DE102020008109A1

DE102020008109A1 - Arrangement comprising organic light-emitting diodes on a flexible substrate

Info

Publication number: DE102020008109A1
Application number: DE102020008109.6A
Authority: DE
Inventors: Thomas Emde; Ralph Wichtendahl
Original assignee: Lightpat GmbH
Current assignee: Lightpat GmbH
Priority date: 2020-11-16
Filing date: 2020-11-16
Publication date: 2022-05-19

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung umfassend organische Leuchtdioden (OLED) mit einem Schichtaufbau umfassend:ein flexibles Substrat (F1),mindestens eine auf das Substrat aufgebrachte Barriereschicht (S1),mindestens eine transparente Elektrode (E1),eine Licht emittierende Schichtenfolge (O1) umfassend organische Materialien (OLED-Stack),mindestens eine Rückelektrode (R1)mindestens eine oberste Verkapselungsschicht, die den Schichtaufbau gegen den Einfluss von Feuchtigkeit und Sauerstoff versiegelt,wobei die oberste Verkapselungsschicht gleichzeitig als Rückelektrode (R1) dient und aus einem elektrisch leitenden Material besteht, wobei die Anordnung gemäß der Erfindung weiterhin eine nicht leitende Schicht (B1) umfasst, die sich im Kontaktierungsbereich bis in den Bereich einer weiteren leitfähigen Bahn (L3) erstreckt, wobei die nicht leitende Schicht (B1) vor der Abscheidung der Licht emittierenden Schichtenfolge (O1) aufgebracht ist undvon letzterer teilweise überdeckt wird.Die erfindungsgemäße Lösung ermöglicht eine vereinfachte Prozessführung durch Direktverkapselung. Die erfindungsgemäße Verkapselungsschicht kann insbesondere ganzflächig aufgebracht werden und vorteilhafter Weise aus sehr wasserdampfdiffusionsdichten Materialien, insbesondere aus Metallen, bestehen, die auch elektrisch leitfähig sind.The present invention relates to an arrangement comprising organic light-emitting diodes (OLED) with a layer structure comprising: a flexible substrate (F1), at least one barrier layer (S1) applied to the substrate, at least one transparent electrode (E1), a light-emitting layer sequence (O1) comprising organic materials (OLED stack), at least one rear electrode (R1), at least one top encapsulation layer, which seals the layer structure against the influence of moisture and oxygen, the top encapsulation layer also serving as a rear electrode (R1) and consisting of an electrically conductive material , wherein the arrangement according to the invention further comprises a non-conductive layer (B1) which extends in the contacting area into the area of a further conductive track (L3), wherein the non-conductive layer (B1) before the deposition of the light-emitting layer sequence ( O1) is applied and partially covered by the latter The solution according to the invention enables a simplified process control through direct encapsulation. The encapsulation layer according to the invention can in particular be applied over the entire surface and can advantageously consist of materials that are very impermeable to water vapor diffusion, in particular of metals, which are also electrically conductive.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung umfassend organische Leuchtdioden (OLED) mit einem Schichtaufbau umfassend:

ein flexibles Substrat,
mindestens eine auf das Substrat aufgebrachte Barriereschicht,
mindestens eine transparente Elektrode,
eine Licht emittierende Schichtenfolge umfassend organische Materialien (OLED-Stack), mindestens eine Rückelektrode,
mindestens eine oberste Verkapselungsschicht, die den Schichtaufbau gegen den Einfluss von Feuchtigkeit und Sauerstoff versiegelt.

The present invention relates to an arrangement comprising organic light-emitting diodes (OLED) with a layer structure comprising:

a flexible substrate,
at least one barrier layer applied to the substrate,
at least one transparent electrode,
a light-emitting layer sequence comprising organic materials (OLED stack), at least one rear electrode,
at least one top encapsulation layer that seals the layer structure against the influence of moisture and oxygen.

Stand der TechnikState of the art

Aus der DE 10 2014 202 945 B4 ist ein flächiges organisches elektronisches Bauelement, insbesondere eine organische Leuchtdiode bekannt, die im sogenannten roll-to-roll-Verfahren hergestellt werden kann. Hier wird auf das Substrat eine Grundelektrode aufgebracht, darauf eine Passivierungsschicht, dann die OLED-Schicht und dann eine zweite Elektrodenschicht, die als Rückelektrode dient. Die gesamte Schichtenfolge ist mit einer Verkapselungsschicht bedeckt. Die Grundelektrode und die Rückelektrode werden jeweils mit elektrischen Kontakten verbunden. Die Grundelektrode ist hier direkt auf das Substrat aufgebracht. Die Passivierungsschicht liegt über und nicht unter der Grundelektrode. Die Verkapselungsschicht schützt die aktiven Schichten gegen mechanische Einflüsse und gegen das Eindringen von Wasser und Sauerstoff. Die Passivierungsschicht besteht aus einem durch Flexodruck aufgebrachten Harz, welches durch UV-Strahlung oder thermisch gehärtet wird. Die Verkapselungsschicht muss bei dieser bekannten OLED aus einem elektrisch nicht leitenden Material bestehen.From the DE 10 2014 202 945 B4 a flat organic electronic component, in particular an organic light-emitting diode, is known which can be produced in the so-called roll-to-roll process. Here, a base electrode is applied to the substrate, followed by a passivation layer, then the OLED layer and then a second electrode layer, which serves as the back electrode. The entire layer sequence is covered with an encapsulation layer. The base electrode and the back electrode are each connected to electrical contacts. The ground electrode is applied directly to the substrate here. The passivation layer is above and not below the ground electrode. The encapsulation layer protects the active layers against mechanical influences and against the penetration of water and oxygen. The passivation layer consists of a resin applied by flexographic printing, which is cured by UV radiation or thermally. In this known OLED, the encapsulation layer must consist of an electrically non-conductive material.

In der EP 3 035 404 A1 werden Barriereschichten für OLEDs beschrieben, die im roll-to-roll Verfahren hergestellt werden. Dabei wird auf ein Substrat eine organische Schicht aufgebracht, die zwischen zwei Barriereschichten liegt. In diese mehrschichtige Barriereschicht wird eine Nut geschnitten, die mit einem Versiegelungsmaterial gefüllt wird, welches eine hohe Leitfähigkeit aufweisen kann. Anschließend wird ein elektrisch leitender Widerstand (als shunt 47 bezeichnet) über den Schichten aufgebracht und mit dem Versiegelungsmaterial verbunden. Anschließend wird eine erste Elektrodenschicht auf die mehrschichtige Barriereschicht aufgebracht, über der ersten Elektrode wird eine elektrooptische Schicht abgeschieden, darüber eine zweite Elektrodenschicht und darauf schließlich als oberste Schicht eine Versiegelungsschicht, wobei die untere Elektrodenschicht aus der Versiegelung herausgeführt ist und mit dem Leiter verbunden wird, der mit dem Versiegelungsmaterial verbunden ist. Die oberste Schicht, die den Schichtaufbau der aktiven, Licht emittierenden Schichten versiegelt, muss aus einem elektrisch nicht-leitenden Material bestehen.In the EP 3 035 404 A1 describes barrier layers for OLEDs that are produced in the roll-to-roll process. In this case, an organic layer is applied to a substrate, which lies between two barrier layers. A groove is cut into this multilayer barrier layer and filled with a sealing material, which may have high conductivity. An electrically conductive resistor (referred to as shunt 47) is then placed across the layers and bonded to the sealing material. A first electrode layer is then applied to the multi-layer barrier layer, an electro-optical layer is deposited over the first electrode, a second electrode layer is deposited on top of this and finally a sealing layer as the top layer, with the lower electrode layer being led out of the sealing and being connected to the conductor, connected to the sealing material. The top layer, which seals the layer structure of the active, light-emitting layers, must consist of an electrically non-conductive material.

Ein zentrales Problem insbesondere der großflächigen OLEDs ist die Kombination aus der Frontelektrode, die eine sehr hohe Transparenz aufweisen sollte, die aber gleichzeitig auch sehr leitfähig sein muss. Die wird nach dem bisherigen Stand der Technik oft gelöst durch die Verwendung von serienverschalteten Elementen. Diese bedingen auch verschiedene elektrische Potentiale auf der Rückseite, was wiederum eine elektrische Isolation auf der Rückseite gegenüber der rückseitigen Barriere erfordert.A central problem, especially with large-area OLEDs, is the combination of the front electrode, which should have a very high level of transparency, but which must also be very conductive at the same time. According to the prior art, this is often solved by using series-connected elements. These also impose different electrical potentials on the backside, which in turn requires electrical isolation on the backside from the backside barrier.

Sehr gute Barriereschichten auf der Vorderseite und auf der Rückseite sind erforderlich, von denen mindestens eine transparent sein muss, ebenso muss eine wasserdampfdichte Fügung der beiden Barriereseiten entlang der Ränder stattfinden, damit auch zwischen diese keine Wasser- und Sauerstoffmoleküle eindiffundieren können. Typischerweise sind Metalle sehr dicht gegenüber der Wasserdampfdiffusion, was aber der oben genannten Forderung einer elektrisch nicht-leitenden Rückseitenbarriere widerspricht.Very good barrier layers are required on the front and on the back, of which at least one must be transparent. The two barrier sides must also be joined together along the edges so that no water and oxygen molecules can diffuse between them. Typically, metals are very impervious to water vapor diffusion, but this contradicts the requirement of an electrically non-conductive backside barrier mentioned above.

Bisherige Ansätze bei OLEDs, die im roll-to-roll-Verfahren hergestellt werden, verwenden bevorzugt aktive Flächen, die in einzelne Zellen strukturiert werden, welche dann in einer Serienverschaltung aneinandergereiht werden, um die maximalen Stromstärken zu begrenzen.Previous approaches to OLEDs, which are manufactured using the roll-to-roll process, preferably use active areas that are structured into individual cells, which are then connected in series in order to limit the maximum current intensities.

Als transparente Barriere können beispielsweise Glas, Dünnglas (unter Dünnglas versteht man eine sehr dünn ausgewalzte Glasschicht von vorzugsweise etwa 10 bis 100µm, die teilweise wiederum auf Trägerfolien aufgebracht ist) oder Kunststofffolien (PET, PEN) mit verschiedenen keramischen sehr dünnen Schichten verwendet werden (beispielsweise Al₂O₃, SiN, SiOxNy), vorteilhaft in einer mehrschichtigen Folge mit dünnen organischen Ausgleichsschichten aufgebracht, bei denen die Ausgleichsschichten die Aufgabe haben, Schichtdefekte voneinander zu entkoppeln und teilweise eindiffundiertes Wasser durch eingebrachte Gettermaterialien zu binden.For example, glass, thin glass (thin glass is a very thin rolled glass layer of preferably about 10 to 100 µm, which is partially applied to carrier foils) or plastic foils (PET, PEN) with various ceramic very thin layers can be used as a transparent barrier (e.g Al ₂ O ₃ , SiN, SiOxNy), advantageously applied in a multi-layer sequence with thin organic leveling layers, in which the leveling layers have the task of decoupling layer defects from one another and partially binding water that has diffused in through introduced getter materials.

Die zweite Barriere kann entweder auch eine der vorab beschriebenen transparenten Materialien sein, oder eine intransparente Schicht. Diese entstehen oft durch dickere Schichten, wie sie auch bei den transparenten Schichten benutzt werden. Es sind auch beidseitig in Folien einkaschierte Metallfolien gebräuchlich, die in der Fläche sehr gut funktionieren, aber an den Rändern stets durch die untere Kaschierungsfolie(n) Wasserdampfdiffusion zulassen.The second barrier can either be one of the transparent materials described above, or an opaque layer. These are often caused by thicker layers, such as those used for the transparent layers. There are also metal foils laminated in foils on both sides common, which work very well on the surface, but always allow water vapor diffusion at the edges through the lower lamination film(s).

Aufgedampfte Aluminium-Metallschichten werden nicht als Barriere verwendet, da sie zu der Ausbildung kleiner Löcher (Pinholes) beim Aufwachsen neigen. Andere Materialien (z.B. Silber) sind bislang nur in sehr dünnen, noch transparenten und beidseitig mit Dielektrika stabilisierten Schichten auf Wasserdampfdiffusion getestet.Evaporated aluminum metal layers are not used as a barrier because they tend to form small holes (pinholes) during growth. Other materials (e.g. silver) have so far only been tested for water vapor diffusion in very thin, still transparent layers that are stabilized on both sides with dielectrics.

Barriereverkapselungen werden bislang oft durch Lamination der mehrerer Barrieresysteme hergestellt. Das zu schützende Bauteil wird dabei zwischen den Barrieren eingeklebt. Zur Lamination kommen flüssige Klebstoffe oder auch PSA-Folien zum Einsatz. Der systematische Nachteil dieser Lamination sind die großen Mengen fremder Materialien (Klebstoffe, Schutz- und Trägerfolien), die zwischen den wirksamen Barriereschichten außer der eigentlich sensitiven Schicht mit eingefügt werden, die damit neben den Eigenschaften, die die Lamination fordert, auch chemisch inert gegenüber der Nutzschicht (OLED-Stack) sein müssen und selber kein Wasser oder anhaftendes Atmosphärenwasser enthalten dürfen.Barrier encapsulations have so far often been produced by laminating several barrier systems. The component to be protected is glued in between the barriers. Liquid adhesives or PSA films are used for lamination. The systematic disadvantage of this lamination is the large amount of foreign materials (adhesives, protective and carrier films) that are inserted between the effective barrier layers, apart from the actually sensitive layer, which, in addition to the properties required by the lamination, is also chemically inert to the must be a wear layer (OLED stack) and itself must not contain any water or adhering atmospheric water.

Üblicherweise verlangt das Schema der herzustellenden OLEDs eine transparente und/oder nichtleitende rückseitige Barriere.Typically, the scheme of OLEDs to be fabricated calls for a transparent and/or non-conductive back barrier.

Die genannten Nachteile werden nach dem Stand der Technik oft durch die Direktverkapselung gelöst. Diese zeichnet sich dadurch aus, dass die zweite Barriere direkt auf die erste Barriere und die darauf aufgebaute Schichtenfolge (OLED, Display, OPV, CIGS-PV) aufgebracht wird. Damit wird eine zwischenliegende Klebstoffschicht vermieden. Um elektrisch und topologisch gegen Unebenheiten und den oben beschriebenen Potentialdifferenzen zu isolieren, sind diese Direktverkapselungen mit einer unterliegenden nichtleitenden Planarisierungsschicht ausgeführt und die Barrieren mit durch ALD, CVD, PECVD oder Sputtern abgeschiedenen Al₂O₃, SiO, SiN, SiOxNy ausgeführt, wiederum vorteilhaft als Mehrfachschichtsystem (bekannt als Vitex-Aufbau).According to the prior art, the disadvantages mentioned are often solved by direct encapsulation. This is characterized by the fact that the second barrier is applied directly to the first barrier and the layer sequence built up on it (OLED, display, OPV, CIGS-PV). This avoids an intermediate layer of adhesive. In order to insulate electrically and topologically against unevenness and the potential differences described above, these direct encapsulations are designed with an underlying non-conductive planarization layer and the barriers are designed with Al ₂ O ₃ , SiO, SiN, SiOxNy deposited by ALD, CVD, PECVD or sputtering, which is again advantageous as a multi-layer system (known as Vitex construction).

Die Direktverkapselung bedingt eine recht komplexe Prozessfolge, die zwar schon großtechnisch in der Displayproduktion, aber noch nicht erfolgreich in einer kostensparenden und großflächigen Rolle-zu-Rolle Fertigung durchgeführt wird. Die Schwierigkeit in der Rolle-zu-Rolle Fertigung besteht in dem Zwang zu einem kontinuierlichen Prozess mit gleichen Prozessgeschwindigkeiten aller Komponenten. Sollen mehrere gleichartige Schichten aufgebracht werden und darf die unterliegende Schicht nicht zwischendurch berührt werden, etwa durch Aufrollen, müssen die entsprechenden Beschichtungsvorrichtungen mehrfach in der Anlage vorhanden sein.Direct encapsulation requires a fairly complex process sequence, which is already being carried out on an industrial scale in display production, but not yet successfully carried out in cost-saving and large-area roll-to-roll production. The difficulty in roll-to-roll production is the need for a continuous process with the same process speeds for all components. If several layers of the same type are to be applied and the underlying layer must not be touched in between, for example by being rolled up, the corresponding coating devices must be available several times in the system.

Schließlich bildet der Schnitt zwischen zwei in Rolle-zu-Rolle hergestellten Produkten oft ein technisches Problem, da entlang der Schnittlinie auch die laterale Abdichtung der Barriere gewährleistet sein muss.Finally, the cut between two roll-to-roll products often presents a technical problem, since the lateral sealing of the barrier must also be guaranteed along the cut line.

Das Problem der Querleitfähigkeit der transparenten Elektrode wird, wenn nicht durch Umgehung mithilfe der Serienverschaltung, oft durch eingebrachte oder aufgebrachte Leiterbahnen gelöst. Üblicherweise soll die Leitungsverstärkung aber möglichst unsichtbar sein und die Leiterbahnen werden nicht als dekoratives Element genutzt.The problem of the transverse conductivity of the transparent electrode is often solved by introduced or applied conductor tracks, if not by circumventing it with the help of series connection. Usually, however, the cable reinforcement should be as invisible as possible and the conductor tracks are not used as a decorative element.

Ausgehend von dem zuvor genannten Stand der Technik besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, eine Anordnung umfassend organische Leuchtdioden mit den eingangs genannten Merkmalen zur Verfügung zu stellen, die bei der Herstellung eine vereinfachte Prozessführung mit Direktverkapselung zulässt, und dadurch insbesondere eine kostengünstige Fertigung auch großflächiger OLEDs für den Beleuchtungssektor ermöglicht.Proceeding from the prior art mentioned above, the object of the present invention is to provide an arrangement comprising organic light-emitting diodes with the features mentioned at the outset, which allows simplified process control with direct encapsulation during production, and thereby in particular cost-effective production, also over large areas OLEDs for the lighting sector enabled.

Die Lösung der vorgenannten Aufgabe liefert eine Anordnung umfassend organische Leuchtdioden der eingangs genannten Art mit den Merkmalen des Anspruchs 1. Die in den Unteransprüchen genannten Merkmale beziehen sich auf bevorzugte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Aufgabenlösung.The solution to the above problem is provided by an arrangement comprising organic light-emitting diodes of the type mentioned at the beginning with the features of claim 1. The features mentioned in the subclaims relate to preferred developments of the solution to the problem according to the invention.

Lösungsansatz der vorliegenden ErfindungApproach of the present invention

Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Verkapselungsschicht gleichzeitig als Rückelektrode dient und aus einem elektrisch leitenden Material besteht.According to the invention, the encapsulation layer simultaneously serves as a back electrode and consists of an electrically conductive material.

Die erfindungsgemäße Lösung ermöglicht eine vereinfachte Prozessführung durch Direktverkapselung. Die erfindungsgemäße Verkapselungsschicht kann insbesondere ganzflächig aufgebracht werden und vorteilhafter Weise aus sehr wasserdampfdiffusionsdichten Materialien, insbesondere aus Metallen, bestehen, die auch elektrisch leitfähig sind, so dass die Verkapselungsschicht gleichzeitig als Rückelektrode dienen kann. Damit wird durch die vorliegende Erfindung eine kostengünstige Rolle-zu-Rolle Produktionsmöglichkeit für eine neue Anwendung großflächiger OLEDs erschlossen.The solution according to the invention enables a simplified process control through direct encapsulation. The encapsulation layer according to the invention can in particular be applied over the entire surface and advantageously consist of very water vapor diffusion-tight materials, in particular of metals, which are also electrically conductive, so that the encapsulation layer can simultaneously serve as a back electrode. The present invention thus opens up a cost-effective roll-to-roll production option for a new application of large-area OLEDs.

Bei der Herstellung der großflächigen OLED wird erfindungs3gemäß eine Prozessreihenfolge angewandt, die eine Direktverkapselung mittels elektrisch leitender Materialien erlaubt.In the production of the large-area OLED, according to the invention, there is a process sequence applied, which allows direct encapsulation using electrically conductive materials.

Insbesondere erfolgt gemäß einer Weiterbildung der Erfindung die Verwendung einer metallischen Schicht oder einer Kombination metallischer Schichten, deren Eigenschaft es ist, keine Pinholes auszubilden bzw. aus der vorangegangenen Schicht gebildete Pinholes bevorzugt zu schließen, beispielsweise als zweite Barriereschicht in einer Direktverkapselung.In particular, according to a development of the invention, a metallic layer or a combination of metallic layers is used whose property is not to form any pinholes or preferably to close pinholes formed from the previous layer, for example as a second barrier layer in a direct encapsulation.

Vorzugsweise umfasst gemäß einer Weiterbildung der Erfindung die oberste Verkapselungsschicht mindestens eine metallische Schicht, insbesondere aus Ag, Al, Cu oder Au und/oder sie umfasst mindestens eine keramische Schicht.According to a development of the invention, the uppermost encapsulation layer preferably comprises at least one metallic layer, in particular made of Ag, Al, Cu or Au, and/or it comprises at least one ceramic layer.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung umfasst die Verkapselungsschicht und Rückelektrode (R1) eine Schichtfolge mehrerer metallischer Schichten und/oder eine Schichtfolge mehrerer keramischer Materialien.According to a preferred development of the invention, the encapsulation layer and rear electrode (R1) comprises a layer sequence of a plurality of metallic layers and/or a layer sequence of a plurality of ceramic materials.

Vorzugsweise ist gemäß der Erfindung die Schichtleitfähigkeit der Verkapselungsschicht und Rückelektrode (R1) größer ist als diejenige der transparenten Elektrode (E1) ohne Leitungsverstärkung durch eine leitfähige Bahn (L1). Die Anwendung einer metallischen Leitungsverstärkung auf der transparenten Elektrode kann in vorteilhafter Weise als dekoratives Element für die OLED verwendet werden.According to the invention, the layer conductivity of the encapsulation layer and rear electrode (R1) is preferably greater than that of the transparent electrode (E1) without conduction reinforcement by a conductive track (L1). The application of a metallic wire reinforcement on the transparent electrode can be advantageously used as a decorative element for the OLED.

Es können erfindungsgemäß Metallschichtsysteme oder alternativ beispielsweise eine Metallfolie als zweite Barriereschicht in einer laminierten Barriereschichtanordnung verwendet werden.According to the invention, metal layer systems or alternatively, for example, a metal foil can be used as the second barrier layer in a laminated barrier layer arrangement.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung ist die Verkapselungsschicht und Rückelektrode (R1) in einem Kontaktierungsbereich zum äußeren Rand hin unterbrochen und das Potential der transparenten Elektrode (E1) ist nach außen geführt ist und/oder die Verkapselungsschicht und Rückelektrode (R1) ist in anderen Bereichen zum äußeren Rand hin nicht unterbrochen.According to a preferred development of the invention, the encapsulation layer and rear electrode (R1) is interrupted in a contact area towards the outer edge and the potential of the transparent electrode (E1) is routed to the outside and/or the encapsulation layer and rear electrode (R1) is in other areas uninterrupted towards the outer edge.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung ist ein zusammenhängender leitfähiger Bereich der transparenten Elektrode (E1) in Richtung der Breite der OLED schmaler als die Licht emittierende Schichtenfolge (O1). Damit ist die gesamte innere transparente Elektrode E1 elektrisch gegen die darüber liegende Rückelektrode R1 isoliert.According to a preferred development of the invention, a continuous conductive area of the transparent electrode (E1) is narrower than the light-emitting layer sequence (O1) in the direction of the width of the OLED. The entire inner transparent electrode E1 is thus electrically insulated from the back electrode R1 lying above it.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung weist in Teilbereichen die transparente Elektrode in Richtung der Breite der OLED gesehen zwei elektrisch gegeneinander isolierte Bereiche (E1) und (E2) auf, die durch einen Bereich (E5) voneinander getrennt sind, in dem keine transparente Elektrode vorgesehen ist, wobei in einem Kontaktierungsbereich die transparente Elektrode (E1) in Richtung der Breite durchgehend ist.According to a preferred development of the invention, in partial areas the transparent electrode has two areas (E1) and (E2) that are electrically insulated from one another, viewed in the direction of the width of the OLED, and which are separated from one another by an area (E5) in which no transparent electrode is provided is, wherein in a contact area, the transparent electrode (E1) is continuous in the width direction.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung sind auf die transparente Elektrode (E1) wenigstens eine, bevorzugt mehrere nicht transparente leitfähige Bahnen (L1) aufgebracht und/oder nicht transparente leitfähige Bahnen (L1) sind unter der transparenten Elektrode (E1) auf die Barriereschicht (S1) aufgebracht.According to a preferred development of the invention, at least one, preferably several, non-transparent conductive tracks (L1) are applied to the transparent electrode (E1) and/or non-transparent conductive tracks (L1) are attached to the barrier layer (S1 ) upset.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung sind weitere leitfähige Bahnen (L2) für den Anschluss der Frontelektrode (E2) vorgesehen, die nicht elektrisch leitend mit dem Bereich (E1) der transparenten Elektrode verbunden sind und/oder weitere leitfähige Bahnen (L3) sind vorgesehen, die in einem Kontaktierungsbereich mit einem unterbrochenen Bereich der äußeren Rückelektrode (R1) verbunden und auf die transparente Elektrode (E2) aufgebracht sind.According to a preferred development of the invention, additional conductive tracks (L2) are provided for connecting the front electrode (E2), which are not electrically conductively connected to the area (E1) of the transparent electrode and/or additional conductive tracks (L3) are provided, which are connected in a contacting area to an interrupted area of the outer rear electrode (R1) and applied to the transparent electrode (E2).

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung überdeckt die Licht emittierende Schichtenfolge (O1) den zusammenhängenden schmaleren leitfähigen Bereich der transparenten Elektrode (E1) vollständig, wobei jedoch in einem Kontaktierungsbereich die Licht emittierende Schichtenfolge (O1) die in Richtung der Breite durchgehende transparente Elektrode über deren Breite nicht vollständig überdeckt.According to a preferred development of the invention, the light-emitting layer sequence (O1) completely covers the contiguous, narrower conductive area of the transparent electrode (E1), but in a contacting area the light-emitting layer sequence (O1) covers the transparent electrode that is continuous in the width direction over its width not completely covered.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung umfasst die Anordnung weiterhin eine nicht leitende Schicht (B1), die im Kontaktierungsbereich über die Breite gesehen mindestens den Randbereich der Licht emittierenden Schichtenfolge (O1) überdeckt und im Kontaktierungsbereich über die Breite gesehen mindestens bis zum Rand der Rückelektrode (R1) reicht, dort wo diese unterbrochen ist, wobei die Rückelektrode (R1) auf die nicht leitende Schicht (B1) aufgebracht ist.According to a preferred development of the invention, the arrangement also comprises a non-conductive layer (B1), which covers at least the edge area of the light-emitting layer sequence (O1) viewed across the width in the contacting area and at least up to the edge of the rear electrode (O1) when viewed across the width in the contacting area. R1) extends where it is interrupted, with the back electrode (R1) being applied to the non-conductive layer (B1).

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung erstreckt sich die nicht leitende Schicht (B1) im Kontaktierungsbereich bis in den Bereich einer weiteren leitfähigen Bahn (L3) und die nicht leitende Schicht (B1) erstreckt sich vorzugsweise bis zu einem Bereich der Rückelektrode (R3), der durch eine Unterbrechung von einem Bereich (R1) der Rückelektrode getrennt ist.According to a preferred development of the invention, the non-conductive layer (B1) in the contacting area extends into the area of a further conductive track (L3) and the non-conductive layer (B1) preferably extends up to an area of the rear electrode (R3) which is separated from a region (R1) of the rear electrode by a break.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung ist die nicht leitende Schicht (B1) vor der Abscheidung der Licht emittierenden Schichtenfolge (O1) aufgebracht und wird von letzterer teilweise überdeckt.According to a preferred development of the invention, the non-conductive layer (B1) is applied before the deposition of the light-emitting layer sequence (O1) and is partially covered by the latter.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung ist die erfindungsgemäße Anordnung insbesondere gekennzeichnet durch die nachfolgend genannte Schichtenfolge:

ein flexibles Substrat (F1),
mindestens eine auf das flexible Substrat (F1) aufgebrachte Barriereschicht (S1),
mindestens eine auf die Barriereschicht (S1) aufgebrachte transparente Elektrode (E1),
mindestens eine auf die transparenten Elektroden (E1, E2) aufgebrachte leitfähige Bahn (L1, L2, L3),
eine auf die leitfähige Bahn aufgebrachte Licht emittierende Schichtenfolge (O1) umfassend organische Materialien (OLED-Stack),
mindestens eine auf die Licht emittierende Schichtenfolge (O1) aufgebrachte Verkapselungsschicht und Rückelektrode (R1, R3),
oder durch die nachfolgend genannte Schichtenfolge:
- ein flexibles Substrat (F1),
- mindestens eine auf das flexible Substrat (F1) aufgebrachte Barriereschicht (S1), mindestens eine auf die Barriereschicht (S1) aufgebrachte leitfähige Bahn (L1, L2, L3), mindestens eine auf die leitfähige Bahn (L1, L2, L3) aufgebrachte transparente Elektrode (E1),
eine auf die transparente Elektrode (E1) aufgebrachte Licht emittierende Schichtenfolge (O1) umfassend organische Materialien (OLED-Stack),
mindestens eine auf die Licht emittierende Schichtenfolge (O1) aufgebrachte Verkapselungsschicht und Rückelektrode (R1, R3),
wobei die Licht emittierende Schichtenfolge (O1) in Richtung der Breite des Schichtaufbaus gesehen, vorzugsweise durch Verwendung einer Schattenmaske bei der Aufbringung, schmaler ist als der Schichtaufbau insgesamt.

According to a preferred development of the invention, the arrangement according to the invention is characterized in particular by the following layer sequence:

a flexible substrate (F1),
at least one barrier layer (S1) applied to the flexible substrate (F1),
at least one transparent electrode (E1) applied to the barrier layer (S1),
at least one conductive track (L1, L2, L3) applied to the transparent electrodes (E1, E2),
a light-emitting layer sequence (O1) applied to the conductive web and comprising organic materials (OLED stack),
at least one encapsulation layer and rear electrode (R1, R3) applied to the light-emitting layer sequence (O1),
or by the following sequence of layers:
- a flexible substrate (F1),
- at least one barrier layer (S1) applied to the flexible substrate (F1), at least one conductive track (L1, L2, L3) applied to the barrier layer (S1), at least one transparent electrode applied to the conductive track (L1, L2, L3). (E1),
a light-emitting layer sequence (O1) applied to the transparent electrode (E1) and comprising organic materials (OLED stack),
at least one encapsulation layer and rear electrode (R1, R3) applied to the light-emitting layer sequence (O1),
wherein the light-emitting layer sequence (O1), viewed in the direction of the width of the layer structure, is narrower than the layer structure as a whole, preferably due to the use of a shadow mask during application.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung ist die Anordnung als großflächige OLED in Dünnschichtverkapselung auf transparentem rollbaren Substrat ausgeführt.According to a preferred development of the invention, the arrangement is designed as a large-area OLED in thin-layer encapsulation on a transparent, rollable substrate.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung ist die Licht emittierende Schichtenfolge (O1) in Längsrichtung (Bandrichtung) des flexiblen Substrats (F1) nicht strukturiert und/oder
die transparente Elektrode (E1) oder die Rückelektrode (R1) ist in Längsrichtung nicht strukturiert oder
die transparente Elektrode (E1) und die Rückelektrode (R1) sind in Längsrichtung nicht strukturiert.According to a preferred development of the invention, the light-emitting layer sequence (O1) is not structured and/or in the longitudinal direction (strip direction) of the flexible substrate (F1).
the transparent electrode (E1) or the rear electrode (R1) is not structured in the longitudinal direction or
the transparent electrode (E1) and the rear electrode (R1) are not structured in the longitudinal direction.

Erfindungsgemäß bevorzugt verwendete Materialien und Abscheideverfahren Nachfolgend werden erfindungsgemäß bevorzugt verwendete Materialien und Abscheideverfahren aufgelistet.

F: Substrat oder Trägerfolie, typischerweise PET, PEN oder rollbares dünnes Glas, als Teil einer bekannten transparenten Barrierefolie.
S: Als Barriereschicht können an sich bekannte Barrierefolien dienen, typischerweise aus SiO, SiOxNy, SiN, Al₂O₃ oder ähnlichen keramischen Schichten. Die Folien zeichnen sich durch eine Oberfläche in Richtung der aktiven Schicht aus, die selber nicht wasserhaltig ist, insbesondere also keine Schutzschicht aus PET hat.
E: Die transparente Elektrode wird bevorzugt mit Dünnschichtabscheideverfahren direkt auf die transparente Barriere aufgebracht, bevorzugt durch Sputtern (PVD), bevorzugt ITO (Indium-Zinn-Oxid) oder DMD (Dielektrikum-Metall-Dielektrikum, wobei das Dielektrikum beispielsweise MgO oder Al₂O₃, und das Metall beispielsweise Ag ist).
L: Diese leitfähigen Bahnen werden beispielsweise durch einen Druck (Tintenstrahldruck, Gravur-, Siebdruck) mit leitfähiger Tinte ausgeführt. Die leitfähige Tinte besteht bevorzugt aus Cu, Ag oder Ni-Suspensionen und zeichnet sich durch geringe Oberflächenrauhigkeit, Lösemittelfreiheit nach dem Trocknungsprozess und Schichtdicken von 0,1 µm bis 10µm aus. Alternativ werden die leitfähigen Bahnen durch Aufdampfen von Metallen (beispielsweise aber nicht ausschließlich Ag, Al, Au, Cu) durch strukturierte Masken ausgeführt.

Materials and deposition methods preferably used according to the invention are listed below. Materials and deposition methods preferably used according to the invention are listed.

F: Substrate or carrier film, typically PET, PEN or rollable thin glass, as part of a known transparent barrier film.
S: Barrier films known per se can serve as the barrier layer, typically made of SiO, SiOxNy, SiN, Al ₂ O ₃ or similar ceramic layers. The films are distinguished by a surface in the direction of the active layer which itself does not contain water, ie in particular it does not have a protective layer made of PET.
E: The transparent electrode is preferably applied directly to the transparent barrier using thin-film deposition methods, preferably by sputtering (PVD), preferably ITO (indium tin oxide) or DMD (dielectric-metal-dielectric, the dielectric being, for example, MgO or Al ₂ O ₃ , and the metal is, for example, Ag).
L: These conductive tracks are made, for example, by printing (inkjet printing, gravure printing, screen printing) with conductive ink. The conductive ink consists preferably of Cu, Ag or Ni suspensions and is characterized by low surface roughness, freedom from solvents after the drying process and layer thicknesses of 0.1 µm to 10 µm. Alternatively, the conductive tracks are implemented by evaporating metals (such as, but not limited to, Ag, Al, Au, Cu) through patterned masks.

Alternativ können die leitfähigen Bahnen durch feine eingelegte Drähte in oder unter E1 ausgeführt sein.Alternatively, the conductive tracks can be implemented by fine wires laid in or under E1.

B: Bei einer vorteilhaften Ausprägung der Erfindung kann ein Teilbereich der transparenten Elektrode zusätzlich mit einer nicht-leitenden Schicht abgedeckt werden. Dabei kommt ein Material zum Einsatz, das selber kein gelöstes Wasser enthält, chemisch inert gegenüber dem OLED-Stack (O) ist und einen niedrigen Wasserdampfdiffusionskoeffizienten hat. Besonders eigen sich Polymere, die sich in demselben Verfahren wie (L) beschichten lassen und dabei ähnliche Schichtdicken erreichen.B: In an advantageous embodiment of the invention, a partial area of the transparent electrode can also be covered with a non-conductive layer. A material is used that does not itself contain any dissolved water, is chemically inert to the OLED stack (O) and has a low water vapor diffusion coefficient. Polymers that can be coated in the same process as (L) and achieve similar layer thicknesses are particularly suitable.

Diese Schicht kann beispielsweise aus einem Lack ausgeführt werden, der wiederum vorteilhafterweise Getterpartikel enthält, die wiederum eindiffundierendes Wasser binden und damit den Fortschritt der Diffusionsfront lateral so verlangsamen, dass diese länger als die angestrebte Lebensdauer des Produktes braucht, um den Überlappungsbereich zu durchqueren. Der Lack wird vorteilhafterweise durch Inkjet oder steuerbare Schlitzdüsen aufgebracht, zur Vermeidung von Wasserdampfanlagerungen und insbesondere bei Lacken mit Getterpartikeln unter Inertatmosphäre oder Vakuum (20 bis 100mbar).This layer can, for example, be made of a lacquer, which in turn advantageously contains getter particles, which in turn bind water diffusing in and thus slow down the progress of the diffusion front laterally in such a way that it takes longer than the desired service life of the product to overlap crossing the pung area. The paint is advantageously applied by inkjet or controllable slot nozzles in order to avoid water vapor deposits and in particular in the case of paints with getter particles under an inert atmosphere or vacuum (20 to 100 mbar).

Alternativ kann die Trennschicht beispielsweise mit einer nichtleitenden und wasserdampfdiffusionshemmenden aufgedampften Dünnschicht in der Stärke von 20 bis 2000 nm aufgebracht werden. Da diese Schicht nur sehr lokal und außerhalb des Sichtbereiches des Produktes aufgebracht wird, besteht eine besondere Wahlfreiheit in den Materialien und deren Schichtdicke. Dabei können auch Verfahren mit geladenen Teilchen verwendet werden, da an diesen Stellen die aktive OLED Schicht zerstört werden darf, sofern sie ihre isolierende Wirkung behält (beispielsweise ALD, Sputtern, PVD, CVD, PECVD: Al₂O₃, SiO, SiN, SiON, SiOCH, Parylen). Diese Schicht kann vorteilhaft aus einem Lack ausgeführt werden, der sich durch einen niedrigen Wasserdampfdiffusionskoeffizienten auszeichnet.Alternatively, the separating layer can be applied, for example, with a non-conductive vapor-deposited thin layer that inhibits water vapor diffusion and is 20 to 2000 nm thick. Since this layer is only applied very locally and outside the product's field of vision, there is a particular freedom of choice in the materials and their layer thickness. Methods with charged particles can also be used, since the active OLED layer can be destroyed at these points, provided it retains its insulating effect (e.g. ALD, sputtering, PVD, CVD, PECVD: Al ₂ O ₃ , SiO, SiN, SiON , SiOCH, parylene). This layer can advantageously be made of a lacquer which is characterized by a low water vapor diffusion coefficient.

O: Aktive Schicht oder Schichtenfolge aus organischen Materialien, die geeignet sind, eine organische Leuchtdiode herzustellen (bekannt als OLED-Stack). Diese Schicht kann beispielsweise aus Monomeren oder Polymeren bestehen, und per thermischer Verdampfung im Vakuum oder aus flüssiger Beschichtung (Schlitzdüse, Druck, Ink-Jet) aufgetragen sein.O: Active layer or layer sequence made of organic materials that are suitable for producing an organic light-emitting diode (known as an OLED stack). This layer can consist of monomers or polymers, for example, and can be applied by thermal evaporation in vacuo or from a liquid coating (slit nozzle, printing, ink-jet).

Als unterste und/oder oberste Schicht der OLED Schichtenfolge kann vorteilhaft noch eine hinreichend leitfähige Planarisierungsschicht verwendet werden, die genauso wie die OLED Schichten aufgetragen wird.A sufficiently conductive planarization layer, which is applied in exactly the same way as the OLED layers, can advantageously also be used as the bottom and/or top layer of the OLED layer sequence.

R: Die Rückelektrode bildet damit gleichzeitig die zweite Barriereschicht. Zu diesem Zweck werden bevorzugt Metalle (beispielsweise Al, Ag, Cu, Au), Co-Verdampfung von Metallen und Schichtenfolgen von Metallen verwendet, aber auch Schichtfolgen mit keramischen Materialien. Sie zeichnen sich bevorzugt durch eine Schichtleitfähigkeit aus, die besser ist das die Schichtleitfähigkeit der transparenten Elektrode (E) ohne Leitungsverstärkung (L). Die Schichtdicke der einzelnen Schichten beträgt vorzugsweise zwischen 10 und 2000nm. Die unterste und zur OLED kontaktierende Schicht besteht bevorzugt aus Al oder Cu.R: The back electrode thus forms the second barrier layer at the same time. Metals (for example Al, Ag, Cu, Au), co-evaporation of metals and layer sequences of metals are preferably used for this purpose, but layer sequences with ceramic materials are also used. They are preferably distinguished by a layer conductivity which is better than the layer conductivity of the transparent electrode (E) without line reinforcement (L). The layer thickness of the individual layers is preferably between 10 and 2000 nm. The bottom layer that makes contact with the OLED preferably consists of Al or Cu.

Eine etwaige zweite Schicht besteht bevorzugt aus einem Material, welches sich durch eine größere Oberflächenenergie als das unterliegende Metall auszeichnet, und damit bevorzugt an den Defekten in der unterliegenden Schicht aufwächst.A possible second layer preferably consists of a material which is characterized by a greater surface energy than the underlying metal and thus preferably grows on the defects in the underlying layer.

Vorteilhaft kann zusätzlich eine Entkopplung der Defekte der folgenden Lage der Rückelektrode R zur vorhergehenden Lage, auch durch eine nichtleitende Schicht erfolgen, wobei diese Schicht wiederum bevorzugt eine Schichtdicke von 10 bis 2000 nm hat, falls sie in einem Dünnschichtverfahren aufgetragen wird (ALD: Al2O3, CVD: SiO, SiOCH, SIN, SiON).In addition, the defects of the following layer of the rear electrode R can advantageously be decoupled from the preceding layer, also by means of a non-conductive layer, with this layer in turn preferably having a layer thickness of 10 to 2000 nm if it is applied in a thin-layer process (ALD: Al2O3, CVD: SiO, SiOCH, SIN, SiON).

Alternativ hat diese Schicht wiederum eine Schichtdicke von 100 bis 10000 nm, falls sie in einem Flüssigabscheideverfahren als Lackschicht aufgetragen wird (mittels Ink-Jet, Schlitzdüse, Gravurdruck, Siebdruck; thermisch- oder UV-härtender Lacke).Alternatively, this layer in turn has a layer thickness of 100 to 10,000 nm if it is applied as a lacquer layer in a liquid deposition process (by means of ink jet, slot nozzle, gravure printing, screen printing; thermally or UV-curing lacquers).

An mindestens einer Stelle, bevorzugt außerhalb des aktiven Bereiches der OLED, sind die metallischen Schichten der Rückelektrode und Barriere R (Verkapselungsschicht) elektrisch durch Auslassungen der nicht-leitfähigen Teilschichten von R miteinander verbunden.At least one point, preferably outside the active area of the OLED, the metallic layers of the rear electrode and barrier R (encapsulation layer) are electrically connected to one another by omitting the non-conductive sub-layers of R .

Erfindungsgemäß bevorzugte Prozessreihenfolge und StrukturierungProcess sequence and structuring preferred according to the invention

Nachfolgend werden bevorzugte Prozessreihenfolgen und Strukturierungen bei der Herstellung erfindungsgemäßer OLED-Anordnungen näher erläutert. Die hier verwendeten Bezugszeichen nehmen auf die beiliegenden Zeichnungen Bezug. Für die laterale Strukturierung können zwei Bereiche unterschieden werden:

a) der normale Randbereich, der sich dadurch auszeichnet, dass die Rückelektrode R1 zum äußeren Rand hin nicht unterbrochen ist und
b) der Kontaktierungsbereich, der sich dadurch auszeichnet, dass die Rückelektrode R1 zum äußeren Rand hin unterbrochen ist und das Potential der transparenten Frontelektrode E1 nach außen geführt wird.

Preferred process sequences and structuring in the production of OLED arrangements according to the invention are explained in more detail below. Reference numerals used herein refer to the accompanying drawings. Two areas can be distinguished for lateral structuring:

a) the normal edge area, which is characterized by the fact that the back electrode R1 is not interrupted towards the outer edge and
b) the contact area, which is characterized in that the rear electrode R1 is interrupted towards the outer edge and the potential of the transparent front electrode E1 is routed to the outside.

Auf einer Trägerfolie (F) mit ganzflächiger Barriere (S) wird die Elektrode (E) auf der Seite der transparenten Barriere (S) so ausgeführt, dass der zusammenhängende leitfähige Bereich kleiner ist als die später ganzflächig überdeckende aktive Schicht (O1). Damit wird die gesamte innere transparente Elektrode (E1) elektrisch gegen die darüber liegenden Rückelektrode R1 isoliert, mit Ausnahme der Kontaktstellen.On a carrier film (F) with a full-surface barrier (S), the electrode (E) is designed on the side of the transparent barrier (S) in such a way that the continuous conductive area is smaller than the active layer (O1) that will later cover the full surface. This means that the entire inner transparent electrode (E1) is electrically isolated from the back electrode R1 above it, with the exception of the contact points.

Die Elektrode wird mittels Schattenmasken bei der Abscheidung strukturiert, so dass außer der transparenten Elektrode E1 kein weiteres Gebiet existiert (siehe 2),
alternativ mittels Laserablation oder
alternativ lithographisch (chemisches Ätzen durch entsprechend strukturierte Lackmasken mit anschließender Entfernung der Lackmaske), wobei ein Bereich E5 der Elektrode entfernt wird und damit zwei elektrisch gegeneinander isolierte Bereiche E1 und E2 existieren (vgl. 1).The electrode is structured using shadow masks during deposition, so that there is no further area apart from the transparent electrode E1 (see Fig 2 ),
alternatively by means of laser ablation or
alternatively lithographic (chemical etching through appropriately structured resist masks with subsequent removal of the resist mask), with an area E5 of the electrode being removed and thus two areas E1 and E2 electrically isolated from one another (cf. 1 ).

Im Kontaktierungsbereich dagegen ist die Elektrode E1 durchgängig. Zum Erreichen einer ausreichenden Leitfähigkeit werden auf der Elektrode E1 nicht transparente, leitfähige Bahnen (L1) aufgebracht. Die Bahnen können in beliebigen Formen aufgebracht werden, dürfen aber den Bereich der Elektrode E1 nicht verlassen und insbesondere nicht die Isolationsgräben E5 überbrücken. Die leitfähigen Bahnen werden zur Gestaltung des Bauelementes genutzt.In contrast, the electrode E1 is continuous in the contacting area. In order to achieve sufficient conductivity, non-transparent, conductive tracks (L1) are applied to the electrode E1. The tracks can be applied in any form, but must not leave the area of the electrode E1 and in particular must not bridge the isolation trenches E5. The conductive tracks are used to design the component.

Alternativ können die leitfähigen Bahnen L auch vor der transparenten Elektrode E aufgebracht werden.Alternatively, the conductive tracks L can also be applied in front of the transparent electrode E.

Außerhalb des Bereiches, vorteilhaft insbesondere an den Stellen, wo später die elektrischen Kontakte angebracht werden, können gegebenenfalls weitere leitfähige Strukturen L2 (Anschluss der Frontelektrode) und L3 aufgebracht werden. Für den Anschluss der Rückelektrode ist L2 nicht elektrisch leitend mit E1, L1 und L3 verbunden.Other conductive structures L2 (connection of the front electrode) and L3 can optionally be applied outside of the area, advantageously in particular at the points where the electrical contacts will later be attached. For the connection of the back electrode, L2 is not electrically connected to E1, L1 and L3.

Auf die so in der elektrischen Querleitfähigkeit verstärkte Elektrode E1 wird die aktive Schichtenfolge der OLED (O) aufgebracht, und zwar in der Weise, dass diese aktive Schicht den mit der Leuchtfläche kontaktierten Teil der Elektrode E1 an allen Stellen bis auf den Kontaktierungsbereich überdeckt. (siehe 1 und 2)The active layer sequence of the OLED (O) is applied to the electrode E1, which has increased electrical transverse conductivity in this way, in such a way that this active layer covers the part of the electrode E1 in contact with the luminous surface at all points except for the contacting area. (please refer 1 and 2 )

Im Kontaktierungsbereich sind die Elektrode E1, vorteilhafterweise auch die leitfähigen Strukturen oder Bahnen L1 zu L3, durchgehend. (siehe 3, 4, 5 und 6)In the contacting area, the electrode E1, and advantageously also the conductive structures or tracks L1 to L3, are continuous. (please refer 3 , 4 , 5 and 6 )

Am Kontaktierungsbereich kann vorteilhafterweise ein Bereich durch eine nicht-leitende Schicht B abgedeckt sein, die mindestens den Bereich vom Rand der OLED-Schicht bis zum Rand der später aufgebrachten Rückelektrode R1 überlappend überdeckt (siehe 4, 5 und 6).In the contacting area, an area can advantageously be covered by a non-conductive layer B, which overlaps at least the area from the edge of the OLED layer to the edge of the rear electrode R1 that is applied later (see Fig 4 , 5 and 6 ).

Gemäß einer optionalen Variante der Erfindung kann sich die zusätzliche nicht-leitende Schicht B vorteilhafterweise nach außen bis in den Bereich des Anschlusses L3 und vorteilhafterweise auch bis zur Rückelektrode R3 hin erstrecken (siehe 6).According to an optional variant of the invention, the additional non-conductive layer B can advantageously extend outwards into the area of the connection L3 and advantageously also up to the rear electrode R3 (see FIG 6 ).

Alternativ kann die nicht-leitende Schicht B auch vor Abscheiden der OLED-Schicht O aufgetragen werden (siehe beispielsweise 5 und 6).Alternatively, the non-conductive layer B can also be applied before the OLED layer O is deposited (see, for example, 5 and 6 ).

Auf der Seite gegenüber der transparenten Barriere wird eine zweite Elektrode R aufgebracht, die den zweiten elektrischen Anschluss der aktiven Schicht der OLED darstellt. Diese Elektrode überdeckt die Schichten E1 und O vollständig mit Ausnahme an der Kontaktierung von E1.A second electrode R, which represents the second electrical connection of the active layer of the OLED, is applied on the side opposite the transparent barrier. This electrode completely covers the layers E1 and O with the exception of the contacting of E1.

An der Kontaktierung erreicht E1 nicht den Rand von O1, oder einer vorteilhaft eingesetzten B1.At the contact, E1 does not reach the edge of O1, or an advantageously used B1.

Die Elektrode wird vorzugsweise mittels Schattenmasken bei der Abscheidung strukturiert, alternativ mittels Laserablation oder lithographisch (chemisches Ätzen durch entsprechend strukturierte Lackmasken mit anschließender Entfernung der Lackmaske).The electrode is preferably structured using shadow masks during the deposition, alternatively using laser ablation or lithography (chemical etching through appropriately structured resist masks with subsequent removal of the resist mask).

Auf diese Weise ist eine außen mit der Front- (E1) und Rückelektrode (R3) kontaktierbare Folie entstanden, die in der Innenfläche leuchtet. Die Kontaktierung mit Kabeln (K1 und K2) und weiterer Schutz der aktiven Folie erfolgen mittels bekannter Verfahren (zum Beispiel Löten, Krimpen, leitfähige PSA; Verkapselung mit weiteren klassischen Folien in nasser oder PSA-Kaschierung).In this way, a foil that can be contacted externally with the front (E1) and rear electrode (R3) was created, which glows on the inner surface. The contacting with cables (K1 and K2) and further protection of the active film are carried out using known methods (e.g. soldering, crimping, conductive PSA; encapsulation with other classic films in wet or PSA lamination).

Alternativ wird der Schutz des Isolationsgrabens durch Überkleben mit einer Barrierefolie, welche mit einem diffusionshemmenden PSA (Selbstklebefolie) ausgerüstet ist, durchgeführt.Alternatively, the isolation trench is protected by covering it with a barrier film equipped with a diffusion-inhibiting PSA (self-adhesive film).

Vorteilhaft wird dazu eine Metallfolie oder Metall-Kunststofffolienlaminat mittels eines durchgehenden PSA auf die gesamte Fläche aufkaschiert.A metal foil or metal-plastic foil laminate is advantageously laminated onto the entire surface using a continuous PSA.

Figurenlistecharacter list

Nachfolgend wird die vorliegende Erfindung anhand von konkreten Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Dabei zeigen:

1 einen schematisch vereinfachten Querschnitt durch eine erste beispielhafte erfindungsgemäße Anordnung außerhalb des Kontaktierungsbereichs;
2 einen weiteren schematisch vereinfachten Querschnitt durch eine zweite beispielhafte erfindungsgemäße Anordnung außerhalb des Kontaktierungsbereichs;
3 einen schematisch vereinfachten Querschnitt durch eine weitere beispielhafte erfindungsgemäße Anordnung außerhalb des Kontaktierungsbereichs;
3 a einen schematisch vereinfachten Querschnitt durch eine beispielhafte erfindungsgemäße Anordnung im Kontaktierungsbereich;
4 einen schematisch vereinfachten Querschnitt durch eine vierte beispielhafte erfindungsgemäße Anordnung im Kontaktierungsbereich;
5 einen schematisch vereinfachten Querschnitt durch eine fünfte beispielhafte erfindungsgemäße Anordnung im Kontaktierungsbereich;
6 einen schematisch vereinfachten Querschnitt durch eine sechste beispielhafte erfindungsgemäße Anordnung im Kontaktierungsbereich;
7 eine schematisch vereinfachte Draufsicht auf eine beispielhafte erfindungsgemäße Ausführungsform;
8 eine schematisch vereinfachte Draufsicht auf eine alternative beispielhafte erfindungsgemäße Ausführungsform;
9 eine schematisch vereinfachte Draufsicht auf eine weitere alternative beispielhafte erfindungsgemäße Ausführungsform;
10 eine schematisch vereinfachte Draufsicht auf eine weitere alternative beispielhafte erfindungsgemäße Ausführungsform.

The present invention is explained in more detail below on the basis of specific exemplary embodiments with reference to the accompanying drawings. show:

1 a schematically simplified cross section through a first exemplary arrangement according to the invention outside of the contact area;
2 a further schematically simplified cross section through a second exemplary arrangement according to the invention outside of the contacting area;
3 a schematically simplified cross section through a further exemplary arrangement according to the invention outside of the contact area;
3 a a schematically simplified cross section through an exemplary arrangement according to the invention in the contact area;
4 a schematically simplified cross section through a fourth exemplary arrangement according to the invention in the contact area;
5 a schematically simplified cross section through a fifth exemplary arrangement according to the invention in the contact area;
6 a schematically simplified cross section through a sixth exemplary arrangement according to the invention in the contact area;
7 a schematically simplified plan view of an exemplary embodiment according to the invention;
8th a schematically simplified plan view of an alternative exemplary embodiment according to the invention;
9 a schematically simplified plan view of a further alternative exemplary embodiment according to the invention;
10 a schematically simplified plan view of a further alternative exemplary embodiment according to the invention.

Nachfolgend wird zunächst unter Bezugnahme auf die 1 ein erstes mögliches Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung näher erläutert. Die Abbildung zeigt einen schematisch vereinfachten Querschnitt durch eine beispielhafte erfindungsgemäße Anordnung außerhalb der Kontaktierungsbereichs, deren Schichtaufbau nachfolgend erläutert wird. Das mit F1 bezeichnete Substrat kann beispielsweise ein Dünnglas sein, welches flexibel ist und sich daher von einer Rolle (nicht dargestellt) abrollen und nach der Beschichtung wieder auf eine Rolle aufrollen lässt. Dieses an sich bekannte Beschichtungsverfahren wird auch als roll-to-roll bezeichnet und hat den Vorteil, dass es die Herstellung von vergleichsweise großflächigen OLEDs ermöglicht, welche bevorzugter Gegenstand der vorliegenden Erfindung sind. Die Darstellung gemäß 1 ist nicht maßstäblich, d.h. die Größenverhältnisse und die relativen Schichtdicken in der Zeichnung müssen nicht den tatsächlichen Größenverhältnissen entsprechen. Auf das Substrat F1 ist zunächst eine Barriereschicht S1, beispielsweise eine Barrierefolie aufgebacht, die zum Beispiel aus SiO, SiOxNy, SiN, Al₂O₃ oder ähnlichen keramischen Schichten bestehen kann. Auf diese Barriereschicht S1 wird die transparente Elektrode E1 aufgebracht, die insbesondere mit einem Dünnschichtverfahren, bevorzugt durch Sputtern (PVD), aufgebracht werden kann und die beispielsweise aus ITO (Indium-zinn-Oxid) oder DMD (Dielektrikum-Metall-Dielektrikum) bestehen kann, wobei das Dielektrikum beispielsweise MgO oder Al₂O₃ sein kann und das Metall beispielsweise Ag sein kann.In the following, first with reference to the 1 a first possible embodiment of the present invention explained in more detail. The figure shows a schematically simplified cross section through an exemplary arrangement according to the invention outside of the contacting area, the layer structure of which is explained below. The substrate denoted by F1 can be, for example, a thin glass which is flexible and can therefore be unrolled from a roll (not shown) and rolled up again onto a roll after the coating. This coating method, which is known per se, is also referred to as roll-to-roll and has the advantage that it enables the production of comparatively large-area OLEDs, which are a preferred subject matter of the present invention. The representation according to 1 is not to scale, ie the proportions and the relative layer thicknesses in the drawing do not have to correspond to the actual proportions. A barrier layer S1, for example a barrier film, which can consist of SiO, SiOxNy, SiN, Al ₂ O ₃ or similar ceramic layers, is first applied to the substrate F1. The transparent electrode E1 is applied to this barrier layer S1, which electrode can be applied in particular using a thin-film method, preferably by sputtering (PVD), and which can consist of ITO (indium tin oxide) or DMD (dielectric-metal-dielectric), for example , where the dielectric can be, for example, MgO or Al ₂ O ₃ and the metal can be, for example, Ag.

Wie aus 1 erkennbar ist, ist die transparente Elektrode E1 an einer mit E5 bezeichneten Stelle unterbrochen, so dass über die Breite (in Querrichtung) gesehen zwei voneinander getrennte Bereiche dieser unteren Elektrode entstehen, nämlich ein in der Zeichnung rechter Bereich E1, der innen liegt, und ein in der Zeichnung linker Bereich E2, der außen liegt. Der Zweck dieser Trennung der transparenten unteren Elektrode liegt darin, den inneren Bereich E1 der transparenten Elektrode von der Rückelektrode R1 zu trennen. Um die Leitfähigkeit der transparenten Elektrode E1 zu erhöhen, sind auf dieser leitfähige Bahnen L1 aufgebracht. Es können mehrere dieser leitfähigen Bahnen L1 sein, die voneinander beabstandet sind und die aus einem nicht transparenten Material bestehen können, so dass sie für den Betrachter bei eingeschalteter OLED sichtbar sind, was aber im Rahmen der vorliegenden Erfindung bewusst angestrebt wird, um durch die leitfähigen Bahnen L1 sichtbare dekorative Elemente zu schaffen, die die Licht abgebende Fläche der OLED strukturieren. Diese leitfähigen Bahnen L1 dürfen den Isolationsgraben E5, der die transparente Elektrode unterbricht, nicht überbrücken.How out 1 can be seen, the transparent electrode E1 is interrupted at a point denoted by E5, so that seen across the width (in the transverse direction) there are two separate areas of this lower electrode, namely an area E1 on the right in the drawing, which is on the inside, and a in the drawing left area E2, which is on the outside. The purpose of this separation of the transparent lower electrode is to separate the inner region E1 of the transparent electrode from the rear electrode R1. In order to increase the conductivity of the transparent electrode E1, conductive tracks L1 are applied to it. There can be several of these conductive tracks L1, which are spaced apart and which can consist of a non-transparent material, so that they are visible to the viewer when the OLED is switched on, but this is deliberately sought within the scope of the present invention in order to pass through the conductive Tracks L1 to create visible decorative elements that structure the light-emitting surface of the OLED. These conductive tracks L1 must not bridge the isolation trench E5, which interrupts the transparent electrode.

Anschließend wird die aktive Schicht, das heißt die OLED-Schichtenfolge O1 aufgebracht, die einen an sich bekannten Schichtaufbau haben kann, in der Regel mindestens umfassend eine Lochleitungsschicht, eine Emitterschicht, die den organischen Farbstoff enthält und eine Elektronenleitungsschicht, wobei diese zwischen den beiden Elektroden liegen. Die im Einzelnen für diese Schichten verwendeten Substanzen sind im Rahmen der vorliegenden Erfindung nicht kritisch und werden daher an dieser Stelle nicht näher erläutert. Man sieht in 1, dass sich die Licht emittierende OLED-Schichtenfolge O1 in dem in 1 dargestellten Bereich nicht über die gesamte Breite der Anordnung erstreckt. An der Innenseite in der Zeichnung rechts wird die Schichtenfolge O1 über die Darstellung hinaus fortgesetzt, aber an der Außenseite in der Zeichnung links endet die Schichtenfolge O1 mit einigem Abstand zum Rand. Der rechte Bereich E1 der transparenten Elektrode wird von der Schichtenfolge O1 vollständig überdeckt, ebenso wie die beiden leitfähigen Bahnen L1, die die Leitfähigkeit erhöhen. Auf dem außen liegenden Bereich E2 der transparenten Elektrode, der durch den Isolationsgraben E5 von dem Bereich E1 getrennt ist, befindet sich ebenfalls eine leitfähige Bahn L2, die aber vor dem Isolationsgraben E5 endet, damit dieser nicht überbrückt wird. Die OLED Schichtenfolge O1 überdeckt den Isolationsgraben E5 und erstreckt sich nach links (außen) hin bis über den zweiten Bereich E2 der transparenten Elektrode und die leitfähige Bahn L2. Die gesamte Anordnung der zuvor beschriebenen Schichten S1, E1, E2 und O1 wird von der Rückelektrode R1 überdeckt und somit zur Oberseite des Schichtaufbaus hin verkapselt. Die Rückelektrode R1 besteht aus einem elektrisch leitenden, beispielsweise einem metallischen, Material und somit übernimmt diese oberste Schicht R1 erfindungsgemäß neben der Funktion der Rückelektrode gleichzeitig diejenige der Verkapselungsschicht oder Barriereschicht, die die darunter liegenden Schichten gegen Feuchtigkeit und Sauerstoff schützt.The active layer, i.e. the OLED layer sequence O1, is then applied, which can have a layer structure known per se, usually at least comprising a hole conduction layer, an emitter layer containing the organic dye and an electron conduction layer, this between the two electrodes lie. The substances used specifically for these layers are not critical within the scope of the present invention and are therefore not explained in more detail at this point. one sees in 1 , that the light-emitting OLED layer sequence O1 in the in 1 shown area does not extend over the entire width of the arrangement. On the inside in the drawing on the right, the layer sequence O1 is continued beyond the representation, but on the outside in the drawing on the left the layer sequence O1 ends at some distance from the edge. The right-hand area E1 of the transparent electrode is completely covered by the layer sequence O1, as are the two conductive tracks L1, which increase the conductivity. On the outer area E2 of the transparent electrode, which is separated from the area E1 by the isolation trench E5, there is also a conductive track L2, which, however, ends in front of the isolation trench E5 so that the latter is not bridged. The OLED layer sequence O1 covers the isolation trench E5 and extends to the left (outside) beyond the second region E2 of the transparent electrode and the conductive track L2. The entire arrangement of the layers S1, E1, E2 and O1 described above is covered by the back electrode R1 and is thus encapsulated towards the top of the layer structure. The rear electrode R1 consists of an electrically conductive material, for example a metallic material, and this uppermost layer R1 therefore takes over according to the invention In addition to the function of the back electrode, it also functions as the encapsulation layer or barrier layer, which protects the underlying layers against moisture and oxygen.

Wenn in der vorliegenden Erfindung in Bezug auf die beiden Seiten des im Querschnitt gezeigten Schichtaufbaus von „außen“ und „innen“ die Rede ist, dann ist mit „außen“ diejenige Seite der im Schnitt gezeigten Materialbahn gemeint, über die die OLED-Anordnung elektrisch kontaktiert wird, während die andere Seite (in Querrichtung gesehen) mit „innen“ bezeichnet wird. Der Schichtaufbau ist aus diesem Grunde asymmetrisch, wie die Zeichnungen zeigen.If in the present invention the two sides of the layer structure shown in cross section are referred to as "outside" and "inside", then "outside" means that side of the material web shown in section over which the OLED arrangement is electrically connected is contacted, while the other side (seen in the transverse direction) is labeled "inside". For this reason, the layer structure is asymmetrical, as the drawings show.

Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die 2 eine zweite, etwas abgewandelte Variante des Schichtaufbaus einer erfindungsgemäßen Anordnung näher erläutert. Das Substrat F1, die Barriereschicht S1, die Licht emittierende Schichtenfolge 01 und die Rückelektrode und Verkapselungsschicht R1 sind im Prinzip gleich ausgeführt wie bei der zuvor unter Bezugnahme auf 1 beschriebenen Ausführungsvariante, so dass auf die dortigen Ausführungen Bezug genommen werden kann. Jedoch ist im Unterschied zu der Variante von 1 bei derjenigen gemäß 2 die transparente Elektrode E1 in Querrichtung gesehen schmaler ausgeführt. In dem außen liegenden Bereich ist keine transparente Elektrode vorgesehen, stattdessen ist eine leitfähige Bahn L2 direkt auf die untere Barriereschicht S1 aufgebracht und wird von der Rückelektrode R1 überdeckt. Die Schichtenfolge O1 erstreckt sich nach außen hin bis zu der leitfähigen Bahn L2. Auf die im inneren Bereich vorhandene transparente Elektrode E1 sind ebenfalls leitfähige Bahnen L1 aufgebracht, die sich aber nicht über das Ende der transparenten Elektrode E1 hinaus erstrecken. Die Rückelektrode R1 deckt oberseitig die gesamte Breite der Anordnung der zuvor beschriebenen Schichten ab, so dass eine vollständige Verkapselung gegeben ist. Die Schichtenfolge O1 wird somit von der Rückelektrode nicht nur oberseitig sondern auch in ihrem äußeren Randbereich überdeckt. Die Schichtenfolge 01 liegt vollständig über der transparenten Elektrode E1 und reicht soweit nach außen, dass sie die Leiterbahn L2 überlappt, die Schichtenfolge 01 erstreckt sich aber ebenso wie in 1 in Querrichtung nicht über die gesamte Breite der Anordnung.In the following, with reference to the 2 a second, somewhat modified variant of the layer structure of an arrangement according to the invention is explained in more detail. The substrate F1, the barrier layer S1, the light-emitting layer sequence 01 and the back electrode and encapsulation layer R1 are in principle the same as in the case of the embodiment previously referred to in FIG 1 described embodiment, so that reference can be made to the statements there. However, in contrast to the variant of 1 at the one according to 2 the transparent electrode E1 is made narrower as seen in the transverse direction. No transparent electrode is provided in the area lying on the outside; instead, a conductive track L2 is applied directly to the lower barrier layer S1 and is covered by the rear electrode R1. The layer sequence O1 extends outwards as far as the conductive track L2. Conductive tracks L1 are also applied to the transparent electrode E1 present in the inner region, but they do not extend beyond the end of the transparent electrode E1. The rear electrode R1 covers the entire width of the arrangement of the layers described above on the top side, so that complete encapsulation is provided. The layer sequence O1 is thus covered by the back electrode not only on the top side but also in its outer edge region. The layer sequence 01 lies completely over the transparent electrode E1 and extends outwards so far that it overlaps the conductor track L2, but the layer sequence 01 extends in the same way as in FIG 1 in the transverse direction not over the entire width of the arrangement.

Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die 3 ein Querschnitt gemäß einer Variante der Erfindung im Bereich einer normalen Kante der Schichtanordnung (außerhalb des Kontaktierungsbereichs) näher erläutert. Hier geht die OLED-Schichtanordnung O1 über die gesamte Breite in Querrichtung durch. Die untere Elektrodenschicht E1 erstreckt sich hingegen in Querrichtung nur auf den innen liegenden Bereich der Schichtanordnung. Auf der unteren Elektrode E1 sind leitfähige Bahnen L1 angeordnet. In dem außen liegenden Bereich, in dem keine untere Elektrode E1 vorhanden ist, ist eine nicht-leitende Schicht B1 unmittelbar auf die untere Barriereschicht S1 aufgebracht. Die Rückelektrode und Verkapselungsschicht R1 kann sich hier in Querrichtung der Anordnung durchgehend über die gesamte OLED-Schichtanordnung erstrecken.In the following, with reference to the 3 a cross section according to a variant of the invention in the area of a normal edge of the layer arrangement (outside the contacting area) explained in more detail. Here the OLED layer arrangement O1 extends across the entire width in the transverse direction. The lower electrode layer E1, on the other hand, extends in the transverse direction only to the inner area of the layer arrangement. Conductive tracks L1 are arranged on the lower electrode E1. In the area on the outside, in which there is no lower electrode E1, a non-conductive layer B1 is applied directly to the lower barrier layer S1. The rear electrode and encapsulation layer R1 can here extend continuously over the entire OLED layer arrangement in the transverse direction of the arrangement.

Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die 3 a ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung näher erläutert. Hier handelt es sich um eine Schnittansicht in Querrichtung durch eine erfindungsgemäße Anordnung im Kontaktierungsbereich. Auch hier ist zunächst auf das Substrat F1 eine Barriereschicht S1 aufgebracht, auf die dann die Schicht E1 der transparenten unteren Elektrode aufgebracht ist. Durch Vergleich mit den 1 und 2 erkennt man, dass der Schichtaufbau im Kontaktierungsbereich gemäß 3 a von demjenigen außerhalb des Kontaktierungsbereichs etwas abweicht. Zunächst ist es so, dass hier die transparente Elektrode E1 in Querrichtung der Anordnung nicht unterbrochen ist, sondern durchgeht. Auf die Elektrodenschicht E1 können auch hier leitfähige Bahnen L1 aufgebracht sein, um die Leitfähigkeit zu erhöhen und dekorative Bereiche (Muster oder dergleichen) zu schaffen. Die Licht emittierende Schichtenfolge O1 mit der organischen Schicht erstreckt sich auch hier in Querrichtung nur über einen Teilbereich der Anordnung, ähnlich wie außerhalb des Kontaktierungsbereichs. Anders als bei den 1 und 2 erstreckt sich im Kontaktierungsbereich die Rückelektrode hier nicht durchgehend über die Breite in Querrichtung, sondern die Rückelektrode ist getrennt in zwei Bereiche, von denen der eine Bereich R1 (in der Zeichnung rechts) von der inneren Seite ausgehend etwa bis zum Ende der Licht emittierenden Schichtenfolge 01 geht. Wenn hier der Kantenbereich nicht verkapselt ist, wie in dem Beispiel von 3 a, ist dies unproblematisch, da dieser Aufbau nur den Kontaktierungsbereich betrifft und daher ein gewisser Aktivitätsverlust im Kontaktierungsbereich in Kauf genommen werden kann. Es sei darauf hingewiesen, dass es im Rahmen der Erfindung in erster Linie um großflächige OLEDs für Beleuchtungszwecke geht und nicht um OLED-Displays, so dass ein Aktivitätsverlust im Kantenbereich bezogen auf die Gesamtfläche der OLED vergleichsweise unproblematisch ist.In the following, with reference to the 3 a another embodiment of the present invention explained in more detail. This is a sectional view in the transverse direction through an arrangement according to the invention in the contacting area. Here, too, a barrier layer S1 is first applied to the substrate F1, to which the layer E1 of the transparent lower electrode is then applied. By comparison with the 1 and 2 one recognizes that the layer structure in the contact area according to 3 a slightly different from that outside the contact area. First of all, the transparent electrode E1 is not interrupted here in the transverse direction of the arrangement, but is continuous. Here, too, conductive tracks L1 can be applied to the electrode layer E1 in order to increase the conductivity and to create decorative areas (patterns or the like). Here, too, the light-emitting layer sequence O1 with the organic layer extends only over a partial region of the arrangement in the transverse direction, similarly to outside the contacting region. Unlike the 1 and 2 In the contacting area, the back electrode does not extend continuously across the width in the transverse direction, but the back electrode is divided into two areas, one of which is area R1 (on the right in the drawing) starting from the inner side approximately to the end of the light-emitting layer sequence 01 goes. If here the edge region is not encapsulated, as in the example of 3 a , this is not a problem since this structure only affects the contacting area and a certain loss of activity in the contacting area can therefore be accepted. It should be pointed out that the invention is primarily concerned with large-area OLEDs for lighting purposes and not with OLED displays, so that a loss of activity in the edge area is comparatively unproblematic in relation to the total area of the OLED.

Auf die von der Innenseite ausgehende Rückelektrode R1, die auch zur Verkapselung dient, folgt dann nach einer Unterbrechung in Querrichtung ein außenliegender (in der Zeichnung links) zweiter Bereich R3 der Rückelektrode. Aus 3 a ist somit ersichtlich, dass im Kontaktierungsbereich die substratferne Rückelektrode R1, R3 in Querrichtung gesehen unterbrochen ist, während die substratnahe untere transparente Elektrode E1 hier in Querrichtung durchgehend ist.After an interruption in the transverse direction, the rear electrode R1 emanating from the inside, which also serves for encapsulation, is followed by a second region R3 of the rear electrode lying on the outside (on the left in the drawing). Out of 3 a it can thus be seen that in the contacting region the rear electrode R1, R3 that is remote from the substrate is interrupted, seen in the transverse direction, while the one close to the substrate lower transparent electrode E1 is continuous here in the transverse direction.

4, auf die nachfolgend Bezug genommen wird, zeigt eine gegenüber 3 a etwas abgewandelte Ausführungsvariante, wiederum in einem Querschnitt gesehen, der im Kontaktierungsbereich liegt. Abweichend zu den anhand der 1 und 2 beschriebenen Varianten ist hier eine zusätzliche nicht-leitende Schicht B1 vorgesehen, die über der OLED-Schichtenfolge O1 abgeschieden ist und einen Teilbereich der transparenten Elektrode E1 abdeckt. Besonders geeignet für diese nicht-leitende Schicht B1 sind Polymere, die chemisch inert gegenüber der OLED-Schichtenfolge sind. Bevorzugte Eigenschaften und Materialien für diese nicht-leitende Schicht B1 sind oben bei der Erläuterung der verwendeten Materialien genannt. Diese nicht-leitende Schicht B1 deckt auch den Kantenbereich der OLED-Schichtenfolge O1 ab und sie ist von der als Verkapselungsschicht dienenden leitenden Rückelektrodenschicht R1 überdeckt. Auch hier ist die Rückelektrode in Querrichtung gesehen unterbrochen, so dass zwei voneinander getrennte Bereiche R1 und R3 entstehen. Die untere Barriereschicht S1 auf der Substratfolie F1 und die untere transparente Elektrode E1 sind in Querrichtung in dem in 4 gezeigten Kontaktierungsbereich durchgehend. Auf der transparenten Elektrode E1 können in dem Bereich, der von der OLED-Schichtenfolge O1 überdeckt ist, leitfähige Bahnen L1 aufgebracht sein, um die Leitfähigkeit der transparenten Elektrode zu erhöhen. 4 , referred to below, shows an opposite 3 a Slightly modified variant, again seen in a cross section, which is in the contact area. Deviating from the based on the 1 and 2 In the variants described, an additional non-conductive layer B1 is provided here, which is deposited over the OLED layer sequence O1 and covers a partial region of the transparent electrode E1. Polymers that are chemically inert to the OLED layer sequence are particularly suitable for this non-conductive layer B1. Preferred properties and materials for this non-conductive layer B1 are mentioned above in the explanation of the materials used. This non-conductive layer B1 also covers the edge region of the OLED layer sequence O1 and is covered by the conductive rear electrode layer R1 serving as an encapsulation layer. Here, too, the back electrode is interrupted, seen in the transverse direction, so that two regions R1 and R3 that are separate from one another arise. The lower barrier layer S1 on the substrate film F1 and the lower transparent electrode E1 are in the transverse direction in the in 4 shown contacting area continuously. Conductive tracks L1 can be applied to the transparent electrode E1 in the region covered by the OLED layer sequence O1 in order to increase the conductivity of the transparent electrode.

5 zeigt den Kontaktierungsbereich einer weiteren, gegenüber den zuvor beschriebenen Ausführungsformen etwas abweichenden Variante. Im Gegensatz zu der zuvor anhand von 4 beschriebenen Variante ist bei dem Ausführungsbeispiel von 5 die nichtleitende Schicht B1 auf der transparenten Elektrode E1 abgeschieden und die OLED-Schichtenfolge O1 wird nach der nicht-leitenden Schicht B1 abgeschieden, so dass sie diese überdeckt. In dem abgetrennten außen liegenden Bereich R3 befindet sich eine leitfähige Bahn L3 auf der unteren transparenten Elektrode E1 (Frontelektrode), die unterhalb des außen liegenden Bereichs R3 der Rückelektrode liegt, um wiederum die Leitfähigkeit der Elektrode zu erhöhen. Im Übrigen ist der Aufbau der Schichten bei dem Ausführungsbeispiel von 5 ähnlich wie bei der zuvor beschriebenen Variante von 4. 5 shows the contact area of a further variant that differs somewhat from the previously described embodiments. In contrast to the previously based on 4 variant described is in the embodiment of 5 the non-conductive layer B1 is deposited on the transparent electrode E1 and the OLED layer sequence O1 is deposited after the non-conductive layer B1 so that it covers it. In the separated outer area R3 there is a conductive track L3 on the lower transparent electrode E1 (front electrode) which lies below the outer area R3 of the back electrode, again to increase the conductivity of the electrode. Incidentally, the structure of the layers in the embodiment of FIG 5 similar to the previously described variant of 4 .

Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die 6 ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert. Hier sind ähnlich wie bei dem Beispiel von 5 eine durchgehende Barriereschicht S1 auf dem Substrat und auf dieser eine in Querrichtung durchgehende transparente Elektrode E1 vorhanden. Auch der Aufbau der Licht emittierenden OLED-Schichtenfolge O1 entspricht dem zuvor beschriebenen Beispiel, ebenso wie die in zwei getrennte Bereiche R1 und R3 geteilte Rückelektrode, die gleichzeitig als Verkapselungsschicht dient. Abweichend zu dem Beispiel von 5 ist jedoch bei 6 die nicht-leitende Schicht B1 in ihrer Erstreckung in Querrichtung größer, so dass sich die Schicht B1 von der diese überlappenden OLED-Schichtenfolge O1 an der Außenseite bis unterhalb des Bereichs R3 der Rückelektrode und bis zu der leitfähigen Bahn L3 hin erstreckt, so dass hier die nicht-leitende Schicht B1 quasi den Zwischenraum zwischen den beiden Bereichen R1 und R3 der Rückelektrode überbrückt und von beiden Bereichen überdeckt wird. Wie bei den zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen gemäß den 4 und 5 wird die aktive Schichtenfolge des OLED-Stacks von dem innen liegenden Bereich R1 der Rückelektrode vollständig überdeckt. Wie bei der Variante von 5 befindet sich unterhalb eines Teilbereichs der nicht-leitenden Schicht B1 eine leitfähige Bahn L3.In the following, with reference to the 6 another embodiment of the invention explained. Here are similar to the example of 5 a continuous barrier layer S1 on the substrate and on this a transparent electrode E1 continuous in the transverse direction. The structure of the light-emitting OLED layer sequence O1 also corresponds to the example described above, as does the rear electrode, which is divided into two separate regions R1 and R3 and simultaneously serves as an encapsulation layer. Deviating from the example of 5 is at 6 the non-conductive layer B1 is larger in its extent in the transverse direction, so that the layer B1 extends from the OLED layer sequence O1 overlapping it on the outside to below the region R3 of the rear electrode and up to the conductive track L3, so that here the non-conductive layer B1 virtually bridges the gap between the two areas R1 and R3 of the rear electrode and is covered by both areas. As in the previously described embodiments according to the 4 and 5 the active layer sequence of the OLED stack is completely covered by the inner region R1 of the rear electrode. As with the variant of 5 a conductive track L3 is located below a portion of the non-conductive layer B1.

7 zeigt ein mögliches Ausführungsbeispiel der Erfindung in einer schematisch vereinfachten Draufsicht. Die Vorschubrichtung des Bandtransports bei der roll-to-roll Fertigung ist entsprechend dem Pfeil rechts in der Zeichnung von unten nach oben. Man sieht in 7 den Kontaktierungsbereich mit den beiden Kontakten K1 und K2 für die Kontaktierung der beiden Elektroden E1 und R1 des Schichtaufbaus. Zur bildlichen Vereinfachung sind die Schichten des Schichtaufbaus teilweise übereinander liegend dargestellt, wobei die Schraffuren denjenigen aus den Schnittdarstellungen entsprechen, so dass sich diese zuordnen lassen. Man erkennt in der 7, dass die untere transparente Elektrode E1 an der Außenseite über den Kontakt K1 kontaktiert wird, die in der Zeichnung links liegt. Oberseitig quer verläuft die Schnittlinie zum Nachbarmodul der quasi endlosen OLED-Schicht Anordnung. Man sieht in 7, dass die Rückelektrode und Verkapselungsschicht in zwei getrennte Bereiche R1 und R3 geteilt ist, wobei der Kontakt K2 mit dem weiter innen liegenden Bereich R1 der Rückelektrode verbunden ist. Die untere Elektrode E1 erstreckt sich im Kontaktierungsbereich gemäß 7 über die gesamte Breite der Schichtanordnung wie auch beispielsweise in dem Beispiel von 3, so dass die untere Elektrode E1 an der Außenseite über den Kontakt K1 kontaktiert werden kann. In Bandtransportrichtung endet hingegen die untere Elektrode E1 jeweils mit etwas Abstand zur Querkante und Schnittlinie zum Nachbarmodul, wobei hier die obere Rückelektrode und Verkapselungsschicht R1 über den Kontakt K2 kontaktiert wird. 7 shows a possible embodiment of the invention in a schematically simplified plan view. The feed direction of the tape transport in roll-to-roll production is from bottom to top according to the arrow on the right in the drawing. one sees in 7 the contacting area with the two contacts K1 and K2 for contacting the two electrodes E1 and R1 of the layer structure. For the sake of visual simplification, the layers of the layer structure are partially shown lying one on top of the other, with the hatching corresponding to those from the sectional illustrations, so that they can be assigned. You can see in the 7 that the lower transparent electrode E1 is contacted on the outside via the contact K1, which is on the left in the drawing. The cutting line to the neighboring module of the quasi-endless OLED layer arrangement runs transversely on the upper side. one sees in 7 that the rear electrode and encapsulation layer is divided into two separate areas R1 and R3, wherein the contact K2 is connected to the inner area R1 of the rear electrode. The lower electrode E1 extends in the contacting area according to FIG 7 over the entire width of the layer arrangement as well as, for example, in the example of FIG 3 , so that the lower electrode E1 can be contacted on the outside via the contact K1. In the tape transport direction, on the other hand, the lower electrode E1 ends at a certain distance from the transverse edge and cutting line to the neighboring module, with the upper rear electrode and encapsulation layer R1 being contacted here via the contact K2.

Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die schematische Draufsicht von 8 ein weiteres alternatives Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung näher erläutert. In der Darstellung gemäß 8 kann man gut erkennen, dass sich der Schichtaufbau im Schnitt gesehen in dem „normalen“ Bereich von dem Kontaktierungsbereich unterscheidet, wie dies bereits unter Bezugnahme auf die verschiedenen Schnittzeichnungen 1 und 2 einerseits und 3 bis 6 andererseits erläutert wurde. Man sieht, dass bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 8 dort, wo keine Kontaktierung erfolgt die Rückelektrode und Verkapselungsschicht R1 über die gesamte Breite der Anordnung durchgeht und sowohl die untere Elektrode E1 als auch die OLED-Schichtenfolge O1 sich über den größten Teil der Breite der Anordnung erstrecken, das heißt, dass hier weder die untere Elektrode E1 noch die Rückelektrode R1 in Richtung der Breite der Anordnung unterbrochen sind. In dem Kontaktierungsbereich (in der Zeichnung oben) erstreckt sich hingegen die Rückelektrode R1 nicht ganz zum linken Rand, sondern endet ein Stück vorher und wird dort von dem Kontakt K2 kontaktiert. Die untere Elektrode E1 erstreckt sich im (in der Zeichnung) oberen Eckbereich weiter nach links als die Rückelektrode R1, nämlich bis zu einer Leiterbahn L2, die in der linken oberen Ecke der Zeichnung zu sehen ist und die wiederum elektrisch mit dem Kontakt K1 verbunden ist, über den die OLED angeschlossen wird. In dem genannten Eckbereich wäre somit keine Abdeckung der OLED-Schichtenfolge durch die sonst vorhandene Verkapselungsschicht gegeben, die auch als Rückelektrode R1 dient. Dies wird aber in Kauf genommen, da eine Verschlechterung der Lichtausbeute in diesem vergleichsweise kleinflächigen Bereich akzeptiert werden kann.In the following, with reference to the schematic plan view of FIG 8th another alternative embodiment of the present Invention explained in more detail. In the representation according to 8th it is easy to see that the layer structure seen in section differs in the "normal" area from the contacting area, as already explained with reference to the various sectional drawings 1 and 2 on the one hand and 3 until 6 on the other hand explained. It can be seen that in the embodiment according to 8th Where there is no contact, the rear electrode and encapsulation layer R1 runs across the entire width of the arrangement and both the lower electrode E1 and the OLED layer sequence O1 extend over most of the width of the arrangement, which means that neither the lower Electrode E1 nor the rear electrode R1 are interrupted in the direction of the width of the arrangement. In the contacting area (in the drawing at the top), on the other hand, the back electrode R1 does not extend all the way to the left edge, but rather ends a little earlier and is contacted there by the contact K2. The lower electrode E1 extends further to the left in the (in the drawing) upper corner region than the rear electrode R1, namely up to a conductor track L2, which can be seen in the upper left corner of the drawing and which in turn is electrically connected to the contact K1 , via which the OLED is connected. In the corner region mentioned, the OLED layer sequence would therefore not be covered by the encapsulation layer which would otherwise be present and which also serves as the rear electrode R1. This is accepted, however, since a deterioration in the light yield in this comparatively small area can be accepted.

In dem Ausführungsbeispiel gemäß 8 ist außerdem erkennbar, dass zahlreiche Leiterbahnen L1 auf die untere Elektrode E1 aufgebracht sind, die nach Art eines Dekordrucks angeordnet sind und ein dekoratives Muster ergeben. Diese Leiterbahnen L1 dienen zum einen wie oben erläutert zur Erhöhung der Leitfähigkeit der unteren Elektrode und zum anderen ermöglichen sie eine dekorative Gestaltung der Licht abgebenden OLED-Fläche. Dort wo sich keine Leiterbahnen befinden, ist das Material transparent und es wird Licht abgestrahlt. Dort wo sich die Leiterbahnen befinden, wird die OLED-Fläche abgedeckt, wodurch sich zwar die Lichtabgabe der Fläche insgesamt reduziert. Dies ist aber unerheblich, weil die Licht abgebende Fläche bei diesem durch roll-to-roll hergestellten OLED-Typ ausreichend groß ist und somit über die gesamte Fläche eine ausreichende Lichtausbeute erzielt wird und weil bei diesen OLED-Anordnungen nicht die Optimierung der Beleuchtungsstärke im Vordergrund steht.In the embodiment according to 8th It can also be seen that numerous conductor tracks L1 are applied to the lower electrode E1, which are arranged in the manner of a decorative print and result in a decorative pattern. As explained above, these conductor tracks L1 are used, on the one hand, to increase the conductivity of the lower electrode and, on the other hand, they enable the light-emitting OLED surface to be designed in a decorative manner. Where there are no conductors, the material is transparent and light is emitted. The OLED surface is covered where the conductor tracks are, which reduces the overall light output of the surface. However, this is irrelevant because the light-emitting surface of this type of OLED produced by roll-to-roll is sufficiently large and thus sufficient light yield is achieved over the entire surface and because with these OLED arrangements the optimization of the illuminance is not the priority stands.

Bei der Ausführungsvariante gemäß 9, auf die nachfolgend Bezug genommen wird, ist der Aufbau der OLED-Anordnung über weite Bereiche ähnlich demjenigen gemäß 8. Lediglich die Kontaktierung in dem Eckbereich (links oben in der Zeichnung) ist etwas anders ausgeführt, da hier noch ein Bereich vorgesehen ist, der mit einer nicht-leitenden Schicht B1 versehen ist, wie sie beispielsweise ähnlich bereits oben bei der Ausführungsvariante gemäß 6 beschrieben wurde. Die Leiterbahn L1 ist hier in Querrichtung gesehen innenseitig mit der unteren Elektrode E1 verbunden und erstreckt sich dann in Querrichtung weiter nach außen, wo sie mit dem Kontakt K1 verbunden ist. Um die Leiterbahn (und damit die mit dieser verbundene untere Elektrode) gegenüber der Rückelektrode R1 zu isolieren, ist hier eine nicht-leitende Schicht B1 vorgesehen, da anders als bei dem zuvor anhand von 8 beschriebenen Ausführungsbeispiel die Rückelektrode R1 bei 9 im Eckbereich nicht unterbrochen ist. Auch bei unterbrochener Rückelektrode R1 lässt sich somit eine elektrische Trennung der beiden Elektroden voneinander erzielen, indem eine nicht-leitende Schicht B1 in den entsprechenden Bereichen eingefügt wird. Auch bei dieser Variante sind wie oben bei 8 beschrieben zahlreiche Leiterbahnen L1 aufgebracht, die ein dekoratives Muster auf der Fläche der Licht abstrahlenden Anordnung ausbilden.In the variant according to 9 , referred to below, the structure of the OLED array is largely similar to that of FIG 8th . Only the contacting in the corner area (top left in the drawing) is designed somewhat differently, since an area is also provided here that is provided with a non-conductive layer B1, such as is similar to the embodiment variant according to FIG 6 was described. The conductor track L1 is connected to the lower electrode E1 on the inside, viewed in the transverse direction, and then extends further outwards in the transverse direction, where it is connected to the contact K1. In order to insulate the conductor track (and thus the lower electrode connected to it) from the rear electrode R1, a non-conductive layer B1 is provided here, since this is different from the one described above with reference to FIG 8th described embodiment, the rear electrode R1 9 is not interrupted in the corner area. Even if the rear electrode R1 is interrupted, the two electrodes can be electrically isolated from one another by inserting a non-conductive layer B1 in the corresponding areas. Also with this variant are as above 8th described applied numerous conductor tracks L1, which form a decorative pattern on the surface of the light-emitting arrangement.

10 zeigt eine weitere beispielhafte Ausführungsvariante in der Draufsicht, bei der die Rückelektrode R1 anders als bei 7 in Querrichtung nicht unterbrochen ist. Dafür ist hier eine nicht-leitende Schicht B1 vorgesehen, die sich im (in der Zeichnung) oberen Kantenbereich, das heißt dort wo der Übergang zu der in Transportrichtung nächsten OLED-Anordnung vorgesehen ist und dort wo die Kontaktierung der jeweiligen OLED-Anordnung erfolgt, über die gesamte Breite der Anordnung in Querrichtung erstreckt. Wie man sieht erstreckt sich der Bereich der nicht-leitenden Schicht im äußeren Bereich (in der Zeichnung links) zusätzlich auch noch ein Stück in Längsrichtung, so dass man dort eine Leiterbahn L1 anordnen kann, die bis zu der unteren Elektrode E1 hin geführt ist, so dass diese über die Leiterbahn L1 kontaktiert werden kann. Diese Leiterbahn L1 erstreckt sich von der Schichtanordnung nach außen und ist abgewinkelt, so dass sie sich anschließend in Bandtransportrichtung erstreckt. Diese Leiterbahn L1 ist in den Bereich außerhalb der die Schichtanordnung abdeckenden Rückelektrode R1 geführt und dort wo sich die Rückelektrode befindet durch die nicht-leitende Schicht B1 abgedeckt, so dass die Leiterbahn L1 außenseitig mit dem Kontakt K1 verbunden werden kann, mittels dessen so die untere Elektrode kontaktiert wird. Die Rückelektrode R1 kann etwas weiter innen (in Querrichtung gesehen) über den Kontakt K2 kontaktiert werden. Im Bereich der Schnittlinie zum Nachbarmodul ist die untere Elektrode E1 durch die sich dort über die gesamte Breite erstreckende nicht-leitende Schicht B1 gegen die Rückelektrode R1 isoliert. 10 shows a further exemplary embodiment variant in plan view, in which the rear electrode R1 differs from that in FIG 7 is not interrupted in the transverse direction. For this purpose, a non-conductive layer B1 is provided here, which is in the (in the drawing) upper edge area, i.e. where the transition to the next OLED arrangement in the transport direction is provided and where the contacting of the respective OLED arrangement takes place, extends across the entire width of the assembly in the transverse direction. As you can see, the area of the non-conductive layer in the outer area (on the left in the drawing) also extends a bit in the longitudinal direction, so that a conductor track L1 can be arranged there, which is routed to the lower electrode E1. so that it can be contacted via conductor track L1. This conductor track L1 extends outwards from the layer arrangement and is angled so that it then extends in the tape transport direction. This conductor track L1 is routed to the area outside of the rear electrode R1, which covers the layer arrangement, and is covered by the non-conductive layer B1 where the rear electrode is located, so that the conductor track L1 can be connected on the outside to the contact K1, by means of which the lower Electrode is contacted. The rear electrode R1 can be contacted a little further inside (seen in the transverse direction) via the contact K2. In the region of the line of intersection to the neighboring module, the lower electrode E1 is insulated from the rear electrode R1 by the non-conductive layer B1, which extends there over the entire width.

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Zitierte PatentliteraturPatent Literature Cited

DE 102014202945 B4 [0002]
EP 3035404 A1 [0003]

Claims

Arrangement comprising organic light-emitting diodes (OLED) with a layer structure comprising: a flexible substrate (F1), at least one barrier layer (S1) applied to the substrate, at least one transparent electrode (E1), a light-emitting layer sequence (O1) comprising organic materials (OLED -Stack), at least one rear electrode (R1), at least one top encapsulation layer which seals the layer structure against the influence of moisture and oxygen, the top encapsulation layer serving as a rear electrode (R1) at the same time and consisting of an electrically conductive material, characterized in that that the arrangement further comprises a non-conductive layer (B1) which extends in the contacting region into the region of a further conductive track (L3), the non-conductive layer (B1) being applied before the light-emitting layer sequence (O1) is deposited and is partially covered by the latter.

arrangement according to claim 1 , characterized in that the top encapsulation layer comprises at least one metallic layer, in particular of Ag, Al, Cu or Au, and/or comprises at least one ceramic layer.

Arrangement according to one of Claims 1 or 2 , characterized in that the layer conductivity of the encapsulation layer and rear electrode (R1) is greater than that of the transparent electrode (E1) without line reinforcement by a conductive track (L1).

Arrangement according to one of Claims 1 until 3 , characterized in that the encapsulation layer and rear electrode (R1) comprises a layer sequence of a plurality of metallic layers and/or a layer sequence of a plurality of ceramic materials.

Arrangement according to one of Claims 1 until 4 , characterized in that the encapsulation layer and rear electrode (R1) is interrupted in a contact area towards the outer edge and the potential of the transparent electrode (E1) is led to the outside and/or the encapsulation layer and rear electrode (R1) in other areas to the outer edge is not interrupted.

Arrangement according to one of Claims 1 until 5 , characterized in that a continuous conductive region of the transparent electrode (E1) is narrower than the light-emitting layer sequence (O1) in the direction of the width of the OLED.

Arrangement according to one of Claims 1 until 6 , characterized in that in partial areas the transparent electrode has two areas (E1) and (E2) electrically insulated from one another, seen in the direction of the width of the OLED, which are separated from one another by an area (E5) in which no transparent electrode is provided, wherein in a contact area the transparent electrode (E1) is continuous in the width direction.

Arrangement according to one of Claims 1 until 7 , characterized in that at least one, preferably several, non-transparent conductive tracks (L1) are applied to the transparent electrode (E1) and/or non-transparent conductive tracks (L1) are applied to the barrier layer (S1) under the transparent electrode (E1). are.

Arrangement according to one of Claims 5 , 7 or 8th , characterized in that further conductive tracks (L2) for connecting the front electrode (E1?) are provided which are not electrically conductively connected to the region (E1) of the transparent electrode and/or that further conductive tracks (L3) are provided , which are connected in a contacting area to an interrupted area of the outer rear electrode (R1) and applied to the transparent electrode (E1).

Arrangement according to one of Claims 6 until 9 , characterized in that the light-emitting layer sequence (O1) completely covers the contiguous, narrower conductive area of the transparent electrode (E1), but in a contacting area the light-emitting layer sequence (O1) does not completely cover the transparent electrode that is continuous in the width direction over its width covered.

Arrangement according to one of Claims 1 until 9 , characterized in that it further comprises a non-conductive layer (B1) which covers at least the edge region of the light-emitting layer sequence (O1) seen across the width in the contacting region and, seen across the width, covers at least up to the edge of the rear electrode (R1) in the contacting region reaches where it is interrupted, with the back electrode (R1) being applied to the non-conductive layer (B1).

arrangement according to claim 1 or claim 11 , characterized in that the non-conductive layer (B1) extends up to a region of the rear electrode (R3) by a bottom is separated from a region (R1) of the return electrode by refraction.

Arrangement according to one of Claims 1 until 12 , characterized by the layer sequence mentioned below: a flexible substrate (F1), at least one barrier layer (S1) applied to the flexible substrate (F1), at least one transparent electrode (E1) applied to the barrier layer (S1), at least one to the transparent Electrode (E1) applied conductive track (L1, L2, L3), a light-emitting layer sequence (O1) applied to the conductive track and comprising organic materials (OLED stack), at least one encapsulation layer applied to the light-emitting layer sequence (O1) and rear electrode (R1, R3), or the following sequence of layers: a flexible substrate (F1), at least one barrier layer (S1) applied to the flexible substrate (F1), at least one conductive track (L1, L2) applied to the barrier layer (S1), L3), at least one transparent electrode (E1) applied to the conductive track (L1, L2, L3), one applied to the transparent electrode (E1). hte light-emitting layer sequence (O1) comprising organic materials (OLED stack), at least one encapsulation layer applied to the light-emitting layer sequence (O1) and back electrode (R1, R3), the light-emitting layer sequence (O1) in the direction of the width of the layer structure seen, preferably by using a shadow mask during the application, is narrower than the overall layer structure.

Arrangement according to one of Claims 1 until 13 , characterized in that it is designed as a large-area OLED in thin-layer encapsulation on a transparent, rollable substrate.

Arrangement according to one of Claims 1 until 14 , characterized in that the layer sequence (O1) is not structured in the longitudinal direction (strip direction) of the flexible substrate (F1) and/or the transparent electrode (E1) or the rear electrode (R1) is not structured in the longitudinal direction or the transparent electrode (E1 ) and the rear electrode (R1) are not structured in the longitudinal direction.

Arrangement according to one of Claims 1 until 15 , characterized in that the layer sequence (O1) is interrupted in each case parallel to and in the vicinity of the cut edges outside the area of (E1) or in the area of (B1) (preferably by laser ablation), in each case seen in the direction of the strip at the beginning and end the modules.