DE102023205525B3 - Method for tempering an optical element, projection exposure system and method for determining an optimized temperature profile of an optical element - Google Patents

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Abstract

Dargestellt und beschrieben ist ein Verfahren zum Temperieren eines optischen Elements (10) für die Mikrolithographie umfassend die folgenden Schritte: 1a) Bereitstellen wenigstens eines temperierbaren optischen Elements (10) für die Mikrolithographie, wobei das optische Element (10) eine Mehrzahl von temperierbaren Zonen (12) aufweist, wobei ein Teil der temperierbaren Zonen (12) in einem optisch genutzten Bereich (OGB) des optischen Elements (10) angeordnet ist, und wobei ein Teil der temperierbaren Zonen (12) in einem optisch ungenutzten Bereich (OUB) des optischen Elements angeordnet ist, 2a) Temperieren des optischen Elements (10), wobei wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen (12) in dem optisch genutzten Bereich (OGB), in einem ersten Abschnitt (OUB1) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB) und/oder in einem zweiten Abschnitt (OUB2) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB) temperiert wird. Um eine umfangreichere und/oder energieeffizientere Beeinflussung der Strahlung zu erreichen wird vorgeschlagen, dass in Schritt 2a) in dem zweiten Abschnitt (OUB2) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB) wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen (12) nicht dieselbe Temperatur aufweist wie wenigstens ein anderer Teil der temperierbaren Zonen (12) in dem zweiten Abschnitt (OUB2) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB) und/oder wie wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen (12) in dem ersten Abschnitt (OUB1) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB).Shown and described is a method for tempering an optical element (10) for microlithography, comprising the following steps: 1a) providing at least one temperable optical element (10) for microlithography, wherein the optical element (10) has a plurality of temperable zones (12), wherein a portion of the temperable zones (12) is arranged in an optically used region (OGB) of the optical element (10), and wherein a portion of the temperable zones (12) is arranged in an optically unused region (OUB) of the optical element, 2a) tempering the optical element (10), wherein at least a portion of the temperable zones (12) is tempered in the optically used region (OGB), in a first section (OUB1) of the optically unused region (OUB) and/or in a second section (OUB2) of the optically unused region (OUB). In order to achieve a more extensive and/or more energy-efficient influence on the radiation, it is proposed that in step 2a) in the second section (OUB2) of the optically unused area (OUB) at least some of the temperature-controlled zones (12) do not have the same temperature as at least another part of the temperature-controlled zones (12) in the second section (OUB2) of the optically unused area (OUB) and/or as at least some of the temperature-controlled zones (12) in the first section (OUB1) of the optically unused area (OUB).

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Temperieren eines optischen Elements für die Mikrolithographie umfassend die folgenden Schritte: 1a) Bereitstellen wenigstens eines temperierbaren optischen Elements für die Mikrolithographie, wobei das optische Element eine Mehrzahl von temperierbaren Zonen aufweist, wobei ein Teil der temperierbaren Zonen in einem optisch genutzten Bereich des optischen Elements angeordnet ist, und wobei ein Teil der temperierbaren Zonen in einem optisch ungenutzten Bereich des optischen Elements angeordnet ist, 2a) Temperieren des optischen Elements, wobei wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen in dem optisch genutzten Bereich, in einem ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs und/oder in einem zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs temperiert wird.The present invention relates to a method for tempering an optical element for microlithography, comprising the following steps: 1a) providing at least one temperable optical element for microlithography, wherein the optical element has a plurality of temperable zones, wherein some of the temperable zones are arranged in an optically used region of the optical element, and wherein some of the temperable zones are arranged in an optically unused region of the optical element, 2a) tempering the optical element, wherein at least some of the temperable zones are tempered in the optically used region, in a first section of the optically unused region and/or in a second section of the optically unused region.

Die vorliegende Erfindung betrifft weiter eine Projektionsbelichtungsanlage.The present invention further relates to a projection exposure system.

Die vorliegende Erfindung betrifft weiter ein Verfahren zum Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils eines optischen Elements für die Mikrolithographie umfassend die folgenden Schritte: 1b)Bereitstellen eines initialen Temperaturprofils eines optischen Elements für die Mikrolithographie, wobei das optische Element eine Mehrzahl von temperierbaren Zonen aufweist, wobei ein Teil der temperierbaren Zonen in einem optisch genutzten Bereich des optischen Elements angeordnet ist, wobei ein Teil der temperierbaren Zonen in einem optisch ungenutzten Bereich des optischen Elements angeordnet ist, wobei das initiale Temperaturprofil für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen eine jeweilige initiale Solltemperatur umfasst, und wobei eine initiale Temperierleistung erforderlich ist, um das initiale Temperaturprofil einzustellen, 2b) Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils des optischen Elements ausgehend von dem initialen Temperaturprofil mittels eines Optimierungsverfahrens, wobei das optimierte Temperaturprofil für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen eine jeweilige optimierte Solltemperatur umfasst, wobei eine optimierte Temperierleistung erforderlich ist, um das optimierte Temperaturprofil einzustellen, wobei für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen in dem optisch genutzten Bereich die jeweilige Solltemperatur für das optimierte Temperaturprofil gegenüber der jeweiligen Solltemperatur des initialen Temperaturprofils unverändert bleibt, wobei für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen in dem optisch ungenutzten Bereich die jeweilige Solltemperatur für das optimierte Temperaturprofil gegenüber der jeweiligen Solltemperatur des initialen Temperaturprofils verändert wird.The present invention further relates to a method for determining an optimized temperature profile of an optical element for microlithography, comprising the following steps: 1b) Providing an initial temperature profile of an optical element for microlithography, wherein the optical element has a plurality of temperature-controlled zones, wherein a portion of the temperature-controlled zones is arranged in an optically used region of the optical element, wherein a portion of the temperature-controlled zones is arranged in an optically unused region of the optical element, wherein the initial temperature profile for at least a portion of the temperature-controlled zones comprises a respective initial target temperature, and wherein an initial temperature control power is required in order to set the initial temperature profile, 2b) Determining an optimized temperature profile of the optical element based on the initial temperature profile by means of an optimization method, wherein the optimized temperature profile for at least a portion of the temperature-controlled zones comprises a respective optimized target temperature, wherein an optimized temperature control power is required in order to set the optimized temperature profile, wherein for at least a portion of the temperature-controlled zones in the optically used area, the respective target temperature for the optimized temperature profile remains unchanged compared to the respective target temperature of the initial temperature profile, wherein for at least some of the temperature-controlled zones in the optically unused area, the respective target temperature for the optimized temperature profile is changed compared to the respective target temperature of the initial temperature profile.

Die vorliegende Erfindung betrifft weiter eine Vorrichtung zur Datenverarbeitung.The present invention further relates to a device for data processing.

Die vorliegende Erfindung betrifft weiter ein Computerprogramm.The present invention further relates to a computer program.

Die vorliegende Erfindung betrifft weiter ein computerlesbares Medium.The present invention further relates to a computer-readable medium.

Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird beispielsweise mit einer Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche unter anderem ein Beleuchtungssystem, insbesondere eine Beleuchtungsoptik, und/oder ein Projektionssystem, insbesondere eine Projektionsoptik, aufweist. Die Struktur einer mittels der Beleuchtungsoptik belichteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels der Projektionsoptik auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsoptik angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Wafer, insbesondere Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.Microlithography is used to produce microstructured components, such as integrated circuits. The microlithography process is carried out, for example, with a projection exposure system which, among other things, has an illumination system, in particular illumination optics, and/or a projection system, in particular projection optics. The structure of a mask (reticle) exposed by means of the illumination optics is projected by means of the projection optics onto a substrate coated with a light-sensitive layer (photoresist) and arranged in the image plane of the projection optics, for example a wafer, in particular a silicon wafer, in order to transfer the mask structure onto the light-sensitive coating of the substrate.

Eines der Ziele bei der Entwicklung von Projektionsbelichtungsanlagen besteht darin, Strukturen mit zunehmend kleineren Abmessungen auf dem Substrat lithographisch zu erzeugen, beispielsweise um bei Halbleiterbauelementen höhere Integrationsdichten zu erzielen. Ein Ansatz besteht darin, mit kürzeren Wellenlängen von elektromagnetischer Strahlung zu arbeiten. Beispielsweise wurden optische Systeme entwickelt, die elektromagnetische Strahlung aus dem sogenannten „deep ultraviolet“ Bereich (DUV), insbesondere mit Arbeitswellenlängen im Bereich zwischen 150 nm und 400 nm, insbesondere 365 nm, 248 nm oder 193 nm, oder aus dem extremen Ultraviolettbereich (EUV) verwenden, insbesondere mit Arbeitswellenlängen im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm, insbesondere bei 13,5 nm.One of the goals in the development of projection exposure systems is to lithographically produce structures with increasingly smaller dimensions on the substrate, for example in order to achieve higher integration densities in semiconductor components. One approach is to work with shorter wavelengths of electromagnetic radiation. For example, optical systems have been developed that use electromagnetic radiation from the so-called "deep ultraviolet" range (DUV), in particular with working wavelengths in the range between 150 nm and 400 nm, in particular 365 nm, 248 nm or 193 nm, or from the extreme ultraviolet range (EUV), in particular with working wavelengths in the range between 5 nm and 30 nm, in particular at 13.5 nm.

Um die Strahlung während des Mikrolithographieprozess zu beeinflussen, beispielsweise um Abbildungsfehler zu korrigieren, ist es bekannt optische Elemente der Projektionsbelichtungsanlage zu manipulieren. Die Manipulation der optischen Elemente kann dabei beispielsweise durch ein Temperieren, also ein Erwärmen und/oder Kühlen, des jeweiligen optischen Elements erfolgen. Das Temperieren kann dann zu einer Veränderung des Brechungsindex sowie zu einer Deformation des optischen Elements führen, wobei die Veränderung des Brechungsindex und die Deformation des optischen Elements die Strahlung beeinflussen und somit wiederum zu einer bestimmten optischen Wirkung führen. Das Temperieren kann dabei in und/oder mittels einer Vielzahl von temperierbaren Zonen erfolgen.In order to influence the radiation during the microlithography process, for example to correct imaging errors, it is known to manipulate optical elements of the projection exposure system. The manipulation of the optical elements can be carried out, for example, by tempering, i.e. heating and/or cooling, the respective optical element. The tempering can then lead to a change in the refractive index and to a deformation of the optical element, whereby the change in the refractive index and the deformation of the optical element influence the radiation and thus in turn lead to a certain optical effect. The tempering can take place in and/or by means of a large number of temperable zones.

Bei einer derartigen Manipulation war es bisher üblich ein Temperaturprofil einzustellen bei denen im optisch ungenutzten Bereich im Wesentlichen konstant eine Referenztemperatur gehalten wird, insbesondere um angrenzende Bauteile der Projektionsbelichtungsanlage nicht zu beeinflussen. Im optisch genutzten Bereich wurde wiederum wenigstens abschnittsweise von der Referenztemperatur abweichende Temperaturen eingestellt, um eine gewünschte Beeinflussung der Strahlung zu erzielen. Zwischen dem optisch genutzten Bereich und dem optisch ungenutzten Bereich ergab sich somit oftmals eine eindeutige und strikte Abgrenzung in den jeweils vorherrschenden Temperaturen.In such manipulation, it has previously been common practice to set a temperature profile in which a reference temperature is essentially kept constant in the optically unused area, in particular in order not to influence adjacent components of the projection exposure system. In the optically used area, temperatures deviating from the reference temperature were set at least in sections in order to achieve the desired influence on the radiation. This often resulted in a clear and strict demarcation in the respective prevailing temperatures between the optically used area and the optically unused area.

Von Nachteil ist jedoch, dass eine derartige eindeutige und strikte Abgrenzung in den vorherrschenden Temperaturen im Übergang zwischen optisch genutzten Bereich und optisch ungenutzten Bereich eine hohe Temperierleistung erfordert. Wird beispielsweise der optisch genutzte Bereich angrenzend an den optisch ungenutzten Bereich stark erwärmt, muss aufgrund der Wärmeübertragung, insbesondere Wärmeleitung, zwischen den einzelnen temperierbaren Zonen am angrenzenden optisch ungenutzten Bereich entsprechend stark gekühlt werden, um die Referenztemperatur im optisch ungenutzten Bereich zu halten. Dies ist zum einen im Hinblick auf die Energie- bzw. Leistungseffizienz nicht optimal, da für das Temperieren gemäß der bisher üblichen Temperaturprofile hohe Mengen an Energie bzw. Leistung erforderlich sind. Zum anderen hat ein derartiges Temperaturprofil zur Folge, dass dem optisch ungenutzten Bereich immer ausreichend Temperierleistung zur Verfügung stehen muss, um die Referenztemperatur konstant zu halten, wobei diese Temperierleistung dann nicht dem optisch genutzten Bereich zur Manipulation des optischen Elements und somit zur Beeinflussung der Strahlung zur Verfügung gestellt werden kann. Eine umfangreichere Manipulation ist bei einem derartig abgegrenzten Temperaturprofil oftmals nur durch Anpassung des optischen Elements und/oder der Projektionsbelichtungsanlage möglich.However, the disadvantage is that such a clear and strict demarcation of the prevailing temperatures in the transition between the optically used area and the optically unused area requires a high temperature control power. If, for example, the optically used area adjacent to the optically unused area is heated up to a high degree, the adjacent optically unused area must be cooled accordingly due to heat transfer, in particular heat conduction, between the individual temperature-controlled zones in order to maintain the reference temperature in the optically unused area. On the one hand, this is not optimal in terms of energy or power efficiency, since large amounts of energy or power are required for temperature control according to the previously usual temperature profiles. On the other hand, such a temperature profile means that the optically unused area must always have sufficient temperature control power available to keep the reference temperature constant, whereby this temperature control power cannot then be made available to the optically used area for manipulating the optical element and thus influencing the radiation. With such a limited temperature profile, more extensive manipulation is often only possible by adjusting the optical element and/or the projection exposure system.

Aus dem Stand der Technik ist die DE 10 2019 202 531 A1 bekannt, die ein optisches Korrekturelement, eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit einem Korrekturelement und ein Verfahren zur Auslegung eines Korrekturelementes offenbart.The state of the art is the EN 10 2019 202 531 A1 which discloses an optical correction element, a projection exposure system for semiconductor lithography with a correction element and a method for designing a correction element.

Ferner ist aus dem Stand der Technik die DE 10 2019 217 185 A1 bekannt, die eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie offenbart.Furthermore, the state of the art shows that EN 10 2019 217 185 A1 which discloses a projection exposure system for semiconductor lithography.

Zudem ist aus dem Stand der Technik die DE 10 2011 005 778 A1 bekannt, die ein optisches Element offenbart.In addition, the state of the art EN 10 2011 005 778 A1 which discloses an optical element.

Außerdem ist aus dem Stand der Technik die US 2003/ 0 169 520 A1 bekannt, die eine Spiegelbaugruppe mit thermischer Kontursteuerung offenbart.In addition, the state of the art US 2003/ 0 169 520 A1 which discloses a mirror assembly with thermal contour control.

Vor diesem Hintergrund liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zu Grunde ein Verfahren zum Temperieren eines optischen Elements für die Mikrolithographie, eine Projektionsbelichtungsanlage, ein Verfahren zum Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils eines optischen Elements für die Mikrolithographie, eine Vorrichtung zur Datenverarbeitung, ein Computerprogramm und ein computerlesbares Medium derart auszugestalten und weiterzubilden, dass eine umfangreichere und/oder energieeffizientere Beeinflussung der Strahlung erfolgen kann.Against this background, the present invention is based on the object of designing and developing a method for tempering an optical element for microlithography, a projection exposure system, a method for determining an optimized temperature profile of an optical element for microlithography, a device for data processing, a computer program and a computer-readable medium in such a way that a more extensive and/or more energy-efficient influence on the radiation can take place.

Die zuvor genannte Aufgabe wird bei dem Verfahren zum Temperieren eines optischen Elements für die Mikrolithographie dadurch gelöst, dass in Schritt 2a) in dem zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen nicht dieselbe Temperatur aufweist wie wenigstens ein anderer Teil der temperierbaren Zonen in dem zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs und/oder wie wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen in dem ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs.The above-mentioned object is achieved in the method for tempering an optical element for microlithography in that in step 2a) in the second section of the optically unused region at least some of the temperable zones do not have the same temperature as at least another part of the temperable zones in the second section of the optically unused region and/or as at least some of the temperable zones in the first section of the optically unused region.

Das Verfahren zum Temperieren eines optischen Elements für die Mikrolithographie umfasst zunächst den folgenden Schritt: 1a) Bereitstellen wenigstens eines temperierbaren optischen Elements für die Mikrolithographie. Das optische Element ist für den Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage vorgesehen, insbesondere um bei der Belichtung eines Substrats die eingesetzte Strahlung zu beeinflussen. Das optische Element kann wenigstens eine Linse und/oder wenigstens ein Spiegel umfassen, insbesondere als Linse und/oder Spiegel ausgestaltet sein. Bei dem optischen Element kann es sich alternativ oder zusätzlich um eine planparallele und/oder wenigstens abschnittsweise transparente Platte handeln. Das optische Element kann dabei durch eine Temperierungseinrichtung temperiert werden. Das optische Element kann dazu eine Temperierungseinrichtung umfassen und/oder mit einer Temperierungseinrichtung zusammenwirken. Die Temperierungseinrichtung kann wenigstens ein Temperierungselement, beispielsweise ein Heizelement und/oder einen Kühlelement, umfassen. Das Temperierungselement kann wenigstens abschnittsweise mit dem optischen Element verbunden sein und/oder wenigstens abschnittsweise in dem optischen Element eingebettet sein.The method for tempering an optical element for microlithography initially comprises the following step: 1a) Providing at least one temperable optical element for microlithography. The optical element is intended for use in a projection exposure system, in particular to influence the radiation used when exposing a substrate. The optical element can comprise at least one lens and/or at least one mirror, in particular be designed as a lens and/or mirror. The optical element can alternatively or additionally be a plane-parallel and/or at least partially transparent plate. The optical element can be tempered by a tempering device. The optical element can comprise a tempering device for this purpose and/or interact with a tempering device. The tempering device can comprise at least one tempering element, for example a heating element and/or a cooling element. The tempering element can be connected to the optical element at least in sections and/or embedded in the optical element at least in sections.

Unter dem Begriff „Temperieren“ wird in der vorliegenden Offenbarung ein Erwärmen und/oder Kühlen verstanden. Ein temperierbares optisches Element kann folglich erwärmt und/oder gekühlt werden.The term “tempering” in the present disclosure means heating and/or cooling. A temperable optical Element can therefore be heated and/or cooled.

Ferner ist vorgesehen, dass das optische Element eine Mehrzahl von temperierbaren Zonen aufweist. Durch das Vorsehen von temperierbaren Zonen wird es vereinfacht gezielt die Temperatur an verschiedenen Stellen des optischen Elements anzupassen. Vorteilhafterweise ist es vorgesehen, dass die temperierbaren Zonen jeweils individuell und/oder unabhängig voneinander temperierbar sind. Die temperierbaren Zonen können wenigstens entlang einer Oberfläche des optischen Elements angeordnet sein. Es kann vorgesehen sein, dass wenigstens ein Teil der, insbesondere im Wesentlichen alle, temperierbaren Zonen jeweils mit der Temperierungseinrichtung in Kontakt stehen und/oder verbunden sind. Alternativ oder zusätzlich kann vorgesehen sein, dass wenigstens ein Teil der Temperierungseinrichtung jeweils in wenigstens einem Teil der, insbesondere in im Wesentlichen allen, temperierbaren Zonen eingebettet ist.Furthermore, it is provided that the optical element has a plurality of temperature-controlled zones. The provision of temperature-controlled zones makes it easier to specifically adjust the temperature at different points on the optical element. It is advantageously provided that the temperature-controlled zones can each be individually and/or independently of one another. The temperature-controlled zones can be arranged at least along one surface of the optical element. It can be provided that at least some of the, in particular essentially all, temperature-controlled zones are in contact with and/or connected to the temperature control device. Alternatively or additionally, it can be provided that at least some of the temperature control device is embedded in at least some of the, in particular essentially all, temperature-controlled zones.

Zudem ist vorgesehen, dass ein Teil der temperierbaren Zonen in einem optisch genutzten Bereich des optischen Elements angeordnet ist. Durch entsprechend angeordnete temperierbaren Zonen kann die für die Belichtung vorgesehene Strahlung beeinflusst werden. Insbesondere können durch die Beeinflussung der Strahlung bei der Belichtung in einer Projektionsbelichtungsanlage auftretende Abbildungsfehler korrigiert werden. Der optisch genutzte Bereich wird oftmals auch als optisch freier Bereich bezeichnet und beschreibt insbesondere den Bereich auf und/oder durch den beim Einsatz des optischen Elements in einer Projektionsbelichtungsanlage, vorzugsweise während der Belichtung eines Substrats, für die Belichtung vorgesehene Strahlung geleitet wird.In addition, it is provided that some of the temperature-controlled zones are arranged in an optically used area of the optical element. The radiation intended for exposure can be influenced by appropriately arranged temperature-controlled zones. In particular, imaging errors that occur during exposure in a projection exposure system can be corrected by influencing the radiation. The optically used area is often also referred to as the optically free area and describes in particular the area to and/or through which the radiation intended for exposure is directed when the optical element is used in a projection exposure system, preferably during exposure of a substrate.

Außerdem ist vorgesehen, dass ein Teil der temperierbaren Zonen in einem optisch ungenutzten Bereich des optischen Elements angeordnet ist. Der optisch ungenutzte Bereich beschreibt insbesondere den Bereich auf und/oder durch den beim Einsatz des optischen Elements in einer Projektionsbelichtungsanlage, vorzugsweise während der Belichtung eines Substrats, für die Belichtung vorgesehene Strahlung nicht geleitet wird. Der optisch ungenutzte Bereich und der optisch genutzte Bereich sind vorzugsweise wenigstens abschnittsweise in derselben Ebene und/oder wenigstens abschnittsweise auf derselben Seite des optischen Elements angeordnet.It is also provided that some of the temperature-controlled zones are arranged in an optically unused area of the optical element. The optically unused area describes in particular the area to and/or through which the radiation intended for exposure is not guided when the optical element is used in a projection exposure system, preferably during exposure of a substrate. The optically unused area and the optically used area are preferably arranged at least in sections in the same plane and/or at least in sections on the same side of the optical element.

Durch entsprechend angeordnete temperierbaren Zonen kann verhindert oder zumindest entgegengewirkt werden, dass an das optische Element angrenzende Bauteile einer Projektionsbelichtungsanlage durch das Temperieren des optisch genutzten Bereichs beeinflusst werden. Dies wird vorzugsweise dadurch erreicht, dass die temperierbaren Zonen im optisch ungenutzten Bereich wenigstens teilweise auf eine Referenztemperatur temperiert werden.By means of appropriately arranged temperature-controlled zones, it is possible to prevent or at least counteract the fact that components of a projection exposure system adjacent to the optical element are influenced by the temperature control of the optically used area. This is preferably achieved by at least partially controlling the temperature-controlled zones in the optically unused area to a reference temperature.

Das Verfahren zum Temperieren eines optischen Elements für die Mikrolithographie umfasst zudem den folgenden Schritt: 2a) Temperieren des optischen Elements. Durch das Temperieren werden die Effekte erzielt, die bereits bei den temperierbaren Zonen im optisch genutzten Bereich und optisch ungenutzten Bereich erläutert wurden.The method for tempering an optical element for microlithography also includes the following step: 2a) Tempering the optical element. Tempering achieves the effects that were already explained for the temperable zones in the optically used area and the optically unused area.

Ferner ist vorgesehen, dass wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen in dem optisch genutzten Bereich, in einem ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs und/oder in einem zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs temperiert wird. Durch ein Temperieren des optisch genutzten Bereichs wird eine Beeinflussung der für die Belichtung vorgesehene Strahlung vereinfacht. Durch ein Temperieren des optisch ungenutzten Bereichs kann die Temperatur außerhalb des optisch genutzten Bereichs auf gewünschte Temperaturen eingestellt werden, worauf nachfolgend eingegangen wird. Der optisch ungenutzte Bereich kann neben dem ersten Abschnitt und dem zweiten Abschnitt noch weitere Abschnitte aufweisen. Vorzugsweise ist es jedoch vorgesehen, dass der optisch ungenutzte Bereich lediglich aus dem ersten Abschnitt und dem zweiten Abschnitt besteht.It is further provided that at least some of the temperature-controlled zones in the optically used area, in a first section of the optically unused area and/or in a second section of the optically unused area are temperature-controlled. By temperature-controlling the optically used area, influencing the radiation intended for exposure is made easier. By temperature-controlling the optically unused area, the temperature outside the optically used area can be set to desired temperatures, which will be discussed below. The optically unused area can have further sections in addition to the first section and the second section. Preferably, however, it is provided that the optically unused area consists only of the first section and the second section.

Gemäß dem Verfahren ist zudem vorgesehen, dass in Schritt 2a) in dem zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen nicht dieselbe Temperatur aufweist wie wenigstens ein anderer Teil der temperierbaren Zonen in dem zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs und/oder wie wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen in dem ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs. Hierdurch liegt im optisch ungenutzten Bereich nicht mehr überall eine und dieselbe, vorzugsweise im Wesentlichen konstante, Temperatur, beispielsweise Referenztemperatur, vor. Dadurch wird wiederum erreicht, dass die Abgrenzung zwischen dem optisch genutzten Bereich und dem optisch ungenutzten Bereich zumindest hinsichtlich der vorherrschenden Temperaturen weniger eindeutig und strikt ist und stattdessen vorzugsweise ein eher fließender Übergang vorliegt. Im optisch ungenutzten Bereich angrenzenden an den optisch genutzten Bereich ist ein starkes Gegentemperieren wie bisher üblich somit nicht mehr nötig, sodass hierdurch die benötigte Temperierleistung des gesamten optischen Elements verringert wird. Eine energieeffizientere Nutzung ist somit möglich. Zudem können auch Temperaturprofile umgesetzt werden, welche mehr Temperierleistung in dem optisch genutzten Bereich erfordern als bisher üblich. Dies kann auch dazu genutzt werden die Herstellung des optischen Elements zu vereinfachen. Durch die Temperierleistung, die dem optisch genutzten Bereich nun zusätzlich zur Verfügung gestellt werden kann, kann eine Beeinflussungen der für die Belichtung vorgesehene Strahlung in einem Umfang erfolgen, die bisher nicht oder nur mit einem angepassten konstruktiven Aufbaus des optischen Elements erreicht werden konnte . Vorteilhafterweise kann vorgesehen sein, dass in Schritt 2a) in dem zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen nicht auf dieselbe Temperatur temperiert wird wie wenigstens ein anderer Teil der temperierbaren Zonen in dem zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs und/oder wie wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen in dem ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs. Durch ein entsprechendes Temperieren wird weiter vereinfacht, dass ein eher fließender Übergang zwischen dem optisch genutzten Bereich und dem optisch ungenutzten Bereich vorliegt.According to the method, it is also provided that in step 2a) in the second section of the optically unused area at least some of the temperature-controlled zones do not have the same temperature as at least another part of the temperature-controlled zones in the second section of the optically unused area and/or as at least some of the temperature-controlled zones in the first section of the optically unused area. As a result, the same, preferably essentially constant, temperature, for example reference temperature, is no longer present everywhere in the optically unused area. This in turn ensures that the demarcation between the optically used area and the optically unused area is less clear and strict, at least with regard to the prevailing temperatures, and instead there is preferably a more fluid transition. In the optically unused area adjacent to the optically used area, strong counter-temperature control as was previously usual is therefore no longer necessary, so that the required temperature control power of the entire optical element is reduced. More energy-efficient use is therefore possible. In addition, temperature profiles can be implemented that require more temperature control in the optically used area than previously possible. This can also be used to simplify the manufacture of the optical element. Due to the tempering power that can now additionally be made available to the optically used area, the radiation intended for exposure can be influenced to an extent that could not previously be achieved or could only be achieved with an adapted structural design of the optical element. Advantageously, it can be provided that in step 2a) in the second section of the optically unused area at least some of the temperable zones are not tempered to the same temperature as at least another part of the temperable zones in the second section of the optically unused area and/or as at least some of the temperable zones in the first section of the optically unused area. Appropriate tempering further simplifies the fact that there is a more fluid transition between the optically used area and the optically unused area.

Ein „Temperaturprofil“ in der vorliegenden Offenbarung umfasst vorzugsweise wenigstens für einen Teil, insbesondere im Wesentlichen alle, temperierbaren Zonen eine jeweilige Solltemperatur. Bei der jeweiligen Solltemperatur handelt es sich um die Temperatur, auf die die jeweilige temperierbare Zone temperiert werden soll. Die Solltemperatur kann dabei beispielsweise eine absolute Temperatur oder die Differenz zu einer Vergleichstemperatur, vorzugsweise der Referenztemperatur, angeben.A "temperature profile" in the present disclosure preferably comprises a respective target temperature for at least some, in particular essentially all, temperature-controlled zones. The respective target temperature is the temperature to which the respective temperature-controlled zone is to be tempered. The target temperature can, for example, indicate an absolute temperature or the difference to a comparison temperature, preferably the reference temperature.

Unter der „Temperierleistung“ wird in der vorliegenden Offenbarung vorzugsweise die Leistung verstanden, die zur Temperierung, insbesondere der jeweiligen temperierbaren Zonen, eingesetzt wird, vorzugsweise um eine oder mehrere bestimmte Solltemperaturen und/oder ein bestimmtes Temperaturprofil zu erreichen. Bei der Temperierleistung kann es sich beispielsweise um Heizleistung und/oder Kühlleistung handeln.In the present disclosure, the term "temperature control power" is preferably understood to mean the power used for temperature control, in particular of the respective temperature-controlled zones, preferably in order to achieve one or more specific target temperatures and/or a specific temperature profile. The temperature control power can be, for example, heating power and/or cooling power.

Bei einer Ausführungsform des Verfahrens zum Temperieren eines optischen Elements für die Mikrolithographie ist vorgesehen, dass in Schritt 2a) in dem ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen auf eine Referenztemperatur temperiert wird, dass in Schritt 2a) in dem zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen nicht die Referenztemperatur aufweist, dass in Schritt 2a) in dem zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen auf wenigstens eine Temperatur abweichend von der Referenztemperatur und/oder auf unterschiedliche Temperaturen temperiert wird und/oder dass in Schritt 2a) in dem optisch genutzten Bereich wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen auf wenigstens eine Temperatur abweichend von der Referenztemperatur und/oder auf unterschiedliche Temperaturen temperiert wird.In one embodiment of the method for tempering an optical element for microlithography, it is provided that in step 2a) in the first section of the optically unused region at least some of the temperable zones are tempered to a reference temperature, that in step 2a) in the second section of the optically unused region at least some of the temperable zones do not have the reference temperature, that in step 2a) in the second section of the optically unused region at least some of the temperable zones are tempered to at least one temperature deviating from the reference temperature and/or to different temperatures and/or that in step 2a) in the optically used region at least some of the temperable zones are tempered to at least one temperature deviating from the reference temperature and/or to different temperatures.

Durch ein entsprechendes Temperieren des ersten Abschnitts des optisch ungenutzten Bereichs wird vereinfacht, dass an das optische Element angrenzende Bauteile einer Projektionsbelichtungsanlage durch das Temperieren des optisch genutzten Bereichs und/oder des zweiten Abschnitts des optisch ungenutzten Bereichs nicht oder zumindest nur in geringem Maße beeinflusst werden. Es bietet sich daher an, den ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs insbesondere dort anzuordnen, wo das optische Element mit anderen Bauteilen in Kontakt kommen kann, insbesondere mit anderen Bauteilen verbindbar ist. Beispielsweise kann der erste Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs angrenzend an mit dem optischen Element verbundenen Sensoren angeordnet sein, um die Funktion der Sensoren nicht zu beeinflussen. Es kann vorteilhafterweise vorgesehen sein, dass in dem ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs im Wesentlichen alle temperierbaren Zonen auf die Referenztemperatur temperiert werden. Dies vereinfacht es andere Bauteile nicht durch das Temperieren des optisch genutzten Bereichs zu beeinflussen. Bei der Referenztemperatur handelt es sich insbesondere um eine im Wesentlichen konstante und/oder vorgegebene Temperatur.By appropriately controlling the temperature of the first section of the optically unused area, it is made easier for components of a projection exposure system adjacent to the optical element to not be influenced, or at least only to a small extent, by the temperature control of the optically used area and/or the second section of the optically unused area. It is therefore advisable to arrange the first section of the optically unused area in particular where the optical element can come into contact with other components, in particular where it can be connected to other components. For example, the first section of the optically unused area can be arranged adjacent to sensors connected to the optical element in order not to influence the function of the sensors. It can advantageously be provided that in the first section of the optically unused area, essentially all temperature-controlled zones are tempered to the reference temperature. This makes it easier for other components not to be influenced by the temperature control of the optically used area. The reference temperature is in particular a substantially constant and/or predetermined temperature.

Durch ein entsprechendes Temperieren in dem zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs wird vereinfacht, dass die Abgrenzung zwischen dem optisch genutzten Bereich und dem optisch ungenutzten Bereich zumindest hinsichtlich der vorherrschenden Temperaturen weniger eindeutig und strikt ist, sondern vorzugsweise ein eher fließender Übergang vorhanden ist. Durch ein Temperieren ist es nämlich einfacher die entsprechende Temperatur zu erreichen und zu halten. In dem zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs können im Wesentlichen alle temperierbaren Zonen nicht die Referenztemperatur aufweisen. Jedoch kann es Temperaturprofile geben, bei denen es sinnvoll ist, dass auch einige Zonen im zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs Referenztemperatur aufweisen. Es kann vorgesehen sein, dass in dem zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen jeweils individuell auf wenigstens eine Temperatur abweichend von der Referenztemperatur und/oder auf voneinander unterschiedliche Temperaturen temperiert werden. Alternativ oder zusätzlich kann beispielsweise vorgesehen sein in dem zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs im Wesentlichen alle temperierbaren Zonen auf wenigstens eine Temperatur abweichend von der Referenztemperatur zu temperieren. Jedoch kann es Temperaturprofile geben, bei denen es sinnvoll ist, auch einige Zonen im zweiten Abschnitt auf Referenztemperatur zu temperieren. Durch ein entsprechendes Temperieren in dem optisch genutzten Bereich wird eine gewünschte Beeinflussung der für die Belichtung vorgesehene Strahlung vereinfacht.Appropriate temperature control in the second section of the optically unused area simplifies the demarcation between the optically used area and the optically unused area, at least with regard to the prevailing temperatures, so that a more fluid transition is preferably present. Temperature control makes it easier to reach and maintain the appropriate temperature. In the second section of the optically unused area, essentially all temperature-controlled zones cannot have the reference temperature. However, there may be temperature profiles in which it is sensible for some zones in the second section of the optically unused area to also have a reference temperature. It can be provided that in the second section of the optically unused area, at least some of the temperature-controlled zones are each individually temperature-controlled to at least one temperature deviating from the reference temperature and/or to different temperatures from one another. Alternatively or additionally, it can be provided, for example, to temperature-control essentially all temperature-controlled zones in the second section of the optically unused area to at least one temperature deviating from the reference temperature. However, there may be temperature profiles where it is useful to also to temper some zones in the second section to reference temperature. By appropriately tempering the optically used area, the desired influence on the radiation intended for exposure is simplified.

Bei einer Ausführungsform des Verfahrens zum Temperieren eines optischen Elements für die Mikrolithographie ist vorgesehen, dass in Schritt 2a) das optische Element derart temperiert wird, dass die über wenigstens einen Teil, vorzugsweise im Wesentlichen alle, temperierbaren Zonen gemittelte Temperaturabweichung zu der Referenztemperatur unterhalb eines vorgegebenen Schwellwerts liegt. Hierdurch kann der Energieeintrag in das optische Element, insbesondere das Gesamtsystem, auf einfache Weise beschränkt werden. Dadurch wird wiederum vereinfacht, dass an das optische Element angrenzende Bauteile einer Projektionsbelichtungsanlage durch das Temperieren des optisch genutzten Bereichs nicht oder zumindest nur in geringem Maße beeinflusst werden.In one embodiment of the method for tempering an optical element for microlithography, it is provided that in step 2a) the optical element is tempered in such a way that the temperature deviation from the reference temperature averaged over at least some, preferably essentially all, temperable zones is below a predetermined threshold value. This makes it easy to limit the energy input into the optical element, in particular the entire system. This in turn makes it easier for components of a projection exposure system adjacent to the optical element to not be influenced, or at least only to a small extent, by the tempering of the optically used area.

Bei einer Ausführungsform des Verfahrens zum Temperieren eines optischen Elements für die Mikrolithographie ist vorgesehen, dass der optisch ungenutzte Bereich wenigstens abschnittsweise am Rand des optischen Elements, insbesondere wenigstens abschnittsweise entlang des Rands des optischen Elements umlaufend, angeordnet ist und/oder dass der erste Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs wenigstens abschnittsweise am Rand des optischen Elements, insbesondere wenigstens abschnittsweise entlang des Rands des optischen Elements umlaufend, angeordnet ist. Hierdurch wird verhindert oder zumindest entgegengewirkt, dass an das optische Element angrenzende Bauteile durch das Temperieren des optisch genutzten Bereichs beeinflusst werden. Der optisch ungenutzte Bereich und/oder der erste Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs können vorteilhafterweise im Wesentlichen vollständig entlang des Rands des optischen Elements umlaufend angeordnet sein. Hierdurch wird der zuvor genannte Effekt noch weiter verstärkt.In one embodiment of the method for tempering an optical element for microlithography, it is provided that the optically unused region is arranged at least in sections on the edge of the optical element, in particular at least in sections along the edge of the optical element, and/or that the first section of the optically unused region is arranged at least in sections on the edge of the optical element, in particular at least in sections along the edge of the optical element. This prevents or at least counteracts components adjacent to the optical element from being influenced by the tempering of the optically used region. The optically unused region and/or the first section of the optically unused region can advantageously be arranged essentially completely along the edge of the optical element. This further enhances the aforementioned effect.

Bei einer Ausführungsform des Verfahrens zum Temperieren eines optischen Elements für die Mikrolithographie ist vorgesehen, dass der zweite Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs wenigstens abschnittsweise zwischen dem ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs und dem optisch genutzten Bereich angeordnet ist und/oder der optisch genutzte Bereich wenigstens abschnittsweise in der Mitte des optischen Elements angeordnet ist. Durch eine Anordnung des zweiten Abschnitts des optisch ungenutzten Bereichs zwischen dem ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs und dem optisch genutzten Bereich wird weiter vereinfacht, dass die Abgrenzung zwischen dem optisch genutzten Bereich und dem optisch ungenutzten Bereich zumindest hinsichtlich der vorherrschenden Temperaturen weniger eindeutig und strikt ist, sondern vorzugsweise ein eher fließender Übergang vorliegt. Die Anordnung des optisch genutzten Bereichs in der Mitte des optischen Elements vereinfacht wiederum die Anordnung des optischen Elements, insbesondere des optisch genutzten Bereichs, in einer Projektionsbelichtungsanlage. Zum anderen wird vereinfacht, dass angrenzende Bauteile der Projektionsbelichtungsanlage nicht durch das Temperieren beeinflusst werden, da bei einer mittigen Anordnung ausreichend Platz an den Rändern des optischen Elements für den optisch ungenutzten Bereich, insbesondere den ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs, vorhanden ist. Vorteilhafterweise kann vorgesehen sein, dass der optisch genutzte Bereich von dem ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs und/oder dem zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs wenigstens abschnittsweise, insbesondere im Wesentlichen vollständig, umgeben ist. Hierdurch wird ein eher fließender Übergang zwischen den unterschiedlichen Bereichen zumindest hinsichtlich der vorherrschenden Temperaturen weiter vereinfacht.In one embodiment of the method for tempering an optical element for microlithography, it is provided that the second section of the optically unused region is arranged at least in sections between the first section of the optically unused region and the optically used region and/or the optically used region is arranged at least in sections in the middle of the optical element. By arranging the second section of the optically unused region between the first section of the optically unused region and the optically used region, it is further simplified that the demarcation between the optically used region and the optically unused region is less clear and strict, at least with regard to the prevailing temperatures, but rather there is preferably a more fluid transition. The arrangement of the optically used region in the middle of the optical element in turn simplifies the arrangement of the optical element, in particular the optically used region, in a projection exposure system. On the other hand, it is simplified that adjacent components of the projection exposure system are not influenced by the temperature control, since with a central arrangement there is sufficient space at the edges of the optical element for the optically unused area, in particular the first section of the optically unused area. Advantageously, it can be provided that the optically used area is surrounded by the first section of the optically unused area and/or the second section of the optically unused area at least in sections, in particular essentially completely. This further simplifies a more fluid transition between the different areas, at least with regard to the prevailing temperatures.

Die zuvor genannte Aufgabe wird weiterhin gelöst durch ein Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie umfassend: wenigstens ein temperierbares optisches Element, und eine Steuerung, wobei das optische Element und/oder die Steuerung eingerichtet ist das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5 durchzuführen. Die Projektionsbelichtungsanlage kann zudem eine Strahlungsquelle, ein Beleuchtungssystem, insbesondere umfassend eine Beleuchtungsoptik, ein Projektionssystem, insbesondere umfassend eine Projektionsoptik, und/oder einen Substrathalter, auch Waferhalter genannt, umfassen. Vorzugsweise können die temperierbaren Zonen über einen Querschnitt des Strahlengangs der Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere der Projektionsoptik, verteilt angeordnet sein.The aforementioned object is further achieved by a projection exposure system for microlithography comprising: at least one temperature-controlled optical element, and a controller, wherein the optical element and/or the controller is set up to carry out the method according to one of claims 1 to 5. The projection exposure system can also comprise a radiation source, an illumination system, in particular comprising illumination optics, a projection system, in particular comprising projection optics, and/or a substrate holder, also called a wafer holder. The temperature-controlled zones can preferably be arranged distributed over a cross-section of the beam path of the projection exposure system, in particular the projection optics.

Die zuvor genannte Aufgabe wird weiterhin durch das Verfahren zum Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils eines optischen Elements für die Mikrolithographie gelöst.The aforementioned object is further achieved by the method for determining an optimized temperature profile of an optical element for microlithography.

Die Ausführungen zum Verfahren zum Temperieren eines optischen Elements für die Mikrolithographie sowie zur Projektionsbelichtungsanlage sind dabei auf das Verfahren zum Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils eines optischen Elements für die Mikrolithographie übertragbar und umgekehrt.The statements on the method for tempering an optical element for microlithography and on the projection exposure system can be transferred to the method for determining an optimized temperature profile of an optical element for microlithography and vice versa.

Das Verfahren zum Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils eines optischen Elements für die Mikrolithographie umfasst dabei zunächst den folgenden Schritt: 1b) Bereitstellen eines initialen Temperaturprofils eines optischen Elements für die Mikrolithographie. Für das Temperieren eines entsprechenden optischen Elements können bereits Temperaturprofile bekannt sein. Diese Temperaturprofile sind jedoch in der Regel für eine eindeutige und strikte Abgrenzung in den vorherrschenden Temperaturen zwischen optisch genutzten Bereich und optisch ungenutzten Bereich ausgelegt. Das initiale Temperaturprofil kann ein derartiges Temperaturprofil darstellen.The method for determining an optimized temperature profile of an optical element for microlithography initially comprises the following step: 1b) Providing an initial temperature profile of an optical element for microlithography. Temperature profiles may already be known for tempering a corresponding optical element. However, these temperature profiles are usually designed for a clear and strict demarcation in the prevailing temperatures between the optically used area and the optically unused area. The initial temperature profile can represent such a temperature profile.

Ferner ist vorgesehen, dass das optische Element eine Mehrzahl von temperierbaren Zonen aufweist, dass ein Teil der temperierbaren Zonen in einem optisch genutzten Bereich des optischen Elements angeordnet ist und dass ein Teil der temperierbaren Zonen in einem optisch ungenutzten Bereich des optischen Elements angeordnet ist. Hinsichtlich dieser Merkmale wird auf die entsprechenden Ausführungen zum Verfahren zum Temperieren eines optischen Elements für die Mikrolithographie verwiesen, wobei diese Ausführungen hier entsprechend übertragbar sind. Zudem ist vorgesehen, dass das initiale Temperaturprofil für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen eine jeweilige initiale Solltemperatur umfasst. Bei der jeweiligen initialen Solltemperatur handelt es sich um die jeweilige Solltemperatur des initialen Temperaturprofils. Das initiale Temperaturprofil kann vorzugsweise für im Wesentlichen alle temperierbaren Zonen eine jeweilige initiale Solltemperatur umfassen. Dies vereinfacht eine gezielte und umfassende Temperierung des optischen Elements.It is further provided that the optical element has a plurality of temperature-controlled zones, that some of the temperature-controlled zones are arranged in an optically used region of the optical element and that some of the temperature-controlled zones are arranged in an optically unused region of the optical element. With regard to these features, reference is made to the corresponding statements on the method for temperature control of an optical element for microlithography, whereby these statements can be transferred here accordingly. It is also provided that the initial temperature profile for at least some of the temperature-controlled zones includes a respective initial target temperature. The respective initial target temperature is the respective target temperature of the initial temperature profile. The initial temperature profile can preferably include a respective initial target temperature for essentially all temperature-controlled zones. This simplifies targeted and comprehensive temperature control of the optical element.

Außerdem ist vorgesehen, dass eine initiale Temperierleistung erforderlich ist, um das initiale Temperaturprofil einzustellen. Das initiale Temperaturprofil wird dabei insbesondere am optischen Element durch Temperieren des optischen Elements, insbesondere mittels der initialen Temperierleistung, eingestellt.It is also intended that an initial tempering power is required to set the initial temperature profile. The initial temperature profile is set in particular on the optical element by tempering the optical element, in particular by means of the initial tempering power.

Das Verfahren zum Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils eines optischen Elements für die Mikrolithographie umfasst zudem den folgenden Schritt: 2b) Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils des optischen Elements ausgehend von dem initialen Temperaturprofil mittels eines Optimierungsverfahrens. Hierdurch wird eine umfangreichere und energieeffizientere Beeinflussung der Strahlung erreicht. Das optimierte Temperaturprofil wird dabei ausgehend von dem initialen Temperaturprofil bestimmt und behält einige der Eigenschaften des initialen Temperaturprofils, insbesondere im optisch genutzten Bereich, wie nachfolgend noch erläutert wird.The method for determining an optimized temperature profile of an optical element for microlithography also includes the following step: 2b) Determining an optimized temperature profile of the optical element based on the initial temperature profile using an optimization method. This achieves a more comprehensive and energy-efficient influence on the radiation. The optimized temperature profile is determined based on the initial temperature profile and retains some of the properties of the initial temperature profile, in particular in the optically used area, as will be explained below.

Außerdem ist vorgesehen, dass das optimierte Temperaturprofil für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen eine jeweilige optimierte Solltemperatur umfasst. Bei der jeweiligen optimierten Solltemperatur handelt es sich um die jeweilige Solltemperatur des optimierten Temperaturprofils. Das optimierte Temperaturprofil kann vorzugsweise für im Wesentlichen alle temperierbaren Zonen eine jeweilige optimierte Solltemperatur umfassen. Dies vereinfacht eine gezielte und umfassende Temperierung des optischen Elements. Alternativ oder zusätzlich können das initiale Temperaturprofil und/oder das optimierte Temperaturprofil für wenigstens teilweise dieselben, insbesondere dieselben, temperierbaren Zonen eine entsprechende Solltemperatur umfassen.It is also provided that the optimized temperature profile includes a respective optimized target temperature for at least some of the temperature-controlled zones. The respective optimized target temperature is the respective target temperature of the optimized temperature profile. The optimized temperature profile can preferably include a respective optimized target temperature for essentially all temperature-controlled zones. This simplifies targeted and comprehensive temperature control of the optical element. Alternatively or additionally, the initial temperature profile and/or the optimized temperature profile can include a corresponding target temperature for at least some of the same, in particular the same, temperature-controlled zones.

Außerdem ist vorgesehen, dass eine optimierte Temperierleistung erforderlich ist, um das optimierte Temperaturprofil einzustellen. Das optimierte Temperaturprofil wird dabei insbesondere am optischen Element durch Temperieren des optischen Elements, insbesondere mittels der optimierten Temperierleistung, eingestellt.It is also intended that an optimized temperature control performance is required in order to set the optimized temperature profile. The optimized temperature profile is set in particular on the optical element by tempering the optical element, in particular by means of the optimized temperature control performance.

Ferner ist vorgesehen, dass für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen in dem optisch genutzten Bereich die jeweilige Solltemperatur für das optimierte Temperaturprofil gegenüber der jeweiligen Solltemperatur des initialen Temperaturprofils unverändert bleibt. Hierdurch wird sichergestellt, dass die Beeinflussung der für die Belichtung vorgesehene Strahlung durch das optimierte Temperaturprofil nicht oder nur geringfügig verändert wird. Vorteilhafterweise ist vorgesehen, dass für im Wesentlichen alle temperierbaren Zonen in dem optisch genutzten Bereich die jeweilige Solltemperatur für das optimierte Temperaturprofil gegenüber der jeweiligen Solltemperatur des initialen Temperaturprofils unverändert bleibt.It is further provided that for at least some of the temperature-controlled zones in the optically used area, the respective target temperature for the optimized temperature profile remains unchanged compared to the respective target temperature of the initial temperature profile. This ensures that the influence of the radiation intended for exposure by the optimized temperature profile is not changed or only slightly changed. It is advantageously provided that for essentially all temperature-controlled zones in the optically used area, the respective target temperature for the optimized temperature profile remains unchanged compared to the respective target temperature of the initial temperature profile.

Außerdem ist vorgesehen, dass für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen in dem optisch ungenutzten Bereich die jeweilige Solltemperatur für das optimierte Temperaturprofil gegenüber der jeweiligen Solltemperatur des initialen Temperaturprofils verändert wird. Hierdurch soll ein Temperaturprofil mit einem eher fließenden Übergang zwischen den unterschiedlichen Bereichen zumindest hinsichtlich der vorherrschenden Temperaturen bestimmt werden.It is also intended that for at least some of the temperature-controlled zones in the optically unused area, the respective target temperature for the optimized temperature profile is changed compared to the respective target temperature of the initial temperature profile. This is intended to determine a temperature profile with a rather smooth transition between the different areas, at least with regard to the prevailing temperatures.

Nach der Durchführung des Schritts 2b) ist somit für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen in dem optisch genutzten Bereich die Solltemperatur des optimierten Temperaturprofils unverändert gegenüber der jeweiligen Solltemperatur des initialen Temperaturprofils und für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen in dem optisch ungenutzten Bereich ist die jeweilige Solltemperatur des optimierten Temperaturprofils gegenüber der jeweiligen Solltemperatur des initialen Temperaturprofils verändert.After carrying out step 2b), the target temperature of the optimized temperature profile is thus unchanged compared to the respective target temperature of the initial temperature profile for at least some of the temperature-controlled zones in the optically used area, and the respective target temperature of the optimized temperature profile is unchanged compared to the respective set temperature of the initial temperature profile.

Bei dem Optimierungsverfahrens kann es sich um eine mathematische Optimierung handeln. Das Optimierungsverfahren kann das Bestimmen eines Modells (M) umfassen, wobei das Modell (M) den Zusammenhang zwischen dem Temperieren der temperierbaren Zonen und dem thermischen Verhalten des optischen Elements beschreibt. Das Model (M) berechnet die Temperierleistung, insbesondere die Kühlleistung und/oder Heizleistung, wenigstens eines Teils der, insbesondere im Wesentlichen aller, temperierbaren Zonen, die zum Erreichen eines Temperaturprofils (x) benötigt wird, insbesondere unter Nutzung wenigstens einer thermischen Eigenschaft, wie beispielsweise die Wärmeleitfähigkeit, des verwendeten Materials der temperierbaren Zonen und/oder des optischen Elements. Die Temperatur oder die Temperaturen des jeweiligen Temperaturprofils können absolut, als Differenz zur Referenztemperatur, als ein Mittelwert, als mehrere Mittelwerte und/oder als Funktion angegeben sein. Das Modell (M) kann beispielsweise eine Matrix (A) umfassen oder aus einer Matrix (A) bestehen. Für ein Temperaturprofil (x) kann die Temperierleistung durch eine Matrix-Vektor-Multiplikation (M(x) = A*x) bestimmt werden. Das optimierte Temperaturprofil kann berechnet werden, indem das Optimierungsproblem min f(M(x)) gelöst wird, insbesondere unter den nachfolgenden Nebenbedingungen a) bis c). Das Zielfunktional f berechnet aus der Temperierleistung, insbesondere der Kühlleistung und/oder der Heizleistungen, wenigstens eines Teils der, insbesondere im Wesentlichen aller, temperierbaren Zonen eine Gesamt-Temperierleistung. Ein typisches Beispiel für das Zielfunktional f ist die quadrierte euklidische Norm f(y) = ∥y∥2. Das Optimierungsproblem kann dabei wie folgt ausgedrückt werden f(M(x)) = ∥A*x∥2. Die zuvor beschriebenen Nebenbedingungen a) bis c) lauten zudem wie folgt:

  1. a) Für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen, insbesondere alle temperierbaren Zonen, in dem optisch genutzten Bereich bleibt die jeweilige Solltemperatur für das optimierte Temperaturprofil gegenüber der jeweiligen Solltemperatur des initialen Temperaturprofils unverändert,
  2. b) für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen, insbesondere alle temperierbaren Zonen, in einem ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs entspricht die jeweilige Solltemperatur für das optimierte Temperaturprofil der Referenztemperatur und/oder bleibt die jeweilige Solltemperatur für das optimierte Temperaturprofil gegenüber der Referenztemperatur unverändert, und/oder
  3. c) die über wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen, insbesondere im Wesentlichen alle temperierbaren Zonen, gemittelte Temperaturabweichung zur Referenztemperatur unterhalb eines vorgegebenen Schwellwerts liegt.
The optimization method can be a mathematical optimization. The optimization method can include determining a model (M), wherein the model (M) describes the relationship between the temperature control of the temperature-controlled zones and the thermal behavior of the optical element. The model (M) calculates the temperature control performance, in particular the cooling performance and/or heating performance, of at least a portion of the, in particular essentially all, temperature-controlled zones that is required to achieve a temperature profile (x), in particular using at least one thermal property, such as the thermal conductivity, of the material used for the temperature-controlled zones and/or the optical element. The temperature or temperatures of the respective temperature profile can be specified absolutely, as a difference from the reference temperature, as an average value, as several average values and/or as a function. The model (M) can, for example, comprise a matrix (A) or consist of a matrix (A). For a temperature profile (x), the temperature control performance can be determined by a matrix-vector multiplication (M(x) = A*x). The optimized temperature profile can be calculated by solving the optimization problem min f(M(x)), in particular under the following constraints a) to c). The target functional f calculates a total temperature control performance from the temperature control performance, in particular the cooling performance and/or the heating performance, of at least a part of the, in particular essentially all, temperature-controlled zones. A typical example of the target functional f is the squared Euclidean norm f(y) = ∥y∥ 2 . The optimization problem can be expressed as follows f(M(x)) = ∥A*x∥ 2 . The previously described constraints a) to c) are also as follows:
  1. a) For at least some of the temperature-controlled zones, in particular all temperature-controlled zones, in the optically used area, the respective target temperature for the optimized temperature profile remains unchanged compared to the respective target temperature of the initial temperature profile,
  2. b) for at least some of the temperature-controlled zones, in particular all temperature-controlled zones, in a first section of the optically unused area, the respective target temperature for the optimized temperature profile corresponds to the reference temperature and/or the respective target temperature for the optimized temperature profile remains unchanged compared to the reference temperature, and/or
  3. c) the temperature deviation from the reference temperature averaged over at least some of the temperature-controlled zones, in particular substantially all of the temperature-controlled zones, is below a predetermined threshold value.

Bei der Referenztemperatur handelt es sich insbesondere um eine im Wesentlichen konstante und/oder vorgegebene Temperatur.The reference temperature is in particular an essentially constant and/or predetermined temperature.

Bei dem Verfahren zum Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils eines optischen Elements für die Mikrolithographie kann es sich vorzugsweise um ein computerimplementiertes Verfahren handeln. Es kann sich daher bei dem optischen Element und/oder den temperierbaren Zonen vorteilhafterweise um ein, insbesondere virtuelles, Modell handeln.The method for determining an optimized temperature profile of an optical element for microlithography can preferably be a computer-implemented method. The optical element and/or the temperature-controlled zones can therefore advantageously be a model, in particular a virtual one.

Bei einer Ausführungsform des Verfahrens zum Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils eines optischen Elements für die Mikrolithographie ist vorgesehen, dass in Schritt 2b) für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen in dem optisch ungenutzten Bereich die jeweilige Solltemperatur für das optimierte Temperaturprofil gegenüber der jeweiligen Solltemperatur des initialen Temperaturprofils derart verändert wird, dass die optimierte Temperierleistung niedriger ist als die initiale Temperierleistung. Hierbei ist insbesondere gemeint, dass die optimierte Temperierleistung für im Wesentlichen alle temperierbaren Zonen und/oder im Wesentlichen das gesamte optische Element niedriger ist als die initiale Temperierleistung für im Wesentlichen alle temperierbaren Zonen und/oder im Wesentlichen das gesamte optische Element. Hierdurch wird eine energieeffizientere Beeinflussung der Strahlung vereinfacht.In one embodiment of the method for determining an optimized temperature profile of an optical element for microlithography, it is provided that in step 2b) for at least some of the temperature-controlled zones in the optically unused area, the respective target temperature for the optimized temperature profile is changed compared to the respective target temperature of the initial temperature profile in such a way that the optimized temperature control performance is lower than the initial temperature control performance. This means in particular that the optimized temperature control performance for essentially all temperature-controlled zones and/or essentially the entire optical element is lower than the initial temperature control performance for essentially all temperature-controlled zones and/or essentially the entire optical element. This simplifies a more energy-efficient influence on the radiation.

Alternativ oder zusätzlich kann vorgesehen sein, dass in Schritt 2b) für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen in dem optisch ungenutzten Bereich die jeweilige Solltemperatur für das optimierte Temperaturprofil gegenüber der jeweiligen Solltemperatur des initialen Temperaturprofils derart verändert wird, dass die optimierte Temperierleistung unterhalb eines vorgegebenen Schwellwerts liegt. Auch hierdurch wird eine energieeffizientere Beeinflussung der Strahlung vereinfacht.Alternatively or additionally, it can be provided that in step 2b) for at least some of the temperature-controlled zones in the optically unused area, the respective target temperature for the optimized temperature profile is changed compared to the respective target temperature of the initial temperature profile in such a way that the optimized temperature control performance is below a predetermined threshold value. This also simplifies a more energy-efficient influence on the radiation.

Bei einer Ausführungsform des Verfahrens zum Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils eines optischen Elements für die Mikrolithographie ist vorgesehen, dass in Schritt 1b) für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen in einem ersten Abschnitt und/oder einem zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs die jeweilige Solltemperatur des initialen Temperaturprofils einer Referenztemperatur entspricht. Bei der Referenztemperatur handelt es sich insbesondere um eine im Wesentlichen konstante und/oder vorgegebene Temperatur.In one embodiment of the method for determining an optimized temperature profile of an optical element for microlithography, it is provided that in step 1b) for at least some of the temperature-controlled zones in a first section and/or a second section of the optically unused area, the respective target temperature of the initial temperature profile corresponds to a reference temperature. The reference temperature is in particular a substantially constant and/or predetermined temperature.

Bei einer Ausführungsform des Verfahrens zum Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils eines optischen Elements für die Mikrolithographie ist vorgesehen, dass in Schritt 2b) für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen in einem ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs die jeweilige Solltemperatur für das optimierte Temperaturprofil gegenüber der jeweiligen Solltemperatur des initialen Temperaturprofils unverändert bleibt und/oder dass in Schritt 2b) für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen in einem zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs die jeweilige Solltemperatur für das optimierte Temperaturprofil gegenüber der jeweiligen Solltemperatur des initialen Temperaturprofils verändert wird. Indem für den ersten Abschnitt die Solltemperaturen unverändert bleiben, wird vereinfacht, dass an das optische Element angrenzende Bauteile einer Projektionsbelichtungsanlage durch das Temperieren des optisch genutzten Bereichs nicht oder zumindest nur in geringem Maße beeinflusst werden. Es kann vorteilhafterweise vorgesehen sein, dass in Schritt 2b) für im Wesentlichen alle temperierbaren Zonen in einem ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs die jeweilige Solltemperatur für das optimierte Temperaturprofil gegenüber der jeweiligen Solltemperatur des initialen Temperaturprofils unverändert bleibt. Es kann vorgesehen sein, dass der Teil der temperierbaren Zonen in dem ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs, bei dem die jeweilige Solltemperatur unverändert bleibt, die jeweilige Solltemperatur der Referenztemperatur entspricht. Indem für den zweiten Abschnitt die Solltemperaturen verändert werden, wird vereinfacht, dass die Abgrenzung zwischen dem optisch genutzten Bereich und dem optisch ungenutzten Bereich zumindest hinsichtlich der vorherrschenden Temperaturen weniger eindeutig und strikt ist, sondern vorzugsweise ein eher fließender Übergang ist. Es kann vorgesehen sein, dass für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen in einem zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs die jeweilige Solltemperatur für das optimierte Temperaturprofil gegenüber der jeweiligen Solltemperatur des initialen Temperaturprofils jeweils individuell verändert wird. Alternativ oder zusätzlich kann beispielsweise vorgesehen sein, dass für im Wesentlichen alle temperierbaren Zonen in einem zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs die jeweilige Solltemperatur für das optimierte Temperaturprofil gegenüber der jeweiligen Solltemperatur des initialen Temperaturprofils jeweils, vorzugsweise individuell, verändert wird. Jedoch kann es Temperaturprofile geben, bei denen es sinnvoll ist auch einige Zonen im zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs unverändert, insbesondere auf Referenztemperatur, zu belassen.In one embodiment of the method for determining an optimized temperature profile of an optical element for microlithography, it is provided that in step 2b) for at least some of the temperature-controlled zones in a first section of the optically unused area, the respective target temperature for the optimized temperature profile remains unchanged compared to the respective target temperature of the initial temperature profile and/or that in step 2b) for at least some of the temperature-controlled zones in a second section of the optically unused area, the respective target temperature for the optimized temperature profile is changed compared to the respective target temperature of the initial temperature profile. By keeping the target temperatures unchanged for the first section, it is made easier that components of a projection exposure system adjacent to the optical element are not influenced, or at least only influenced to a small extent, by the temperature control of the optically used area. It can advantageously be provided that in step 2b) for essentially all temperature-controlled zones in a first section of the optically unused area, the respective target temperature for the optimized temperature profile remains unchanged compared to the respective target temperature of the initial temperature profile. It can be provided that the part of the temperature-controlled zones in the first section of the optically unused area in which the respective target temperature remains unchanged corresponds to the respective target temperature of the reference temperature. By changing the target temperatures for the second section, it is made easier that the demarcation between the optically used area and the optically unused area is less clear and strict, at least with regard to the prevailing temperatures, but is preferably a more fluid transition. It can be provided that for at least some of the temperature-controlled zones in a second section of the optically unused area, the respective target temperature for the optimized temperature profile is changed individually compared to the respective target temperature of the initial temperature profile. Alternatively or additionally, it can be provided, for example, that for essentially all temperature-controlled zones in a second section of the optically unused area, the respective target temperature for the optimized temperature profile is changed, preferably individually, compared to the respective target temperature of the initial temperature profile. However, there may be temperature profiles where it makes sense to leave some zones in the second section of the optically unused area unchanged, especially at reference temperature.

Bei einer Ausführungsform des Verfahrens zum Temperieren eines optischen Elements für die Mikrolithographie ist vorgesehen, dass der optisch ungenutzte Bereich wenigstens abschnittsweise am Rand des optischen Elements, insbesondere wenigstens abschnittsweise entlang des Rands des optischen Elements umlaufend, angeordnet ist und/oder dass der erste Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs wenigstens abschnittsweise am Rand des optischen Elements, insbesondere wenigstens abschnittsweise entlang des Rands des optischen Elements umlaufend, angeordnet ist. Hierdurch wird verhindert oder zumindest entgegengewirkt, dass an das optische Element angrenzende Bauteile durch das Temperieren des optisch genutzten Bereichs beeinflusst werden. Der optisch ungenutzte Bereich und/oder der erste Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs können vorteilhafterweise im Wesentlichen vollständig entlang des Rands des optischen Elements umlaufend angeordnet sein. Hierdurch wird der zuvor genannte Effekt noch weiter verstärkt. Es bietet sich vorteilhafterweise an den ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs insbesondere dort anzuordnen, wo das optische Element mit anderen Bauteilen in Kontakt kommen kann, insbesondere mit anderen Bauteilen verbindbar ist. Beispielsweise kann der erste Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs angrenzend an mit dem optischen Element verbundenen Sensoren angeordnet sein, um die Funktion der Sensoren nicht zu beeinflussen.In one embodiment of the method for tempering an optical element for microlithography, it is provided that the optically unused region is arranged at least in sections on the edge of the optical element, in particular at least in sections along the edge of the optical element, and/or that the first section of the optically unused region is arranged at least in sections on the edge of the optical element, in particular at least in sections along the edge of the optical element. This prevents or at least counteracts the fact that components adjacent to the optical element are influenced by the tempering of the optically used region. The optically unused region and/or the first section of the optically unused region can advantageously be arranged essentially completely along the edge of the optical element. This further enhances the aforementioned effect. It is advantageous to arrange the first section of the optically unused region in particular where the optical element can come into contact with other components, in particular where it can be connected to other components. For example, the first portion of the optically unused area can be arranged adjacent to sensors connected to the optical element so as not to affect the function of the sensors.

Bei einer Ausführungsform des Verfahrens zum Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils eines optischen Elements für die Mikrolithographie ist vorgesehen, dass der zweite Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs wenigstens abschnittsweise zwischen dem ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs und dem optisch genutzten Bereich angeordnet ist und/oder der optisch genutzte Bereich wenigstens abschnittsweise in der Mitte des optischen Elements angeordnet ist. Durch eine Anordnung des zweiten Abschnitts des optisch ungenutzten Bereichs zwischen dem ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs und dem optisch genutzten Bereich wird weiter vereinfacht, dass die Abgrenzung zwischen dem optisch genutzten Bereich und dem optisch ungenutzten Bereich zumindest hinsichtlich der vorherrschenden Temperaturen weniger eindeutig und strikt ist, sondern vorzugsweise ein eher fließender Übergang ist. Die Anordnung des optisch genutzten Bereichs in der Mitte des optischen Elements vereinfacht wiederum die Anordnung des optischen Elements, insbesondere des optisch genutzten Bereichs, in einer Projektionsbelichtungsanlage. Zum anderen wird vereinfacht, dass angrenzende Bauteile der Projektionsbelichtungsanlage nicht durch das Temperieren beeinflusst werden, da bei einer mittigen Anordnung ausreichend Platz an den Rändern des optischen Elements für den optisch ungenutzten Bereich, insbesondere den ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs, vorhanden ist. Vorteilhafterweise kann vorgesehen sein, dass der optisch genutzte Bereich von dem ersten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs und/oder zweiten Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichs wenigstens abschnittsweise, insbesondere im Wesentlichen vollständig, umgeben ist. Hierdurch wird ein eher fließender Übergang zwischen den unterschiedlichen Bereichen zumindest hinsichtlich der vorherrschenden Temperaturen weiter vereinfacht.In one embodiment of the method for determining an optimized temperature profile of an optical element for microlithography, it is provided that the second section of the optically unused region is arranged at least in sections between the first section of the optically unused region and the optically used region and/or the optically used region is arranged at least in sections in the middle of the optical element. By arranging the second section of the optically unused region between the first section of the optically unused region and the optically used region, it is further simplified that the demarcation between the optically used region and the optically unused region is less clear and strict, at least with regard to the prevailing temperatures, but is preferably a more fluid transition. The arrangement of the optically used region in the middle of the optical element in turn simplifies the arrangement of the optical element, in particular the optically used region, in a projection exposure system. On the other hand, it is simplified that adjacent components of the projection exposure system are not influenced by the temperature control, since with a central arrangement there is sufficient space at the edges of the optical element for the optically unused area, in particular the first section of the optically unused area. Advantageously, it can be provided that the optically used area is surrounded at least partially, in particular substantially completely, by the first section of the optically unused area and/or the second section of the optically unused area. This further simplifies a more fluid transition between the different areas, at least with regard to the prevailing temperatures.

Die zuvor genannte Aufgabe wird weiterhin gelöst durch eine Vorrichtung zur Datenverarbeitung umfassend einen Prozessor, der so konfiguriert ist, dass er das Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 12 ausführt. Hierbei kann es vorzugsweise vorgesehen sein, dass ein Teil der Schritte oder alle Schritte des Verfahrens, insbesondere der Schritte 1b) und/oder der Schritt 2b), ausgeführt wird.The aforementioned object is further achieved by a device for data processing comprising a processor which is configured to carry out the method according to one of claims 7 to 12. In this case, it can preferably be provided that some of the steps or all of the steps of the method, in particular steps 1b) and/or step 2b), are carried out.

Die zuvor genannte Aufgabe wird weiterhin gelöst durch ein Computerprogramm umfassend Befehle, die dazu ausgebildet sind, bei Ausführung durch mindestens einen Prozessor einer Vorrichtung, die Vorrichtung zu veranlassen das Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 12 auszuführen. Hierbei kann es vorzugsweise vorgesehen sein, dass veranlasst wird ein Teil der Schritte oder alle Schritte des Verfahrens, insbesondere den Schritte 1b) und/oder den Schritt 2b), auszuführen.The aforementioned object is further achieved by a computer program comprising instructions which, when executed by at least one processor of a device, are designed to cause the device to carry out the method according to one of claims 7 to 12. In this case, it can preferably be provided that some of the steps or all of the steps of the method, in particular steps 1b) and/or step 2b), are carried out.

Die zuvor genannte Aufgabe wird weiterhin gelöst durch ein computerlesbares Medium umfassend Befehle, die bei der Ausführung durch mindestens einen Prozessor einer Vorrichtung, die Vorrichtung veranlassen das Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 12 auszuführen. Hierbei kann es vorzugsweise vorgesehen sein, dass veranlasst wird ein Teil der Schritte oder alle Schritte des Verfahrens, insbesondere den Schritte 1b) und/oder den Schritt 2b), auszuführen.The aforementioned object is further achieved by a computer-readable medium comprising instructions which, when executed by at least one processor of a device, cause the device to carry out the method according to one of claims 7 to 12. In this case, it can preferably be provided that some of the steps or all of the steps of the method, in particular steps 1b) and/or step 2b), are caused to be carried out.

Eine Vorrichtung zur Datenverarbeitung gemäß der vorliegenden Offenbarung kann Hardware- und/oder Software-Komponenten umfassen. Die Vorrichtung zur Datenverarbeitung kann beispielsweise wenigstens einen Speicher, insbesondere mit Befehlen eines Computerprogramms (z.B. wenigstens eines der offenbarten Computerprogramme), und/oder wenigstens einen Prozessor, insbesondere ausgebildet zum Ausführen von Befehlen aus dem wenigstens einen Speicher umfassen. Dementsprechend soll auch eine Vorrichtung zur Datenverarbeitung als offenbart verstanden werden, die wenigstens einen Prozessor und wenigstens einen Speicher mit Befehlen umfasst, wobei der wenigstens eine Speicher und die Befehle eingerichtet sind, gemeinsam mit dem wenigstens einen Prozessor, die Vorrichtung zur Datenverarbeitung zu veranlassen, wenigstens eines der offenbarten Verfahren, insbesondere das Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 12, auszuführen. Eine Vorrichtung zur Datenverarbeitung kann gemäß der vorliegenden Offenbarung beispielsweise Teil einer Steuerung einer Projektionsbelichtungsanlage sein.A data processing device according to the present disclosure can comprise hardware and/or software components. The data processing device can comprise, for example, at least one memory, in particular with instructions of a computer program (e.g. at least one of the disclosed computer programs), and/or at least one processor, in particular designed to execute instructions from the at least one memory. Accordingly, a data processing device should also be understood as disclosed which comprises at least one processor and at least one memory with instructions, wherein the at least one memory and the instructions are designed, together with the at least one processor, to cause the data processing device to execute at least one of the disclosed methods, in particular the method according to one of claims 7 to 12. A data processing device according to the present disclosure can, for example, be part of a control system of a projection exposure system.

Alternativ oder zusätzlich kann die Vorrichtung zur Datenverarbeitung ferner eine oder mehrere Kommunikationsschnittstellen (z.B. einen oder mehrere drahtgebundene und/oder drahtlose Kommunikationsschnittstellen, z.B. eine drahtlose Kommunikationsschnittstellen in Form einer Funkschnittstelle) und/oder eine oder mehrere Benutzerschnittstellen (z.B. eine Tastatur, eine Maus, einen Bildschirm, einen berührungsempfindlichen Bildschirm, einen Lautsprecher, ein Mikrofon, usw.) umfassen. Es versteht sich, dass die offenbarte Vorrichtung zur Datenverarbeitung auch andere nicht aufgeführte Mittel umfassen kann.Alternatively or additionally, the data processing device may further comprise one or more communication interfaces (e.g. one or more wired and/or wireless communication interfaces, e.g. a wireless communication interface in the form of a radio interface) and/or one or more user interfaces (e.g. a keyboard, a mouse, a screen, a touch-sensitive screen, a loudspeaker, a microphone, etc.). It is understood that the disclosed data processing device may also comprise other means not listed.

Unter einem Prozessor sollen in dieser Offenbarung unter anderem Kontrolleinheiten, Mikroprozessoren, Mikrokontrolleinheiten wie Mikrocontroller, digitale Signalprozessoren (DSP), Anwendungsspezifische Integrierte Schaltungen (ASICs) oder Field Programmable Gate Arrays (FPGAs) verstanden werden.In this disclosure, a processor is understood to include, among others, control units, microprocessors, microcontrol units such as microcontrollers, digital signal processors (DSP), application-specific integrated circuits (ASICs) or field programmable gate arrays (FPGAs).

Ein Computerprogramm gemäß dieser Offenbarung kann beispielsweise über ein Netzwerk wie das Internet, ein Telefon- oder Mobilfunknetz und/oder ein lokales Netzwerk verteilbar sein. Das Computerprogramm kann zumindest teilweise Software und/oder Firmware eines Prozessors sein. Es kann gleichermaßen zumindest teilweise als Hardware implementiert sein. Das Computerprogramm kann beispielsweise auf einem computerlesbaren Medium, insbesondere Speichermedium, gespeichert sein, z.B. einem magnetischen, elektrischen, optischen und/oder andersartigen Speichermedium. Das Speichermedium kann beispielsweise Teil des Prozessors sein, beispielsweise ein (nicht-flüchtiger oder flüchtiger) Programmspeicher des Prozessors oder ein Teil davon. A computer program according to this disclosure may, for example, be distributable over a network such as the Internet, a telephone or mobile network and/or a local area network. The computer program may be at least partially software and/or firmware of a processor. It may equally be implemented at least partially as hardware. The computer program may, for example, be stored on a computer-readable medium, in particular a storage medium, e.g. a magnetic, electrical, optical and/or other type of storage medium. The storage medium may, for example, be part of the processor, for example a (non-volatile or volatile) program memory of the processor or a part thereof.

Das Speichermedium kann beispielsweise ein gegenständliches oder körperliches Speichermedium sein.The storage medium can, for example, be a tangible or physical storage medium.

Ein computerlesbares Medium gemäß dieser Offenbarung kann ein flüchtiger oder nicht flüchtiger Datenspeicher sein. Beispielsweise kann das computerlesbare Medium eine Festplatte, ein USB-Speichergerät, ein RAM, ROM, EPROM oder Flash-Speicher sein. Das computerlesbare Medium kann auch ein einen Download eines Programmcodes ermöglichendes Datenkommunikationsnetzwerk wie etwa das Internet oder eine Datenwolke (Cloud) sein.A computer-readable medium according to this disclosure may be a volatile or non-volatile data storage. For example, the computer-readable medium may be a hard disk, a USB storage device, a RAM, ROM, EPROM, or flash memory. The computer-readable medium may also be a data communication network enabling download of program code, such as the Internet or a data cloud.

Die Offenbarung wird nachfolgend anhand einer lediglich bevorzugte Ausführungsbeispiele darstellenden Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigen:

  • 1 den prinzipiellen Aufbau einer exemplarischen Projektionsbelichtungsanlage,
  • 2A ein optisches Element in einer Draufsicht mit einem ersten veranschaulichten Temperaturprofil,
  • 2B das optische Element aus 2A in einer Draufsicht mit einem zweiten veranschaulichten Temperaturprofil,
  • 3 ein schematisches Blockdiagramm einer Vorrichtung zur Datenverarbeitung, und
  • 4 eine schematische Darstellung von Beispielen gegenständlicher und nicht-flüchtiger computerlesbarer Medien.
The disclosure is explained in more detail below with reference to a drawing which merely shows preferred embodiments. In the drawing:
  • 1 the basic structure of an exemplary projection exposure system,
  • 2A an optical element in a plan view with a first illustrated temperature profile,
  • 2 B the optical element 2A in a plan view with a second illustrated temperature profile,
  • 3 a schematic block diagram of a data processing device, and
  • 4 a schematic representation of examples of tangible and non-transitory computer-readable media.

1 zeigt den prinzipiellen Aufbau einer exemplarischen Projektionsbelichtungsanlage 1. Die gezeigte Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Strahlungsquelle 2, beispielsweise einen Excimer-Laser, ein Beleuchtungssystem 3 und ein Projektionssystem 4. Das Beleuchtungssystem 3 verfügt vorzugsweise über wenigstens eine Vorrichtung zur Auswahl des Beleuchtungsmodus. Zwischen dem Ausgang des Beleuchtungssystems 3 und dem Eingang des Projektionssystems 4 ist ein Maskenhalter 5 angeordnet, der eine Maske 6 hält und manipuliert, so dass eine Struktur - welche Struktur Teil der Maske 6 ist - einer bestimmten Schicht des herzustellenden Halbleiterbauelements in der, vorzugsweise planaren, Objektebene OEPR des Projektionssystems 4 liegt, wobei die Objektebene OEPR des Projektionssystems 4 mit der Bildebene BEBE des Beleuchtungssystems 3 zusammenfällt. Der Maskenhalter 5 - auch als „Reticle Stage“ bezeichnet - zur Aufnahme und Handhabung der Maske 6 enthält einen Antrieb, mit dem die Maske 6 parallel zur Objektebene OEPR des Projektionssystems 4 und senkrecht zur optischen Achse OAPR des Projektionssystems 4 und zur optischen Achse OABE des Beleuchtungssystems (Z-Richtung) in einer Scanrichtung (Y-Richtung) für den Scanbetrieb bewegt werden kann. 1 shows the basic structure of an exemplary projection exposure system 1. The projection exposure system 1 shown comprises a radiation source 2, for example an excimer laser, an illumination system 3 and a projection system 4. The illumination system 3 preferably has at least one device for selecting the illumination mode. Between the output of the illumination system 3 and the input of the projection system 4 there is a mask holder 5 which holds and manipulates a mask 6 so that a structure - which structure is part of the mask 6 - of a specific layer of the semiconductor component to be produced lies in the, preferably planar, object plane OE PR of the projection system 4, wherein the object plane OE PR of the projection system 4 coincides with the image plane BE BE of the illumination system 3. The mask holder 5 - also referred to as "reticle stage" - for holding and handling the mask 6 contains a drive with which the mask 6 can be moved parallel to the object plane OE PR of the projection system 4 and perpendicular to the optical axis OA PR of the projection system 4 and to the optical axis OA BE of the illumination system (Z direction) in a scanning direction (Y direction) for scanning operation.

Das Projektionssystem 4 ist vorzugsweise telezentrisch in der Objektebene OEPR und der Bildebene BEPR und dazu bestimmt, ein Bild einer von der Maske 6 gelieferten Struktur, vorzugsweise mit einem verkleinerten Maßstab, auf ein mit einer strahlungsempfindlichen Schicht beschichtetes Substrat 7, insbesondere einen Wafer, abzubilden. Das Substrat 7 ist so angeordnet, dass die ebene Fläche 8 mit der strahlungsempfindlichen Schicht im Wesentlichen mit der Bildebene BEPR des Projektionssystems 4 zusammenfällt. Das Substrat 7 wird von einem Substrathalter 9 - auch „Wafer Stage“ genannt - gehalten, der einen Antrieb umfasst, um das Substrat 7 zu bewegen. Der Substrathalter 9 kann auch Manipulatoren umfassen, um das Substrat sowohl in Z-Richtung parallel zur optischen Achse OAPR des Projektionssystems 4 als auch in X- und Y-Richtung senkrecht zur optischen Achse OAPR des Projektionssystems 4 zu bewegen. Auch eine Kippvorrichtung mit mindestens einer senkrecht zur optischen Achse OAPR des Projektionssystems 4 verlaufenden Kippachse kann integriert werden.The projection system 4 is preferably telecentric in the object plane OE PR and the image plane BE PR and is intended to project an image of a structure provided by the mask 6, preferably at a reduced scale, onto a substrate 7 coated with a radiation-sensitive layer, in particular a wafer. The substrate 7 is arranged such that the flat surface 8 with the radiation-sensitive layer essentially coincides with the image plane BE PR of the projection system 4. The substrate 7 is held by a substrate holder 9 - also called a "wafer stage" - which comprises a drive for moving the substrate 7. The substrate holder 9 can also comprise manipulators for moving the substrate both in the Z direction parallel to the optical axis OA PR of the projection system 4 and in the X and Y directions perpendicular to the optical axis OA PR of the projection system 4. A tilting device with at least one tilting axis running perpendicular to the optical axis OA PR of the projection system 4 can also be integrated.

Bei der dargestellten Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst die Projektionsbelichtungsanlage 1, hier insbesondere das Projektionssystem 4, wenigstens ein temperierbares optisches Element 10. Das temperierbare optische Element 10 kann alternativ oder zusätzlich auch in dem Beleuchtungssystem 3 angeordnet sein. Das optische Element 10 kann dabei eine Linse und/oder ein Spiegel sein. Das optische Element 10 ist dabei in und entlang der optischen Achse der Projektionsbelichtungsanlage 1, insbesondere der optischen Achse OAPR des Projektionssystem 4 angeordnet. Das optische Element 10 umfasst bei der dargestellten Projektionsbelichtungsanlage 1 eine Temperierungseinrichtung. Die Temperierungseinrichtung umfasst dabei Heizelemente und Kühlelemente, um das optische Element 10 zu temperieren.In the projection exposure system 1 shown, the projection exposure system 1, here in particular the projection system 4, comprises at least one temperature-controlled optical element 10. The temperature-controlled optical element 10 can alternatively or additionally also be arranged in the illumination system 3. The optical element 10 can be a lens and/or a mirror. The optical element 10 is arranged in and along the optical axis of the projection exposure system 1, in particular the optical axis OA PR of the projection system 4. In the projection exposure system 1 shown, the optical element 10 comprises a temperature control device. The temperature control device comprises heating elements and cooling elements in order to temperature the optical element 10.

Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst zudem eine Steuerung 11. Die Steuerung 11 ist dabei unter anderem dazu eingerichtet die Temperierung des temperierbaren optischen Elements 10 zu steuern.The projection exposure system 1 also comprises a controller 11. The controller 11 is designed, among other things, to control the temperature of the temperature-controlled optical element 10.

2A zeigt ein optisches Element 10 in einer Draufsicht mit einem ersten veranschaulichten Temperaturprofil. Bei dem optischen Element handelt es sich um das bereits beschriebene temperierbare optische Element 10. Zu sehen ist dabei die Oberfläche des optischen Elements 10 auf und/oder durch die Strahlung beim Belichten geleitet wird. 2A shows an optical element 10 in a plan view with a first illustrated temperature profile. The optical element is the already described temperature-controlled optical element 10. The surface of the optical element 10 can be seen on and/or through which the radiation is guided during exposure.

Das optische Element 10 umfasst eine Mehrzahl von temperierbaren Zonen 12. Diese temperierbaren Zonen 12 können erwärmt und/oder gekühlt werden, um ein gewünschtes Temperaturprofil einzustellen. Das Temperaturprofil, insbesondere die einzustellenden Solltemperaturen des Temperaturprofils, sind in 2A durch unterschiedliche Punktierungen dargestellt. Dargestellt sind vorliegend jedoch keine absoluten Temperaturen, sondern die Differenz der jeweiligen Solltemperatur zu einer Vergleichstemperatur, vorliegend zur Referenztemperatur.The optical element 10 comprises a plurality of temperature-controlled zones 12. These temperature-controlled zones 12 can be heated and/or cooled in order to set a desired temperature profile. The temperature profile, in particular the target temperatures of the temperature profile to be set, are in 2A represented by different dots. However, no absolute temperatures are shown here, but rather the difference between the respective target temperature and a comparison temperature, in this case the reference temperature.

Ein Teil der temperierbaren Zonen 12 ist dabei in einem optisch genutzten Bereich OGB des optischen Elements 10 angeordnet und ein anderer Teil der temperierbaren Zonen 12 ist in einem optisch ungenutzten Bereich OUB des optischen Elements 10 angeordnet. Der optisch genutzte Bereich OGB ist in der 2a durch einen Kreis angedeutet. Dieser Kreist dient jedoch lediglich der besseren Visualisierung des optisch genutzte Bereichs OGB und des Übergangs zwischen optisch genutzten Bereich OGB und optisch ungenutzten Bereich OUB und ist nicht als zwingende Abgrenzung zwischen dem optisch genutzten Bereich OGB und optisch ungenutzten Bereich OUB zu verstehen. Die Abmaße und/oder die Form des optisch genutzten Bereichs OGB sowie des optisch ungenutzten Bereich OUB können sich nämlich im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 ändern, beispielsweise abhängig von den dem verwendeten Belichtungssetting.A part of the temperature-controlled zones 12 is arranged in an optically used area OGB of the optical element 10 and another part of the temperature-controlled zones 12 is arranged in an optically unused area OUB of the optical element 10. The optically used area OGB is in the 2a indicated by a circle. However, this circle only serves to better visualize the optically used area OGB and the transition between the optically used area OGB and the optically unused area OUB and is not to be understood as a mandatory demarcation between the optically used area OGB and the optically unused area OUB. The dimensions and/or the shape of the optically used area OGB and the optically unused area OUB can change during operation of the projection exposure system 1, for example depending on the exposure setting used.

Der optisch ungenutzte Bereich OUB ist wiederum in zwei Abschnitte unterteilt, einen ersten Abschnitt OUB1 und einen zweiten Abschnitt OUB2 des optisch ungenutzten Bereichs OUB. Der optisch ungenutzte Bereich OUB, insbesondere der erste Abschnitt OUB1 des optisch ungenutzten Bereichs OUB, ist unter anderem entlang des Rands des optischen Elements 12 umlaufend angeordnet. Der optisch genutzte Bereich OGB ist in der Mitte des optischen Elements 12 angeordnet, wobei durch den optisch genutzte Bereich OGB die optische Achse der Projektionsbelichtungsanlage 1 verläuft. Die optische Achse der Projektionsbelichtungsanlage 1 kann dabei mittig durch den optisch genutzte Bereich OGB verlaufen und alternativ oder zusätzlich senkrecht oder schief durch den optisch genutzte Bereich OGB verlaufen. Der zweite Abschnitt OUB2 des optisch ungenutzten Bereichs OUB ist zwischen dem ersten Abschnitt OUB1 des optisch ungenutzten Bereichs OUB und dem optisch genutzten Bereich OGB angeordnet. Der optisch genutzte Bereich OGB wird dabei vollständig von dem ersten Abschnitt OUB1 und dem zweiten Abschnitt OUB2 des optisch ungenutzten Bereichs OUB umgeben.The optically unused area OUB is in turn divided into two sections, a first section OUB 1 and a second section OUB 2 of the optically unused area OUB. The optically unused area OUB, in particular the first section OUB 1 of the optically unused area OUB, is arranged, among other things, all the way around the edge of the optical element 12. The optically used area OGB is arranged in the middle of the optical element 12, with the optical axis of the projection exposure system 1 running through the optically used area OGB. The optical axis of the projection exposure system 1 can run centrally through the optically used area OGB and alternatively or additionally run vertically or obliquely through the optically used area OGB. The second section OUB 2 of the optically unused area OUB is arranged between the first section OUB 1 of the optically unused area OUB and the optically used area OGB. The optically used area OGB is completely surrounded by the first section OUB 1 and the second section OUB 2 of the optically unused area OUB.

Die temperierbaren Zonen 12 des optisch genutzten Bereichs OGB werden dabei nicht auf eine konstante Solltemperatur temperiert, sondern auf unterschiedliche Solltemperaturen. Durch die Temperierung der Zonen 12 im optisch genutzten Bereich OGB soll die für die Belichtung vorgesehene Strahlung beeinflusst werden, beispielsweise um Abbildungsfehler zu korrigieren. Die für die Belichtung vorgesehene Strahlung wird dabei für die Belichtung des Substrats 7 eingesetzt. Das in 2A veranschaulichte Temperaturprofil weist im optisch ungenutzten Bereich OUB, sowohl im ersten Abschnitt OUB1 als auch im zweiten Abschnitt OUB2, eine konstante Referenztemperatur auf. Hierdurch soll eine Beeinflussung anderer Bauteile der Projektionsbelichtungsanlage 1 durch das Temperieren des optischen Elements 10, insbesondere der temperierbaren Zonen 12 im optisch genutzten Bereich OGB verhindert werden. Dadurch, dass die temperierbaren Zonen 12 im optisch ungenutzten Bereich OUB alle die Referenztemperatur aufweisen, insbesondere auf Referenztemperatur temperiert werden, ergibt sich eine eindeutige und strikte Abgrenzung zwischen den vorherrschenden Temperaturen im optisch ungenutzten Bereich OUB und im optisch genutzten Bereich OGB. Das entsprechende Temperaturprofil kann dabei als initiales Temperaturprofil bezeichnet werden. Von Nachteil bei diesem Temperaturprofil ist jedoch, dass hierfür eine hohe Temperierleistung, insbesondere im optisch ungenutzten Bereich OUB angrenzend an den optisch genutzten Bereich OGB erforderlich ist. Diese Temperierleistung kann dann nicht für das Beeinflussen der für die Belichtung vorgesehene Strahlung eingesetzt werden.The temperature-controlled zones 12 of the optically used area OGB are not tempered to a constant target temperature, but to different target temperatures. The temperature control of the zones 12 in the optically used area OGB is intended to influence the radiation intended for exposure, for example to correct imaging errors. The radiation intended for exposure is used for the exposure of the substrate 7. The 2A The temperature profile illustrated has a constant reference temperature in the optically unused area OUB, both in the first section OUB 1 and in the second section OUB 2 . This is intended to prevent other components of the projection exposure system 1 from being influenced by the temperature control of the optical element 10, in particular the temperature-controlled zones 12 in the optically used area OGB. The fact that the temperature-controlled zones 12 in the optically unused area OUB all have the reference temperature, in particular are tempered to the reference temperature, results in a clear and strict demarcation between the prevailing temperatures in the optically unused area OUB and in the optically used area OGB. The corresponding temperature profile can be referred to as the initial temperature profile. The disadvantage of this temperature profile, however, is that it requires a high temperature control power, in particular in the optically unused area OUB adjacent to the optically used area OGB. This temperature control power cannot then be used to influence the radiation intended for exposure.

2B zeigt das optische Element aus 2A in einer Draufsicht mit einem zweiten veranschaulichten Temperaturprofil. Das in 2B dargestellte Temperaturprofil kann dabei als optimiertes Temperaturprofil bezeichnet werden. Das optimierte Temperaturprofil wurde dabei ausgehend von dem in 2A beschriebenen initialen Temperaturprofil mittels eines Optimierungsverfahrens bestimmt. 2 B shows the optical element 2A in a top view with a second illustrated temperature profile. The 2 B The temperature profile shown can be described as an optimized temperature profile. The optimized temperature profile was based on the 2A described initial temperature profile using an optimization procedure.

Das in 2B dargestellte Temperaturprofil unterscheidet sich von dem in 2A dargestellten Temperaturprofil dadurch, dass in dem zweiten Abschnitt OUB2 des optisch ungenutzten Bereichs OUB wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen 12 nicht dieselbe Temperatur aufweist wie wenigstens ein anderer Teil der temperierbaren Zonen 12 in dem zweiten Abschnitt OUB2 des optisch ungenutzten Bereichs OUB und/oder wie wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen 12 in dem ersten Abschnitt OUB1 des optisch ungenutzten Bereichs OUB. Insbesondere weisen im zweiten Abschnitt OUB2 des optisch ungenutzten Bereichs OUB die temperierbaren Zonen 12 zumindest teilweise nicht mehr die konstante Referenztemperatur auf, sondern eine hiervon abweichende Solltemperatur. Im ersten Abschnitt OUB1 des optisch ungenutzten Bereichs OUB sowie im optisch genutzten Bereich OGB sind die Solltemperaturen hingegen unverändert. Zu erkennen ist dabei, dass eine eindeutige und strikte Abgrenzung zwischen den vorherrschenden Temperaturen im optisch ungenutzten Bereich OUB und im optisch genutzten Bereich OGB nicht mehr oder zumindest nur noch abgeschwächt vorliegt und stattdessen ein eher fließender Übergang gegeben ist. Eine energieeffizientere Nutzung des optischen Elements 10 ist somit möglich. Zudem können ohne eine Anpassung der Bauteile der Projektionsbelichtungsanlage 1, insbesondere des optischen Elements 10, auch Temperaturprofile umgesetzt werden, welche mehr Temperierleistung in dem optisch genutzten Bereich OGB erfordern als bisher üblich.This in 2 B Temperature profile shown differs from that in 2A shown temperature profile in that in the second section OUB 2 of the optically unused area OUB at least some of the temperature-controlled zones 12 do not have the same temperature as at least another part of the temperature-controlled zones 12 in the second section OUB 2 of the optically unused area OUB and/or as at least some of the temperature-controlled zones 12 in the first section OUB 1 of the optically unused area OUB. In particular, in the second section OUB 2 of the optically unused area OUB, the temperature-controlled zones 12 at least partially no longer have the constant reference temperature, but a target temperature that deviates therefrom. In the first section OUB 1 of the optically unused area OUB and in the optically used area OGB, however, the target temperatures are unchanged. It can be seen that there is no longer a clear and strict demarcation between the prevailing temperatures in the optically unused area OUB and in the optically used area OGB, or at least only a weakened one, and instead there is a more fluid transition. A more energy-efficient use of the optical element 10 is thus possible. In addition, without adapting the components of the projection exposure system 1, in particular the optical element 10, temperature profiles can also be implemented which require more temperature control power in the optically used area OGB than was previously usual.

3 zeigt ein schematisches Blockdiagramm einer Vorrichtung zur Datenverarbeitung 100, die konfiguriert ist das Verfahren zum Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils eines optischen Elements für die Mikrolithographie auszuführen. Die Vorrichtung zur Datenverarbeitung 100 umfasst einen Prozessor 101, einen Arbeitsspeicher 102, einen Befehlsspeicher 103, einen optionalen Datenspeicher 104, eine oder mehrere optionale Kommunikationsschnittstellen 105 und eine optionale Benutzerschnittstelle 106. 3 shows a schematic block diagram of a data processing device 100 that is configured to carry out the method for determining an optimized temperature profile of an optical element for microlithography. The data processing device 100 comprises a processor 101, a working memory 102, an instruction memory 103, an optional data memory 104, one or more optional communication interfaces 105 and an optional user interface 106.

Die Vorrichtung zur Datenverarbeitung 100 kann beispielsweise so konfiguriert sein, dass sie das Verfahren zum Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils eines optischen Elements für die Mikrolithographie ausführt oder entsprechende Mittel (insbesondere eines der Mittel 101 bis 108) zur Ausführung des Verfahrens umfasst. Die Vorrichtung zur Datenverarbeitung 100 kann auch eine Vorrichtung sein, die wenigstens einen Prozessor (insbesondere Prozessor 101) und wenigstens einen Speicher (vorzugsweise Speicher 102 und/oder Speicher 103) mit Befehlen umfasst, wobei der wenigstens eine Speicher und die Befehle dazu konfiguriert sind, mit dem wenigstens einen Prozessor eine Vorrichtung, z.B. die Vorrichtung zur Datenverarbeitung 100, zumindest zur Ausführung des Verfahrens zum Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils eines optischen Elements für die Mikrolithographie zu veranlassen.The data processing device 100 can, for example, be configured to carry out the method for determining an optimized temperature profile of an optical element for microlithography or to comprise corresponding means (in particular one of the means 101 to 108) for carrying out the method. The data processing device 100 can also be a device that comprises at least one processor (in particular processor 101) and at least one memory (preferably memory 102 and/or memory 103) with instructions, wherein the at least one memory and the instructions are configured to cause a device, e.g. the data processing device 100, with the at least one processor, at least to carry out the method for determining an optimized temperature profile of an optical element for microlithography.

Der Prozessor 101 kann beispielsweise einen Initiales-Temperaturprofil-Bereitsteller 107 als funktionale und/oder strukturelle Einheit umfassen. Der Initiales-Temperaturprofil-Bereitsteller 107 kann zum Beispiel so konfiguriert sein, dass er ein initiales Temperaturprofil bereitstellt (siehe Schritt 1b) des Verfahrens zum Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils eines optischen Elements für die Mikrolithographie).The processor 101 may, for example, comprise an initial temperature profile provider 107 as a functional and/or structural unit. The initial temperature profile provider 107 may, for example, be configured to provide an initial temperature profile (see step 1b of the method for determining an optimized temperature profile of an optical element for microlithography).

Der Prozessor 101 kann beispielsweise einen Optimiertes-Temperaturprofil-Bestimmer 108 als funktionale und/oder strukturelle Einheit umfassen. Der Optimiertes-Temperaturprofil-Bestimmer 108 kann zum Beispiel so konfiguriert sein, dass er ein optimiertes Temperaturprofil, insbesondere ausgehend von dem initialen Temperaturprofil mittels eines Optimierungsverfahrens, bestimmt (siehe Schritt 2b) des Verfahrens zum Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils eines optischen Elements für die Mikrolithographie).The processor 101 can, for example, comprise an optimized temperature profile determiner 108 as a functional and/or structural unit. The optimized temperature profile determiner 108 can, for example, be configured to determine an optimized temperature profile, in particular based on the initial temperature profile by means of an optimization method (see step 2b) of the method for determining an optimized temperature profile of an optical element for microlithography).

Der Prozessor 101 kann beispielsweise Befehle ausführen, die im Befehlsspeicher 103 gespeichert sind, wobei der Befehlsspeicher 103 beispielsweise ein computerlesbares Medium darstellen kann, das Befehle enthält, die, wenn sie vom Prozessor 101 ausgeführt werden, den Prozessor 101 veranlassen, das Verfahrens zum Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils eines optischen Elements für die Mikrolithographie auszuführen.For example, the processor 101 may execute instructions stored in the instruction memory 103, where the instruction memory 103 may, for example, represent a computer-readable medium containing instructions that, when executed by the processor 101, cause the processor 101 to perform the method for determining an optimized temperature profile of an optical element for microlithography.

Der Prozessor 101 kann ein Prozessor eines beliebigen geeigneten Typs sein. Der Prozessor 101 kann einen oder mehrere Mikroprozessoren, einen oder mehrere Prozessoren mit einem oder mehreren zugehörigen digitalen Signalprozessoren, einen oder mehrere Prozessoren ohne zugehörige digitale Signalprozessoren, einen oder mehrere spezielle Computerchips, ein oder mehrere feldprogrammierbare Gate-Arrays (FPGAs), einen oder mehrere Controller, eine oder mehrere Anwendungsspezifische Integrierte Schaltungen (ASICs) oder einen oder mehrere Computer umfassen, ist aber nicht darauf beschränkt.The processor 101 may be a processor of any suitable type. The processor 101 may include, but is not limited to, one or more microprocessors, one or more processors with one or more associated digital signal processors, one or more processors without associated digital signal processors, one or more special purpose computer chips, one or more field programmable gate arrays (FPGAs), one or more controllers, one or more application specific integrated circuits (ASICs), or one or more computers.

Der Prozessor 101 kann zum Beispiel die Speicher 102 bis 104, die Kommunikationsschnittstelle(n) 105 und die Benutzerschnittstelle 106 steuern. Der Arbeitsspeicher 102 kann zum Beispiel ein flüchtiger Speicher sein. Dabei kann es sich beispielsweise um einen Direktzugriffsspeicher (RAM) oder einen dynamischen RAM (DRAM) handeln, um nur einige nicht einschränkende Beispiele zu nennen. Er kann zum Beispiel vom Prozessor 101 bei der Ausführung eines Betriebssystems und/oder Computerprogramms verwendet werden.For example, the processor 101 may control the memories 102-104, the communication interface(s) 105, and the user interface 106. The memory 102 may, for example, be a volatile memory. It may be, for example, a random access memory (RAM) or a dynamic random access memory (DRAM), to name just a few non-limiting examples. It may, for example, be used by the processor 101 in executing an operating system and/or computer program.

Der Befehlsspeicher 103 und/oder Datenspeicher 104 kann zum Beispiel ein nicht-flüchtiger Speicher sein. Er kann beispielsweise ein Flash-Speicher (oder ein Teil davon), ein ROM-, PROM-, EPROM- oder EEPROM-Speicher (oder ein Teil davon) oder eine Festplatte (oder ein Teil davon) sein, um nur einige Beispiele zu nennen. Die Kommunikationsschnittstelle(n) 105 ermöglichen es der Vorrichtung zur Datenverarbeitung 100, mit anderen Einrichtungen zu kommunizieren. Die Kommunikationsschnittstelle(n) 105 kann (können) beispielsweise eine drahtlose Schnittstelle (z. B. eine Mobilfunkschnittstelle, eine WLAN-Schnittstelle und/oder eine BT/BLE-Schnittstelle) und/oder eine drahtgebundene Schnittstelle (z. B. eine IPbasierte Schnittstelle) umfassen, um beispielsweise mit Einrichtungen über das Internet zu kommunizieren.The instruction memory 103 and/or data memory 104 may, for example, be a non-volatile memory. It may, for example, be a flash memory (or a part thereof), a ROM, PROM, EPROM or EEPROM memory (or a part thereof) or a hard disk (or a part thereof), to name just a few examples. The communication interface(s) 105 enable the data processing device 100 to communicate with other devices. The communication interface(s) 105 may, for example, comprise a wireless interface (e.g. a cellular interface, a WLAN interface and/or a BT/BLE interface) and/or a wired interface (e.g. an IP-based interface) to communicate with devices via the Internet, for example.

Die Benutzerschnittstelle 106 ist optional und kann ein Display zur Anzeige von Informationen für einen Benutzer und/oder ein Eingabegerät (z. B. eine Tastatur, ein Keypad, ein Touchpad, eine Maus usw.) zur Aufnahme von Informationen von einem Benutzer umfassen.The user interface 106 is optional and may include a display for displaying information to a user and/or an input device (e.g., a keyboard, keypad, touchpad, mouse, etc.) for receiving information from a user.

Einige oder alle Bestandteile der Vorrichtung zur Datenverarbeitung 100 können z. B. über einen Bus verbunden werden. Einige oder alle Bestandteile der Vorrichtung zur Datenverarbeitung 100 können z. B. zu einem oder mehreren Modulen zusammengefasst werden.Some or all components of the data processing device 100 can be connected via a bus, for example. Some or all components of the data processing device 100 can be combined into one or more modules, for example.

4 zeigt eine schematische Darstellung von Beispielen gegenständlicher und nicht-flüchtiger computerlesbarer Medien, insbesondere Speichermedien, gemäß der vorliegenden Offenbarung, die beispielsweise zur Implementierung des Arbeitsspeicher 102, des Befehlsspeicher 103 und/oder des Datenspeichers 104 verwendet werden können. Zu diesem Zweck zeigt 4 einen Flash-Speicher 109, der beispielsweise auf eine Leiterplatte gelötet und/oder befestigt sein kann, ein Solid-State-Laufwerk 110 mit einer Vielzahl von Speicherchips (z.B. Flash-Speicherchips), eine magnetische Festplatte 111, eine Secure Digital (SD)-Karte 112, einen Universal Serial Bus (USB)-Speicherstick 113, ein optisches Speichermedium 114 (wie z.B. eine CD-ROM oder DVD) und ein magnetisches Speichermedium 115. 4 shows a schematic representation of examples of tangible and non-transitory computer-readable media, in particular storage media, according to the present disclosure, which can be used, for example, to implement the main memory 102, the instruction memory 103 and/or the data memory 104. For this purpose, 4 a flash memory 109, which may be soldered and/or attached to a circuit board, for example, a solid-state drive 110 with a plurality of memory chips (e.g., flash memory chips), a magnetic hard disk 111, a Secure Digital (SD) card 112, a Universal Serial Bus (USB) memory stick 113, an optical storage medium 114 (such as a CD-ROM or DVD), and a magnetic storage medium 115.

BezugszeichenlisteList of reference symbols

11
ProjektionsbelichtungsanlageProjection exposure system
22
StrahlungsquelleRadiation source
33
BeleuchtungssystemLighting system
44
ProjektionssystemProjection system
55
MaskenhalterMask holder
66
Maskemask
77
SubstratSubstrat
88th
FlächeArea
99
SubstrathalterSubstrate holder
1010
temperierbares optisches Elementtemperature-controlled optical element
1111
Steuerungsteering
1212
temperierbare Zonetemperable zone
100100
Vorrichtung zur DatenverarbeitungDevice for data processing
101101
Prozessorprocessor
102102
Arbeitsspeicherrandom access memory
103103
BefehlsspeicherInstruction memory
104104
DatenspeicherData storage
105105
KommunikationsschnittstelleCommunication interface
106106
BenutzerschnittstelleUser interface
107107
Initiales-Temperaturprofil-BereitstellerInitial Temperature Profile Provider
108108
Optimiertes-Temperaturprofil-BestimmerOptimized temperature profile determiner
109109
Flash-SpeicherFlash memory
110110
Solid-State-LaufwerkSolid-state drive
111111
magnetische Festplattemagnetic hard drive
112112
SD-KarteSD card
113113
USB-SpeicherstickUSB memory stick
114114
optisches Speichermediumoptical storage medium
115115
magnetisches Speichermediummagnetic storage medium
BEBEBABIES
Bildebene des BeleuchtungssystemsImage plane of the lighting system
BEPRBEPR
Bildebene des ProjektionssystemsImage plane of the projection system
OABEOABE
optische Achse des Beleuchtungssystemsoptical axis of the lighting system
OAPROAPR
optische Achse des Projektionssystemsoptical axis of the projection system
OEPROEPR
Objektebene des ProjektionssystemsObject plane of the projection system
OGBOGB
optisch genutzter Bereichoptically used area
OUBOUB
optisch ungenutzter Bereichoptically unused area
OUB1OUB1
erster Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichsfirst section of the optically unused area
OUB2OUB2
zweiter Abschnitt des optisch ungenutzten Bereichssecond section of the optically unused area

Claims (15)

Verfahren zum Temperieren eines optischen Elements (10) für die Mikrolithographie umfassend die folgenden Schritte: 1a) Bereitstellen wenigstens eines temperierbaren optischen Elements (10) für die Mikrolithographie, - wobei das optische Element (10) eine Mehrzahl von temperierbaren Zonen (12) aufweist, - wobei ein Teil der temperierbaren Zonen (12) in einem optisch genutzten Bereich (OGB) des optischen Elements (10) angeordnet ist, und - wobei ein Teil der temperierbaren Zonen (12) in einem optisch ungenutzten Bereich (OUB) des optischen Elements (10) angeordnet ist, 2a) Temperieren des optischen Elements (10), - wobei wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen (12) in dem optisch genutzten Bereich (OGB), in einem ersten Abschnitt (OUB1) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB) und/oder in einem zweiten Abschnitt (OUB2) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB) temperiert wird, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt 2a) in dem zweiten Abschnitt (OUB2) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB) wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen (12) nicht dieselbe Temperatur aufweist wie wenigstens ein anderer Teil der temperierbaren Zonen (12) in dem zweiten Abschnitt (OUB2) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB) und/oder wie wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen (12) in dem ersten Abschnitt (OUB1) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB).Method for tempering an optical element (10) for microlithography, comprising the following steps: 1a) providing at least one temperable optical element (10) for microlithography, - wherein the optical element (10) has a plurality of temperable zones (12), - wherein a portion of the temperable zones (12) is arranged in an optically used region (OGB) of the optical element (10), and - wherein a portion of the temperable zones (12) is arranged in an optically unused region (OUB) of the optical element (10), 2a) tempering the optical element (10), - wherein at least a portion of the temperable zones (12) is tempered in the optically used region (OGB), in a first section (OUB1) of the optically unused region (OUB) and/or in a second section ( OUB2 ) of the optically unused region (OUB), characterized in that in step 2a) in the second section (OUB 2 ) of the optically unused area (OUB), at least some of the temperature-controlled zones (12) do not have the same temperature as at least another part of the temperature-controlled zones (12) in the second section (OUB 2 ) of the optically unused area (OUB) and/or as at least some of the temperature-controlled zones (12) in the first section (OUB 1 ) of the optically unused area (OUB). Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt 2a) in dem ersten Abschnitt (OUB1) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB) wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen (12) auf eine Referenztemperatur temperiert wird, dass in Schritt 2a) in dem zweiten Abschnitt (OUB2) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB) wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen (12) nicht die Referenztemperatur aufweist, dass in Schritt 2a) in dem zweiten Abschnitt (OUB2) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB) wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen (12) auf wenigstens eine Temperatur abweichend von der Referenztemperatur und/oder auf unterschiedliche Temperaturen temperiert wird und/oder dass in Schritt 2a) in dem optisch genutzten Bereich (OGB) wenigstens ein Teil der temperierbaren Zonen (12) auf wenigstens eine Temperatur abweichend von der Referenztemperatur und/oder auf unterschiedliche Temperaturen temperiert wird.Procedure according to Claim 1 , characterized in that in step 2a) in the first section (OUB1) of the optically unused area (OUB) at least a part of the temperature-controlled zones (12) is tempered to a reference temperature, that in step 2a) in the second section (OUB 2 ) of the optically unused area (OUB) at least some of the temperature-controlled zones (12) do not have the reference temperature, that in step 2a) in the second section (OUB 2 ) of the optically unused area (OUB) at least some of the temperature-controlled zones (12) are tempered to at least one temperature deviating from the reference temperature and/or to different temperatures and/or that in step 2a) in the optically used area (OGB) at least some of the temperature-controlled zones (12) are tempered to at least one temperature deviating from the reference temperature and/or to different temperatures. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt 2a) das optische Element (10) derart temperiert wird, dass die über wenigstens einen Teil, vorzugsweise im Wesentlichen alle, temperierbaren Zonen (12) gemittelte Temperaturabweichung zu der Referenztemperatur unterhalb eines vorgegebenen Schwellwerts liegt.Procedure according to Claim 2 , characterized in that in step 2a) the optical element (10) is tempered such that the temperature deviation from the reference temperature averaged over at least a part, preferably substantially all, temperable zones (12) is below a predetermined threshold value. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der optisch ungenutzte Bereich (OUB) wenigstens abschnittsweise am Rand des optischen Elements (10), insbesondere wenigstens abschnittsweise entlang des Rands des optischen Elements (10) umlaufend, angeordnet ist und/oder dass der erste Abschnitt (OUB1) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB) wenigstens abschnittsweise am Rand des optischen Elements (10), insbesondere wenigstens abschnittsweise entlang des Rands des optischen Elements (10) umlaufend, angeordnet ist.Procedure according to one of the Claims 1 until 3 , characterized in that the optically unused region (OUB) is arranged at least in sections on the edge of the optical element (10), in particular at least in sections along the edge of the optical element (10), and/or that the first section (OUB 1 ) of the optically unused region (OUB) is arranged at least in sections on the edge of the optical element (10), in particular at least in sections along the edge of the optical element (10). Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Abschnitt (OUB2) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB) wenigstens abschnittsweise zwischen dem ersten Abschnitt (OUB1) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB) und dem optisch genutzten Bereich (OGB) angeordnet ist und/oder der optisch genutzte Bereich (OGB) wenigstens abschnittsweise in der Mitte des optischen Elements (10) angeordnet ist.Procedure according to one of the Claims 1 until 4 , characterized in that the second section (OUB 2 ) of the optically unused region (OUB) is arranged at least in sections between the first section (OUB 1 ) of the optically unused region (OUB) and the optically used region (OGB) and/or the optically used region (OGB) is arranged at least in sections in the middle of the optical element (10). Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Mikrolithographie umfassend: - wenigstens ein temperierbares optisches Element (10), und - eine Steuerung (11), - wobei das optische Element (10) und/oder die Steuerung (11) eingerichtet ist das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5 durchzuführen.Projection exposure system (1) for microlithography comprising: - at least one temperature-controlled optical element (10), and - a controller (11), - wherein the optical element (10) and/or the controller (11) is configured to carry out the method according to one of the Claims 1 until 5 to carry out. Verfahren zum Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils eines optischen Elements (10) für die Mikrolithographie umfassend die folgenden Schritte: 1b) Bereitstellen eines initialen Temperaturprofils eines optischen Elements (10) für die Mikrolithographie, - wobei das optische Element (10) eine Mehrzahl von temperierbaren Zonen (12) aufweist, - wobei ein Teil der temperierbaren Zonen (12) in einem optisch genutzten Bereich (OGB) des optischen Elements (10) angeordnet ist, - wobei ein Teil der temperierbaren Zonen (12) in einem optisch ungenutzten Bereich (OUB) des optischen Elements (10) angeordnet ist, - wobei das initiale Temperaturprofil für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen (12) eine jeweilige initiale Solltemperatur umfasst, und - wobei eine initiale Temperierleistung erforderlich ist, um das initiale Temperaturprofil einzustellen, 2b) Bestimmen eines optimierten Temperaturprofils des optischen Elements (10) ausgehend von dem initialen Temperaturprofil mittels eines Optimierungsverfahrens, - wobei das optimierte Temperaturprofil für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen (12) eine jeweilige optimierte Solltemperatur umfasst, - wobei eine optimierte Temperierleistung erforderlich ist, um das optimierte Temperaturprofil einzustellen, - wobei für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen (12) in dem optisch genutzten Bereich (OGB) die jeweilige Solltemperatur für das optimierte Temperaturprofil gegenüber der jeweiligen Solltemperatur des initialen Temperaturprofils unverändert bleibt, - wobei für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen (12) in dem optisch ungenutzten Bereich (OUB) die jeweilige Solltemperatur für das optimierte Temperaturprofil gegenüber der jeweiligen Solltemperatur des initialen Temperaturprofils verändert wird.Method for determining an optimized temperature profile of an optical element (10) for microlithography, comprising the following steps: 1b) providing an initial temperature profile of an optical element (10) for microlithography, - wherein the optical element (10) has a plurality of temperature-controlled zones (12), - wherein a portion of the temperature-controlled zones (12) is arranged in an optically used area (OGB) of the optical element (10), - wherein a portion of the temperature-controlled zones (12) is arranged in an optically unused area (OUB) of the optical element (10), - wherein the initial temperature profile for at least a portion of the temperature-controlled zones (12) comprises a respective initial target temperature, and - wherein an initial temperature control power is required to set the initial temperature profile, 2b) determining an optimized temperature profile of the optical element (10) based on the initial temperature profile by means of an optimization method, - wherein the optimized temperature profile for at least some of the temperature-controlled zones (12) comprises a respective optimized target temperature, - wherein an optimized temperature control performance is required in order to set the optimized temperature profile, - wherein for at least some of the temperature-controlled zones (12) in the optically used area (OGB), the respective target temperature for the optimized temperature profile remains unchanged compared to the respective target temperature of the initial temperature profile, - wherein for at least some of the temperature-controlled zones (12) in the optically unused area (OUB), the respective target temperature for the optimized temperature profile is changed compared to the respective target temperature of the initial temperature profile. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt 2b) für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen (12) in dem optisch ungenutzten Bereich (OUB) die jeweilige Solltemperatur für das optimierte Temperaturprofil gegenüber der jeweiligen Solltemperatur des initialen Temperaturprofils derart verändert wird, dass die optimierte Temperierleistung niedriger ist als die initiale Temperierleistung.Procedure according to Claim 7 , characterized in that in step 2b) for at least a part of the temperature-controlled zones (12) in the optically unused area (OUB) the respective target temperature for the optimized temperature profile is changed compared to the respective target temperature of the initial temperature profile such that the optimized temperature control performance is lower than the initial temperature control performance. Verfahren nach Anspruch 7 oder Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt 1b) für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen (12) in einem ersten Abschnitt (OUB1) und/oder einem zweiten Abschnitt (OUB2) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB) die jeweilige Solltemperatur des initialen Temperaturprofils einer Referenztemperatur entspricht.Procedure according to Claim 7 or Claim 8 , characterized in that in step 1b) for at least a part of the temperature-controlled zones (12) in a first section (OUB 1 ) and/or a second section (OUB 2 ) of the optically unused area (OUB) the respective target temperature of the initial temperature profile corresponds to a reference temperature. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt 2b) für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen (12) in einem ersten Abschnitt (OUB1) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB) die jeweilige Solltemperatur für das optimierte Temperaturprofil gegenüber der jeweiligen Solltemperatur des initialen Temperaturprofils unverändert bleibt und/oder dass in Schritt 2b) für wenigstens einen Teil der temperierbaren Zonen (12) in einem zweiten Abschnitt (OUB2) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB) die jeweilige Solltemperatur für das optimierte Temperaturprofil gegenüber der jeweiligen Solltemperatur des initialen Temperaturprofils verändert wird.Method according to one of the Claims 7 until 9 , characterized in that in step 2b) for at least part of the temperature-controlled Zones (12) in a first section (OUB 1 ) of the optically unused area (OUB), the respective target temperature for the optimized temperature profile remains unchanged compared to the respective target temperature of the initial temperature profile and/or that in step 2b) for at least some of the temperature-controlled zones (12) in a second section (OUB 2 ) of the optically unused area (OUB), the respective target temperature for the optimized temperature profile is changed compared to the respective target temperature of the initial temperature profile. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass der optisch ungenutzte Bereich (OUB) wenigstens abschnittsweise am Rand des optischen Elements (10), insbesondere wenigstens abschnittsweise entlang des Rands des optischen Elements (10) umlaufend, angeordnet ist und/oder dass der erste Abschnitt (OUB1) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB) wenigstens abschnittsweise am Rand des optischen Elements (10), insbesondere wenigstens abschnittsweise entlang des Rands des optischen Elements (10) umlaufend, angeordnet ist.Procedure according to one of the Claims 7 until 10 , characterized in that the optically unused region (OUB) is arranged at least in sections on the edge of the optical element (10), in particular at least in sections along the edge of the optical element (10), and/or that the first section (OUB 1 ) of the optically unused region (OUB) is arranged at least in sections on the edge of the optical element (10), in particular at least in sections along the edge of the optical element (10). Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Abschnitt (OUB2) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB) wenigstens abschnittsweise zwischen dem ersten Abschnitt (OUB1) des optisch ungenutzten Bereichs (OUB) und dem optisch genutzten Bereich (OGB) angeordnet ist und/oder der optisch genutzte Bereich (OGB) wenigstens abschnittsweise in der Mitte des optischen Elements (10) angeordnet ist.Procedure according to one of the Claims 7 until 11 , characterized in that the second section (OUB 2 ) of the optically unused region (OUB) is arranged at least in sections between the first section (OUB 1 ) of the optically unused region (OUB) and the optically used region (OGB) and/or the optically used region (OGB) is arranged at least in sections in the middle of the optical element (10). Vorrichtung zur Datenverarbeitung (100) umfassend einen Prozessor (101), der so konfiguriert ist, dass er das Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 12 ausführt.A data processing device (100) comprising a processor (101) configured to carry out the method according to one of the Claims 7 until 12 executes. Computerprogramm umfassend Befehle, die dazu ausgebildet sind, bei Ausführung durch mindestens einen Prozessor (101) einer Vorrichtung (100), die Vorrichtung (100) zu veranlassen das Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 12 auszuführen.Computer program comprising instructions which, when executed by at least one processor (101) of a device (100), are designed to cause the device (100) to carry out the method according to one of the Claims 7 until 12 to execute. Computerlesbares Medium (109, 110, 111, 112, 113, 114, 115) umfassend Befehle, die bei der Ausführung durch mindestens einen Prozessor (101) einer Vorrichtung (100), die Vorrichtung (100) veranlassen das Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 12 auszuführen.Computer-readable medium (109, 110, 111, 112, 113, 114, 115) comprising instructions which, when executed by at least one processor (101) of a device (100), cause the device (100) to carry out the method according to one of the Claims 7 until 12 to execute.
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