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p-3cとは 意味・読み方・使い方
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「p-3c」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 32件
An inflection point p located more inside than an outer edge 3a' of the flange 3a is provided on a boundary between the inclined portion 3c and the body part 1 of the container.例文帳に追加
そして、前記傾斜部3cと容器の本体部分1との境界に前記フランジ3aの外縁3a′よりも内側に位置する変曲点pを設ける。 - 特許庁
In the transition region, a p-type deep diffusion layer 3c which serves as FLR is provided.例文帳に追加
遷移領域には、FLRとなるp型の深い拡散層3cが設けられている。 - 特許庁
The outer peripheral face of the abutting member 3c is a second abutting face 3c which abuts on a crossing portion between the front end face and the inner peripheral face of the plug P during connecting the plug P.例文帳に追加
当接部材3cの外周面を、プラグPの接続時にプラグPの先端面と内周面との交差部に突き当たる第2当接面3cとする。 - 特許庁
The p^+-type gate semiconductor 4 is provided on the first to the third regions 3a to 3c of the n-type drift semiconductor 3.例文帳に追加
p^+型ゲート半導体部4は、n型ドリフト半導体部3の第1〜第3の領域3a〜3c上に設けられている。 - 特許庁
The receiver frame 3 is provided with two inclined surfaces 3c, 3d crossing at right angles with each other, and a corner part of the paper sheet pile P is held thereby.例文帳に追加
受け枠3には、直交する2つの斜面3c,3dを設け、ここに紙葉集積体Pの角部を保持する。 - 特許庁
On a substrate 1, an n-type semiconductor layer 2 comprising an n-type GaN layer is laminated, then first, second, and third active layers 3a, 3b, and 3c of InGa1-xN are sequentially laminated, and a p-type semiconductor layer 4 comprising a p-type GaN layer is laminated on the third active layer 3c.例文帳に追加
基板1上にn形GaN層よりなるn形半導体層2が積層され、続いてInGa_1-XNよりなる第1の活性層3a、第2の活性層3b,第3の活性層3cが順次積層され、第3の活性層3c上にp形GaN層よりなるp形半導体層4が積層されている。 - 特許庁
The drape 1 has six opening parts 3a, 3b, 3c, 3d, 3e and 3f to expose part of the body surface of a patient P when the body of the patient P is covered with the drape.例文帳に追加
ドレープ1には、患者Pの身体を覆った使用状態で、患者Pの体表の一部を露出する6つ開口部3a、3b、3c、3d、3eおよび3fが形成されている。 - 特許庁
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Weblio例文辞書での「p-3c」に類似した例文 |
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p-3c
-NO3基
the group -NO3
a follower
T-eloth
a subordinate branch of any organisation
a dot written beside a Japanese character in order to modify the pronunciation
trichopathy
a dot for moxa cautery
procathedral
coypus
5分の 3.
pseudoclassic(al)
five-toed pachyderm
the characteristic of dignity and grace
p3c
C sharp
Cシャープ
C sharp
C
体育をやる.
number three (No.3)―the third
=3.
=3.
tritons
夕ぐれどき
オオハシカッコウ
a lancet
gò [g
5分の 3.
「p-3c」の部分一致の例文検索結果
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Furthermore, with catalyst particles 6a formed in an activation process as nucleus, a thick Ni-P alloy layer 6b whose P-concentration is 4-8 wt.% is formed through nonelectrolytic plating, and an Au layer 3c is formed over it.例文帳に追加
さらに、活性化処理により形成された触媒粒子6aを核として、無電解めっきにより、P濃度が4〜8wt%である厚いNi−P合金層6bを形成し、さらに、その上にAu層3cを形成する。 - 特許庁
A magnetic field generated from the loop antennas 3C and 3D passes a card movement plane P (including an extension plane in front of the insertion port 32) of the magnetic card 2 in front of the insertion port 32, and is parallel to the card movement plane P.例文帳に追加
ループアンテナ3C,3Dから発生する磁界は、挿入口32の前方において磁気カード2のカード移動平面P(挿入口32の前方の延長平面も含む)を通り、カード移動平面Pに平行である。 - 特許庁
Non-molding surfaces 3d and 3d opposite to molding surfaces 3c and 3c getting in contact with the opposed surfaces 1f and 1f of the opposed surface molding plates 3a and 3a are formed slantingly to expand as the clearance between the non-molding surfaces 3d and 3d advance in the opening direction P toward one side.例文帳に追加
ここで、対向面成形板3a、3aの、前記対向面1f、1fと接する成形面3c、3cとは反対の非成形面3d、3dは、それら非成形面3d、3d間が前記一方を向く開放方向Pに進むに連れて広がるように、傾斜して形成される。 - 特許庁
The MOSFET is a punch-through type element, and the p-type body layer 3 has, at a center part (contact region 3c), a part having a longer trailing pattern of a p-type impurity concentration profile along the depth of the n-type drift layer 2 than an end (channel formation region 3b or terminal region 5).例文帳に追加
当該MOSFETはパンチスルー型の素子であり、p型ボディ層3は、中央部(コンタクト領域3c)に端部(チャネル形成領域3bまたは終端領域5)よりもp型不純物濃度プロファイルのn型ドリフト層2の深さ方向への裾引きが長い部分を有する。 - 特許庁
Even if the displacement s of the parting face P of the outer ring 3a exceeds a bearing clearance Δ1, a bearing clearance Δ2 is larger than Δ1 at the position of the parting face P of the outer ring 3a, and so far as Δ1>s, rollers 3c are not arrested and defective rotation can be minimized.例文帳に追加
外輪3aの分割面Pのズレsが軸受スキマΔ1を超えたとしても、外輪3aの分割面Pの位置では、軸受スキマΔ2はΔ1より大きくなっており、(Δ1>s)である限り、ころ3cが拘束されることはなく、回転不良が生じる恐れは少ない。 - 特許庁
In the seat cushion 3, the side supports 3R, 3L supporting the thighs from the sides are provided on both sides of a central part 3C to be a seating part P.例文帳に追加
シートクッション3は、着座部Pとなる中央部3Cの両側に大腿部を側方から支持することのできるサイドサポート部3R,3Lが設けられている。 - 特許庁
A mullion gasket 30 is mounted on the indoor side of the overhanging portion 3C of a mullion 3 and is brought into elastic contact with a vertical panel holding gasket 22 located on the outdoor surface of a panel P.例文帳に追加
方立3の張出し部3Cの室内側に方立ガスケット30を取り付け、この方立ガスケット30をパネルPの室外面の縦パネル保持ガスケット22と弾性的に接触させたものである。 - 特許庁
Thus, choking of the outlet 3c of the polymerization vessel 3 by solidification of the liquid crystal resin P remaining in the polymerization vessel 3 is avoided.例文帳に追加
これにより、重合容器3内に残存した液晶樹脂Pが固化して重合容器3の吐出口3cを閉塞する事態の発生を回避することができる。 - 特許庁
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