DE1813164A1 - Verfahren zum Herstellen von Leitungsverbindungen an elektronischen schaltelementen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Leitungsverbindungen an elektronischen schaltelementen

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DE1813164A1 DE19681813164 DE1813164A DE1813164A1 DE 1813164 A1 DE1813164 A1 DE 1813164A1 DE 19681813164 DE19681813164 DE 19681813164 DE 1813164 A DE1813164 A DE 1813164A DE 1813164 A1 DE1813164 A1 DE 1813164A1
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Description

  • Verfahren zum Herstellen von Leitungsverbindungen an elektronischen Schaltelementen Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Leitungsverbindungen mit einem mit einer Vielzahl von Elektroden versehenen elektronischen Schaltelement - vorzugsweise einer integrierten Halbleiterschaltung -, dessen Elektroden im wesentlichen in einer Ebene liegen.
  • Für die Montage integrierter Schaltkreiselemente sind bereits Verfahren bekannt, um zwischen den ohmischen Kontaktbereichen der integrierten Schaltkreiselemente und den Zuführungsleitungen der Fassung oder Kapsel elektrische Leitungsverbindungen herzustellen. Bei dem zur Zeit am häufigsten benutzten Verfahren werden sehr dünne Drähte thermokompressiv mit den dafür vorgesehenen Bereichen verbunden. Bei einer Halbleiteranordnung anordnung mit 14 Zuleitungen sind somit 28 voneinander getrennte Kontaktierungsschritte edforderlich, wobei jade einzelne thermokompressive Kontaktierung eine sehr sorgfältige Finstellung der teilweise montierten Halbleiteranordnungen in dem Kontaktiergerät arforgerlich macht.
  • Seit larger Zeit wird nach einem neuen Kontaktierungsverfahren gesucht, mit dem sich der Zeitaufward und die Kosten für die Kontaktierung erheblich verringern lassen. Dabei wurde verhältnismässig viel Aufmerksamkeit auf die Zuführungsleitungen in dem Fassungen verwendet und diese unter konischer Ausbildung so weit verlängert, dass die vorderen Enden genüngen fein sind, um sie mit den Kontaktflächen des Helbleiteraufbaus direkt zu verbinden. Diese Bemühungen führten jedoch zu keinem zufriedenstellenden Erfolg, insbesondere da die an die Fassung gestellten Toleranzbedingungen niche mit den Bedingungen zu vereinbaren sind, die an die internen leitungsverbindungen zwischen den Anschlussleitungen der Fassung oder Kapsel und den Kontaktbereichen der Halbleiterschaltung gestellt werden.
  • Es ist üblich, für die Zuführungsleitungen der Fassung oder Kapsel sine unter dem Warenseichen Kovar bekannte Metallegierung zu verwenden, wobei die Leitungen etwa 2,5 x 10-1mm dick sind. Alle Bemühungen, derartige aus Kovar bestehende Leitungen direkt mit den Kontaktflächen integrierter Schaltungen zu verbinden, führten zu keinem zufriederstellenden Ergebnis. Alle mit verhältnismässing hoher Geschwindingkeit arbeitenden Techniken, um Gold- oder Aluminiumdrähte mit Hilfe einer Thermokompressiven Scweissung oder einer Vibrations-Druckschweissung zu befestigen, führen zu keiner wirklich haltbaren Verbindung, wenn ein Leitungsmaterial mit der Dicke Dicke von ungefähr 2,5 x 10 lmm Verwendung findet, oder wenn für die Leitungsverbindungen Metalle verwendet werden, die eine geringere Leitfähigkeit besitzen als z.B. Gold, Aluminium oder Kupfer. Selbst wenn anfänglich unter Verwendung eines Kontaktrahmens mit einer Dicke von etwa 2,5 x 10-1mm annehmbare Kontaktverbindungen herstellbar sind, so ist die Gefahr eines unbeabsichtigten Losreissens derartiger Leitungsverbindungen von der Halbleiterscheibe besonders gross, wenn während der normalen Handhabung oder durch eine unbeabsichtigte Biegebeanspruchung der Anordnung später Spannungen auftreten.
  • Es wurde auch schon vorgeschlagen, die Anschlussdrähte durch einzelne starre Netallbügel zu ersetzen, die die Kontaktierungsfläche der Halbleiteranordnung mit den Anschlussleitungen der Fassung verbinden. Dieser Vorschlag kann für einzelne Anwendungsfälle vorteilhaft sein, jedoch lassen sich die Montagekosten dadurch nicht wesentlich verringern.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von elektrischen bezw. elektronischen Schalteinrichtungen und besonders ein verbessertes Verfahren zum gontaktieren von iikroelektronischen Schal tkre is anordnungen, z.B. integrierten Schaltungen, zu schaffen. Dabei soll durch eine neue Massnahme zwischen den Kontaktflächen einer integrierten Schaltungs anordnung und den Anschlus sl e itungen der Fassung oder Kapsel eine einfachere und leichter herzustellende elektrische Verbindung geschaffen werden. Insbesondere soll durch die Erfindung eine Möglichkeit geschaffen werden, die Leitungsverbindungen mit den einzelnen Kontakt flächen in einem einzigen Kontaktierungsvorgang zu verbinden.
  • Ausgehend von dem eingangs erwähnten Verfahren wird diese Aufgabe erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass die freien Enden von von ausrichtbaren und nach dem Zentrum weisenden Kontaktzungen eines ersten, im wesentlichen flachen Kontaktrahmens an den Elektroden (Kontaktflächen) des Schaltelementes befestigt werden, dass ein zweiter, im wesentlichen flacher Kontaktrahmen von vorzugsweise stärkerer und grösserer Ausführung mit seinen nach innen verlaufenden Kontaktarmen auf die zugeordneten Kontraktzungen des ersten Kontaktrahmens ausgerichtet wird, und dass die inneren Enden der Kontaktarme mit den Kontakt zungen ausserhalb der Umfangs zone des Schaltelementes verbunden und die nicht für die Kontaktgabe mit dem Schaltelement benötigten Teile des ersten Kontaktrahmens entfernt werden.
  • Nach einem besonderen Merkmal der Erfindung werden alle Anschlussleitungen des ersten Xontaktrahmens mit den entsprechenden Kontaktflächen des Schaltungsaufbaus in einem einen gen Kontaktierungsvorgang verbunden. Dazu werden der Eontaktrahmen und das vorzugsweise aus einer Halbleiterscheibe bestehende Schaltelement aufeinander ausgerichtet, d.h. die Kontaktzungen in Berührung mit den entsprecheden Kontaktflächen gebracht und anschliessend die für die Herstellung der Verbindung benötigte Energie gleichzeitig allen Kontaktbereichen zugeführt. Hierfür können bekannte Kontaktierverfahren wie Weichlöten, Hartlöten, Widerstandsschweissen und thermokompressives Schweissen Verwendung finden. Als besonders geeignet wird das gleichzeitige Anlegen eines Druckes in Verbindung mit einer hochfrequenten MAterialschwingung an jede Kontaktfläche angesehen. Dieses Kontaktierverfahren ist an sich bekannt, Jedoch wurde es bisher nur in der Weise verwendet, dass entsprechend dem oben erwähnten thermokompressiven Schweissverfahren nur Jeweils ein DreJit mit einer Kontaktfläche verbunden wurde.
  • Ein Ein weiteres Merkmal der Erfindung richtet sich auf das Krümmen oder Verbiegen der Kontaktzungen des ersten Sontaitrahmens, während des Kontaktierungsvorganges, was durch ein Festhalten gegen seitliches Verschieben der Kontaktzungen bewirkt wird. Da der Kontaktierungsvorgang eine wesentliche Verformung der Kontaktzungen mit sich bringt, wird in diese eine in Längsrichtung wirksame Spannung eingeftihrt, die ausreichend gross ist, um eine ausgeprägte Vorbiegung der Kontakt zungen in Richtung des geringsten Widerstandes zu bewirken. Dadurch wird dafür Sorge getragen, dass zwischen den Kontaktzungen und den Kanten des scheibenförmigen Schaltelementes, z.B. der Halbleiterscheibe, genügend Abstand bleibt, um die Gefahr eines elektrischen Kurzschlusses zu überwinden.
  • Erfindungegemäss kann das Verbiegen der Kontakt zungen dadurch wesentlich unterstützt werden, dass der Querschnitt im Bereich der Kante des scheibenförmigen Schaltelenentes reduziert wird. Durch das Verbiegen werden die Kontakt zungen mit einer kleinen, bleibenden und schleifenförmigen Krümmung versehen, wodurch eine gewisse Flexibilität geschaffen wird, die die Kontakt flächen vor einer zu hohen unbeabsichtigten Spannungsbeanspruchung schützt. Der erste flache Kontaktrahmen, der für das Kontaktierungsverfahren gemäss der Erfindung Verwendung findet, wird vorzugsweise aus einem Aluminium- oder Kupferblech hergestellt, das eine Zugfestgkeit von etwa 700 kg/cm2 bis etwa 1700 kg/cm2 und eine Dicke von ungefähr 3,75 x 10-2mm bis 1 x 10-1mm, Jedoch vorzugsweise ungefähr 5 x 10-2mm besitzt. Selbstverständlich können auch andere Metalle Verwendung finden. Die exakte Formgebung für die Kontakt zungen kann in vorteilhafter Weise mit Hilfe eines chemischen itzverfahrens oder durch Ausstanzen in bekannter Weise ausgeführt werden. Dabei ist es vorteilhaft, einen Metallstreifen zu verwenden, der eine Vielzahl identischer identischer Kontaktrahmen anthält, die über die Länge des Streifens angeordnet sind. Die besonders hohe, für den ersten Kontaktrahmen vorgesehens Flexibilität lässt es zu, dass die Streifen in zw@ @rollter Form leicht zu largern sind und bei der Verarb@itung entsprechend dem Bedarf abgespult werden können.
  • Nach dem erfinderischen Verfahren erfolgt die Ausrichtung und Verbindung der Kontaktflächen des scheibenförmingen Schaltelements mit den Kontaktzungen des ersten Kontaktrahmens in einem einzigen Vorgang, wobei gleichseiting eine Druckkraft und eine hochfrequente Materialschwingung auf die beiden Kontakttsile einwirken. Bei sinem bevorzugten Verfahren wird ein Kontaktstift verwendet, dessen angeflachte Spitze genügend grossflächig ist, um den grüssten Teil des scheibenförmigen Schaltelementas zu bedecken. Der Kontaktstift wird gegen die Rückseite der Scheibe gedrückt, während mit Hilfe eines starren Schk@lstifted die Kontaktzungen am die Kontaktflächen angedrückt und festgehalten werden. Auf diese Weise wird die für die Herstellung der Verbindung benötigte Energie allen Kontaktbereichen gleichmässig und gleichzeiting durch das scheibenförming Schaltelement von der Rückseite aus zugeführt. Die Energie zur Herstellung der Verbindung kann jedoch auch direkt in die Kontaktbereiche eingeführt werden, indem nämlich der Kontaktierstift unmittelbar auf die mit den Kontaktflächen in Berührung stehenden Kontaktungen, d.h. an der Vorderseite des scheibenförmigen Schaltelements angesetzt wird. Jedoch werden bessere Ergebnisse erzielt, wenn der Kontaktstift an der Rückseite des scheibenförmigen Schaltelementes angreift.
  • Das Kontaktieren einer integrierten Halbleiterscheibe mit den Kontaktzungen eines ersten Kontaktrahmens wird vorzugsweise weise mit einer für diesen Zweck vorgesehenen automatischen Einrichtung geschaffen, bei der die Kontaktrahmen Streifen förmig aneinanderhängen und kontinuierlich zugeführt werden.
  • Der Streifen mit den daran befestigten Halbleiterscheiben kann sodann wider auf eine ßpule aufgewickelt werden, von der der Streifen für die nachfolgende Verbindung der ersten Kontaktrahmen mit den zweiten Kontaktrahmen abgezogen wird.
  • Die für dieses Aufwickeln notwendige Flexibilität des die ersten Eontaktraheen uifassenden Streifens würde zu unsulässigen Spannungen zwischen den Kontakt zungen und den Eontaktflächen führen und einen hohen Anteil der Kontaktzungen losbrechen, wenn der erste Kontaktrahmen die Steifigkeit besässe, die ftir die äusseren, zu dem Schaltelement führenden Anschlussleitungen erforderlich ist.
  • Gemäss der Erfindung ist ein zweiter Kontaktrahmen von stärkerer und grösserer Ausführung vorgesehen, der ebenfalls eine Vielzahl nach innen sich erstreckender Kontaktarme besitzt. Diese Kontaktarme des zweiten Rahmens stellen die äusseren Anschlussleitungen für das vollständig gefasste oder gekapselte Schaltelement dar. Die nach innen sich erstreckenden Abschnitte der Kontaktarme sind auf einen entsprechenden Teil der Kontakt zungen des ersten Rahmens ausgerichtet. Der zweite Kontaktrahmen kann aus einer mit dem Warenzeichen Kovar bezeichneten Metallegierung hergestellt sein, die aus Nickel, Kupfer, Stahl und anderen geeigneten Materialien hergestellt ist. Auch die zweiten Kontaktrahmen sind vorzugsweise nebeneinander in einem Streifen angeordnet, der eine Vielzahl identisch gleicher Kontaktrahmen umfassen kann. Die Dicke des im allgemeinen für den zweiten Eontaktrshmen benötigten Materials kann zwischen 1,5 x 10'1mm und 3 x 10-1mm liegen, wobei das Material vorzugsweise zumindest eine Zugfestigkeit von 2100 kg/cm2 aufweisen soll.
  • Der Der zwite Kontaktrahmen wird auf den ersten Kontaktrahmen derart ausgerichtet, dass die entsprechenden Kontaktzungen und Kontaktarme miteinander verschweisst bezw. in andedrer Wise verbunden werden können. Vorzugsweise wird eine Widerstandsschweissung verwendet, wobei alle Kontaktzungen gleichzeiting mit Hilfe eines zylindrischen Schweisselements an die Kontaktarme angeschweisst werden. Anstelle der Widerstandsschweissung kann die Verbindung auch durch Weichlöten, Hartlöten, thermokopressives Schweissen, Ultraschallschweissen u.s.w. hergestellt werden.
  • Vorzugsweise nach dem Schweissvorgang werden die üuber die Schweisspunkte hinausstehenden Teile des ersten Kontakrahmens z.B durch Abschneiden oder Abreissen entfernt. Nunmehr befindet sich das montierte Schaltelement in einem für das Fassen oder Kapseln geeigneten Zustans.
  • Das erfindungssemässe Verfahren kann einen weiteren Verfahrensschritt umfassen, mit dem eine starre, die gesamte Halbleiterscheibe überspannende Halterung an den Kontaktzungen des ersten Kontaktrahmens befestigt wird. Damit werden die Kontaktflächen gegen.übermässige. Zug- oder Druckbeanspruchungen geschüztz, die während der Handhabung und dem Vergiessen vor Fassen oder Kapseln der Schaltelemente auftreten können. Die starre Halterung kann aus einer Keramikscheibe oder e r rechteckigen Keramikplatte bestehen, deren Durchmesser oder Katenlänge wesentlich grösser als die Hauptabmessung des scheibenförmingen Schaltelementes ist.
  • Die Kontakt zungen des ersten Kontaktrahmens werde mit Hilfe eines polymeren Klebstoffes an der Keramikscheibe befestigt.
  • Dieser Klebstoff wird vorteilhafterweise verwendet, da er die Fähigkeit besitzt, auf der Oberflache eines Halbleitergebildes einen Passivierungseffekt zu bewirken. Dabei wird der Klebstoff Klebstoff über einen Bereich der Keramikscheibe ausgebreitet, der genügend gross ist, um die Halbleiteroberfläche und die daran befestigten Kontakt zungen fest mit dem Keramikträger zu verbinden. Diese keramische Halterung vergrössert die von Spannungs zuständen auf Grund wechselnder Temperaturen abhängige Lebensdauer ganz beträchtlich.
  • Eine beispielsweise Ausführungsform der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt. Es zeigen: Fig. 1 einen für das Verfahren gemäss der Erfindung geeigneten Aufbau eines integrierten Schaltkreiselementes in vergrössertem Masstab.
  • Fig. 2 eine vergrösserte Draufsicht auf drei in Streifenform angeordnete erste Kontaktrahmen.
  • Fig. 3 einen Schnitt, der das Verbinden der Kontaktzungen des ersten Kontaktrahmens mit den entsprechenden Kontaktflächen der Halbleiterscheibe vergrössert darstellt.
  • Fig. 3a einen Teilausschnitt einer anderen Art der Verbindung der Kontakt zungen des ersten Kontaktrahmens mit entsprechenden Kontakt flächen.
  • Fig. 4 eine vergrösserte Draufsicht auf einen ersten Kontaktrahmen, an dem eine Halbleiterscheibe gemäss Fig.-l befestigt ist.
  • Fig. 5 eine vergrösserte Draufsicht auf einen Teil eines aus zweiten Kontaktrahmen bestehenden Streifens.
  • Fig.
  • Fig. 6 eine vergrösserte Ansicht, welche die mit den Kontaktarmen des zweiten Kontaktrahmens verschweissten Konzaktzungen des ersten Kontaktrahmens zeigt.
  • Fig. 7 eine vergrösserte Draufsicht auf ein vollständig montiertes scheibenförmiges Schaltelement in dem Zustand vor dem Vergiessen bezw. Fassen oder Kapsein.
  • Fig. 8 eine perspektivische Ansicht einer in einem Plastikgehäuse vergossenen Anordnung gemäss Fig. 7.
  • Fig. 9 eine perspektivische, teilweise geschnittene Ansicht einer in einer Keramikfassung hermetisch eingeschlossenen Anordnung gemäss Fig. 7.
  • Bei der in Fige 1 dargestellten Scheibe 11 einer Halbleiterschaltung sind acht Kontaktbereiche 12 aus Aluminium oder einem anderen geeigneten MetaLl vorgesehen, die die Oberfläche der Scheibe etwa um lXu überragen. Für diese Kontaktbereiche sind insbesondere koplanare Flächen erwünscht, um die Zuverlässigkeit der in einem einzigen Vorgang hergestellten Verbindung der Kontaktzungen mit den Kontaktflächen zu verbessern. Die integrierte Schaltung als solche ist in der Zeic ung nicht dargestellt, da sie für die Erfindung ohne Belang ist.
  • In Fig. 2 ist der geometrische Aufbau einer Ausführungsform des ersten Kontaktrahmens dargestellt. Die Darstellung zeigt drei identische, in einem Metallstreifen 21 angeordnete Kontaktrahmen 22, 23 und 24, von denen jeder eine Vielzahl nach innen verlaufender Kontaktzungen 25 besitzt, wobei die Anzahl der Zungen der Anzahl der Kontaktbersiche12 der der integrierten Schaltung entspricht, mit welchen die Kontakt zungen verbunden werden. Am Streifen 21 sind Fortschaltlöcher 26 vorgesehen, um den für die Kontaktierung vorgesehenen Kontiktrahmen genau derart einzustellen und aus zu richten, dass die vorderen Enden der Kontakt zungen 25 die Kontaktbereiche 12 der integrierten Schaltung berühren.
  • In Fig. 3 ist schematisch der Kontaktierungsvorgang dargestellt, während dem die Kontaktflächen 12 mit den vorderen Enden der Kontaktzungen 25 verbunden werden. Zu diesem Zweck wird z.B. der Kontaktrahmen 22 auf einer Halterung 31 derart angeordnet, dass die Enden der Kontaktzungen 25 mittelpunktsymmetrisch zu einem Sockelstift 32 liegen. Die Halbleiterscheibe wird sodann mit der Oberfläche nach unten auf die Enden der Kontakt zungen gelegt und ein Kontaktierstift 33 gegen die Haibleiterscheibe mit genügend hohem Druck gepresst, wobei gleichzeitig eine vorzugsweise zwischen 5 und 100 kHz liegende hochfrequente Schwingung angelegt wird, die eine dauerhafte Verbindung der Kontaktflächen 12 mit den entsprechenden Kontaktzungen 25 bewirkt.
  • Während der Kontaktierung sind die Kontakt zungen des Rahmens 22 gegen eine seitliche Verschiebung gehalten, so dass die Kontakt zungen 25 auf Grund der Verformung der vorderen Enden im Bereich der Kontaktflächen eine leichte Verbiegung erfahren. Diese Verformung der vorderen Enden der Kontaktzungen liegt vorzugsweise zwischen ungefähr 25% und 50%.
  • Die sich auf Grund der Verformung ergebende Krümmung 34 an Jeder Kontaktzunge 25 ist ausreichend, um die Gefahr eines Kurzschlusses zu beseitigen, der sich bei einer Berührung der Kontaktzunge mit der Kante der Halbleiterscheibe ergeben würde. Der Sockelstift 32 wird von einer ringförmigen Ausnehmung 35 umgeben, die die Entstehung der Krümmung unterstützt terstützt. Bei der in Fig. 3 dargestellten Ausführungsform der Kontaktzungen 25a sind diese mit einer Ausnehmung 36 versehen, die im Bereich der Kante der Halb1eterscheibe 11 liegt. Auch durch die Verwendung einer derartigen Ausnehmung kann ein Kurzschluss vermieden werden. Bei dieser Ausführungsform lässt sich die Halterung 31a dahingehend vereinfachen, dass auf die ringförmige Ausnehmung 35 verzichtet werden kann.
  • Der in Fig. 4 dargestellte, von dem Streifen 21 abgetrennte Kontaktrahmen 22 zeigt die damit verbundene Scheibe 11. Nach einem weiteren Merkmal der Erfindung überspannt eine starre Halterung 41 die Scheibe 11 und ist an den Kontaktzungen 25 befestigt. Damit wird eine übermässige auf die Eontaktbereiche wirkende Spannung weitgehend entfernt. Diese starre Halterung 41 kann beispielsweise aus einer Keramikscheibe bestehen, die mit den Kontaktzungen sowie mit der Scheibe selbst mit Hilfe eines polymeren Klebstoffes verbunden ist.
  • Fig. 5 zeigt einen Streifen 51, in dem die zweiten Eontaktrahmen 52 und 53 angeordnet sind. Diese Kontaktrahmen sind mit nach innen verlaufenden Kontaktarmen 54 versehen. Ferner sind Fortschaltlöcher 55 im Streifen 51 angeordnet, um den Kontaktrahmen ingleicher Weise wie beim Streifen 21 genau ausrichten zu können. Der Streifen 51 ist aus einem stärkeren Blechmaterial hergestellt, da die Kontaktarme 54 für die Verwendung als nach aussen ragende Anschlussleitungen für das gefasste oder gekapselte Schaltelement geeignet sein müssen.
  • In Fig. 6 ist das Befestigen der Kontaktzungen 25 an den Kontaktarmen 54 dargestellt. Dies wird in der Weise durchgeführt, dass der Streifen 21 in Berührung mit dem Streifen 51 gebracht wird, wobei die Kontaktzungen 25 auf die Kontakt arme taktarme 54 in der dargestellten Weise ausgerichtet werden.
  • In dieser Stellung werden die Kontaktarme und Kontaktzungen an den Punkten 61 verlötet und verschweisst. Die Eontaktierung kann in einem einzigen, der Darstellung gemäss Fig. 3 entsprechenden Vorgang ausgeführt werden.
  • Aus der vorausgehenden Beschreibung ergibt sich, dass durch die Kombination eines ersten und zweiten Kontaktrahmens die notwendigen Kompromisse umgangen werden können, die bei einem Versuch, einen einzigen Kontaktrahmen sowohl für die inneren Leitungsverbindungen zu den Kontaktflächen der integrierten Schaltung als auch für die äusseren Anschlussleitungen zu verwenden, eingegangen werden müssen.
  • Durch die Erfindung wird auch in vorteilhafter Weise eine beachtliche Verringerung der Werkzeugkosten möglich, da die genaue Formgebung des zweiten Kontaktrahmens nicht geändert werden muss, um diesen an verschiedene Grössen und Formen der Mikroschaltkreise bezw. an die unterschiedliche Anordnung der daran vorgesehenen Kontaktflächen anzupassen. Diese Anpassung kann leicht durch ehe unterschiedliche Ausgestaltung des ersten Kontaktrahmens vorgenommen werden, indem nämlich die Kontaktsungen derart verlaufen, dass die Jeweils notwendigen Leitungsverbindungen zwischen der Scheibe und dem zweiten Kontaktrahmen hergestellt werden. Somit werden die Werkzeugkosten im wesentlichen auf die für die Herstellung des ersten Kontaktrebmens benötigten Kosten beschränkt, der Jedoch wegen seiner kleineren Größe und seinem leichteren Gewicht billiger herzustellen ist.
  • In Fig. 9 ist das vollständig montierte Schaltelement dargestellt, nachdei die nicht benötigten Teile des Streifens 21 abgetrennt worden sind und die Kontaktzungen 25 somit eine eine Verbindung zwischen den Schweisspunkten 61 der Eontaktarme 54 und dem scheibenförmigen Schaltelement herstellen.
  • Die gesamte Anordnung gemäss Fig. 7 wird anschliessend gefasst oder gekapselt und die überschüssigen Teile des Streifens 51 in der Weise abgetrennt, dass das in Fig. 8 dargestellte Endprodukt 81 entsteht. Das Kapseln oder Fassen des montierten Schaltelementes in einem Plastikgehäuse kann nach einem der verschiedenen bekannten Verfahren durchgeführt werden und ist daher nicht Teil der Erfindung.
  • Gemäss einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann die in Fig. 4 dargestellte Anordnung in einer Weise abgeändert werden, dass eine zweite Keramikscheibe gegen die Rückseite des scheibenförmigen Schaltelementes gekittet wird, so dass dieses sandwich-artig zwischen zwei Keramikscheiben oder Keramikplatten angeordnet ist. Ein für diesen Zweck verwendeter Klebstoff kann aus einem Epoxydharz bestehen. Diese aus zwei Keramikscheiben bestehende sandwich-artig aufgebaute Fassung des scheibenförmigen Schaltelementes kann für einige Anwendungsarten als Kapselung vollkommen ausreichen. Zu diesem Zweck können die Kontaktzungen 25 vom Kontaktrahmen 22 abgetrennt werden, wodurch sofort eine marktfähige Einheit entsteht, bei der das scheibenförmige Schaltelement 11 und die Kontakt zungen 25 zwischen zwei Keramikscheiben mit einem synthetischen Kunstharzkleber verkittet sind.
  • In Fig. 9 ist eine teilweise geschnittene Keramikfassung 91 perspektivisch dargestellt,,die aus einer oberen Keramikplatte 92 und einer unteren Keramikplatte besteht, die mit hilfe einer Glasiasse 93 verkittet sind, wobei die Glasmasse eine auch die Anschlusaleitungen 54 umfassende hermetische Abdichtung bewirkt. Die in der Kapsel gefasste Halbleiteranordnung aus der Scheibe 11 und den Kontaktzungen 25 ist in der in Fig. 7 dargestellten Weise mit den als Anschlussleitungen dienenden Kontakt armen verbunden. Patentansr>rüche'

Claims (10)

  1. P a t e n t a n 8 p r Z c-h e 1. Verfahren zum Herstellen von Leitungsverbindungen mit einem mit einer Vielzahl von Elektroden versehenen elektronischen Schaltelement - vorzugsweise einer integrierten Halbleiterschaltung -, dessen Elektroden im wesentlichen in einer Ebene liegen, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t, dass die freien Enden. von ausrichtbaren und nach dem Zentrum weisenden Kontaktzungen (25) eines ersten, im wesentlichen flachen Eontaktrah mens (22; 23" 24) an den Elektroden (Kontaktflächen 12) des Schaltelementes (11) befestigt werden, dass ein zweiter, imwesentlichen flacher Kontaktrahmen (52;53) von vorzugsweise stärkerer und grösserer Ausführung mit seinen nach innen verlaufenden Kontaktarmen (54) auf die zugeordneten Kontakt zungen (25) des ersten Kontaktrahmens ausgerichtet wird, und dass die inneren Enden der gontaktarme mit den Kontaktzungen ausserhalb der Umfassungszone des Schalt elementes verbunden und die nicht für die Kontaktgabe mit dem Schaltelement benötigten Teile des ersten Kontaktrahmens entfernt werden.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e n n -z e i c h n e t, dass das eine integrierte Halbleiterschaltung umfassende Schaltelement (11) mit Kontaktflächen (12) versehen wird, welche die umliegenden Oberflächen um mindestens l/u überragen.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e n n -z e i c h n e t, dass der erste Kontaktrahmen aus Aluminium mit einer Dicke zwischen ungefähr 2,5 x 10-2 mm und 1 x 10 lmm hergestellt wird.
  4. 4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch g e k e n n z e i c h n e t, dass zumindest eine der Kontakt zungen des ersten Kontaktrahmens mit einer Ausnehmung (36) versehen wird, um den Querschnitt der gontakt zunge neben der Kontakt fläche zu verkleinern.
  5. 5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch g e .k e n n z e i c h n e t, dass die Eontaktzungen (25) des ersten Kontaktrahmens mit den Kontaktflächen (12) in einem einzigen Vorgang verbunden werden, in dem gleichzeitig mit einem Druck den Kontaktbereichen eine hochfrequente Material schwingung zugeführt wird.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch g e k e n n -z e i c h n e t, dass die Kontaktzungen des ersten Kontaktrahmens (21) während der Kontaktierung festgehalten werden, so dass durch die Verformung der Kontakt zungen im Kontaktbereich eine leichte Kriimmung (34) in der Weise bewirkt wird, dass die Kontaktzungen die Kanten der Halbleiterscheibe nicht berühren.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e n n -z e i c h n e t, dass die überschüssigen Teile des ersten Kontaktrahmens entfernt werden, bevor die Kontaktzungen mit dem zweiten Kontaktrahmen verbunden werden.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g ek e n n -z e i c h n e t, dass der zweite Kontaktrahmen (51) zumindest die doppelte Dicke des ersten Kontaktrahmens (21) aufweist, und dass die seitliche Ausdehnung des zweiten Kontaktrahmens mindestens doppelt so gross wie die des ersten Xontaktrahmens ist.
  9. 9. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch g e k e n n z e i c h n e t, dass das durch die Verwendung der Kontaktrahmen fertig montierte Halbleiterelement in einer Kunststoffassung (82) gekapselt wird.
  10. 10. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch g e k e n n z e i c h n e t, dass das durch die Verwendung der Kontaktrahmen fertig montierte Halbleiterelement zwischen Keramikscheiben gefasst wird.
    L e e r s e i t e
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