DE102014114372B4 - Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement Download PDF

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Abstract

Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100) mit den Schritten:a) Bereitstellen einer Vielzahl von zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen Halbleiterchips (4),b) Anordnen der Vielzahl von Halbleiterchips (4) in einer Ebene, wobei die Halbleiterchips (4) in einer lateralen Richtung voneinander beabstandet sind;c) Ausbilden eines Gehäusekörperverbunds (8), der zumindest bereichsweise zwischen den Halbleiterchips (4) angeordnet ist;d) Ausbilden einer Vielzahl von Konversionselementen (12), wobei jedes Konversionselement (12) ein wellenlängenkonvertierendes Konversionsmaterial umfasst und auf einem der Halbleiterchips (4) angeordnet wird;e) Verkapseln der Vielzahl von Konversionselementen (12) zumindest an deren seitlichen Rändern (20) mit einem Verkapselungsmaterial, welches sich von dem Konversionsmaterial unterscheidet; undf) Vereinzeln des Gehäusekörperverbunds (8) in eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100), wobei jedes Halbleiterbauelement (100) zumindest einen Halbleiterchip (4), ein seitlich verkapseltes Konversionselement (12) und einen Teil des Gehäusekörperverbunds (8) als Gehäusekörper (82) aufweist, wobei Schritt d) vor Schritt b), vor Schritt c) oder vor Schritt e) ausführbar ist, wobei die Vielzahl von Konversionselementen (12) durch Vereinzelung aus einer Konversionsfolie (10), die das Konversionsmaterial umfasst, entsteht, und wobei mindestens eine Seitenfläche (26) der Verkapselung (18) und mindestens eine Seitenfläche (24) des Gehäusekörpers (82) bündig miteinander abschließen.

Description

  • Für Halbleiterbauelemente wie Leuchtdioden sind Bauformen bekannt, bei denen die zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen Halbleiterchips in vorgefertigte Gehäuse montiert werden. Solche Bauformen sind zur Herstellung besonders kompakter Leuchtdioden nur schwer miniaturisierbar.
  • Eine aus dem Stand der Technik bekannte Lösung dieses Problems besteht darin, einen Gehäusekörperverbund auszubilden, welcher zwischen matrixartig angeordneten Halbleiterchips angeordnet ist. Der Gehäusekörperverbund kann beispielsweise mittels eines Gießverfahrens hergestellt werden. In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird der Gehäusekörperverbund in eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen vereinzelt, sodass jedes vereinzelte Halbleiterbauelement zumindest einen Halbleiterchip und einen Teil des Gehäusekörperverbunds als Gehäusekörper aufweist. Außerdem umfassen die so hergestellten Halbleiterbauelemente oftmals Konversionselemente aus einem wellenlängenkonvertierenden Konversionsmaterial.
  • Die Druckschrift DE 10 2009 036 621 A1 beschreibt Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements und ein optoelektronisches Halbleiterbauelement.
  • Die Druckschrift DE 10 2012 216 738 A1 beschreibt ein optoelektronisches Bauelement.
  • Die Druckschrift DE 20 2013 101 431 U1 beschreibt eine Leuchtvorrichtung zur Erzeugung von Weißlicht.
  • Die Druckschrift WO 2010 / 025 849 A1 beschreibt eine Konversionsfolie und ein Verfahren zu dessen Herstellung.
  • Die Druckschrift US 2013 / 0 026 518 A1 beschreibt eine Wafer-Level LED Einheit und ein entsprechendes Herstellungsverfahren.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements mit einem Konversionselement aus empfindlichen Konversionsmaterial anzugeben, das gleichzeitig eine flache Bauform aufweist. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem Konversionselement aus empfindlichen Konversionsmaterial anzugeben, das eine erhöhte Lebensdauer aufweist.
  • Diese Aufgaben werden unter anderem durch ein Verfahren beziehungsweise ein Halbleiterbauelement gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
  • Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen angegeben.
  • Das Verfahren weist einen Schritt auf, in dem eine Vielzahl von zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen Halbleiterchips bereitgestellt wird. Die Halbleiterchips weisen insbesondere einen Halbleiterkörper mit einem zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich auf. Der Halbleiterkörper, insbesondere der aktive Bereich, enthält beispielsweise ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial. Weiterhin umfasst der Halbleiterchip insbesondere einen Träger, auf dem der Halbleiterkörper angeordnet ist. Beispielsweise ist der Träger ein Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichten des Halbleiterkörpers. Alternativ ist der Träger von einem Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichten des Halbleiterkörpers verschieden. In diesem Fall dient der Träger der mechanischen Stabilisierung des Halbleiterkörpers, sodass das Aufwachssubstrat hierfür nicht erforderlich ist und entfernt werden kann. Ein Halbleiterchip, bei dem das Aufwachssubstrat entfernt ist, wird auch als Dünnfilm-Halbleiterchip bezeichnet.
  • Dass eine Schicht oder ein Element „auf“ oder „über“ einer anderen Schicht oder einem anderen Element angeordnet oder aufgebracht ist, kann dabei hier und im Folgenden bedeuten, dass die eine Schicht oder das eine Element unmittelbar im direkten mechanischen und/oder elektrischen Kontakt auf der anderen Schicht oder dem anderen Element angeordnet ist. Weiterhin kann es auch bedeuten, dass die eine Schicht oder das eine Element mittelbar auf beziehungsweise über der anderen Schicht oder dem anderen Element angeordnet ist. Dabei können dann weitere Schichten und/oder Elemente zwischen der einen und der anderen Schicht angeordnet sein.
  • Das Verfahren weist einen Schritt auf, in dem die Vielzahl von Halbleiterchips in einer Ebene angeordnet wird. Hierbei sind die Halbleiterchips in einer lateralen Richtung voneinander beabstandet. Unter einer lateralen Richtung wird hier und im Folgenden eine Richtung parallel zu der Ebene verstanden, in welcher die Halbleiterchips angeordnet werden. Analog wird unter einer vertikalen Richtung eine Richtung senkrecht zur genannten Ebene verstanden.
  • Das Verfahren umfasst einen Schritt, in dem ein Gehäusekörperverbund ausgebildet wird, der zumindest bereichsweise zwischen den Halbleiterchips angeordnet ist. Der Gehäusekörperverbund kann insbesondere mittels eines Gießverfahrens hergestellt werden.
  • Unter dem Begriff Gießverfahren fallen hierbei alle Herstellungsverfahren, bei denen eine Formmasse in eine vorgegebene Form eingebracht wird und insbesondere nachfolgend gehärtet wird. Insbesondere umfasst der Begriff Gießverfahren Gießen (Casting), Spritzgießen (Injection Molding), Spritzpressen (Transfer Molding), Formpressen (Compression Molding) und Dispensen. Bevorzugt wird der Gehäusekörperverbund durch Formpressen oder durch ein folienassistiertes Gießverfahren (Film Assisted Transfer Molding) ausgebildet. Der Gehäusekörperverbund kann beispielsweise gefüllte oder ungefüllte Gießharze (z. B. Epoxydharze oder Silikone) aufweisen. Der Gehäusekörperverbund kann eine Dicke zwischen 50 µm und 500 µm, bevorzugt zwischen 100 µm und 200 µm, typischerweise um die 150 µm aufweisen. Bevorzugt wird der Gehäusekörperverbund durch ein weißes Material gebildet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein bei der Ausbildung des Gehäusekörperverbunds verwendetes Umformungsmaterial so aufgebracht, dass es die Seitenflächen der Halbleiterchips und/oder die Rückseiten der Halbleiterchips jeweils zumindest teilweise, bevorzugt vollständig bedeckt. Beispielsweise können die Halbleiterchips hierbei überformt werden und der Gehäusekörperverbund nachfolgend gedünnt werden, so dass die Halbleiterchips bereichsweise freiliegen.
  • Das Verfahren weist einen Schritt auf, in dem eine Vielzahl von Konversionselementen ausgebildet wird. Jedes Konversionselement umfasst ein wellenlängenkonvertierendes Konversionsmaterial und wird auf einem der Halbleiterchips angeordnet. Die Konversionselemente können bereits auf den Halbleiterchips angeordnet werden, bevor der Gehäusekörperverbund ausgebildet wird und optional sogar noch vor dem Zeitpunkt, an dem sie in einer Ebene angeordnet, beispielsweise auf einem Hilfsträger oder einem strukturierten Metallverbund befestigt werden.
  • Hierbei zeichnet sich ein wellenlängenkonvertierendes Konversionsmaterial dadurch aus, dass die Wellenlänge einer von dem Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung an dem Konversionsmaterial konvertiert wird. Das Konversionselement ist hierdurch dazu ausgebildet, in den Halbleiterchips erzeugte Primärstrahlung mit einer ersten Wellenlänge in Sekundärstrahlung mit einer von der ersten Wellenlänge verschiedenen längeren Wellenlänge zu konvertieren. Beispielsweise ist das Halbleiterbauelement zur Erzeugung von Mischlicht, insbesondere von für das menschliche Auge weiß erscheinendem Mischlicht, vorgesehen. Beispielsweise wird eine blaue elektromagnetische Strahlung durch das Konversionselement zumindest teilweise oder vollständig in eine rote und/oder eine grüne Strahlung konvertiert.
  • Das Konversionselement umfasst insbesondere ein empfindliches wellenlängenkonvertierendes Konversionsmaterial. Ein empfindliches Konversionsmaterial zeichnet sich beispielsweise dadurch aus, dass das Konversionsmaterial bei Kontakt mit beispielsweise Sauerstoff und/oder Wasser durch beispielsweise Oxidation zerstört und/oder beschädigt werden kann. Ferner kann das empfindliche Konversionsmaterial empfindlich auf Temperaturschwankungen reagieren und durch solche Temperaturschwankungen beispielsweise in seiner Funktionalität beeinträchtigt werden.
  • Das Verfahren weist einen Schritt auf, in dem die Vielzahl von Konversionselementen zumindest an deren seitlichen Rändern mit einem Verkapselungsmaterial verkapselt wird, welches sich von dem Konversionsmaterial unterscheidet. Das Verkapselungsmaterial ist dazu ausgebildet, das Konversionselement vor der Einwirkung von Feuchtigkeit und Sauerstoff zu schützen. Beispielsweise kann das Verkapselungsmaterial eine Wasserdampf-Transmissionsrate aufweisen, die höchstens 1 × 10-3 g/m2/Tag, beispielsweise höchstens 3 × 10-4 g/m2/Tag, bevorzugt höchstens 1 × 10-6 g/m2/Tag, besonders bevorzugt höchstens 1 × 10-8 g/m2/Tag beträgt.
  • Das Verfahren umfasst einen Schritt, in dem der Gehäusekörperverbund in eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen vereinzelt wird, wobei jedes Halbleiterbauelement zumindest einen Halbleiterchip, ein Konversionselement und einen Teil des Gehäusekörperverbunds als Gehäusekörper aufweist. Die Gehäusekörper entstehen aus dem Gehäusekörperverbund also erst beim Vereinzeln und somit zu einem Zeitpunkt, zudem sich die Halbleiterchips bereits in dem Gehäusekörper befinden. Folge der Vereinzelung des Gehäusekörperverbunds ist es, dass Seitenflächen der entstehenden optoelektronischen Halbleiterbauelemente im Bereich des Gehäusekörpers Vereinzelungsspuren aufweisen.
  • Vorteilhaft wird eine dichte und vollständige Verkapselung der Konversionselemente in den entstehenden optoelektronischen Halbleiterbauelemente erreicht, während sämtliche oder zumindest die meisten Herstellungsschritte auf Verbundebene erfolgen, was eine besonders rationelle Fertigung der optoelektronischen Halbleiterbauelemente erlaubt. Gleichzeitig weisen die entstehenden optoelektronischen Halbleiterbauelemente eine besonders flache und kompakte Bauform auf, wodurch sie sich beispielsweise für den Einsatz in Hinterleuchtungseinrichtungen eignen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Konversionsmaterial wellenlängenkonvertierende Quantenpunkte. Beispielsweise umfasst das Konversionselement ein Matrixmaterial, wobei die wellenlängenkonvertierenden Quantenpunkte in das Matrixmaterial eingebracht sind.
  • Durch die Verwendung von Quantenpunkten als Konversionsmaterial wird mitunter eine gute Farbwiedergabe erreicht, da die konvertierte elektromagnetische Strahlung relativ schmalbandig ist und somit keine Mischung unterschiedlicher Spektralfarben erzeugt wird. Beispielsweise weist das Spektrum der konvertierten Strahlung eine Wellenlängen-Breite von wenigstens 20 nm bis höchstens 60 nm auf. Dies ermöglicht die Erzeugung von Licht, dessen Farbe einem Spektralbereich sehr genau zugeordnet werden kann. Hierdurch kann bei einem Einsatz des optoelektronischen Halbleiterbauelements in einer Hinterleuchtungseinrichtung ein großer Farbgamut erreicht werden.
  • Bei den Quantenpunkten handelt es sich bevorzugt um Nanopartikel, das heißt Teilchen mit einer Größe im Nanometer-Bereich. Die Quantenpunkte umfassen einen Halbleiterkern, der wellenlängenkonvertierende Eigenschaften aufweist. Der Halbleiterkern kann beispielsweise mit CdSe, CdS, InAs, CuInS2, ZnSe (beispielsweise Mn dotiert) und/oder InP gebildet sein und beispielsweise dotiert sein. Für Anwendungen mit infraroter Strahlung kann der Halbleiterkern beispielsweise mit CdTe, PbS, PbSe und/oder GaAs gebildet sein und ebenfalls beispielsweise dotiert sein. Der Halbleiterkern kann von mehreren Schichten ummantelt sein. Mit anderen Worten, der Halbleiterkern kann an dessen Außenflächen vollständig oder nahezu vollständig von weiteren Schichten bedeckt sein.
  • Eine erste ummantelnde Schicht eines Quantenpunkts ist beispielsweise mit einem anorganischen Material, wie beispielsweise ZnS, CdS und/oder CdSe, gebildet und dient der Erzeugung des Quantenpunkt-Potentials. Die erste ummantelnde Schicht und der Halbleiterkern werden von zumindest einer zweiten ummantelnden Schicht an den freiliegenden Außenflächen nahezu vollständig umschlossen. Die zweite Schicht kann beispielsweise mit einem organischen Material, wie beispielsweise Cystamin oder Cystein, gebildet sein und dient mitunter der Verbesserung der Löslichkeit der Quantenpunkte in beispielsweise einem Matrixmaterial und/oder einem Lösungsmittel (es können auch Amine, schwefelhaltige oder phosphorhaltige organische Verbindungen verwendet werden). Hierbei ist es möglich, dass aufgrund der zweiten ummantelnden Schicht eine räumlich gleichmäßige Verteilung der Quantenpunkte in einem Matrixmaterial verbessert wird.
  • Die Vielzahl von Konversionselementen entsteht durch Vereinzelung aus einer Konversionsfolie, die das Konversionsmaterial umfasst.
    Bevorzugt umfasst die Konversionsfolie zwei Barriereschichten, zwischen denen das Konversionsmaterial angeordnet ist und welche für einen Schutz vor der Einwirkung von Feuchtigkeit und Sauerstoff sorgen. In diesem Fall ist es ausreichend, die durch Vereinzelung entstehenden Konversionselemente an ihren seitlichen Rändern, d.h. in den Bereichen, in denen die Konversionsfolie durchtrennt (und dadurch geöffnet) wurde und in denen das Konversionsmaterial ungeschützt freiliegt, mit einer Verkapselung zu versehen, durch welche zusammen mit den Barriereschichten ein ausreichender Schutz des Konversionsmaterials von allen Seiten her gewährleistet wird.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist vorgesehen, dass die Konversionsfolie auf dem Gehäusekörperverbund und den Halbleiterchips befestigt wird. Beispielsweise kann die Konversionsfolie unter Verwendung eines Silikons oder eines Hybridpolymers aufgeklebt oder alternativ auflaminiert werden. Erst nach der Befestigung wird die Konversionsfolie zur Ausbildung der Konversionselemente durchtrennt. Dies kann dadurch geschehen, dass Gräben in die Konversionsfolie eingebracht werden, welche die Konversionselemente definieren, die hierbei auf den Halbleiterchips ausgebildet werden. Nachfolgend werden die Konversionselemente beispielsweise zumindest im Bereich der Gräben, also an seitlichen Rändern der durch die Vereinzelung entstehenden Konversionselemente, mit dem Verkapselungsmaterial verkapselt. Bevorzugt erfolgt die Verkapselung zeitnah (beispielsweise innerhalb einer Stunde, bevorzugt innerhalb 30 Minuten) nach der Ausbildung der Gräben, um eine zu starke Beschädigung des Konversionsmaterials zu verhindern.
  • Die Ausbildung der Konversionselemente durch das Einbringen von Gräben in die Konversionsfolie hat zum Ziel, die Strahlungsaustrittsfläche im später hergestellten Halbleiterbauelement geeignet zu begrenzen und die Effizienz des Bauelements zu steigern.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist vorgesehen, dass die Konversionselemente durch ein Beschichtungsverfahren verkapselt werden. Das Verkapseln kann beispielsweise mit Atomlagenabscheidung (ALD) und/oder chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) und/oder Sputtern erfolgen. Die Anwendung von chemischer Gasphasenabscheidung kann auch plasmaunterstützt erfolgen. Als Verkapselungssmaterial kann beispielsweise Al2O3, SiO2, ZrO2, TiO2, Si3N4, Siloxan und/oder SiOxNy verwendet werden. Ferner ist die Verwendung eines Parylens möglich. Auch andere organische oder anorganische Materialien oder Kombinationen davon können verwendet werden. Das Verkapselungsmaterial kann ein spiegelndes, bevorzugt ein nicht-metallisches, spiegelndes Material, z.B. ein weißer Kunststoff wie weißes Epoxid sein oder eines der genannten Materialien umfassen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist vorgesehen, dass die Konversionselemente durch ein Gießverfahren verkapselt werden. Unter dem Begriff Gießverfahren fallen hierbei alle oben genannten Herstellungsverfahren, bei denen eine Formmasse in eine vorgegebene Form eingebracht wird.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist vorgesehen, dass zunächst die Konversionsfolie in Konversionselemente vereinzelt wird und die Konversionselemente auf den Halbleiterchips ausgebildet werden. Die Vereinzelung der Konversionsfolie in Konversionselemente kann hierbei entweder vor oder nach der Befestigung der Konversionsfolie/Konversionselemente auf den Halbleiterchips erfolgen. Erst nachfolgend wird der Gehäusekörperverbund ausgebildet. Hierbei ist bevorzugt, dass der Gehäusekörperverbund die Vielzahl von Konversionselementen zumindest an deren seitlichen Rändern verkapselt. Die Verkapselung erfolgt somit während der Ausbildung des Gehäusekörperverbunds, beispielsweise während des hierzu verwendeten (bevorzugt folienassistierten) Gießverfahrens. Das Verkapselungsmaterial umfasst hierbei bevorzugt ein Epoxydharz.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist das Verfahren einen Schritt auf, in dem ein Hilfsträger bereitgestellt wird. Der Hilfsträger kann flexibel, beispielsweise als Folie, oder starr ausgebildet sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist das Verfahren einen Schritt auf, in dem die Vielzahl von Halbleiterchips auf dem Hilfsträger befestigt wird. Die optoelektronischen Halbleiterchips sind dabei in einer lateralen Richtung voneinander beabstandet. Die laterale Richtung fällt in diesem Fall mit einer Haupterstreckungsebene des Hilfsträgers zusammen. Beispielsweise kann der Hilfsträger als Klebefolie ausgebildet sein, auf welcher die Halbleiterchips haften. Die Vielzahl von Halbleiterchips muss allerdings nicht notwendigerweise unmittelbar auf dem Hilfsträger angeordnet sein. Es ist ausreichend, dass die Halbleiterchips beispielsweise auf einer haftenden Schicht, welche den Hilfsträger bedeckt, angeordnet sind, sodass sie zumindest mittelbar auf dem Hilfsträger befestigt sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem der Hilfsträger entfernt wird, beispielsweise indem er delaminiert wird. Dies erfolgt bevorzugt direkt nach dem Ausbilden des Gehäusekörperverbunds, kann allerdings auch zu einem späteren Zeitpunkt erfolgen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Konversionsfolie nach dem Entfernen des Hilfsträgers auf dem Gehäusekörperverbund und den Halbleiterchips befestigt. Die Konversionsfolie wird bevorzugt auf einer Seite des Gehäusekörperverbunds ausgebildet, an der der Hilfsträger vor seiner Entfernung angeordnet war. Das heißt, die Konversionsfolie tritt im Wesentlichen an die Stelle des Hilfsträgers.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist das Verfahren einen Schritt auf, in dem die Vielzahl von Halbleiterchips auf einem strukturierten Metallverbund befestigt wird. Die optoelektronischen Halbleiterchips sind dabei in einer lateralen Richtung voneinander beabstandet. Die laterale Richtung fällt in diesem Fall mit einer Haupterstreckungsebene des strukturierten Metallverbunds zusammen. Nach der Vereinzelung des Gehäusekörperverbunds in die Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen weist dann jedes Halbleiterbauelement zumindest einen Teil des strukturierten Metallverbunds als Leiterrahmen auf.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Konversionselemente ferner auf deren Vorderseite mit dem Verkapselungsmaterial verkapselt, wobei das Verkapselungsmaterial transparent ausgebildet ist. Hier und im Folgenden wird unter der Vorderseite eines Konversionselements diejenige Seite verstanden, welche von dem mit dem Konversionselement verbundenen Halbleiterchip abgewandt ist. Unter der Rückseite eines Halbleiterchips wird analog die Seite des Halbleiterchips verstanden, welche von dem Konversionselement abgewandt ist.
  • Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement weist einen zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen Halbleiterchip auf.
  • Das Halbleiterbauelement weist einen Gehäusekörper auf, der den Halbleiterchip in einer lateralen Richtung umgibt.
  • Auf dem Halbleiterchip ist ein Konversionselement angeordnet, welches ein wellenlängenkonvertierendes Konversionsmaterial umfasst. Zumindest an einem seitlichen Rand des Konversionselements ist eine Verkapselung aus einem Verkapselungsmaterial vorgesehen, welches sich von dem Konversionsmaterial unterscheidet. Beispielsweise kann die Verkapselung eine Metallschicht, insbesondere eine spiegelnde Metallschicht, eine absorbierende oder eine nicht-metallische spiegelnde Schicht umfassen.
  • Seitenflächen des Gehäusekörpers weisen Vereinzelungsspuren auf.
  • Mindestens eine Seitenfläche der Verkapselung und mindestens eine Seitenfläche des Gehäusekörpers schließen bündig miteinander ab.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist das Halbleiterbauelement an einer Rückseite zwei Kontakte zur Kontaktierung des Halbleiterchips auf. Unter der Rückseite des Halbleiterbauelements wird die Seite des Halbleiterbauelements verstanden, welche der Rückseite des Halbleiterchips entspricht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist das Halbleiterbauelement ferner einen Leiterrahmen auf. Bevorzugt sind die zwei Kontakte an der Rückseite des Halbleiterbauelements durch Teile des Leiterrahmens gebildet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements liegt der Leiterrahmen an mindestens einer Seitenfläche des Halbleiterbauelements bereichsweise frei.
  • Das vorstehend beschriebene Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen ist für die Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements besonders geeignet. Im Zusammenhang mit dem Verfahren angeführte Merkmale können daher auch für das Halbleiterbauelement herangezogen werden oder umgekehrt.
  • Weitere Merkmale, Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen.
  • Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente und insbesondere Schichtdicken zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
  • Es zeigen:
    • Die 1A bis 1I, 2A bis 2C, 3A bis 3C, 4A bis 4G und 5A bis 5E jeweils ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen anhand von jeweils in schematischer Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten.
  • In den 1A bis 1I ist ein erstes Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen gezeigt.
  • Wie in 1A dargestellt, wird zunächst ein Hilfsträger 2 bereitgestellt. Für den Hilfsträger 2 eignet sich beispielsweise eine selbsthaftende Folie. Alternativ kann die Befestigung der Halbleiterchips auch mittels eines temporären Klebstoffs erfolgen. In dem in 1A dargestellten Verfahrensschritt wird eine Vielzahl von Halbleiterchips 4 unmittelbar auf dem Hilfsträger 2 befestigt. Die Halbleiterchips 4 sind matrixartig angeordnet und in einer lateralen Richtung, das heißt in einer Richtung parallel zur Haupterstreckungsebene des Hilfsträgers 2 voneinander beabstandet. Die nachfolgende Beschreibung erfolgt für elektromagnetische Strahlung emittierende Halbleiterbauelemente. Die Halbleiterchips sind beispielsweise Lumineszenzdiodenhalbleiterchips, etwa Leuchtdiodenhalbleiterchips.
  • In einer vertikalen Richtung erstrecken sich die Halbleiterchips 4 zwischen einer Vorderseite 42 und einer Rückseite 44. Außerdem weisen die Halbleiterchips 4 Seitenflächen 46 auf. Die Halbleiterchips 4 sind derart auf dem Hilfsträger 2 angeordnet, dass die Vorderseite 42 dem Hilfsträger 2 zugewandt ist.
  • In dem nachfolgenden, in 1B dargestellten Verfahrensschritt wird ein Gehäusekörperverbund 8 durch Formpressen erzeugt, welcher die Bereiche zwischen benachbarten Halbleiterchips 4 ausfüllt.
  • In dem nachfolgenden, in 1C gezeigten Verfahrensschritt wird der Gehäusekörperverbund 8 von der dem Hilfsträger 2 abgewandten Seite her gedünnt, beispielsweise mittels eines mechanischen Verfahrens wie Schleifens, sodass die Rückseiten 44 der Halbleiterchips freiliegen. Des Weiteren wird der Hilfsträger 2 durch Delaminieren entfernt, sodass auch die Vorderseiten 42 der Halbleiterchips freiliegen.
  • Dadurch, dass die Halbleiterchips 4 in den Bereichen der Rückseiten 44 freiliegen, ist es möglich, die Halbleiterchips von ihrer Rückseite her zu kontaktieren. In der 1D sind exemplarisch Vorderseitenkontakte 52 und Rückseitenkontakte 54 gezeigt, welche die Halbleiterchips 4 mit elektrischem Strom versorgen können. Der besseren grafischen Darstellung wegen wurde die in 1C dargestellte Struktur in 1D um 180° gedreht. Sowohl die Vorderseitenkontakte 52, als auch die Rückseitenkontakte 54 sind in dem später entstehenden Halbleiterbauelement von dessen Rückseite her zur Kontaktierung zugänglich.
  • An die Stelle des entfernten Hilfsträgers tritt in 1E eine Konversionsfolie 10, die unter Verwendung eines im vorliegenden Fall aus Silikon bestehenden Klebers 6 auf die Vorderseiten 42 der Halbleiterchips sowie den Gehäusekörperverbund 8 aufgeklebt wird. Alternativ kann die Konversionsfolie 10 ihrerseits eine Klebeschicht umfassen und hierdurch auf den Vorderseiten 42 der Halbleiterchips sowie den Gehäusekörperverbund 8 befestigt werden (nicht dargestellt).
  • In dem nachfolgenden, in 1F gezeigten Verfahrensschritt wird die Konversionsfolie 10 zur Ausbildung von Konversionselementen 12 durchtrennt, indem Gräben 14 in die Konversionsfolie 10 eingebracht werden, welche die Konversionselemente 12 definieren. Die Gräben 14 erstrecken sich im vorliegenden Fall durch die Konversionsfolie 10 und den Silikonkleber 6 hindurch in den Gehäusekörperverbund 8 hinein und durchtrennen somit die Konversionsfolie 10 vollständig.
  • Nachfolgend wird eine Metallbeschichtung 16 ausgebildet, welche die Konversionselemente 12 und die Gräben 14 bedeckt, wobei vorangehend ein Fotolack 22 auf die Bereiche der Konversionselemente 12, die in den fertigen Halbleiterbauelementen freiliegen und als Strahlungsaustrittsflächen dienen sollen, aufgebracht wird (siehe 1G). Die Metallbeschichtung 16 bildet im Bereich der Gräben 14, also an seitlichen Rändern 20 der Konversionselemente 12, eine Verkapselung 18, welche diese vor der Einwirkung von Luft und Feuchtigkeit schützt. Bevorzugt erfolgt die Ausbildung der Metallbeschichtung 16 zeitnah (beispielsweise innerhalb einer Stunde, bevorzugt innerhalb von 30 Minuten) nach der Ausbildung der Gräben 14, um eine zu starke Beschädigung des Konversionsmaterials zu verhindern.
  • Der bereichsweise aufgebrachte Fotolack 22 wird nachfolgend unter Verwendung eines geeigneten Lösungsmittels entfernt, so dass die Metallbeschichtung 16 nur in den Bereichen erhalten bleibt, in denen sie als Verkapselung 18 gewünscht ist (siehe 1H). Zum Vereinzeln in Halbleiterbauelemente 100 wird der Gehäusekörperverbund 8 entlang von Vereinzelungslinien 24 durchtrennt. Dies kann beispielsweise mechanisch, etwa mittels Sägens, chemisch, beispielsweise mittels Ätzens und/oder mittels kohärenter Strahlung, etwa durch Laserablation, erfolgen.
  • Jedes der entstehenden Halbleiterbauelemente 100 weist zumindest einen Halbleiterchip 4, ein Konversionselement 12 mit seitlicher Verkapselung 18 und einen Teil des Gehäusekörperverbunds als Gehäusekörper 82 auf (siehe 1I). Außerdem weist das optoelektronische Halbleiterbauelement 100 an seiner Rückseite zwei Kontakte 52, 54 zur Kontaktierung des Halbleiterchips 4 auf.
  • Folge der Vereinzelung des Gehäusekörperverbunds ist es, dass Seitenflächen 24 des Gehäusekörpers 82 und Seitenflächen 26 der Verkapselung 18 Vereinzelungsspuren aufweisen. Des Weiteren schließen die Seitenflächen 26 der Verkapselung 18 und die Seitenflächen 24 des Gehäusekörpers 82 bündig miteinander ab.
  • Das in den 2A bis 2C dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit den 1A bis 1I beschriebenen Ausführungsbeispiel. 2A entspricht hierbei der 1F. Sämtliche Verfahrensschritte, die vor dem in 1F gezeigten Schritt ausgeführt werden, entsprechen sich in den beiden Ausführungsbeispielen.
  • Im Unterschied zu dem in 1G dargestellten Verfahrensschritt wird vorliegend eine transparente Beschichtung aus Parylen 28 ausgebildet (beispielsweise durch radikalisch initiierte Polymerisation), welche die Konversionselemente 12 und die Gräben 14 bedeckt (siehe 2B). Die Beschichtung aus Parylen 28 bildet nicht nur im Bereich der Gräben 14, also an seitlichen Rändern 20 der Konversionselemente 12, sondern auch auf der gesamten vorderseitigen Fläche 30 der Konversionselemente 12 eine Verkapselung 18, welche diese vor der Einwirkung von Luft und Feuchtigkeit schützt. Anstelle des Parylens kann auch eine Beschichtung aus anderen Materialien ausgebildet werden, z.B. durch ALD oder CVD.
  • Wiederum weisen Seitenflächen 24 des Gehäusekörpers 82 und Seitenflächen 26 der Verkapselung 18 im fertigen Halbleiterbauelement 100 Vereinzelungsspuren auf (siehe 2C). Des Weiteren schließen die Seitenflächen 26 der Verkapselung 18 und die Seitenflächen 24 des Gehäusekörpers 82 bündig miteinander ab.
  • Das in den 3A bis 3C dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen ebenfalls dem im Zusammenhang mit den 1A bis 1I beschriebenen Ausführungsbeispiel.
  • 3A entspricht hierbei der 1F. Sämtliche Verfahrensschritte, die vor dem in 1F gezeigten Schritt ausgeführt werden, entsprechen sich in den beiden Ausführungsbeispielen.
  • Im Unterschied zu dem in 1G dargestellten Verfahrensschritt werden vorliegend die Gräben 14 mit dem gleichen Material vergossen, welches bei der früheren Ausbildung des Gehäusekörperverbunds 8 in dem in 1B gezeigten Verfahrensschritt verwendet wurde (siehe 3B). Das heißt, der Gehäusekörperverbund 8 wird derart erweitert, dass er sich nunmehr durch die Gräben 14 hindurch bis zur Vorderseite des gesamten in 3B gezeigten Verbundes erstreckt. Der Gehäusekörperverbund 8 und nachfolgend auch der Gehäusekörper 82 des vereinzelten Halbleiterbauelements 100 bildet im Bereich der Gräben 14, also an seitlichen Rändern 20 der Konversionselemente 12 eine Verkapselung 18, welche diese vor der Einwirkung von Luft und Feuchtigkeit schützt. Die Seitenflächen 24 des Gehäusekörpers 82 weisen wiederum Vereinzelungsspuren auf (siehe 3C).
  • In den 4A bis 4G ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen gezeigt, welches im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit den 1A bis 1I beschriebenen Ausführungsbeispiel entspricht, bei welchem jedoch kein Hilfsträger verwendet wird.
  • In dem in 4A dargestellten Verfahrensschritt wird vorliegend eine Vielzahl von Halbleiterchips 4 auf einem strukturierten Metallverbund 32 befestigt. Die Halbleiterchips 4, welche vorliegend als Flip-Chips ausgebildet sind, sind matrixartig angeordnet und in einer lateralen Richtung, das heißt in einer Richtung parallel zur Haupterstreckungsebene des strukturierten Metallverbunds 32 voneinander beabstandet. Der strukturierte Metallverbund 32 entsteht aus einer Metallschicht, welche bereichsweise durchtrennt wird, so dass eine Vielzahl von inselförmigen Metallstrukturen ausgebildet wird. Die Halbleiterchips 4 werden bevorzugt derart auf dem strukturierten Metallverbund 32 befestigt, dass sie auf jeweils zwei benachbarten inselförmigen Metallstrukturen angeordnet sind.
  • In dem nachfolgenden, in 4B dargestellten Verfahrensschritt wird wiederum ein Gehäusekörperverbund 8 erzeugt, welcher die Bereiche zwischen benachbarten Halbleiterchips 4 und zwischen den benachbarten inselförmigen Metallstrukturen ausfüllt. Des Weiteren wird der Gehäusekörperverbund 8 gedünnt, sodass die Vorderseiten 42 der Halbleiterchips 4 freiliegen.
  • In dem nachfolgenden, in 4C dargestellten Verfahrensschritt wird analog zur 1E eine Konversionsfolie 10 unter Verwendung eines aus Silikon bestehenden Klebers 6 auf die Vorderseiten 42 der Halbleiterchips sowie den Gehäusekörperverbund 8 aufgeklebt.
  • Die in den 4D bis 4F gezeigten Verfahrensschritte entsprechen im Wesentlichen den in den 1F bis 1H gezeigten Schritten.
  • In dem in 4D gezeigten Verfahrensschritt wird die Konversionsfolie 10 wiederum zur Ausbildung von Konversionselementen 12 durchtrennt, indem Gräben 14 in die Konversionsfolie 10 eingebracht werden, welche die Konversionselemente 12 definieren. Nachfolgend wird eine Metallbeschichtung 16 ausgebildet (siehe 4E), welche die Konversionselemente 12 und die Gräben 14 bedeckt, wobei vorangehend ein Fotolack 22 auf die Bereiche der Konversionselemente 12, die in den fertigen Halbleiterbauelementen freiliegen und als Strahlungsaustrittsflächen dienen sollen, aufgebracht wird. Die Metallbeschichtung 16 bildet im Bereich der Gräben 14, also an seitlichen Rändern 20 der Konversionselemente 12, eine Verkapselung 18, welche diese vor der Einwirkung von Luft und Feuchtigkeit schützt.
  • Der bereichsweise aufgebrachte Fotolack 22 wird wiederum nachfolgend unter Verwendung eines geeigneten Lösungsmittels entfernt, so dass die Metallbeschichtung 16 nur in den Bereichen erhalten bleibt, in denen sie als Verkapselung 18 gewünscht ist (siehe 4F). Zum Vereinzeln in Halbleiterbauelemente 100 wird der Gehäusekörperverbund 8 entlang von Vereinzelungslinien 24 durchtrennt.
  • Jedes der entstehenden Halbleiterbauelemente 100 weist zumindest einen Halbleiterchip 4, ein Konversionselement 12 mit seitlicher Verkapselung 18 und einen Teil des Gehäusekörperverbunds als Gehäusekörper 82 auf (siehe 4G). Außerdem weist das optoelektronische Halbleiterbauelement 100 zwei Leiterrahmen 34, 36 auf, welche zur Kontaktierung des Halbleiterchips 4 von einer Rückseite des Halbleiterbauelements her geeignet sind und welche durch die Durchtrennung des strukturierten Metallverbunds 32 bei der Vereinzelung entstehen.
  • Folge der Vereinzelung des Gehäusekörperverbunds ist es, dass Seitenflächen 24 des Gehäusekörpers 82 und Seitenflächen 26 der Verkapselung 18 sowie im vorliegenden Ausführungsbeispiel auch Seitenflächen 38 der zwei Leiterrahmen 34, 36 Vereinzelungsspuren aufweisen. Des Weiteren schließen die Seitenflächen 26 der Verkapselung 18, die Seitenflächen 24 des Gehäusekörpers 82 und die Seitenflächen 38 der zwei Leiterrahmen 34, 36 bündig miteinander ab.
  • In den 5A bis 5E ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen gezeigt.
  • Wie in 5A dargestellt, wird wiederum eine Vielzahl von Halbleiterchips 4 unmittelbar auf einem Hilfsträger 2 befestigt. Im Unterschied zu den vorhergehenden Ausführungsbeispielen wird zunächst eine nicht dargestellte Konversionsfolie in Konversionselemente 12 vereinzelt, welche auf den Halbleiterchips 4 befestigt werden (siehe 5B). Die Vereinzelung der Konversionsfolie in Konversionselemente 12 kann hierbei entweder vor oder nach der Befestigung der Konversionsfolie/Konversionselemente auf den Halbleiterchips 4 erfolgen.
  • In dem nachfolgenden, in 5C dargestellten Verfahrensschritt wird ein Gehäusekörperverbund 8 erzeugt, welcher nicht nur die Bereiche zwischen benachbarten Halbleiterchips 4, sondern auch die Bereiche zwischen benachbarten Konversionselementen 12 ausfüllt und diese hierdurch an deren seitlichen Rändern 20 verkapselt. Die Verkapselung erfolgt somit während die Ausbildung des Gehäusekörperverbunds 8. Die Vorderseiten der Konversionselemente 12 liegen bereits frei und sind vom Gehäusekörperverbund 8 unbedeckt. Daher entfällt die Notwendigkeit, den Gehäusekörperverbund 8 von der dem Hilfsträger 2 abgewandten Seite her zu dünnen.
  • In dem nachfolgenden, in 5D gezeigten Verfahrensschritt wird der Hilfsträger 2 durch Delaminieren entfernt. Zum Vereinzeln in Halbleiterbauelemente 100 wird der Gehäusekörperverbund 8 wiederum entlang von Vereinzelungslinien 24 durchtrennt.
  • Jedes der entstehenden Halbleiterbauelemente 100 weist zumindest einen Halbleiterchip 4, ein Konversionselement 12 und einen Teil des Gehäusekörperverbunds als Gehäusekörper 82 auf, welcher zugleich eine seitliche Verkapselung 18 der Konversionselemente 12 ausbildet (siehe 5E). Folge der Vereinzelung des Gehäusekörperverbunds ist es wiederum, dass Seitenflächen 24 des Gehäusekörpers 82 Vereinzelungsspuren aufweisen.

Claims (14)

  1. Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100) mit den Schritten: a) Bereitstellen einer Vielzahl von zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen Halbleiterchips (4), b) Anordnen der Vielzahl von Halbleiterchips (4) in einer Ebene, wobei die Halbleiterchips (4) in einer lateralen Richtung voneinander beabstandet sind; c) Ausbilden eines Gehäusekörperverbunds (8), der zumindest bereichsweise zwischen den Halbleiterchips (4) angeordnet ist; d) Ausbilden einer Vielzahl von Konversionselementen (12), wobei jedes Konversionselement (12) ein wellenlängenkonvertierendes Konversionsmaterial umfasst und auf einem der Halbleiterchips (4) angeordnet wird; e) Verkapseln der Vielzahl von Konversionselementen (12) zumindest an deren seitlichen Rändern (20) mit einem Verkapselungsmaterial, welches sich von dem Konversionsmaterial unterscheidet; und f) Vereinzeln des Gehäusekörperverbunds (8) in eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100), wobei jedes Halbleiterbauelement (100) zumindest einen Halbleiterchip (4), ein seitlich verkapseltes Konversionselement (12) und einen Teil des Gehäusekörperverbunds (8) als Gehäusekörper (82) aufweist, wobei Schritt d) vor Schritt b), vor Schritt c) oder vor Schritt e) ausführbar ist, wobei die Vielzahl von Konversionselementen (12) durch Vereinzelung aus einer Konversionsfolie (10), die das Konversionsmaterial umfasst, entsteht, und wobei mindestens eine Seitenfläche (26) der Verkapselung (18) und mindestens eine Seitenfläche (24) des Gehäusekörpers (82) bündig miteinander abschließen.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Konversionsmaterial wellenlängenkonvertierende Quantenpunkte umfasst.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Konversionsfolie (10) auf dem Gehäusekörperverbund (8) und den Halbleiterchips (2) befestigt wird und nachfolgend derart durch Gräben (14) durchtrennt wird, dass auf jedem Halbleiterchip (2) ein Konversionselement (12) ausgebildet wird, und bei dem die Konversionselemente (12) zumindest im Bereich der Gräben (14) mit dem Verkapselungsmaterial verkapselt werden.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem die Konversionselemente (12) durch einen Beschichtungsprozess oder durch einen Gießprozess verkapselt werden.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem zunächst die Konversionsfolie (10) in Konversionselemente (12) vereinzelt wird und die Konversionselemente (12) auf den Halbleiterchips (4) ausgebildet werden und bei dem nachfolgend der Gehäusekörperverbund (8) derart ausgebildet wird, dass er die Vielzahl von Konversionselementen (12) zumindest an deren seitlichen Rändern (20) verkapselt.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem in Schritt b) die Vielzahl von Halbleiterchips (4) auf einem Hilfsträger (2) befestigt wird , wobei die Halbleiterchips (4) in einer lateralen Richtung voneinander beabstandet sind, und bei dem der Hilfsträger (2) nach dem Schritt c) oder nach einem späteren Verfahrensschritt entfernt wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die Vielzahl von Halbleiterchips (4) in Schritt b) auf einem strukturierten Metallverbund (32) befestigt wird und bei dem nach Ausführung des Schritts f) jedes Halbleiterbauelement (100) zumindest einen Teil des strukturierten Metallverbunds (32) als Leiterrahmen (34, 36) aufweist.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Konversionselemente (12) ferner auf deren Vorderseite mit dem Verkapselungsmaterial verkapselt werden, wobei das Verkapselungsmaterial transparent ausgebildet ist.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Gehäusekörperverbund (8) in Schritt c) durch Formpressen oder durch ein folienassistiertes GießVerfahren ausgebildet wird.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Halbleiterchips (4) in Schritt c) überformt werden und der Gehäusekörperverbund (8) nachfolgend gedünnt wird, so dass die Halbleiterchips (4) bereichsweise freiliegen.
  11. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (100), wobei - das Halbleiterbauelement (100) einen zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen Halbleiterchip (4) aufweist; - das Halbleiterbauelement (100) einen Gehäusekörper (82) aufweist, der den Halbleiterchip (4) in einer lateralen Richtung umgibt; - auf dem Halbleiterchip (4) ein Konversionselement (12) angeordnet ist, welches ein wellenlängenkonvertierendes Konversionsmaterial umfasst, und wobei zumindest an einem seitlichen Rand (20) des Konversionselements (12) eine Verkapselung (18) aus einem Verkapselungsmaterial vorgesehen ist, welches sich von dem Konversionsmaterial unterscheidet; - Seitenflächen (24) des Gehäusekörpers (82) Vereinzelungsspuren aufweisen; und - mindestens eine Seitenfläche (26) der Verkapselung (18) und mindestens eine Seitenfläche (24) des Gehäusekörpers (82) bündig miteinander abschließen.
  12. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) nach Anspruch 11, welches an einer Rückseite zwei Kontakte (52, 54, 34, 36) zur Kontaktierung des Halbleiterchips (4) aufweist.
  13. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) nach Anspruch 12, welches ferner einen Leiterrahmen (52, 54) aufweist, wobei die zwei Kontakte (52, 54, 34, 36) an der Rückseite des Halbleiterbauelements (100) durch Teile des Leiterrahmens (52, 54) gebildet sind und wobei der Leiterrahmen (52, 54) an mindestens einer Seitenfläche (38) des Halbleiterbauelements (100) bereichsweise freiliegt.
  14. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) nach Anspruch 12, wobei das Konversionselement (12) ein vereinzelter Teil einer Konversionsfolie (10) ist, die das Konversionsmaterial umfasst, und die Konversionsfolie (10) eine elektromagnetische Strahlung emittierende Fläche des Halbleiterchips (4), die Kontakte (52, 54, 34, 36) und teilweise den Gehäusekörper (82) überdeckt, ohne die Seitenflächen (24) des Gehäusekörpers (82) zu bedecken.
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US15/515,766 US10103296B2 (en) 2014-10-02 2015-10-01 Method for producing optoelectronic semiconductor devices and an optoelectronic semiconductor device
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10193043B2 (en) 2016-07-28 2019-01-29 Lumileds Llc Light emitting device package with reflective side coating
KR102208504B1 (ko) * 2016-07-28 2021-01-28 루미레즈 엘엘씨 반사성 측면 코팅을 갖는 발광 디바이스 패키지
DE102016122532A1 (de) * 2016-11-22 2018-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP6798279B2 (ja) * 2016-11-28 2020-12-09 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
KR102667347B1 (ko) * 2016-12-27 2024-05-21 현대자동차주식회사 연료전지 시스템 및 그 제어방법
DE102017103328A1 (de) * 2017-02-17 2018-08-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Konversionsvorrichtung mit einem Konversionselement und einer Streumaterialbeschichtung
DE102017104871A1 (de) 2017-03-08 2018-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112017000857B4 (de) * 2017-07-06 2024-02-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102017117150A1 (de) * 2017-07-28 2019-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil
WO2019025009A1 (en) * 2017-08-04 2019-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh PROCESS FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE
DE102018100946A1 (de) * 2018-01-17 2019-07-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteil und verfahren zur herstellung eines bauteils
DE102018121338A1 (de) 2018-08-31 2020-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische leuchtvorrichtung, optoelektronische beleuchtungseinrichtung und herstellungsverfahren
US10862008B2 (en) * 2018-11-20 2020-12-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Ceramic conversion element, light-emitting device and method for producing a ceramic conversion element

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010025849A1 (de) 2008-09-04 2010-03-11 Bayer Materialscience Ag Konversionsfolie und ein verfahren zu deren herstellung
DE102009036621A1 (de) 2009-08-07 2011-02-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements und optoelektronisches Halbleiterbauelement
US20130026518A1 (en) 2011-01-28 2013-01-31 Seoul Opto Device Co., Ltd. Wafer level led package and method of fabricating the same
DE102012216738A1 (de) 2012-09-19 2014-03-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement
DE202013101431U1 (de) 2013-04-04 2014-07-09 Zumtobel Lighting Gmbh Leuchtvorrichtung zur Erzeugung von Weißlicht

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1544923A3 (de) * 2003-12-19 2007-03-14 Osram Opto Semiconductors GmbH Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterchips auf einem Leiterrahmen
TWI241042B (en) * 2004-03-11 2005-10-01 Chen-Lun Hsingchen A low thermal resistance LED device
JP2006114909A (ja) 2004-10-14 2006-04-27 Agilent Technol Inc フラッシュ・モジュール
DE102005061828B4 (de) 2005-06-23 2017-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierendes Konvertermaterial, lichtabstrahlendes optisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102007030129A1 (de) * 2007-06-29 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
DE102007049005A1 (de) * 2007-09-11 2009-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
CN101855735A (zh) * 2007-11-19 2010-10-06 松下电器产业株式会社 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法
JP5252621B2 (ja) * 2007-12-28 2013-07-31 独立行政法人産業技術総合研究所 粘土を主成分とするフレキシブル蛍光フィルム
US20110049545A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led package with phosphor plate and reflective substrate
JP2011066193A (ja) * 2009-09-17 2011-03-31 Rohm Co Ltd 光学装置および光学装置の製造方法
JP2011253882A (ja) 2010-06-01 2011-12-15 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法
WO2012060274A1 (ja) * 2010-11-04 2012-05-10 富士フイルム株式会社 量子ドット構造体および量子ドット構造体の形成方法ならびに波長変換素子、光光変換装置および光電変換装置
JP5670249B2 (ja) 2011-04-14 2015-02-18 日東電工株式会社 発光素子転写シートの製造方法、発光装置の製造方法、発光素子転写シートおよび発光装置
JP5777705B2 (ja) 2011-04-20 2015-09-09 株式会社エルム 発光装置及びその製造方法
JP6094062B2 (ja) * 2012-06-01 2017-03-15 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
DE102012111123A1 (de) 2012-09-26 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Halbleiterbauelement
JP2014090157A (ja) * 2012-10-03 2014-05-15 Nitto Denko Corp 封止シート被覆半導体素子、その製造方法、半導体装置およびその製造方法
JP5995695B2 (ja) 2012-12-03 2016-09-21 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄ装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010025849A1 (de) 2008-09-04 2010-03-11 Bayer Materialscience Ag Konversionsfolie und ein verfahren zu deren herstellung
DE102009036621A1 (de) 2009-08-07 2011-02-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements und optoelektronisches Halbleiterbauelement
US20130026518A1 (en) 2011-01-28 2013-01-31 Seoul Opto Device Co., Ltd. Wafer level led package and method of fabricating the same
DE102012216738A1 (de) 2012-09-19 2014-03-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement
DE202013101431U1 (de) 2013-04-04 2014-07-09 Zumtobel Lighting Gmbh Leuchtvorrichtung zur Erzeugung von Weißlicht

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