وانادیم(IV) اکسید
| وانادیم(IV) اکسید | |
|---|---|
| |
Vanadium(IV) oxide | |
دیگر نام‌ها Vanadium dioxide | |
| شناساگرها | |
| شماره ثبت سی‌ای‌اس | ۱۲۰۳۶-۲۱-۴ 
|
| پاب‌کم | ۸۲۸۴۹ |
| جی‌مول-تصاویر سه بعدی | Image 1 |
| |
| خصوصیات | |
| فرمول مولکولی | VO2 |
| جرم مولی | 82.94 g/mol |
| شکل ظاهری | Blue-black powder |
| چگالی | 4.571 g/cm3 (monoclinic) 4.653 g/cm3 (tetragonal) |
| دمای ذوب | ۱٬۹۶۷ °C[۱] |
| پذیرفتاری مغناطیسی | +99.0·10-6 cm3/mol[۲] |
| ساختار | |
| ساختار بلوری | Distorted rutile (<70 °C monoclinic) Rutile (>70 °C tetragonal) |
| خطرات | |
| کدهای ایمنی | ۳۶/۳۷/۳۸ |
| شماره‌های نگهداری | ۲۶–۳۶/۳۷/۳۹ |
| خطرات اصلی | toxic |
| لوزی آتش |  |
| نقطه اشتعال | |
| ترکیبات مرتبط | |
| دیگر آنیون‌ها | Vanadium disulfide Vanadium diselenide Vanadium ditelluride |
| دیگر کاتیون‌ها | Niobium(IV) oxide Tantalum(IV) oxide |
| به استثنای جایی که اشاره شده‌است در غیر این صورت، داده‌ها برای مواد به وضعیت استانداردشان داده شده‌اند (در 25 °C (۷۷ °F)، ۱۰۰ kPa) | |
 (بررسی) (چیست:  / ؟)
| |
| Infobox references | |
|
| |
اکسید وانادیم(IV) یا وانادیم دی‌اکسید (به انگلیسی: Vanadium(IV) oxide) با فرمول شیمیایی VO2 یک ترکیب شیمیایی است؛ که جرم مولی آن ۸۲٫۹۴ گرم بر مول می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، پودر آبی تیره است. دمای انتقال فاز VO2 بسیار نزدیک به دمای اتاق (~ ۶۶ درجه سلسیوس) است. مقاومت الکتریکی، تیرگی و غیره می‌تواند چندین نظم را تغییر دهد. به دلیل این خصوصیات، می‌توان از آن در پوشش‌های سطح،[۳] ساخت سنسورها،[۴] و تصویربرداری[۵] استفاده کرد. کاربردهای بالقوه شامل استفاده در دستگاه‌های حافظه،[۶][۷] سوئیچ‌های تغییر فاز،[۸] سیستم‌های ارتباطی هوافضا و محاسبات نورومورفیک[۹] است.
جستارهای وابسته
[ویرایش]منابع
[ویرایش]- ↑ Haynes, p. 4.98
- ↑ Haynes, p. 4.136
- ↑ Li, Yamei; Ji, Shidong; Gao, Yanfeng; Luo, Hongjie; Kanehira, Minoru (2013-04-02). "Core-shell VO2@TiO2 nanorods that combine thermochromic and photocatalytic properties for application as energy-saving smart coatings". Scientific Reports. 3: 1370. Bibcode:2013NatSR...3E1370L. doi:10.1038/srep01370. PMC 3613806. PMID 23546301.
- ↑ Hu, Bin; Ding, Yong; Chen, Wen; Kulkarni, Dhaval; Shen, Yue; Tsukruk, Vladimir V.; Wang, Zhong Lin (2010-12-01). "External-Strain Induced Insulating Phase Transition in VO2 Nanobeam and Its Application as Flexible Strain Sensor". Advanced Materials. 22 (45): 5134–5139. doi:10.1002/adma.201002868. PMID 20842663. S2CID 205238368.
- ↑ Gurvitch, M.; Luryi, S.; Polyakov, A.; Shabalov, A. (2009-11-15). "Nonhysteretic behavior inside the hysteresis loop of VO2 and its possible application in infrared imaging". Journal of Applied Physics. 106 (10): 104504–104504–15. Bibcode:2009JAP...106j4504G. doi:10.1063/1.3243286. S2CID 7107273.
- ↑ Xie, Rongguo; Bui, Cong Tinh; Varghese, Binni; Zhang, Qingxin; Sow, Chorng Haur; Li, Baowen; Thong, John T. L. (2011-05-10). "An Electrically Tuned Solid-State Thermal Memory Based on Metal–Insulator Transition of Single-Crystalline VO2 Nanobeams". Advanced Functional Materials. 21 (9): 1602–1607. doi:10.1002/adfm.201002436.
- ↑ Zhou, You; Ramanathan, S. (2015-08-01). "Mott Memory and Neuromorphic Devices". Proceedings of the IEEE. 103 (8): 1289–1310. doi:10.1109/JPROC.2015.2431914. S2CID 11347598.
- ↑ "Phase-Change Materials and Switches for Enabling Beyond-CMOS Energy Efficient Applications". Phase-Change Switch Project. Retrieved 2018-05-05.
- ↑ Barraud, Emmanuel (2018-02-05). "A revolutionary material for aerospace and neuromorphic computing". EPFL News. Retrieved 2018-05-05.
- «IUPAC GOLD BOOK». دریافت‌شده در ۱۸ مارس ۲۰۱۲.
 | این یک مقالهٔ خرد شیمی است. می‌توانید با گسترش آن به ویکی‌پدیا کمک کنید. |