und Kupfer, usw. auf der Diffusionsbarriereschicht ausgebildet, in der das Zwischenverbindungsmetall bzw. Zwischanschlußmetall die aktiven Bereiche miteinander verbindet, indem irgendein Metall abgeschieden wird, das einen niedrigen Widerstand auf den Diffusionsbarriereschichten hat. Danach wird eine Reflexionshemm- bzw. Durchgangsmetallschicht 9 auf der Metallschicht 8 durch chemische Dampfabscheidung (CVD) ausgebildet. Hier dient die Durchgangsmetallschicht dazu, Licht davon abzuhalten, von dem Zwischenanschluß bzw. Zwischenverbindungsmetall reflektiert zu werden, wenn Licht freigesetzt wird, um ein Muster der Metallzwischenverbindung bzw. des Metallzwischenanschlusses auszubilden. Die durchgangsdünne Schicht bzw. Reflexionshemmschicht ist aus Tetradimethylaminotitan oder Tetradiethylaminotitan zusammengesetzt, und der Bereich der Abscheidungstemperatur liegt von 300 bis 450°C bzw. in etwa dazwischen. Der Schritt zur Ausbildung der durchgangdünnen Schicht 9 kann prinzipiell in jedem Falle weggelassen werden und soll die Ausbildung von Interferenzen verhindern, die bei der Herstellung von sehr schmalen Strukturen mittels eines Fotoresists vorkommen können.
  • Letztlich wird der Metallzwischenanschluß bzw. die Metallzwischenverbindung, wie in 2D gezeigt, durch Ausbilden einer Struktur von den Metallschichten 2, 5, 6, 7, 8 und 9 vervollständigt. Die Metallschicht 8 kann für ein Metall ersetzt werden, das eine hohe Leitfähigkeit besitzt, wie etwa Wolfram.
  • Wie voranstehend im einzelnen beschrieben, kann die vorliegende Erfindung den Widerstand von Titannitrid und die Erzeugung von Teilchen verringern und die Stufen- bzw. Kantenbedeckung bzw. -beschichtung verstärken oder verbessern, indem Titannitrid einer einzelnen Schicht in Titannitrid von drei Schichten mit individuellen Eigenschaften überführt wird. Die drei Schichten werden durch ein Verfahren ausgebildet, das die Ausbildung von Titannitrid durch thermische Zersetzung des Rohrmaterials, das Stickstoff und Titan enthält, und das Glühen bzw. Tempern des abgeschiedenen Titannitrids an einer Stickstoffatmosphäre bzw. -umgebung umfaßt. Folglich stellt es Wirkungen zur Verfügung, die nicht nur die Verläßlichkeit und die Ausbeute verbessern bzw. erhöhen, sondern auch die Geschwindigkeit der Signalübertragung.
  • Andere Merkmale, Vorteile und Ausführungsformen der hierin offenbarten Erfindung werden dem Fachmann im Stand der Technik gewahr werden, wenn er die voranstehende Offenbarung liest. In dieser Hinsicht können Veränderungen und Modifikationen dieser Ausführungsformen veranlaßt werden, ohne das Wesen und den Schutzbereich der beschriebenen und beanspruchten Erfindung zu verlassen, während spezifische Ausführungsformen der Erfindung im einzelnen beschrieben worden sind.
  • Die vorliegende Erfindung offenbart ein Verfahren zur Ausbildung von Metallverbindungen bzw. -anschlüssen für Halbleitereinrichtungen, das dazu in der Lage ist, die Ausbeute und die Verläßlichkeit zu verbessern bzw. zu erhöhen. Gemäß dem Verfahren wird zunächst ein Kontaktloch an einem vorbestimmten Abschnitt des Halbleitersubstrats ausgebildet, in dem aktive Bereiche ausgebildet sind und auf dem dann eine isolierende Schicht ausgebildet wird. Danach werden die Titan- und Titannitridschichten, die jeweils eine vorbestimmte Dicke haben, der Reihe nach auf dem Kontaktloch und der isolierenden Schicht durch chemische Dampfabscheidung abgeschieden. Als nächstes wird ein thermisches Tempern bzw. Glühen unter einer N2- oder Ar- bzw. He-Atmosphäre bzw. -umgebung durchgeführt, um die Phase der abgeschiedenen Titannitridschicht zu ändern und den Gehalt an N2 in jeder Schicht übergehen zu lassen. Zuletzt wird die Metallzwischenverbindung bzw. der Metallzwischenanschluß ausgebildet, um die aktiven Bereiche aneinander anzuschließen, in dem ein Anschluß- bzw. Zwischenverbindungsmetall abgeschieden wird, das einen niedrigen Widerstand auf den Diffusionsbarriereschichten bzw. -grenzschichten hat, und anschließend werden sämtliche Schichten mit einem Muster versehen, die auf dem Kontaktloch und der Isolierschicht bis jetzt ausgebildet worden sind. Alternativ ist es auch möglich, daß die vorliegende Erfindung ferner den Schritt umfaßt, eine durchgangsdünne Schicht bzw. Dünnschicht abzuscheiden, die die Reflexion von Licht an dem Zwischenverbindungs- bzw. Zwischenanschlußmetall verhindert, bevor die Ausbildung eines Musters aus den ausgebildeten Schichten vorgenommen wird.

Claims (12)

  1. Verfahren zur Ausbildung einer Metallzwischenverbindung bzw. eines Metallzwischenanschlusses für Halbleitereinrichtungen, mit den folgenden Schritten: – ein Kontaktloch wird in einer isolierenden Schicht (2) ausgebildet, die auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet ist; – eine Titanschicht (3) wird auf der isolierenden Schicht (2) und in dem Kontaktloch durch chemische Dampfabscheidung abgeschieden, – eine Titannitridschicht (4) wird auf der Titanschicht (3) abgeschieden, wobei sich die Titannitridschicht im amorphen Zustand befindet; – das Substrat (1, 2, 3, 4) wird unter einer Stickstoff- und/oder Helium-Umgebung bzw. Atmoshäre thermisch getempert bzw. geglüht, wobei ein Teil der amorphen Titannitridschicht (4) zu einer kristallinen Titannitridschicht (5, 6, 7) transformiert wird; – eine Metallschicht (8) wird auf der getemperten Titannitridschicht (5, 6, 7) abgeschieden; und – die Titanschicht, die getemperte Titannitridschicht und die Metallschicht, die auf bzw. über dem Kontaktloch und der isolierenden Schicht bislang ausgebildet sind, werden mit einem Muster versehen bzw. strukturiert.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, in dem das Titan durch chemische Dampfabscheidung ausgebildet wird, die TiCl4 mit H2 zur Reaktion bringt.
  3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, in dem die amorphe Titannitridschicht durch thermische Zersetzung von Tetradimethylaminotitan ausgebildet wird.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, in dem die amorphe Titannitridschicht durch thermische Zersetzung von Tetradiethylaminotitan ausgebildet wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 oder 4, in dem die thermische Zersetzung unter einer Bedingung einer Temperatur von 300 bis 500°C und/oder einem Druck von 5 bis 10 mTorr durchgeführt wird.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, in dem das thermische Tempern bzw. Glühen des amorphen Titannitrid in einer Stickstoff- und/oder Helium-Umgebung bzw. -Atmosphäre bei einer Temperatur von 400 bis 600°C über etwa 30 bis etwa 60 Minuten durchgeführt wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, in dem das thermische Tempern bzw. Glühen von dem amorphen Titannitrid in einer Stickstoff- und/oder Helium-Umgebung bzw. -Atmosphäre bei einer Temperatur von etwa 700 bis 900°C über etwa 10 bis 30 Sekunden durch schnelles thermisches Tempern bzw. Glühen (RTA) durchgeführt wird.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, in dem die Metallschicht Aluminium oder Kupfer oder eine Legierung davon ist.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, in dem das Verfahren ferner einen Schritt umfaßt, bei dem eine durchgangsdünne Schicht bzw. dünne Durchgangsschicht (9) auszubilden, um die Reflexion insbesondere von Licht durch Kupfer oder Aluminium (8) vor dem Schritt zur Herstellung eines Musters zum Ausbilden der Metallzwischenverbindung bzw. des Metallanschlusses zu verhindern.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, in dem die dünne Durchgangsschicht (9) aus Titan hergestellt wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 9, in dem das Titannitrid durch Zersetzung von Tetradiethylaminotitan bei etwa 300 bis 450°C ausgebildet wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 9, in dem das Titannitrid durch thermische Zersetzung von Tetradimethylaminotitan bei ca. 300 bis etwa 450°C ausgebildet wird.
DE19608208A 1995-03-04 1996-03-04 Verfahren zur Herstellung von Metallzwischenverbindungen in Halbleitereinrichtungen Expired - Fee Related DE19608208B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950004447A KR0148325B1 (ko) 1995-03-04 1995-03-04 반도체 소자의 금속 배선 형성방법
KR4447/95 1995-03-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19608208A1 DE19608208A1 (de) 1996-09-05
DE19608208B4 true DE19608208B4 (de) 2006-02-23

Family

ID=19409231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19608208A Expired - Fee Related DE19608208B4 (de) 1995-03-04 1996-03-04 Verfahren zur Herstellung von Metallzwischenverbindungen in Halbleitereinrichtungen

Country Status (6)

Country Link
JP (2) JPH08250596A (de)
KR (1) KR0148325B1 (de)
CN (1) CN1057868C (de)
DE (1) DE19608208B4 (de)
GB (1) GB2298657B (de)
TW (1) TW288171B (de)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100430684B1 (ko) * 1996-12-31 2004-07-30 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의금속배선형성방법
JP3040715U (ja) * 1997-02-19 1997-08-26 株式会社熊谷 包装袋
KR100480576B1 (ko) * 1997-12-15 2005-05-16 삼성전자주식회사 반도체장치의금속배선형성방법
KR100494320B1 (ko) * 1997-12-30 2005-08-31 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의확산방지막형성방법
KR100559028B1 (ko) * 1998-12-29 2006-06-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법
KR100495856B1 (ko) * 1998-12-30 2005-09-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 구리 금속 배선 형성 방법
JP3562628B2 (ja) * 1999-06-24 2004-09-08 日本電気株式会社 拡散バリア膜、多層配線構造、およびそれらの製造方法
US6569751B1 (en) * 2000-07-17 2003-05-27 Lsi Logic Corporation Low via resistance system
DE10154500B4 (de) * 2001-11-07 2004-09-23 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung dünner, strukturierter, metallhaltiger Schichten mit geringem elektrischen Widerstand
WO2004051726A1 (ja) 2002-11-29 2004-06-17 Nec Corporation 半導体装置およびその製造方法
JP4222841B2 (ja) * 2003-01-15 2009-02-12 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
TW200526806A (en) * 2004-01-15 2005-08-16 Tokyo Electron Ltd Film-forming method
US7253501B2 (en) * 2004-08-03 2007-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. High performance metallization cap layer
US20060113675A1 (en) * 2004-12-01 2006-06-01 Chung-Liang Chang Barrier material and process for Cu interconnect
JP5204964B2 (ja) * 2006-10-17 2013-06-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
CN101017793B (zh) * 2007-02-16 2013-06-05 上海集成电路研发中心有限公司 一种扩散阻挡层的制作方法
CN101459174B (zh) * 2007-12-13 2010-07-07 和舰科技(苏州)有限公司 一种半导体晶片的导电结构及其制造方法
CN102810504A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 无锡华润上华半导体有限公司 厚铝生长工艺方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0448763A1 (de) * 1990-03-30 1991-10-02 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von leitenden Schichten oder Strukturen für höchstintegrierte Schaltungen
WO1993004214A1 (en) * 1991-08-16 1993-03-04 Materials Research Corporation Process for forming low resistivity titanium nitride films
US5254499A (en) * 1992-07-14 1993-10-19 Micron Technology, Inc. Method of depositing high density titanium nitride films on semiconductor wafers
US5525543A (en) * 1991-09-04 1996-06-11 Oki Electric Industry, Co., Ltd. Method of making a semiconductor device using a titanium-rich silicide film

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0174743A3 (de) * 1984-09-05 1988-06-08 Morton Thiokol, Inc. Verfahren zur Abscheidung von Dünnfilmen aus Nitriden der Übergangsmetalle
EP0209654B1 (de) * 1985-05-13 1994-12-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Halbleiteranordnung mit Verbindungselektroden
US4998157A (en) * 1988-08-06 1991-03-05 Seiko Epson Corporation Ohmic contact to silicon substrate
US5136362A (en) * 1990-11-27 1992-08-04 Grief Malcolm K Electrical contact with diffusion barrier
EP0514103A1 (de) * 1991-05-14 1992-11-19 STMicroelectronics, Inc. Herstellungsverfahren von einer Metallbarriere für submikron Kontakte
US5242860A (en) * 1991-07-24 1993-09-07 Applied Materials, Inc. Method for the formation of tin barrier layer with preferential (111) crystallographic orientation
JPH05121378A (ja) * 1991-10-29 1993-05-18 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP2570576B2 (ja) * 1993-06-25 1997-01-08 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US5494860A (en) * 1995-03-14 1996-02-27 International Business Machines Corporation Two step annealing process for decreasing contact resistance

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0448763A1 (de) * 1990-03-30 1991-10-02 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von leitenden Schichten oder Strukturen für höchstintegrierte Schaltungen
WO1993004214A1 (en) * 1991-08-16 1993-03-04 Materials Research Corporation Process for forming low resistivity titanium nitride films
US5525543A (en) * 1991-09-04 1996-06-11 Oki Electric Industry, Co., Ltd. Method of making a semiconductor device using a titanium-rich silicide film
US5254499A (en) * 1992-07-14 1993-10-19 Micron Technology, Inc. Method of depositing high density titanium nitride films on semiconductor wafers

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DYRNAN, J.M. et.al.: Effects and applications of multiple-gas RTA treatment. In: Rapid Thermal and Integrated Processing, IV. Symp., Mat.Res.Soc. 1995, pp. 419-30, Conference San Francisco, CA, USA, 17.-20.4.1995 *
In: Datenbank STN, file INSPEC, AN 96:5225954 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR960035843A (ko) 1996-10-28
JPH08250596A (ja) 1996-09-27
CN1141506A (zh) 1997-01-29
GB2298657A (en) 1996-09-11
DE19608208A1 (de) 1996-09-05
KR0148325B1 (ko) 1998-12-01
JP3122845B2 (ja) 2001-01-09
CN1057868C (zh) 2000-10-25
JP2000082742A (ja) 2000-03-21
GB9604614D0 (en) 1996-05-01
TW288171B (de) 1996-10-11
GB2298657B (en) 1998-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19608208B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Metallzwischenverbindungen in Halbleitereinrichtungen
DE3851163T2 (de) Kontakt in einer Bohrung in einem Halbleiter und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE69322180T2 (de) Halbleiteranordnung mit einer Leiterschicht
DE69226411T2 (de) Herstellung eines leitenden Gebietes in elektronischen Vorrichtungen
DE69226133T2 (de) Verbindungsstruktur einer Halbleiteranordnung und ein Herstellungsverfahren dafür
DE69625265T2 (de) Halbleiterstrukturen
DE4200809C2 (de) Verfahren zur Bildung einer metallischen Verdrahtungsschicht in einem Halbleiterbauelement
DE19630310C2 (de) Halbleitervorrichtung mit einem Kondensator und Verfahren zu deren Herstellung
DE69030229T2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE3856021T2 (de) Mehrschichtverbindung für integrierte Schaltungsstruktur mit zwei oder mehreren metallischen Leiterschichten und Verfahren zum Herstellen derselben
DE69225082T2 (de) Halbleiter-Vorrichtung mit Verdrahtung der verbesserten Zuverlässigkeit und Verfahren zu ihner Herstellung
DE4342047B4 (de) Halbleiterbauelement mit einer Diffusionsbarrierenschichtanordnung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE69517295T2 (de) Weicher Metallleiter und Herstellungsverfahren
DE19700868C2 (de) Verfahren zum Herstellen von Verbindungen in einem Halbleiterbauteil
DE69429951T2 (de) Herstellungsverfahren für Halbleiteranordnung unter Verwendung der selektiven CVD-Methode
DE69102851T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Ti/TiN/Al Kontaktes unter Benutzung eines reaktiven Zerstäubungsprozesses.
EP0132720A1 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit einer aus Aluminium oder aus einer Aluminiumlegierung bestehenden äusseren Kontaktleiterbahnebene
DE69221430T2 (de) Verfahren zur Bildung eines Metalleiters für ein Halbleiterbauelement
DE19642740A1 (de) Halbleiterbauelement mit einer Aluminium-Zwischenschaltung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2033532C3 (de) Halbleiteranordnung mit einer Passivierungsschicht aus Siliziumdioxid
DE69133534T2 (de) Schichtstruktur mit Kontaktöffnung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE19515564B4 (de) Elektrode für ein Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung derselben
EP0199078A1 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit einer aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung bestehenden Kontaktleiterbahnebene und einer als Diffusionsbarriere wirkenden Tantalsilizidzwischenschicht
DE69421989T2 (de) Aufgeschichtete Dünnfilm-Zusammenfügung und Verfahren zu ihrer Bildung
DE3414781A1 (de) Vielschicht-verbindungsstruktur einer halbleitereinrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: HYNIX SEMICONDUCTOR INC., ICHON, KYONGGI, KR

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD., CHEONGJU, KR

8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee