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単結晶トランジスタの英語
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単結晶トランジスタ
「単結晶トランジスタ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 149件
単結晶シリコン薄膜トランジスタ例文帳に追加
非単結晶トランジスタ集積回路例文帳に追加
NON-SINGLE-CRYSTAL TRANSISTOR INTEGRATED CIRCUIT - 特許庁
ガラス基板上に単結晶シリコン薄膜トランジスタを製造する方法例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SILICON THIN FILM TRANSISTOR ON GLASS SUBSTRATE - 特許庁
非単結晶トランジスタ集積回路及びその製造方法例文帳に追加
NON-SINGLE CRYSTAL TRANSISTOR INTEGRATED CIRCUIT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
遷移金属連続送達法から製造される単結晶薄膜トランジスタ例文帳に追加
SINGLE-CRYSTAL THIN-FILM TRANSISTOR MANUFACTURED THROUGH TRANSITION METAL CONTINUOUS TRANSFER METHOD - 特許庁
更に多機能化した非単結晶トランジスタ集積回路を提供する。例文帳に追加
To provide a more multifunctional non-single-crystal transistor integrated circuit. - 特許庁
P型単結晶シリコン基板1に、PMOSトランジスタ5及びNMOSトランジスタ8が形成されている。例文帳に追加
A PMOS transistor 5 and an NMOS transistor 8 are formed on a p-type single-crystal silicon substrate 1. - 特許庁
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「単結晶トランジスタ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 149件
複数の電界効果トランジスタは、単結晶半導体層をチャネル部とした電界効果トランジスタである。例文帳に追加
The plurality of the field effect transistors are field effect transistors in which a single crystal semiconductor layer is used as a channel part. - 特許庁
高速動作を求められるトランジスタの単結晶半導体層を、電圧に対して高い耐圧性を求められるトランジスタの単結晶半導体層より薄膜化し、単結晶半導体層の膜厚を薄くする。例文帳に追加
The single-crystal semiconductor layer of a transistor for which high-speed operation is required is formed thinner than that of a transistor for which high resistance to a voltage is required, so that the thickness of the single-crystal semiconductor layer is made thin. - 特許庁
ヘテロ構造を有する細長い単結晶ナノ構造に基づくトンネル効果トランジスタ例文帳に追加
TUNNEL EFFECT TRANSISTORS BASED ON ELONGATED MONOCRYSTALLINE NANO STRUCTURE HAVING HETERO-STRUCTURE - 特許庁
このバイポーラトランジスタは、厚さが50nmより小さな単結晶シリコンのエミッタ領域を有する。例文帳に追加
The bipolar transistor comprises a monocrystalline silicon emitter region with a thickness smaller than 50nm. - 特許庁
単結晶ベースを有するヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ及び関連する方法例文帳に追加
HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING SINGLE CRYSTAL BASE AND METHOD RELATED THERETO - 特許庁
単結晶シリコントランジスタ素子を有する液晶表示装置およびその製造方法例文帳に追加
LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING SINGLE CRYSTAL SILICON TRANSISTOR ELEMENT, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
また、単結晶Si薄膜トランジスタ130上に残ったBOX層152aをエッチング除去する。例文帳に追加
A BOX layer 152a left on the single crystal Si thin film transistor 130 is eliminated by etching. - 特許庁
また、表示部の画素回路のトランジスタ、および光センサは単結晶半導体層で形成する。例文帳に追加
Also a transistor of a pixel circuit in the display portion and the optical sensor are formed using a single crystal semiconductor layer. - 特許庁
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