P-113とは 意味・読み方・使い方

A P-type contact layer 101 and a first electrode layer 113 are formed on a ridge part 120 provided in a P-type clad layer 112.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１１２に設けられたリッジ部１２０の上に、ｐ型コンタクト層１０１および第一の電極層１１３を形成する。 - 特許庁

A p-side electrode 114 is formed over a p^+-GaAs contact layer 113 having a doping concentration of ≥1×10^18 cm^-3 and a p-AlGaAs second upper cladding layer 109 having a doping concentration of ≤1×10^17 cm^-3.例文帳に追加

ドーピング濃度が１×１０^18ｃｍ^-3以上のｐ^+-ＧaＡsコンタクト層１１３上およびドーピング濃度が１×１０^17ｃｍ^-3以下のｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９上にｐ側電極１１４を形成する。 - 特許庁

Then, when the tip part of the press plate P reaches the punch unit 4, the following movable pin 113 pushes out the rear end part of the press plate P and the tip part of the press plate P is abutted to the punch unit 4.例文帳に追加

そして、刷版Ｐの先端部分がパンチユニット４に到達すると、追尾して動作していた可動ピン１１３が刷版Ｐの後端部分を押し出して、刷版Ｐの先端部分をパンチユニット４に付き当てる。 - 特許庁

An n^+-type source/drain region 112, a p^+-type source/drain region 113, a p-type well 114, an n-type well 117, a p^+-diffusion layer 115, and an n^+-diffusion layer 116 are formed on the embedded oxide film 102.例文帳に追加

埋め込み酸化膜１０２上にｎ^+ 型ソース／ドレイン領域１１２，ｐ^+ 型ソース／ドレイン領域１１３，ｐ型ウェル１１４，ｎ型ウェル１１７，ｐ^+ 拡散層１１５，及びｎ^+ 拡散層１１６が形成されている。 - 特許庁

A p-type spacer layer 109, n-type current light confining layer 110, n-type current sealing layer 111 and p-type planarized layer 112 are provided on both the sides of the ridge part, in the direction of the width, and a p-type contact layer 113 is laminated thereon.例文帳に追加

リッジ部の幅方向両側に、ｐ型スペーサ層１０９、ｎ型電流光閉じ込め層１１０、ｎ型電流閉じ込め層１１１、ｐ型平坦化層１１２を備え、その上に、ｐ型コンタクト層１１３を積層する。 - 特許庁

At an interface between the contact layer 113 and the p side electrode 115, there is formed an alloy layer 120, consisting of elements which constitute Ni, Au, Zn and the contact layer 113.例文帳に追加

上記コンタクト層１１３とｐ側電極１１５との界面に、ＮiとＡuとＺnおよびコンタクト層１１３を構成する元素とからなる合金層１２０を形成する。 - 特許庁

The mold 110 used for resin sealing molding the electronic component is composed of a first mold 111 and a second mold 112, and planar substrate feed setting surfaces 113 having no step are formed on mold matching surfaces (P and L surfaces) of both the molds.例文帳に追加

一の型111 と二の型112 とから電子部品の樹脂封止成形用型110 を構成すると共に、この型の型合せ面（P.L 面）に段差を無くした平面形状の基板供給セット面113 を設ける。 - 特許庁

A current is implanted from the p electrode 113 to the DBR area 103, thereby controlling an oscillation wavelength.例文帳に追加

ＤＢＲ領域１０３に対してｐ電極１１３から電流を注入することにより、発振波長の制御が行われる。 - 特許庁